JP2004319981A - Transfer sheet for forming wiring board - Google Patents

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三好 與倉
Koichi Fujimaru
浩一 藤丸
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満 末沢
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer sheet for wiring board of superior transfer stability, for a circuit which is superior in chemical resistant characteristics and dimension stability and especially comprises a fine wiring whose line width is 50 μm or below. <P>SOLUTION: A hardened silicone resin layer and a metal foil are laminated in this order on a supporting body such as a resin film. In the transfer sheet for forming wiring board formed in this way, a shrinkage rate X in at least one of an MD direction and a TD direction of the supporting body at 100°C after heating one hour is 0.05%<X<0.5%. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線基板形成用転写シートに関するものであり、さらに詳しくは金属箔との粘着力が長期安定で耐薬品性に優れ、かつ優れた寸法安定性を有し、回路幅が50μm以下の微細配線にも適用でき、保存安定性に優れた配線基板形成用転写シートに関するものである。   The present invention relates to a transfer sheet for forming a wiring board, and more particularly, has a long-term stable adhesive force with metal foil, excellent chemical resistance, and excellent dimensional stability, and a circuit width of 50 μm or less. The present invention relates to a transfer sheet for forming a wiring substrate, which can be applied to fine wiring and has excellent storage stability.

従来から、高密度配線基板、例えば、半導体素子を収納するパッケージに使用される高密度多層配線基板として、セラミック配線基板が多用されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, ceramic wiring boards have been frequently used as high-density wiring boards, for example, high-density multilayer wiring boards used for packages containing semiconductor elements.

このセラミック配線基板は、アルミナなどの絶縁性基板上に、タングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線導体を形成したものであり、この絶縁性基板の一部に凹部が形成されており、この凹部内に半導体素子を収納し、適当な蓋体によって凹部を気密に封止してパッケージとするものである。   This ceramic wiring board is formed by forming a wiring conductor made of a high melting point metal such as tungsten or molybdenum on an insulating substrate such as alumina, and a concave portion is formed in a part of the insulating substrate. The semiconductor element is housed in the recess, and the recess is hermetically sealed with an appropriate lid to form a package.

ところが、このようなセラミック多層配線基板の絶縁基板を構成するセラミックスは、硬くて脆いため、製造工程または搬送工程において、セラミックの欠けや割れが発生しやすく、半導体素子の気密封止性が損なわれるために歩留まりが低いなどの問題があった。また、多層セラミック配線基板においては、焼結前のグリーンシートにメタライズインクを印刷して、印刷後のシートを積層して焼結させて製造されるが、その製造工程において、高温での焼成により焼成収縮が生じるために、得られた基板に反りなどの変形や寸法ばらつき等が発生しやすい問題があり、回路基板の超高密度化や基板の平坦度の要求の厳しいフリップチップ等には十分に対応できないという問題があった。   However, since the ceramics constituting the insulating substrate of such a ceramic multilayer wiring board are hard and brittle, chipping or cracking of the ceramics is likely to occur in a manufacturing process or a transporting process, and the hermetic sealing property of the semiconductor element is impaired. Therefore, there was a problem that the yield was low. In addition, a multilayer ceramic wiring board is manufactured by printing a metallized ink on a green sheet before sintering, laminating and sintering the printed sheet, and in the manufacturing process, firing at a high temperature. Due to firing shrinkage, there is a problem that the obtained substrate is liable to be deformed such as warpage and dimensional variation, etc., and it is sufficient for ultra-high density circuit boards and flip chips with strict substrate flatness requirements. There was a problem that can not respond to.

これらの問題を改善する手段として 配線基板形成用転写シートを用いる方法(例えば特許文献1参照)が提案されている。この方法は、樹脂フィルムの上に光硬化型の粘着層を設けその上に金属層を張り付けた構成のものを利用するものであり、樹脂フィルム(厚み35μmのPET)上に銅箔との初期接着力が150g/20mm〜400g/20mmを有する紫外線硬化型のアクリル系、エポキシ系の粘着剤で銅箔(厚み9μm、12μm)を積層し、フォトレジストを銅箔上に塗布・乾燥後所定のマスクを介し露光現像し微細なパターン導体回路を銅箔に形成し、転写シートとした後に銅箔側から紫外線を照射し、粘着層露出部分の粘着剤を硬化させ接着力を低下させる。この転写シートの回路形成側に有機樹脂絶縁シートを重ね合わせ加熱・加圧積層する。その後PETフィルム側から紫外線を照射し、導体回路形成部分の粘着力をゼロにし、次いでPETフィルムを引き剥がして配線基板とするというものである。これは、導体回路を絶縁基板に加熱転写する方法であり,絶縁基板が各種薬品と接触することがなく、絶縁基板の特性に影響がない点が優れている。   As a means for solving these problems, a method using a transfer sheet for forming a wiring board (for example, see Patent Document 1) has been proposed. This method uses a configuration in which a photocurable adhesive layer is provided on a resin film, and a metal layer is adhered on the photocurable adhesive layer. A copper foil (thickness: 9 μm, 12 μm) is laminated with an ultraviolet-curable acrylic or epoxy adhesive having an adhesive force of 150 g / 20 mm to 400 g / 20 mm, and a photoresist is coated on the copper foil and dried, and then dried. A fine pattern conductor circuit is formed on a copper foil by exposure and development through a mask, and after forming a transfer sheet, ultraviolet rays are irradiated from the copper foil side to cure the adhesive on the exposed portion of the adhesive layer and reduce the adhesive strength. An organic resin insulating sheet is overlaid on the circuit forming side of the transfer sheet and laminated by heating and pressing. Thereafter, ultraviolet light is irradiated from the PET film side to reduce the adhesive strength of the conductive circuit forming portion to zero, and then the PET film is peeled off to form a wiring board. This is a method of heating and transferring a conductive circuit to an insulating substrate, and is excellent in that the insulating substrate does not come into contact with various chemicals and does not affect the characteristics of the insulating substrate.

ところが、粘着剤が半硬化状、つまり未反応のため銅箔との接着力が徐々に変化し、使用に際し、その都度紫外線露光量を最適化し、さらには硬化条件の最適化もしなければならないなど使用上の問題がある。   However, the adhesive is semi-cured, that is, the adhesive force with the copper foil gradually changes due to unreacted, and when using it, it is necessary to optimize the amount of UV exposure each time and further optimize the curing conditions etc. There is a usage problem.

さらに、実際には粘着剤自体の吸湿性が高い場合が多く、そのために配線回路を形成した転写シートを高湿度雰囲気化に曝すと、粘着層が吸湿して伸びるため転写シートがいびつに変形し、特に配線パターンが50μm以下の微細配線になるとその配線がシートから剥がれたり、さらには耐薬品性が不十分で配線回路を形成する際にエッチング液等に浸浸した場合、粘着剤が膨潤しやすく、微細配線がシートから剥がれたり、金属箔からなる配線回路とシートの接着力が不均一となるなどの問題があった。その結果、このような転写シートを用いて、絶縁基板に配線回路を転写させた場合、転写後の配線回路に寸法誤差や転写不良(脱落)が生じる問題が発生する。   In addition, in many cases, the adhesive itself has high hygroscopicity in many cases, and when the transfer sheet on which the wiring circuit is formed is exposed to a high-humidity atmosphere, the adhesive layer absorbs and expands, causing the transfer sheet to deform into an irregular shape. In particular, when the wiring pattern becomes fine wiring of 50 μm or less, the wiring is peeled off from the sheet, and furthermore, when immersed in an etching solution or the like when a wiring circuit is formed due to insufficient chemical resistance, the adhesive swells. There is a problem that the fine wiring is easily peeled off from the sheet, and the adhesive strength between the wiring circuit made of metal foil and the sheet becomes uneven. As a result, when a wiring circuit is transferred to an insulating substrate using such a transfer sheet, a problem occurs in which a dimensional error or transfer failure (dropout) occurs in the transferred wiring circuit.

