【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機材料を発光材料として利用した注入型発光素子である有機発光素子の製造方法、及びその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ発光デバイスは各層から構成されるが、各層の成膜において、蒸着装置を用いて量産を行う場合、（特許文献１）に開示されているように、複数の処理室と共通搬送室に連通・遮断可能に連結したクラスターツール装置を用いる方法があるが、処理室の蒸着源（この場合はＣＶＤ）は処理室固有のものである。
【０００３】
さらに、特許文献２に開示されているように、膜厚分布の均一性を得る方法として長尺セルとそれに垂直に基板を移動させる方法がある。また、公知の技術として基板の回転や移動と複数セルの組み合わせる方法もある。いずれにしろ、蒸着源は固定である。また、特開２００２−８０９６１号公報に開示されているように、蒸着源と基板とが相対的に移動する方法がある。
【０００４】
さらに、量産時の連続成膜を行う為に、特許文献３に開示されているように、ルツボに多量の蒸着材料を投入し、材料の使用量に合わせて温度制御を行う方法や、特許文献４に開示されているように、ルツボの下方から徐々に材料を押し上げる方法がある。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３２６１４４０号公報
【特許文献２】
特開２００１−２４７９５９号公報
【特許文献３】
特開２０００−１６０３２８号公報
【特許文献４】
特開２０００−２４８３５８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
基板と蒸着源が相対移動することにより、パーティクルが多く発生する。
【０００７】
ルツボを使用して連続蒸着すると、蒸着レート等の均一化の為に温度等の時間変化制御が必要である。
【０００８】
一般的に研究開発時に使用するボートタイプの蒸発源と量産時に使用するルツボタイプの蒸発源とでは制御条件に違いがあり、開発時の再現が難しい。
【０００９】
ボートタイプの蒸発源は材料の投入量が少なく、連続成膜には適さない。
【００１０】
以上のような問題点から、ルツボタイプでは連続生産時の制御が難しく、開発時の条件の再現が難しい。ボートタイプでは連続生産自体が難しい。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有機ＥＬ発光デバイスの製造方法において、基板と蒸着源を１対としたカセットを蒸着電源電極が設置された真空チャンバーにセットし、必要な層の成膜を行い、成膜終了後に前記１対をなす基板と蒸着源を有するカセットを真空チャンバーから取り出すことを特徴とする有機ＥＬ発光デバイスの製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
本発明の有機ＥＬ発光デバイスの製造方法及びそれに係る製造装置において、大気圧中で基板と蒸着源を１対に設置できるカセットに基板と蒸着源を設置し、真空蒸着装置の予備室に投入し、真空に到達させた後、装置内遮断扉を開け、クラスターツール装置により、特定の膜専用の供給電源電極のあるチャンバーに順次カセットを送り、通電性膜後、次のチャンバーに移動する。成膜終了後に予備室に移動し、装置内遮断扉を閉めて、大気開放し、カセットを取り出す事により、連続成膜を行い、条件再現性の良い、パーティクルの少ない有機ＥＬ発光デバイスを作成することができる。
【００１４】
図１は本発明の特徴を表す図である。カセットに基板と蒸着源が対抗して配置されている。基板の被蒸着面は蒸着源の蒸着物が蒸発する側に向いており、距離は蒸着面積に合わせて、均一な膜厚が得られる距離に設定する。
【００１５】
カセットは基板や蒸着源の取り付け取り出しを考慮して、少なくとも側面の１面は開口できる。基板及び蒸着源の設置後、開口部に蓋をしてカセット内を密閉することにより防着板としてカセットを用いることもできる。また、搬送の重量軽減として支柱のみのカセットも可能である。
【００１６】
基板と蒸着源の間にはシャッターが設置されるが、カセットに配置させる場合、回転方式による開閉が好ましい。図３にカセットを上から見た図を示す。このように、蒸発源の数位置により多少は異なるが、放射状のシャッターがコンパクトに設置できて好ましい。真空チャンバーにシャッターを設けても良いがその際にはカセットにシャッターの為の開口部が必要である。また、シャッターの連続使用による汚れに対するメンテナンスは実施し難い。
【００１７】
蒸着源は成膜数や共蒸着数により異なるが、１基板に対して必要な材料量を蒸着源に投入する。突沸やクラスター粒子を制限する為に開口部を千鳥に２重配置にしたほうが良い。開口径は蒸着レートや成膜厚分布により、材料により変える事ができる。
【００１８】
