JP2004340193A - ブレーキディスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ST01により基材の適量のSi粉を混合する。ST02〜ST04により基材の曲げ強度及び耐酸化性を高める。ST05でCMCの必要部分にSiスラリーを塗布する。ST06、ST07によりSiスラリーを基材に含浸させるとともにSiC化することをブレーキディスクを得る。
【効果】ST01におけるSi粉の配合と、ST05におけるスラリー塗布とにより安価で、十分な強度及び耐酸化性を備えるブレーキディスクを製造することができる。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は炭素系ブレーキディスク、特にセラミックマトリックス複合材(CMC)製ブレーキディスクの製造技術の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、炭素基材の表層部を強化する製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開平10−212182号公報(第3頁)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1段落番号[0011]第5行〜第8行に「・・・高強度用炭素基材の特性としては、嵩密度が1.77g/cm3以上、平均細孔半径が1.5μm以下、曲げ強度が450(kgf/cm2)以上のものが望ましい。」と記載されている。
しかし、このような密度が大きく、曲げ強度の大きな高強度用炭素基材は、製造コストが嵩む。
【0005】
また、本発明者らが検討したところでは、ブレーキディスクなどの過酷な条件で使用される部品は、曲げ強さが55MPa(560kg/cm2)以上である必要があり、特許文献1で製造した高強度用炭素基材では強度が不足し、採用できない。
【0006】
そこで、本発明の目的は、安価で、十分な強度を付与することできるブレーキディスクの製造技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項1は、炭素繊維、充填剤及び結合剤に1〜10質量%のSi粉を加えて混合、成形、熱処理することでCMCを製造し、このCMCの必要な部位にSiスラリーを塗布し、ヒートキュア処理及び高温熱処理を施して表層部にSiCを生成させることにより、CMC製ブレーキディスクを得ることを特徴とするブレーキディスクの製造方法である。
【0008】
ブレーキディスクの基体は、炭素繊維、充填剤及び結合剤に1〜10質量%のSi粉を加えて製造する。Siが炭化処理によりSiC化し、基体の強度を高めることができる。添加するSiが1質量%未満では、耐酸化性能が不十分となる。また、添加するSiが10質量%を超えると、強度が低下する。
そこで、Si添加量を1〜10質量%にすることにより、耐酸化性能と強度との両方を満足させる。
【0009】
請求項2は、表層部におけるSi量が26〜50質量%になるように、基材へのSi添加量及び/又はスラリーの組成を調整したことを特徴とする。
表層部はブレーキディスクの摺動面となり、耐摩耗性が必要である。この摺動面に制動力が加わるため、ブレーキディスクに大きな曲げモーメントが発生する。表層部でのSi量が26質量%未満になると必要な耐摩耗性能が確保できない。また、表層部でのSi量が50質量%を超えると必要な曲げ強さが得られない。
そこで、表層部におけるSi量が26〜50質量%になるように、基材へのSi添加量及び/又はスラリーの組成を調整することで、ブレーキディスクの摺動面の強度を確保する。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を添付図に基づいて以下に説明する。なお、図面は符号の向きに見るものとする。
図1は本発明のブレーキディスクを含むディスクブレーキ機構の斜視図であり、ディスクブレーキ機構10は、ホイール取付板11に固定した本発明のブレーキディスク20と、このブレーキディスク20を挟む位置に配置するキャリパー13とからなり、キャリパー13に内蔵するブレーキパッドと称する摩擦板をブレーキディスク20に押付けることで制動状態にすることは、周知のとおりである。
【0011】
図2は本発明に係るブレーキディスクの要部断面図であり、ブレーキディスク20は、円板状の基材21に表層部22、22を形成したものであって、一対のブレーキパッド14、14に臨む部位に、表層部22、22を形成したことを構造的な特徴とする。表層部22、22はブレーキディスクの摺動面となる。
【0012】
