JP2004354475A - Stripping liquid for resist coating, method for etching aluminum plate, and aluminum etched plate - Google Patents
Stripping liquid for resist coating, method for etching aluminum plate, and aluminum etched plate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004354475A JP2004354475A JP2003149237A JP2003149237A JP2004354475A JP 2004354475 A JP2004354475 A JP 2004354475A JP 2003149237 A JP2003149237 A JP 2003149237A JP 2003149237 A JP2003149237 A JP 2003149237A JP 2004354475 A JP2004354475 A JP 2004354475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- plate
- solution
- silicate
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は剥離液、エッチング方法及びアルミニウム系エッチング板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】
従来から、感光性塗料によって得られる塗膜を利用して、銅張積層板の表面に現像可能で且つ紫外線硬化性に優れた均一な膜を形成することができるプリント配線フォトレジストが得られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
該特許文献１は、（１）基材上に請求項１に記載のフォトレジスト用感光性樹脂被膜を形成する工程、（２）基材上に形成されたフォトレジスト用感光性樹脂被膜表面に所望のレジスト被膜（画像）が得られるようにレーザー光線で直接もしくは光線でネガマスクを通して感光して硬化させる工程、（３）上記（２）工程で形成されたレジスト被膜をアルカリ現像処理して板上にレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に関する。該パターン形成方法において、レジスト被膜の除去として、カセイソーダ等の強アルカリや塩化メチレン等の溶剤により除去されることが記載されている。
【０００４】
しかしながら、アルミニウム系板による回路を製造する場合、強アルカリによる剥離の際にアルミニウム基材まで溶解してしまい回路板の製造は困難であった。
【０００５】
本発明は、アルミニウム系板に適した、レジスト被膜の剥離液、エッチング方法及びエッチング板を適用することを目的とする。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−３３９５９号公報
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の問題点を解決するための技術的手段を見出すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の剥離液を使用することにより、従来からの問題点を全て解消できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
かくして、本発明に従えば、
１、 アルミニウム系板上にアルカリ可溶性感エネルギー線性レジスト被膜を形成した後、目的とする画像が形成されるように露光を行い、次いで画像が形成されるように該レジスト被膜を弱アルカリ液で現像処理し、次いで露出したアルミニウム系板を、エッチング液でエッチングして除去し、さらに残存するレジスト被膜を剥離するために使用する剥離液であって、珪酸塩水溶液、アルカリ金属化合物及び炭酸水素ナトリウムの混合水溶液から選ばれる少なくとも１種のアルカリ水溶液であることを特徴とするレジスト被膜の剥離液、
２、 珪酸塩水溶液が、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム及び珪酸ナトリウム水和物から選ばれる珪酸塩水溶液である上記の剥離液、
３、 アルミニウム系板上にアルカリ可溶性感エネルギー線性レジスト被膜を形成した後、目的とする画像が形成されるように露光を行い、次いで画像が形成されるように該レジスト被膜を弱アルカリ液で現像処理し、次いで露出したアルミニウム系板を、珪酸塩水溶液、アルカリ金属化合物及び炭酸水素ナトリウムの混合水溶液から選ばれる少なくとも１種のアルカリ水溶液で残存するレジスト被膜を剥離することを特徴とするアルミニウム板のエッチング方法、