蒸着源への通電方法はカセット外側に取り出し電極を設け、チャンバーの固定電源と接続させて通電することができる。
【００１９】
シャッター等の駆動源はカセット外側にギヤを設けて、チャンバーの固定ギヤと接続させて駆動を取ることができる。
【００２０】
基板の蒸着面に接してマスクを設け、更にスライド機構を用いて、有機膜のパターニングを行うことができる。マスクの移動はシャッターと同じにチャンバー固定のギヤと接続することに駆動を取り、マスクの位置ずらし、又はマスク交換によりパターニングが可能である。
【００２１】
蒸着のレート制御は通常チャンバー内固定の水晶振動子を用いて行うが、本発明においては基板ごとに加熱蒸発冷却を行い、カセットを頻繁に交換することから、レートを正確に感知できる位置にチャンバー内固定は難しい。そこで、カセットごとに水晶振動子を持つこともできる。しかし、振動子の校正も含めてカセットごとのレート管理は難しい。そこで、蒸着源の温度測定と通電量（電流）制御でレート管理をすることが望ましい。そこで、図に示すように、蒸着源の下部に赤外線もしくは接触式の温度計を配置することができる。このとき、蒸発源の電気抵抗値と蒸発源内の材料と蒸発源の接触面積を同じもしくは事前計測しておく必要がある。
【００２２】
特に材料の蒸発源との接触面積の違いは蒸着レートの安定化に不可欠でありる。そこで、接触面積管理が重要であり、材料をタブレット状にした形態・形状の管理やセラミックボール等を材料に混入させて用いた管理方法がある。
【００２３】
蒸着チャンバーは複数でも単数でも良い。生産量や生産タクトに合わせてチャンバー数を増やすことができる。例えば図７に示すように左の投入用ロードロック室にカセットを投入し、高真空状態を維持したまま、中央の成膜チャンバー室にカセットを１つづつ移動し、成膜する。成膜後は右の搬出用ロードロック室にカセットを移動させ、全カセットの成膜が終了後、搬出用ロードロック室を開放し、各カセットを取り出す。
【００２４】
更に、図８に示した方式は、生産量が多い場合に用いることができる。中央にクラスター方式のロボットアームがあり、成膜チャンバー室ごとにカセットの出し入れを行う。成膜チャンバー室が４つあればタクトは４倍となる。大気中への基板の出し入れは図７と同様である。
【００２５】
（実施例）
（実施例１）
本実施例は、図５に示したような陽極と陰極の間に正孔注入兼輸送層と発光層／電子輸送層をもつ、パッシブ型の表示素子デバイスを繰り返し作製した例である。
【００２６】
図５に示すように、ガラス基板１上に陽極である透明電極２を形成した。透明電極はイオンプレーティング蒸着により０．３２μｍ成膜したＩＴＯを用い、ストライプ状にフォトリソプロセスにより形成した。
【００２７】
次に、陽極電極に最も近い層を正孔注入兼輸送材料として、構造式（１）で示される化合物をトルエンに溶解し０．５％溶液を作成し、スピンコート法によりコーティングした。加熱乾燥することによって、厚さ０．０２μｍの正孔注入兼輸送層３が形成された。
【００２８】
次に、図６に示すシャッター機構を用いて、発光層および電子輸送層、陰極電極を形成した。打ち抜き法により作成した、シャドウマスクを正孔注入兼輸送層３が形成された面側に用いた。１と４の位置にＡｌｑ３を２と５の位置にクマリン６を投入し、真空蒸着法によりＡｌｑ３とクマリン６を共蒸着させた。当初１、２、５、６のシャッターを開口し、Ａｌｑ３にクマリン６を０．５ｗｔ％ドープした発光層０．０２μｍが形成された。次にシャッターを右回転させ２，６を閉口し通電を停止しクマリン６の蒸着を停止した。１，５は続けて開口しており、Ａｌｑ３の電子輸送層０．０４μｍを連続して形成した。パターンは取り出し電極部をマスクし、発光部は全面蒸着とした。
【００２９】
次に、図４に示すように、スライド式のマスクチェンジャーにより、陽極電極と垂直に交わるストライプパターンの電鋳法によるシャドウマスクを電子輸送層面側に設置した。シャッターは更に右回転させて、３，７の位置を開口し、厚さ０．１２μｍのＭｇＡｇ金属電極５を蒸着法により形成した。これにより、パッシブ型の発光素子部が完成した。
【００３０】
次に、酸化カルシウムの吸湿剤６を内側に形成したＳＵＳ製封止缶をＵＶ硬化型エポキシ接着剤（長瀬産業のＸＮＲ５５１６ＨＰ）にてガラス基板に接着した。
【００３１】
以上により、表示素子デバイスが完成した。
【００３２】
１００ｍＡ／ｃｍ２において、初期６０００ｃｄ／ｍ２、定電流２４時間耐久試験後の輝度劣化は無く、ダークスポット観察でもダークスポットの発生がなかった。
【００３３】
同様にして、２０個のパッシブ型の表示素子デバイスを作成したが、輝度特性および輝度劣化特性のバラツキは無かった。
【００３４】
（比較例）
（比較例１）
実施例１と同様の陽極と陰極の間に正孔注入兼輸送層と発光層／電子輸送層をもつ、パッシブ型の表示素子デバイスを蒸着源をルツボとした装置により繰り返し作製した例である。
【００３５】
実施例１と同様に、ガラス基板にＩＴＯの陽極を形成し、次に、正孔注入兼輸送層を形成する。
