JP2005005353A

JP2005005353A - Resin-made hollow package and semiconductor device using it

Info

Publication number: JP2005005353A
Application number: JP2003164690A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Kondo; 政幸近藤; Daisuke Suzuki; 大介鈴木
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2003-06-10
Filing date: 2003-06-10
Publication date: 2005-01-06
Anticipated expiration: 2023-06-10
Also published as: JP4359076B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin resin-made hollow package that is excellent in moisture resistance. <P>SOLUTION: This resin-made hollow package is constituted to expose the top surfaces of one end sections of leads in the hollow section of the package, the bottom surfaces of the other ends of the leads on the bottom surface of the package, and the bottom surface of an island composed of a steam-impermeable plate-shaped body having the same size as that of the bottom surface of at least a semiconductor element fitted to the internal bottom face of the hollow section on the bottom surface of the package. The island is disposed in the same plane as that of a lead frame or at a position higher than the surface of the lead frame. In addition, the island is connected to the lead frame through a hanging pin, and the hanging pin is embedded in the resin in a state where the pin is bent in a cross-folded state. Preferably, the island is disposed at a position higher than the surface of the lead frame by 5-100 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は固体撮像素子等の半導体素子を装着するための樹脂製中空パッケージに関する。さらに詳しくは、薄型の構造を有する表面実装用の樹脂製中空パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子のへの装着は、中空パッケージの中空部内底面であるダイアタッチ面に固体撮像素子がダイボンドにて接着され、その後、中空パッケージ内に露出したインナーリードと素子間をＡｕ線にてワイヤーボンディングされた後、パッケージ側壁上表面に接着剤が塗付され光透過性の透明ガラス等でシールされて行われる。しかしながら、樹脂製の中空パッケージの場合、樹脂自体に吸湿性があることから、特に樹脂厚みが薄いパッケージ底面からの透湿が問題となって来た。すなわち中空部に水分が浸入するとガラス内面に結露が発生するため、光が正確に固体撮像素子に入らなくなり素子の機能が阻害されるという問題がある。
【０００３】
そこで、中空部への水分を阻止して耐湿性を向上させるために、特許第３０８０２３６号公報では成形体底部の樹脂内部に蒸気不透過性の板状体からなる耐湿板を形成させることにより耐湿性を向上させている。又、特許第２５３９１１１号公報では、例えば図１の様に、少なくとも半導体素子の底面と同じ大きさを有する蒸気不透過性の板状体からなるアイランド３を、中空パッケージの底面又はそれより内側で、インナーリード１とアウターリード２より低い位置に形成することにより耐湿性を向上させている。
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子を装着させる中空パッケージはますます小型、薄型が要求される様になって来ている。特に薄型にする為には、固体撮像素子自体を薄くすることは勿論のこと、素子とインナーリード間のワイヤーボンディングのループ高さを低くし、更には中空パッケージの底面樹脂層の厚みも薄くすることが必要となって来る。しかしながら、底面樹脂層の厚みを薄くすると耐湿性が低下してしまうという問題がある。
【０００５】
従来の方法として、前記の特許第３０８０２３６号では樹脂内部に耐湿板を形成させるため、耐湿板の両側に樹脂層が形成される必要がある。また、特許第２５３９１１１号ではアイランド部をインナーリードとアウターリードより低い位置に形成する。そのため、中空パッケージの薄型化には限界があった。
そこで本発明は、薄型で耐湿性に優れた樹脂製中空パッケージを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、薄型の樹脂製中空パッケージを作る上での上記課題を解決するために、中空部にその上面を露出したインナーリード部と連なるリードを樹脂内部で屈曲させてアウターリード部下面をパッケージ底面に露出させた表面実装型のＳＯＮ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅＮｏｎＬｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）型、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔＮｏｎＬｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）型の中空パッケージを採用し、かつ、耐湿性向上の為に蒸気不透過性の板状体からなるアイランド下面をパッケージ底面に露出させることにより中空パッケージの薄型化を実現した。そして、アイランドの吊ピン部を山折り状に屈曲させ樹脂内部に埋設させることにより、アイランド及び吊ピンを中空パッケージ底面から剥離しないようにすることができた。
【０００７】
