JP2004536452A - Arrangement for energy regulation - Google Patents

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Abstract

電気的に補足的なエネルギー合流を保持し調節できる、遮蔽する回路配置を有するエネルギー経路の相対的なグループ化を使用する回路配置の実施態様。An embodiment of a circuit arrangement that uses a relative grouping of energy paths with shielding circuit arrangements that can maintain and adjust electrically supplemental energy merging.

Description

【0001】
技術分野
この出願は、2001年11月17日出願の同時係属出願第10/023,467号の一部継続出願であり、2001年11月29日出願の同時係属出願第09/996,355号の一部継続出願であり、2001年11月17日出願の同時係属出願第10/003,711号の一部継続出願であり、2001年10月17日出願の同時係属出願第09/982,553号の一部継続出願である。
【0002】
加えて、この出願は、2001年7月2日出願の米国仮出願第60/302,429号、2001年8月8日出願の米国仮出願第60/310,962号、2002年1月8日出願の米国仮出願第60/349,954号、及び2002年6月12日出願の米国仮出願第(まだ選定されていない)号の利点を請求する。
【0003】
この出願は、複数のエネルギー調節機能のための様々なエネルギー伝播のための経路などのエネルギー経路の補足的で相対的なグループ化(groupings)を使用する、均衡のとれた遮蔽配置に関する。かかる遮蔽配置は、電気的に補足的なエネルギー合流を保持し調節できる、個別又は個別でない具体化のように操作可能であってよい。
【0004】
背景技術
今日、適用における電子の密度が増大するにつれて、増大した密度の副産物としての望ましくないノイズが電子回路の性能を制限する。結果として、望ましくないノイズの影響に対する回路の分離又はイミュニゼーション(immunization)など望ましくないノイズの副産物の影響の回避は、回路の配置及び回路の設計の考慮において重要である。
【0005】
差異及び共通モードのノイズエネルギーは、エネルギー経路、ケーブル、回路ボードトラック又はトレース、高速伝送ライン、及び/又はバスライン経路によって生じてよく、エネルギー経路、ケーブル、回路ボードトラック又はトレース、高速伝送ライン、及び/又はバスライン経路に沿って若しくは周囲で伝播されてよい。それらエネルギーコンダクタは、例えば、エネルギーフィールドを放射するアンテナとして作用してよい。かかるアンテナとアナログの性能は、高周波数における従来の受動的なデバイスを活用するエネルギーの伝播が、様々な容量性及び/又は誘導性の寄生などエネルギーの寄生の干渉の増大したレベルを経験する、ノイズ問題を悪化させるかもしれない。
【0006】
それら増加は、固有の設計若しくはデザインの不均衡及び従来技術の性能の欠損と関連する、従来の解決策の機能的又は構造的な限界からの抑制の組み合わせによるかもしれない。これらの欠乏は、本質的に、関連する電子回路に関する望まれず不均衡な干渉エネルギーを生成又は引き起こし、それによって、寄生で望ましい電磁干渉からの少なくとも部分的な遮蔽を成す。結果として、幅広い周波数の操作環境において、それらの問題を解決することは、少なくとも部分的な静電気及び電磁気の遮蔽との組み合わせの広範囲な分離と同様に、様々な接地又は耐ノイズ配置を有する注意深いシステムである、少なくとも同時フィルターの組み合わせを必要とする。
したがって、個別又は個別でない構成に合同された他の要素を追加的に有し、少なくとも減結合(decoupling)機能、一次的な抑制機能、ノイズ消去機能、エネルギーブロック機能、及びエネルギー抑制機能から選択される効果的で対照的な均衡がとれて継続可能である同時エネルギー状態の機能の提供における殆どの回路の適用で利用されてよい、簡素型のエネルギー経路配置を活用する、独立型のエネルギー調節配置の必要性がある。
【0007】
本発明の理解は、添付図と関連した本発明の好ましい実施態様の下記の詳細な記載を考慮することによって容易になるであろう。
【0008】
本発明の詳細な記載
この出願は、2001年11月17日出願の同時係属出願第10/023,467号の一部継続出願であり、2001年11月29日出願の同時係属出願第09/996,355号の一部継続出願であり、2001年11月17日出願の同時係属出願第10/003,711号の一部継続出願であり、2001年10月17日出願の同時係属出願第09/982,553号の一部継続出願であり、これらはここに参照として組み込まれている。
【0009】
加えて、この出願は、2001年7月2日出願の米国仮出願第60/302,429号、2001年8月8日出願の米国仮出願第60/310,962号、2002年1月8日出願の米国仮出願第60/349,954号、及び2002年6月12日出願の米国仮出願第(まだ選定されていない)号の利点を請求する。これらはここに参照として組み込まれている。
【0010】
本発明の添付図及び記載は、本発明の明らかな理解を明確にする要素を例示するために簡素化されて、一方で明確にする目的のために、典型的なエネルギー調節システム及び方法で見られる多数の他の要素を除外することを理解するべきである。他の要素及び/又は段階が望ましく、及び/又は本発明での実行に必要とされることを当業者は認識するであろう。しかしながら、かかる要素及び段階は当該技術で周知であり、本発明の理解に容易ではないために、かかる要素及び段階の議論はここでは必要とされない。ここでの開示は、当業者に周知である、かかる要素及び方法に対するすべての変化及び修正を導く。他に注意されるのでなければ、追加的に、部分的に及び全体を通して使用されて含まれるように考慮される、“エネルギー”、“システム”、回路等の全体若しくはその一部を含む、ここで使用される用語は当業者にとって明白であるだろう。
【0011】
ここで使用されるように、“エネルギー経路”又は“経路”は、少なくとも一つ又は多数の伝導性物質を有し、各々はエネルギーの維持された伝播において操作可能である。経路は伝導性であり、それによって、経路に対して直接的に若しくは非直接的に接続するか、又は隣接する、非伝導性若しくは半導体物質と比較して、様々な電気エネルギーを良好に伝播する。エネルギー経路は、遮蔽、配向に限らず、並びに/又は配向及び/若しくは位置づけを有する様々な配置のエネルギー経路配置内のエネルギー経路の位置づけ多数の態様により発生する調節機能などの様々なエネルギー調節機能を許容することによって第一エネルギーの伝播を容易にしてよく、それによって少なくとも第一エネルギーに補足的であるエネルギーを伝播する第一エネルギーの相互作用を可能にする。エネルギー経路は、エネルギー経路部分と、全体のエネルギー経路と、コンダクタと、エネルギーコンダクタと、電極と、少なくとも一つのプロセス生成型コンダクタと、及び/又は遮蔽とを有する。複数のエネルギー経路は、エネルギー経路に関して上に記載の複数の各デバイス又は要素を有してよい。さらに、ここで一般的に使用されるように、コンダクタは、例えば、個々の伝導性物質部分、伝導性平面、伝導性経路、経路、電気ワイヤー、通過(via)、アパーチャ、抵抗性のリードなどの伝導性部分、伝導性物質の部分、又は少なくとも一つの媒体801によって分離された平面などの電気プレートを含んでよい。
【0012】
遮蔽は、遮蔽電極と、遮蔽経路の部分と、遮蔽型経路と、遮蔽型コンダクタと、遮蔽型エネルギーコンダクタと、遮蔽型電極と、及び/又は少なくとも一つのプロセス生成型遮蔽経路部分とを含む。複数の遮蔽は、遮蔽に関して上に議論された複数のデバイスを含んでよい。
【0013】
ここに一般的に使用されるように、経路は、79“X”、812“X”、811“X”、及び99“X”で示された様々な経路の拡張を有する主体80、81に関して、補足的に位置づけされるか、又は補足的に配向される。主体80、81は、距離、配向、位置、重ね合わせ、非重ね合わせ、アライメント、部分的なアライメント、ラッピング、ノンラッピング、及び部分ラッピングなど、個々に、ペアで、グループで、及び/又は複数で三次元の物理的な関係である。重ね合わせた主体経路80は、例えば、電気的な零、電気的な補足、電気的な差異、又は電気的な相反の一つ又は任意の組み合わせである、物理的に反し、反対に配向された主体経路80のペアを有する。
【0014】
経路配置は、少なくとも一つのエネルギー経路を少なくとも部分的に遮蔽する少なくとも一つの遮蔽、又は通過、アパーチャ若しくは補足的に対の経路などの少なくとも2つのエネルギー経路の少なくとも伝導的に分離されたペアを伝導性の遮蔽を介して少なくとも部分的に遮蔽する遮蔽構造を形成する遮蔽のグループを含んでよい。
【0015】
典型的な実施態様は、共通の遮蔽又は分離された回路の役割をする遮蔽の少なくとも一つのグループにエネルギーの伝播を引き起こす補足的な対の経路などの伝導的に分離されたペアへのエネルギー伝播を可能にする。かかる実施態様は、少なくとも1つの個別のものと別個の分離された回路システムに役立つ、単一の少なくとも1ペアの分離された個別の並列の経路で低いインダクタンス経路の形成を可能になってよい。典型的な実施態様は、少なくとも2つのセットの分離された個別の並列の経路の少なくとも一つの平行な経路で伝播するエネルギーの活用のための少なくとも低いインダクタンスの経路の発展及び少なくとも1つの他の分離の個別の回路システムに沿って伝播するエネルギーの活用のための少なくとも一つの他の低いインダクタンス経路の少なくとも一つの平行の経路に沿った発展を可能にしてよい。
【0016】
回路アセンブリの一部分として活用された典型的な実施態様は、相対的に低いインダクタンスの少なくとも一つの経路を有してよく、一方で、他の経路はエネルギー源又はエネルギーロードに電気的に接続されてよい。第二の複数の経路の経路は、同一の少なくとも一つのエネルギー源又は回路アセンブリの少なくとも一つのエネルギーロードのいずれかから得られるエネルギー部分において操作可能な低いインピーダンスを有してよい。低いインピーダンスのかかる同一の経路は、低いインダクタンスの一つの経路として、同一の少なくとも一つのエネルギー源又は回路アセンブリの少なくとも一つのエネルギーロードの何れかに電気的に直接接続されなくてよい。システムは、同一の経路でない、わずかなインダクタンスの経路とわずかなインピーダンスの経路の両経路を有してよい。
【0017】
コンデンサデバイスの等価な連続インダクタンス(ESL)が一般的にサイズに依存する、工業で使用されるコンデンサと対照的に、本発明において、エネルギー調節のための回路におけるわずかなインピーダンスの経路及びわずかなインダクタンスの経路は、デバイスの物理的なサイズに依存せずに達成されてよい。それら態様は、本発明での所定の層によって発展する所定の容量に依存する。
【0018】
経路を調整することは、例えば、エネルギーの伝達、又は相対的な効率若しくはエネルギーの少なくとも一つの源と集積回路のロードを活用する一つのエネルギーとの間の効果を主に決定するための経路の伝導性物質の抵抗を可能にする。ESLは、伝達出力又は弱まるインダクタンスの減結合の無効のための主要な要因よりも無視できる要因である。
【0019】
図1A、1B、1C、5A及び5Bで例証した例示的な経路配置において、様々な伝播エネルギーが補足的であってよく、回路配置に位置する経路配置は、経路配置のあるエネルギー経路内又は経路に沿ったエネルギーの伝播を可能にしてよく、それによって、補足的なコンダクタの各セットから外側に向かって放射するエネルギーフィールド電流の伝播によって生成された経路提供型電磁場の反対部分の相互の相互作用を可能にする。かかる相互の相互作用は、実施態様における相互消去となってよく、ある経路は他の補足的な経路から部分的又は全体で物理的に遮蔽されてよく、他の補足的な経路の影響する距離内で位置されてよい。さらに、経路間の遮蔽の間隔が離れた関係と相互位置づけ及び経路の伝導性で分離された関係を含むそれぞれの補足的な経路のサイズと形状における実質的な同様性は、かかる相互の消去作用に寄与してよい。加えて、遮蔽操作は、伝導性の静電遮蔽に関するペアの経路の一致の相対的な位置づけに基づいてよい。ここに記載した少なくとも補足的なエネルギー調節機能及び静電気遮蔽力学は、様々な所定の経路に沿った様々な方向での様々なエネルギー伝播に作用してよく、経路の配置を活用する力学的操作を有する回路で操作してよい。
【0020】
電磁気的/静電的に作動したインピーダンス状態のサブコンビネーションは、エネルギーの調節回路を形成するために、経路配置に沿うか若しくは経路配置内で展開してよく、又は遮蔽の個別であるか複数のグループに伝導的に結合されて閉じて結合した外部の伝導性部分に沿うか若しくはかかる伝導性部分内で展開してよい。例えば、一つの回路部分の経路の一つのペアのセットのためでなく、別の回路部分から経路の別のペアのセットでの展開を必要としないために、それら電磁気的/静電的に作動したインピーダンス状態は展開してよい。
【0021】
本発明の態様によると、各遮蔽は主体81を有してよい。主体81は、互いに集団的で伝導的に結合してよく、同時にエネルギー経路の主体81を実質的に免除し遮蔽してよい。本発明の別の実施態様において、集団的に遮蔽する主体81はただ部分的に閉じ込めてよいし、又は遮蔽の少なくとも一つの部分での経路の主体80sを遮蔽してよい。
【0022】
本発明の別の態様によると、均衡で対照的な経路配置は、ある重層された遮蔽の対照から、補足的な経路のサイズ化及び形状化から、並びに/又は補足的な経路の相互の位置づけ及びペアリングからの結果となってよい。ダイナミックなエネルギー伝播、相互作用、ペアリング又は様々な力学的な量の一致が発生する、経路の製造可能で均衡の取れたか、又は対照的な物理的な配置は、試験設備の正確な基本的な限界よりもわずかで操作してよい。したがって、それらの補足的なエネルギー量の部分が同時に相互作用する場合、エネルギーは典型的な試験設備の計測可能な範囲を超過してよい。したがって、測定が得られるかもしれない範囲は増加した制御可能性を使用してよく、それによって電気的な特質及び電気的な特長における作用は、所望の測定可能性、振る舞い、又は提供される増強を予め決めることによって、及び所望の測定可能性若しくは効果を提供するように要素の特異的な配置によるなど要素の対応する配置によって制御されてよい。例えば、所望の電気的な特徴は、例えば、下記の記載及び図1A、1B、1C、5A及び5Bに記載のような補足的な均衡、サイズ、型、及び少なくとも一つの経路のペアリングの対照の少なくとも一つの部分を変化することによって所望の増強において予め決定してよい。
【0023】
したがって、例えば、エネルギー相互作用の範囲、相互エネルギー伝播のタイミング及び干渉は経路配置内の耐久性によって制御されてよい。例えば、半導体プロセス制御などの製造工程又はコンピュータの耐久性制御は、それらの耐久性を制御してよい。したがって、実施態様の経路は、当業者にとって明白である、受動的なデバイス処理などの製造処理を使用して形成されてよい。それによって、相互のエネルギー伝播の測定は、経路配置の形成及び形成処理によって消去されるか、抑制されてよい。
【0024】
上に記載のような経路配置は、経路の均衡の取れたグループを有する合同した電子構造での経路の連続的に位置づけたグループを有する。均衡の取れたグループは、数の上では対称的で補足的で、互いに補足的に位置づけされた経路の積層された階級を有する所定の経路構造を含んでよく、それによって、ペアを形成し、ペアの各々は中心に位置付けされた遮蔽の各側から実質的に等距離であり、図1A乃至4Iに描写されるように、各遮蔽は、各ペアの経路及び全体の経路の階級の両者における対照的に均衡が取れたポイントを提供してよい。したがって、所定の同一なサイズで補足的に位置づけされた経路は、各個別の回路部分において中心に位置づけされた遮蔽の各側において存在してよい。全体の回路は、少なくとも一つの積層の遮蔽を挟み込む、ペアで遮蔽されて補足的なサイズで形状化された経路の逆の鏡像の位置づけを有する補足的で物理的なフォーマットに対照的に分割される、全体の回路の補足的な部分を有する。
【0025】
本発明の態様によると、例えば、各経路は、周りを取り巻くか保持する相互連結の基板、統合された回路のウェハー、沈着、エッチング又はドープ処理の結果であってよく、例えば、遮蔽は、経路基板、エネルギーを調節する実施態様又はエネルギーを調節する基板、沈着、エッチング、ドープ処理の結果であり、かつ、例えば抵抗性の特性であってよい。追加的な要素は、様々な経路間に伝導性及び非伝導性要素を有して活用されてよい。それらの追加的な要素は、強磁性体物質又は強磁性体状の誘電体層及び/又は誘導性のフェライトの誘電体派生物質の形態であってよい。追加的な経路の構造的な要素は、例えば、物質及び構造的な要素の様々な組み合わせに加えて、エネルギーを調節するオプションのホストを提供するために、異なる伝導性物質構成の伝導性及び非伝導性に複数の経路、伝導性の磁場に影響する物質のハイブリッド及び伝導性のポリマーシート、様々な処理された伝導性及び非伝導性ラミネート、真っ直ぐな伝導性の沈着、複数の遮蔽経路、様々なタイプの磁気物質の遮蔽及び選択的な遮蔽を活用する経路、伝導的にドープされ伝導的に沈着された物質及び停止はんだを有して活用されてよい。
【0026】
非伝導性物質はまた、様々な経路の構造的なサポートを提供してよく、それら非伝導性物質は、経路に沿って移動する同時で一定で妨害されないエネルギー伝播を維持する全体に活性化された回路を支援してよい。例えば、誘電体物質は、処理技術と互換性を有する物質要素の一つ以上の層を有してよい。それら誘電体物質は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素などの半導体物質であるか、又は、高低のカリウム誘電体である、任意のカリウムに限定されない半導体及び絶縁物質であってよい。
【0027】
経路及びコンダクタ物質は、Ag、Ag/Pd、Cu、Ni、Pt、Au、Pdからなる群から選択されてよく、別のそのような伝導性物質及び金属であってよい。それら金属物質の組み合わせは、ここに記載された目的のために適切であってよく、特定の適用の必要不可欠なものに依存するルテニウム酸化物などの適切な金属酸化物を含んでよく、適切な金属で希釈されてよい。他の経路は、実質的に非抵抗性の伝導性物質で形成されてよい。ドープされたポリシリコン、焼結されたポリクリスタル、金属、ポリシリコンのケイ酸塩、若しくはポリシリコンのケイ素化合物などの伝導性エリアを生成する、伝導性、非伝導性、半導体物質及び/又は回路ボード物質若しくは任意の基板あるいは処理から経路を生成してよい任意の基板並びに処理は、経路の配置内又は経路の配置で使用されてよい。
【0028】
本発明の典型的な実施態様は、特定の外部の回路バランスよりも様々な配置内でエネルギーを均衡する形態を保証するために内部遮蔽の構造的な構成を活用してよい。この均衡の形態は、エネルギーを伝播することによって活用される電気的に相反して遮蔽されたペアの経路において同時に遮蔽を提供するために、共有されて中心に位置づけられた遮蔽及び特定量で位置づけられた実際にペアになった遮蔽に関するすべての遮蔽の相関する位置づけに依存する。これは、それらの電気的に相反する補足的な経路を中心に位置づけて共有した共通の伝導性の遮蔽の反対側に電気的で物理的に位置することを可能にする。中心で共有された遮蔽のかかる挿入は、様々な回路電圧に半分で分配し、通常予測される電圧エネルギーの半分に相反するペアになった遮蔽コンダクタの各々を提供する、分圧器を生成してよい。遮蔽されたコンダクタを有する活性化された回路類は、中心に位置付けられた遮蔽、共通及び共有された経路、若しくは各それぞれの分離された回路システム部分に関して、電気的に又は電荷に反する手法で均衡されてよい。分離された回路システムの各共通の回路要素は、共通エリア又は共通経路に付加されるか結合されてよく、それによって外部の共通のゼロ電圧を提供する。したがって、実施態様は、追加的に結合されて−IMとして図に示されている、追加的な外部のサンドイッチ状の遮蔽でサポートされ、挿入された遮蔽関係の少なくとも一つの様々に電気的であるか若しくは電荷が相反する、遮蔽されたペア又はグループ化された補足的なペア間に電気的若しくは物理的に位置する複数のセットの遮蔽を有してよい。