【００３６】
発光層および電子輸送層、陰極を形成する装置として、図９に示す。
【００３７】
左の投入用ロードロック室にカセットで多量の基板を投入し、高真空状態を維持したまま、クラスター方式のロボットアームで中央の成膜チャンバー室に基板を１つづつ移動し、成膜する。成膜後は右の搬出用ロードロック室のカセットに順番に収納し、全枚がカセットに収納後、搬出用ロードロック室を開放し、カセットごと基板を取り出す。
【００３８】
成膜時は、図９に示すシャッター機構を用いて、発光層および電子輸送層、陰極電極の形成時に、ルツボの開口部を開口する。打ち抜き法により作成した、シャドウマスクを正孔注入兼輸送層３が形成された面側に用いて、真空蒸着法によりＡｌｑ３とクマリン６を共蒸着させた。Ａｌｑ３にクマリン６を０．５ｗｔ％ドープした発光層０．０２μｍが形成された。次にクマリンのルツボのシャッターを閉じ、クマリン６の成膜を停止した。Ａｌｑ３のルツボのシャッターは続けて開口しており、Ａｌｑ３の電子輸送層０．０４μｍを連続して形成した。パターンは取り出し電極部をマスクし、発光部は全面蒸着とした。
【００３９】
次に、図９に示すように、スライド式のマスクチェンジャーにより、陽極電極と垂直に交わるストライプパターンの電鋳法によるシャドウマスクを電子輸送層面側に設置した。陰極電極ＭｇＡｇのルツボのシャッターを開口し、厚さ０．１２μｍのＭｇＡｇ金属電極５を蒸着法により形成した。これにより、パッシブ型の発光素子部が完成した。
【００４０】
次に、実施例１と同様に、酸化カルシウムの吸湿剤６を内側に形成したＳＵＳ製封止缶をＵＶ硬化型エポキシ接着剤（長瀬産業のＸＮＲ５５１６ＨＰ）にてガラス基板に接着した。
【００４１】
以上により、表示素子デバイスが完成した。
【００４２】
１００ｍＡ／ｃｍ２において、初期４０００ｃｄ／ｍ２、定電流２４時間耐久試験後の輝度劣化は４０％発生した。、ダークスポット観察でダークスポットの発生があった。
【００４３】
同様にして、２０個のパッシブ型の表示素子デバイスを作成したが、輝度特性および輝度劣化特性は徐々に低下した。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明のように、本発明によれば、条件再現性の良い、パーティクルの少ない有機ＥＬ発光デバイスを作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の特徴を表す蒸着カセットの断面を示す模式図である。
【図２】本発明の特徴を表す蒸着チャンバーの断面を示す模式図である。
【図３】本発明の特徴を表すシャッター機構の上面を示す模式図である。
【図４】本発明の特徴を表すスライド式マスクチェンジャー機構の断面を示す模式図である。
【図５】本発明の実施例１におけるパッシブ型の表示素子デバイス特徴を表す断面を示す模式図である。
【図６】本発明の実施例１におけるシャッター機構の上面を示す模式図である。
【図７】本発明を用いた少量生産システムの上面を示す模式図である。
【図８】本発明を用いた多量生産システムの上面を示す模式図である。
【図９】従来の多量生産システムの断面を示す模式図である。
【図１０】従来の多量生産システムの上面を示す模式図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板
２ 基板ホルダー
３ 蒸着カセット
４ マスクチェンジャー
５ マスク
６ シャッター
７ 蒸着ボート
８ 電極接点
９ 蒸着チャンバー
１０ 電源電極
１１ シャッター開口部
１２ ボート１
１３ ボート２
１４ ボート３
１５ ボート４
１６ ボート５
１７ ボート６
１８ ボート７
１９ ボート８
２０ マスク駆動源
２１ マスク駆動軸
２２ ギア
２３ ガラス基板
２４ 陽極電極
２５ 正孔注入兼輸送層
２６ 発光層
２７ 電子注入兼輸送層
２８ 陰極電極
２９ ロボットアーム
３０ 搬入用ロードロック室
３１ 搬出用ロードロック室
３２ 基板カセット
３３ ルツボ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an organic light emitting device, which is an injection type light emitting device using an organic material as a light emitting material, and an apparatus for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