これらを解決する手段として、熱収縮率が極めて小さい樹脂フィルム、具体的には100℃、1時間加熱後の収縮が0.05%以下の樹脂フィルムを支持体として使用する案(例えば特許文献2参照)が提案されている。しかしながら該低熱収縮樹脂フィルムは、特殊な方法、たとえば高温で長時間の熱処理などによる加工が必要であったり、または高耐熱性の樹脂からなる、たとえばポリイミド樹脂や液晶フィルムなどからなる極めて高価な特殊なフィルムを使用しなければならなく、高コストになる問題がある。
特開平10−178255号公報(1〜4頁参照) 特許第3085649号明細書(1〜4頁参照)
As a means for solving these problems, a proposal is to use a resin film having a very small heat shrinkage, specifically, a resin film having a shrinkage of 0.05% or less after heating at 100 ° C. for 1 hour (for example, Patent Document 2). See). However, the low heat shrinkable resin film requires processing by a special method, for example, a heat treatment at a high temperature for a long time, or an extremely expensive special material made of a resin having high heat resistance, such as a polyimide resin or a liquid crystal film. However, there is a problem that the cost must be increased due to the necessity of using a special film.
JP-A-10-178255 (see pages 1 to 4) Patent No. 3085649 (see pages 1 to 4)

本発明は従来技術の諸欠点を改良するために創案されたもので、本発明の目的は、上述した粘着剤の経日変化の問題や転写不良、寸法誤差、接着力不均一等の問題がなく、さらには耐薬品性に優れ、特に50μm以下の微細配線パターンにも適用できる配線基板を低コストで安定して得られる配線基板形成用転写シートを提供することにある。   The present invention has been made in order to improve various disadvantages of the prior art, and an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of aging of the pressure-sensitive adhesive, poor transfer, dimensional errors, and non-uniform adhesive strength. In addition, an object of the present invention is to provide a transfer sheet for forming a wiring board, which is excellent in chemical resistance and can obtain a wiring board stably at low cost, which is particularly applicable to a fine wiring pattern of 50 μm or less.

すなわち発明の配線基板形成用転写シートは、支持体上に硬化したシリコーン樹脂層、金属箔をこの順に積層したことを特徴とする配線基板形成用転写シートであり、前記支持体のMD方向、TD方向の少なくとも一方における100℃1時間加熱後の収縮率Xが0.05%<X<0.5%であることを特徴とする配線基板形成用転写シートである。   That is, the transfer sheet for forming a wiring board of the present invention is a transfer sheet for forming a wiring board, wherein a cured silicone resin layer and a metal foil are laminated in this order on a support. A transfer sheet for forming a wiring board, wherein a shrinkage ratio X after heating at 100 ° C. for one hour in at least one of the directions is 0.05% <X <0.5%.

本発明によれば、特に今後要求の高い50μm以下の微細配線回路を有する基板を製造するに際し、回路パターンの転写不良、断線がなく寸法精度に優れ、特に平坦化の高精度が要求されるフリップ実装や高密度多層配線基板の一括硬化積層法に適用できる性能を有する配線基板用転写シートを容易な工程でかつ低コストで得ることが可能である。   According to the present invention, particularly in the case of manufacturing a substrate having a fine wiring circuit of 50 μm or less, which is required in the future, a flip which requires excellent dimensional accuracy without transfer failure and disconnection of a circuit pattern, and particularly requires high accuracy of flattening. It is possible to obtain a transfer sheet for a wiring board having a performance applicable to a package or a batch hardening lamination method of a high-density multilayer wiring board by an easy process and at low cost.

以下、本発明の配線基板形成用転写シートについてさらに具体的に説明する。本発明の配線基板形成用転写シートは、支持体上に、硬化したシリコーン樹脂層、金属箔を有し、好ましくはこの順に積層した構成であって、回路パターン形成後絶縁基板に直接転写し、支持体を剥がして使用することができる。そのため、従来法のように回路パターンを転写後に粘着層を反応硬化するための紫外線照射工程あるいは加熱工程等煩雑な行程が不要となる。   Hereinafter, the transfer sheet for forming a wiring board of the present invention will be described more specifically. The transfer sheet for forming a wiring board of the present invention has a cured silicone resin layer and a metal foil on a support, and preferably has a configuration in which they are laminated in this order, and is directly transferred to an insulating substrate after circuit pattern formation. The support can be peeled off before use. Therefore, a complicated process such as an ultraviolet irradiation step or a heating step for reacting and curing the adhesive layer after the transfer of the circuit pattern as in the conventional method becomes unnecessary.

本発明で用いられる支持体としては、MD方向、TD方向の少なくとも一方における100℃、1時間加熱後の収縮率Xが0.05%<X<0.5%の範囲内であることを満足すればよく、特に限定されるものではない。また好ましくは0.05%<X<0.4%、より好ましくは0.05%<X<0.35%である。MD方向、TD方向の両方の収縮率が上記の範囲を満たすことが、さらに好ましい。この範囲内であると支持体の収縮によりシリコーン樹脂層上に形成した回路パターンの転写性が飛躍的に向上する。前記数値範囲の下限値を下回ると支持体の材料が限定され選択幅が狭くなり不経済となるばかりでなく、配線基板形成用転写シートとして重要な回路の転写性が低下する。一方上限値を上回ると回路パターンの寸法誤差が大きくなり、いずれも好ましくない。   The support used in the present invention satisfies that the shrinkage X after heating at 100 ° C. for one hour in at least one of the MD direction and the TD direction is in the range of 0.05% <X <0.5%. What is necessary is just to do and it does not specifically limit. Preferably, 0.05% <X <0.4%, and more preferably, 0.05% <X <0.35%. It is further preferable that the shrinkage ratios in both the MD direction and the TD direction satisfy the above ranges. Within this range, the transferability of the circuit pattern formed on the silicone resin layer is significantly improved due to shrinkage of the support. If the value is below the lower limit of the above numerical range, the material of the support is limited and the selection range is narrowed, which is not only uneconomical, but also reduces the transferability of a circuit important as a transfer sheet for forming a wiring board. On the other hand, when the value exceeds the upper limit, the dimensional error of the circuit pattern increases, which is not preferable.

ここでMD方向、TD方向とは、それぞれMachine Direction(機械方向)、Transverse Direction(横方向)のことである。   Here, the MD direction and the TD direction mean a Machine Direction (machine direction) and a Transverse Direction (lateral direction), respectively.

本発明でいう支持体の100℃、1時間加熱後の収縮率は以下の方法により測定することができる。
1.図1に示すような190×200mm(MD×TD)の試料を準備する。
2.準備した試料を25℃×50%RHに調温、調湿した部屋に4時間以上放置する。
3.25℃×50%RHに調温、調湿した部屋で熱処理前の試料4辺の長さを測定する。
The shrinkage of the support in the present invention after heating at 100 ° C. for 1 hour can be measured by the following method.
1. A sample of 190 × 200 mm (MD × TD) as shown in FIG. 1 is prepared.
2. The prepared sample is left at room temperature and humidity of 25 ° C. × 50% RH for 4 hours or more.
3. Measure the length of the four sides of the sample before heat treatment in a room temperature- and humidity-controlled at 25 ° C. × 50% RH.

長さの測定は、例えばCNC画像測定システム、NEXIV VM−250(ニコンインステック製)形式 シングルコラム・XYステージ型、透過型リニアエンコーダにより測定することができる。この測定においてフィルムの巻き癖などあると正確に長さ測定できないためフィルム上にガラス板を被せフィルムの浮きを押さえる。
4.目の粗い金網にフィルムをのせ、100℃のオーブンに投入し1時間加熱処理する。
5.オーブンから試料を取り出し25℃まで冷却後、25℃×50%RHに調温、調湿した部屋で熱処理後の試料4辺の長さを測定する。
6.熱処理前後の寸法からMD方向、TD方向の熱収縮率Xを下記式にて算出する。
The length can be measured by, for example, a CNC image measurement system, NEXIV VM-250 (manufactured by Nikon Instec), a single column, XY stage type, transmission type linear encoder. In this measurement, if there is a curl or the like of the film, the length cannot be accurately measured, so that a glass plate is placed on the film to suppress the floating of the film.
4. The film is placed on a coarse mesh, placed in an oven at 100 ° C., and heated for 1 hour.
5. The sample is taken out of the oven and cooled to 25 ° C., and the length of the four sides of the sample after the heat treatment is measured in a room where the temperature is adjusted to 25 ° C. × 50% RH and the humidity is adjusted.
6. From the dimensions before and after the heat treatment, the heat shrinkage X in the MD and TD directions is calculated by the following equation.

