JP2004351607A - 構造物放出のための構造体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】構造物エッチング操作に要する時間を格別に短縮することができ、また光学干渉型ディスプレイのスループットを増加させることができる、光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体及び製造法を提供する。
【解決手段】光学干渉型ディスプレイセル構造物は、第一電極と第二電極および少なくとも１枚の支持体を包む。この第二電極３０１は、少なくとも１個の孔３０６を有し、第一電極とほぼ平行に配置されている。支持体は、第一電極と第二電極との間に位置しており、空隙３１２を形成している。孔３０６を通してエッチング剤を通し、これにより第一電極と第二電極との間に存在する犠牲層をエッチングし、空隙を形成する。
【選択図】図５Ａ

Description

（発明の分野）
本発明は、構造物放出のための構造体（structure of a structure release）およびその製造方法に関し、さらに特に本発明は干渉型ディスプレイセルに適する構造物放出のための構造体およびその製造方法に関する。

（発明の背景）
ミクロ電気機械システム（micro electro mechanical system）（ＭＥＭＳ）において、犠牲層技術（sacrificial layer technique）の開発は、数種の名前を挙げると、片持ばり、ビーム、膜、チャンネル、空洞、継手またはヒンジ、リンク、クランク、ギアまたはラックなどの吊下げ型構造物（suspended structure）製造にとって鍵となる因子になっている。構造物放出エッチング法（structure release etching process）は、犠牲層の分離に適しており、従ってミクロ電気機械システムにおける構造物放出のための構造体は犠牲層の分離方法に対し大きな影響を及ぼす。

慣用の構造物放出エッチング法は、一例として、干渉型ディスプレイセルに最初に導入された。ミクロ電気機械システムの一種である干渉型ディスプレイセルは、プレーナディスプレイの構築に用いられる。これらが軽量であり、また小型であることから、プレーナディスプレイは、携帯型ディスプレイデバイスおよび空間制限型ディスプレイ市場で格別の卓越性を有している。現時点まで、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機電気発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）およびプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に加えて、光学干渉型ディスプレイの形式は、プレーナディスプレイのもう一つの選択肢である。

従来技術は、プレーナディスプレイに使用することができる可視光線ディスプレイセル列を開示している（特許文献１参照）。図１を参照すると、図１には、慣用のディスプレイセルの横断面が示されている。
全部の光学干渉型ディスプレイセル１００は、２枚の壁部、壁部１０２および壁部１０４を有する。壁部１０２および壁部１０４は、支持体１０６により支持されており、従って壁部１０２、壁部１０４および支持体１０６の間には空洞１０８が形成される。

壁部１０２と壁部１０４との間の距離、すなわち空洞１０８の長さは、Ｄである。壁部１０２または壁部１０４のどちらかは、可視光線を部分的に吸収する吸収率を備えた半透過性／半反射性層であり、また他方の層は電圧が印加されると、変形可能である光反射層である。入射光が入射光の全可視光線スペクトルの波長（λ）で空洞１０８に向かって壁部１０２または壁部１０４を通過すると、式１．１に相当する波長λ₁を有する可視光線のみが建設的干渉（constructive interference）を発現することができ、発射される：
２Ｄ＝Ｎλ （１．１）
ここで、Ｎは自然数である。

空洞１０８の長さＤが、いずれかの自然数の倍数の波長に等しい長さから半分までの長さである場合、建設的干渉が発生し、鋭い光波長が発射される。換言すれば、観察者が入射光の方向に従う場合、波長λ₁を有する反射光を見ることができる。この場合、光学干渉型ディスプレイセル１００は、「オープン」（“open”）である。