４、 珪酸塩水溶液が、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム及び珪酸ナトリウム水和物から選ばれる珪酸塩水溶液である上記のエッチング方法、
５、 上記１又は２に記載の剥離液より得られたことを特徴とするアルミニウム系エッチング板、
６、 上記３又は４に記載のエッチング方法より得られたことを特徴とするアルミニウム系エッチング板に係る。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明剥離液は、アルミニウム系板上にアルカリ可溶性感エネルギー線性レジスト被膜を形成した後、目的とする画像が形成されるように露光を行い、次いで画像が形成されるように該レジスト被膜を弱アルカリ液で現像処理し、次いで露出したアルミニウム系板を、エッチング液でエッチングして除去し、さらに残存するレジスト被膜を剥離するために使用する剥離液である。
【００１０】
該アルミニウム系板としては、例えば、アルミニウム板、アルミニウム基板、ガラスーエポキシ板、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムやプラスチック板、アルミニウム以外の金属板の表面にアルミニウム箔をラミネートさせたアルミニウムラミネート板、や上記したプラスチックフィルムやプラスチック板、アルミニウム以外の金属板の表面にアルミニウムを真空蒸着、化学蒸着、メッキを行ったものなどが挙げられる。
【００１１】
アルカリ可溶性感エネルギー線性レジスト被膜としては、活性エネルギー線や熱線が照射された箇所が硬化もしくは分解することにより現像液による溶解性が異なり、それによりレジストパターン被膜を形成することができるものであれば、従来から公知のものを特に制限なしに使用することができる。
【００１２】
上記したものとしては、例えば、有機溶剤系ポジ型感光性樹脂組成物、有機溶剤系ネガ型感光性樹脂組成物、水性ポジ型感光性樹脂組成物、水性ネガ型感光性樹脂組成物等の液状レジスト感光性樹脂組成物；ポジ型感光性ドライフィルム、ネガ型感光性ドライフィルム等の感光性ドライフィルム；有機溶剤系ネガ型感熱性樹脂組成物、水性ネガ型感熱性樹脂組成物等の液状感熱性樹脂組成物；ネガ型感熱性ドライフィルムの感熱性ドライフィルム等が挙げられる。
【００１３】
露光としては、光線としては、例えば紫外線、可視光線、レーザー光（近赤外線、可視光レーザー、紫外線レーザー等）が挙げられる。その照射量は、通常０．５〜２０００ｍｊ／ｃｍ２、好ましくは１〜１０００ｍｊ／ｃｍ２の範囲内が好ましい。また、光線の照射源としては、従来から使用されているもの、例えば、超高圧、高圧、中圧、低圧の水銀灯、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライド灯、蛍光灯、タングステン灯、太陽光等の各光源により得られる光源や紫外カットフィルターによりカットした可視領域の光線や、可視領域に発振線を持つ各種レーザー等が使用できる。高出力で安定なレーザー光源として、アルゴンイオンレーザー（４８８ｎｍ）、あるいはＹＡＧレーザーの第二高調波（５３２ｎｍ）が好ましい。
【００１４】
画像の形成は、アルミニウム系基板上に形成されたアルカリ可溶性感エネルギー線性レジスト被膜表面に所望のレジスト被膜（画像）が得られるようにレーザー光線で直接もしくは光線でネガマスクを通して露光することができる。
【００１５】
現像処理としては、通常、炭酸ソーダー、アンモニア、アミン等を水に希釈した弱アルカリ水溶液が使用される。
【００１６】
現像処理により露出したアルミニウム系板は、例えば、リン酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸、弗化水素酸、塩化第二鉄、弗酸、クロム酸、これらの酸から選ばれる２種以上の混合物などの酸性のエッチング液より除去される。
【００１７】
本発明剥離液は、上記エッチングされたアルミニウム系板表面に残存するレジスト被膜を剥離するための剥離液である。
【００１８】
該剥離液は、珪酸塩水溶液、アルカリ金属化合物及び炭酸水素ナトリウムの混合水溶液から選ばれる少なくとも１種のアルカリ水溶液である。
【００１９】
また、珪酸塩水溶液として、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム及び珪酸ナトリウム水和物から選ばれる珪酸塩水溶液が好ましい。
【００２０】
上記アルカリ金属化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好ましい。
【００２１】
レジスト被膜を剥離する際に使用される剥離液の濃度は、０．５〜２０重量％、好ましくは１〜１０重量％である。濃度が０．５重量％未満になると剥離が遅くなり生産性が低下し、一方、２０重量％を超えるとアルミニウム系板が溶解するので繊細な画像が形成できない。
【００２２】