MD方向収縮率(%)=100−{(熱処理後(辺A+辺B)/熱処理前(辺A+辺B))×100}
支持体として例えば、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄などの金属箔または紙、天然繊維、高分子繊維、布帛、高分子樹脂フィルムなどが目的に応じ用いられる。取り扱いの点から、樹脂フィルムからなる支持体が好ましい。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリ塩化ビニル、PEN(ポリエーテルニトリル)などのようなプラスチックフィルムないしはシート等公知のものが挙げられる。
MD direction shrinkage (%) = 100 − {(after heat treatment (side A + side B) / before heat treatment (side A + side B)) × 100}
As the support, for example, metal foil or paper such as aluminum, copper, stainless steel, iron or the like, natural fiber, polymer fiber, cloth, polymer resin film and the like are used according to the purpose. From the viewpoint of handling, a support made of a resin film is preferable. Examples of the resin film include known films such as a polyester resin film such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, and a plastic film or sheet such as polypropylene, polyphenylene sulfide, polyvinyl chloride, and PEN (polyether nitrile).

支持体の厚みとしては、回路パターン形成後絶縁基板に直接転写し、支持体を剥がして使用することができるものであれば特に限定されないが、樹脂フィルムを支持体として用いた場合、厚み1μm以上400μm以下が好ましい。より好ましくは厚み3μm以上、さらに好ましくは5μm以上である。またより好ましくは200μm以下、さらに好ましくは厚み100μm以下の樹脂フィルムである。なお、支持体の厚みが厚くなるほど回路パターンの転写性は低下する傾向にあることから、可能な限り薄い支持体を使用することが好ましい。   The thickness of the support is not particularly limited as long as it can be directly transferred to an insulating substrate after forming a circuit pattern and the support can be peeled off, but when a resin film is used as the support, the thickness is 1 μm or more. It is preferably 400 μm or less. The thickness is more preferably 3 μm or more, and further preferably 5 μm or more. The resin film is more preferably 200 μm or less, and still more preferably 100 μm or less in thickness. Since the transferability of the circuit pattern tends to decrease as the thickness of the support increases, it is preferable to use a support as thin as possible.

本発明の配線基板形成用転写シートにおいて、樹脂フィルム等の支持体と硬化したシリコーン樹脂層との接着力は重要であるので、好ましくは樹脂フィルムにシリコーン樹脂層を塗布する前に、樹脂フィルムとシリコーン樹脂層との十分な接着性を得るための表面処理が施されていることが好ましい。このような表面処理としては、低温プラズマ処理や支持体表面にプライマー層を設けることなどが挙げられる。   In the transfer sheet for forming a wiring board of the present invention, since the adhesive force between the cured silicone resin layer and a support such as a resin film is important, preferably before applying the silicone resin layer to the resin film, the resin film and It is preferable that a surface treatment for obtaining sufficient adhesiveness with the silicone resin layer is performed. Examples of such surface treatment include low-temperature plasma treatment and provision of a primer layer on the support surface.

低温プラズマ処理とは、大気圧または真空下において電極間に直流または交流の高電圧を印加することによって開始持続する放電に、被処理材をさらすことによってなされる処理である。例えば公知のコロナ処理、グロー放電処理が挙げられ、特に限定されるものではない。ガスの種類、処理圧力、印加電圧、電源周波数、処理速度などのプラズマ処理条件は、プラズマ処理装置、接着剤の種類など目的に応じて適切に選択することができる。   The low-temperature plasma treatment is a treatment performed by exposing a material to be processed to a discharge which is started and applied by applying a high DC or AC voltage between electrodes under atmospheric pressure or vacuum. For example, known corona treatment and glow discharge treatment are mentioned, and there is no particular limitation. The plasma processing conditions such as the type of gas, the processing pressure, the applied voltage, the power supply frequency, and the processing speed can be appropriately selected according to the purpose, such as the type of the plasma processing apparatus and the type of adhesive.

本発明に用いられるプライマー層とは、樹脂フィルムとシリコーン樹脂層との接着力を向上させるものであればよく、特に限定されるものではない。プライマー層としては例えば、フェノール樹脂系、アクリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、紫外線硬化樹脂系、ウレタン系などが好ましい。   The primer layer used in the present invention is not particularly limited as long as it improves the adhesive strength between the resin film and the silicone resin layer. As the primer layer, for example, a phenol resin type, an acrylic type, a polyamide type, a polyester type, an ultraviolet curable resin type, a urethane type or the like is preferable.

また当然のことながら、プライマー層を設ける樹脂フィルム表面をあらかじめ上記低温プラズマ処理したものを用いても良い。   Naturally, the surface of the resin film on which the primer layer is provided may be subjected to the low-temperature plasma treatment in advance.

プライマー層の膜厚は、好ましくは0.1〜100μm、より好ましくは0.2〜50μm、更に好ましくは0.5〜10μmである。プライマー層が薄すぎると、塗布時にピンホールなどの欠点が生じやすくなり、また厚すぎると経済的に不利である。   The thickness of the primer layer is preferably 0.1 to 100 μm, more preferably 0.2 to 50 μm, and still more preferably 0.5 to 10 μm. If the primer layer is too thin, defects such as pinholes tend to occur during coating, and if it is too thick, it is economically disadvantageous.

本発明で用いられるシリコーン樹脂層を構成するシリコーン樹脂は、大別して以下の(1)と(2)の2種に分類される。   The silicone resin constituting the silicone resin layer used in the present invention is roughly classified into the following two types (1) and (2).

(1)縮合反応によって得られるシリコーン樹脂
このような縮合型シリコーンゴムを形成する方法としては、下記一般式[1]で示される繰り返し単位を有する分子量数千〜数十万の線状有機ポリシロキサンを架橋剤により架橋する方法が一般的である。
(1) Silicone Resin Obtained by Condensation Reaction As a method of forming such a condensation type silicone rubber, a linear organic polysiloxane having a repeating unit represented by the following general formula [1] and having a molecular weight of thousands to hundreds of thousands is mentioned. Is generally crosslinked with a crosslinking agent.

Figure 2004319981
Figure 2004319981

式中、nは2以上の整数、R1、R2は炭素数1〜50の置換あるいは非置換のアルキル基、炭素数2〜50の置換あるいは非置換のアルケニル基、炭素数4〜50の置換あるいは非置換のアリール基の群から選ばれる少なくとも一種であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。R1、R2の全体の40%以下がビニル、フェニル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化フェニルであり、全体の60%以上がメチル基であるものが好ましい。 In the formula, n is an integer of 2 or more; R 1 and R 2 are a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms; a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 50 carbon atoms; It is at least one selected from the group of substituted or unsubstituted aryl groups, and may be the same or different. Preferably, 40% or less of R 1 and R 2 is vinyl, phenyl, vinyl halide, or phenyl halide, and 60% or more of all is a methyl group.

このような線状有機ポリシロキサンは、有機過酸化物を添加して熱処理を施すことにより、さらに架橋したシリコーンゴムとすることもできる。このような線状有機ポリシロキサンは、通常以下の一般式[2]に示されるような架橋剤を添加することにより架橋させることができる。   Such a linear organic polysiloxane can be further crosslinked by adding an organic peroxide and performing a heat treatment. Such a linear organopolysiloxane can be usually crosslinked by adding a crosslinking agent represented by the following general formula [2].

