JP2005003634A - エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定装置および測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定において照射照度に対する透過率を正確に測定する。
【解決手段】被検サンプルCaF2にたいし、レーザービーム照射手段とレーザービーム受光手段を有し、レーザービーム照射手段において、偏光解消板を配置することを特徴としている。これによって、サンプルのもつ複屈折に依存せず、正確な透過率を算出する装置および測定方法を提案する。
【選択図】 図1
【解決手段】被検サンプルCaF2にたいし、レーザービーム照射手段とレーザービーム受光手段を有し、レーザービーム照射手段において、偏光解消板を配置することを特徴としている。これによって、サンプルのもつ複屈折に依存せず、正確な透過率を算出する装置および測定方法を提案する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光装置にもちいられる光学素子の、エキシマレーザー光に対する透過率を測定する装置、および測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子を製造するためのリソグラフィ工程において、レチクル上のパターン像を投影光学系を介してウエハ上に露光する露光装置が用いられている。半導体集積回路の線幅の微細化が進み、その手段として露光光源の露光波長を短波長化する方法が一般的である。
【0003】
波長248nmのKrFエキシマレーザーを露光装置光源として採用した露光装置がすでに開発され、さらに短い波長である波長193nmのArFエキシマレーザー、波長157nmのF2レーザーがもちいられている。
【0004】
これら短波長化に伴い、投影系・照明系に使用可能な光学材料も石英ガラス、およびフッ化カルシウム(CaF2)結晶などに限られるようになった。
【0005】
いずれも各露光波長に対し高い透過率を有すると同時に、エキシマレーザー光照射時において透過率劣化がないことが要求される。
【0006】
特に露光装置の透過率性能を保証する為には、投影系・照明系各部に応じたエキシマレーザー照度0.1〜30mJ/cm2相当にて透過率および各照度にたいする透過率劣化量を評価することが必須である。
【0007】
従来、エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定には様々な方法がある(例えば、特許文献1参照。)。その中でも、図2に示す方法がある。いずれも、評価する光学素子に露光波長のエキシマレーザー光を照射しその透過率を直接測定する方法である。
【0008】
1はArFエキシマレーザー光源、レーザー光はN2パージされた2のチャンバー内に導光される。3は開口絞り、11、12は照度を可変とするためのNDである。ここでは11にND1(透過率10%)と12にND2(透過率50%)が23のステージ上に配置され、レーザー光軸上に移動しND1のとき10のサンプル上における照射照度が3mJ/cm2、ND2のとき15mJ/cm2にて照射する。さらに、レーザー光軸上から退避させ、照度30mJ/cm2にて照射する。4は均一光学系で所望のビーム径内が均一なビームに形成され、5のビーム径調整光学系で所望の照射径に調整する。
【0009】
6aはCaF2ビームスプリッターで、反射光は7aのNDを透過後、レーザー光量をモニターするため21aのフォトダイオードで構成するディテクターAで受光される。一方6aのビームスプリッターを透過したレーザー光は20のステージ上に搭載された10の光学素子サンプル(被検物Φ30厚み30mm)を透過し6bのCaF2ビームスプリッターを介し7bのNDを透過後、21bのディテクターBで受光される。8はストッパーである。
【0010】
これらステージ制御、ディテクターからの出力は22のコントローラーにて処理される。
【0011】
今、ArFエキシマレーザーからのレーザー光を周波数500Hz、エネルギー15mJにて発振し、ND1を配置する。このとき光学素子サンプル(被検物)上の照度は3mJ/cm2で照射される。
【0012】
光学素子サンプル(ここではCaF2)をステージにてレーザー光軸から退避させた時の各ディテクター出力A0、B0を測定し(B0/A0)を算出する。次に光学素子サンプルをステージにてレーザー光軸上に移動し、この時の各ディテクター出力As、Bsを測定し(Bs/As)を算出する。
【0013】
これらから、(Bs/As)/(B0/A0)を算出し、透過率を求める。
【0014】
次にND2を配置、さらにNDを退避させ、それぞれ15mJ/cm2、30mJ/cm2で照射し同様に透過率を求める。
【0015】
このような構成によって、光学素子サンプル(被検物)としてCaF2を測定した結果を図4に示す。横軸を照射パルス数、縦軸に透過率測定値をとった。
CaF2の場合、各照度にて照射後、20〜30万パルス前後で透過率が一定になる。この透過率を読み取ることにより各照度にたいする透過率を求めることができる。
【0016】
【特許文献1】
特開平11−83676号公報