【0029】
典型的な実施態様はまた、異なるエネルギー源を活用し、かつ一つ以上の分離した個別のエネルギー利用ロードを提供してよい、一つ以上のエネルギー回路内に位置してよい。複数のエネルギー調節操作のために活性化され、干渉フィルター、抑制、エネルギーの減結合及びエネルギーサージ保護など同時で効果的なエネルギー調節機能を提供するために活性化される場合、各分離した個別の回路は、複数の共通的に共有のユニバーサル遮蔽構造及び回路参照画像又はノードを活用する。
【0030】
本発明の態様によると、エネルギー調節機能は、明白な均衡がとれたエネルギー電圧の参照及び回路内の各それぞれのエネルギー活用ロードにおけるエネルギー供給を維持してよい。この活性化された配置は、単一又は複数の分離された回路配置を活用する特定のエネルギー伝播を可能にしてよく、単一で中心化された遮蔽での均衡を必要としなくてよい。遮蔽は、多数の個別に分離された経路に依存して、一つ又は複数のエネルギー源と一つ又は複数のエネルギー活用ロードとの間に物理的かつ電気的に位置してよい。したがって、中心化された経路に関する遮蔽は、共同平面であってよく、典型的な実施態様の変化を積み重ねてよい。
【0031】
内部で位置するペアの遮蔽された経路が、外部的に製造された経路に実質的に付加されるか、又は伝導的に結合される場合、内部で位置するペアの遮蔽はゲージ状の遮蔽構造内で実質的に包まれてよく、それによって、通常は逃げるか又は隣接する遮蔽の経路に結合する、内部で生成するエネルギーのさまよい及び寄生を最小限にする。それら遮蔽モードは様々な経路に対してエネルギーの伝播を活用し、遮蔽構造の活性化によって生成される静電の遮蔽効果の分離であってよい。補足的な手法で伝播するエネルギーの伝播は、反対の伝播の隣接の結果として相互に相反し、相互に消去されたフィールドのエネルギーフィールドを提供する。補足的でペアの経路は、内部的に均衡が取れた抵抗性のロード機能を提供する。
【0032】
本発明の態様によるデバイスは、少なくとも一つの静電的に遮蔽された変圧器の機能性を模倣してよい。変圧器は、エネルギーを変換する二次的な巻き線に主要な巻き線を磁気的にリンクするために、入力における差異のモード変換に依存する共通モードの分離を提供するために幅広く使用されてよい。結果として、主要な巻き線における共通のモードの電圧が拒否される。変圧器の製造で固有の一つの問題は、主要な巻き線と二次的な巻き線との間でエネルギー源の静電容量が拡散することである。回路の周波数が上昇するにつれて、回路分離が危険にさらされるまで容量結合が増大する。十分な寄生の静電容量が存在する場合、高周波数のRFエネルギーは変圧器を通過してよく、一時的な出来事を受ける分離ギャップの反対側の回路での混乱を引き起こしてよい。遮蔽は、巻き線の複数セット間の静電容量結合を防ぐために設計された共通の経路参照に結合することによって主要な巻き線と二次的な巻き線との間に提供されてよい。本発明の態様によるデバイスは、回路の変圧器に依存して改善し、回路の変圧器における必要性を減少する。装置は、寄生を抑制する物理的で相関する共通経路の遮蔽を使用してよく、さらに、変圧器として効果的に機能するように、様々な外部の回路類との組み合わせにおいて、共通する経路の遮蔽の相関する位置づけ、補足的なペアの経路の層化、経路の層化の様々な結合、及び分離された回路システムごとの伝導性エリアに対する外部の伝導的な結合を使用してよい。分離された回路システムが一時的に反転する場合、ここに記載のデバイスの静電的で遮蔽された変圧器の機能は、一時的な抑制と保護において効果的であってよく、組み合わされた差異のモード及び共通モードのフィルターとして同時に機能してよい。相関する遮蔽及び相関するコンダクタの各セットは、例えば、変圧器の機能性を提供するために少なくとも同一の外部経路に伝導的に結合されてよい。
【0033】
伝播された電磁干渉は、電気場及び磁場の両者の生成であってよい。本発明の態様によるデバイスは、異なるタイプのエネルギー伝播フォーマットを有してよいシステム及び一つ以上の回路の伝播特質を有してよいシステムでのエネルギー調節を含む、直流、交流、並びに交流/直流のハイブリッドタイプの伝播を使用するエネルギー調節ができてよい。
【0034】
典型的な実施態様において、伝導的な結合によってアセンブリ内に典型的な実施態様の外部分の結合又は接続するための周辺の伝導性の結合物質は、典型的な実施態様のそれぞれの部分によるか、又はほとんどによる、少なくとも別の経路、アパーチャ若しくはブラインド若しくはノンブラインドの通過として周知のコンダクタに関して適用する、傾斜型、平行型若しくは垂直型の様々なタイプに対する伝導性又は非伝導性の付加によって達成されてよい。本発明の一つの態様における集積回路の一部分などの少なくとも一つ以上のロードに接続することは、又はアパーチャ及び通過などのコンダクタの様々なタイプに対する選択的な結合を含んでよいし、含まなくてもよい。
【0035】
経路の組立は、経路の一つ以上のレベルによる一つ以上のプレートスルーホール(plated through hole)(PTH)通過の形成を含んでよい。電子パッケージは、複数の相互結合レベルを共通して含む。かかるパッケージにおいて、本発明は、誘電体物質層などによって、別の相互結合レベルのパターン化された伝導性物質から電気的に絶縁されてよい、一つの相互結合レベルのパターン化された伝導性物質の層化を含んでよい。
【0036】
様々な相互結合レベルにおける伝導性物質間の接続又は結合は、絶縁部分又は層の通過若しくはアパーチャとしてここに言及される開口の形成によってなされてよく、代わって、パターン化されたか若しくは共有された伝導性物質部分又は異なるレベルからの経路が互いに電気的な接触にもたらされるように伝記的な伝導性構造を提供できる。それら構造は、一つ以上の相互結合レベルにより延在できる。伝導性、非伝導性又は伝導的に満たされたアパーチャ及び通過の使用は、あたかも実施態様のバイパス又は供給経路形態を活用するように、典型的な実施態様に交わるようにエネルギーの伝播を可能にする。実施態様は、サポート、システム又は少なくとも一つの源と少なくとも一つのロードとの間で伝播したエネルギーを調節するための記載された利点を提供する層化された活性及び受動的な構成部分の両者若しくはいずれかを有してよい、サブシステムのプラットホームとしての役割をしてよい。
【0037】
本発明の態様は、伝導性の構成又はパッケージでの包含に適切な構造あるいは他の要素を有する集積回路のパッケージを提供してよい。別の要素は、他の経路によって供給されるグループ化されて活性化される補足的なコンダクタ間で発生するために同時のエネルギー相互作用を可能にすることによって、同時に物理的で電気的に遮蔽するための装置に直接的に結合してよい。少なくとも一つの遮蔽する経路間で見られる典型的な容量的な均衡は、分離された回路ごとの共有の遮蔽構造の反対側を測定する場合に見られてよく、さらに、共通の非特異的な誘電体若しくは経路の誘電性物質の使用でさえも、かかる分離された回路部分内で測定された容量的なレベルで維持されてよい。したがって、要素の位置づけ、サイズ、分離及び付加の位置づけによる電気的な回路のかかるタイプの補足的な容量的な均衡又は特質を均衡する耐久性は、伝導的に結合されて活性化され分離された回路システムに通過するため、分離された回路システムに位置される遮蔽構造の分割に関して、各それぞれの分離された回路システムの電気的に相反しペアになった補足的な経路との間で維持され関連する3%の容量的な耐久性に通過するために、内部的に3%の容量的な耐久性で製造された分離した回路システムを有する典型的な実施態様を可能にする。
【0038】
典型的な実施態様は、比較的安価な誘電体、伝導性物質及び幅広い様々な手法の様々な他の物質要素の活用が可能であってよい。構成の特性により、物理的で電気的に分割する生成された構造は、グループ化し隣接する要素において分割し均衡する電圧を可能にし、エネルギー源からそれぞれのロード及びロードから供給源に戻る結合又は接続の経路の両側の電気的な側で同時の明白に開かれたエネルギーの流れとして様々なエネルギーを活用するロードに現れる瞬間的な能力と同様に、下記の影響に通常分裂されるか、又は失うエネルギーの伝播が本質的に有効な構成部分の切り替え反応時間の形状で保持されてよいような程度まで物質のヒステリシス及び圧電現象の影響の最小化を可能にしてよい。
【0039】
構造的な層は、ラインの調節若しくは減結合を実行するため、例えば、望ましいか若しくは所定の電気的な特性までエネルギーの電気的な送信の修正を支援するか又は可能にするために様々な電気的なシステム及びサブシステムに形状化され、埋め込まれ、包含され、又は挿入されてよい。特定若しくは狭いエネルギー調節又は電圧均衡の維持を目的とする効果で特異的な誘電体物質は、回路のためのバイパス、供給、あるいはエネルギーの減結合操作をもはや必要としなくてよい。
【0040】
上に記載のような本発明の態様によるデバイスは、各分離された回路と、ペアになった複数の経路又は差異の経路との間に位置される。この典型的なデバイスは、単一で個別のコンデンサ又はインダクタの構成部分と比較して、ブロードな周波数範囲において効果的に操作してよく、さらに、GHzを越えて操作する分離された回路システム内で連続して効果的に実行してよい。
【0041】
上述のように、典型的なデバイスは、かかるブロードな周波数範囲で遮蔽機能を実行してよい。ペアになった電気的に相反し隣接する補足的な経路を物理的に遮蔽することは、補足的な経路のサイズに関する共通経路のサイズによる結果であってよく、さらにサンドイッチ状の補足的なコンダクタから派生し外部の寄生を防ぐ、活性化されて静電的な抑制又は寄生の最小化からの結果であってよい。さらに、より伝導性である遮蔽に相関する遮蔽の位置づけは、誘導エネルギー及び“Hフィールド”結合に対して保護するように使用されてよい。かかる技術は、相互の誘導的な消去として周知である。
【0042】
寄生の結合は、電場結合として周知である。上に記載の遮蔽機能は、電場の寄生に対して静電的で様々に遮蔽した経路の主要な遮蔽を提供する。補足的なコンダクタの経路から派生する相互又はさまよう寄生のエネルギーにより妨害し伝播するエネルギーの通過を含む寄生の結合は、それによって抑制されてよい。例えば、本発明の態様によるデバイスは、積層された伝導性の階級的な進展でユニバーサルな遮蔽構成における相反して位相されたコンダクタを包含することによって容量的な結合をブロックしてよく、それによって、経路の垂直的及び水平的な両者のそれぞれの層化及び位置づけであるような経路の位置づけに関して静電的又はファラデー遮蔽効果を提供する。遮蔽する経路の構成は、小型のペアになった補足的な経路よりも大きい多数の共通の経路の層の負荷によるなどして、潜在的に騒々しいコンダクタと犠牲コンダクタとの間の内外の寄生背結合を抑制し防ぐために使用されてよいが、抑制する補足的な経路コンダクタのペアの各々とさまよう寄生を有する補足的な経路コンダクタのペアの各々との間に位置される。
【0043】
上述のように、さらに、より伝導性である、遮蔽に相関する遮蔽の位置づけは、誘導エネルギー及び“Hフィールド(H−Field)”結合に対して使用されてよい。かかる消去は物理的な遮蔽エネルギーで達成されて、一方で、遮蔽サイズに対応するエリアサイズ内で含まれてペアになった補足的な経路の挿入を可能にするために、位置づけされて補足的でペアになった経路を同時に使用する。本発明の態様によるデバイスは内部の遮蔽又はグループ化として分離的な遮蔽を使用するように適合されて、それによって、電気的に相反する補足的な経路のペアを実質的に分離しサンドイッチ状にし、それによって、各遮蔽と活性ロードとの間に物理的に強固であるか若しくは最小限のエネルギー及び回路ループの伝播を提供する。遮蔽と非遮蔽の隣接は、たとえ801物質タイプ又は間隔による直接の電気的な分離が存在するとしても、遮蔽に沿うエネルギーを可能にしてよい。
【0044】
ペアになって電気的に相反するか又は差異の経路に沿ったエネルギーが伝播するフラックスの消去は、相反して位相した伝記的に補足的な操作における非常にわずかな距離によって経路の離れた間隔からの結果であってよく、それによって、同時にさまよう寄生の抑制及びタンデム遮蔽に起因する封じ込め機能の結果となり、それによってエネルギー調節を増強する。
【0045】
分離された回路システムの様々な回路ループにおける最小エリアへの到達において、追加的に遮蔽するエネルギー電流は、構成部分を遮蔽する構造のまわりに分配してよい。上述のような複数の遮蔽は、分離した回路の参照ノード又はシャシー接地のいずれかとして電気的に結合してよく、さらに回路における共通して使用される参照経路として依存してよい。したがって、内部でペアになった様々なグループの補足的な経路は、伝導性物質によって回路に結合した外部経路に沿って伝播する一つ以上のエネルギー源から派生するエネルギーの伝播を含んでよい。したがって、エネルギーは装置に入り込み、調節を受け、個々のそれぞれのロードに連続してよい。
【0046】
遮蔽構造は、それぞれの活性化された回路の個々に入る望ましくない電磁気干渉ノイズ及びエネルギーのリターンを少なくとも部分的にブロックすると同様に、ダンピング及び抑制するための低いインピーダンスの経路として機能する遮蔽の部分を可能にしてよい。実施態様において、内部に位置する遮蔽は伝導性エリアに伝導的に結合してよく、それによって、低いインピーダンスをダンピング及び抑制するための遮蔽構造を適合的に活用し、並びに望ましくない電磁気干渉ノイズ及びエネルギーのリターンブロックを少なくとも部分的にブロックする。加えて、内部に位置する遮蔽の別のセットは、第二の伝導性エリアに伝導的に結合されてよく、それによって、低いインピーダンスをダンピング及び抑制するための遮蔽を活用し、並びに望ましくない電磁気干渉ノイズ及びエネルギーのリターンを少なくとも部分的にブロックする。伝導性エリアは、互いに電気的又は伝導的に分離されてよい。
【0047】
エネルギー寄生の同時抑制は、相互に相反するエネルギーフィールドの消去と組み合わせて包含し遮蔽する経路構造に寄与してよく、伝播するエネルギーで発生する調節効果を受けるために様々に分離された回路内で相互作用する様々な回路の経路に沿って電気的に相反して遮蔽した経路及び伝播するエネルギーにさらに寄与する。この調節は、遮蔽に潜在的に位置して与えられて、低くて高いインピーダンスの遮蔽のペアになった手順に沿って見られるエネルギーによる活用に関してペアにすることによって瞬間的で相反して使用される、様々なペアになった経路がそれぞれの潜在的にそれぞれに切り替える遮蔽のダイナミックで同時に低くて高いインピーダンスの経路に隣接する確定された電気的なエリアを有し維持する分離された回路によるなど、同時機能によるHフィールド及びEフィールドのエネルギーの効果を最小限にすることを有してよい。
【0048】
分離された回路内のエネルギーのルーティングの位置的な重ね合わせによって生成される様々な距離の関係は、活性な構成部分又はロード内で通常発生する不利益なエネルギー混乱の様々な程度を増強し消去する様々のダイナミックなエネルギー移動と組み合う。受動的な層化構造内で発生する効率的なエネルギー調節機能は、両補足的な経路に共通して結合されて、様々な回路内及び回路に付加されるか又は伝導的に結合された遮蔽に依存して含まれて消去されるようにエネルギーを可能にする適合された第三の経路に沿ったダイナミックな“0”インピーダンスエネルギーの“ブラックホール”又はエネルギードレインの発展を可能にする。したがって、電気的に相反するエネルギーは、誘電体物質及び/又は挿入の遮蔽構造によって分離されてよく、それによって特異的な回路構造内のダイナミックで閉じた距離の関係を可能にし、それによって、エネルギー処理能力において高効率となる層化した伝導性で誘電体要素を指数関数的に可能にする、相互に増強する消去現象及び静電的抑制現象の利用を可能にする伝播エネルギー及び相対的な距離を利用する。
【0049】
本発明の態様によると、デバイスは単一の低いインピーダンスの経路又は電圧参照として共通の低いインピーダンスの経路を活用してよく、一方で、相関する電気的な参照ポイント内で維持され均衡が取れた回路を利用し、それによって、分離された回路システムでの最小限の寄生の寄与及び破壊的なエネルギーの寄生を維持する。ここに記載の様々な取り付けスキームは、共有された中心の遮蔽の反対側に位置するペアになった補足的なコンダクタの各ペア又は複数に関して発展するように上に記載のような“0”電圧参照を可能にしてよく、それによって、分離された回路の最小限の破壊的なエネルギーの寄生で活性な集積回路内で位置するトランジスタゲートにおける複数の同時切り替え操作であっても、維持し均衡が取れた電圧を可能にする。
【0050】
遮蔽は、一つ以上の遮蔽を生成するケージ状の伝導性遮蔽構造の原理を使用して連結してよい。大型の外部の伝導性エリアを伴う遮蔽の伝導性結合は、放射した電磁気放射を抑制してよく、大型エリアとして、電圧と振動の焼失が生じるかもしれない、多大な伝導性エリアを提供する。異なる電気的な特性を有する複数の伝導性又は誘電性物質の一つ以上は、遮蔽間で維持されてよい。特定の補足的な経路は、製造された補足的な経路の総計の半分を形成する“釣り合い”又はペアになった複数の相反で位相されたか又は電荷された構造に関する異なって位相された調節を実行する複数の共通の伝導性構造を有してよく、かかる補足的な経路の半分は第一の複数の経路を形成し、第二の半分は第二の複数の経路を形成する。第一及び第二の複数の経路の補足的な経路の総計は、同時に使用された経路の等しい数で電気的に均一に分離されてよいが、個々の補足的回路の総計の半分で、例えば、相反して位置するグループ化の過程から電気的に1度かほぼ180度の範囲まで操作する。誘電体が補足的に操作する任意の遮蔽された経路に直接物理的に又は伝導的に結合されない挿入する遮蔽に加えて、ミクロン又はより少ないような少量の誘電体物質は、経路間の伝導性物質の分離として使用されてよい。
【0051】
外部の接地エリアは、代替の共通経路として結合されるか、又は伝導的に接続される。ペアになった外部の経路の追加的な数は、低い回路インピーダンスに取り付けられてよい。かかる低いインピーダンス現象は、代替又は補助的な回路のリターン経路を使用して発生してよい。
【0052】
遮蔽構造は遮蔽を共に連結させてよく、それによって、新規に開発された低いインピーダンスの経路に沿ったエネルギー伝播を容易にして、それによって、望ましくない電磁気干渉又はノイズをここで生成された低いインピーダンス経路に移動させる。
【0053】
図1A乃至図5Bを参照するに、共同平面の変化(図1A乃至4I)及び積層された変化(図5A及び5B)で形態化された典型的な実施態様の共通及び個々の変化の両者の様々な共通の原理を一般的に示している。
【0054】
図1Aにおいて、本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置が示される。8“XX”乃至“X”Mで示された中心の遮蔽経路を活用する相対的に均衡が取れて補足的に対称的な配置の部分は、共同平面の変化での均衡が取れた伝導性部分の支点としての配置で適合される。少なくとも第一及び第二の複数の経路を有し、かかる第一の複数は、互いから電気的に分離して配置し、第一の補足的な関係で配向された少なくとも一つのペアの経路を有する、経路配置が例示される。加えて、第二の複数の少なくとも一つの半分は、第二の複数の第二半分から電気的に分離されて配置され、かかる第二の複数の少なくとも2つの経路は第一の複数の経路から電気的に分離される。経路の配置はまた、誘電体、強磁性体、又は例えば経路配置の経路から離れて間隔が置かれたバリスターなどの特質を有する物質を有してよい。第二の複数の第一半分の経路は、互いに電気的に結合されて、第二の複数の第二半分の経路は互いに電気的に結合される。第二の複数の第一半分の経路の総数は、1以上の奇数であってよく、第二の複数の第二半分の経路の総数もまた、1以上の奇数であってよい。本発明の態様によると、第二の複数の第一半分の経路は第一の重ね合わせのアライメントに位置し、一方で第二の複数の第二半分の経路は、共同平面配置としてここに記載される相互の重ね合わせアライメントでの第一及び第二の重ね合わせアライメントで、第二の重ね合わせアライメントに位置する。