Figure 2004319981
Figure 2004319981

式中、qは0〜2の整数であり、R3 アルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらの組み合わされた基を示し、それらはハロゲン原子、アミノ基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、(メタ)アクリルオキシ基、チオール基などの官能基を置換基として有していてもよい。Zは水素原子、水酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ケトオキシム基、アミド基、アミノオキシ基、アミノ基、グリシジル基、メタクリル基、アリル基、ビニル基などを有するアセトキシシラン、ケトオキシムシラン、アルコキシシラン、アミノシラン、アミドシランなどが挙げられるが、これらに限定されない。 In the formula, q is an integer of 0 to 2, and R 3 is An alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a combination thereof, which represents a functional group such as a halogen atom, an amino group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a (meth) acryloxy group, or a thiol group; You may have it as a substituent. Z is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, a ketoxime group, an amide group, an aminooxy group, an amino group, a glycidyl group, a methacryl group, an allyl group, an acetoxysilane having a vinyl group, a ketoxime silane, an alkoxysilane, Examples include, but are not limited to, aminosilane and amidosilane.

このような縮合型シリコーンゴムには、錫、亜鉛、鉛、カルシウム、マンガンなどの金属を含んだ化合物などを触媒として添加することは任意である。   It is optional to add a compound containing a metal such as tin, zinc, lead, calcium, manganese or the like as a catalyst to such a condensation type silicone rubber.

(2)付加反応によって得られるシリコーンゴム
付加型シリコーンゴムを形成する方法としては、分子中に2個以上のエチレン性不飽和結合を有するポリシロキサン化合物と多価ハイドロジェンポリシロキサン化合物とを反応させる方法が一般的である。分子中に2個以上のエチレン性不飽和結合を有するポリシロキサン化合物としてはα,ω−ジビニルポリジメチルシロキサン、両末端メチル基の(メチルシロキサン)(ジメチルシロキサン)共重合体などが挙げられる。多価ハイドロジェンポリシロキサン化合物としては、α,ω−ジメチルポリメチルハイドロジェンシロキサン、両末端メチル基の(メチルポリメチルハイドロジェンシロキサン)(ジメチルシロキサン)共重合体などが挙げられる。
(2) Silicone rubber obtained by addition reaction As a method of forming an addition type silicone rubber, a polysiloxane compound having two or more ethylenically unsaturated bonds in a molecule is reacted with a polyvalent hydrogen polysiloxane compound. The method is general. Examples of the polysiloxane compound having two or more ethylenically unsaturated bonds in the molecule include α, ω-divinylpolydimethylsiloxane, and a (methylsiloxane) (dimethylsiloxane) copolymer having methyl groups at both terminals. Examples of the polyvalent hydrogen polysiloxane compound include α, ω-dimethyl polymethyl hydrogen siloxane, and a (methyl polymethyl hydrogen siloxane) (dimethyl siloxane) copolymer having methyl groups at both terminals.

このような付加型シリコーンゴムには、白金単体、塩化白金、オレフィン配位白金などを触媒として添加する。   To such an addition type silicone rubber, platinum alone, platinum chloride, olefin-coordinated platinum or the like is added as a catalyst.

シリコーン樹脂層の膜厚は、通常0.5〜100μm、好ましくは0.5〜10μm、より好ましくは1〜5μmである。シリコーン樹脂層が薄すぎる場合には、金属箔との密着性の不均一の問題を生じることがある。   The thickness of the silicone resin layer is usually 0.5 to 100 μm, preferably 0.5 to 10 μm, and more preferably 1 to 5 μm. If the silicone resin layer is too thin, a problem of non-uniform adhesion with the metal foil may occur.

なお、シリコーンゴム層の不溶化率は以下の方法で測定する。   The insolubilization rate of the silicone rubber layer is measured by the following method.

厚さ0.24mmの脱脂したアルミ板上にシリコーンゴム溶液を塗布、130℃で3分間乾燥し不溶化率測定用のシリコーンゴム層サンプルを作製する。不溶化率測定用として10×10cmに切り取り、初期重量(S)を測定する。測定溶媒に“アイソパーE”(イソパラフィン系炭化水素、エクソン化学(株)製)を用い、浸漬温度30℃、浸漬時間300秒にて、上記シリコーンゴム層サンプルを溶媒中に浸漬させ、浸漬後ガーゼを用いてシリコーンゴム層サンプルの表面を拭き取った後、重量(T)を測定する。残存したシリコーンゴム層を除去しアルミ板の重量(U)を測定し、下記一般式(a)により不溶化率(Y)を算出する。   A silicone rubber solution is applied on a degreased aluminum plate having a thickness of 0.24 mm and dried at 130 ° C. for 3 minutes to prepare a silicone rubber layer sample for measuring the insolubilization rate. Cut to 10 × 10 cm for insolubilization ratio measurement, and measure the initial weight (S). Using "Isopar E" (isoparaffinic hydrocarbon, manufactured by Exxon Chemical Co., Ltd.) as a measuring solvent, the silicone rubber layer sample was immersed in the solvent at an immersion temperature of 30 ° C. and an immersion time of 300 seconds. After wiping the surface of the silicone rubber layer sample using, the weight (T) is measured. The remaining silicone rubber layer is removed, the weight (U) of the aluminum plate is measured, and the insolubilization rate (Y) is calculated by the following general formula (a).

Y=(T−U)/(S−U)×100 ・・・(a)
不溶化率は50%以上が好ましい、より好ましくは70%以上である。不溶化率が50%以下の場合は金属箔をエッチングする際にシリコーン樹脂層が基板から脱落し、パターンが得られないなどの問題が発生する。
Y = (TU) / (SU) × 100 (a)
The insolubilization rate is preferably at least 50%, more preferably at least 70%. If the insolubilization rate is 50% or less, the silicone resin layer will fall off the substrate when etching the metal foil, causing problems such as the inability to obtain a pattern.

本発明で用いられる金属箔は、一般に導体回路形成用に用いられるものであればよい。好適に用いられる金属箔としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、ステンレスなどの金属箔が挙げられる。この中で特に好ましい金属は、銅または銅を含む合金である。金属箔が銅箔の場合、公知の配線基板用の圧延箔、電解箔などが好ましく用いられる。金属箔の厚みは、1μm以上40μm以下である。20μm以下、好ましくは15μm以下、さらに好ましくは13μm以下である。厚みが40μmを超える場合には、例えばシリコーン樹脂層の銅箔保持力が不安定になり回路パターン作成のエッチング時に銅箔が脱落する問題がある
本発明で用いられるシリコーン樹脂層と金属箔との接着力は、転写時の温度、圧力、パターン形状,線幅などによって好ましく選定すればよく、特に限定されるものではない。
The metal foil used in the present invention may be any metal foil generally used for forming a conductive circuit. Suitable metal foils include, for example, metal foils such as copper, aluminum, gold, silver, and stainless steel. Among these, a particularly preferred metal is copper or an alloy containing copper. When the metal foil is a copper foil, a known rolled foil or electrolytic foil for a wiring board is preferably used. The thickness of the metal foil is 1 μm or more and 40 μm or less. It is 20 μm or less, preferably 15 μm or less, and more preferably 13 μm or less. When the thickness exceeds 40 μm, for example, there is a problem that the copper foil holding force of the silicone resin layer becomes unstable and the copper foil falls off during etching for forming a circuit pattern. The adhesive force may be preferably selected according to the temperature, pressure, pattern shape, line width, and the like during transfer, and is not particularly limited.

ここでいう接着力とは支持体およびシリコーン樹脂層を金属箔から180度の方向に剥がした時の応力を示し、測定はJIS−Z−0237に準拠するものである。   The term "adhesive force" as used herein refers to the stress when the support and the silicone resin layer are peeled from the metal foil in the direction of 180 degrees, and the measurement complies with JIS-Z-0237.

接着力としては、好ましくは0.2g/10mm以上、より好ましくは0.3g/10mm以上、さらに好ましくは1g/10mm以上300g/10mm以下が好ましい。   The adhesive strength is preferably 0.2 g / 10 mm or more, more preferably 0.3 g / 10 mm or more, and further preferably 1 g / 10 mm or more and 300 g / 10 mm or less.