図２は、電圧印加後における慣用のディスプレイセルの横断面を示している。図２を参照すると、電圧により駆動されると、壁部１０４が変形し、静電気の引力によって壁部１０２に向かって倒れる。この時点で、壁部１０２と壁部１０４との間の距離、すなわち空洞１０８の長さは、正確にはゼロに等しくなく、ｄであるが、このｄはゼロに等しいこともできる。式１．１中のＤをｄで置き換えると、入射光の全可視光線スペクトルの波長λ中で式１．１を満たす波長λ₂を有する可視光線のみが建設的干渉を発生させることができ、これは壁部１０４により反射され、次いで壁部１０２を通過する。壁部１０２は波長λ₂を有する光に対し高い光吸収率を有することから、可視光線スペクトルの全入射光が濾別され、入射光の方向に従う観察者は可視光線スペクトル中のいずれの反射光も見ることはできない。この場合、この光学干渉型ディスプレイセル１００は、「クローズド」（“closed”）である。

図３Ａおよび図３Ｂは、慣用のディスプレイセルの製造方法を例示している。図３Ａを参照すると、第一電極１１０および犠牲層１１１が透明基板１０９上に順に形成されており、そこに支持体を形成するのに適する開口部１１２が第一電極１１０および犠牲層１１１に形成されている。従って、支持体１０６は開口部１１２に形成される。次いで、電極１１４が犠牲層１１１および支持体１０６上に形成される。引き続き、図３Ｂを参照すると、図３Ａに示されている犠牲層１１１が放出エッチング操作により分離され、空洞１１６が形成される。この空洞１１６は犠牲層１１１の場所に位置し、またこの空洞１１６の長さＤは犠牲層１１１の厚さである。

ミクロ電気機械法において、微小吊下げ型構造物は、犠牲層を用いることによって構築される。吊下げ型の移動性微小構造物は、デバイス構造層と犠牲層との間を選択的にエッチングし、犠牲層を分離し、構造層を残すことによって構築され、この方法は構造物放出エッチングと称される。構造物放出エッチング法とＩＣ法との相違点は、構造物放出エッチング法では、選択的エッチングがアイソトロピックエッチングであり、これによりアンダーカットまたはアンダーエッチングが構造層に形成され、基板と構造層とが容易に分離される点にある。

最も一般的な構造物放出エッチング法は、湿式構造物放出法である。この湿式構造物放出法では通常、すすぎ工程および乾燥工程をエッチング後に行わなければならず、また微小構造物は基板上に実質的に吊り下げられている。しかしながら、構造物放出エッチング操作中に、構造物と基板とは全く容易に一緒に粘着し、これによりデバイスの損傷が生じる。エッチング剤としてキセノンジフルオライド（ＸｅＦ₂）を用いる乾式エッチング法は湿式エッチング法で生じる問題の解決に使用することができる。

キセノンジフルオライドは常温および常圧で固体状態であり、低圧で気体状態に昇華する。キセノンジフルオライドはシリコン材料、例えば単結晶シリコン、ポリシリコンおよび無定形シリコン、および数種の金属、例えばモリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金などに対し格別のエッチング選択性を有する。キセノンは不活性気体であり、またキセノンジフルオライドは全く不安定である。キセノンジフルオライドのエッチングメカニズムは、２個のフッ素フリーラディカルがキセノンによって反応位置にもたらされ、またキセノンジフルオライドがエッチングされる材料と接触した場合、キセノンジフルオライドは分解され、その２個のフッ素フリーラディカルが放出される。キセノンジフルオライドのアイソトロピックエッチング作用は大きいことから、キセノンジフルオライドはラテラルエッチングに優れた能力を有する。ミクロ電気機械システム法では、キセノンジフルオライドがエッチング剤として用いられ、構造物放出エッチング操作で犠牲層を分離する。