An organic EL light emitting device is composed of each layer. When mass production is performed using a vapor deposition apparatus in forming each layer, as described in (Patent Document 1), a plurality of processing chambers and a common transfer chamber are used. There is a method of using a cluster tool device that is connected so as to be able to communicate and shut off, but the deposition source (CVD in this case) of the processing chamber is unique to the processing chamber.
[0003]
Further, as disclosed in Patent Document 2, as a method for obtaining uniformity of the film thickness distribution, there is a method of moving a long cell and a substrate perpendicular thereto. Further, as a known technique, there is a method of combining rotation and movement of a substrate with a plurality of cells. In any case, the evaporation source is fixed. Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-80961, there is a method in which a deposition source and a substrate relatively move.
[0004]
Further, in order to perform continuous film formation at the time of mass production, as disclosed in Patent Document 3, a method in which a large amount of evaporation material is charged into a crucible and temperature control is performed in accordance with the amount of material used, As disclosed in No. 4, there is a method of gradually pushing up the material from below the crucible.
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3261440 [Patent Document 2]
JP 2001-247959 A [Patent Document 3]
JP 2000-160328 A [Patent Document 4]
JP 2000-248358 A
[Problems to be solved by the invention]
The relative movement between the substrate and the deposition source generates many particles.
[0007]
When performing continuous vapor deposition using a crucible, it is necessary to control the time change of temperature and the like in order to uniform the vapor deposition rate and the like.
[0008]
Generally, there is a difference in control conditions between a boat-type evaporation source used for research and development and a crucible-type evaporation source used for mass production, and it is difficult to reproduce the evaporation source during development.
[0009]
The boat type evaporation source has a small input amount of material and is not suitable for continuous film formation.