接着力が0.2g/10mm未満では取り扱い時に剥がれやすくなり、また接着力が300g/10mmより大きいと回路パターンの転写時に回路の転写不良が発生し好ましくない。   If the adhesive strength is less than 0.2 g / 10 mm, the adhesive tends to peel off during handling, and if the adhesive strength is greater than 300 g / 10 mm, circuit transfer failure occurs when transferring a circuit pattern, which is not preferable.

本発明の配線基板形成用転写シートは、例えば、次のようにして製造される。まず、必要に応じて接着向上のため表面をプライマー処理、または低温プラズマ処理した樹脂フィルム等の支持体上に、シリコーン樹脂層として構成すべき組成物溶液をリバースコーター、カレンダーロールコーター、ナイフコーター、メーヤバーコーターなどの通常のコーター、あるいはホエラのような回転塗布装置を用いて塗布し、乾燥する。乾燥は、通常60〜180℃の温度で数分間熱処理して行い、十分に硬化せしめてシリコーン樹脂層を形成する。   The transfer sheet for forming a wiring board of the present invention is manufactured, for example, as follows. First, on a support such as a resin film that has been subjected to a primer treatment or a low-temperature plasma treatment for improving adhesion as necessary, a composition solution to be constituted as a silicone resin layer is coated with a reverse coater, a calendar roll coater, a knife coater, Coating is performed using a usual coater such as a Mayer bar coater or a spin coater such as a wooler and dried. Drying is usually performed by heat treatment at a temperature of 60 to 180 ° C. for several minutes, and sufficiently cured to form a silicone resin layer.

次いで、このようにして得られたシリコーン樹脂層上に、導体回路形成用の金属箔を重ね合わせ、プレス、ロールラミネータ等で圧着する。温度および圧力等の条件は任意に選定することができる。   Next, a metal foil for forming a conductive circuit is overlaid on the silicone resin layer thus obtained, and pressed by a press, a roll laminator or the like. Conditions such as temperature and pressure can be arbitrarily selected.

このようにして製造された配線基板形成用転写シートは、該金属箔を公知のレジスト法などによって所定の回路パターンを作成し、配線基板形成用転写シートとする。フォトレジストはネガ型でもポジ型でも使用することができる。   The transfer sheet for forming a wiring board manufactured as described above is used as a transfer sheet for forming a wiring board by forming a predetermined circuit pattern on the metal foil by a known resist method or the like. The photoresist can be used in either a negative type or a positive type.

例えば、ポジ型のフォトレジストを使用し回路を形成する例を下記に説明する。該金属箔の全面にフォトレジストを塗布し、所定のマスクを介して露光をする。この露光工程で用いられる光源は、紫外線を豊富に発生するものであり、水銀灯、カーボンアーク灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、タングステンランプ、蛍光灯などを用いることができる。   For example, an example in which a circuit is formed using a positive photoresist will be described below. A photoresist is applied to the entire surface of the metal foil, and is exposed through a predetermined mask. The light source used in this exposure step generates abundant ultraviolet rays, and may be a mercury lamp, a carbon arc lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, a tungsten lamp, a fluorescent lamp, or the like.

次いで、自動現像装置を用いるかあるいは手作業による現像を行うことによって、露光部のフォトレジスト層を除去する。次いで、塩化第2鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去・水洗・乾燥し配線回路パターンを形成し配線基板転写シートとした。こうして回路として残るべき金属箔の上には、フォトレジストが残るが、後述する絶縁基板の特性や密着性に問題がない限り、例えば絶縁基板の構成素材と同じ組成のレジストを用いた場合などには残存するレジストを除去しなくても良い。残存するレジストを除去する場合には、レジスト剥離液で剥離後に、適当なリンス液で洗浄、乾燥する。   Next, the photoresist layer in the exposed area is removed by using an automatic developing device or performing manual development. Then, the copper in the non-pattern portion was removed by etching with a ferric chloride solution, washed with water, and dried to form a wiring circuit pattern, thereby obtaining a wiring board transfer sheet. Although the photoresist remains on the metal foil to be left as a circuit in this way, as long as there is no problem with the characteristics and adhesion of the insulating substrate described later, for example, when a resist having the same composition as the constituent material of the insulating substrate is used. Need not remove the remaining resist. In the case of removing the remaining resist, the resist is stripped with a resist stripper, and then washed and dried with an appropriate rinse solution.

このようにして得られた配線基板転写シートは必要に応じ導体部に腐食防止や接着改良のための処理を行っても良い。また、配線基板転写シート上に電子部品を搭載しても良いし、印刷法で抵抗、コンデンサ、インダクタなどを形成しても良い。   The wiring board transfer sheet thus obtained may be subjected to a treatment for preventing corrosion and improving adhesion to the conductor as necessary. Further, an electronic component may be mounted on the wiring board transfer sheet, or a resistor, a capacitor, an inductor, and the like may be formed by a printing method.

次に、上記によって形成した配線回路を絶縁基板に転写する。転写方法は、図2に示すように、配線回路2の上に絶縁基板1を重ね合わせ5〜400kg/cm2程度の圧力で転写し、次いで支持体3を剥離する方法、または、図3に示すように、上述した方法によって形成した配線回路2の上に硬化性樹脂を含む絶縁スラリーを配線回路よりも厚く形成し、次いで目的に応じ、硬化させた後シリコーン樹脂層4を剥離する方法が用いられる。転写時の圧力は、絶縁基板の樹脂の種類によって異なるが、形成した配線回路全体が埋め込まれるように選定する。 Next, the wiring circuit formed as described above is transferred to an insulating substrate. As a transfer method, as shown in FIG. 2, the insulating substrate 1 is superposed on the wiring circuit 2 and transferred at a pressure of about 5 to 400 kg / cm 2 , and then the support 3 is peeled off. As shown in the figure, a method of forming an insulating slurry containing a curable resin thicker than the wiring circuit on the wiring circuit 2 formed by the above-described method, and then, after curing according to the purpose, peeling off the silicone resin layer 4. Used. The pressure at the time of transfer varies depending on the type of resin of the insulating substrate, but is selected so that the entire formed wiring circuit is embedded.

絶縁基板としては、シート、フィルム状の耐熱性樹脂の上に硬化樹脂または半硬化樹脂を有するもの、または、有機あるいは無機の繊維状基材に半硬化性樹脂を含むシート状物などが挙げられる。   Examples of the insulating substrate include a sheet, a resin having a cured resin or a semi-cured resin on a film-like heat-resistant resin, and a sheet-like material containing a semi-cured resin in an organic or inorganic fibrous base material. .

耐熱性樹脂の例としては、BTレジン(ビスマレイミドトリアジン樹脂)、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、フッソ系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。なおこれらの樹脂の中に、必要に応じ無機(充填剤)または有機フィラー(充填剤)が添加されていても良い。無機フィラー(充填剤)は限定されるものでなく、例えば、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、ホウ酸アルミニウムなど一般に公知のフィラー(充填剤)が挙げられる。また、有機フィラー(充填剤)としては、ポリイミド系樹脂、ポリアラミド系樹脂など公知のフィラー(充填剤)が挙げられる。   Examples of the heat resistant resin include BT resin (bismaleimide triazine resin), epoxy resin, polyphenylene ether resin, fluorine resin, phenol resin and the like. In addition, an inorganic (filler) or an organic filler (filler) may be added to these resins as needed. The inorganic filler (filler) is not limited, and examples thereof include generally known fillers (fillers) such as silica, alumina, barium titanate, aluminum nitride, titanium oxide, and aluminum borate. Examples of the organic filler (filler) include known fillers (fillers) such as a polyimide resin and a polyaramid resin.

繊維状基材としては、ガラス繊維などの無機質繊維やフッ素系繊維などの合成繊維などからなる織布等の布帛が挙げられる。   Examples of the fibrous base material include fabrics such as woven fabrics made of inorganic fibers such as glass fibers and synthetic fibers such as fluorine-based fibers.