なお、表層部22は、後述するSiスラリーを塗布して、このSiスラリーに基材21とともに熱処理や高温熱処理を施し、表層の余剰分を加工により除去することで形成する。このときにSiスラリーの一部は基材21に滲入し、一体化する。
【0013】
SiスラリーはSi量が極めて多く、基材21はSi量が少ないため、基材21に滲入した部分22aは生成できるSiCの量は少なくなり、一方、基材から遠い表面部分22bは生成するSiC量が多くなる。
【0014】
表層部22は、滲入した部分22aと表面部分22bを合わせたものであるが、外表面から基材21に向かって徐々に生成SiC量が変化する傾斜機能材料であるといえる。
【0015】
基材21及び表層部22、22とからなるブレーキディスク20の製造方法を図3及び図4で説明する。
【0016】
図3は本発明に係るブレーキディスクの製造フロー図(その1)であり、この図では製造方法の概念的な説明を行う(定量的な説明は図4で行う)。
(a)において、炭素繊維24と、充填剤としての黒鉛粉25と、結合剤としてのフェノール樹脂26と、Si粉27とを準備する。
(b)において、前記4種の材料をミキサー28に掛けて十分に混合する。
【0017】
(c)において、混合した材料(成形用材料)を、ブレス機の金型29に入れ、パンチ31により圧縮して圧粉成形体32を得る。
(d)において、圧粉成形体32を熱処理炉33で加熱処理する。主に、バインダーとして混入させたフェノール樹脂の硬化を促進させる。これで、CMC前駆体を得ることができる。
【0018】
(e)において、CMC前駆体34を、高温処理炉37に入れて非酸化雰囲気下で高温で加熱処理する。これで、CMC40を得ることができる。
なお、高温処理炉37は、ヒータ38、真空ポンプ39、必要により非酸化性ガス吹込み管41を備え、大気中での高温処理、真空中での高温処理、非酸化雰囲気での高温処理の何れもが実施可能である。
(f)において、CMC40に、塗装機35により、Siスラリー36、36を塗布する。塗装法はスプレー、ローラ又は刷毛塗り又は同等方法の何れであってもよい。
【0019】
(g)において、CMC40を熱処理炉33で加熱しヒートキュア処理する。
(h)において、CMC40を、高温処理炉37に入れて真空中又は非酸化雰囲気中で、高温熱処理を施す。
(i)に、得られたCMC製のブレーキディスク20を示す。このブレーキディスク20は、必要部位に硬質の表層部22、22を有する。
【0020】
図4は本発明に係るブレーキディスクの製造フロー図(その2)であり、ST××はステップ番号を示す。
ST01:(解繊工程):40〜50質量%の炭素繊維と、40〜50質量%の黒鉛粉と、1〜10質量%のSi粉(ただし、炭素繊維+黒鉛粉+Si粉+フェノール樹脂=100質量%)とを、ミキサーにより十分に混合する(図3(b)参照)。これで成形用材料を得ることができる。
【0021】
充填剤(フィラー)としては、樹脂粉、黒鉛粉、セラミックス粉などが採用できる。
【0022】
ST02:(高圧成形工程):得られた成形用材料を、温度160℃、成形圧力200kg/cm2、10分間の条件で所望の形状に成形する。これで、CFRPを得ることができる。
【0023】
ST03:(熱処理工程):CFRPを、温度200℃、大気圧、8時間の条件で熱処理を施す。これで、CMC前駆体を得ることができる。
ST04:(高温処理工程):さらに、CMC前駆体を、非参加雰囲気中、1600℃の条件で2時間熱処理し、CMC(セラミックマトリックス複合材)を得る。
【0024】
ST05:(スラリー塗布工程):CMCの必要部分にSiスラリーを塗布する。Siスラリーは、Si粉に、炭化硼素(B4C)粉と樹脂(例えばポリアミドイミド樹脂)と添加してスラリー化させたものである。
【0025】
ST06:(ヒートキュア処理工程):スラリーを塗布したCMCを、温度300℃、大気雰囲気、90分の条件でヒートキュア処理を実施する。
ST07:(高温熱処理工程):さらに、CMCを、真空中で昇温速度1℃/分の条件で26時間かけて、1600℃まで昇温し、1600℃で30分キープする。これで、ブレーキディスクを得ることができる。
【0026】
図4のST01におけるSi粉、黒鉛粉などの混合割合を種々調整して、Si量の異なる基材(図2の符号21に相当)を製造し、それの評価を行ったので、その結果をグラフで説明する。
【0027】
図5は基材の耐酸化性を示すグラフであり、横軸は基材に含まれるSi量、縦軸は5%減量温度を示す。5%減量温度は、空気中でサンプルを昇温速度10℃/分で1000℃まで上昇させたときに5%減量したときの温度である。