【0055】
共同平面でない配置において、他方の上の一つの配置における第一及び第二の重ね合わせアライメントで、第二の複数の第一半分の経路は第一の重ね合わせアライメントで位置されてよく、第二の複数の第二半分の経路は第二の重ね合わせのアライメントで位置してよい。一つの配置において、少なくとも4つの経路は電気的に分離される。
【0056】
本発明を例証する実施態様は、経路の第一の複数と経路の第二の複数を有する、経路の少なくとも3つの複数を有してよい。第一及び第二の複数の経路は、第二の複数の経路で見られる等しく反対の経路要素を有する第一の複数の経路要素を有してよい。第一及び第二の複数の経路の要素は、実質的に同一のサイズ及び形状であり、補足的に位置づけしてよく、さらに電気的に補足的な手法で操作してよい。したがって、第一及び第二の複数の経路のペアは、第一及び第二の経路の要素の同一数となってよい。典型的な実施態様は、個々の分離された低い回路インピーダンスの経路の発展を可能にする少なくとも第一及び第二の遮蔽を提供してよい。構造的に、遮蔽は第三の複数の経路と第四の複数の経路によって達成されてよい。各遮蔽の複数は、等しいサイズで形状の遮蔽を有してよい。第三及び第四の複数の経路の各々は、伝導的に結合されてよい。伝導的な結合は、当業者における処理で周知である様々な方法及び物質によって達成されてよい。したがって、第三及び第四の複数が遮蔽を受ける第一及び第二の複数を活用する遮蔽の2つのセットとしてグループ化される場合、第三及び第四の複数は、回路エネルギーの調節のためのエネルギー伝播における低い回路インピーダンスの経路を発展するための共通経路に結合されてよい。
【0057】
例えば、図5A及び5Bに描写される鏡像として示されるように、例えば、低いサブ回路の812NNE、811NNE、812SSW及び811SSWなどの任意の経路の拡張の例外を伴い、面して位置した主体経路80が重ね合わされて整列されてよい場合、経路はバイパス配置に追加的に配置されてよい。
【0058】
複数内で、個々の経路の要素は実質的に同一サイズ及び形状であってよく、伝導的に結合されてよい。しかしながら、一つの複数の個々の経路の要素は、経路の異なる複数の要素に伝導的に結合されなくてよい。遮蔽の第一の複数及び遮蔽の第二の複数が同一のコンダクタに外部的に結合されるように、一つの複数の要素が異なる複数の要素に結合されてよい状況があってよい。
【0059】
共通要素は、図1A乃至1Cに示されるような共平面で遮蔽されたバイパス経路でのダイナミックなエネルギー移動を描写する概念的なエネルギーインジケータ600、601、602、603と一致するエネルギーの流れを有してよい。実施態様は、複数の回路における複数の分離された低い回路インピーダンスの発展における少なくとも複数の遮蔽を提供してよい。
【0060】
図1Aをさらに参照するに、経路は相対的な共通経路によって遮蔽されてよく、少なくとも一つの経路の拡張812“X”を伴う主体経路80を有してよい。示された遮蔽は、99“X”/79“X”で示された少なくとも一つの経路の拡張を伴う主体の遮蔽経路81を有する。遮蔽は、Ag、Ag/Pd、Cu、Ni、Pt、Au、Pdなどの共に焼結された電気的構成物質又は伝導性物質若しくは金属酸化物及びガラスフリットなど組み合わせ物質で伝統的に使用される貴金属又は卑金属の属の伝導性物質から形成される伝導性の内部経路を有する、主体799をサンドイッチ状にし、包含してよい。静電容量及び抵抗値は、抵抗性物質としてのルテニウム酸化物及び伝導性物質としてのAg/Pdの使用によるなどして、上述のように回路の一つの属で達成されてよい。さらに、経路の幾何学での変化は、異なる抵抗性及び静電容量値を生ずる。変化は、経路が成される物質を変化することによって達成されてよい。例えば、銀のような伝導性物質は、物質の抵抗性を低下させるために、金属酸化物/ガラスフリット物質に選択的に加えられてよい。
【0061】
複数の経路、865−1及び865−2は、物質801の同一位置において共同平面で間隔が離れた位置づけが示される。共同平面経路865−1及び865−2の各経路は、伝導性物質799から形成されてよいか、又は伝導性物質のハイブリッド及び799“X”としてここに示される別の物質で形成されてよい。共同平面経路865−1及び865−2の各々はまた、バイパス経路として形成されてよく、各経路は、対応する主体エッジ及び周囲、803A及び803Bのそれぞれを有する主体の経路80及び少なくとも一つの経路の連続する拡張812“X”を有する。共同平面経路865−1及び865−2の各々は、主体エッジ803A及び803Bから延在する主体エッジ803A及び803Bの一部分を伴う、少なくとも一つの経路の連続する拡張812SSW及び811SSWを有してよい。拡張812“X”は、延在する主体経路80と関連して形成される経路物質の一部分である。主体経路80、812“X”は、許容される平均の周囲エッジ803“X”を超過して延在する物質799又は799“X”の拡張として見られてよい。拡張812“X”及び79“X”は、形成される経路の連続する部分としてそれぞれ位置づけされて見られてよい。各主体経路は、実施態様のエッジ917に関し距離814F離れて間隔が置かれて位置づけされたエッジ803A、803Bを有してよい。実施態様のエッジ817は物質801を有してよい。共同平面の主体の経路のエッジ803“X”は、距離814J離れた間隔で位置づけされてよい。経路の拡張812SSW及び811SSWは、それぞれの経路の主体80をエッジ817で位置づけされてよい外部経路890SSW及び891SSWに伝導的に接続されてよい。共同平面で配置された主体経路80は、共同平面の2つの層化の登録された範囲のエリアである、主体経路81の間で“サンドイッチ状”に位置づけされてよい。
【0062】
相互に相反するフィールドを組み合わせることは、消去又は最小化効果を引き起こす。補足的で対照的に配向された遮蔽に近接するにつれて、相反するエネルギーの伝播における相互に相反する消去効果はより良好になる。補足的で対照的に配向された遮蔽が積層されるにつれて、寄生及び消去効果の抑制結果はより良好になる。
【0063】
さらに図1Aを参照するに、共同平面の遮蔽の複数のエッジは、点線805A及び805Bによって表されてよい。複数の遮蔽の各々の主体経路81は、任意の対応するサンドイッチ状の経路のサンドイッチ状にする主体経路80よりも大きい。これは、遮蔽の位置づけ及び経路の維持に関連する挿入されたエリア806を生成してよい。主体80及び81のサイズは実質的に同じであってよく、したがって、挿入の位置づけ環形はある実施態様で最小であってよい。増大した寄生の抑制は、大型経路の主体81によって遮蔽される主体80を有する経路を挿入することによって得られてよい。例えば、経路865−1挿入の主体80の挿入は、図1Bに例示されるように、経路865−1を分離する物質801の厚さ及び隣接する中心の共同平面経路800−IM−1によって提供される1乃至20倍の間隔の距離で分離されてよい。
【0064】
複数の共同平面の遮蔽エッジ805A及び805Bは、距離814Kの間隔が離れて位置づけされてよく、エッジ805A及び805B並びにエッジ817に関する距離814であってよい。エッジ803A及び803Bのいずれかに関するほかの距離814Jが提供されてよい。さらに、距離814Fは、一つの803“X”とエッジ817との間に存在してよい。各共同平面の遮蔽は、複数の共同平面の遮蔽エッジ805A及び805Bから延在する、例えば、79NNE、79SSE、99NNE及び99SSE部分などの複数の連続する経路の拡張部分を有してよい。概念的なエネルギーのインジケータ602は、共同平面経路865−1及び865−2内の様々のダイナミックなエネルギー移動を表す。望ましくないエネルギーは、遮蔽が別の経路又は伝導性エリアに追加的に電気的に結合されてよい、低いインピーダンス経路において遮蔽を提供することによって規定と一致する共同平面の遮蔽に移動されてよい。
【0065】
ここで図1B及び1Cを参照するに、層の連続は、共同平面の経路865−1、865−2の第一の複数、共同平面の経路855−1、855−2の第二の複数、共同平面の経路825−1−IM、825−2−IM、815−1、815−2、800−1−IM、800−2−IM、810−1、810−2及び820−1−IM、820−2−IMの第三の複数において例示される。第一、第二、及び第三の複数は、実施態様3199、3200、3201を形成するために積層されてよい。共同平面の経路の第三の複数は、遮蔽することを提供してよい。複数の共同平面の遮蔽825−1−IM、825−2−IM;815−1、815−2;800−1−IM、800−2−IM;810−1、810−2;及び820−1−IM、820−2−IMの主体81は、実質的に同様のサイズ及び形状であってよく、さらに物質801の異なる層の共同平面の位置で間隔が離れてよい。共同平面の経路865−1及び865−2の第一の複数は、共同平面の経路855−1及び855−2の少なくとも対応し、相反し、補足的な第二の複数を有してよい。面して配向した場合、共同平面の経路のそれら第一及び第二の複数は、様々な連続の経路の拡張812“X”、811“X”以外で共に登録されて整列された主体の経路80を有してよい。図1B及び1Cに示されるように、外部の共同平面の経路820−1−IM、825−1−IMのペアは経路の遮蔽として役割をしてよく、それによって、主体81を伴う別の伝導的に結合された複数の経路の遮蔽効果を改善する。
【0066】
変形した実施態様3199、3200、3201で例示されるように、遮蔽825−1−IM、815−1、800−1−IM、810−1及び820−1−IMの拡張79NNE、79SSE並びに遮蔽825−2−IM、815−2、800−2−IM、810−2及び820−2−IMの拡張99NNE、99SSEの位置は変化されてよい。図1Bにおいて、例えば、拡張79NNE及び99NNEは、遮蔽の主体81の反対側で拡張79SSE及び99SSEから対角線上に間隔が離れて配置されてよい。図1Cにおいて、例えば、拡張79NNE及び99NNEは、遮蔽の主体81の反対側で拡張79SSE及び99SSEのラインで間隔が離れて配置されてよい。図1Bにおいて、拡張812NNE及び811NNEは、物質801の層の同一エッジ812に向かって延在し、間隔が離れて配置されてよく、拡張812SSW及び811SSWは、物質801の層の相対するエッジ812に向かって各々延在し、間隔が離れて配置されてよい。図1Cにおいて、経路865−1及び865−2は、上述したように鏡像であってよい。図1Bと比較すると、拡張812NNE及び811NNEは、物質801の層の相対するエッジ817に向かって延在し、間隔が離れて配置されてよい。拡張812SSW及び811SSWは、拡張812NNE及び811SSWが、物質801のそれぞれの層の相対するエッジ812“X”に向かって延在するように、物質801の層の相対するエッジに向かって各々延在し、間隔が離れて配置されてよい。
【0067】
ここで図2A及び2Bを参照するに、図2Aは、本発明の態様による図2Bの実施態様を概略する平面図を例示する。図2Bは、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路のレイアウトを有する経路配置を描写し、例えば、少なくとも第三及び第四の経路は共同平面であって、互いに間隔が離れて配置される。図2Bは、第三及び第四の経路下に配置された第一及び第二の経路を例示し、第三及び第四の経路上に配置された第五及び第六の経路を例示し、第五及び第六の経路上に配置された第七及び第八の経路を例示し、第七及び第八の経路上に配置された第九及び第十の経路を例示する。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張812“X”、811“X”、79“X”及び99“X”を有し、同一の最小数の層を有する個別の構成部分であってよい。内部の連続する経路の拡張812“X”、811“X”、79“X”及び99“X”と、伝導的に結合された外部の経路890“X”、891“X”、802“X”及び902“X”は、主体の経路80及び81の複数の共同平面の経路の内部経路に結合されてよい。
【0068】
図3A及び3Bを参照するに、図3Aにおいて、図3Bの実施態様の概略図が示されて、外部経路は、少なくとも2つの分離された回路部分で選択的に伝導的で結合してよい。図3Bは、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路の最小のレイアウトを有する経路配置を描写し、例えば、少なくとも第三及び第四の経路は共同平面であって、互いに間隔が離れて配置される。図3Bに示されるデバイスは、第三及び第四の経路下に配置された第一及び第二の経路を有し、第三及び第四の経路上に配置された第五及び第六の経路を有し、第五及び第六の経路上に配置された第七及び第八の経路を有し、第七及び第八の経路上に配置された第九及び第十の経路を有する。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張812“X”、811“X”、79“X”及び99“X”を有し、同一の最小数の層を有する個別の構成部分であってよい。
【0069】
ここで図3Cを参照するに、本発明の態様による遮蔽の平面図が例示される。図3Cに描写される実施態様は、図3Bのデバイスに比較して、少なくとも一つの追加的な経路を有する。かかる追加的な経路1100−IM“X”は、遮蔽が2つの回路部分に及ぶ、経路の積層での少なくとも複数の遮蔽の一つであってよい。経路1100−IM“X”は、経路の積層での少なくとも2つの外部のサンドイッチ状の遮蔽の一つであってよい。遮蔽は、外部の1100−IM“X”遮蔽に電気的に結合されて中心に配置された1100−IM“X”経路を加えることによって、2つの回路に及ぶ。経路1100−IM“X”は、少なくとも一つの拡張を有してよく、2つの拡張1099NNE及び1099SSEを伴って例示され、本発明におけるすべての経路において遮蔽をサンドイッチ状にさせてよい。少なくとも3つの遮蔽は、共に結合されてよく、分離された回路のエネルギーロード若しくはエネルギー源を分割するか、又は2つの分離された回路を分割するセンタリング遮蔽を有してよい。
【0070】
遮蔽00GSは、他の遮蔽から電気的に分離されてよく、分離された回路のエネルギー伝播をもたらすように配置されてよい。分離された回路は、遮蔽によってサンドイッチ状にされてよい。遮蔽は、任意の他の伝導性エリアから分離された伝導性エリアに電気的に結合されてよく、それによってエネルギー伝播をもたらす。
【0071】
図4A乃至4Iは、本発明の態様による様々な実施態様のアセンブルされた構成部分を描写する。図4A乃至4Iの配置は、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路の最小のレイアウトを有してよく、例えば、少なくとも第三及び第四の経路は共同平面であって、互いに間隔が離れて配置される。第一及び第二の経路は、第三及び第四の経路下に配置されてよく、第五及び第六の経路は、第三及び第四の経路上に配置されてよく、第七及び第八の経路は、第五及び第六の経路上に配置されてよく、第九及び第十の経路は、第七及び第八の経路上に配置されてよい。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張812“X”、811“X”、79“X”及び99“X”を有し、例えば、アセンブルされた最終の個別の構成部分であってよい。
【0072】
図5Aを参照するに、本発明の態様による経路のグループを有する、複数の非共有回路の積層を示す。図5Aの次のカラムへの配置の積層の連続を示すマーカー1000が図5Aに含まれる。概念的なエネルギーインジケータ600、601、602、603は、エネルギーの流れを示す。物質799は、示された815−1、800−1、810−1−IM、815−2、800−2−IM及び810−2を遮蔽する構成部分6900のための物質801に沈着されてよい。遮蔽810−A及び810−Bは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽815−A及び815−Bは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽820−A及び820−Bは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽825−A及び825−Bは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。コンダクタ855−1及び855−2は分離されて、バイパス形態における遮蔽された経路である。コンダクタ865−1及び865−2は分離されて、バイパス形態における遮蔽された経路である。図5Aにおいて、経路配置は、2つのタイプの経路の少なくとも6つの配向の経路を有して描写され、経路の少なくとも6つの配向の経路の各配向は、経路の配向を維持することから伝導性の分離を提供する。
【0073】
図5Bを参照するに、本発明の態様による積層された遮蔽構造が示される。図5Bは、図5Aと同様な実施態様を描写し、855“X”及び865“X”経路の2つのセットは明らかにするために省略され、図5Aの遮蔽は、855“X”及び865“X”の経路の各相関するセットにおいてフリップ・フロップで配向される。79“X”経路の拡張は、様々な経路の拡張811“x”及び812“X”に関して90度で回転されてよい。概念的なエネルギーインジケータによって例示されるようなこの形態のダイナミックな結果は、2つの分離された回路の2つのセットの855“X”及び865“X”の2つのセットの拡張を無効にすることによって増強されてよく、さらに855B及び865Bの様々な経路の拡張に無効のほぼ90度の各分離された回路のペア855A及び865Aの遮蔽を相対的に位置づけすることによって増強されてよい。
【0074】
図5Bを参照するに、本発明の態様による積層された遮蔽構造が示される。図5Bは、図5Aと同様の実施態様を描写し、855“X”及び865“X”経路の2つのセットは明らかにするために省略され、図5Aの遮蔽は、855“X”及び865“X”の経路の各相関するセットにおいてフリップ・フロップで配向される。79“X”経路の拡張は、様々な経路の拡張811“x”及び812“X”に関して90度で回転されてよい。概念的なエネルギーインジケータによって例示されるようなこの形態のダイナミックな結果は、2つの分離された回路の2つのセットの855“X”及び865“X”の2つのセットの拡張を無効にすることによって増強されてよく、さらに855B及び865Bの様々な経路の拡張に無効のほぼ90度の各分離された回路のペア865B及び865Aの遮蔽を相対的に位置づけすることによって増強されてよい。
【0075】
上述したように、本発明の実施態様において、複数の補足的であるか又はペアで遮蔽された経路は、経路の第一及び第二の複数を有してよい。エネルギーは、例えば、一般的に平行で均一な手法で、様々なペアになった供給又はバイパス経路の層を活用してよい。経路の要素は、エネルギーの伝播を提供し、一般的に平行ではないか若しくは垂直な関係を維持し、加えて、隣接する回路を伴い個別の電気的な関係を維持するために、絶縁ではなく、伝導性のアパーチャ及び伝導性のスルー通過(through−VIAs)を有してよい。それら経路は内部的な均衡を維持し、相反する補足的なペアに沿った電気的な抵抗を容易にしてよい。経路の補足的なペアにおけるかかる関係が発生してよく、一方で経路及びエネルギーは、外部的に取り付けられた遮蔽構造内での対する操作上の使用法を経験する。
【0076】
図5Cを参照するに、本発明の態様にしたがって、通過を有し、経路の群を含む、積層された複数で非共有の回路の相対的な平面図が示される。図5Cに描写される本発明の態様によるデバイスは、ホールスルーのエネルギーコンディショナー(a hole−through energy conditioner)を有する。ホールスルーのエネルギーコンディショナーは、エネルギー調節を所有するための遮蔽の複数のセットの使用を有し、ここに開示されたエネルギー伝播の原理の多くが保持されるように形成されてよい。さらに、図5Cは経路配置6969を伴う無効の経路セットを描写する。経路配置6969は、経路の拡張79“X”、811“x”及び812“X”がなく、主体80及び81に関する異なる方向から機能する8879“X”、8811“x”及び8812“X”、通過の代用を備えて、図5Bと同様である。