図４を参照すると、図４は慣用の光学干渉型ディスプレイセルの最上面を示している。この光学干渉型ディスプレイセル２００は、点線２０２１により定められているような光学干渉型ディスプレイセル２００の裏側の２面上に位置している分離構造体２０２および光学干渉型ディスプレイセル２００の他の裏側の２面上に位置している支持体２０４を包含する。分離構造体２０２および支持体２０４は、２個の電極間に位置している。支持体２０４と支持体２０４および分離構造体２０２との間には空隙が存在する。気体状キセノンジフルオライドは、この空隙に侵入し、犠牲層をエッチングする（図４には示されていない）。気体状キセノンジフルオライドをエッチング剤として用いる構造物放出エッチング操作の速度は、エッチングしようとする犠牲層の種々の材料により変化する。代表的に、このエッチング速度は１０マイクロメータ／分よりも速いことができ、或る種の材料の場合、２０〜３０マイクロメータ／分までであることもできる。現在の大きさの光学干渉型ディスプレイセルの場合、１回の構造物放出エッチング操作は数秒〜３分を要するのみである。

気体状キセノンジフルオライドをエッチング剤として用いて行われる構造物放出エッチング法は、前記の利点を有するが、キセノンそれ自体の特性から、このような構造物放出エッチング法は非常に高価であるという欠点を有する。キセノンジフルオライドは高価であり、また水分に対し特に敏感であって、不安定である。キセノンジフルオライドは水分と接触すると、フッ化水素を生成する。フッ化水素は有害であるばかりでなく、またエッチング効率を減少させる。これに加えて、エッチング剤としてキセノンジフルオライドを用いて行われる構造物放出エッチング法は、半導体製造および代表的プレーナディスプレイ製造では稀であり、半導体製造および液晶ディスプレイ製造に共通して開発されたエッチング法はキセノンジフルオライドエッチング剤を用いる構造物放出エッチング法には不適である。半導体または代表的プレーナディスプレイで用いられる製造装置は、光学干渉型ディスプレイの主操作の大部分で連続的に使用することができるが、構造物放出エッチング法には、総合的に相違する装置デザインを必要とする。再編成し、統合するためには、この製造装置は光学干渉型ディスプレイの開発およびスループットに対し障害になるものと見なされる。
米国特許第５，８３５，２５５号明細書

本発明の課題は、構造物エッチング操作に要する時間を格別に短縮することができ、また光学干渉型ディスプレイのスループットを増加させることができる、光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体を提供することにある。
本発明のもう一つの課題は、構造物放出エッチングの実施にキセノンジフルオライド法を必要とせず、これにより製造装置の再編成および統合から生じる問題を回避することができる、光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体を提供することにある。
本発明のさらにもう一つの課題は、光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体に関連する構造物放出エッチング法を提供することにある。本構造物放出エッチング法では、フッ素ベースまたは塩素ベース、例えばＣＦ₄、ＢＣｌ₃、ＮＦ₃またはＳＦ₆などを包含するエッチング剤を構造物放出エッチングの実施にキセノンジフルオライドの代わりに使用することができ、これにより製造価格が減少される。
本発明のさらにもう一つの課題は、慣用のエッチング装置を使用することができ、これにより製造装置の再編成および統合から生じる問題を回避することができる光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体に関連する構造物放出エッチング法を提供することにある。

（発明の要旨）
キセノンジフルオライドエッチング剤を用いるエッチング装置の開発は、成熟しておらず、キセノンジフルオライドエッチング剤は光学干渉型ディスプレイの開発およびスループットについて欠点を有する。エッチング剤キセノンジフルオライドは高価であり、また不安定である。従って、半導体または代表的プレーナディスプレイに使用されるエッチング製造装置を適用し、構造物放出エッチング法を行うことができるならば、光学干渉型ディスプレイの製造装置を再編成し、統合することができ、また構造物放出エッチング法を安価に行うことができる。

代表的半導体またはプレーナディスプレイに用いられるエッチング装置は、構造物放出エッチング法で使用するには適していないという原因は、ラテラルエッチング用には容量が貧弱であり、また格別のエッチング物性を有するエッチング剤、例えば三フッ化窒素（ＮＦ₃）または六硫化フッ素（ＳＦ₆）を使用してさえも、エッチング速度は３マイクロメータ〜１０マイクロメータ／分のみであることにある。この速度は、エッチング剤としてキセノンジフルオライドを使用しても、数倍遅い。従って、これは光学干渉型ディスプレイのスループットにかかわる重大な欠点である。