0〜2質量%まではSi量の増加に比例して5%減量温度が高まり、2質量%以上では5%減量温度はそれ程変化しない。
【0028】
サンプルがブレーキディスクであれば、ブレーキディスクは制動時に高温になるため、高温耐久性が求められ、5%減量温度が高いほど望ましい。5%減量温度が低ければ、ブレーキディスクが冷却しされやすい構造にするなどの対策が必要になるからである。
【0029】
本発明らの経験では、自動車(四輪車)の通常のブレーキディスクでは、675℃が要求温度となる。縦軸の675℃から横線を引き、曲線との交点を求めると、基材Si量は、1.0質量%以上にする必要がある。
【0030】
図6は基材の曲げ強さを示すグラフであり、横軸は基材に含まれるSi量、縦軸は曲げ強さを示す。
0〜5質量%まではSi量の増加に比例して曲げ強さが高まり、5質量%以上では曲げ強さは低下することが認められた。
【0031】
この理由は次の2つが考えられる。
Si+C→SiCの反応により、密度が増加し、体積は減少するが、全体の体積が変化しない場合、気孔率が増加し、強度が低下する。
【0032】
また、出発材料の炭素繊維は、繊維中のCがSiと結合してSiC化するに伴って繊維としての強度が低下する。そのために曲げ強さが低下する。
以上の2つの要因が複合して、一定値を超えたSi量が増加すると、曲げ強さが低下すると推定する。
【0033】
ブレーキディスクは制動時にキャリパーで大きな力が加わる。この力はブレーキディスクに曲げ応力を発生させる。具体的には、回転中心を支点としてキャリバーが加重作用点となる曲げモーメントに起因する。
【0034】
制動力を高めるには曲げ強さは大きいほどよい。
本発明らの経験では、自動車の通常のブレーキディスクでは、55MPaが要求曲げ強さである。縦軸の55MPaから横線を引き、曲線との交点を求めると、基材Si量は、10質量%以下にする必要がある。
図5及び図6から、基材の耐酸化性並びに強度を高めるには基材中のSi量を1〜10質量%に制御することが望ましい。
【0035】
以上で基材の検討が終ったので、次に図2で示す表層部22(表層部22は滲入した部分22aと表面部分22bとからなる。)の検討を行う。
図4のST05で説明したとおりに、本発明ではCMCの必要部位にSiスラリーを塗布し、表層部をSiC化して強化することを特徴とする。従って、表層部のSi量を計量すること及びSi量を制御することが重要になる。
【0036】
図7は基材へのSi添加量と基材の気孔率の関係を示すグラフであり、基材中のSiがCと結合するとSiが抜けた部位に気孔が残ると考えられる。そのため、基材へのSi添加量が増加するに連れて基材の気孔率が増加する。
【0037】
図8は基材の気孔率と表層部のSi量の関係を示すグラフであり、塗布してスラリーは基材に気孔があれば、この気孔へ滲入し、所定の処理後に周囲のCと結合してSiCになる。気孔率が大きいほどスラリーの滲入が盛んとなり、結果として滲入した部分を含む表層部は、Si量が増加すると推定できる。
【0038】
図9は基材へのSi添加量と表層部のSi量の関係を示す合成グラフである。
エリアBで示した三角形の斜辺は、y=xの一次関数曲線であり、スラリーが存在しないときは、基材へSiを添加した分だけ表層部のSiが増加することから描くことができる。
【0039】
次に、図7に戻って同図で例えば横軸目盛り10から線を立ち上げ縦軸の目盛りを読むと(21)となる。すなわち、基材へのSi添加量が10質量%のときには、基材の気孔率は21%となる。
続いて、図8において、横軸目盛り(21)から線を立ち上げ縦軸の目盛りを読むと(26)となる。すなわち、基材の気孔率が21%のときには、表層部のSi量は26質量%となる。
【0040】
図9に戻って、横軸目盛り10において、エリアBに(26)を積み上げる。同様の手順を図7、図8、図9で繰り返すことにより、図9の曲線Cを得ることができる。
【0041】
以上のとおりに基材へのSi添加量を制御することにより、表層部のSi量を制御することができる。その他、表層部のSi量は、スラリー中のB4Cの量でも制御することができる。
【0042】
このようにして表層部のSi量を調整し、Si量の異なる表層部(図2の符号22に相当)を製造し、それの評価を行ったので、その結果をグラフで説明する。
【0043】
図10は表層部の曲げ強さを示すグラフであり、横軸は表層部に含まれるSi量、縦軸は曲げ強さを示す。
0〜30質量%まではSi量の増加に比例して曲げ強さが高まり、30質量%以上では曲げ強さは低下する。この理由は表層部のうち、滲入した部分22a(図2参照)で、炭素繊維がSiC化により脆弱化したことによると考えられる。
【0044】