【0077】
さらに図5Cを参照するに、製造工程において、伝導性の孔912、通過又は伝導性のアパーチャは集積回路と相互接続8806するために使用されてよく、機械的なドリル、レーザードリル、エッチング、パンチング、若しくは別の孔形成技術を使用して一つ以上の経路の層により形成してよい。各特定の相互接続8806は、電気的に接続されるか又は絶縁される様々な経路を可能にしてよい。各特定の相互接続8806は経路配置6969のすべての層により延在してよく、又は一つ以上の層によって上若しくは下に接してよい。経路配置6969は、エポキシ物質又はパターン化された伝導性物質などの有機性の基板を有してよい。有機性の基板が使用される場合、例えば、FR−4エポキシガラス、ポリミドグラス(polymide−glass)、ベンゾシクロブテン、テフロン(登録商標)、他のエポキシ樹脂、又は同様のような標準印刷された回路ボード物質が様々な実施態様で使用されうる。代替となる実施態様において、経路配置は、例えばセラミックなどの無機基板を有しうる。様々な実施態様において、レベルの厚さはほぼ10乃至1000ミクロンであってよい。様々な伝導性の層の間の相互接続8806は、誘電体及び伝導性物質を選択的に除去することによって形成されてよく、それによって、例えば、伝導性のペースト799A又は電解めっき799Bで除去することによって形成されるように孔を満たすことによって、低い伝導性層904の伝導性物質を露出する。
【0078】
相互接続8806は、経路配置6969の相対的な側に露出された伝導性層を接続してよい。相互接続8806は、例えば、集積回路が取り付けられてよい、パッド又はランドの形態をとってよい。相互接続8806は、例えば、伝導性のペースト、電解めっき、フォトリソグラフィー、又はスクリーン印刷で誘電体の選択的に除去された部分を満たすことなどによる周知の技術を使用して形成されてよい。結果となる経路配置6969は、非伝導層によって分離され、相互接続8806によって相互接続された、パターン化された伝導性物質904の一つ以上の層を有する。異なる技術は、パターン化された伝導性物質799の様々な層を相互接続し分離するために使用されてよい。例えば、様々な伝導性799及び非伝導性層801の部分を形成し選択的に除去するよりも、様々な層間の開口部は、伝導性799及び非伝導性層801の所望の部分を選択的に追加することによって包含されてよい。化学的で機械的な平面化などの除去技術は、様々な相互接続の所望の開口部となる、伝導性及び非伝導性物質の異なるタイプの複数の層を物理的にすり減らすために使用されてよい。
【0079】
経路配置6969は、エネルギーを調節する状態に適合された基板のフォーマットを伴い、マルチアパーチャで多層のエネルギー調節経路のセットを使用して形態化されてよい。経路配置6969は、閉じ込められた伝播経路を伴い多層の共通の伝導性のファラデーケージ状の遮蔽技術と組み合わせて、通過8879“X”、8811“X”及び8812“X”として周知である、伝導的に満たされたアパーチャの向き合わされたエネルギー調節方法論を活用することによって伝播するエネルギーを調節してよい。経路配置とICを相互接続することは、ワイヤー結合の相互接続、フリップチップのボールグリッドアレイ(ball−grid array)の相互接続、マイクロボールグリッド(microBall−grid)の相互接続、前述に列記したそれらの組み合わせ、又は方法論で許容される任意の別の標準的な工業で達成されてよい。例えば、チップ上の任意の他の経路と同様に、入力/出力を停止することを意味する集積回路のフリップチップタイプは、チップ表面の任意のポイントで発生してよい。ICチップが経路配置6969に取り付けるために準備された後、チップは、経路配置6969の表面上のマッチングパッドにハンダこぶ又はハンダボールによってひっくり返されて取り付けられてよい。代替として、集積回路は、経路配置6969の表面のパッドに対するワイヤー結合を使用して、経路配置6969に入力/出力の停止を接続することによって、ワイヤー結合されてよい。
【0080】
経路配置6969内の回路は、静電容量、ノイズ抑制、及び/又は電圧ダンペニング(dampening)を必要とする経路配置をロードするために供給源として作用してよい。この静電容量は、経路配置6969内で展開し埋め込まれた静電容量の形成によって提供されてよい。かかる静電容量は、上述のように、ペアになった経路及び遮蔽を使用して集積回路のロードに結合されてよい。追加的な静電容量は、電圧ダンペニング及びノイズ抑制を提供するために集積回路に電気的に結合される回路に提供されてよい。チップ外のエネルギー源の近接は、ロードへの低いインダクタンスパスに各々沿った静電容量を提供してよい。共通の遮蔽経路は、チップ外のエネルギー源と共通の伝導性インターポーザーのエネルギー経路の形態の両者において“0”電圧の回路の参照ノードとして活用してよい。
【0081】
経路配置6969は、バンプレスビルドアップレイヤー(Bumpless Build−Up layer)(BBUL)包装を有する、共通に許容される工業的な接続方法並びに結合799A及び799Bによって集積回路に接続されてよい。この技術は、高性能で、薄く軽量な包装で、低出力消費を可能にする。BBUL包装において、シリコンダイ又はICは、第一レベルの相互接続として操作可能である経路配置を伴う包装に埋め込まれる。したがって、全体としてのBBUL包装は、ICの一つ表面に取り付けないだけである。例えば、ダイと一つ以上の様々な遮蔽及び包装との間の電気的な結合は、銅線で成されてよく、C4のハンダこぶを必ずしも必要としない。それら特徴は、他のIC包装よりも薄くて軽量な包装を成すために組み合わせ、一方で高性能を促し、出力消費を削減する。BBULは、複数のシリコンの構成部分が経路配置6969に結合する製造能力を増強してよい。遮蔽された経路8811、8812、及び8879は、共通の工業的な方法論によってICのそれぞれのエネルギー源とそれぞれのロードとの間に電気的に結合されてよく、それによって、伝播するエネルギーの調節を可能にする。遮蔽8879は、1055−2を有する遮蔽に伝導的に結合してよい。遮蔽並びに8811及び8812を有する遮蔽の他の伝導性部分は、ホックアップ以前に著しい極性電荷を有しないそれぞれの補足的な経路に電気的に結合されてよく、それによって、当業者によって理解されるように、それぞれ入力及び出力をするために層8811及び8812が入力と出力を変化することを防ぐように、各層8811及び8812がエネルギー伝播方向の機能を変化することを防ぐ。
【0082】
図5A、5B及び5Cに描写された積層された変形において、1100−IM−“C”として示される810−1と815−2との間の一つを有する、3つの経路1100−IM−“X“を追加することは、1100−IM−“C”の反対側の等しい数に位置された経路の総数の均衡が取れた調和を二分してよい。1100−IM−Cに電気的に結合された1100−IM−1及び1100−IM−2の追加は、共通又は遮蔽構造(すべて示されていない)を生成する。遮蔽構造の遮蔽は、実質的に同一のサイズであってもなくてもよい。遮蔽は、本発明の任意の一つ以上の実施態様における任意の別の遮蔽から物理的に分離されてもされなくてもよい。したがって、遮蔽は、本発明の任意の一つ以上の実施態様における任意の別の遮蔽から電気的又は伝導的に分離されてもされなくてもよい。
【0083】
奇数の遮蔽は共に結合されてよく、それによってすべての他の遮蔽を活用する共通の参照又はノードの形成を可能にする。遮蔽1100−IM−“X“の数は、ほとんどの方向における拡張の任意の数が結合を容易にするために使用されてよいように、遮蔽00GSなどの拡張1099NNE及び1099SSEの使用に制限されない。相対的に均衡が取れて補足的で対称的な配置は、均衡が取れた伝導性部分の配置の支点としての中心の遮蔽8“XX”又は遮蔽800/800−IMに関して形成されてよい。ペアになって電気的に相反する補足的な経路に沿うか、又はその間のエネルギー伝播の少なくとも部分的なフラックスフィールドの消去は、この均衡で発生するが、シフトされた実施態様では発生しない。さらに、同時にさまようエネルギーの寄生の補足的で電荷された抑制の物理的で電気的に遮蔽する封じ込め及びファラデー効果はまた、発生してよい。RFリターンパスが平行であり、対応する経路に隣接する、磁気フラックスエネルギーが遮蔽に沿って少なくとも部分的に移動するので、かかる結果は達成される。したがって、磁気フラックスエネルギーは、リターンに関して測定されるか又は観察される。
【0084】
シフトされた経路は、相対的に均衡であり、補足的で、遮蔽800/800−“X”−IMなど中心の遮蔽に関して対称的に位置づけされてよく、さらに、例えば、800/800−IMなどの中心に位置付けられた遮蔽の周りで補足的にサンドイッチ状になった所定の遮蔽及び経路の相対的にシフトされて、均衡が取れて、補足的で対称的な配置を有してよい。
【0085】
図1A、1B、1C乃至図4Iの典型的な実施態様は、例えば、それらの“シフトした”実施態様を有してよい。それらシフトした実施態様は、遮蔽、経路、遮蔽、経路及び遮蔽を有する層の多様性を有してよい。それら多様性な層の各々は、共同平面の変化などにおける中心の遮蔽800/800−“X”−IMに関して中心にされて補足的であってよく、層の全体の多様性は主要な中心の遮蔽に関して中心であってよい。例えば、個々の遮蔽は、与えられた一致した経路のペア間のように個別の不均衡を生成するようにシフトされてよいが、補足性と均衡は、中心の遮蔽及び主要な中心の遮蔽に関して維持されてよい。シフトすることは重ね合わせられた遮蔽の周辺の外側の少なくとも一つの経路の部分を露出してよく、それによって寄生を可能にし、それによって、例えば、インピーダンスの特質を変化する。
【0086】
例えば、与えられた経路は、左に5ポイントシフトしてよい。このシフトは、中心の遮蔽に関して一致したペアで考慮されてよく、結果として、相反する極性の隣接する一致したペアの経路は5ポイントシフトしてよいか、又は相反する極性の5つ隣接する経路は各々1ポイントシフトしてよく、それによって、補足性及び均衡を維持する。さらに、経路は重ね合わせられた遮蔽の周辺内で保持されてよく、それにもかかわらず、その下でシフトされてよい。そのような遮蔽下でのシフトは、それにもかかわらず、望ましい均衡を成す。しかしながら、示されていない、ある典型的な実施態様は、経路が中心に向かって引かれ、均衡性に関わらない状態における誘導性の挙動などの異なる電気的な特性を証拠づける遮蔽下で保持する状況を有する。
【0087】
図6を参照するに、実施態様6900、伝導性のエネルギー経路、分離されたエネルギー源、分離されたエネルギーを利用するロード、分離された共通の伝導性経路を有する積層された複数の回路が示される。伝導性のエネルギー経路は、例えば、ハンダ又は工業的に等価な手法などによって、伝導性の結合物質により実施態様6900に伝導的に結合してよい。基板表面の下で連続する伝導性の経路である通過315は伝導性の経路に結合してよく、エネルギーを伝播するための連続的な伝導性の経路として役立つ伝導性物質を有してよい。分離された共通の伝導性経路は、分離されたエネルギー源又は分離されたエネルギー活用ロードに対して直接的に結合されなくてよい。上述したように、実施態様6900は、複数の電気的に分離された各々を伴う、電極及び遮蔽を有する4つの経路を有してよい。遮蔽は伝導的に結合されてよい。伝導的に結合された遮蔽は、伝導的な結合物質を使用して電極に対して直接的で伝導的に結合されない、分離された共通の伝導性の経路に外部的に結合されてよい。図6に示されるように、電極815−1、800−1−IM及び810−1は、802GA、802GBに伝導的に結合してよい。遮蔽815−2、800−2−IM及び810−2は、902GA、902GBに伝導的に結合してよい。それらの結合は、第一の複数の電極又は第二の複数の電極に対して伝導的に結合されなくてよい。この形態において、分離された回路の両者は、分離されて個別の電圧の参照及び図6のREF1及びREF2などの分離された共通のインピーダンスパスを活用してよい。
【0088】
ここで図7を参照するに、実施態様3210、伝導性のエネルギー経路、分離されたエネルギー源、分離されたエネルギーを利用するロード、分離された共通の伝導性経路を有する積層された共同平面の複数の回路が示される。伝導的なエネルギー経路は、伝導性の結合物質によって実施態様3210に対して伝導的に結合されてよい。基板表面の下で連続する伝導性の経路である通過315は伝導性の経路に結合してよく、エネルギーを伝播するための連続的な伝導性の経路として役立つ伝導性物質を有してよい。分離された共通の伝導性経路は、分離されたエネルギー源又は分離されたエネルギー活用ロードに対して直接的に結合されなくてよい。上述したように、実施態様3210は、複数の電気的に分離された各々を伴う、電極及び遮蔽を有する4つの経路を有してよい。伝導的に結合された遮蔽は、この共同平面の配置で第一又は第二の複数の電極に対して直接的で伝導的に結合されない、分離された共通のエネルギー経路に対して外部で電気的に結合されてよい。第三の複数の電極、815−1、800−1−IM及び810−1は、802GA、802GB、815−2及び800−2−IMに対して伝導的に結合されてよく、さらに、902GA、902GBに対して伝導的に結合してよく、第一の複数又は第二の複数に対して伝導的に結合されなくてよい。この形態において、分離された回路の両者は、個別でそれぞれ分離されて個別の電圧の参照及び個別でそれぞれ分離されたインピーダンスパス及び図7のREF1及びREF2などの少なくとも一つの個別でそれぞれ低いインピーダンスパスを活用してよい。
【0089】
ここで図4A乃至図7を参照するに、停止電極890A、890B及び891A、891B、802GA、802GB及び902GA、902GBは、単一体であるか又は多層であってよい。停止電極802GA、802GB、902GA、902GBは、焼結させられた本体の他のそれぞれの部分で位置してよい。各主体の電極層81又は80及び関連する電極の拡張99/79G“X”又は812“X”は、関連する停止電極802GA、802GB、902GA、902GB及び890A、890B及び891A、891Bに延在し、かつ伝導的に結合する電極を確定してよい。
【0090】
本発明は、抵抗器/分圧器ネットワークの中心タップをエミュレートするための共通に結合した遮蔽構造の要素を利用する、多数のエネルギー調節機能を活用してよい。抵抗器/分圧器ネットワークは、様々な集積回路の抵抗器の比率を使用して一般的に構成されてよい。しかしながら、様々な集積回路の抵抗器は、例えば、特定の伝導性/抵抗性物質799Aを活用するか、又は経路物質799の抵抗性の特質を自然発生するか、又は変化した物理的なレイアウトを活用するデバイスである、本発明の態様によるデバイスによって置換されてよい。電圧を分割する機能は、共通経路の遮蔽構造のそれぞれの側の両側で位置する共通の電圧の参照を確定するために活用される、共通で共有された経路の遮蔽構造の部分として表されてよい。
【0091】
実施態様において、製造工程において初期に垂直で積層されたか、又は上述のように共同平面のペアと組み合わされた、多数の補足的な経路のペアは、一般的に物理的又は電気的に平行な特質の多数の経路の要素の組み合わせを生成するように所定の手法で多様化されてよい。
【0092】
さらに、示されてはいないが、本発明のデバイスはシリコンで組立て、集積回路のマイクロプロセッサの回路類又はマイクロプロセッサチップのパッケージングに直接的に組み込まれてよい。電気的に伝導性物質を沈着するための適切な方法は、プレーティング、スパッタリング、蒸気、電気的、スクリーニング、ステンシル、真空、及び化学蒸着(CVD)を含む化学的で使用してよい。
【0093】
ある実施態様が“上の”又は“上”又は“下の”又は“下”あるいは任意の他の位置的若しくは方向的記載として位置しここに記述されるが、これらの記述が単に関連し、制限するように意図されないことが理解される。
【0094】
本発明は、電子アセンブリのためのエネルギーコンディショナーとしてのエネルギー調節の実施態様、エネルギー調節の基板、集積回路の包装、エネルギー調節システムの形態の電子アセンブリ又は電子システムを有する多数の異なる実施態様で実行してよく、様々な手法を利用して組み立ててよい。他の実施態様は、当業者にとって容易に明白となるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0095】
【図1】開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を決定するための操作可能な相対的な位置コンパスの図である。
【図1A】本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図1B】本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図1C】本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図2A】本発明の態様による2Bの実施態様の回路を概略した平面図である。
【図2B】本発明の態様による実施態様の平面図である。
【図3A】本発明の態様による3Bの実施態様の回路を概略した平面図である。
【図3B】本発明の態様による実施態様の平面図である。
【図3C】本発明の態様による遮蔽の平面図である。
【図4A】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4B】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4C】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4D】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4E】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4F】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4G】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4H】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図4I】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図5A】本発明の態様による経路のグループを有する積層された複数の回路ネットワークを示す図である。
【図5B】本発明の態様による積層された遮蔽を示す図である。
【図5C】本発明の態様による経路のグループを含む通過を有する積層された複数の非共有の回路ネットワークの相対的な平面図である。
【図6】本発明の態様による回路配置の変形の相対的な平面図を示す。
【図7】本発明の態様による回路配置の変形の相対的な平面図を示す。
[0001]
Technical field
This application is a continuation-in-part of co-pending application Ser. No. 10 / 023,467, filed Nov. 17, 2001, and is a co-pending application of co-pending application Ser. No. 09 / 996,355, filed Nov. 29, 2001. No. 09 / 982,553 filed Oct. 17, 2001, which is a continuation-in-part application of co-pending application No. 10 / 003,711 filed on Nov. 17, 2001. Is a continuation-in-part application.