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成および方法において、NDの種類を複数配置し、各照度にたいする透過率を求めた結果を図5に示す。
【0018】
ここで、被検物であるCaF2サンプルを光軸周りに角度を変えて設定した場合、同一サンプルでありながら透過率が異なるという問題が生じた。
【0019】
すなわち、任意にサンプルを配置(このときの光軸周りの角度を0度とする。)し測定した結果と、これからサンプルを光軸周りに90度回転して、再度測定した結果とで0.1〜0.3%の差が生じていることがわかる。
【0020】
この原因は以下の理由から説明できる。
【0021】
一般にCaF2は複屈折性を有している。これはCaF2結晶内部の応力ひずみに起因するものと、結晶そのものが有している真性複屈折に起因するものがある。
【0022】
このため、照射レーザーのサンプル入射前の偏光状態はサンプルCaF2の複屈折により変化し、サンプル出射後は異なる偏光状態となる。
【0023】
照射するArFレーザーは直線偏光(実際には1:9〜2:8の楕円偏光)を有している。
【0024】
サンプルを退避させて測定される各ディテクター出力A0、B0はこの偏光にたいしビームスプリッター6a、6bで反射した光量が受光される。
【0025】
一方、被検サンプルCaF2が挿入された場合、前述のとおりサンプルのもつ複屈折により、サンプルを透過した後偏光状態は変化する。したがって、測定される各ディテクター出力As、Bsはサンプルを退避させて測定した時と異なる偏光状態で、ビームスプリッター6a、6bで反射した光量が受光される。
【0026】
この偏光状態の変化によってビームスプリッター6a、6bにおけるP成分とS成分の反射率が異なり、結果として透過率が変化してしまうのである。
【0027】
【課題を解決するための手段】
以上のような課題に対応するため本発明では、照射ビームの被検サンプルの複屈折による偏光状態の変化をなくすため、偏光解消板を配置し、サンプルの光軸周り回転方向に依存しない透過率測定装置および測定方法を提案するものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
図1は、第1の実施例である。
【0029】
1はArFエキシマレーザー光源、レーザー光はN2パージされた2のチャンバー内に導光される。3は開口絞り、11、12は照度を可変とするためのNDである。ここでは11にND1(透過率10%)と12にND2(透過率50%)が23のステージ上に配置され、レーザー光軸上に移動しND1のとき10のサンプル上における照射照度が3mJ/cm2、ND2のとき15mJ/cm2にて照射する。さらに、レーザー光軸上から退避させ、照度30mJ/cm2にて照射する。
【0030】
そして31に本発明の特徴とする偏光解消板を配置してある。
【0031】
その構成を図7に示す。32の楔にした水晶板(楔角1度)と、さらに楔によって傾いたビームを補正するための33のCaF2(楔角1.3度)から構成される。31の偏光解消板はこれを構成する水晶板の結晶軸がレーザーの直線偏光方向に対し45度傾けて配置する。これにより透過したレーザービームは各部位相差が生じる。この各部で異なる位相差をもったビームを分割し再度合成する、4の均一光学系(ハエノ目光学系)および5のビーム径調整光学系を透過させることにより、偏光状態をランダムにする。
【0032】
6aはCaF2ビームスプリッターで、反射光は7aのNDを透過後、レーザー光量をモニターするため21aのフォトダイオードで構成するディテクターAで受光される。一方6aのビームスプリッターを透過したレーザー光は20のステージ上に搭載された10の光学素子サンプル(被検物Φ30厚み30mm)を透過し6bのCaF2ビームスプリッターを介し7bのNDを透過後、21bのディテクターBで受光される。8はストッパーである。
【0033】
これらステージ制御、ディテクターからの出力は22のコントローラーにて処理される。
【0034】
今、ArFエキシマレーザーからのレーザー光を周波数500Hz、エネルギー15mJにて発振し、ND1を配置する。このとき光学素子サンプル(被検物)上の照度は3mJ/cm2で照射される。
【0035】
光学素子サンプル(ここではCaF2)をステージにてレーザー光軸から退避させた時の各ディテクター出力A0、B0を測定し(B0/A0)を算出する。次に光学素子サンプルをステージにてレーザー光軸上に移動し、この時の各ディテクター出力As、Bsを測定し(Bs/As)を算出する。
【0036】
これらから、(Bs/As)/(B0/A0)を算出し、透過率を求める。
【0037】
次にND2を配置、さらにNDを退避させ、それぞれ15mJ/cm2、30mJ/cm2で照射し同様に透過率を求める。
【0038】
本発明による透過率測定結果を図6に示す。
【0039】
各照射照度に対する透過率が、被検サンプルの光軸周り回転方向0度90度で一致した結果をえた。
【0040】
(実施例2)
レーザー光源が、波長157.6nmのF2レーザーの場合を実施例2に示す。
【0041】
F2用として、34の偏光解消板を図8に示す。
【0042】