本発明らの経験では、自動車の通常のブレーキディスクでは、55MPaが要求曲げ強さである。縦軸の55MPaから横線を引き、曲線との交点を求めると、基材Si量は、50質量%以下にする必要がある。
【0045】
図11は表層部の耐摩耗性能を示すグラフであり、横軸は表層部に含まれるSi量、縦軸は摩耗量を示す。
摩耗量は、JASO C406「乗用車ブレーキ装置ダイナモメーター試験法」に準拠し、15インチサイズのブレーキディスクを試験材とし、慣性力5.5kgm/s2の条件でデータを収録した。
Si量はSiC量に比例する。SiCは硬質材であるため、この量が多いほど摩耗量を抑えることができる。そして、縦軸を横軸から下方へ延ばすことにより、右上がりの曲線を描くことができた。
【0046】
通常の自動車の保守マニュアルでは、ブレーキディスクは1mmの摩耗量が発生したら交換をすると定められている。この1mmの摩耗量は、上記試験での摩耗量10μmに相当する。そこで、縦軸の10μmから横線を引き、曲線との交点を調べると、Siは26質量%以上にする必要がある。
【0047】
表層部は、耐摩耗性能と曲げ強さの両方を条件とすれば、図10、11に示すとおりSi量を26〜50質量%の範囲に管理する必要がある。
【0048】
この管理は、上述したとおりに、基材へのSi添加量を制御すること並びにスラリー中のB4Cなどの量を制御することで実施できる。
すなわち、本発明の一つは、表層部におけるSi量が26〜50質量%になるように、基材へのSi添加量及び/又はスラリーの組成を調整したことを特徴とする。
【0049】
尚、図3に示した製造装置は一例を示しただけであり、変更することは差し支えない。また、図4に示した製造条件は一例を示しただけであり、変更することは差し支えない。
【0050】
【発明の効果】
本発明は上記構成により次の効果を発揮する。
請求項1では、ブレーキディスクの基体は、炭素繊維、充填剤及び結合剤に1〜10質量%のSi粉を加えて製造する。Siが炭化処理によりSiC化し、基体の強度を高めることができる。添加するSiが1質量%未満では、耐酸化性能が不十分となる。また、添加するSiが10質量%を超えると、強度が低下する。
そこで、Si添加量を1〜10質量%にすることにより、耐酸化性能と強度との両方を満足させる。
【0051】
請求項2は、表層部におけるSi量が26〜50質量%になるように、基材へのSi添加量及び/又はスラリーの組成を調整したことを特徴とする。
表層部はブレーキディスクの摺動面となり、耐摩耗性が必要である。この摺動面に制動力が加わるため、ブレーキディスクに大きな曲げモーメントが発生する。表層部でのSi量が26質量%未満になると必要な耐摩耗性能が確保できない。また、表層部でのSi量が50質量%を超えると必要な曲げ強さが得られない。
そこで、表層部におけるSi量が26〜50質量%になるように、基材へのSi添加量及び/又はスラリーの組成を調整することで、ブレーキディスクの摺動面の強度を確保する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のブレーキディスクを含むディスクブレーキ機構の斜視図
【図2】本発明に係るブレーキディスクの要部断面図
【図3】本発明に係るブレーキディスクの製造フロー図(その1)
【図4】本発明に係るブレーキディスクの製造フロー図(その2)
【図5】基材の耐酸化性を示すグラフ
【図6】基材の曲げ強さを示すグラフ
【図7】基材へのSi添加量と基材の気孔率の関係を示すグラフ
【図8】基材の気孔率と表層部のSi量の関係を示すグラフ
【図9】基材へのSi添加量と表層部のSi量の関係を示す合成グラフ
【図10】表層部の曲げ強さを示すグラフ
【図11】表層部の耐摩耗性能を示すグラフ
【符号の説明】
20…ブレーキディスク、21…基材、22…表層部、24…炭素繊維、25…充填剤としての黒鉛粉、26…結合剤としてのフェノール樹脂、27…Si粉、34…CMC前駆体、36…Siスラリー、40…CMC。
Claims (2)
- 炭素繊維、充填剤及び結合剤に1〜10質量%のSi粉を加えて混合、成形、熱処理することでCMCを製造し、このCMCの必要な部位にSiスラリーを塗布し、ヒートキュア処理及び高温熱処理を施して表層部にSiCを生成させることにより、CMC製ブレーキディスクを得ることを特徴とするブレーキディスクの製造方法。
- 前記表層部におけるSi量が26〜50質量%になるように、基材へのSi添加量及び/又はスラリーの組成を調整したことを特徴とする請求項1記載のブレーキディスクの製造方法。
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