すなわち本発明の樹脂製中空パッケージは、リード一端部の上面が中空部に露出し、他端部の下面がパッケージ底面に露出し、かつ中空部内底面に装着される少なくとも半導体素子の底面と同じ大きさを有する蒸気不透過性の板状体からなるアイランド下面をパッケージ底面に露出させた樹脂製中空パッケージにおいて、該アイランドがリードフレームと同一平面上に配置されるか、又はリードフレーム面より高い位置に配置され、かつアイランドが吊りピンを介してリードフレームと連結され、該吊りピン部が山折り状に屈曲されて樹脂内部に埋設されていることを特徴とする。
【０００８】
該アイランドがリードフレーム面より５から１００μｍ高い位置に配置され、かつ該アイランドが吊りピンを介してリードフレームと連結され、該吊りピン部が山折り状に樹脂内部に屈曲埋設されている樹脂製中空パッケージは、本発明の好ましい態様である。
【０００９】
また、前記アイランド端部が薄肉化され、該薄肉部が樹脂中に埋設されている樹脂製中空パッケージは、本発明の好ましい態様である。
【００１０】
本発明により、前記樹脂製中空パッケージの中空部内底面に、半導体素子が固着されるとともにインナーリードとボンディングワイヤーで接続されパッケージ中空部上面が蓋材で気密封止された、薄型の半導体装置が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の樹脂製中空パッケージは、リードの一端部の上面が中空部に露出し、他端部の下面がパッケージ底面に露出したＳＯＮ、ＱＦＮ型の中空パッケージにおいて、中空部内底面に装着される少なくとも半導体素子の底面と同じ大きさを有する蒸気不透過性の板状体からなるアイランド下面をパッケージ底面に露出させた樹脂製中空パッケージであって、該アイランドがリードフレームと同一平面上に配置されるか、又はリードフレーム面より高い位置に配置され、かつ該アイランドが吊りピンを介してリードフレームと連結され、該吊りピン部が山折り状に屈曲されて樹脂内部に埋設されている。
【００１２】
又、本発明の樹脂製中空パッケージは、ＳＯＮ、ＱＦＮ型の中空パッケージにおいて、中空部内底面に装着される少なくとも半導体素子の底面と同じ大きさを有する蒸気不透過性の板状体からなるアイランド下面をパッケージ底面に露出させた樹脂製中空パッケージであって、該アイランドをリードフレーム面より５〜１００μｍ高い位置に押し上げて配置し、かつ該アイランドが吊りピンを介してリードフレームと連結され、該吊りピン部が山折り状に屈曲されて樹脂内部に埋設されているものが好ましい。この構造にすることにより、実装基板にパッケージを半田実装する時、底面リードと実装基板間の間隙よりもアイランドと実装基板の間隙を大きくすることができ、アイランド部への半田流入を防止できる。なお、リードフレームとアイランドとの距離は、例えばリードフレームの上面からアイランドの上面までの様に求める。
【００１３】
更には、前記アイランド端部が薄肉化され、該薄肉部が樹脂中に埋設されていることが好ましい。これにより、アイランドと樹脂との密着性が向上できる。薄肉化は、アイランド端部の全周でも一部でもよい。好ましくは、アイランド端部の下面側をハーフエッチング又はハーフプレスにより薄肉化することが好ましい。
【００１４】
ここで、使用されるリードは一般的に半導体封止にて使用されているリードフレームのリード部をあらかじめ三次元に屈曲加工させたものを用いる。リードフレームの板厚は０．１〜０．３５ｍｍが良い。更に好ましくは、薄肉化でき、かつリード強度を維持する上から０．１５〜０．２５ｍｍが良い。又、蒸気不透過性の板状体からなるアイランド部もリードフレームと吊りピンを介して連結された金属板が用いられる。これらの材質は、銅、鉄、アルミニウム又はこれらの合金からなる群より選ばれたもの、特に銅合金、又は４２アロイで形成されることが望ましい。そして、リードフレームはことさら表面処理する必要はないが、必要に応じて全面ないし部分的に表面処理を施すことができる。表面処理としては、例えば、銅、金、銀、ニッケル、半田等のメッキ処理があげられる。
【００１５】
ここで、中空部の底厚を構成するアイランドとその上に形成される樹脂層の内、樹脂層厚みは０．０５〜０．４ｍｍが望ましい。更に好ましくは０．１〜０．３ｍｍが良い。樹脂層の厚みは薄い方が中空パッケージの薄型化が図れるが、薄すぎると成形時の流動性が悪くなり完全に充填することが困難となる。一方、樹脂層は厚い方が樹脂充填性は良くなるが、厚いと中空パッケージの薄型化が図れない。また、中空部底厚の樹脂層が厚くなるとインナーリードとアウターリード間のリードを屈曲させている構造であることから、パッケージ底面からインナーリード上面までの厚みが厚くなり、屈曲に要するリード長さが長くなってしまい、その結果アイランドの大きさが小さくなってしまう。
【００１６】
本発明で用いられる樹脂本体部の樹脂には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂、又は液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ）、ポリスルホン、ポリアミド・イミド・ポリアリルスルフォン樹脂等の耐熱熱可塑性樹脂が用いられることが望ましい。これらの内ではエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＰＳを用いることがより望ましい。エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡ型、オルソクレゾールノボラック型、ビフェニル型、ナフタレン型、グリシジルアミン型などのエポキシ樹脂を用いることができる。ポリイミド樹脂としてはポリアミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミド、ポリエーテルイミド等のポリイミド樹脂を用いることができる。
【００１７】
これらの耐熱樹脂には無機充填剤を添加することが好ましい。無機充填剤としてはシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化珪素粉末、ボロンナイトライド粉末、酸化チタン粉末、炭化珪素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維等の耐熱無機充填剤が挙げられる。これらの内、樹脂の等方性収縮の点で繊維よりもシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化珪素粉末、ボロンナイトライド粉末などの粉末がより好ましい。無機充填剤の粒径は、通常０．１〜１２０μｍ、さらには、成形時の流動性、及びダイアタッチ部の充填樹脂厚みが薄いことから０．５〜５０μｍであることがより好ましい。無機充填剤は耐熱樹脂１００重量部に対して通常４０〜３２００重量部、好ましくは１００〜１１５０重量部配合される。又、無機充填剤の他に、本発明の目的を損ねない範囲で、硬化剤、硬化促進剤、及びカップリング剤が含まれていても良い。
【００１８】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
本発明にかかるＳＯＮ型のリードフレーム６を図２に示す。ＳＯＮ形状にするためにリードが屈曲されインナーリード１はアウターリード２より高い位置に形成される。また、アイランド３の大きさは半導体素子の底面の大きさと同じか、それよりも大きな面を有し、アイランドの４隅は山折り状に屈曲された吊ピン５によりリードフレームとつながれている。