レジスト被膜を剥離する際に使用される剥離液の温度は、２０℃〜８０℃、好ましくは３０〜５０℃である。温度が２０℃未満になると剥離が遅くなり生産性が低下し、一方、８０℃を超えるとアルミニウム系板が溶解し易くなるので繊細な画像が形成できない。
【００２３】
また、アルカリ金属化合物と炭酸水素ナトリウムの混合物を剥離液として使用する場合には、液温２０℃〜８０℃でｐＨを１１〜７．５更に好ましくは液温３０℃〜５０℃でｐＨ１０〜９に調整したものを使用することが、アルミニウム系板の溶解を防止しつつレジスト被膜の剥離が容易に行えるので、この範囲内で使用することが好ましい。
【００２４】
本発明エッチング方法は、アルミニウム系板上にアルカリ可溶性感エネルギー線性レジスト被膜を形成した後、目的とする画像が形成されるように露光を行い、次いで画像が形成されるように該レジスト被膜を弱アルカリ液で現像処理し、次いで露出したアルミニウム系板を、珪酸塩水溶液、アルカリ金属化合物及び炭酸水素ナトリウムの混合水溶液から選ばれる少なくとも１種のアルカリ水溶液で残存するレジスト被膜を剥離するアルミニウム板のエッチング方法である。
【００２５】
本発明エッチング方法において、アルミニウム系板上にアルカリ可溶性感エネルギー線性レジスト被膜を形成した後、目的とする画像が形成されるように露光を行い、次いで画像が形成されるように該レジスト被膜を弱アルカリ液で現像処理し、次いで露出したアルミニウム系板上に残存するレジスト被膜をアルカリ水溶液により剥離する工程は、従来から公知の工程である。この様な工程は例えば、本発明剥離液に記載した工程が挙げられる。
【００２６】
本発明エッチング方法において、剥離液は、珪酸塩水溶液、アルカリ金属化合物及び炭酸水素ナトリウムの混合水溶液から選ばれる少なくとも１種のものであり、そして珪酸塩水溶液として、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム及び珪酸ナトリウム水和物から選ばれる珪酸塩水溶液である。
【００２７】
本発明エッチング方法において、レジスト被膜を剥離する際に使用される剥離液の濃度、温度、アルカリ金属化合物と炭酸水素ナトリウムの混合物を剥離液として使用する場合の液温、ｐＨなどについては、本発明剥離液に記載した条件が好ましい。
【００２８】
本発明アルミニウム系エッチング板は、本発明剥離液を使用して得られたアルミニウム系エッチング板である。
【００２９】
また、本発明アルミニウム系エッチング板は、本発明エッチング方法により得られたアルミニウム系エッチング板である。
【００３０】
本発明アルミニウム系エッチング板は、回路基板、刷板材、電極、レリーフ像作製材など幅広い用途への使用が可能である。
【００３１】
【発明の効果】
本発明で使用されるレジスト被膜の剥離液である、珪酸塩水溶液、アルカリ金属化合物及び炭酸水素ナトリウムの混合水溶液は、回路などの画像を形成したレジスト被膜を容易に剥離することができ、しかも、レジスト被膜を剥離する際に、該剥離液とアルミニウム系板とが必然的に接触するが、アルミニウム系板に対する剥離液の溶解性が小さいので、エッチングにより形成された画像に悪影響を及ぼさないので繊細な画像が形成できる。
【００３２】
アルミニウム系板用として使用される本発明の剥離液は、従来全く知られておらず、そしてそれを使用することにより繊細な画像が形成できるといった顕著な効果を発揮するものである。
【００３３】
【実施例】
実施例１
ゾンネＥＤＵＶ Ｎｏ．３７６（関西ペイント株式会社、商品名、製アニオン電着液、以下同様の意味を表す。）をアルミニウム蒸着ガラス板（１００×１５０×１．５ｍｍ）を陽極とし、浴温２５℃でアルミニウム蒸着ガラス板に対し５０ｍＡ／ｄｍ２の直流電流を３分間通電して電着塗装した。この時の最大電圧は８０Ｖであった。この塗膜を水洗、風乾して２０μｍ厚の平滑な感光膜を得た。この塗膜を水洗し８０℃で１０分間乾燥した。次に室温２２℃でネガフィルムを真空装置でこの塗板と密着させ、３Ｋｗの超高圧水銀灯を用いてフォトマスク（長さ３０ｍｍ、太さ５０μｍの独立細線１０本が形成できるもの）を介して両面とも紫外線（以下、ＵＶと略す）照射した後２５℃、１％の炭酸ソーダ水溶液で現像したアルミニウム蒸着ガラス板を、エッチング水溶液（リン酸成分として７３重量％、酢酸成分として１０重量％、硝酸成分として２％、水１５％、５０℃、ｐＨ０．１、以下同様の組成物を示す。）に浸漬しアルミニウムをエッチング処理した。ついで水洗した後５０℃、２重量％の珪酸ナトリウム９水和物（ Ｎａ２ＳｉＯ２・９Ｈ２Ｏ）水溶液で硬化膜を除去し、回路板を得た。
【００３４】
実施例２