[0002]
In addition, this application is filed in US Provisional Application No. 60 / 302,429, filed July 2, 2001, and US Provisional Application No. 60 / 310,962, filed August 8, 2001, January 8, 2002. Claims the advantages of US Provisional Application No. 60 / 349,954, filed on Jan. 12, and US Provisional Application No. (not yet selected), filed June 12, 2002.
[0003]
This application relates to a balanced shielding arrangement that uses supplemental and relative groupings of energy paths, such as paths for various energy transmissions for multiple energy regulation functions. Such a shielding arrangement may be operable as an individual or non-individual embodiment capable of maintaining and adjusting the electrical supplemental energy merging.
[0004]
Background art
Today, as the density of electrons in applications increases, unwanted noise as a by-product of the increased density limits the performance of electronic circuits. As a result, avoiding the effects of unwanted noise by-products, such as circuit isolation or immunization, on the effects of unwanted noise is important in circuit layout and circuit design considerations.
[0005]
Differential and common mode noise energy may be caused by energy paths, cables, circuit board tracks or traces, high speed transmission lines, and / or bus line paths, and energy paths, cables, circuit board tracks or traces, high speed transmission lines, And / or along or around the bus line path. The energy conductors may, for example, act as antennas emitting an energy field. The performance of such antennas and analogs is such that energy propagation utilizing conventional passive devices at high frequencies will experience increased levels of energy parasitic interference, such as various capacitive and / or inductive parasitics. May exacerbate the noise problem.
[0006]
These increases may be due to a combination of inherent design or design imbalances and the limitations of prior art solutions from the functional or structural limitations associated with the lack of performance of the prior art. These deficiencies inherently create or cause unwanted and unbalanced interference energy for the associated electronics, thereby providing at least partial shielding from parasitic and desirable electromagnetic interference. As a result, in a wide frequency operating environment, solving those problems requires careful systems with various grounding or noise immunity arrangements, as well as extensive isolation in combination with at least partial electrostatic and electromagnetic shielding. Requires at least a combination of simultaneous filters.
Therefore, it additionally has other elements combined in a discrete or non-discrete configuration and is at least selected from a decoupling function, a primary suppression function, a noise suppression function, an energy blocking function, and an energy suppression function. A stand-alone energy conditioning arrangement that utilizes a simple energy path arrangement that may be used in most circuit applications in providing an effective, contrasting and sustainable, simultaneous energy state function There is a need for
[0007]
An understanding of the present invention will be facilitated by considering the following detailed description of a preferred embodiment of the invention in connection with the accompanying drawings.
[0008]
Detailed description of the invention
This application is a continuation-in-part of co-pending application Ser. No. 10 / 023,467, filed Nov. 17, 2001, and is a co-pending application of co-pending application Ser. No. 09 / 996,355, filed Nov. 29, 2001. No. 09 / 982,553 filed Oct. 17, 2001, which is a continuation-in-part application of co-pending application No. 10 / 003,711 filed on Nov. 17, 2001. Which are incorporated herein by reference.
[0009]
In addition, this application is filed in US Provisional Application No. 60 / 302,429, filed July 2, 2001, and US Provisional Application No. 60 / 310,962, filed August 8, 2001, January 8, 2002. Claims the advantages of US Provisional Application No. 60 / 349,954, filed on Jan. 12, and US Provisional Application No. (not yet selected), filed June 12, 2002. These are incorporated herein by reference.
[0010]
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings and description of the invention have been simplified to illustrate elements that will clarify an obvious understanding of the invention, while for clarity purposes it will be viewed with typical energy conditioning systems and methods. It should be understood that many other elements are excluded. Those skilled in the art will recognize that other elements and / or steps are desirable and / or required for practice with the present invention. However, a discussion of such elements and steps is not required here, as such elements and steps are well known in the art and are not easily understood by the present invention. The disclosure herein leads to all changes and modifications to such elements and methods that are well known to those skilled in the art. Unless otherwise noted, in addition to including "energy", "systems", circuits, etc., in whole or in part, which are considered to be used and included, partially and throughout The terms used in will be apparent to those skilled in the art.
[0011]
As used herein, an "energy path" or "path" has at least one or multiple conductive materials, each operable in sustained propagation of energy. The pathway is conductive, thereby connecting directly or indirectly to the pathway, or better propagating various electrical energies compared to adjacent, non-conductive or semiconductor materials. . The energy paths are not limited to shielding, orientation, and / or positioning of energy paths in various arrangements of energy paths having orientation and / or positioning. Allowance may facilitate propagation of the first energy, thereby allowing interaction of the first energy to propagate energy that is at least complementary to the first energy. The energy path has an energy path portion, an overall energy path, a conductor, an energy conductor, an electrode, at least one process-generating conductor, and / or a shield. The plurality of energy paths may include a plurality of each device or element described above with respect to the energy paths. Further, as generally used herein, a conductor may be, for example, an individual conductive material portion, a conductive plane, a conductive path, a path, an electrical wire, a via, an aperture, a resistive lead, etc. May include an electrical plate, such as a conductive portion, a portion of conductive material, or a plane separated by at least one medium 801.
[0012]
The shield includes a shield electrode, a portion of a shield path, a shield path, a shield conductor, a shield energy conductor, a shield electrode, and / or at least one process-generated shield path section. The plurality of shields may include the plurality of devices discussed above for shielding.
[0013]
As generally used herein, a path is defined with respect to entities 80, 81 having various path extensions denoted by 79 "X", 812 "X", 811 "X", and 99 "X". , Supplementarily positioned or supplementally oriented. The subjects 80, 81 may be individually, in pairs, in groups, and / or in multiples, such as distance, orientation, position, superimposition, non-overlap, alignment, partial alignment, wrapping, non-wrapping, and partial wrapping. It is a three-dimensional physical relationship. The superimposed main paths 80 may be physically opposite and oppositely oriented, for example, one or any combination of electrical zero, electrical complement, electrical difference, or electrical reciprocity. It has a pair of main routes 80.
[0014]
The path arrangement conducts at least one shield that at least partially shields the at least one energy path, or conducts at least a conductively separated pair of at least two energy paths, such as a passage, an aperture, or a complementary pair of paths. May include a group of shields forming a shielding structure that at least partially shields through a gender shield.
[0015]
An exemplary embodiment is an energy transfer to a conductively separated pair, such as a complementary pair of paths, which causes the transmission of energy to at least one group of shields acting as a common shield or a separate circuit. Enable. Such an embodiment may allow for the formation of a low inductance path with a single at least one pair of separate discrete parallel paths, serving at least one discrete and separate discrete circuit system. An exemplary embodiment is the development of at least a low inductance path and at least one other isolation for utilization of energy propagating in at least one parallel path of at least two sets of separated individual parallel paths. May allow development along at least one parallel path of at least one other low inductance path for utilization of energy propagating along the individual circuit system.
[0016]
A typical embodiment utilized as part of a circuit assembly may have at least one path of relatively low inductance, while the other path is electrically connected to an energy source or energy load. Good. The path of the second plurality of paths may have a low impedance operable at an energy portion derived from either the same at least one energy source or at least one energy load of the circuit assembly. Such identical paths of low impedance may not be electrically connected directly to either the same at least one energy source or at least one energy load of the circuit assembly as one path of low inductance. The system may have both a low inductance path and a low impedance path that are not the same path.
[0017]
In contrast to capacitors used in the industry, where the equivalent continuous inductance (ESL) of a capacitor device is generally size dependent, the present invention provides a low impedance path and low inductance in a circuit for energy conditioning. May be achieved independent of the physical size of the device. Those aspects depend on the given capacity developed by the given layers in the present invention.
[0018]
Adjusting the path may be, for example, the transfer of energy, or the path of the path to primarily determine the relative efficiency or effect between at least one source of energy and one energy utilizing the load of the integrated circuit. Enables resistance of conductive materials. ESL is a more negligible factor than the primary factor for the decoupling of transmitted power or weakening inductance.
[0019]
In the exemplary path configurations illustrated in FIGS. 1A, 1B, 1C, 5A, and 5B, various propagating energies may be complementary, and the path configurations located in the circuit configuration may be within or within an energy path with the path configuration. May allow for the propagation of energy along, thereby causing the interaction of opposing portions of the path-providing electromagnetic field created by the propagation of energy field currents radiating outward from each set of supplementary conductors Enable. Such interaction may result in mutual cancellation in embodiments, where some paths may be partially or wholly physically shielded from other supplementary paths, and the distance affected by other supplementary paths. May be located within. In addition, the substantial similarity in the size and shape of each supplementary path, including the spaced-apart relationships and inter-positioning of the shielding between the paths and the path-separated relations of the paths, is such a mutual cancellation effect. May contribute. In addition, the shielding operation may be based on the relative positioning of the paired path matches with respect to the conductive electrostatic shielding. At least the supplemental energy regulation features and electrostatic shielding dynamics described herein may affect various energy propagations in various directions along various predetermined paths, and may provide mechanical manipulation that exploits the placement of the paths. It may be operated with a circuit having.
[0020]
The sub-combinations of electromagnetically / electrostatically actuated impedance states may be deployed along or within the path arrangement to form an energy conditioning circuit, or individual or multiple shields. It may be deployed along or within an outer conductive portion that is conductively coupled to and closed to the group. For example, they operate electromagnetically / electrostatically, not for one set of pairs of paths in one circuit part, but because they do not require deployment on another set of pairs of paths from another circuit part. The set impedance state may be developed.
[0021]
According to aspects of the invention, each shield may have a subject 81. The subjects 81 may be collectively and conductively coupled to each other, while at the same time substantially excluding and shielding the subject 81 of the energy path. In another embodiment of the invention, the collectively shielding subject 81 may be only partially confined, or may shield the path subject 80s in at least one portion of the shielding.
[0022]
In accordance with another aspect of the invention, a balanced and symmetrical path arrangement may be provided by contrasting certain layered shields, by sizing and shaping supplementary paths, and / or by co-locating the supplementary paths. And may result from pairing. The manufacturable, balanced, or contrasting physical arrangement of the pathways, where dynamic energy propagation, interaction, pairing, or matching of various mechanical quantities occurs, is the exact basis of the test facility. It may be operated slightly less than the limit. Thus, if those supplemental energy content portions interact simultaneously, the energy may exceed the measurable range of a typical test facility. Thus, the range over which the measurements may be obtained may use the increased controllability, so that the effect on the electrical properties and features is the desired measurability, behavior, or enhancement provided. And may be controlled by a corresponding arrangement of the elements, such as by a specific arrangement of the elements to provide the desired measurability or effect. For example, the desired electrical characteristics may be supplemental balances, sizes, types, and contrasts of at least one pathway pairing, eg, as described below and in FIGS. 1A, 1B, 1C, 5A, and 5B. May be predetermined in the desired enhancement by changing at least one portion of
[0023]
Thus, for example, the extent of the energy interaction, the timing of the mutual energy propagation and the interference may be controlled by the durability in the path arrangement. For example, manufacturing processes such as semiconductor process control or computer durability control may control their durability. Thus, the paths of the embodiments may be formed using manufacturing processes, such as passive device processing, that will be apparent to those skilled in the art. Thereby, the measurement of mutual energy propagation may be eliminated or suppressed by the formation of the path arrangement and the forming process.
[0024]
A path arrangement as described above has successively located groups of paths in a congruent electronic structure with a balanced group of paths. The balanced group may comprise a predetermined path structure having a stacked class of paths that are symmetrically and complementary in number and complementary to each other, thereby forming a pair, Each of the pairs is substantially equidistant from each side of the centrally located shield, and as depicted in FIGS. 1A-4I, each shield is in both the path of each pair and the rank of the entire path. In contrast, balanced points may be provided. Thus, a supplementary positioned path of a given identical size may be present on each side of the centrally located shield in each individual circuit part. The entire circuit is split in contrast to a complementary physical format with opposite mirror image positioning of the path shielded in pairs and shaped in complementary size, sandwiching at least one stack of shielding. Have a complementary part of the whole circuit.
[0025]
According to aspects of the present invention, for example, each path may be the result of a surrounding interconnecting or holding substrate, an integrated circuit wafer, deposition, etching or doping, for example, the shielding The substrate, the energy modulating embodiment or the energy modulating substrate, may be the result of deposition, etching, doping, and may be, for example, a resistive property. Additional elements may be utilized having conductive and non-conductive elements between the various paths. These additional elements may be in the form of a ferromagnetic material or a ferromagnetic dielectric layer and / or a dielectric derivative of inductive ferrite. Structural elements of the additional pathways can be, for example, conductive and non-conductive of different conductive material configurations to provide an optional host to regulate energy, in addition to various combinations of materials and structural elements. Multiple paths to conductivity, hybrid and conductive polymer sheets of materials affecting conductive magnetic fields, various treated conductive and non-conductive laminates, straight conductive deposition, multiple shielding paths, various Routes utilizing various types of magnetic material shielding and selective shielding, conductively doped and conductively deposited materials, and stop solders may be utilized.
[0026]
Non-conductive materials may also provide structural support for various pathways, which are fully activated to maintain simultaneous, constant and unhindered energy transfer as they move along the pathway. May support the circuit. For example, the dielectric material may have one or more layers of material elements that are compatible with processing technology. The dielectric material may be a semiconductor material such as silicon, germanium, gallium arsenide, or any other potassium and non-potassium semiconductor and insulating material that is a high and low potassium dielectric.
[0027]
The pathway and conductor material may be selected from the group consisting of Ag, Ag / Pd, Cu, Ni, Pt, Au, Pd, and may be another such conductive material and metal. Combinations of such metal materials may be suitable for the purposes described herein, and may include suitable metal oxides, such as ruthenium oxide, depending on the essentials of the particular application, May be diluted with metal. Other paths may be formed of a substantially non-resistive conductive material. Conductive, non-conductive, semiconductor materials and / or circuits that create conductive areas such as doped polysilicon, sintered polycrystals, metals, polysilicon silicates, or polysilicon silicides. Any substrate and process that may generate a path from the board material or any substrate or process may be used in or in the path configuration.
[0028]
Exemplary embodiments of the present invention may utilize the structural configuration of the inner shield to ensure a form of energy balancing in various arrangements rather than a specific external circuit balance. This form of equilibrium is a shared, centrally located shield and a specific amount positioned to provide simultaneous shielding in the path of electrically opposing shields utilized by propagating energy It depends on the relative positioning of all the screens with respect to the actually screened screens that are paired. This allows them to be electrically and physically located on opposite sides of a shared common conductive shield centered on their electrically opposing complementary paths. Such insertion of a centrally shared shield creates a voltage divider that divides in half the various circuit voltages and provides each of the shielded conductors in pairs that opposes half of the expected voltage energy. Good. Activated circuits with shielded conductors can be balanced in an electrically or anti-charge manner with respect to centrally located shields, common and shared paths, or each respective isolated circuit system part May be. Each common circuit element of the isolated circuit system may be added or coupled to a common area or common path, thereby providing an external common zero voltage. Thus, the embodiments are supported by an additional external sandwich-like shield, additionally coupled and shown in the figure as -IM, and at least one of the inserted shielding relations is variously electrical. It may have multiple sets of shields that are electrically or physically located between shielded pairs or grouped supplemental pairs that are of opposite or opposite charge.
[0029]
Exemplary embodiments may also be located in one or more energy circuits that may utilize different energy sources and provide one or more separate individual energy utilization loads. When activated for multiple energy conditioning operations and activated to provide simultaneous and effective energy conditioning functions such as interference filters, suppression, energy decoupling and energy surge protection, each separate individual The circuit utilizes a plurality of commonly shared universal shielding structures and circuit reference images or nodes.
[0030]
In accordance with aspects of the present invention, the energy regulation function may maintain a well-balanced energy voltage reference and energy supply at each respective energy utilization load in the circuit. This activated arrangement may allow for specific energy propagation utilizing one or more separate circuit arrangements and may not require balancing with a single, centralized shield. The shield may be physically and electrically located between one or more energy sources and one or more energy utilization loads, depending on a number of discrete paths. Thus, the shielding for the centralized path may be co-planar and may stack variations of typical embodiments.
[0031]
When the internally located pair of shielded paths is substantially added to, or conductively coupled to, an externally manufactured path, the internally located pair of shields is a gauge-like shielding structure. May be substantially encased within, thereby minimizing the wandering and parasitics of internally generated energy that would normally escape or couple to adjacent shielding paths. These shielding modes exploit the propagation of energy for the various paths and may be a separation of the electrostatic shielding effect created by the activation of the shielding structure. The propagation of energy propagating in a complementary manner is mutually contradictory as a result of the adjacent propagation of the opposite propagation and provides an energy field of mutually canceled fields. The complementary paired path provides an internally balanced resistive loading function.
[0032]
A device according to aspects of the present invention may mimic the functionality of at least one electrostatically shielded transformer. Transformers are widely used to magnetically link primary windings to secondary windings that convert energy, and to provide common mode separation that relies on mode conversion of differences at the input. Good. As a result, common mode voltages in the main winding are rejected. One problem inherent in the manufacture of transformers is the spread of the energy source capacitance between the primary and secondary windings. As the frequency of the circuit increases, capacitive coupling increases until circuit isolation is compromised. If there is sufficient parasitic capacitance, the high frequency RF energy may pass through the transformer and cause confusion in the circuit opposite the isolation gap that experiences the temporary event. Shielding may be provided between the primary and secondary windings by coupling to a common path reference designed to prevent capacitive coupling between multiple sets of windings. Devices in accordance with aspects of the present invention improve upon and reduce the need for circuit transformers. The device may use physical and correlated common path shielding to suppress parasitics, and furthermore, in order to function effectively as a transformer, in combination with various external circuitry, Correlated positioning of the shields, complementary paired path stratification, various combinations of path stratification, and external conductive couplings to conductive areas per isolated circuit system may be used. If the isolated circuit system temporarily reverses, the function of the electrostatically shielded transformer of the device described herein may be effective in temporary suppression and protection, and the combined difference And the common mode filter may function simultaneously. Each set of correlated shields and correlated conductors may be conductively coupled to at least the same external path, for example, to provide transformer functionality.
[0033]
The propagated electromagnetic interference may be the creation of both electric and magnetic fields. Devices according to aspects of the invention include DC, AC, and AC / DC, including energy conditioning in systems that may have different types of energy propagation formats and systems that may have one or more circuit propagation characteristics. Energy adjustment using a hybrid type of propagation.
