JP2004346353A

JP2004346353A - 非晶質炭素被膜の成膜方法

Info

Publication number: JP2004346353A
Application number: JP2003142818A
Authority: JP
Inventors: Masaya Takahashi; 雅也高橋; Shizuka Yamaguchi; 静山口; Noboru Baba; 昇馬場
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2003-05-21
Filing date: 2003-05-21
Publication date: 2004-12-09

Abstract

【課題】本発明は、ＡｌまたはＡｌ基材を溶体化処理，窒化，Ｎｉ−Ｐめっきまたは
Ｎｉ−Ｐ系めっきを行う硬化・防食層の形成により、軽量でかつ耐荷重性，密着性，耐食性に優れた非晶質炭素被膜を提供することである。
【解決手段】中間層として無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、ＡｌまたはＡｌ合金に中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非晶質炭素被膜を軽量で汎用性の高いＡｌまたはＡｌ合金へ成膜する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、環境への負荷低減を目的に、製品の小型化・高性能化・高効率化が産業界へ要求されている。これらの要求に答える新しい表面改質技術として非晶質炭素被膜が注目されている。非晶質炭素被膜は、グラファイトとダイヤモンドからなり、特性は、非常に低フリクションな膜であり、また酸・アルカリに対しても化学的に安定である。非晶質炭素被膜は、一般的には、ＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）と表現されているが、その特性は、グラファイトとダイヤモンドの割合、水素含有量で異なる。また最近では、膜に金属をドープさせるＤＬＣ（Ｍｅ−ＤＬＣ）やイオンを注入するＤＬＣ、また窒化炭素膜等も開発されている。
【０００３】
一方、製品の軽量化も上記目的に有効であることから、ＡｌまたはＡｌ合金も注目されている。Ａｌは、軽量だけでなく、低融点金属であることからダイカストが可能であるため、工業的に汎用性が高い金属である。しかしＡｌまたはＡｌ合金は、金属のなかで標準電位が低い金属であるため、湿気のある雰囲気で、ほとんどの金属と接触させた場合、腐食する。また硬さが軟らかいため、摺動部材では、摩耗により、損耗する。そこで使用環境に応じて、耐食性，耐摩耗性等の機能性を付与する各種表面処理が適用されている。Ａｌの表面処理には、陽極酸化処理，化学酸化処理，金属めっき，非金属めっき等があり、それらは、特開
２００２−４７５５６号公報や特開２００１−２８０４９７号公報に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−４７５５６号公報
【特許文献２】
特開２００１−２８０４９７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特開２００２−４７５５６号公報には、Ａｌ合金基材を溶体化処理し、その後時効処理と非晶質炭素被膜コーティング処理を同時に行う成膜方法に関して記載されている。これにより、被膜とＡｌ合金基材の密着力を向上し、軽量かつ自己潤滑性の高い高品質な素材の供給，低コストな省エネルギー型プロセスが可能であると開示されている。
【０００６】
しかしながら、Ａｌ合金の硬さは、ビッカース硬さで８０〜１２０であり、硬質膜を成膜した場合、耐荷重性に劣る。非晶質炭素被膜の硬さは、ビッカース硬さで１０００〜８０００の硬い被膜であるため、被膜と被膜下の層との硬さの差が大きすぎるため、割れ，剥離等が生じやすく、密着性も劣る。さらに腐食雰囲気で使用する場合、非晶質炭素被膜にピンホールやクラックがあれば、基材の耐食性が劣る。
【０００７】
一方、特開２００１−２８０４９７号公報には、Ａｌ合金基材にガス窒化や、ＴｉＮ等のイオンプレーティングによる硬質膜を形成した後、その上に非晶質炭素被膜を形成することで、密着性に優れた非晶質炭素被膜コートシリンダに関して記載されている。しかしながら、ガス窒化層上に非晶質炭素被膜を成膜する場合は、ガス窒化を施した基材の耐食性が劣るため、腐食雰囲気では使用できない。またイオンプレーティング層上に非晶質炭素被膜を成膜する場合は、イオンプレーティングは、凹部，複雑形状，内孔面等には被膜が形成されにくく、均一な中間層形成が難しい。
【０００８】
以上のことから、ＡｌまたはＡｌ合金上に非晶質炭素被膜を成膜する場合、非晶質炭素被膜とＡｌまたはＡｌ合金の間に以下の特性を有する中間層が必要であることがわかる。１）耐荷重性の向上、深さ方向への硬さ分布の傾斜化が可能な硬質層であること。２）複雑な形状に均一に成膜できること。３）耐食性を有する防食層であること。これらの要求を満たす中間層として、無電解めっきによるＮｉ−Ｐめっき、またはＮｉ−Ｐ系めっきがある。
【０００９】
Ｎｉ−Ｐがめっきされるメカニズムは次のようである。めっき液中のニッケルイオンと還元剤である次亜リン酸イオンが接触すると、その基材が触媒となって脱水素分解を生じる。その生成した水素原子が、基材に吸着されて活性化し、これがめっき液中のニッケルイオンに接触してニッケルを金属に還元して触媒金属表面に析出する。また触媒金属表面の活性化した水素原子は、液中の次亜リン酸イオンとも反応し、含有するリンを還元してニッケルと合金化する。この析出したニッケルが触媒となって前述のニッケルの還元めっき反応が継続して進行する。すなわちニッケルの自己触媒作用によりめっきの継続進行する特徴がある。これにより、めっき液が流通する空隙があれば、均一にめっき被膜が形成され、まためっき被膜の厚さはめっき時間と比例しており、時間の制御で容易に管理される。さらにＤＭＡＢ（ジメチルアミンボタン）の併用で得られるＮｉ−Ｐ−Ｂや、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＣ，ＢＮ，ＭｏＳ_２，ＰＴＦＥ（四フッ化エチレン）等の微粒子やＦｅ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｗ等の金属元素をめっき液中に分散させ被膜中に共析させることで得られるＮｉ−Ｐ系めっきによって、高硬度化，耐摩耗性，耐食性等を向上させることができる。