ゾンネＥＤＵＶ Ｎｏ．３７６をアルミニウム蒸着ガラス板（１００×１５０×１．５ｍｍ）を陽極とし、浴温２５℃でアルミニウム蒸着ガラス板に対し５０ｍＡ／ｄｍ２の直流電流を３分間通電して電着塗装した。この時の最大電圧は８０Ｖであった。この塗膜を水洗、風乾して２０μｍ厚の平滑な感光膜を得た。この塗膜を水洗し８０℃で１０分間乾燥した。次に室温２２℃でネガフィルムを真空装置でこの塗板と密着させ、３Ｋｗの超高圧水銀灯を用いて、実施例１と同じフォトマスクを介して両面とも紫外線（以下、ＵＶと略す）照射した後２５℃、１％の炭酸ソーダ水溶液で現像したアルミニウム蒸着ガラス板を、エッチング水溶液に浸漬しアルミニウムをエッチング処理した。ついで水洗した後５０℃、２８重量％の珪酸カリウム水溶液を２％になるように水道水で希釈したもので、硬化膜を除去し、回路板を得た。
【００３５】
実施例３
ＥＤＵＶ Ｎｏ．３７６をアルミニウム蒸着ガラス板（１００×１５０×１．５ｍｍ）を陽極とし、浴温２５℃でアルミニウム蒸着ガラス板に対し５０ｍＡ／ｄｍ２の直流電流を３分間通電して電着塗装した。この時の最大電圧は８０Ｖであった。この塗膜を水洗、風乾して２０μｍ厚の平滑な感光膜を得た。この塗膜を水洗し８０℃で１０分間乾燥した。次に室温２２℃でネガフィルムを真空装置でこの塗板と密着させ、３Ｋｗの超高圧水銀灯を用いて，上記と同様のフォトマスクを介して両面とも紫外線（以下、ＵＶと略す）照射した後２５℃、１重量％の炭酸ソーダ水溶液で現像したアルミニウム蒸着ガラス板を、エッチング水溶液に浸漬しアルミニウムをエッチング処理した。ついで水洗した後５０℃、１重量％の苛性ソーダ（ＮａＯＨ）水溶液に炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ３）を混入しｐＨを８．９にした水溶液で硬化膜を除去し、回路板を得た。
【００３６】
比較例１
実施例１において、２重量％の珪酸ナトリウム９水和物に代えて、１重量％カセイソーダ水溶液を使用した以外は実施例１と同様にして回路板を得た。
【００３７】
実施例及び比較例の試験結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
試験結果の評価方法
実施例及び比較例で得られた回路板の、長さ３０ｍｍ、太さ５０μｍの独立細線１０本中の断線本数とピンホールの個数を測定した。
【００４０】
断線本数：独立細線を顕微鏡で観察して独立細線が溶解して断線している本数を数えた。１本でも断線しているものは劣る。
【００４１】
ピンホール：独立細線を顕微鏡で観察して回路の断線には至らないが、回路の一部に溶解によるピンホールを発生して独立細線が更に細くなっている本数を数えた。１本でもピンホールが生じているものは劣る。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a stripping solution, an etching method, and an aluminum-based etching plate.
[0002]
[Prior art and its problems]
Conventionally, printed wiring photoresists that can be developed on the surface of a copper-clad laminate and can form a uniform film excellent in ultraviolet curability using a coating film obtained by a photosensitive paint have been obtained. (For example, see Patent Document 1).
[0003]
Patent Document 1 discloses (1) a step of forming a photosensitive resin film for a photoresist according to claim 1 on a substrate, and (2) a step of forming a photosensitive resin film for a photoresist formed on the substrate. A step of sensitizing the resist film formed in the above step (2) with an alkali developing treatment by directly exposing with a laser beam or through a negative mask through a negative mask so as to obtain a desired resist film (image); Forming a resist pattern. It is described that in the pattern forming method, the resist film is removed by a strong alkali such as sodium hydroxide or a solvent such as methylene chloride.