【００１９】
次に上記リードフレームを用いてインサート成形を行う。インサート成形後の状態は、図３に示すように、インナーリード１上面が中空部の棚段部に露出し、アウターリード２下面がパッケージ底面に露出し、かつ、屈曲され樹脂中に埋設された吊ピン５に連結されたアイランド３下面がパッケージ底面に露出したＳＯＮ型の薄型中空パッケージである。
【００２０】
インサート成形は、リードフレームを成形金型に装着し、該金型のキャビティーにエポキシ樹脂等を充填するトランスファー成形或いは射出成形による行われる。トランスファー成形する条件は使用する樹脂によっても異なるが、エポキシ樹脂の場合を例にとると、通常、成形圧力５〜３０ＭＰａ、成形温度１３０〜２００℃、成形時間１０〜１２０秒の条件、好ましくは成形圧力１０〜１７ＭＰａ、成形温度１５０〜１８０℃、成形時間１５〜６０秒の条件で行われる。
【００２１】
射出成形の場合は、通常、射出圧力５〜１００ＭＰａ、成形温度１３０〜２００℃、成形時間１０〜１２０秒の条件、好ましくは射出圧力８〜６０ＭＰａ、成形温度１５０〜１８０℃、成形時間１５〜６０秒の条件で成形される。その後、それぞれの成形法において必要に応じて後硬化を加えることができる。
【００２２】
次に、図４に、本発明にかかるＱＦＮ型の中空パッケージのリードフレームを示す。ＳＯＮ型と同様にインナーリード１はリードを屈曲することによりアウターリード２より高い位置に形成される。本リードフレームを成形金型に固定してトランスファー成形、或いは射出成形することにより、図５に示すような、インナーリード１上面が中空部に露出しアウターリード２下面がパッケージ底面に露出し、かつ屈曲され樹脂中に埋設された吊ピン５に連結されたアイランド３下面がパッケージ底面に露出したＱＦＮ型の薄型中空パッケージが得られる。
【００２３】
アイランドを５〜１００μｍパッケージ底面リードフレーム面より高くするためにはＳＯＮ、ＱＦＮ型それぞれに、アイランドがリードフレーム及びアウターリードの面より５〜１００μｍ上方に押し上げられた位置に形成されたリードフレームを準備する。これらのリードフレームを用いてインサート成形すると、図６、図７に示すような、アウターリード下面がパッケージ底面に露出し、アイランド下面がアウターリード面より５〜１００μｍ高い位置で露出したＳＯＮ、ＱＦＮ型の中空パッケージが得られる。
【００２４】
又、本形状のパッケージを得るために、上記形状のリードフレームを用いる代わりに、成形金型のアイランド部と接触する金型部位を前もって５〜１００μｍ凸形状にしておくことにより、図２、図４のリードフレームを成形金型に挟んだ時にアイランド部を５〜１００μｍ上方に変形させることも可能である。
【００２５】
次に、アイランドと樹脂の密着性を向上させるために、アイランド端部の全周或いはその一部の下面側をハーフエッチング又はハーフプレスさせて薄肉にし、該薄肉部を樹脂内部に埋設させることによりアイランド端部薄肉部のアンカー効果で、樹脂との密着性の向上を図ることができる。
【００２６】
この形状の中空パッケージを得るために図８、図９に示す様なリードフレームを準備する。アイランド８の端面下面側の全周乃至一部がハーフエッチング、又はハーフプレスによって薄肉化されている。ここで、薄肉部の幅はリード厚みの１〜３倍が好ましい。幅が短すぎると密着性の効果が小さく、幅が長すぎるとハーフプレスの場合形状を形成することが困難となる。又薄肉部の厚みはリード厚みの１／４〜３／４倍が好ましい。薄肉部の厚みが厚すぎると成形後に当該部分を覆った樹脂が剥離しやすくなり、薄肉部の厚みが薄すぎるとハーフプレスで形状を形成することができなくなる。
【００２７】
本リードフレームを用いてインサート成形することにより、図１０、図１１の様な中空部にインナーリード上面が露出しアウターリード下面が底面に露出し、かつ屈曲され樹脂中に埋設された吊ピンを介して連結された外周薄肉とされたアイランド８の下面を底面に露出したＳＯＮ、ＱＦＮ型中空パッケージをそれぞれ得ることが出来る。
【００２８】
次に、アイランド部端部の下面側の全周乃至一部がハーフエッチング、又はハーフプレスによって薄肉化され、該アイランド８がアウターリード面より５〜１００μｍ上方にシフトした所に形成されたリードフレームを準備する。本リードフレームを用いてインサート成形することにより、図１２、図１３の様な中空部にインナーリード上面が露出し、アウターリード下面が底面に露出し、かつ屈曲され樹脂中に埋設された吊ピンを介して連結された外周薄肉アイランド８の下面をアウターリード面より５〜１００μｍ高い位置に露出させたＳＯＮ、ＱＦＮ型中空パッケージをそれぞれ得ることが出来る。前述のようにアイランドを５〜１００μｍ上方へシフトさせる方法は、成形金型にあらかじめ当該箇所を凸形状させた金型を用いることによっても可能である。
【００２９】
上記方法で得られた樹脂製中空パッケージをリードフレームから吊ピン部、及びアウターリード部を切断分離して個片化することにより表面実装用の樹脂製中空パッケージを得ることが出来る。リードへのメッキはフレームに連なった状態で行ってもよいし、個片化した状態で行ってもよい。
【００３０】
この様にして個片化された樹脂製中空パッケージの中空部底面に、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の半導体素子を接着剤等により固着した後、インナーリードと半導体素子のボンディングパッドとをボンディングワイヤーで接続する。次にパッケージ中空部上面を、ガラス等の蓋材にて接着して気密封止することにより、図１４に示す半導体装置が得られる。
【００３１】
【実施例】
（実施例１）
図２に示すアイランド（７．２ｍｍ×４．９ｍｍ）を有する銅フレーム（板厚０．１５ｍｍ）を準備した。次いで本リードフレームをトランスファー成形機の金型内の所定位置にセットしたのち、ナフタレンエポキシ樹脂／アラルキルフェノール硬化剤系の下記組成の中空パッケージ用成形材料（ａ）を１７０℃、圧力１５ＭＰａ、時間３分の条件にてインサート成形を行った。その後温度１８０℃、３時間の後硬化を行って図３に示す成形体（外形寸法：１０ｍｍ×１０ｍｍ×高さ１ｍｍ、中空底部寸法７．０ｍｍ×５．８ｍｍ、中空部底厚０．３ｍｍ）を得た。この成形体の中空部上面に透明ガラス製蓋材をＵＶ硬化接着剤（協立化学産業社製シール剤８７２３Ｋ８Ｌ）によりＵＶ硬化して接着した。これを温度１２１℃、湿度１００％、ゲージ圧０．１ＭＰａの条件のプレッシャークッカー試験機（タバイエスペック社製）に入れ、１サイクルを２時間とし、２時間毎に取り出してガラス蓋材の内側に結露が認められるかどうか試験を行った。結露時間の算出は（ｂ）式にて行った。その結果、結露時間は８時間であった。
【００３２】
＜中空パッケージ用成形材料（ａ）の組成＞
ナフタレン骨格エポキシ樹脂（日本化薬（株）製ＮＣ７３００Ｌ、エポキシ当量２２０）・・・６重量％、
アラルキルフェノール硬化剤（三井化学（株）製ＭＩＬＥＸＸＬＣ）・・・４．７重量％、
ブロム化エポキシ樹脂（難燃化剤、日本化薬（株）製ＢＲＥＮ−Ｓ、エポキシ当量２８５）・・・２重量％、