配線回路を上記した絶縁基板に転写する場合、絶縁基板は少なくとも一つの貫通孔を有し、この貫通孔に導電性ペーストが充填されていることが好ましい。これにより例えば絶縁基板両面あるいは片面の配線パターンが導電性ペーストにより電気的に接続された、IVH(インナービアホール)構造を有する高密度実装用コンポジット配線基板を容易に得ることができる。   When the wiring circuit is transferred to the above-described insulating substrate, it is preferable that the insulating substrate has at least one through hole, and the through hole is filled with a conductive paste. Thereby, for example, a composite wiring board for high-density mounting having an IVH (inner via hole) structure in which wiring patterns on both sides or one side of an insulating substrate are electrically connected by a conductive paste can be easily obtained.

また、配線回路を転写した絶縁基板表面を前記した低温プラズマ処理や有機系溶剤や水系溶剤による表面処理およびサンドブラスト処理など行うことが好ましい。これにより例えば前記した絶縁基板または放熱板、電子部品などとの接着性を高めることができる。   Further, it is preferable to perform the above-described low-temperature plasma treatment, surface treatment with an organic solvent or an aqueous solvent, and sandblast treatment on the surface of the insulating substrate to which the wiring circuit has been transferred. Thereby, for example, the adhesiveness with the above-described insulating substrate, heat sink, electronic component, or the like can be improved.

このようにして得られた配線基板は、極めて平坦性に優れるため、特に一括積層による多層配線基板の製造やフリップチップ実装に適している。   The wiring board thus obtained is extremely excellent in flatness, and is particularly suitable for manufacturing a multilayer wiring board by batch lamination and flip-chip mounting.

以下に実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実体顕微鏡による、位置ずれ不良、断線の有無および転写不良の評価方法、接着力の測定方法は次のとおりである。なお、試料の作製および評価等の作業は25℃、50%RHに調温・調湿された室内で行った。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, the evaluation method of the positional deviation defect, the presence or absence of disconnection, the transfer defect, and the measuring method of the adhesive force by the stereomicroscope are as follows. The operations such as sample preparation and evaluation were performed in a room where the temperature and humidity were adjusted to 25 ° C. and 50% RH.

(a)位置ずれ不良
配線間隔を測定し、設計値とのずれおよび均一性で評価した。配線間隔が設計値より±5%以上の場合は不良とした。
(b)断線の有無
配線を観察し、断線の有無を判定した。断線が1本でも観察されれば有(不良)とした。
(c)転写不良
回路を形成した配線基板を転写後に、回路の転写残りの有無を観察した。転写残りが一つでもあれば不良とした。
(d)接着力
配線基板用転写シート(幅25mm×長さ300mm)の金属箔面を2mm厚みのステンレス板に両面粘着テープを用いて固定し、支持体およびシリコーン樹脂層を金属箔から180度の方向に300mm/分の速度で剥がし接着力(g/cm)を測定した。
(a) Poor positional deviation The wiring interval was measured, and the deviation from the design value and the uniformity were evaluated. When the wiring interval was ± 5% or more from the design value, it was determined to be defective.
(b) Presence or absence of disconnection The wiring was observed and the presence or absence of disconnection was determined. If at least one disconnection was observed, it was determined to be present (defective).
(c) Poor transfer After the transfer of the wiring board on which the circuit was formed, the presence or absence of transfer residue of the circuit was observed. If there was only one transfer residue, it was determined to be defective.
(d) Adhesive strength The metal foil surface of the transfer sheet for a wiring board (25 mm wide x 300 mm long) is fixed to a 2 mm thick stainless steel plate using a double-sided adhesive tape, and the support and the silicone resin layer are separated from the metal foil by 180 degrees. Was peeled off at a speed of 300 mm / min in the direction of, and the adhesive strength (g / cm) was measured.

実施例1
厚さ50μmのポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーS10”登録商標)の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。このポリエステルフィルムの表面に、下記の組成のプライマー層を、硬化後の膜厚が2μmになるように塗布して70℃×1分間乾燥した後、3kWの超高圧水銀灯(オーク製作所製)を用いUVメーター(オーク製作所ライトメジャータイプUV365)で15mW/cm2の照度で5分間露光し硬化させた。
[プライマー層組成]
プライマー層は、以下の(1)〜(2)よりなる組成とした。
(1)2−ヒドロキシエチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルアクリレート/メタクリル酸メチル/アクリル酸メチル=20/20/30/30の共重合体 100重量部、(2)テトラヒドロフラン 900重量部。
Example 1
The heat shrinkage of a 50 μm thick polyester film (manufactured by Toray Industries, Inc .: “Lumirror S10”) after heating at 100 ° C. for 1 hour was measured. The results are shown in Table 1. On the surface of this polyester film, a primer layer having the following composition was applied so that the film thickness after curing became 2 μm, dried at 70 ° C. for 1 minute, and then a 3 kW ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) was used. Exposure was performed for 5 minutes with an illuminance of 15 mW / cm 2 using a UV meter (Oak Seisakusho's light measure type UV365) to cure.
[Primer layer composition]
The primer layer had a composition consisting of the following (1) and (2).
(1) 100 parts by weight of a copolymer of 2-hydroxyethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl acrylate / methyl methacrylate / methyl acrylate = 20/20/30/30; (2) 900 parts by weight of tetrahydrofuran.

上記プライマー層の上層に、下記の組成の縮合型シリコーンゴム層を、乾燥後の膜厚が2μmになるように塗布して、100℃×2分間乾燥硬化した。
〔シリコーンゴム層組成〕
シリコーンゴム層は、以下の(1)〜(5)よりなる組成とした。
(1)両末端水酸基のポリジメチルシロキサン(平均分子量50,000) 100重量部、(2)メチルトリアセトキシシラン 9.9重量部、(3)ジブチル錫ジオクテート 0.1重量部、(4)ヘキサン 190重量部、(5)キシレン 50重量部。
A condensation type silicone rubber layer having the following composition was applied to the upper layer of the primer layer so that the film thickness after drying was 2 μm, and dried and cured at 100 ° C. for 2 minutes.
(Silicone rubber layer composition)
The silicone rubber layer had a composition consisting of the following (1) to (5).
(1) 100 parts by weight of polydimethylsiloxane having hydroxyl groups at both terminals (average molecular weight: 50,000), (2) 9.9 parts by weight of methyltriacetoxysilane, (3) 0.1 part by weight of dibutyltin dioctate, (4) 190 parts by weight of hexane Parts, (5) 50 parts by weight of xylene.