[0034]
In an exemplary embodiment, the surrounding conductive binding material for coupling or connecting the external components of the exemplary embodiment into the assembly by conductive coupling is based on the respective portions of the exemplary embodiment. Or by most, by the addition of conductive or non-conductive to various types of inclined, parallel or vertical, applying for conductors known as at least another path, aperture or blind or non-blind passage. May be. Connecting to at least one or more loads, such as a portion of an integrated circuit, in one aspect of the invention may or may not include selective coupling to various types of conductors, such as apertures and passes. Is also good.
[0035]
Assembling the path may include forming one or more plate through holes (PTH) through one or more levels of the path. Electronic packages commonly include a plurality of interconnect levels. In such a package, the invention is directed to a method of forming a conductive material of one interconnect level, which may be electrically insulated from another conductive material of another interconnect level, such as by a layer of dielectric material. May be included.
[0036]
Connections or couplings between conductive materials at various interconnect levels may be made by passing through insulating portions or layers or forming openings referred to herein as apertures, and instead, patterned or shared conductive layers. A biographical conductive structure can be provided such that the paths from the active material portions or different levels are brought into electrical contact with each other. The structures can be extended by one or more interconnect levels. The use of conductive, non-conductive or conductively filled apertures and passages allows the propagation of energy to intersect with a typical embodiment, as if utilizing the bypass or supply path configuration of the embodiment. I do. Embodiments may include supports, systems, or both layered active and passive components or the layered active and passive components that provide the described benefits for modulating energy transmitted between at least one source and at least one load. It may serve as a subsystem platform, which may have either.
[0037]
Aspects of the invention may provide an integrated circuit package having a structure or other element suitable for inclusion in a conductive configuration or package. Another factor is simultaneous physical and electrical shielding by allowing simultaneous energy interaction to occur between grouped and activated supplementary conductors supplied by other pathways May be coupled directly to the The typical capacitive balance seen between at least one shielding path may be seen when measuring the opposite side of a shared shielding structure for each isolated circuit, and furthermore, a common non-specific Even the use of dielectric or via dielectric material may be maintained at measured capacitive levels within such isolated circuit portions. Thus, the durability of balancing such type of supplemental capacitive balancing or characteristics of electrical circuits by positioning, size, separation and additional positioning of elements is conductively coupled and activated and separated With respect to the division of the shielding structure located in the separated circuit system for passing through the circuit system, it is maintained between the electrically opposing pairs of complementary paths of each respective separated circuit system. To allow for the associated 3% capacitive endurance, an exemplary embodiment having a separate circuit system manufactured internally with 3% capacitive endurance is enabled.
[0038]
Typical embodiments may be able to utilize relatively inexpensive dielectrics, conductive materials and a variety of other material components in a wide variety of approaches. Due to the nature of the configuration, the resulting structure, which physically and electrically divides, allows voltage to be divided and balanced in grouping and adjacent elements, coupling or connection from the energy source to the respective load and back from the load to the source. Are usually split or lost to the following effects, as well as the instantaneous ability to appear on a load that harnesses various energies as a simultaneous, explicitly open energy flow on the electrical side on both sides of the path Hysteresis of the material and the effects of piezoelectric phenomena may be minimized to the extent that the energy transfer may be maintained in the form of essentially effective component switching reaction times.
[0039]
Structural layers may be used to perform various adjustments or decoupling of the lines, for example, to support or enable modification of the electrical transmission of energy to desirable or predetermined electrical properties. May be shaped, embedded, included, or inserted into a generic system and subsystem. Dielectric materials that are specific or specific to the effect of regulating energy or maintaining voltage balance may no longer require bypassing, supplying, or decoupling energy for the circuit.
[0040]
A device according to an aspect of the invention as described above is located between each isolated circuit and a plurality of paths or differential paths. This exemplary device may operate effectively over a broad frequency range, as compared to a single discrete capacitor or inductor component, and may also operate in isolated circuit systems operating above GHz. May be executed continuously and effectively.
[0041]
As mentioned above, typical devices may perform shielding functions in such broad frequency ranges. Physically shielding the paired electrically opposing adjacent complementary paths may be a result of the size of the common path with respect to the size of the complementary path, and may further comprise a sandwich-like complementary conductor. And may be the result of activated and electrostatic suppression or minimization of parasitics, preventing external parasitics. In addition, shielding positioning relative to more conductive shielding may be used to protect against induced energy and "H-field" coupling. Such a technique is known as mutual inductive erasure.
[0042]
Parasitic coupling is known as electric field coupling. The shielding function described above provides the primary shielding of the electrostatic and variously shielded paths against electric field parasitics. Parasitic coupling, including the passage of energy that disturbs and propagates through mutual or wandering parasitic energy derived from supplementary conductor paths, may be suppressed thereby. For example, a device according to aspects of the present invention may block capacitive coupling by including oppositely phased conductors in a universal shielding configuration with stacked conductive hierarchical evolution, thereby Providing an electrostatic or Faraday shielding effect with respect to the positioning of the path, such as the respective layering and positioning of the path both vertically and horizontally. The configuration of the shielding path is the internal and external potential between the noisy and sacrificial conductors, such as due to the loading of multiple common path layers that are larger than the small paired complementary paths. It may be used to suppress and prevent parasitic back coupling, but is located between each of the pair of complementary path conductors that suppresses and each of the pair of complementary path conductors that have the wandering parasite.
[0043]
As discussed above, the more conductive, shielding-correlated positioning of the shield may also be used for induced energy and "H-Field" coupling. Such erasure is achieved with physical shielding energy, while positioned and supplemented to enable insertion of paired complementary paths contained within the area size corresponding to the shielding size. Use the paired routes at the same time. Devices according to aspects of the present invention are adapted to use discrete shielding as internal shielding or grouping, thereby substantially isolating and sandwiching pairs of electrically opposing complementary pathways. , Thereby providing physically robust or minimal energy and circuit loop propagation between each shield and the active load. Shielded and unshielded neighbors may allow energy along the shield, even if there is direct electrical separation by 801 material type or spacing.
[0044]
Flux elimination, in pairs, where energy propagates along electrically opposing or disparate paths, is separated by very small distances in opposing and phasewise biographically complementary operations. , Thereby simultaneously suppressing wandering parasites and resulting in a containment function due to tandem shielding, thereby enhancing energy regulation.
[0045]
Upon reaching the minimum area in the various circuit loops of the isolated circuit system, additional shielding energy currents may be distributed around the structure shielding the component. The multiple screens as described above may be electrically coupled either as a separate circuit reference node or chassis ground, and may also rely on a commonly used reference path in the circuit. Thus, the various groups of complementary paths that are internally paired may include the propagation of energy derived from one or more energy sources that propagate along an external path coupled to the circuit by a conductive material. Thus, energy may enter the device, be regulated, and be continuous with each individual load.
[0046]
The shielding structure is a portion of the shielding that acts as a low impedance path for damping and suppression, as well as at least partially blocking unwanted electromagnetic interference noise and energy returns entering each of the activated circuits. May be enabled. In embodiments, the internally located shield may be conductively coupled to the conductive area, thereby adaptively utilizing the shielding structure to dampen and suppress low impedance, as well as undesirable electromagnetic interference noise and noise. At least partially block the return block of energy. In addition, another set of internally located shields may be conductively coupled to the second conductive area, thereby utilizing the shields to dampen and suppress low impedance, as well as unwanted electromagnetic fields. At least partially blocking interference noise and energy returns. The conductive areas may be electrically or conductively separated from one another.
[0047]
Simultaneous suppression of energy parasitics may contribute to the inclusion and shielding path structures in combination with the elimination of mutually contradictory energy fields, and in circuits that are isolated in various ways to receive regulatory effects generated by the propagating energy. Electrically opposing shielded paths along the paths of the various interacting circuits further contribute to the transmitted energy. This adjustment is used instantaneously and contradictoryly by pairing with respect to the energy utilization seen along the low and high impedance shielding paired procedure given the potential of the shielding. By means of separate circuits that maintain a defined electrical area adjacent to the dynamic, simultaneously low and high impedance paths of the various paired paths, each potentially switching to each other, etc. , Minimizing the effect of the H-field and E-field energies due to simultaneous functions.
[0048]
The various distance relationships created by the positional superposition of energy routing in isolated circuits enhances and eliminates the varying degrees of adverse energy disruption that typically occurs in active components or loads. Combine with a variety of dynamic energy transfers. Efficient energy conditioning functions that occur within the passive layered structure are coupled in common to both complementary paths, and are added or conductively coupled in various circuits and circuits Depending on the dynamics, allowing the development of a dynamic "zero" impedance energy "black hole" or energy drain along a third path that allows the energy to be included and erased. Thus, electrically opposing energies may be separated by dielectric materials and / or intervening shielding structures, thereby allowing a dynamic and closed distance relationship within the specific circuit structure, thereby reducing the energy Propagation energies and relative distances that enable the use of mutually enhancing erasing and electrostatic suppression phenomena that enable dielectric elements to be exponential with layered conductivity that is more efficient in throughput. Use
[0049]
According to aspects of the present invention, the device may utilize a single low impedance path or a common low impedance path as a voltage reference, while being maintained and balanced within correlated electrical reference points. Circuits are utilized, thereby maintaining minimal parasitic contributions and destructive energy parasitics in isolated circuit systems. The various mounting schemes described herein develop a “0” voltage as described above for each pair or plurality of paired complementary conductors located opposite the shared central shield. References may be made possible, thereby maintaining and balancing even multiple simultaneous switching operations on transistor gates located in active integrated circuits with minimal destructive energy in isolated circuits. Enable the voltage taken.
[0050]
The shields may be coupled using the principle of a cage-like conductive shield structure that creates one or more shields. The conductive coupling of the shield with a large external conductive area may suppress the emitted electromagnetic radiation and, as a large area, provide a large conductive area where voltage and vibration burnout may occur. One or more of the plurality of conductive or dielectric materials having different electrical properties may be maintained between the shields. Certain supplemental pathways provide differently phased adjustments to the "balanced" or paired reciprocally phased or charged structures that form half of the sum of the fabricated supplementary pathways. There may be a plurality of common conductive structures that perform, with half of such supplemental paths forming a first plurality of paths and a second half forming a second plurality of paths. The sum of the supplementary paths of the first and second plurality of paths may be electrically evenly separated by an equal number of simultaneously used paths, but is half of the sum of the individual supplementary circuits, e.g., The operation is performed within a range of 1 degree or approximately 180 degrees electrically from the contradictory grouping process. In addition to inserting shielding that is not physically or conductively coupled directly to any shielded path that the dielectric supplementally manipulates, small amounts of dielectric material, such as microns or less, may reduce the conductivity between the paths. It may be used as a material separator.
[0051]
The external ground area is combined or conductively connected as an alternative common path. An additional number of paired external paths may be attached to low circuit impedance. Such low impedance phenomena may occur using alternative or auxiliary circuit return paths.
[0052]
The shielding structure may couple the shielding together, thereby facilitating energy propagation along the newly developed low impedance path, thereby causing unwanted electromagnetic interference or noise to occur at the low impedance generated here. Move to the route.
[0053]
Referring to FIGS. 1A-5B, both common and individual variations of the exemplary embodiment embodied in coplanar variations (FIGS. 1A-4I) and stacked variations (FIGS. 5A and 5B). Various common principles are generally illustrated.
[0054]
In FIG. 1A, the relative positions of the various path extensions disclosed in accordance with aspects of the present invention are shown. 8 The portion of the relatively balanced and complementary symmetrical arrangement utilizing the central shielding path denoted by "XX" through "X" M is the balanced conductivity in coplanar variations. It is adapted in an arrangement as a fulcrum of the part. At least a first and second plurality of paths, wherein the first plurality are disposed electrically separate from each other and provide at least one pair of paths oriented in a first complementary relationship. An example of the route arrangement is shown. In addition, at least one half of the second plurality is disposed electrically separated from the second halves of the second plurality, such at least two paths of the second plurality being separated from the first plurality of paths. Electrically isolated. The path arrangement may also comprise a dielectric, ferromagnetic, or material having characteristics such as, for example, a varistor spaced apart from the path of the path arrangement. The second plurality of first half paths are electrically coupled to each other and the second plurality of second half paths are electrically coupled to each other. The total number of first half paths of the second plurality may be one or more odd numbers, and the total number of second half paths of the second plurality may also be one or more odd numbers. According to an aspect of the present invention, the second plurality of first half paths are located in a first overlay alignment, while the second plurality of second half paths are described herein as a coplanar arrangement. The first and second superposition alignments in the mutual superposition alignment performed are located in a second superposition alignment.
[0055]
In a non-coplanar arrangement, with the first and second superposition alignments in one arrangement on the other, the second plurality of first half paths may be located in the first superposition alignment; Of the plurality of second halves may be located in a second overlay alignment. In one arrangement, at least four paths are electrically isolated.
[0056]
Embodiments illustrating the invention may have at least three of a plurality of paths, having a first plurality of paths and a second plurality of paths. The first and second plurality of paths may have a first plurality of path elements having equally opposite path elements found in the second plurality of paths. The elements of the first and second plurality of paths may be substantially the same size and shape, may be supplementarily positioned, and may be operated in an electrically supplementary manner. Therefore, the first and second pairs of paths may have the same number of elements of the first and second paths. Exemplary embodiments may provide at least first and second shields that allow for the development of individual, isolated low circuit impedance paths. Structurally, shielding may be achieved by a third plurality of paths and a fourth plurality of paths. A plurality of each shield may have equally sized and shaped shields. Each of the third and fourth plurality of paths may be conductively coupled. Conductive coupling may be achieved by various methods and materials well known in the art for processing. Thus, if the third and fourth pluralities are grouped as two sets of shields utilizing the first and second pluralities that receive the shield, the third and fourth pluralities are adjusted for circuit energy. May be coupled to a common path to develop a path of low circuit impedance in energy propagation.
[0057]
For example, as shown as a mirror image depicted in FIGS. 5A and 5B, the main path 80 located face-to-face with the exception of any path expansion, such as the lower sub-circuits 812NNE, 811NNE, 812SSW and 811SSW. May be additionally arranged in a bypass arrangement, if they can be superimposed and aligned.
[0058]
Within the plurality, the individual path elements may be substantially the same size and shape and may be conductively coupled. However, elements of one or more individual paths need not be conductively coupled to elements of different paths. There may be situations where one element may be coupled to different elements such that the first plurality of shields and the second plurality of shields are externally coupled to the same conductor.
[0059]
Common elements have an energy flow consistent with conceptual energy indicators 600, 601, 602, 603 depicting dynamic energy transfer in a coplanar shielded bypass path as shown in FIGS. 1A-1C. You may. Embodiments may provide at least a plurality of screens in the development of a plurality of isolated low circuit impedances in a plurality of circuits.
[0060]
Still referring to FIG. 1A, the path may be occluded by a relative common path and may have a main path 80 with at least one path extension 812 “X”. The shield shown has a dominant shield path 81 with an extension of at least one path, denoted 99 "X" / 79 "X". Shielding is traditionally used with co-sintered electrical components such as Ag, Ag / Pd, Cu, Ni, Pt, Au, Pd or combined materials such as conductive or metal oxides and glass frit. The subject 799 may be sandwiched and include a conductive internal pathway formed from a conductive material of the noble or base metal genus. Capacitance and resistance may be achieved in one class of circuits as described above, such as by using ruthenium oxide as a resistive material and Ag / Pd as a conductive material. In addition, changes in path geometry result in different resistance and capacitance values. The change may be achieved by changing the material to which the pathway is made. For example, a conductive material, such as silver, may be selectively added to the metal oxide / glass frit material to reduce the resistance of the material.
[0061]
The multiple paths, 865-1 and 865-2, are shown co-planar and spaced apart at the same location of the material 801. Each of the coplanar paths 865-1 and 865-2 may be formed from conductive material 799, or may be formed from a hybrid of conductive materials and another material indicated herein as 799 "X". . Each of the coplanar paths 865-1 and 865-2 may also be formed as bypass paths, each path being a main path 80 and at least one path having a corresponding main edge and perimeter, respectively 803A and 803B. Have a continuous extension 812 “X”. Each of the coplanar paths 865-1 and 865-2 may have at least one continuous extension 812SSW and 811SSW of the path with a portion of the main edges 803A and 803B extending from the main edges 803A and 803B. Extension 812 “X” is a portion of the pathway material formed in association with the extending main pathway 80. The main path 80, 812 "X" may be viewed as an extension of the material 799 or 799 "X" extending beyond the allowed average peripheral edge 803 "X". Extensions 812 "X" and 79 "X" may be viewed as being respectively located as successive parts of the path formed. Each subject path may have edges 803A, 803B positioned at a distance 814F with respect to edge 917 of the embodiment. The edge 817 of the embodiment may have the substance 801. The edges 803 "X" of the main path of the common plane may be located at a distance 814J apart. The path extensions 812SSW and 811SSW may be conductively connected to external paths 890SSW and 891SSW, where the subject 80 of each path may be located at edge 817. The subject paths 80 arranged in the common plane may be positioned in a "sandwich" between the subject paths 81, which are areas of the registered range of the two layers of the common plane.
[0062]
Combining mutually opposing fields causes an erasing or minimizing effect. The closer the complementary and symmetrically oriented shield is, the better the mutually opposing erasing effects in the propagation of the opposing energy. As additional, symmetrically oriented shields are stacked, the results of suppressing parasitic and erasing effects are better.
[0063]
Still referring to FIG. 1A, the edges of the coplanar occlusion may be represented by dashed lines 805A and 805B. The main path 81 of each of the plurality of shields is larger than the main path 80 of any corresponding sandwich path to be sandwiched. This may create an inserted area 806 related to shielding positioning and path maintenance. The size of the bodies 80 and 81 may be substantially the same, and thus the positioning annulus of the insert may be minimal in certain embodiments. Increased parasitic suppression may be obtained by inserting a path having a subject 80 shielded by a large path subject 81. For example, insertion of the subject 80 of the path 865-1 insertion is provided by the thickness of the material 801 separating the path 865-1 and the adjacent central coplanar path 800-IM-1 as illustrated in FIG. 1B. May be separated by a distance of 1 to 20 times.
[0064]
The plurality of coplanar shielding edges 805A and 805B may be spaced apart by a distance 814K and may be a distance 814 with respect to edges 805A and 805B and edge 817. Other distances 814J for any of edges 803A and 803B may be provided. Further, distance 814F may exist between one 803 “X” and edge 817. Each co-planar shield may have a plurality of continuous path extensions, such as, for example, 79NNE, 79SSE, 99NNE and 99SSE sections extending from the plurality of co-planar shield edges 805A and 805B. The conceptual energy indicators 602 represent various dynamic energy transfers within the coplanar paths 865-1 and 865-2. Unwanted energy may be transferred to a coplanar shield that is consistent with the definition by providing the shield in a low impedance path, where the shield may be additionally electrically coupled to another path or conductive area.