[0004]
However, when manufacturing a circuit using an aluminum-based board, it is difficult to manufacture a circuit board because the aluminum base material is dissolved when peeled off by a strong alkali.
[0005]
An object of the present invention is to apply a resist film stripper, an etching method, and an etching plate suitable for an aluminum-based plate.
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2001-33959 A
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies to find technical means for solving the above-mentioned problems, and as a result, have found that by using a specific stripping solution, all conventional problems can be solved. The present invention has been completed.
[0008]
Thus, according to the present invention,
1. After forming an alkali-soluble energy-sensitive radiation-sensitive resist film on an aluminum-based plate, perform exposure so that a desired image is formed, and then develop the resist film with a weak alkaline solution so that an image is formed. A stripping solution used to remove the exposed aluminum-based plate by etching with an etching solution, and further to strip the remaining resist film, comprising a silicate aqueous solution, an alkali metal compound and sodium hydrogen carbonate. A resist film stripping solution characterized by being at least one kind of alkaline aqueous solution selected from a mixed aqueous solution,
2. The above-mentioned stripping solution, wherein the aqueous silicate solution is an aqueous silicate solution selected from sodium silicate, potassium silicate and sodium silicate hydrate;
3. After forming an alkali-soluble energy-sensitive radiation-sensitive resist film on an aluminum-based plate, perform exposure so that a desired image is formed, and then develop the resist film with a weak alkaline solution so that an image is formed. Treating, and then exposing the exposed aluminum-based plate, removing the remaining resist film with at least one alkali aqueous solution selected from a mixed aqueous solution of a silicate aqueous solution, an alkali metal compound and sodium hydrogen carbonate. Etching method,
4. The above etching method, wherein the aqueous silicate solution is an aqueous silicate solution selected from sodium silicate, potassium silicate and sodium silicate hydrate;
5. An aluminum-based etching plate obtained from the stripping solution according to 1 or 2 above,
6. An aluminum-based etching plate obtained by the etching method described in 3 or 4 above.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The stripping solution of the present invention is obtained by forming an alkali-soluble energy-sensitive radiation-sensitive resist film on an aluminum-based plate, performing exposure so that a desired image is formed, and then weakening the resist film so that an image is formed. A stripping solution used for developing with an alkali solution, removing the exposed aluminum-based plate by etching with an etchant, and stripping the remaining resist film.
[0010]
Examples of the aluminum-based plate include an aluminum plate, an aluminum substrate, a glass-epoxy plate, a plastic film such as a polyethylene terephthalate film and a polyimide film, a plastic plate, and an aluminum laminate obtained by laminating an aluminum foil on a surface of a metal plate other than aluminum. Examples thereof include those obtained by subjecting aluminum to vacuum evaporation, chemical vapor deposition, and plating on the surface of a plate, the above-described plastic film, the plastic plate, or a metal plate other than aluminum.
[0011]
As the alkali-soluble energy-sensitive resist film, if the active energy ray or the heat ray is irradiated, the solubility in the developer is different due to curing or decomposition, so that a resist pattern film can be formed. Conventionally known ones can be used without any particular limitation.
[0012]
Examples of the above include, for example, liquids such as an organic solvent-based positive photosensitive resin composition, an organic solvent-based negative photosensitive resin composition, an aqueous positive photosensitive resin composition, and an aqueous negative photosensitive resin composition. Resist photosensitive resin composition; photosensitive dry film such as positive photosensitive dry film and negative photosensitive dry film; liquid heat sensitivity such as organic solvent-based negative thermosensitive resin composition and aqueous negative thermosensitive resin composition Heat-sensitive dry film such as a negative-type heat-sensitive dry film.
[0013]
As the light beam for the exposure, for example, ultraviolet light, visible light, laser light (near infrared, visible light laser, ultraviolet laser, etc.) can be mentioned. The irradiation amount is usually in the range of 0.5 to 2000 mj / cm 2 , preferably 1 to 1000 mj / cm 2 . Further, as a light irradiation source, those conventionally used, for example, ultra-high pressure, high pressure, medium pressure, low pressure mercury lamp, chemical lamp, carbon arc lamp, xenon lamp, metal halide lamp, fluorescent lamp, tungsten lamp, A light source obtained from each light source such as sunlight, a light beam in the visible region cut by an ultraviolet cut filter, various lasers having an oscillation line in the visible region, and the like can be used. As a high-output and stable laser light source, an argon ion laser (488 nm) or a second harmonic (532 nm) of a YAG laser is preferable.