上記本発明の課題に従い、本発明の好適態様の一つとして、ミクロ電気機械システムに本発明を如何に適用するかを説明する例として光学干渉型ディスプレイを取り上げる。光学干渉型ディスプレイセル構造物は、第一電極および第二電極を包含し、これら二個の電極は、これら２個の電極間に位置する支持体によって支持されている。第二電極上には、少なくとも１個の孔が配置されており、この孔は第二電極を通過し、第二電極下の犠牲層を露出する。第二電極に存在する孔を有するため、エッチングプラズマは、この孔を通って犠牲層をエッチングすることができ、これにより構造物放出エッチング操作が促進される。従って、慣用の半導体または代表的プレーナディスプレイ製造に適するフッ素ベースまたは塩素ベース、例えばＣＦ₄、ＢＣｌ₃、ＮＦ₃またはＳＦ₆などを包含するエッチング剤を用いるエッチング操作を使用し、光学干渉型ディスプレイセルの構造物放出エッチング操作を行うことができ、また構造物放出エッチング法の操作時間は、キセノンジフルオライド法の操作時間と同一基準にある。確実なこととして、フッ素ベースまたは塩素ベースを包含するエッチング剤を適用することができ、また混合し、犠牲層エッチング用のエッチング剤を形成することができる。

さらに、本発明は好ましくは、リモートプラズマ（remote plasma）を使用する。プラズマは、プラズマ発生器で最初に発生され、このプラズマの帯電部分の一部または全部が濾別された後、残されたプラズマであるリモートプラズマがチャンバーに送られ、反応が行われる。フリーラディカルは、このリモートプラズマの主要構成部分であり、このリモートプラズマのライフサイクルは長く、また犠牲層の構造物放出エッチングは効果的に行われる。加えて、フリーラディカルは帯電しておらず、また電場により容易に影響されない。従ってアイソトロピックエッチング作用は良好であって、ラテラルエッチングにとって有益である。

本発明による光学干渉型ディスプレイセル構造物およびその製造方法に従う場合、第二電極に存在する孔は構造物放出エッチングに要する時間を確実に短縮することができ、これにより慣用のエッチング法をキセノンジフルオライドエッチング法の代替法にすることが可能にされ、また製造装置の再編成および統合から生じる問題が回避される。リモートプラズマの使用は、エッチングプラズマのライフサイクルおよびプラズマのラテラルエッチング能力を増加し、構造物放出エッチング速度を加速し、構造物放出エッチングに要する時間を短縮し、また光学干渉型ディスプレイのスループットを増大する。

（図面の簡単な説明）
本発明によるこれらのおよび他の特徴、態様および利点は、添付図面を引用する好適態様にかかわる詳細な説明によってさらに充分に理解されるものと見なされる。

（好適態様の詳細な説明）
本発明によって提供される構造物放出のための構造体およびその製造方法の態様をさらに明確に示すために、ここで本発明の態様として、光学干渉型ディスプレイセル構造物およびその製造方法を取り上げ、本発明により開示された構造物放出のための構造体およびその製造方法をどのように適用するかについて説明し、また態様の記載に従う場合の本発明の利点をさらに説明する。

図５は、本発明の好適態様に従う光学干渉型ディスプレイセルの平面図を示している。図５を参照すると、光学干渉型ディスプレイセル３００は、電極３０１、点線３０２１により定められているような分離構造体（separation structure）３０２、および支持体３０４を包含する。分離構造体３０２は光学干渉型ディスプレイセル３００の相対する２面上に位置している。支持体３０４は光学干渉型ディスプレイセル３００の他方の相対する２面上に位置しており、また分離構造体３０２および支持体３０４は電極３０１ともう一つの電極（図５には示されていない）との間に位置する。電極３０１は少なくとも１個の孔を有し、この孔は電極３０１を貫通している。リモートプラズマを孔３０６中に効果的に拡散させることができるようにするために、孔３０６の径は１マイクロメータよりも小さいと好ましい。この孔３０６の径が大きくなるほど、エッチング時間は短縮されるが、より大きい孔は光学干渉型ディスプレイセル３００の分離に対し有益ではない。従って、孔３０６の径は１０マイクロメータよりも大きくないと好ましい。結論として、孔３０６の好適径は、約１マイクロメータ〜５マイクロメータである。支持体３０４間、および各支持体３０４と分離構造体３０２との間には空隙が存在し、エッチングプラズマはこの空隙および孔３０６を通過し、犠牲層（図５には示されていない）をエッチングする。