[0065]
Referring now to FIGS. 1B and 1C, the sequence of layers comprises a first plurality of coplanar paths 865-1, 865-2, a second plurality of coplanar paths 855-1, 855-2, Coplanar paths 825-1-IM, 825-2-IM, 815-1, 815-2, 800-1-IM, 800-2-IM, 810-1, 810-2 and 820-1-IM, Illustrated in the third plurality of 820-2-IM. The first, second, and third plurality may be stacked to form embodiments 3199, 3200, 3201. A third plurality of co-planar paths may provide for shielding. 815-1, 815-2; 800-1-IM, 800-2-IM; 810-1, 810-2; and 820-1 The main body 81 of the -IM, 820-2-IM may be of substantially similar size and shape, and may be spaced apart at the co-planar location of different layers of the material 801. A first plurality of co-planar paths 865-1 and 865-2 may have at least corresponding, opposing, and complementary second plurality of co-planar paths 855-1 and 855-2. When oriented face-to-face, those first and second pluralities of coplanar paths are registered and aligned subject paths other than the various continuous path extensions 812 "X", 811 "X". 80. As shown in FIGS. 1B and 1C, the outer coplanar path 820-1-IM, 825-1-IM pair may serve as a path shield, thereby providing another conduction with the subject 81. To improve the shielding effect of a plurality of paths that are coupled together.
[0066]
As illustrated in the modified embodiments 3199, 3200, 3201, the extensions 79NNE, 79SSE and 825 of the shields 825-1-IM, 815-1, 800-1-IM, 810-1 and 820-1-IM. The position of the extension 99NNE, 99SSE of the -2-IM, 815-2, 800-2-IM, 810-2 and 820-2-IM may be changed. In FIG. 1B, for example, extensions 79NNE and 99NNE may be diagonally spaced apart from extensions 79SSE and 99SSE on the opposite side of shielding body 81. In FIG. 1C, for example, the extensions 79NNE and 99NNE may be spaced apart on the lines of the extensions 79SSE and 99SSE on the opposite side of the shielding subject 81. In FIG. 1B, extensions 812NNE and 811NNE extend toward the same edge 812 of the layer of material 801 and may be spaced apart, and extensions 812SSW and 811SSW are attached to opposite edges 812 of the layer of material 801. And may be spaced apart. In FIG. 1C, paths 865-1 and 865-2 may be mirror images as described above. Compared to FIG. 1B, extensions 812NNE and 811NNE extend toward opposing edges 817 of the layer of material 801 and may be spaced apart. Extensions 812SSW and 811SSW each extend toward the opposite edge of the layer of material 801 such that extensions 812NNE and 811SSW extend toward the opposite edge 812 "X" of the respective layer of material 801. , May be spaced apart.
[0067]
2A and 2B, FIG. 2A illustrates a plan view outlining the embodiment of FIG. 2B in accordance with aspects of the present invention. FIG. 2B depicts a route arrangement having a first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth, ninth, and tenth route layout, for example, at least a first The third and fourth paths are coplanar and are spaced apart from each other. FIG. 2B illustrates first and second paths located below the third and fourth paths, and illustrates fifth and sixth paths located above the third and fourth paths; 7 illustrates the seventh and eighth routes arranged on the fifth and sixth routes, and illustrates the ninth and tenth routes arranged on the seventh and eighth routes. The paths have various respective internal continuous path extensions 812 "X", 811 "X", 79 "X", and 99 "X", with individual components having the same minimum number of layers. It may be. Internal continuous path extensions 812 "X", 811 "X", 79 "X" and 99 "X" and conductively coupled external paths 890 "X", 891 "X", 802 "X "And 902" X "may be coupled to an interior path of a plurality of coplanar paths of subject paths 80 and 81.
[0068]
Referring to FIGS. 3A and 3B, in FIG. 3A, a schematic diagram of the embodiment of FIG. 3B is shown, wherein external paths may be selectively conductively coupled at at least two separate circuit portions. FIG. 3B depicts a path arrangement having a minimum layout of first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth, ninth, and tenth paths, for example, At least the third and fourth paths are coplanar and are spaced apart from each other. The device shown in FIG. 3B has first and second paths located below the third and fourth paths, and fifth and sixth paths located above the third and fourth paths. And has seventh and eighth paths arranged on the fifth and sixth paths, and has ninth and tenth paths arranged on the seventh and eighth paths. The paths have various respective internal continuous path extensions 812 "X", 811 "X", 79 "X", and 99 "X", with individual components having the same minimum number of layers. It may be.
[0069]
Referring now to FIG. 3C, a plan view of a shield according to aspects of the present invention is illustrated. The embodiment depicted in FIG. 3C has at least one additional path as compared to the device of FIG. 3B. Such additional path 1100-IM "X" may be one of at least a plurality of screens in a stack of paths, where the screen covers two circuit portions. Path 1100-IM “X” may be one of at least two external sandwich shields in the stack of paths. The shielding spans the two circuits by adding a centrally located 1100-IM "X" path that is electrically coupled to the outer 1100-IM "X" shielding. Path 1100-IM "X" may have at least one extension and is illustrated with two extensions 1099NNE and 1099SSE, which may cause the shield to be sandwiched in all paths in the present invention. The at least three shields may be coupled together and may have a centering shield that divides the energy load or energy source of the separated circuits or splits the two separated circuits.
[0070]
The shield 00GS may be electrically isolated from other shields and may be arranged to provide energy propagation for the isolated circuit. The separated circuits may be sandwiched by shielding. The shield may be electrically coupled to a conductive area separate from any other conductive areas, thereby providing energy propagation.
[0071]
4A-4I depict assembled components of various embodiments in accordance with aspects of the present invention. 4A-4I may have a minimum layout of the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth, ninth, and tenth paths; For example, at least the third and fourth paths are coplanar and are spaced apart from each other. The first and second paths may be located below the third and fourth paths, the fifth and sixth paths may be located above the third and fourth paths, and the seventh and fourth paths may be located below the third and fourth paths. The eighth route may be located on the fifth and sixth routes, and the ninth and tenth routes may be located on the seventh and eighth routes. The paths have various respective internal continuous path extensions 812 "X", 811 "X", 79 "X", and 99 "X", for example, in the final discrete component assembled. May be.
[0072]
Referring to FIG. 5A, a stack of a plurality of non-shared circuits having groups of paths according to aspects of the present invention is shown. A marker 1000 indicating the continuation of the stacking of the arrangement to the next column of FIG. Conceptual energy indicators 600, 601, 602, 603 indicate the flow of energy. Material 799 may be deposited on material 801 for component 6900 shielding 815-1, 800-1, 810-1-IM, 815-2, 800-2-IM, and 810-2 shown. . Shields 810-A and 810-B are split shields of at least a portion of the isolated circuit system. Shields 815-A and 815-B are split shields of at least a portion of the isolated circuit system. Shields 820-A and 820-B are split shields of at least a portion of the isolated circuit system. Shields 825-A and 825-B are split shields of at least a portion of the isolated circuit system. Conductors 855-1 and 855-2 are separate and shielded paths in a bypass configuration. Conductors 865-1 and 865-2 are separate and shielded paths in a bypass configuration. In FIG. 5A, the path arrangement is depicted with paths of at least six orientations of the two types of paths, each orientation of the path of at least six orientations of the path being conductive since maintaining the orientation of the path. Provides isolation.
[0073]
Referring to FIG. 5B, a stacked shielding structure according to an aspect of the present invention is shown. FIG. 5B depicts an embodiment similar to FIG. 5A, in which two sets of 855 “X” and 865 “X” paths have been omitted for clarity, and the shielding of FIG. Flip-flops are oriented in each correlated set of "X" paths. The 79 "X" path extension may be rotated by 90 degrees with respect to the various path extensions 811 "x" and 812 "X". The dynamic result of this form, as exemplified by the conceptual energy indicator, is to override the extension of the two sets of 855 "X" and 865 "X" of two sets of two separate circuits. And may be further augmented by relative positioning of the shields of each separated circuit pair 855A and 865A of approximately 90 degrees that is ineffective in extending the various paths of 855B and 865B.
[0074]
Referring to FIG. 5B, a stacked shielding structure according to an aspect of the present invention is shown. FIG. 5B depicts an embodiment similar to FIG. 5A, where the two sets of 855 “X” and 865 “X” paths have been omitted for clarity, and the shielding of FIG. Flip-flops are oriented in each correlated set of "X" paths. The 79 "X" path extension may be rotated by 90 degrees with respect to the various path extensions 811 "x" and 812 "X". The dynamic result of this form, as exemplified by the conceptual energy indicator, is to override the extension of the two sets of 855 "X" and 865 "X" of two sets of two separate circuits. And may be further augmented by relatively positioning the shields of each separated circuit pair 865B and 865A of approximately 90 degrees ineffective in extending the various paths of 855B and 865B.
[0075]
As mentioned above, in embodiments of the present invention, a plurality of supplemental or paired occluded paths may have a first and second plurality of paths. Energy may utilize, for example, layers of various paired supply or bypass paths in a generally parallel and uniform manner. The elements of the pathway provide energy propagation and generally maintain a non-parallel or vertical relationship, and, in addition, maintain isolation, with adjacent circuitry, rather than isolation. , Conductive apertures and conductive through-vias. The paths may maintain internal balance and facilitate electrical resistance along opposing complementary pairs. Such a relationship in a complementary pair of pathways may occur, while pathways and energies experience opposing operational uses within an externally mounted shielding structure.
[0076]
Referring to FIG. 5C, a relative plan view of a stacked plurality of non-shared circuits having transit and including a group of paths is shown, in accordance with an aspect of the present invention. The device according to the aspect of the invention depicted in FIG. 5C has a hole-through energy conditioner. Hole-through energy conditioners have the use of multiple sets of shielding to possess energy conditioning and may be configured to retain many of the principles of energy propagation disclosed herein. Further, FIG. 5C depicts an invalid path set with path arrangement 6969. The route arrangement 6969 has 8879 “X”, 8811 “x” and 8812 “X” that function from different directions with respect to the subjects 80 and 81 without the route extensions 79 “X”, 811 “x” and 812 “X”; Similar to FIG. 5B, with the substitution of passing.
[0077]
Still referring to FIG. 5C, in the manufacturing process, conductive holes 912, through or conductive apertures may be used to interconnect 8806 with the integrated circuit, such as mechanical drilling, laser drilling, etching, punching. Alternatively, it may be formed by one or more path layers using another pore forming technique. Each particular interconnect 8806 may allow for various paths to be electrically connected or isolated. Each particular interconnect 8806 may extend through all layers of the routing arrangement 6969, or may be bordered by one or more layers above or below. The routing arrangement 6969 may include an organic substrate such as an epoxy material or a patterned conductive material. If an organic substrate is used, for example, FR-4 epoxy glass, polymer-glass, benzocyclobutene, Teflon, other epoxy resins, or similar standard printed Circuit board materials may be used in various embodiments. In an alternative embodiment, the channel arrangement may have an inorganic substrate, for example, a ceramic. In various embodiments, the level thickness may be approximately 10 to 1000 microns. Interconnects 8806 between the various conductive layers may be formed by selectively removing dielectric and conductive materials, such as with conductive paste 799A or electrolytic plating 799B. The conductive material of the lower conductive layer 904 is exposed by filling the holes as formed thereby.
[0078]
An interconnect 8806 may connect the conductive layer exposed on the relative side of the routing arrangement 6969. The interconnect 8806 may take the form of a pad or land to which an integrated circuit may be attached, for example. The interconnect 8806 may be formed using well-known techniques, such as by filling selectively removed portions of the dielectric with conductive paste, electrolytic plating, photolithography, or screen printing. The resulting routing arrangement 6969 has one or more layers of patterned conductive material 904 separated by a non-conductive layer and interconnected by interconnect 8806. Different techniques may be used to interconnect and separate the various layers of the patterned conductive material 799. For example, rather than forming and selectively removing portions of the various conductive 799 and non-conductive layers 801, the openings between the various layers selectively select desired portions of the conductive 799 and non-conductive layers 801. May be included. Removal techniques such as chemical and mechanical planarization have been used to physically abrade multiple layers of different types of conductive and non-conductive materials, resulting in the desired openings of various interconnects. Good.
[0079]
The path arrangement 6969 may be configured using a multi-aperture, multi-layered set of energy-adjusting paths, with a format of the substrate adapted for energy-adjusting conditions. Path arrangement 6969 is known as transit 8879 "X", 8811 "X" and 8812 "X" in combination with a multi-layer common conductive Faraday cage-like shielding technique with confined propagation paths. The propagated energy may be adjusted by utilizing the directed energy adjustment methodologies of the partially filled aperture. Interconnecting routing and ICs includes wire-bonded interconnects, flip-chip ball-grid array interconnects, micro-ball-grid interconnects, those listed above. Or any other standard industry permitted by the methodology. For example, like any other path on the chip, the flip-chip type of integrated circuit, which means stopping input / output, may occur at any point on the chip surface. After the IC chip is prepared for mounting in the routing arrangement 6969, the chip may be mounted on a matching pad on the surface of the routing arrangement 6969 by being flipped over by solder bumps or solder balls. Alternatively, the integrated circuit may be wire-bonded by connecting an input / output stop to the path arrangement 6969 using a wire connection to a pad on the surface of the path arrangement 6969.
[0080]
Circuitry within routing arrangement 6969 may act as a source to load routing arrangements that require capacitance, noise suppression, and / or voltage damping. This capacitance may be provided by the formation of a capacitance that is deployed and embedded in the path arrangement 6969. Such capacitance may be coupled to the load of the integrated circuit using paired paths and shielding, as described above. Additional capacitance may be provided on circuits that are electrically coupled to the integrated circuit to provide voltage dampening and noise suppression. Proximity of the off-chip energy source may provide capacitance along each of the low inductance paths to the load. The common shield path may be used as a reference node for a "0" voltage circuit both in the off-chip energy source and in the form of a common conductive interposer energy path.
[0081]
The routing arrangement 6969 may be connected to the integrated circuit by commonly accepted industrial connection methods having a bumpless build-up layer (BBUL) package and couplings 799A and 799B. This technology allows for low power consumption in high performance, thin and lightweight packaging. In a BBUL package, a silicon die or IC is embedded in the package with a routing arrangement operable as a first level interconnect. Thus, the BBUL package as a whole does not simply attach to one surface of the IC. For example, the electrical coupling between the die and one or more of the various shields and packages may be made of copper wire and does not necessarily require C4 solder bumps. These features combine to make the package thinner and lighter than other IC packages, while promoting high performance and reducing power consumption. The BBUL may enhance the manufacturing capability of coupling multiple silicon components to the routing arrangement 6969. The shielded paths 8811, 8812, and 8879 may be electrically coupled between the respective energy sources and the respective loads of the IC by a common industrial methodology, thereby providing for regulation of the transmitted energy. enable. Shield 8879 may be conductively coupled to the shield having 1055-2. The shield and other conductive portions of the shield having 8811 and 8812 may be electrically coupled to respective supplemental paths that do not have significant polar charge prior to hookup, thereby being understood by those skilled in the art. Thus, each layer 8811 and 8812 is prevented from changing its function in the direction of energy propagation, just as layers 8811 and 8812 are prevented from changing its input and output for input and output, respectively.
[0082]
In the stacked variant depicted in FIGS. 5A, 5B and 5C, three paths 1100-IM- "having one between 810-1 and 815-2, indicated as 1100-IM-" C ". Adding X "may bisect the balanced harmony of the total number of equally located paths on the opposite side of 1100-IM-" C ". The addition of 1100-IM-1 and 1100-IM-2 electrically coupled to 1100-IM-C creates a common or shielding structure (all not shown). The shielding of the shielding structure may or may not be of substantially the same size. The shield may or may not be physically separated from any other shield in any one or more embodiments of the present invention. Thus, a shield may or may not be electrically or conductively separated from any other shield in any one or more embodiments of the invention.
[0083]
Odd shields may be combined together, thereby allowing the formation of a common reference or node that takes advantage of all other shields. The number of shields 1100-IM- "X" is not limited to the use of extensions 1099NNE and 1099SSE, such as shield 00GS, as any number of extensions in most directions may be used to facilitate coupling. A relatively balanced, complementary and symmetric arrangement may be formed with respect to the central shield 8 "XX" or shield 800 / 800-IM as a fulcrum of the arrangement of the balanced conductive parts. The elimination of the flux field at least in part in the energy propagation along or between the complementary electrically opposing paths in pairs occurs in this balance, but not in the shifted embodiment. In addition, the physical and electrical shielding containment and Faraday effects of the complementary and charged suppression of the parasitic wandering energy may also occur. Such a result is achieved because the RF return paths are parallel and the magnetic flux energy adjacent to the corresponding path moves at least partially along the shield. Thus, magnetic flux energy is measured or observed with respect to return.
[0084]
The shifted path may be relatively balanced and complementary, and may be symmetrically positioned with respect to a central shield, such as shield 800 / 800- "X" -IM, and further, for example, such as 800 / 800-IM. May have a relatively shifted, balanced, complementary and symmetrical arrangement of predetermined shields and pathways that are additionally sandwiched about a shield located in the center of the center.
[0085]
The exemplary embodiments of FIGS. 1A, 1B, 1C through 4I may have, for example, their "shifted" embodiments. These shifted embodiments may have a variety of layers with shielding, paths, shielding, paths and shielding. Each of the diversity layers may be complementary, centered with respect to the central shielding 800 / 800- "X" -IM, such as in coplanar variations, and the overall diversity of the layers is the primary center. It may be central for shielding. For example, the individual occlusions may be shifted to create individual imbalances, such as between a given matched pair of paths, but the complementarity and equilibrium may be shifted with respect to central occlusion and primary central occlusion. May be maintained. Shifting may expose at least one portion of the path outside the perimeter of the superimposed shield, thereby enabling parasitics, thereby changing, for example, the nature of the impedance.
[0086]
For example, a given path may be shifted 5 points to the left. This shift may be accounted for in matched pairs with respect to the center occlusion, so that the paths of adjacent matched pairs of opposite polarities may shift by 5 points, or five adjacent paths of opposite polarities. May shift by one point each, thereby maintaining complementarity and balance. Further, the path may be held within the perimeter of the superimposed shield and may nevertheless be shifted below. Shifts under such shielding nevertheless form a desirable balance. However, not shown, one exemplary embodiment is that the path is drawn towards the center and kept under shielding, evidencing different electrical properties such as inductive behavior in unbalanced conditions Having a situation.
[0087]
Referring to FIG. 6, illustrated is embodiment 6900, a stacked plurality of circuits having conductive energy paths, separated energy sources, separated energy utilizing loads, and separated common conductive paths. It is. The conductive energy path may be conductively coupled to embodiment 6900 by a conductive coupling material, such as by soldering or an industrially equivalent technique. Passage 315, a continuous conductive path below the substrate surface, may be coupled to the conductive path and may have a conductive material that serves as a continuous conductive path for transmitting energy. Separate common conductive paths may not be directly coupled to separate energy sources or separate energy utilization loads. As mentioned above, embodiment 6900 may have four paths with electrodes and shielding, with a plurality of each electrically isolated. The shield may be conductively coupled. The conductively coupled shield may be externally coupled to a separate common conductive path that is not directly and conductively coupled to the electrode using a conductive coupling material. As shown in FIG. 6, electrodes 815-1, 800-1-IM and 810-1 may be conductively coupled to 802GA, 802GB. The shields 815-2, 800-2-IM and 810-2 may be conductively coupled to 902GA, 902GB. The couplings may not be conductively coupled to the first plurality of electrodes or the second plurality of electrodes. In this configuration, both of the separated circuits may utilize separate and separate voltage references and separate common impedance paths, such as REF1 and REF2 in FIG.