[0014]
The image can be formed by exposing the surface of the alkali-soluble energy-sensitive resist film formed on the aluminum-based substrate with a laser beam directly or through a negative mask with a laser beam so as to obtain a desired resist film (image).
[0015]
As the developing treatment, a weak alkaline aqueous solution obtained by diluting sodium carbonate, ammonia, an amine or the like in water is usually used.
[0016]
The aluminum-based plate exposed by the development treatment is, for example, phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, ferric chloride, hydrofluoric acid, chromic acid, or a mixture of two or more of these acids And so on.
[0017]
The stripping solution of the present invention is a stripping solution for stripping the resist film remaining on the etched aluminum-based plate surface.
[0018]
The stripping solution is at least one kind of alkali aqueous solution selected from a silicate aqueous solution, a mixed aqueous solution of an alkali metal compound and sodium hydrogen carbonate.
[0019]
Further, as the aqueous silicate solution, an aqueous silicate solution selected from sodium silicate, potassium silicate and sodium silicate hydrate is preferable.
[0020]
As the alkali metal compound, sodium hydroxide and potassium hydroxide are preferable.
[0021]
The concentration of the stripping solution used for stripping the resist film is 0.5 to 20% by weight, preferably 1 to 10% by weight. When the concentration is less than 0.5% by weight, peeling is delayed and productivity is lowered. On the other hand, when the concentration is more than 20% by weight, a delicate image cannot be formed since the aluminum-based plate is dissolved.
[0022]
The temperature of the stripping solution used for stripping the resist film is from 20C to 80C, preferably from 30C to 50C. When the temperature is lower than 20 ° C., the peeling is delayed and the productivity is lowered. On the other hand, when the temperature is higher than 80 ° C., the delicate image cannot be formed because the aluminum-based plate is easily dissolved.
[0023]
When a mixture of an alkali metal compound and sodium hydrogen carbonate is used as a stripping solution, the pH is adjusted to 11 to 7.5 at a liquid temperature of 20 to 80 ° C, and more preferably to a pH of 10 to 9 at a liquid temperature of 30 to 50 ° C. It is preferable to use within this range since the resist film can be easily peeled off while preventing dissolution of the aluminum-based plate.
[0024]
In the etching method of the present invention, after forming an alkali-soluble energy-sensitive radiation-sensitive resist film on an aluminum-based plate, exposure is performed so that a desired image is formed, and then the resist film is weakened so that an image is formed. Developing with an alkaline solution, and then etching the exposed aluminum plate to remove the remaining resist film with at least one alkaline aqueous solution selected from an aqueous solution of a silicate, an alkali metal compound and sodium hydrogen carbonate. Is the way.
[0025]
In the etching method of the present invention, after forming an alkali-soluble energy-sensitive radiation-sensitive resist film on an aluminum-based plate, exposure is performed so that a desired image is formed, and then the resist film is weakened so that an image is formed. The step of developing with an alkaline solution and then removing the resist film remaining on the exposed aluminum-based plate with an aqueous alkaline solution is a conventionally known step. Such a step includes, for example, the steps described in the stripping solution of the present invention.
[0026]
In the etching method of the present invention, the stripping solution is at least one selected from an aqueous solution of a silicate, a mixed aqueous solution of an alkali metal compound and sodium hydrogen carbonate, and the aqueous solution of the silicate is sodium silicate, potassium silicate, and sodium silicate aqueous solution. It is a silicate aqueous solution selected from Japanese hydrates.
[0027]
In the etching method of the present invention, the concentration and temperature of the stripping solution used when stripping the resist film, the solution temperature and pH when a mixture of an alkali metal compound and sodium bicarbonate is used as the stripping solution are the same as those of the present invention. The conditions described for the stripper are preferred.
[0028]
The aluminum-based etching plate of the present invention is an aluminum-based etching plate obtained using the stripping solution of the present invention.