上記シリコーンゴム層の上層に、厚さ9μmの電解銅箔(古河サーキットフォイル(株):F0−WS)の光沢面を重ね合わせラミネートして配線基板用転写シートを得た。この銅箔とシリコーン粘着層との接着力を測定した。結果を表1に示す。次に、得られた配線基板転写用シートの銅箔の上全面に、フォトレジストをスピンコートによって形成し、乾燥させて膜厚4μmとして、線幅25μm、配線ピッチ50μmを有する配線回路および絶縁シートの約60%の面積を有する5mm角のグランド電極パターンを有するマスクを重ねポジフィルムを30秒真空密着させ、28℃の温度で3kWの超高圧水銀灯(オーク製作所製)を用いUVメーター(オーク製作所ライトメジャータイプUV365)で2.4mW/cm2の照度で2分間露光した。露光後、マスクを外し、水酸化ナトリウム水溶液によりアルカリ現像し、不要なレジストを除去し水洗・乾燥した。次いで、塩化第2鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去・水洗・乾燥した後、配線パターン上のレジストを剥離した。これにより配線ピッチ50μmの配線回路パターンを有する配線基板転写シートを得た。次いで、有機樹脂として下記組成の絶縁スラリーをドクターブレード法により乾燥後の厚みが100μm、12cm角の絶縁シートを作成した。
[絶縁スラリー組成]
絶縁スラリーは、以下の(1)〜(3)よりなる組成とした。
(1)BTレジン(三菱ガス化学(株)製) 30容量%、(2)球状シリカ(体積平均粒径2μm) 70容量%、(3)溶剤:酢酸ブチル 20重量部。
A glossy surface of 9 μm thick electrolytic copper foil (Furukawa Circuit Foil Co., Ltd .: F0-WS) was overlaid and laminated on the upper layer of the silicone rubber layer to obtain a transfer sheet for a wiring board. The adhesive strength between the copper foil and the silicone adhesive layer was measured. Table 1 shows the results. Next, a photoresist is formed on the entire upper surface of the copper foil of the obtained wiring board transfer sheet by spin coating, and is dried to a thickness of 4 μm to have a wiring width of 25 μm and a wiring pitch of 50 μm. A mask having a ground electrode pattern of 5 mm square having an area of about 60% of that of the above is superimposed on the positive film under vacuum for 30 seconds, and a UV meter (Oak Seisakusho) is used at 28 ° C. using a 3 kW ultra-high pressure mercury lamp (Oak Seisakusho). Exposure was performed for 2 minutes with an illuminance of 2.4 mW / cm 2 using a light measure type UV365). After the exposure, the mask was removed, and alkali development was performed using an aqueous sodium hydroxide solution to remove unnecessary resist, followed by washing and drying. Next, the copper in the non-pattern portion was removed by etching with a ferric chloride solution, washed with water, and dried, and then the resist on the wiring pattern was peeled off. Thus, a wiring board transfer sheet having a wiring circuit pattern with a wiring pitch of 50 μm was obtained. Subsequently, an insulating sheet having a thickness of 100 μm and a square of 12 cm after drying an insulating slurry having the following composition as an organic resin by a doctor blade method was prepared.
[Insulating slurry composition]
The insulating slurry had the following composition (1) to (3).
(1) BT resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) 30% by volume, (2) spherical silica (volume average particle size 2 μm) 70% by volume, (3) solvent: butyl acetate 20 parts by weight.

得られた絶縁シートを上記配線回路面に重ね合わせ、真空加熱プレスで圧力50kg/cm2、加圧時間30分、温度100℃の条件で導体回路を絶縁シートに転写し完全に埋め込ませた。 The obtained insulating sheet was superimposed on the wiring circuit surface, and the conductor circuit was transferred to the insulating sheet by a vacuum heating press under the conditions of a pressure of 50 kg / cm 2 , a pressing time of 30 minutes, and a temperature of 100 ° C., and completely embedded therein.

次に、硬化したシリコーン樹脂層付きポリエステルフィルムを剥がし、絶縁シートを、190℃、6時間加熱し硬化させた。この配線基板を10枚作成し、実体顕微鏡により、位置ずれ不良、断線の有無および転写不良について観察した。結果を表1に示す。   Next, the cured polyester film with the silicone resin layer was peeled off, and the insulating sheet was cured by heating at 190 ° C. for 6 hours. Ten wiring boards were prepared, and a stereoscopic microscope was used to observe misalignment, disconnection, and transfer failure. Table 1 shows the results.

実施例2
実施例1のポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーS10”登録商標)を70℃の温度で30分間熱処理し、さらにこの支持体にコロナ放電処理としてアルミニウム電極を用い、電極密度250(W・min/m2)の条件で表面処理を行った。熱処理およびコロナ放電処理後の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。支持体としてこのフィルムを用い、実施例1のプライマ層を形成しないこと以外は実施例1と同様に評価した。
Example 2
The polyester film of Example 1 (manufactured by Toray Industries, Inc., “Lumirror S10”) was heat-treated at a temperature of 70 ° C. for 30 minutes. Further, an aluminum electrode was used as a corona discharge treatment on this support, and the electrode density was 250 (W). Surface treatment was performed under the conditions of (min / m 2 ). The heat shrinkage after heating at 100 ° C. for 1 hour after the heat treatment and corona discharge treatment was measured. The results are shown in Table 1. This film was used as a support and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the primer layer of Example 1 was not formed.

実施例3
実施例1のポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーS10”登録商標)を90℃の温度で30分間熱処理した。熱処理後の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例1と同様に評価した。
Example 3
The polyester film of Example 1 (manufactured by Toray Industries, Inc .: “Lumirror S10”) was heat-treated at a temperature of 90 ° C. for 30 minutes. The heat shrinkage after heating at 100 ° C. for 1 hour after the heat treatment was measured. The results are shown in Table 1. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that this film was used as a support.

実施例4
実施例1のポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーS10”登録商標)を120℃の温度で30分間熱処理した。熱処理後の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例1と同様に評価した。
Example 4
The polyester film of Example 1 (manufactured by Toray Industries, Inc .: “Lumirror S10”) was heat-treated at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes. The heat shrinkage after heating at 100 ° C. for 1 hour after the heat treatment was measured. The results are shown in Table 1. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that this film was used as a support.

実施例5
厚さ3μmのポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーC21”登録商標)を90℃の温度で30分間熱処理した。熱処理後の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例1と同様に評価した。
Example 5
A 3 μm-thick polyester film (manufactured by Toray Industries, Inc .: “Lumilar C21”) was heat-treated at 90 ° C. for 30 minutes. The heat shrinkage after heating at 100 ° C. for 1 hour after the heat treatment was measured. The results are shown in Table 1. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that this film was used as a support.

実施例6
厚さ25μmのポリイミドフィルム(東レデュポン(株)製:”カプトン100H”登録商標)の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。
このポリイミドフィルムの表面に、実施例1と同じプライマ層を形成した後、縮合型シリコーンゴム層を、乾燥後の膜厚が2μmになるように塗布して、100℃×2分間乾燥硬化した。
Example 6
The heat shrinkage of a 25 μm thick polyimide film (manufactured by Toray DuPont, “Kapton 100H”) after heating at 100 ° C. for 1 hour was measured. The results are shown in Table 1.
After the same primer layer as in Example 1 was formed on the surface of this polyimide film, a condensation type silicone rubber layer was applied so that the film thickness after drying was 2 μm, and dried and cured at 100 ° C. for 2 minutes.

上記シリコーンゴム層の上層に、厚さ12μmの電解銅箔(古河サーキットフォイル株式会社:F0−WS)の光沢面を重ね合わせラミネートしてロールに巻いた配線基板用転写シートを得た。この銅箔とシリコーン粘着層との接着力を測定した。結果を表1に示す。次に、得られた配線基板転写用シートの銅箔の上全面に、ドライフィルムフォトレジスト(ニチゴー・モートン(株):ALPHO NIT215)をラミネートし、線幅25μm、配線ピッチ50μmを有する配線回路マスクを重ねポジフィルムを30秒真空密着させ、28℃の温度で3kWの超高圧水銀灯(オーク製作所(株)製)を用いUVメーター(オーク製作所(株)製ライトメジャータイプUV365)で2.4mW/cm2の照度で35秒間露光した。露光後、マスクを外し、1%Na2CO3水溶液によりアルカリスプレー現像し、不要なレジストを除去し水洗・乾燥した。次いで、塩化第2鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去・水洗・乾燥した後、配線パターン上のレジストを剥離した。これにより配線ピッチ50μmの配線回路パターンを形成し配線基板転写シートを得た。この配線パターンを形成した基板転写シートを用いた以外は実施例1と同様に評価した。 A glossy surface of a 12 μm-thick electrolytic copper foil (Furukawa Circuit Foil Co., Ltd .: F0-WS) was overlaid and laminated on the silicone rubber layer to obtain a transfer sheet for a wiring board wound on a roll. The adhesive strength between the copper foil and the silicone adhesive layer was measured. Table 1 shows the results. Next, a dry film photoresist (Nichigo Morton Co., Ltd .: ALPHO NIT215) is laminated on the entire upper surface of the copper foil of the obtained wiring board transfer sheet, and a wiring circuit mask having a line width of 25 μm and a wiring pitch of 50 μm. And a positive film was vacuum-adhered for 30 seconds, and a UV meter (Light Measure Type UV365, manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) was used at a temperature of 28 ° C. using a 3 kW ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) at 2.4 mW / Exposure was performed for 35 seconds at an illuminance of cm 2 . After the exposure, the mask was removed, and alkali spray development was performed with a 1% aqueous solution of Na 2 CO 3 to remove unnecessary resist, followed by washing and drying. Next, the copper in the non-pattern portion was removed by etching with a ferric chloride solution, washed with water, and dried, and then the resist on the wiring pattern was peeled off. Thus, a wiring circuit pattern having a wiring pitch of 50 μm was formed, and a wiring substrate transfer sheet was obtained. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the substrate transfer sheet on which this wiring pattern was formed was used.