【００１０】
本発明は、ＡｌまたはＡｌ基材を溶体化処理，窒化，Ｎｉ−Ｐめっきまたは
Ｎｉ−Ｐ系めっきを行う硬化・防食層の形成により、軽量でかつ耐荷重性，密着性，耐食性に優れた非晶質炭素被膜を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、中間層として無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、ＡｌまたはＡｌ合金に中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法にある。
【００１２】
また上記目的を達成するために、中間層として無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法にある。
【００１３】
また上記目的を達成するために、中間層として拡散層を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、中間層として拡散層を形成し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法にある。
【００１４】
また上記目的を達成するために、中間層として拡散層および無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、ＡｌまたはＡｌ合金に拡散層を形成後、無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法にある。
【００１５】
また上記目的を達成するために、中間層として拡散層および無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、拡散層を形成後、無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法にある。
【００１６】
また上記目的を達成するために、前記無電解めっき膜は、Ｎｉ−ＰめっきまたはＮｉ−Ｐ系めっきであることを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法にある。
【００１７】
また上記目的を達成するために、ＡｌまたはＡｌ合金に中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造にある。
【００１８】
また上記目的を達成するために、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造にある。
【００１９】
また上記目的を達成するために、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に中間層として拡散層を形成し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造にある。
【００２０】
また上記目的を達成するために、ＡｌまたはＡｌ合金に中間層として拡散層および無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造にある。
【００２１】
また上記目的を達成するために、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に中間層として拡散層および無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造にある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
〔実施例１〕
図１は、本発明により作製した膜構造１である。基材２は、Ａｌ合金（例えば、ＡＤＣ１２，７５Ｓ，Ａ５０５６等）、無電解めっき膜３は、Ｎｉ−Ｐめっき、非晶質炭素被膜４は、ＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）である。基材２はＡｌでもよく、無電解めっき膜３は、Ｎｉ−Ｐ系めっきでもよい。
【００２３】
基材２をニッケルイオンと次亜リン酸イオンが入っためっき液に、４０分浸漬し、１０μｍのＮｉ−Ｐめっきを作製した。それらを成膜装置にセットし、真空排気後、プラズマＣＶＤ法で１．５μｍのＤＬＣを成膜した。ここで、基材２は、Ａｌでも同様の効果が得られる。また無電解めっき膜３は、めっき液の成分を変化することで作製できるＮｉ−Ｐ系めっき（Ｎｉ−Ｐ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｐ−Ｗ，Ｎｉ−Ｐ−ＰＴＦＥ等の公知のＮｉ−Ｐ系めっき）でも同様の効果が得られる。さらに非晶質炭素被膜４は、公知であるＭｅ−ＤＬＣ，Ｃ_ｘＮ_ｙでも同様の効果が得られ、製法もイオン化蒸着法，マグネトロンスパッタリング，イオンプレーティングでも同様の効果が得られる。
【００２４】
この膜構造１の場合、非晶質炭素被膜４の成膜時において、無電解めっき膜３の熱処理と非晶質炭素被膜４の成膜とを同時に行うことができる。無電解めっき膜３の熱処理により以下の効果が得られる。１）無電解めっき膜３が結晶化し、硬さが向上し、耐荷重性が向上する。２）無電解めっき膜３と非晶質炭素被膜４との界面が活性化し、密着性が向上する。
【００２５】
図２は、膜構造１の硬さ分布を示す。無電解めっき膜３を設けることで、硬さ分布が階段状に傾斜化され、耐荷重性が向上する。
【００２６】
図３は、膜構造１の密着性を示す。無電解めっき膜３を設けることで、無電解めっき膜なしと比較して、密着性が約２倍向上する。
【００２７】
図４は、膜構造１の耐食性を示す。無電解めっき膜３を設けることで、無電解めっき膜なしと比較して、孔食電位が０．３Ｖ向上し、耐食性が向上する。
【００２８】
〔実施例２〕
図５は、本発明により作製した膜構造５である。基材２は、Ａｌ合金（例えば、ＡＤＣ１２，７５Ｓ，Ａ５０５６等）、無電解めっき膜３は、Ｎｉ−Ｐめっき、非晶質炭素被膜４は、ＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）である。
【００２９】
基材２を熱処理炉にセットし、溶体化処理を行い、基材６を作製した。以下、実施例１と同様に、Ｎｉ−Ｐめっき，ＤＬＣを作製し、耐荷重性，密着性，耐食性の評価を行った。この膜構造５の場合、ＤＬＣ成膜時において、Ｔ６過程等の溶体化処理後に行う時効処理とＤＬＣ成膜とを同時に行うことができる。過飽和固溶体温度以上に昇温させる溶体化処理後に時効処理により以下の効果が得られる。１）基材６の硬さが向上し、耐荷重性が向上する。２）基材６と無電解めっき膜３との界面が活性化し、密着性が向上する。