[0029]
The aluminum-based etching plate of the present invention is an aluminum-based etching plate obtained by the etching method of the present invention.
[0030]
The aluminum-based etching plate of the present invention can be used for a wide range of applications such as a circuit board, a printing plate material, an electrode, and a relief image forming material.
[0031]
【The invention's effect】
The stripping solution for the resist film used in the present invention, a silicate aqueous solution, a mixed aqueous solution of an alkali metal compound and sodium hydrogencarbonate can easily strip the resist film on which an image such as a circuit is formed, and When the resist film is stripped, the stripping solution and the aluminum-based plate inevitably come into contact with each other. However, since the solubility of the stripping solution in the aluminum-based plate is small, it does not adversely affect the image formed by etching, so it is delicate. Image can be formed.
[0032]
The stripping solution of the present invention used for an aluminum-based plate has not been known at all, and exhibits a remarkable effect that a delicate image can be formed by using it.
[0033]
【Example】
Example 1
Sonne EDUV No. 376 (trade name, manufactured by Kansai Paint Co., Ltd., anion electrodeposition solution, the same meaning hereinafter) is used as an anode on an aluminum-deposited glass plate (100 × 150 × 1.5 mm), and aluminum-deposited glass at a bath temperature of 25 ° C. A DC current of 50 mA / dm 2 was applied to the plate for 3 minutes to perform electrodeposition coating. The maximum voltage at this time was 80V. This coating film was washed with water and air-dried to obtain a smooth photosensitive film having a thickness of 20 μm. This coating film was washed with water and dried at 80 ° C. for 10 minutes. Next, a negative film is brought into close contact with this coated plate by a vacuum device at room temperature 22 ° C., and a 3 Kw ultra-high pressure mercury lamp is used to form both sides of a photomask (10 independent fine wires of 30 mm in length and 50 μm in thickness) through a photomask. After irradiating with ultraviolet rays (hereinafter abbreviated as UV), the aluminum-deposited glass plate developed with a 1% aqueous sodium carbonate solution at 25 ° C. is etched with an aqueous etching solution (73% by weight as a phosphoric acid component, 10% by weight as an acetic acid component, a nitric acid component). 2%, water 15%, 50 ° C., pH 0.1; the same composition is shown below.) To etch aluminum. Then 50 ° C. After washing with water to remove the cured film 2 wt% of sodium silicate nonahydrate (Na 2 SiO 2 · 9H 2 O) aqueous solution to obtain a circuit board.
[0034]
Example 2
Sonne EDUV No. 376 was subjected to electrodeposition coating by applying a direct current of 50 mA / dm 2 to the aluminum-deposited glass plate at a bath temperature of 25 ° C. for 3 minutes with an aluminum-deposited glass plate (100 × 150 × 1.5 mm) as an anode. The maximum voltage at this time was 80V. This coating film was washed with water and air-dried to obtain a smooth photosensitive film having a thickness of 20 μm. This coating film was washed with water and dried at 80 ° C. for 10 minutes. Next, at room temperature 22 ° C., a negative film was brought into close contact with the coated plate with a vacuum device, and both surfaces were irradiated with ultraviolet rays (hereinafter abbreviated as UV) through the same photomask as in Example 1 using an ultrahigh-pressure mercury lamp of 3 Kw. An aluminum-deposited glass plate developed with a 1% aqueous sodium carbonate solution at 25 ° C. was immersed in an etching aqueous solution to etch the aluminum. Then, after washing with water, a 28% by weight aqueous solution of potassium silicate was diluted with tap water to a concentration of 2% at 50 ° C., and the cured film was removed to obtain a circuit board.
[0035]
Example 3
EDUV No. 376 was subjected to electrodeposition coating by applying a direct current of 50 mA / dm 2 to the aluminum-deposited glass plate at a bath temperature of 25 ° C. for 3 minutes with an aluminum-deposited glass plate (100 × 150 × 1.5 mm) as an anode. The maximum voltage at this time was 80V. This coating film was washed with water and air-dried to obtain a smooth photosensitive film having a thickness of 20 μm. This coating film was washed with water and dried at 80 ° C. for 10 minutes. Next, a negative film is closely adhered to the coated plate by a vacuum device at room temperature 22 ° C., and both surfaces are irradiated with ultraviolet rays (hereinafter abbreviated as UV) through a photomask similar to the above using a 3 Kw ultra-high pressure mercury lamp. An aluminum-deposited glass plate developed with a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution was immersed in an aqueous etching solution to etch aluminum. After washing with water, the cured film was removed with an aqueous solution having a pH of 8.9 by mixing sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) with a 1% by weight aqueous solution of caustic soda (NaOH) at 50 ° C. to obtain a circuit board.