シリカ（密度：２．２ｇ／ｃｍ^３、平均粒径２０μｍ、球状）・・・７４重量％、
低密度シリカ（密度：１．８ｇ／ｃｍ^３、平均粒径１μｍ、球状）・・・１２重量％、
三酸化アンチモン・・・０．３重量％、
カーボンブラック・・・０．１重量％、
シランカップリング剤（信越化学工業（株）製ＫＢＭ４０３）・・・０．４重量％、
イミダゾール誘導体（四国化成（株）製２Ｅ４ＭＺ−Ａ）・・・０．３重量％、
離型剤（カルナバワックス）・・・０．２重量％。
【００３３】
＜結露時間算出例＞
下記試験結果の場合、
Ｔ_ｎ−１サイクルで総試験数のＮ個とも結露無し、
Ｔ_ｎサイクルにてＭ_ｎ個結露有り、
Ｔ_ｎ＋１サイクルにて（Ｎ−Ｍ_ｎ）個結露有り、
結露時間は、
結露時間＝２時間×（Ｔ_ｎ−１×Ｍ_ｎ＋Ｔ_ｎ×（Ｎ−Ｍ_ｎ））／Ｎ・・（ｂ）
【００３４】
（実施例２）
図４に示すアイランド（４．１ｍｍ×４．１ｍｍ）を有する銅フレーム（板厚０．２ｍｍ）を準備した。次いで実施例１と同様に本リードフレームをトランスファー成形機内の金型内にセットし成形材料（ａ）をインサート成形し、図５に示す成形体を得た（外形寸法：１０ｍｍ×１０ｍｍ×高さ１．２ｍｍ、中空底部寸法６ｍｍ×６ｍｍ、中空部底厚０．４５ｍｍ）。その後、実施例１と同様にガラス封止し、プレッシャークッカー試験を行った。その結果、結露時間は１０時間であった。
【００３５】
（実施例３）
図２に示す銅フレーム（板厚０．１５ｍｍ）を準備した。次いで実施例１と同様に本リードフレームをトランスファー成形機の金型内にセットした。成形金型にはパッケージ裏面のアイランド部に接触する個所のみリードフレーム下面より１０μｍ高くなった金型を準備した。本金型を用いて成形材料（ａ）を用いて実施例１と同様にインサート成形し図６の成形体を得た（中空部底厚０．２９ｍｍ以外の寸法は実施例１に同じ）。その後実施例１と同様にしてガラス封止しプレッシャークッカー試験を行った、その結果、結露時間は８時間であった。パッケージ底面に露出したアイランド部がアウターリード下面より１０μｍ高くても耐湿性に影響が無いことがわかった。
【００３６】
（実施例４）
図８に示す様なアイランド（７．２ｍｍ×４．９ｍｍ）周囲の端部（幅０．３ｍｍ）をハーフエッチングした銅製のリードフレームを準備した（板厚０．１５ｍｍ）。本リードフレームをトランスファー成形機の金型内にセットした後、成形材料（ａ）を用いて実施例１と同様にインサート成形し図１０の成形体を得た（中空部底厚０．３ｍｍでその他の寸法も実施例１と同じ）。その後実施例１と同様にガラス封止しプレッシャークッカー試験を行った。その結果、結露時間は８．５時間であった。アイランド端面の下面側がハーフエッチングされていると耐湿性が向上することがわかった。
【００３７】
（比較例１）
図２に示す銅フレーム（板厚０．１５ｍｍ）でアイランド部のみを切断除去したリードフレームを準備した。本リードフレームをトランスファー成形機の金型内の所定位置にセットした。実施例１と同様に成形材料（ａ）を用いてインサート成形し図３に示す成形体でアイランドの無い成形体を得た（中空部底厚０．３ｍｍでその他の寸法も実施例１と同じ）。その後実施例１と同様にガラス封止しプレッシャークッカー試験を行った。その結果、結露時間は２時間であった。実施例１と比較すると、表面実装用の薄型中空パッケージの場合、本発明のアイランド構造が耐湿性向上に大きく寄与していることがわかった。
【００３８】
（比較例２）
図４に示す銅フレーム（板厚０．２ｍｍ）でアイランド部のみ切断除去したリードフレームを準備した。実施例２と同様に本リードフレームをトランスファー成形機内の金型内にセットし成形材料（ａ）を用いてインサート成形し、図５に示す成形体でアイランドの無い成形体を得た（中空部底厚０．４５ｍｍでその他の寸法も実施例２と同じ）。その後、実施例２と同様にガラス封止し同プレッシャークッカー試験を行った。その結果、結露時間は４時間であった。実施例２と比較すると、表面実装用の薄型中空パッケージの場合、本発明のアイランド構造が耐湿性向上に大きく寄与していることがわかった。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の樹脂製中空パッケージは、薄型で耐湿性が良好な固体撮像素子等の半導体素子装着用の表面実装型樹脂製中空パッケージとして好適に用いることができる。また、アイランドがリードフレーム面より高い位置に配置することにより、半田実装時、アイランド部への半田流入を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】特許第２５３９１１１号に開示される従来の中空パッケージの一例を示す断面図である。
【図２】本発明に係るＳＯＮ型樹脂製中空パッケージ用リードフレームの一例を示す図である。
【図３】図２に示すリードフレームを用いて成形された本発明に係るＳＯＮ型樹脂製中空パッケージの一例を示す図である。
【図４】本発明に係るのＱＦＮ型樹脂製中空パッケージ用リードフレームの一例を示す図である。
【図５】図４に示すリードフレームを用いて成形された本発明に係るＱＦＮ型樹脂製中空パッケージの一例を示す図である。
【図６】本発明に係るアイランドがアウターリードより高い位置にシフトしたＳＯＮ型中空パッケージの一例を示す図である。
【図７】本発明に係るアイランドがアウターリードより高い位置にシフトしたＱＦＮ型中空パッケージの一例を示す図である。
【図８】本発明に係るアイランド端部が薄肉にされたＳＯＮ型樹脂製中空パッケージ用リードフレームの一例を示す図である。
【図９】本発明に係るアイランド部端面が薄肉となったＱＦＮ型樹脂製中空パッケージ用リードフレームの一例を示す図である。
【図１０】図８に示すリードフレームを用いて成形された本発明に係るＳＯＮ型樹脂製中空パッケージの一例を示す図である。
【図１１】図９に示すリードフレームを用いて成形された本発明に係るＱＦＮ型樹脂製中空パッケージの一例を示す図である。
【図１２】本発明に係るアイランド端部が薄肉となり、かつアウターリードより高い位置にシフトしたＳＯＮ型樹脂製中空パッケージの一例を示す図である。
【図１３】本発明に係るアイランド端部が薄肉となり、かつアウターリードより高い位置にシフトしたＱＦＮ型樹脂製中空パッケージの一例を示す図である。
【図１４】図１２に示すＳＯＮ型樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１インナーリード
２アウターリード
３アイランド
４中空部内底面（ダイアタッチ面）
５吊ピン
６リードフレーム
７樹脂本体
８端部が薄肉にされたアイランド
９半導体素子
１０蓋
１１ボンディングワイヤー[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a resin hollow package for mounting a semiconductor element such as a solid-state imaging element. More specifically, the present invention relates to a resin-made hollow package for surface mounting having a thin structure.