【００３０】
図６は、膜構造５の硬さ分布を示す。無電解めっき膜３を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、硬さ分布が実施例１と比較してさらに傾斜化され、耐荷重性が向上する。
【００３１】
図７は、膜構造５の密着性を示す。無電解めっき膜３を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、無電解めっき膜なしと比較して、密着性が約２．５倍向上する。
【００３２】
図８は、膜構造５の耐食性を示す。無電解めっき膜３を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、無電解めっき膜なしと比較して、孔食電位が０．３Ｖ向上し、耐食性が向上する。
【００３３】
〔実施例３〕
図９は、本発明により作製した膜構造７である。基材２は、Ａｌ合金（例えば、ＡＤＣ１２，７５Ｓ，Ａ５０５６等）、拡散層８は、イオン窒化層，非晶質炭素被膜４は、ＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）である。
【００３４】
基材２を熱処理炉にセットし、溶体化処理を行い、基材６を作製した。それらを拡散・成膜装置にセットし、真空排気後、イオン窒化でイオン窒化層を１０μｍ、プラズマＣＶＤ法で１．５μｍのＤＬＣを成膜した。ここで、拡散層８は、公知であるガス窒化，浸硫窒化，ラジカル窒化等でも同様の効果が得られる。以下、実施例１と同様に、耐荷重性，密着性，耐食性の評価を行った。
【００３５】
図１０は、膜構造７の硬さ分布を示す。拡散層８を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、硬さ分布がさらに傾斜化され、耐荷重性が向上する。
【００３６】
図１１は、膜構造７の密着性を示す。拡散層８を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、拡散層なしと比較して、密着性が約３倍向上する。
【００３７】
図１２は、膜構造７の耐食性を示す。拡散層８を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、拡散層なしと比較して、孔食電位が０．２Ｖ向上し、耐食性が向上する。
【００３８】
図１３は、拡散層８の層厚さの影響を示す。厚さが１５μｍ以上となると、
Ａｌと窒化Ａｌの熱膨張係数の差に起因して生じた歪みにより剥離が生じ、ＤＬＣが成膜できない。
【００３９】
〔実施例４〕
図１４は、本発明により作製した膜構造９である。基材２は、Ａｌ合金（例えば、ＡＤＣ１２，７５Ｓ，Ａ５０５６等）、拡散層８はイオン窒化層、無電解めっき膜３はＮｉ−Ｐめっき、非晶質炭素被膜４はＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）である。以下、実施例１〜３と同様に、拡散層８，無電解めっき膜３，非晶質炭素被膜４を作製し、耐荷重性，密着性，耐食性の評価を行った。
【００４０】
図１５は、膜構造９の硬さ分布を示す。無電解めっき膜３，拡散層８を設けることで、硬さ分布がさらに傾斜化され、耐荷重性が向上する。
【００４１】
図１６は、膜構造９の密着性を示す。無電解めっき膜３，拡散層８を設けることで、拡散層なしと比較して、密着性が約３．５倍向上する。
【００４２】
図１７は、膜構造９の耐食性を示す。無電解めっき膜３，拡散層８を設けることで、拡散層なしと比較して、孔食電位が０．５Ｖ向上し、耐食性が向上する。
【００４３】
〔実施例５〕
図１８は、本発明により作製した膜構造１０である。基材２は、Ａｌ合金（例えば、ＡＤＣ１２，７５Ｓ，Ａ５０５６等）、拡散層８は、イオン窒化層，無電解めっき膜３は、Ｎｉ−Ｐめっき、非晶質炭素被膜４は、ＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）である。以下、実施例１〜３と同様に基材６，拡散層８，無電解めっき膜３，非晶質炭素被膜４を作製し、耐荷重性，密着性，耐食性の評価を行った。
【００４４】
図１９は、膜構造１０の硬さ分布を示す。無電解めっき膜３，拡散層８を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、硬さ分布がさらに傾斜化され、耐荷重性が向上する。
【００４５】
図２０は、膜構造１０の密着性を示す。無電解めっき膜３，拡散層８を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、拡散層なしと比較して、密着性が約３．６倍向上する。
【００４６】
図２１は、膜構造１０の耐食性を示す。無電解めっき膜３，拡散層８を設けること、溶体化処理を行った基材６を用いることで、拡散層なしと比較して、孔食電位が０．５Ｖ向上し、耐食性が向上する。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、ＡｌまたはＡｌ基材を溶体化処理，窒化，Ｎｉ−ＰめっきまたはＮｉ−Ｐ系めっきを行う硬化・防食層の形成により、軽量でかつ耐荷重性，密着性，耐食性に優れた非晶質炭素被膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】膜構造を表す図。
【図２】膜構造の硬さ分布を表す図。
【図３】膜構造の密着性を表す図。
【図４】膜構造の耐食性を表す図。
【図５】膜構造を表す図。
【図６】膜構造の硬さ分布を表す図。
【図７】膜構造の密着性を表す図。
【図８】膜構造の耐食性を表す図。
【図９】膜構造を表す図。
【図１０】膜構造の硬さ分布を表す図。
【図１１】膜構造の密着性を表す図。
【図１２】膜構造の耐食性を表す図。
【図１３】拡散層の層厚さの影響を表す図。
【図１４】膜構造を表す図。
【図１５】膜構造の硬さ分布を表す図。
【図１６】膜構造の密着性を表す図。
【図１７】膜構造の耐食性を表す図。
【図１８】膜構造を表す図。
【図１９】膜構造の硬さ分布を表す図。
【図２０】膜構造の密着性を表す図。
【図２１】膜構造の耐食性を表す図。
【符号の説明】
１，５，７，９，１０…膜構造、２，６…基材、３…無電解めっき膜、４…非晶質炭素被膜、８…拡散層。