F2光に高透過率を有する35の楔にしたMgF2と、さらに楔によって傾いたビームを補正するための36のCaF2から構成される。
【0043】
その他、測定系は実施例1と同様である。
【0044】
【発明の効果】
以上述べた通り、本発明は、エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定において、被検サンプルの複屈折に依存せず正確な透過率測定を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を記載したものである。
【図2】従来例。
【図3】本発明の第二の実施例を記載したものである。
【図4】従来例で得られた測定結果。
【図5】従来例で得られた測定結果。
【図6】本発明で得られた測定結果。
【図7】本発明の第一の実施例にて構成される偏光解消板。
【図8】本発明の第二の実施例にて構成される偏光解消板。
【符号の説明】
1 ArFエキシマレーザー光源
2 チャンバー
3 開口絞り
4 均一光学系
5 ビーム径調整光学系
6 CaF2ビームスプリッター
7 ND
8 ストッパー
10 光学素子サンプル(被検物)
11,12 ND
21 ディテクター
22 コントローラー
20,23 ステージ
31,34 偏光解消板
32 水晶板
34 MgF2板
33,35 CaF2板
40 F2エキシマレーザー光源
41,42 ND
【発明の属する技術分野】
本発明は露光装置にもちいられる光学素子の、エキシマレーザー光に対する透過率を測定する装置、および測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子を製造するためのリソグラフィ工程において、レチクル上のパターン像を投影光学系を介してウエハ上に露光する露光装置が用いられている。半導体集積回路の線幅の微細化が進み、その手段として露光光源の露光波長を短波長化する方法が一般的である。
【0003】
波長248nmのKrFエキシマレーザーを露光装置光源として採用した露光装置がすでに開発され、さらに短い波長である波長193nmのArFエキシマレーザー、波長157nmのF2レーザーがもちいられている。
【0004】
これら短波長化に伴い、投影系・照明系に使用可能な光学材料も石英ガラス、およびフッ化カルシウム(CaF2)結晶などに限られるようになった。
【0005】
いずれも各露光波長に対し高い透過率を有すると同時に、エキシマレーザー光照射時において透過率劣化がないことが要求される。
【0006】
特に露光装置の透過率性能を保証する為には、投影系・照明系各部に応じたエキシマレーザー照度0.1〜30mJ/cm2相当にて透過率および各照度にたいする透過率劣化量を評価することが必須である。
【0007】
従来、エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定には様々な方法がある(例えば、特許文献1参照。)。その中でも、図2に示す方法がある。いずれも、評価する光学素子に露光波長のエキシマレーザー光を照射しその透過率を直接測定する方法である。
【0008】
1はArFエキシマレーザー光源、レーザー光はN2パージされた2のチャンバー内に導光される。3は開口絞り、11、12は照度を可変とするためのNDである。ここでは11にND1(透過率10%)と12にND2(透過率50%)が23のステージ上に配置され、レーザー光軸上に移動しND1のとき10のサンプル上における照射照度が3mJ/cm2、ND2のとき15mJ/cm2にて照射する。さらに、レーザー光軸上から退避させ、照度30mJ/cm2にて照射する。4は均一光学系で所望のビーム径内が均一なビームに形成され、5のビーム径調整光学系で所望の照射径に調整する。
【0009】
6aはCaF2ビームスプリッターで、反射光は7aのNDを透過後、レーザー光量をモニターするため21aのフォトダイオードで構成するディテクターAで受光される。一方6aのビームスプリッターを透過したレーザー光は20のステージ上に搭載された10の光学素子サンプル(被検物Φ30厚み30mm)を透過し6bのCaF2ビームスプリッターを介し7bのNDを透過後、21bのディテクターBで受光される。8はストッパーである。
【0010】
これらステージ制御、ディテクターからの出力は22のコントローラーにて処理される。
【0011】
今、ArFエキシマレーザーからのレーザー光を周波数500Hz、エネルギー15mJにて発振し、ND1を配置する。このとき光学素子サンプル(被検物)上の照度は3mJ/cm2で照射される。
【0012】
光学素子サンプル(ここではCaF2)をステージにてレーザー光軸から退避させた時の各ディテクター出力A0、B0を測定し(B0/A0)を算出する。次に光学素子サンプルをステージにてレーザー光軸上に移動し、この時の各ディテクター出力As、Bsを測定し(Bs/As)を算出する。
【0013】
これらから、(Bs/As)/(B0/A0)を算出し、透過率を求める。
【0014】
次にND2を配置、さらにNDを退避させ、それぞれ15mJ/cm2、30mJ/cm2で照射し同様に透過率を求める。
【0015】
このような構成によって、光学素子サンプル(被検物)としてCaF2を測定した結果を図4に示す。横軸を照射パルス数、縦軸に透過率測定値をとった。