[0002]
[Prior art]
When mounting a solid-state imaging device such as a CCD or CMOS, the solid-state imaging device is bonded to the die attach surface, which is the bottom surface of the hollow portion of the hollow package, by die bonding, and then the inner lead exposed in the hollow package is connected to the device. After wire bonding with an Au wire, an adhesive is applied to the upper surface of the package side wall and sealed with light-transmitting transparent glass or the like. However, in the case of a resin-made hollow package, moisture permeation from the bottom surface of the package, which has a particularly thin resin thickness, has become a problem because the resin itself has a hygroscopic property. That is, when moisture enters the hollow portion, dew condensation occurs on the inner surface of the glass, so that there is a problem that light does not enter the solid-state imaging device accurately and the function of the device is hindered.
[0003]
Therefore, in order to prevent moisture in the hollow portion and improve moisture resistance, in Japanese Patent No. 3080236, a moisture-resistant plate made of a vapor-impermeable plate-like body is formed inside the resin at the bottom of the molded body. Improves sex. In Japanese Patent No. 2539111, for example, as shown in FIG. 1, an island 3 made of a vapor-impermeable plate-like body having at least the same size as the bottom surface of the semiconductor element is formed on the bottom surface of the hollow package or inside thereof. The moisture resistance is improved by forming it at a position lower than the inner lead 1 and the outer lead 2.
[Problems to be solved by the invention]
[0004]
In recent years, hollow packages on which solid-state image sensors such as CCDs and CMOSs are mounted are increasingly required to be small and thin. In particular, in order to reduce the thickness, not only the solid-state imaging device itself is made thinner, but also the wire bonding loop height between the device and the inner lead is lowered, and the thickness of the bottom resin layer of the hollow package is also made thinner. It will be necessary. However, when the thickness of the bottom resin layer is reduced, there is a problem that the moisture resistance is lowered.
[0005]
As a conventional method, in the above-mentioned Japanese Patent No. 3080236, in order to form a moisture resistant plate inside the resin, it is necessary to form a resin layer on both sides of the moisture resistant plate. In Japanese Patent No. 2539111, the island portion is formed at a position lower than the inner lead and the outer lead. Therefore, there has been a limit to reducing the thickness of the hollow package.
Therefore, an object of the present invention is to provide a resin-made hollow package that is thin and excellent in moisture resistance.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems in making a thin resin hollow package, the present invention bends a lead connected to an inner lead part with the upper surface exposed in the hollow part inside the resin to package the lower surface of the outer lead part. Surface-mountable SON (Small Out Line Non-Leaded Package) type and QFN (Quad Flat Non-Leaded Package) type hollow packages exposed on the bottom surface, and a vapor-impermeable board for improving moisture resistance The hollow package has been made thinner by exposing the bottom surface of the island made of a strip to the bottom of the package. And the island and the suspension pin could be prevented from peeling from the bottom surface of the hollow package by bending the suspension pin portion of the island in a mountain fold shape and embedding it inside the resin.
[0007]
That is, the resin hollow package of the present invention is such that the upper surface of one end of the lead is exposed in the hollow portion, the lower surface of the other end is exposed on the bottom surface of the package, and is at least as large as the bottom surface of the semiconductor element mounted on the inner bottom surface of the hollow portion. In a resin hollow package in which the lower surface of an island made of a vapor-impermeable plate having a thickness is exposed on the bottom surface of the package, the island is disposed on the same plane as the lead frame or is higher than the lead frame surface And the island is connected to the lead frame via a suspension pin, and the suspension pin portion is bent in a mountain fold shape and embedded in the resin.
[0008]
The island is disposed at a position 5 to 100 μm higher than the lead frame surface, and the island is connected to the lead frame through a suspension pin, and the suspension pin portion is bent and embedded in the resin in a mountain fold shape. A hollow package is a preferred embodiment of the present invention.
[0009]
In addition, a resin hollow package in which the island end portion is thinned and the thin portion is embedded in the resin is a preferable aspect of the present invention.
[0010]
According to the present invention, a thin semiconductor device is provided in which a semiconductor element is fixed to the inner bottom surface of the hollow portion of the resin hollow package and is connected with an inner lead and a bonding wire and the upper surface of the package hollow portion is hermetically sealed with a lid. Is done.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The resin hollow package of the present invention is a SON, QFN type hollow package in which the upper surface of one end of the lead is exposed in the hollow portion and the lower surface of the other end is exposed on the bottom surface of the package. A resin hollow package having a bottom surface of an island made of a vapor impermeable plate having the same size as the bottom surface of a semiconductor element exposed on the bottom surface of the package, the island being arranged on the same plane as the lead frame Alternatively, the island is disposed at a position higher than the lead frame surface, and the island is connected to the lead frame via a suspension pin, and the suspension pin portion is bent into a mountain fold and embedded in the resin.
[0012]
Also, the resin hollow package of the present invention is a bottom surface of an island made of a vapor-impermeable plate-like body having at least the same size as the bottom surface of the semiconductor element mounted on the bottom surface of the hollow portion in the SON / QFN type hollow package. Is a resin hollow package exposed at the bottom of the package, wherein the island is pushed up to a position 5 to 100 μm higher than the lead frame surface, and the island is connected to the lead frame via a suspension pin, and the suspension It is preferable that the pin portion is bent in a mountain fold shape and embedded in the resin. With this structure, when the package is solder-mounted on the mounting board, the gap between the island and the mounting board can be made larger than the gap between the bottom surface lead and the mounting board, and solder can be prevented from flowing into the island portion. Note that the distance between the lead frame and the island is obtained, for example, from the top surface of the lead frame to the top surface of the island.