[0010]
From the above problems, it is difficult to control the crucible type at the time of continuous production, and it is difficult to reproduce the conditions at the time of development. With a boat type, continuous production itself is difficult.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, in a method for manufacturing an organic EL light emitting device, a cassette having a pair of a substrate and an evaporation source is set in a vacuum chamber in which an evaporation power supply electrode is installed, and a necessary layer is formed. A method for manufacturing an organic EL light-emitting device is provided, wherein the cassette having the pair of substrates and the evaporation source is taken out of a vacuum chamber.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0013]
In the method of manufacturing an organic EL light-emitting device and the manufacturing apparatus according to the present invention, the substrate and the evaporation source are set in a cassette in which the substrate and the evaporation source can be installed in a pair at atmospheric pressure, and are put into a preliminary chamber of a vacuum evaporation apparatus. After the vacuum is reached, the shut-off door in the apparatus is opened, and the cassette is sequentially sent to the chamber having the power supply electrode dedicated to the specific membrane by the cluster tool apparatus, and after the conductive membrane, the cassette is moved to the next chamber. After the film formation is completed, the film is moved to the preliminary chamber, the shut-off door in the apparatus is closed, the atmosphere is opened, and the cassette is taken out to perform continuous film formation, thereby producing an organic EL light emitting device with good reproducibility of conditions and few particles. be able to.
[0014]
FIG. 1 is a diagram showing the features of the present invention. A substrate and a vapor deposition source are arranged opposite to each other in the cassette. The surface of the substrate to be vapor-deposited faces the side on which the vapor-deposited substance of the vapor deposition source evaporates, and the distance is set to a distance at which a uniform film thickness can be obtained according to the vapor deposition area.
[0015]
At least one side surface of the cassette can be opened in consideration of mounting and taking out of the substrate and the evaporation source. After the installation of the substrate and the vapor deposition source, the cassette can be used as an anti-adhesion plate by closing the opening and sealing the inside of the cassette. In addition, a cassette having only columns can be used to reduce the weight of the transport.
[0016]
Although a shutter is provided between the substrate and the deposition source, when the shutter is disposed in a cassette, the shutter is preferably opened and closed by a rotating method. FIG. 3 shows the cassette viewed from above. As described above, although slightly different depending on the positions of the evaporation sources, the radial shutter is preferable because it can be installed compactly. A shutter may be provided in the vacuum chamber, but in that case, an opening for the shutter is required in the cassette. Further, it is difficult to perform maintenance for dirt due to continuous use of the shutter.
[0017]
Although the evaporation source varies depending on the number of films formed and the number of co-evaporations, a necessary amount of material for one substrate is supplied to the evaporation source. The openings should be staggered and doubled to limit bumping and cluster particles. The opening diameter can be changed depending on the material depending on the deposition rate and the film thickness distribution.
[0018]
As a method of energizing the deposition source, a take-out electrode is provided outside the cassette, and can be energized by connecting to a fixed power supply of the chamber.
[0019]
A drive source such as a shutter is provided with a gear outside the cassette, and can be driven by being connected to a fixed gear of the chamber.
[0020]
A mask is provided in contact with the deposition surface of the substrate, and the organic film can be patterned using a slide mechanism. The movement of the mask is driven by being connected to a gear fixed to the chamber similarly to the shutter, and patterning is possible by shifting the position of the mask or exchanging the mask.
[0021]
Normally, the rate of vapor deposition is controlled using a quartz oscillator fixed in the chamber.In the present invention, the heating and evaporating and cooling are performed for each substrate, and the cassette is frequently replaced. Internal fixation is difficult. Therefore, a crystal oscillator can be provided for each cassette. However, it is difficult to control the rate of each cassette including the calibration of the vibrator. Therefore, it is desirable to control the rate by measuring the temperature of the evaporation source and controlling the amount of current (current). Therefore, as shown in the figure, an infrared or contact thermometer can be arranged below the evaporation source. At this time, the electric resistance value of the evaporation source and the contact area between the material in the evaporation source and the evaporation source need to be the same or measured in advance.