Claims

中間層として無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、ＡｌまたはＡｌ合金に中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法。
中間層として無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法。
中間層として拡散層を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、中間層として拡散層を形成し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法。
中間層として拡散層および無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、ＡｌまたはＡｌ合金に拡散層を形成後、無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法。
中間層として拡散層および無電解めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成する成膜方法において、溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、拡散層を形成後、無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする非晶質炭素被膜の成膜方法。
前記無電解めっき膜は、Ｎｉ−ＰめっきまたはＮｉ−Ｐ系めっきであることを特徴とする請求項１〜請求項５に記載の非晶質炭素被膜の成膜方法。
ＡｌまたはＡｌ合金に中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする請求項１〜６に記載の非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造。
溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に、中間層として無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする請求項１〜６に記載の非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造。
溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に中間層として拡散層を形成し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理を同時に行うことを特徴とする請求項１〜６に記載の非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造。
ＡｌまたはＡｌ合金に中間層として拡散層および無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする請求項１〜６に記載の非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造。
溶体化処理を施したＡｌまたはＡｌ合金に中間層として拡散層および無電解めっき膜を成膜し、その後、非晶質炭素被膜の成膜時に、基材の時効処理及び無電解めっき膜の熱処理を同時に行うことを特徴とする請求項１〜６に記載の非晶質炭素被膜を施したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造。
中間層としてＮｉ−Ｐめっき膜または、Ｎｉ−Ｐ系めっき膜を有するＡｌまたはＡｌ合金の表面に非晶質炭素被膜を形成したＡｌまたはＡｌ合金の膜構造。