[0013]
Furthermore, it is preferable that the island end portion is thinned and the thin portion is embedded in the resin. Thereby, the adhesiveness of an island and resin can be improved. The thinning may be all or part of the island edge. Preferably, the lower surface side of the island end is thinned by half etching or half pressing.
[0014]
Here, the lead used is a lead frame that is generally three-dimensionally bent in advance. The thickness of the lead frame is preferably 0.1 to 0.35 mm. More preferably, the thickness is 0.15 to 0.25 mm from the viewpoint of reducing the thickness and maintaining the lead strength. In addition, a metal plate connected to the island portion of the vapor impermeable plate-like body via a lead frame and a suspension pin is used. These materials are preferably formed of a material selected from the group consisting of copper, iron, aluminum, or an alloy thereof, particularly a copper alloy or 42 alloy. Further, the lead frame does not need to be further surface-treated, but the surface treatment can be performed on the entire surface or a part thereof as necessary. Examples of the surface treatment include plating treatment of copper, gold, silver, nickel, solder and the like.
[0015]
Here, it is desirable that the resin layer thickness of the island constituting the bottom thickness of the hollow portion and the resin layer formed thereon is 0.05 to 0.4 mm. More preferably, it is 0.1 to 0.3 mm. If the thickness of the resin layer is thinner, the hollow package can be made thinner. However, if the resin layer is too thin, the fluidity at the time of molding deteriorates and it becomes difficult to completely fill the hollow package. On the other hand, the thicker the resin layer, the better the resin filling property. However, when the resin layer is thick, the hollow package cannot be thinned. Also, since the lead between the inner lead and the outer lead is bent when the resin layer at the bottom of the hollow portion is thick, the thickness from the bottom of the package to the top of the inner lead increases, and the lead length required for bending Becomes longer, resulting in a smaller island size.
[0016]
The resin of the resin main body used in the present invention may be a thermosetting resin such as epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, or liquid crystal polymer, polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide resin (PPS), polysulfone, polyamide. It is desirable to use a heat-resistant thermoplastic resin such as imide / polyallyl sulfone resin. Among these, it is more desirable to use an epoxy resin, a polyimide resin, or PPS. Epoxy resins such as bisphenol A type, orthocresol novolac type, biphenyl type, naphthalene type, and glycidylamine type can be used as the epoxy resin. Polyimide resins such as polyamino bismaleimide, polypyromellitimide, and polyetherimide can be used as the polyimide resin.
[0017]
It is preferable to add an inorganic filler to these heat resistant resins. Examples of the inorganic filler include heat-resistant inorganic fillers such as silica powder, alumina powder, silicon nitride powder, boron nitride powder, titanium oxide powder, silicon carbide powder, glass fiber, and alumina fiber. Of these, silica powder, alumina powder, silicon nitride powder, boron nitride powder and the like are more preferable than fibers in terms of isotropic shrinkage of the resin. The particle size of the inorganic filler is usually 0.1 to 120 μm, and more preferably 0.5 to 50 μm because the flowability during molding and the filling resin thickness of the die attach part are thin. The inorganic filler is usually blended in an amount of 40 to 3200 parts by weight, preferably 100 to 1150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the heat resistant resin. In addition to the inorganic filler, a curing agent, a curing accelerator, and a coupling agent may be contained within a range not impairing the object of the present invention.
[0018]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 shows a SON type lead frame 6 according to the present invention. In order to make the SON shape, the lead is bent and the inner lead 1 is formed at a position higher than the outer lead 2. Further, the size of the island 3 is equal to or larger than the size of the bottom surface of the semiconductor element, and the four corners of the island are connected to the lead frame by suspension pins 5 bent in a mountain fold shape.
[0019]
Next, insert molding is performed using the lead frame. As shown in FIG. 3, the state after the insert molding is such that the upper surface of the inner lead 1 is exposed at the shelf step of the hollow portion, the lower surface of the outer lead 2 is exposed at the bottom surface of the package, and is bent and embedded in the resin. This is a SON thin hollow package in which the lower surface of the island 3 connected to the suspension pin 5 is exposed on the bottom surface of the package.
[0020]
Insert molding is performed by transfer molding or injection molding in which a lead frame is mounted on a molding die, and a cavity of the die is filled with an epoxy resin or the like. The conditions for transfer molding differ depending on the resin used, but taking the case of an epoxy resin as an example, the conditions are usually a molding pressure of 5 to 30 MPa, a molding temperature of 130 to 200 ° C., a molding time of 10 to 120 seconds, preferably molding. The pressure is 10 to 17 MPa, the molding temperature is 150 to 180 ° C., and the molding time is 15 to 60 seconds.
[0021]
In the case of injection molding, usually, the injection pressure is 5 to 100 MPa, the molding temperature is 130 to 200 ° C., the molding time is 10 to 120 seconds, preferably the injection pressure is 8 to 60 MPa, the molding temperature is 150 to 180 ° C., and the molding time is 15 to 60. Molded in seconds. Thereafter, post-curing can be applied as necessary in each molding method.
[0022]
Next, FIG. 4 shows a lead frame of a QFN type hollow package according to the present invention. Similar to the SON type, the inner lead 1 is formed at a position higher than the outer lead 2 by bending the lead. By fixing the lead frame to a molding die and performing transfer molding or injection molding, the upper surface of the inner lead 1 is exposed in the hollow portion and the lower surface of the outer lead 2 is exposed on the bottom surface of the package as shown in FIG. A QFN-type thin hollow package is obtained in which the lower surface of the island 3 connected to the suspension pin 5 bent and embedded in the resin is exposed on the bottom surface of the package.
[0023]
In order to make the island higher than the lead frame surface of the bottom surface of the package of 5 to 100 μm, a lead frame is prepared for each of the SON and QFN types at a position where the island is pushed up 5 to 100 μm above the surface of the lead frame and the outer lead. To do. When insert molding is performed using these lead frames, as shown in FIGS. 6 and 7, the bottom surface of the outer lead is exposed on the bottom surface of the package, and the bottom surface of the island is exposed at a position 5 to 100 μm higher than the outer lead surface. A hollow package is obtained.