[0088]
Referring now to FIG. 7, an embodiment 3210, a conductive energy path, an isolated energy source, a load utilizing isolated energy, a stacked coplanar surface having an isolated common conductive path. Multiple circuits are shown. The conductive energy path may be conductively coupled to embodiment 3210 by a conductive coupling material. Passage 315, a continuous conductive path below the substrate surface, may be coupled to the conductive path and may have a conductive material that serves as a continuous conductive path for transmitting energy. Separate common conductive paths may not be directly coupled to separate energy sources or separate energy utilization loads. As described above, embodiment 3210 may have four paths with electrodes and shielding, with a plurality of each electrically isolated. A conductively coupled shield is electrically external to an isolated common energy path that is not directly and conductively coupled to the first or second plurality of electrodes in this coplanar arrangement. May be combined. A third plurality of electrodes, 815-1, 800-1-IM and 810-1, may be conductively coupled to 802GA, 802GB, 815-2 and 800-2-IM, and further comprising: It may be conductively coupled to 902 GB and not conductively coupled to the first or second plurality. In this embodiment, both of the separated circuits are individually separated and referenced to separate voltages and individually separated impedance paths and at least one separate and lower impedance path such as REF1 and REF2 in FIG. You may take advantage of
[0089]
Referring now to FIGS. 4A-7, the stop electrodes 890A, 890B and 891A, 891B, 802GA, 802GB and 902GA, 902GB may be single or multilayer. The stop electrodes 802GA, 802GB, 902GA, 902GB may be located on other respective portions of the sintered body. Each main electrode layer 81 or 80 and the associated electrode extension 99 / 79G "X" or 812 "X" extends to the associated stop electrode 802GA, 802GB, 902GA, 902GB and 890A, 890B and 891A, 891B. , And conductively coupled electrodes may be defined.
[0090]
The present invention may take advantage of a number of energy conditioning features that utilize elements of a commonly coupled shielding structure to emulate the center tap of a resistor / voltage divider network. The resistor / voltage divider network may be generally constructed using various integrated circuit resistor ratios. However, various integrated circuit resistors may utilize, for example, a particular conductive / resistive material 799A, or may naturally generate the resistive nature of the pathway material 799, or may have altered physical layout. It may be replaced by a device according to an aspect of the invention, which is a utilizing device. The ability to divide the voltage is represented as part of a common, shared path shielding structure that is utilized to determine a common voltage reference located on each side of the common path shielding structure. Good.
[0091]
In embodiments, a number of complementary pairs of paths, initially stacked vertically in the manufacturing process, or combined with pairs of coplanar planes as described above, are generally physically or electrically parallel. It may be diversified in a predetermined manner to generate a combination of multiple path elements of a characteristic.
[0092]
Further, although not shown, the devices of the present invention may be fabricated in silicon and incorporated directly into integrated circuit microprocessor circuitry or microprocessor chip packaging. Suitable methods for depositing electrically conductive materials may be used in plating, sputtering, vapor, electrical, screening, stencil, vacuum, and chemical, including chemical vapor deposition (CVD).
[0093]
Certain embodiments are located and described herein as “above” or “above” or “below” or “below” or any other positional or directional description, but these descriptions are merely relevant, It is understood that this is not intended to be limiting.
[0094]
The present invention may be implemented in a number of different embodiments having an energy conditioning embodiment as an energy conditioner for an electronic assembly, an energy conditioning substrate, an integrated circuit packaging, an electronic assembly or electronic system in the form of an energy conditioning system. And may be assembled using various techniques. Other embodiments will be readily apparent to those skilled in the art.
[Brief description of the drawings]
[0095]
FIG. 1 is an illustration of an operable relative position compass for determining the relative position of the various path extensions disclosed.
1A illustrates the relative positions of various path extensions disclosed in accordance with aspects of the present invention.
FIG. 1B illustrates the relative locations of various path extensions disclosed in accordance with aspects of the present invention.
FIG. 1C illustrates the relative positions of various path extensions disclosed in accordance with aspects of the present invention.
FIG. 2A is a schematic plan view of the circuit of the 2B embodiment according to aspects of the present invention.
FIG. 2B is a plan view of an embodiment according to aspects of the invention.
FIG. 3A is a schematic plan view of the circuit of embodiment 3B according to aspects of the invention.
FIG. 3B is a plan view of an embodiment according to aspects of the invention.
FIG. 3C is a plan view of a shield according to aspects of the invention.
FIG. 4A is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the present invention.
FIG. 4B is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the present invention.
FIG. 4C is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the invention.
FIG. 4D is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the present invention.
FIG. 4E is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the invention.
FIG. 4F is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the invention.
FIG. 4G is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the present invention.
FIG. 4H is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the present invention.
FIG. 4I is a relative plan view of an embodiment according to aspects of the present invention.
FIG. 5A illustrates a stacked plurality of circuit networks having groups of paths according to aspects of the present invention.
FIG. 5B illustrates a stacked shield according to aspects of the invention.
FIG. 5C is a relative plan view of a stacked plurality of non-shared circuit networks having passes including groups of paths according to aspects of the present invention.
FIG. 6 illustrates a relative plan view of a variation of a circuit arrangement according to aspects of the invention.
FIG. 7 illustrates a relative plan view of a variation of a circuit arrangement according to aspects of the invention.

Claims (36)

少なくとも第一及び第二の複数の経路を有するデバイスであって、
前記第一の複数の経路は、互いに電気的に分離して配置され、第一の補足的な関係で配向された少なくとも2つの経路を有し、
前記第二の複数の経路の少なくとも一番目の数は、該第二の複数の経路の二番目の数から電気的に分離されて配置され、
前記第二の複数の経路の少なくとも2つの経路は、前記第一の複数の経路から電気的に分離されたことを特徴とするデバイス。
A device having at least a first and second plurality of paths,
The first plurality of paths includes at least two paths that are electrically separated from each other and oriented in a first complementary relationship;
At least a first number of the second plurality of paths is disposed electrically separated from a second number of the second plurality of paths,
A device wherein at least two of the second plurality of paths are electrically separated from the first plurality of paths.
前記第二の複数の経路の前記一番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合されて、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合されたことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
The first number of at least two paths of the second plurality of paths are electrically coupled to each other,
The device of claim 1, wherein the second number of at least two paths of the second plurality of paths are electrically coupled to each other.
前記第二の複数の経路の前記一番目の数は、1以上の奇数であり、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数は、1以上の奇数であり、
前記第二の複数の経路の前記一番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合されて、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合されたことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
The first number of the second plurality of paths is an odd number of 1 or more;
The second number of the second plurality of paths is one or more odd numbers;
The first number of at least two paths of the second plurality of paths are electrically coupled to each other,
The device of claim 1, wherein the second number of at least two paths of the second plurality of paths are electrically coupled to each other.
前記回路の2つの経路と少なくとも間隔を保つ間隔づけ物質をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のデバイス。The device of claim 1, further comprising a spacing material that is at least spaced from the two paths of the circuit. 前記間隔づけ物質は、誘電体を有することを特徴とする請求項4に記載のデバイス。The device of claim 4, wherein the spacing material comprises a dielectric. 前記第二の複数の経路の前記一番目の数は、第一のアライメントであり、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数は、第二のアライメントであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
The first number of the second plurality of paths is a first alignment;
The device of claim 1, wherein the second number of the second plurality of paths is a second alignment.
前記第二の複数の経路の前記一番目の数は、第一の重ね合わされたアライメントであり、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数は、第二の重ね合わされたアライメントであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
The first number of the second plurality of paths is a first superimposed alignment;
The device of claim 1, wherein the second number of the second plurality of paths is a second superimposed alignment.
前記第一のアライメント及び第二のアライメントは、重ね合わされたアライメントであることを特徴とする請求項6に記載のデバイス。The device of claim 6, wherein the first alignment and the second alignment are superimposed alignments. 前記第一のアライメント及び第二のアライメントは、他方上の少なくとも一つに位置することを特徴とする請求項7に記載のデバイス。The device of claim 7, wherein the first alignment and the second alignment are located on at least one on the other. 前記経路の前記一番目の数の少なくとも2つの経路は、前記第一のアライメントで互いに電気的に結合して配置され、
前記経路の前記二番目の数の少なくとも2つの経路は、前記第二のアライメントで互いに電気的に結合して配置され、
前記経路の前記一番目の数は1以上の奇数の経路であり、前記経路の前記二番目の数は1以上の奇数の経路であり、
前記第一の複数の経路の総数は、少なくとも2以上の偶数であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
The first number of the at least two paths of the paths are arranged electrically coupled to each other in the first alignment;
The second number of at least two paths of the paths are disposed in electrically coupled with each other in the second alignment;
The first number of the paths is one or more odd paths, the second number of the paths is one or more odd paths,
The device of claim 1, wherein a total number of the first plurality of paths is at least two or more even numbers.
前記第二の複数の経路の前記一番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合された第一のアライメントで配置されて、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合された第二のアライメントで配置されて、
前記第一の複数の経路の総数は、少なくとも2以上の偶数であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
The first number of at least two paths of the second plurality of paths are arranged in a first alignment that is electrically coupled to each other;
The second number of at least two paths of the second plurality of paths are arranged in a second alignment electrically coupled to each other,
The device of claim 1, wherein a total number of the first plurality of paths is at least two or more even numbers.
前記回路配置の経路と少なくとも間隔を保つ間隔づけ物質をさらに有することを特徴とする請求項10に記載のデバイス。The device of claim 10, further comprising a spacing material that is at least spaced from the path of the circuit arrangement. 前記回路配置の4つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項11に記載のデバイス。The device of claim 11, wherein the four paths of the circuit arrangement are electrically isolated from each other. 前記第一の複数の経路は複数の遮蔽された経路であり、
前記第二の複数の経路は複数の遮蔽された経路であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
The first plurality of paths are a plurality of shielded paths;
The device of claim 1, wherein the second plurality of paths are a plurality of shielded paths.
少なくとも第一及び第二の複数の経路を有する電気的な配置であって、
前記第一の複数の経路は、互いに電気的に分離されて相互に補足的な位置で配置された、経路の少なくとも一つのペアを有し、
前記第二の複数の経路の少なくとも一番目の数は、該第二の複数の経路の二番目の数から電気的に分離されて配置され、前記第二の複数の経路は、前記第一の複数の経路から電気的に分離された少なくとも2つの経路を有し、
前記第二の複数の経路の一番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合され、
前記第二の複数の経路の二番目の数の少なくとも2つの経路は、互いに電気的に結合されたことを特徴とする電気的な配置。
An electrical arrangement having at least a first and second plurality of paths,
The first plurality of paths includes at least one pair of paths that are electrically isolated from one another and arranged at complementary locations;
At least a first number of the second plurality of paths is disposed electrically separated from a second number of the second plurality of paths, and the second plurality of paths is the first number. Having at least two paths electrically separated from the plurality of paths;
A first number of at least two paths of the second plurality of paths are electrically coupled to each other;
An electrical arrangement, wherein a second number of at least two of the second plurality of paths are electrically coupled to each other.
前記回路配置の経路と少なくとも間隔を保つ間隔づけ物質をさらに有することを特徴とする請求項15に記載の電気的な配置。16. The electrical arrangement of claim 15, further comprising a spacing material that is at least spaced from a path of the circuit arrangement. 前記回路配置の少なくとも4つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項15に記載の電気的な配置。The electrical arrangement of claim 15, wherein at least four paths of the circuit arrangement are electrically isolated from each other. 前記回路配置の少なくとも6つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項15に記載の電気的な配置。The electrical arrangement of claim 15, wherein at least six paths of the circuit arrangement are electrically isolated from one another. 前記第二の複数の経路は互いに共同平面で配置された少なくとも2つの経路を有し、
前記回路配置の少なくとも4つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項15に記載の電気的な配置。
The second plurality of paths includes at least two paths co-planar with each other;
The electrical arrangement of claim 15, wherein at least four paths of the circuit arrangement are electrically isolated from each other.
前記第二の複数の経路は互いに共同平面で配置された少なくとも2つの経路を有し、
前記回路配置の少なくとも4つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項15に記載の電気的な配置。
The second plurality of paths includes at least two paths co-planar with each other;
The electrical arrangement of claim 15, wherein at least four paths of the circuit arrangement are electrically isolated from each other.
前記第一及び第二の複数の経路は非共同平面で積層して配置され、
前記回路配置の少なくとも4つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項15に記載の電気的な配置。
The first and second plurality of paths are stacked and arranged on a non-coplanar plane,
The electrical arrangement of claim 15, wherein at least four paths of the circuit arrangement are electrically isolated from each other.
前記第一の複数の経路は、複数の通過を有し、
前記第二の複数の経路は、複数の遮蔽する経路であることを特徴とする請求項15に記載の電気的な配置。
The first plurality of paths has a plurality of passes;
16. The electrical arrangement according to claim 15, wherein the second plurality of paths are a plurality of shielding paths.
少なくとも4つの複数の経路を有するデバイスであって、
前記複数の経路の各々のそれぞれの経路だけが互いに電気的に結合し、
前記少なくとも4つの複数の少なくとも2つは、前記経路の少なくとも4つの複数の少なくとも他の2つのための遮蔽を提供することを特徴とするデバイス。
A device having at least four multiple paths,
Only the respective path of each of the plurality of paths is electrically coupled to each other;
The device, wherein at least two of the at least four plurality provide shielding for at least two other of at least four of the paths.
少なくとも第一、第二、第三及び第四の複数の経路を有するデバイスであって、
前記複数の各々のそれぞれの経路だけが互いに電気的に結合され、
前記第一の複数は前記第二の複数を遮蔽し、
前記第三の複数は前記第四の複数を遮蔽することを特徴とするデバイス。
A device having at least a first, a second, a third and a fourth plurality of paths,
Only the respective path of each of the plurality is electrically coupled to each other;
The first plurality shields the second plurality;
The device wherein the third plurality shields the fourth plurality.
少なくとも第一及び第二の複数の遮蔽する経路と、
少なくとも第一及び第二の複数の遮蔽された経路と、を有する回路配置であって、
前記遮蔽する経路及び遮蔽された経路は、前記回路配置と交互に配置されて、
前記複数の各々のそれぞれの経路だけが互いに電気的に結合され、
前記回路配置の各々の前記複数が互いに電気的に分離されたことを特徴とする回路配置。
At least a first and second plurality of shielding paths;
A circuit arrangement having at least a first and a second plurality of shielded paths,
The shielding path and the shielding path are arranged alternately with the circuit arrangement,
Only the respective path of each of the plurality is electrically coupled to each other;
The circuit arrangement wherein the plurality of each of the circuit arrangements are electrically isolated from one another.
少なくとも一つの集積回路を有する集積回路のパッケージと、
共に伝導的に結合された複数の経路と、
共に伝導的に結合された第一の複数の遮蔽と、
共に伝導的に結合され、少なくとも前記第一の複数から電気的に分離された、第二の複数の遮蔽と、を有するシステムであって、
前記遮蔽と前記経路の各々は交互に配置され、前記遮蔽は前記集積回路から離れてエネルギーを伝播するために適切な少なくとも一つの低いインピーダンス経路を展開し、
前記経路は前記集積回路のパッケージ内でのエネルギー伝播に適切な低いインダクタンス経路を展開し、前記エネルギー伝播は少なくとも前記複数の遮蔽によって調節されることを特徴とするシステム。
An integrated circuit package having at least one integrated circuit;
A plurality of paths conductively coupled together;
A first plurality of shields conductively coupled together;
A second plurality of shields conductively coupled together and at least electrically isolated from said first plurality;
The shield and each of the paths are alternately arranged, the shield developing at least one low impedance path suitable for propagating energy away from the integrated circuit;
The system wherein the path develops a low inductance path suitable for energy propagation in the package of the integrated circuit, wherein the energy propagation is modulated by at least the plurality of shields.
前記第一及び第二の複数の遮蔽は、それぞれ実質的に共同平面の関係であることを特徴とする請求項26に記載のシステム。The system of claim 26, wherein the first and second plurality of shields are each substantially in a coplanar relationship. 前記第一及び第二の複数の遮蔽は、それぞれ実質的に共同平面の関係であることを特徴とする請求項26に記載のシステム。The system of claim 26, wherein the first and second plurality of shields are each substantially in a coplanar relationship. 前記第一又は第二の複数の遮蔽の一つは前記遮蔽の中心の一つを有し、前記第一及び前記第二の複数の遮蔽並びに前記経路は、該中心の一つに関して実質的に均衡がとれて補足的で対称的な配置で配置されたことを特徴とする請求項26に記載のシステム。One of the first or second plurality of shields has one of the centers of the shield, and the first and second plurality of shields and the path are substantially with respect to one of the centers. 27. The system of claim 26, wherein the system is arranged in a balanced, complementary, symmetrical arrangement. 前記第一又は第二の複数の遮蔽の一つは前記遮蔽の中心の一つを有し、前記第一及び前記第二の複数の遮蔽並びに前記経路は、該中心の一つに関して実質的に整列されることを特徴とする請求項26に記載のシステム。One of the first or second plurality of shields has one of the centers of the shield, and the first and second plurality of shields and the path are substantially with respect to one of the centers. The system of claim 26, wherein the system is aligned. 前記遮蔽の前記第一の複数及び前記第二の複数の各々は、奇数の遮蔽を有することを特徴とする請求項26に記載のシステム。27. The system of claim 26, wherein each of the first plurality and the second plurality of shields has an odd number of shields. デバイスが集積回路のための第一レベルの相互接続配置である請求項1乃至8又は10乃至12のいずれかに記載のデバイス。Device according to any of the preceding claims, wherein the device is a first level interconnect arrangement for an integrated circuit. デバイスが減結合のコンデンサとして配置された請求項1乃至8又は10乃至12のいずれかに記載のデバイス。Device according to any of claims 1 to 8 or 10 to 12, wherein the device is arranged as a decoupling capacitor. デバイスがバイパスコンデンサとして配置された請求項1乃至8又は10乃至12のいずれかに記載のデバイス。Device according to any of claims 1 to 8 or 10 to 12, wherein the device is arranged as a bypass capacitor. デバイスが集積回路に結合した第一レベルの相互接続配置である請求項1乃至8又は10乃至12のいずれかに記載のデバイスであって、
少なくとも第一の複数が前記集積回路に電気的に結合されたことを特徴とするデバイス。
The device according to any of claims 1 to 8 or 10 to 12, wherein the device is a first level interconnect arrangement coupled to an integrated circuit.
A device wherein at least a first plurality is electrically coupled to the integrated circuit.
デバイスが集積回路に結合した第一レベルの相互接続配置である請求項1乃至8又は10乃至12のいずれかに記載のデバイスであって、
前記第一の複数は前記集積回路に電気的に結合され、
前記第二の複数は前記集積回路から電気的に分離されたことを特徴とするデバイス。
The device according to any of claims 1 to 8 or 10 to 12, wherein the device is a first level interconnect arrangement coupled to an integrated circuit.
The first plurality is electrically coupled to the integrated circuit;
The device wherein the second plurality is electrically isolated from the integrated circuit.
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