[0022]
In particular, the difference in the contact area between the material and the evaporation source is indispensable for stabilizing the deposition rate. Therefore, contact area management is important, and there is a management method of managing the form and shape of the material in the form of a tablet or using a material such as a ceramic ball mixed with the material.
[0023]
The deposition chamber may be plural or singular. The number of chambers can be increased according to production volume and production tact. For example, as shown in FIG. 7, a cassette is loaded into the loading load lock chamber on the left side, and while maintaining a high vacuum state, the cassettes are moved one by one to the central deposition chamber chamber to form a film. After film formation, the cassette is moved to the right load lock chamber for unloading, and after film formation for all cassettes is completed, the load lock chamber for unloading is opened and each cassette is taken out.
[0024]
Further, the method shown in FIG. 8 can be used when the production amount is large. There is a cluster type robot arm at the center, which takes in and out the cassette for each film forming chamber. If there are four film forming chambers, the tact is quadrupled. The transfer of the substrate into and out of the atmosphere is the same as in FIG.
[0025]
(Example)
(Example 1)
This embodiment is an example in which a passive display element device having a hole injection / transport layer and a light emitting layer / electron transport layer between an anode and a cathode as shown in FIG. 5 is repeatedly produced.
[0026]
As shown in FIG. 5, a transparent electrode 2 as an anode was formed on a glass substrate 1. The transparent electrode was formed by a photolithography process in the form of a stripe using ITO having a thickness of 0.32 μm formed by ion plating deposition.
[0027]
Next, using the layer closest to the anode electrode as a hole injecting / transporting material, the compound represented by the structural formula (1) was dissolved in toluene to prepare a 0.5% solution, which was coated by spin coating. By heating and drying, a hole injecting / transporting layer 3 having a thickness of 0.02 μm was formed.
[0028]
Next, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode electrode were formed using the shutter mechanism shown in FIG. A shadow mask formed by a punching method was used on the surface side on which the hole injection / transport layer 3 was formed. Alq3 was placed at positions 1 and 4 and coumarin 6 was placed at positions 2 and 5, and Alq3 and coumarin 6 were co-deposited by a vacuum deposition method. Initially, shutters 1, 2, 5, and 6 were opened to form a light emitting layer 0.02 μm in which Alq3 was doped with coumarin 6 by 0.5 wt%. Next, the shutter was rotated clockwise to close the apertures 2 and 6, the power supply was stopped, and the deposition of coumarin 6 was stopped. Nos. 1 and 5 were continuously opened, and an electron transport layer of 0.04 μm of Alq3 was continuously formed. The pattern was formed by masking the extraction electrode portion, and the light-emitting portion was deposited on the entire surface.
[0029]
Next, as shown in FIG. 4, a shadow mask formed by an electroforming method having a stripe pattern perpendicular to the anode electrode was set on the electron transport layer surface side by a slide type mask changer. The shutter was further rotated clockwise to open positions 3 and 7, and an MgAg metal electrode 5 having a thickness of 0.12 μm was formed by a vapor deposition method. Thus, a passive light emitting element portion was completed.
[0030]
Next, a SUS sealing can having a calcium oxide hygroscopic agent 6 formed inside was bonded to a glass substrate with a UV-curable epoxy adhesive (XNR5516HP of Nagase & Co., Ltd.).
[0031]
Thus, the display device was completed.
[0032]
At 100 mA / cm 2 , there was no luminance degradation after the initial 6000 cd / m 2 , constant current 24 hour durability test, and no dark spots were observed even in dark spot observation.
[0033]
Similarly, 20 passive display element devices were prepared, but there was no variation in luminance characteristics and luminance deterioration characteristics.
[0034]
(Comparative example)
(Comparative Example 1)
This is an example in which a passive type display element device having a hole injection / transport layer and a light emitting layer / electron transport layer between an anode and a cathode similar to that of Example 1 was repeatedly produced by an apparatus using a crucible as an evaporation source.