[0024]
Further, in order to obtain a package of this shape, instead of using the lead frame of the above shape, the mold part that contacts the island part of the mold is made to have a convex shape of 5 to 100 μm in advance. It is also possible to deform the island portion upward by 5 to 100 μm when the lead frame 4 is sandwiched between molding dies.
[0025]
Next, in order to improve the adhesion between the island and the resin, the entire periphery of the island end or a part of the lower surface thereof is half-etched or half-pressed to make it thin, and the thin-walled portion is embedded in the resin. The anchor effect of the island end thin portion can improve the adhesion to the resin.
[0026]
In order to obtain a hollow package of this shape, a lead frame as shown in FIGS. 8 and 9 is prepared. The entire circumference or part of the lower surface side of the end face of the island 8 is thinned by half etching or half pressing. Here, the width of the thin portion is preferably 1 to 3 times the lead thickness. If the width is too short, the effect of adhesion is small, and if the width is too long, it is difficult to form a shape in the case of half press. The thickness of the thin portion is preferably ¼ to ¾ times the lead thickness. If the thickness of the thin portion is too thick, the resin covering the portion is likely to be peeled off after molding, and if the thickness of the thin portion is too thin, the shape cannot be formed by half press.
[0027]
By performing insert molding using this lead frame, the upper surface of the inner lead is exposed in the hollow portion as shown in FIGS. 10 and 11, the lower surface of the outer lead is exposed on the bottom surface, and the hanging pin embedded in the resin is bent. SON and QFN type hollow packages in which the bottom surface of the island 8 that is connected through the outer periphery is exposed on the bottom surface can be obtained.
[0028]
Next, the entire periphery or part of the lower surface side of the end portion of the island portion is thinned by half etching or half press, and the island 8 is formed at a position shifted 5 to 100 μm above the outer lead surface. Prepare. The insert pin using this lead frame exposes the upper surface of the inner lead in the hollow portion as shown in FIGS. 12 and 13, the lower surface of the outer lead is exposed on the bottom surface, and is bent and embedded in the resin. SON and QFN type hollow packages in which the lower surfaces of the outer peripheral thin islands 8 connected via the surface are exposed at a position 5 to 100 μm higher than the outer lead surface can be obtained. As described above, the method of shifting the island upwards by 5 to 100 μm can also be performed by using a mold in which the portion is projected in advance.
[0029]
The resin hollow package obtained by the above method can be obtained by cutting and separating the suspension pin portion and the outer lead portion from the lead frame into individual pieces. The plating on the leads may be performed in a state of being connected to the frame, or may be performed in a state of being separated into pieces.
[0030]
After fixing a semiconductor element such as a CCD or CMOS to the bottom of the hollow part of the resin hollow package separated in this way with an adhesive or the like, the inner lead and the bonding pad of the semiconductor element are connected by a bonding wire. . Next, the upper surface of the package hollow portion is adhered and hermetically sealed with a lid material such as glass, whereby the semiconductor device shown in FIG. 14 is obtained.
[0031]
【Example】
(Example 1)
A copper frame (plate thickness 0.15 mm) having islands (7.2 mm × 4.9 mm) shown in FIG. 2 was prepared. Next, after setting this lead frame at a predetermined position in the mold of the transfer molding machine, a molding material for hollow package (a) having the following composition of naphthalene epoxy resin / aralkylphenol curing agent system is 170 ° C., pressure 15 MPa, time 3 Insert molding was performed under the conditions of minutes. Thereafter, the molded body shown in FIG. 3 after post-curing at a temperature of 180 ° C. for 3 hours (external dimensions: 10 mm × 10 mm × height 1 mm, hollow bottom dimension 7.0 mm × 5.8 mm, hollow bottom thickness 0.3 mm) Got. A transparent glass lid material was UV cured and bonded to the upper surface of the hollow portion of the molded body with a UV curing adhesive (a sealant 8723K8L manufactured by Kyoritsu Chemical Industry Co., Ltd.). This is put into a pressure cooker tester (produced by Tabai Espec Co., Ltd.) under the conditions of a temperature of 121 ° C., a humidity of 100%, and a gauge pressure of 0.1 MPa. One cycle is 2 hours, and it is taken out every 2 hours and placed inside the glass lid. A test was conducted to determine whether condensation was observed. The calculation of the condensation time was performed by the equation (b). As a result, the condensation time was 8 hours.
[0032]
<Composition of molding material (a) for hollow package>
Naphthalene skeleton epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd. NC7300L, epoxy equivalent 220) ... 6% by weight,
Aralkylphenol curing agent (MILEX XLC manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) 4.7% by weight,
Brominated epoxy resin (flame retardant, Nippon Kayaku Co., Ltd. BREN-S, epoxy equivalent 285) 2% by weight,
Silica (density: 2.2 g / cm ³ , average particle size 20 μm, spherical): 74% by weight,
Low density silica (density: 1.8 g / cm ³ , average particle size 1 μm, spherical) ... 12% by weight,
Antimony trioxide 0.3% by weight,
Carbon black ... 0.1% by weight,
Silane coupling agent (KBM403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 0.4% by weight,
Imidazole derivative (2E4MZ-A manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 0.3% by weight,
Release agent (carnauba wax): 0.2% by weight.
[0033]
<Condensation time calculation example>
For the following test results:
No condensation on all N tests in T _n-1 cycle,
There _{M n} number condensation at T _n cycle,
There are (N−M _n ) individual condensation in T _{n + 1} cycle,
Condensation time is
Condensation time = 2 hours × (T _n−1 × M _n + T _n × (N−M _n )) / N (b)
[0034]
(Example 2)
A copper frame (plate thickness: 0.2 mm) having an island (4.1 mm × 4.1 mm) shown in FIG. 4 was prepared. Next, in the same manner as in Example 1, this lead frame was set in a mold in a transfer molding machine, and the molding material (a) was insert molded to obtain a molded body shown in FIG. 5 (external dimensions: 10 mm × 10 mm × height). 1.2 mm, hollow bottom size 6 mm × 6 mm, hollow bottom thickness 0.45 mm). Thereafter, the glass was sealed in the same manner as in Example 1, and a pressure cooker test was performed. As a result, the condensation time was 10 hours.