CaF2の場合、各照度にて照射後、20〜30万パルス前後で透過率が一定になる。この透過率を読み取ることにより各照度にたいする透過率を求めることができる。
【0016】
【特許文献1】
特開平11−83676号公報
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成および方法において、NDの種類を複数配置し、各照度にたいする透過率を求めた結果を図5に示す。
【0018】
ここで、被検物であるCaF2サンプルを光軸周りに角度を変えて設定した場合、同一サンプルでありながら透過率が異なるという問題が生じた。
【0019】
すなわち、任意にサンプルを配置(このときの光軸周りの角度を0度とする。)し測定した結果と、これからサンプルを光軸周りに90度回転して、再度測定した結果とで0.1〜0.3%の差が生じていることがわかる。
【0020】
この原因は以下の理由から説明できる。
【0021】
一般にCaF2は複屈折性を有している。これはCaF2結晶内部の応力ひずみに起因するものと、結晶そのものが有している真性複屈折に起因するものがある。
【0022】
このため、照射レーザーのサンプル入射前の偏光状態はサンプルCaF2の複屈折により変化し、サンプル出射後は異なる偏光状態となる。
【0023】
照射するArFレーザーは直線偏光(実際には1:9〜2:8の楕円偏光)を有している。
【0024】
サンプルを退避させて測定される各ディテクター出力A0、B0はこの偏光にたいしビームスプリッター6a、6bで反射した光量が受光される。
【0025】
一方、被検サンプルCaF2が挿入された場合、前述のとおりサンプルのもつ複屈折により、サンプルを透過した後偏光状態は変化する。したがって、測定される各ディテクター出力As、Bsはサンプルを退避させて測定した時と異なる偏光状態で、ビームスプリッター6a、6bで反射した光量が受光される。
【0026】
この偏光状態の変化によってビームスプリッター6a、6bにおけるP成分とS成分の反射率が異なり、結果として透過率が変化してしまうのである。
【0027】
【課題を解決するための手段】
以上のような課題に対応するため本発明では、照射ビームの被検サンプルの複屈折による偏光状態の変化をなくすため、偏光解消板を配置し、サンプルの光軸周り回転方向に依存しない透過率測定装置および測定方法を提案するものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
図1は、第1の実施例である。
【0029】
1はArFエキシマレーザー光源、レーザー光はN2パージされた2のチャンバー内に導光される。3は開口絞り、11、12は照度を可変とするためのNDである。ここでは11にND1(透過率10%)と12にND2(透過率50%)が23のステージ上に配置され、レーザー光軸上に移動しND1のとき10のサンプル上における照射照度が3mJ/cm2、ND2のとき15mJ/cm2にて照射する。さらに、レーザー光軸上から退避させ、照度30mJ/cm2にて照射する。
【0030】
そして31に本発明の特徴とする偏光解消板を配置してある。
【0031】
その構成を図7に示す。32の楔にした水晶板(楔角1度)と、さらに楔によって傾いたビームを補正するための33のCaF2(楔角1.3度)から構成される。31の偏光解消板はこれを構成する水晶板の結晶軸がレーザーの直線偏光方向に対し45度傾けて配置する。これにより透過したレーザービームは各部位相差が生じる。この各部で異なる位相差をもったビームを分割し再度合成する、4の均一光学系(ハエノ目光学系)および5のビーム径調整光学系を透過させることにより、偏光状態をランダムにする。
【0032】
6aはCaF2ビームスプリッターで、反射光は7aのNDを透過後、レーザー光量をモニターするため21aのフォトダイオードで構成するディテクターAで受光される。一方6aのビームスプリッターを透過したレーザー光は20のステージ上に搭載された10の光学素子サンプル(被検物Φ30厚み30mm)を透過し6bのCaF2ビームスプリッターを介し7bのNDを透過後、21bのディテクターBで受光される。8はストッパーである。
【0033】
これらステージ制御、ディテクターからの出力は22のコントローラーにて処理される。
【0034】
今、ArFエキシマレーザーからのレーザー光を周波数500Hz、エネルギー15mJにて発振し、ND1を配置する。このとき光学素子サンプル(被検物)上の照度は3mJ/cm2で照射される。
【0035】
光学素子サンプル(ここではCaF2)をステージにてレーザー光軸から退避させた時の各ディテクター出力A0、B0を測定し(B0/A0)を算出する。次に光学素子サンプルをステージにてレーザー光軸上に移動し、この時の各ディテクター出力As、Bsを測定し(Bs/As)を算出する。
【0036】
これらから、(Bs/As)/(B0/A0)を算出し、透過率を求める。
【0037】
次にND2を配置、さらにNDを退避させ、それぞれ15mJ/cm2、30mJ/cm2で照射し同様に透過率を求める。
【0038】
本発明による透過率測定結果を図6に示す。
【0039】
各照射照度に対する透過率が、被検サンプルの光軸周り回転方向0度90度で一致した結果をえた。