好適態様において、光学干渉型ディスプレイセル３００の大きさは、約５０マイクロメータ〜１００マイクロメータである。図４Ａは、図４に示されている構造体の横断線Ｉ−Ｉ´に沿った横断面図を示している。気体状キセノンジフルオライドは、支持体（図４Ａには示されていない）間、および支持体と分離構造体（図４Ａには示されていない）との間の空隙２０８を通り、矢印２０６により示されている方向に向かい犠牲層２１０をエッチングする。典型的に、気体状キセノンジフルオライドを用いる構造物放出エッチング操作の完了をほぼ数秒〜３分にする。しかしながら、気体状キセノンジフルオライドのエッチング速度はエッチングされる犠牲層の材料の相違により変化する。これに対して、慣用の方法は、約１０分〜２０分を要し、時には、構造物放出エッチングの実施に２０分以上を要する。

図５Ａは、図５に示されている構造体の横断線ＩＩ−ＩＩ´に沿った横断面を示している。例として図５に示されている光学干渉型ディスプレイセル３００を採用すると、エッチング剤から生成されるリモートプラズマがフッ素ベースまたは塩素ベース、例えばＣＦ₄、ＢＣｌ₃、ＮＦ₃またはＳＦ₆を包含し、これを使用して構造物放出エッチングを行う場合、このエッチングプラズマは支持体間（図５Ａには示されていない）および支持体と分離構造体との間（図５Ａには示されていない）の空隙３１２を浸透通過し、矢印３１０により指示されている方向に向かい、犠牲層３１４をエッチングする。しかしながら、このエッチングプラズマはまた、電極３０１に存在する孔３０６を浸透通過し、矢印３１６により指示されている方向に向かい、犠牲層３１４をエッチングする。構造物放出エッチング操作の完了には５分よりも短い時間を要し、典型的には、約１分〜３分を要する。

本発明により開示された光学干渉型ディスプレイセル構造体は慣用のエッチング法の導入を可能にする。すなわち、高価であり、また再編成および統合が容易ではないキセノンジフルオライドエッチング操作は不必要であり、これにより製造装置の再編成および統合から生じる問題を回避することができる。

図６Ａ〜図６Ｃは、本発明の好適態様に従う光学干渉型ディスプレイセル構造体の製造方法を示している。図６Ａを参照すると、第一電極４０２および犠牲層４０６を、透明基板４０１上に順に形成する。この犠牲層４０６の材料は透明材料、例えば誘電性材料、または不透明材料、例えば金属材料、ポリシリコンまたは無定形シリコンであることができる。この態様において、ポリシリコンを犠牲層４０６の材料として使用する。開口部４０８を、第一電極４０２および犠牲層４０６にフォトリトグラフ法により形成する。この開口部４０８はそこに支持体を形成するのに適している。

次いで、材料層４１０を、開口部４０８を満たして犠牲層４０６上に形成する。材料層４１０は支持体の形成に適しており、また第一材料層４１０は一般に、フォトレジストなどの感光性材料またはポリエステル、ポリアミドなどの非感光性材料から形成する。非感光性材料を材料層４１０の形成に使用する場合、材料層４１０に支持体を定めるために、フォトリトグラフエッチング操作が必要である。この態様において、感光性材料を材料層４１０の形成に使用すると、材料層４１０のパターン形成には、フォトリトグラフ操作が必要であるのみである。