[0036]
Comparative Example 1
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 1% by weight aqueous solution of sodium hydroxide was used instead of 2% by weight of sodium silicate nonahydrate.
[0037]
Table 1 shows the test results of the examples and the comparative examples.
[0038]
[Table 1]
Evaluation Method of Test Results The number of broken wires and the number of pinholes in ten independent fine wires of 30 mm in length and 50 μm in thickness of the circuit boards obtained in Examples and Comparative Examples were measured.
[0040]
Number of broken wires: The number of independent fine wires dissolved and broken was counted by observing the independent fine wires with a microscope. One that is broken is inferior.
[0041]
Pinholes: Independent fine wires were observed with a microscope, but the circuit was not broken, but the number of independent fine wires that were further narrowed due to the occurrence of pinholes due to dissolution in a part of the circuit was counted. One having a pinhole is inferior.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003149237A JP2004354475A (en) | 2003-05-27 | 2003-05-27 | Stripping liquid for resist coating, method for etching aluminum plate, and aluminum etched plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003149237A JP2004354475A (en) | 2003-05-27 | 2003-05-27 | Stripping liquid for resist coating, method for etching aluminum plate, and aluminum etched plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004354475A true JP2004354475A (en) | 2004-12-16 |
Family
ID=34045405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003149237A Pending JP2004354475A (en) | 2003-05-27 | 2003-05-27 | Stripping liquid for resist coating, method for etching aluminum plate, and aluminum etched plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004354475A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011028146A (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Ishihara Chem Co Ltd | Resist removing agent |
-
2003
- 2003-05-27 JP JP2003149237A patent/JP2004354475A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011028146A (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Ishihara Chem Co Ltd | Resist removing agent |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3497188B2 (en) | Amphoteric composition | |
| JPH0212154A (en) | Removal of photoresist layer on metal conduction layer | |
| JP2006030999A (en) | Photosensitive resin laminate | |
| JPH09288358A (en) | Formation of conductor circuit | |
| JP2004214253A (en) | Method of forming metal pattern | |
| JP2004354475A (en) | Stripping liquid for resist coating, method for etching aluminum plate, and aluminum etched plate | |
| JPWO2020013107A1 (en) | Photosensitive resin composition, etching method and manufacturing method of resin structure | |
| JP2001242618A (en) | Pattern forming method | |
| JPH09311458A (en) | Forming method of resist pattern and production of print board | |
| JPS616827A (en) | Stripper of photoresist | |
| JP5639465B2 (en) | Method for producing metal pattern | |
| JP2015046519A (en) | Method for manufacturing circuit board | |
| JPS6151817A (en) | Aluminum electrode material for electrolytic condenser and method of producing same | |
| KR20130142739A (en) | Method for manufacturing of thin metal substrate and thin metal substrate using the same method | |
| JP2000156556A (en) | Method for forming resist layer on substrate having through hole part and production of printed wiring board | |
| JP3398410B2 (en) | Manufacturing method of printed wiring board | |
| JP2005266347A (en) | Resist pattern forming method and circuit forming method | |
| GB2117670A (en) | Method for forming a cured resin coating having a desired pattern on the surface of a substrate | |
| JPS636070A (en) | Positive photosensitive electrodeposition coating | |
| JPH06289611A (en) | Photopolymerizable composition | |
| JPH06104554A (en) | Manufacture of electric-circuit trace | |
| JPH03192792A (en) | Manufacture of printed wiring board | |
| JP5455696B2 (en) | Dry film resist thinning method | |
| JPS63142892A (en) | Manufacture of printed wiring board | |
| JPH06326464A (en) | Manufacture of metal base printed wiring board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20081010 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081021 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090407 |