実施例7
実施例6のポリイミドフィルム(東レデュポン(株)製:”カプトン100H”登録商標)を90℃の温度で30分間熱処理した。熱処理後の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例6と同様に評価した。
Example 7
The polyimide film of Example 6 (manufactured by Toray DuPont: "Kapton 100H" registered trademark) was heat-treated at a temperature of 90 ° C for 30 minutes. The heat shrinkage after heating at 100 ° C. for 1 hour after the heat treatment was measured. The results are shown in Table 1. Evaluation was performed in the same manner as in Example 6 except that this film was used as a support.

実施例8
厚さ25μmのポリイミドフィルム(東レデュポン(株)製:”カプトン100EN”登録商標)の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。
支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例6と同様に評価した。
Example 8
The heat shrinkage of a 25 μm-thick polyimide film (manufactured by Toray DuPont, “Kapton 100EN”) after heating at 100 ° C. for 1 hour was measured. The results are shown in Table 1.
Evaluation was performed in the same manner as in Example 6 except that this film was used as a support.

比較例1
厚さ50μmのポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーX10S”登録商標)の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。このポリエステルフィルム上にアクリル系樹脂からなる接着剤を使用し、銅箔を貼り合わせた以外は、実施例1と同様に作製し評価した。結果を表1に示す。なお、銅箔との接着力は150g/cmであった。
Comparative Example 1
The heat shrinkage of a 50 μm-thick polyester film (manufactured by Toray Industries, Inc .: “Lumirror X10S”) after heating at 100 ° C. for 1 hour was measured. The results are shown in Table 1. The polyester film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that an adhesive made of an acrylic resin was used and a copper foil was adhered on the polyester film. Table 1 shows the results. The adhesive strength with the copper foil was 150 g / cm.

比較例2
厚さ50μmのポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーX10S”登録商標)を70℃の温度で30分間熱処理した。熱処理後の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。
Comparative Example 2
A 50 μm thick polyester film (manufactured by Toray Industries, Inc .: “Lumirror X10S”) was heat-treated at 70 ° C. for 30 minutes. The heat shrinkage after heating at 100 ° C. for 1 hour after the heat treatment was measured. The results are shown in Table 1.

このポリエステルフィルム上にアクリル系樹脂からなる接着剤を使用し、銅箔を貼り合わせた以外は、実施例1と同様に作製し評価した。結果を表1に示す。なお、銅箔との接着力は150g/cmであった。   The polyester film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that an adhesive made of an acrylic resin was used and a copper foil was adhered on the polyester film. Table 1 shows the results. The adhesive strength with the copper foil was 150 g / cm.

比較例3
厚さ50μmのポリエステルフィルム(東レ(株)製:”ルミラーX10S”登録商標)の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例1と同様に評価した。
Comparative Example 3
The heat shrinkage of a 50 μm-thick polyester film (manufactured by Toray Industries, Inc .: “Lumirror X10S”) after heating at 100 ° C. for 1 hour was measured. The results are shown in Table 1. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that this film was used as a support.

比較例4
厚さ50μmの液晶ポリエステルフィルム(クラレ(株)製:”ベクトラOC”登録商標)の100℃、1時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表1に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例1と同様に評価した。
Comparative Example 4
The heat shrinkage of a 50 μm thick liquid crystal polyester film (manufactured by Kuraray Co., Ltd .: “VECTRA OC”) after heating at 100 ° C. for 1 hour was measured. The results are shown in Table 1. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that this film was used as a support.

Figure 2004319981
Figure 2004319981

上記のように本発明の実施例1〜8は実施例1および実施例8において10サンプル中1サンプルが位置ずれ不良または転写不良であるが許容範囲内であった。その他の実施例2〜7は位置ずれ不良、断線、転写不良の全くない良好な配線基板が得られた。これに対し、比較例1、2は配線回路パターンを形成する際にエッチング液が配線パターンとアクリル系接着剤の界面を浸食した結果、部分的な断線が多数見られた。さらに熱収縮率の大きな支持体のため、位置ずれ不良が発生し実用性に欠ける配線基板となった。比較例3は熱収縮率の大きな支持体のため、位置ずれ不良が発生し実用性に欠ける配線基板となった。比較例4は熱収縮率の非常に小さな支持体のため転写不良が発生し実用性に欠ける配線基板となった。   As described above, in Examples 1 to 8 of the present invention, one out of ten samples in Example 1 and Example 8 was defective in transfer or defective in transfer, but within the allowable range. In other examples 2 to 7, good wiring boards without any misalignment, disconnection, or transfer failure were obtained. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, the etching liquid eroded the interface between the wiring pattern and the acrylic adhesive when forming the wiring circuit pattern, and as a result, many partial disconnections were observed. Further, since the support has a large heat shrinkage, misregistration occurs and the wiring board is not practical. In Comparative Example 3, since the support had a large heat shrinkage, a misalignment defect occurred and the wiring board was not practical. In Comparative Example 4, since the support had a very small heat shrinkage, transfer failure occurred, and the wiring substrate was not practical.

収縮率Xを測定時の支持体の形状を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing the shape of a support when measuring a shrinkage X. 本発明の配線基板用転写シートに形成された配線回路を絶縁基板に転写する一転写方法を示した断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a transfer method for transferring a wiring circuit formed on a transfer sheet for a wiring board of the present invention to an insulating substrate. 本発明の配線基板用転写シートに形成された配線回路を絶縁基板に転写する他の転写方法を示した断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating another transfer method for transferring a wiring circuit formed on a transfer sheet for a wiring board of the present invention to an insulating substrate.

符号の説明Explanation of reference numerals

1:絶縁基板
2:配線回路
3:支持体(樹脂フィルム)
4:シリコーン樹脂層
1: Insulating substrate 2: Wiring circuit 3: Support (resin film)
4: Silicone resin layer

Claims (5)

支持体上に、硬化したシリコーン樹脂層、金属箔を有する配線基板形成用転写シートであって、前記支持体のMD方向、TD方向の少なくとも一方における100℃、1時間加熱後の収縮率Xが0.05%<X<0.5%であることを特徴とする配線基板形成用転写シート。 A transfer sheet for forming a wiring board having a cured silicone resin layer and a metal foil on a support, wherein the shrinkage X after heating at 100 ° C. for 1 hour in at least one of the MD direction and the TD direction of the support. A transfer sheet for forming a wiring board, wherein 0.05% <X <0.5%. 支持体が、厚み1μm以上400μm以下の樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項1記載の配線基板形成用転写シート。 2. The transfer sheet according to claim 1, wherein the support is made of a resin film having a thickness of 1 μm or more and 400 μm or less. 金属箔の厚みが1μm以上40μm以下であることを特徴とする請求項1記載の配線基板形成用転写シート。 2. The transfer sheet according to claim 1, wherein the thickness of the metal foil is 1 μm or more and 40 μm or less. 支持体が樹脂フィルムであり、該樹脂フィルム表面が低温プラズマ処理されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板形成用転写シート。 2. The transfer sheet for forming a wiring board according to claim 1, wherein the support is a resin film, and the surface of the resin film is subjected to low-temperature plasma treatment. 支持体表面にプライマー層を設けたことを特徴とする請求項1記載の配線基板形成用転写シート。 The transfer sheet for forming a wiring board according to claim 1, wherein a primer layer is provided on the surface of the support.
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