図６Ｂを参照すると、支持体４１２はフォトリトグラフ法により材料層４１０におけるパターン形成によって定められる。次いで、犠牲層４０６および支持体４１２上に第二電極４０４を形成する。この第二電極は少なくとも１個の孔４１４を備えている。
引き続き、先駆体としてフッ素ベースまたは塩素ベース、例えばＣＦ₄、ＢＣｌ₃、ＮＦ₃またはＳＦ₆などを包含するエッチング剤を使用することによって、リモートプラズマを生成させ、犠牲層４０６をエッチングする。このリモートプラズマは支持体間の空隙（図６Ｂでは示されていない）を通過するばかりでなく、また孔４１４を通過して犠牲層４０６をエッチングし、これにより構造物放出エッチング操作によって犠牲層４０６が分離され、また図６Ｃに示されているような空洞４１６が形成される。

本発明において、支持体４１２の形成に適する材料は、ポジフォトレジスト、ネガフォトレジストおよび全部の種類のポリマー、例えばアクリル樹脂およびエポキシ樹脂を包含する。

この態様で開示されている光学干渉型ディスプレイセルの場合、少なくとも１個の孔を変形可能な電極に形成する。この孔の数は光学干渉型ディスプレイセルの大きさおよび孔の大きさに関連する。一例として、光学干渉型ディスプレイセルの大きさが、約５０マイクロメータ〜１００マイクロメータであり、また孔の径が１マイクロメータ〜５マイクロメータである場合、当該構造物放出エッチング操作を許容されるレベルにまで短縮するためには、４個〜１６個の孔が必要である。これに対し、光学干渉型ディスプレイセルの大きさが、５０マイクロメータよりも小さく、また孔の径が４マイクロメータよりも小さい場合、当該構造物放出エッチング操作を許容されるレベルにまで短縮するために必要な孔は１個のみであることができる。

変形可能電極に存在する孔は、構造物放出エッチング操作の時間を実質的に短縮することができ、従って半導体またはプレーナディスプレイ製造に適するエッチング法を光学干渉型ディスプレイセル構造体の構造物放出エッチングに適用することができ、これによりキセノンジフルオライドエッチング操作装置と別の溶着(deposition)操作装置とを再編成し、統合することから生じる問題が回避される。さらにまた、高価なキセノンジフルオライドエッチング剤を必要としないことから、製造価格を減少することができる。

当業者によって理解されるように、本発明の前記態様は本発明を制限するものではなく、むしろ本発明を説明するものである。本発明により開示された構造物放出のための構造体およびその製造方法は、種々の電気機械構造体システムに適用することができる。種々の修正および類似の配置が特許請求の範囲の精神および範囲内に包含されるものとする。本発明の範囲は最も広く解釈されるべきであり、従って本発明はこのような修正および類似構造体の全部を包含する。

慣用のディスプレイセルの横断面図。 電圧印加後の慣用のディスプレイセルの横断面図。 慣用のディスプレイセルの製造方法を示す図解図。 慣用のディスプレイセルの製造方法を示す図解図。 慣用の光学干渉型ディスプレイセルの最上面図。 図４に示されている構造体の横断線Ｉ−Ｉ´に沿った横断面図。 本発明の好適態様に従う光学干渉型ディスプレイセルの最上面図。 図５に示されている円形内の横断線ＩＩ−ＩＩ´に沿った横断面の拡大図。 本発明の好適態様に従う光学干渉型ディスプレイセル構造体の製造方法を示す図解図。 本発明の好適態様に従う光学干渉型ディスプレイセル構造体の製造方法を示す図解図。 本発明の好適態様に従う光学干渉型ディスプレイセル構造体の製造方法を示す図解図。

符号の説明

１００ 光学干渉型ディスプレイセル
１０２ 壁部
１０４ 壁部
１０６ 支持体
１０８ 空洞
１０９ 透明基板
１１０ 第一電極
１１１ 犠牲層
１１２ 開口部
１１４ 電極
１１６ 空洞
Ｄ 厚さ
ｄ 厚さ