【0040】
(実施例2)
レーザー光源が、波長157.6nmのF2レーザーの場合を実施例2に示す。
【0041】
F2用として、34の偏光解消板を図8に示す。
【0042】
F2光に高透過率を有する35の楔にしたMgF2と、さらに楔によって傾いたビームを補正するための36のCaF2から構成される。
【0043】
その他、測定系は実施例1と同様である。
【0044】
【発明の効果】
以上述べた通り、本発明は、エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定において、被検サンプルの複屈折に依存せず正確な透過率測定を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を記載したものである。
【図2】従来例。
【図3】本発明の第二の実施例を記載したものである。
【図4】従来例で得られた測定結果。
【図5】従来例で得られた測定結果。
【図6】本発明で得られた測定結果。
【図7】本発明の第一の実施例にて構成される偏光解消板。
【図8】本発明の第二の実施例にて構成される偏光解消板。
【符号の説明】
1 ArFエキシマレーザー光源
2 チャンバー
3 開口絞り
4 均一光学系
5 ビーム径調整光学系
6 CaF2ビームスプリッター
7 ND
8 ストッパー
10 光学素子サンプル(被検物)
11,12 ND
21 ディテクター
22 コントローラー
20,23 ステージ
31,34 偏光解消板
32 水晶板
34 MgF2板
33,35 CaF2板
40 F2エキシマレーザー光源
41,42 ND
Claims (6)
- エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定において、該レーザー光照射手段と該レーザー光を受光する手段を備え、該レーザー光の偏光成分を解消する光学手段を有することを特徴とする測定装置。
- 前記請求項1におけるレーザー光の偏光成分を解消する光学手段は水晶板から構成されることを特徴とする測定装置。
- 前記請求項1におけるレーザー光の偏光成分を解消する光学手段はMgF2から構成されることを特徴とする測定装置。
- エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定において、該レーザー光照射手段と該レーザー光を受光する手段を備え、該レーザー光の偏光成分を解消する光学手段を有することを特徴とする測定方法。
- 前記請求項1におけるレーザー光の偏光成分を解消する光学手段は水晶板から構成されることを特徴とする測定方法。
- 前記請求項1におけるレーザー光の偏光成分を解消する光学手段はMgF2から構成されることを特徴とする測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003170369A JP2005003634A (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定装置および測定方法 |
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JP2003170369A JP2005003634A (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定装置および測定方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005003634A true JP2005003634A (ja) | 2005-01-06 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003170369A Withdrawn JP2005003634A (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | エキシマレーザー光に対する光学素子の透過率測定装置および測定方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2005003634A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028621A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Tokuyama Corp | レーザ光線の繰り返し照射に起因する試料の透過率変動を測定する測定装置 |
KR20140067956A (ko) * | 2010-11-04 | 2014-06-05 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 플라즈마 어닐링 방법 및 그 장치 |
-
2003
- 2003-06-16 JP JP2003170369A patent/JP2005003634A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
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