[0035]
Example 3
A copper frame (plate thickness 0.15 mm) shown in FIG. 2 was prepared. Next, in the same manner as in Example 1, this lead frame was set in a mold of a transfer molding machine. As a molding die, a die having a height 10 μm higher than the lower surface of the lead frame was prepared only at a portion contacting the island portion on the back surface of the package. Using this molding die, insert molding was performed in the same manner as in Example 1 using the molding material (a) to obtain the molded body of FIG. 6 (the dimensions other than the hollow portion bottom thickness of 0.29 mm were the same as in Example 1). Thereafter, the glass was sealed in the same manner as in Example 1 and a pressure cooker test was conducted. As a result, the dew condensation time was 8 hours. It has been found that even if the island portion exposed on the bottom surface of the package is 10 μm higher than the lower surface of the outer lead, the moisture resistance is not affected.
[0036]
(Example 4)
A copper lead frame having a half-etched end (width 0.3 mm) around an island (7.2 mm × 4.9 mm) as shown in FIG. 8 was prepared (plate thickness 0.15 mm). After setting this lead frame in the mold of the transfer molding machine, insert molding was performed in the same manner as in Example 1 using the molding material (a) to obtain the molded body of FIG. Other dimensions are the same as in Example 1). Thereafter, the glass was sealed in the same manner as in Example 1 and a pressure cooker test was conducted. As a result, the condensation time was 8.5 hours. It was found that the moisture resistance is improved when the lower surface of the island end face is half-etched.
[0037]
(Comparative Example 1)
A lead frame was prepared by cutting and removing only the island portion with the copper frame (plate thickness 0.15 mm) shown in FIG. The lead frame was set at a predetermined position in the mold of the transfer molding machine. Insert molding was performed using the molding material (a) in the same manner as in Example 1 to obtain a molded body having no islands with the molded body shown in FIG. 3 (the bottom of the hollow portion was 0.3 mm, and other dimensions were the same as in Example 1). ). Thereafter, the glass was sealed in the same manner as in Example 1 and a pressure cooker test was conducted. As a result, the condensation time was 2 hours. As compared with Example 1, it was found that the island structure of the present invention greatly contributed to improvement of moisture resistance in the case of a thin hollow package for surface mounting.
[0038]
(Comparative Example 2)
A lead frame was prepared by cutting and removing only the island portion with the copper frame (plate thickness 0.2 mm) shown in FIG. In the same manner as in Example 2, this lead frame was set in a mold in a transfer molding machine and subjected to insert molding using the molding material (a) to obtain a molded body without islands in the molded body shown in FIG. The bottom thickness is 0.45 mm, and other dimensions are the same as in Example 2). Thereafter, the glass was sealed in the same manner as in Example 2 and the pressure cooker test was performed. As a result, the condensation time was 4 hours. Compared to Example 2, it was found that the island structure of the present invention greatly contributed to the improvement of moisture resistance in the case of a thin hollow package for surface mounting.
[0039]
【The invention's effect】
The resin hollow package of the present invention can be suitably used as a surface mount resin hollow package for mounting a semiconductor element such as a thin solid-state image sensor having good moisture resistance. Further, by arranging the island at a position higher than the lead frame surface, it is possible to prevent the solder from flowing into the island portion during solder mounting.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a conventional hollow package disclosed in Japanese Patent No. 2539111.
FIG. 2 is a view showing an example of a lead frame for a SON resin hollow package according to the present invention.
3 is a view showing an example of a SON-type resin hollow package according to the present invention molded using the lead frame shown in FIG. 2. FIG.
FIG. 4 is a view showing an example of a lead frame for a hollow package made of QFN resin according to the present invention.
5 is a view showing an example of a QFN-type resin hollow package according to the present invention molded using the lead frame shown in FIG. 4; FIG.
FIG. 6 is a view showing an example of a SON type hollow package in which an island according to the present invention is shifted to a position higher than an outer lead.
FIG. 7 is a view showing an example of a QFN type hollow package in which an island according to the present invention is shifted to a position higher than an outer lead.
FIG. 8 is a view showing an example of a lead frame for a SON resin hollow package having a thin island end portion according to the present invention.
FIG. 9 is a view showing an example of a lead frame for a QFN-type resin hollow package having an island end face that is thin according to the present invention.
10 is a view showing an example of a SON type resin hollow package according to the present invention molded using the lead frame shown in FIG. 8. FIG.
11 is a view showing an example of a QFN-type resin hollow package according to the present invention molded using the lead frame shown in FIG. 9;
FIG. 12 is a view showing an example of a SON type resin hollow package in which an island end portion according to the present invention is thin and shifted to a position higher than an outer lead.
FIG. 13 is a view showing an example of a QFN-type resin hollow package in which an island end portion according to the present invention is thin and is shifted to a position higher than an outer lead.
14 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device using the SON resin hollow package shown in FIG.
[Explanation of symbols]
1 Inner lead 2 Outer lead 3 Island 4 Hollow bottom inner surface (die attach surface)
5 Suspension Pin 6 Lead Frame 7 Resin Body 8 Island 9 with Thin Ends Semiconductor Element 10 Lid 11 Bonding Wire

Claims

A vapor-impermeable plate-like shape in which the upper surface of one end of the lead is exposed in the hollow portion, the lower surface of the other end is exposed on the bottom surface of the package, and is at least as large as the bottom surface of the semiconductor element mounted on the inner bottom surface of the hollow portion In a resin hollow package in which the lower surface of the island made of a body is exposed on the bottom surface of the package, the island is disposed on the same plane as the lead frame, or is disposed at a position higher than the lead frame surface, and the island is a hanging pin A resin hollow package characterized in that the suspension pin portion is bent in a mountain fold shape and embedded in the resin.

2. The resin hollow package according to claim 1, wherein the island is disposed at a position 5 to 100 [mu] m higher than the lead frame surface.

The resin hollow package according to claim 1 or 2, wherein the island end portion is thinned and the thin portion is embedded in the resin.

4. A semiconductor device in which a semiconductor element is fixed to the inner bottom surface of the hollow portion of the resin hollow package according to claim 1 and is connected by an inner lead and a bonding wire, and the upper surface of the package hollow portion is hermetically sealed with a lid. apparatus.