２００ 光学干渉型ディスプレイセル
２０２ 分離構造体
２０４ 支持体
２０６ 矢印
２０８ 空隙
２１０ 犠牲層
２０２１ 範囲を定める点線
３００ 光学干渉型ディスプレイセル
３０１ 電極
３０２ 分離構造体
３０４ 支持体
３０６ 孔
３０８ 一部分を示す円
３０２１ 範囲を定める点線
３１０ 矢印
３１２ 空隙
３１４ 犠牲層
３１６ 矢印

４０１ 透明基板
４０２ 第一電極
４０４ 第二電極
４０６ 犠牲層
４０８ 開口部
４１０ 材料層
４１２ 支持体
４１４ 孔
４１６ 空洞

Claims (11)

1. 光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体であって、
   第一電極；
   少なくとも１個の孔を有する第二電極であって、第一電極とほぼ平行に位置する第二電極；および
   第一電極と第二電極との間に位置する支持体；
   を包み、
   ここで、上記支持体、第一電極および第二電極の間には空洞が形成されており、また構造物放出エッチング法を使用し、第一電極と第二電極との間の犠牲層を分離して前記空洞を形成する場合、エッチング剤が前記孔を通過し前記犠牲層をエッチングし、これにより構造物放出エッチング法に要する時間が短縮される、
   上記構造物放出のための構造体。
2. 孔の径が約１マイクロメータ〜１０マイクロメータである、請求項１に記載の構造物放出のための構造体。
3. 構造物放出エッチング法がリモートプラズマエッチング法である、請求項１に記載の構造物放出のための構造体。
4. リモートプラズマエッチング法で生成されるリモートプラズマの先駆体がエッチング剤であり、このエッチング剤がフッ素ベースおよび塩素ベースからなる群から選択される、請求項３に記載の構造物放出のための構造体。
5. リモートプラズマエッチング法で生成されるリモートプラズマの先駆体が、ＣＦ₄、ＢＣｌ₃、ＮＦ₃、ＳＦ₆およびそのいずれかの組合せからなる群から選択される、請求項３に記載の構造物放出のための構造体。
6. 犠牲層の材料が、誘電性材料、金属材料およびシリコン材料からなる群から選択される、請求項１に記載の構造物放出のための構造体。
7. 基板上に配置されている光学干渉型ディスプレイセルの製造方法であって、
   基板上に第一電極を形成すること；
   第一電極上に犠牲層を形成すること；
   この犠牲層および第一電極に少なくとも２個の開口部を形成し、光学干渉型ディスプレイセルの位置を定めること；
   各開口部に支持体を形成すること；
   犠牲層および各開口部に位置する支持体上に第二電極を形成すること、ここで第二電極は少なくとも１個の孔を有し、この孔は犠牲層を露出させている；および
   リモートプラズマエッチング法により犠牲層を分離すること；
   を包む、光学干渉型ディスプレイセルの製造方法。
8. 孔の径が約１マイクロメータ〜１０マイクロメータである、請求項７に記載の光学干渉型ディスプレイセルの製造方法。
9. リモートプラズマエッチング法で生成されるリモートプラズマの先駆体がエッチング剤であり、このエッチング剤がフッ素ベースおよび塩素ベースからなる群から選択される、請求項７に記載の光学干渉型ディスプレイセルの製造方法。
10. リモートプラズマエッチング法で生成されるリモートプラズマの先駆体が、ＣＦ₄、ＢＣｌ₃、ＮＦ₃、ＳＦ₆およびそのいずれかの組合せからなる群から選択される、請求項７に記載の光学干渉型ディスプレイセルの製造方法。
11. 犠牲層の材料が、誘電性材料、金属材料およびシリコン材料からなる群から選択される、請求項７に記載の光学干渉型ディスプレイセルの製造方法。

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