[0035]
As in Example 1, an ITO anode is formed on a glass substrate, and then a hole injection / transport layer is formed.
[0036]
FIG. 9 shows an apparatus for forming a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode.
[0037]
A large amount of substrates are loaded into the loading load lock chamber on the left by a cassette, and while maintaining a high vacuum state, the substrates are moved one by one to a central film forming chamber chamber by a cluster type robot arm to form a film. After the film formation, the sheets are sequentially stored in the cassette in the right load lock chamber for unloading, and after all the sheets are stored in the cassette, the load lock chamber for unloading is opened, and the substrate is taken out together with the cassette.
[0038]
At the time of film formation, the opening of the crucible is opened when the light emitting layer, the electron transport layer, and the cathode electrode are formed using the shutter mechanism shown in FIG. Alq3 and coumarin 6 were co-evaporated by a vacuum evaporation method using a shadow mask formed by a punching method on the surface side on which the hole injection / transport layer 3 was formed. A light emitting layer of 0.02 μm in which Alq3 was doped with coumarin 6 by 0.5 wt% was formed. Next, the shutter of the coumarin crucible was closed, and the film formation of coumarin 6 was stopped. The shutter of the Alq3 crucible was continuously opened, and an electron transport layer of Alq3 of 0.04 μm was continuously formed. The pattern was formed by masking the extraction electrode portion, and the light-emitting portion was deposited on the entire surface.
[0039]
Next, as shown in FIG. 9, a shadow mask formed by an electroforming method having a stripe pattern perpendicular to the anode electrode was set on the electron transport layer surface side by a slide type mask changer. The crucible shutter of the cathode electrode MgAg was opened, and an MgAg metal electrode 5 having a thickness of 0.12 μm was formed by an evaporation method. Thus, a passive light emitting element portion was completed.
[0040]
Next, in the same manner as in Example 1, the sealing can made of SUS having the moisture absorbent 6 of calcium oxide formed inside was bonded to the glass substrate with a UV-curable epoxy adhesive (XNR5516HP of Nagase & Co., Ltd.).
[0041]
Thus, the display device was completed.
[0042]
At 100 mA / cm 2 , 40% of luminance degradation occurred after an initial 4000 cd / m 2 and constant current 24 hour durability test. And dark spots were observed in the dark spot observation.
[0043]
Similarly, 20 passive display element devices were produced, but the luminance characteristics and the luminance deterioration characteristics gradually decreased.
[0044]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to produce an organic EL light emitting device with good condition reproducibility and few particles.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross section of a vapor deposition cassette showing a feature of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of a deposition chamber showing the features of the present invention.
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an upper surface of a shutter mechanism that represents a feature of the present invention.
FIG. 4 is a schematic view showing a cross section of a slide type mask changer mechanism showing the features of the present invention.
FIG. 5 is a schematic diagram showing a cross section showing the characteristics of a passive display element device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an upper surface of a shutter mechanism according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic diagram showing an upper surface of a small-volume production system using the present invention.
FIG. 8 is a schematic diagram showing an upper surface of a mass production system using the present invention.
FIG. 9 is a schematic view showing a cross section of a conventional mass production system.
FIG. 10 is a schematic diagram showing an upper surface of a conventional mass production system.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Substrate holder 3 Evaporation cassette 4 Mask changer 5 Mask 6 Shutter 7 Evaporation boat 8 Electrode contact 9 Evaporation chamber 10 Power supply electrode 11 Shutter opening 12 Boat 1
13 Boat 2
14 Boat 3
15 Boat 4
16 Boat 5
17 Boat 6
18 Boat 7
19 Boat 8
Reference Signs List 20 mask drive source 21 mask drive shaft 22 gear 23 glass substrate 24 anode electrode 25 hole injecting / transporting layer 26 light emitting layer 27 electron injecting / transporting layer 28 cathode electrode 29 robot arm 30 loading load lock chamber 31 loading load lock chamber 32 substrate cassette 33 crucible
