【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスク等の基板上のレジスト層にパターンを描画する方法に関し、詳しくは、ラスタースキャン方式を用いた描画方式を用いて、例えば液晶表示装置等を作製するためのフォトマスク等の繰り返しパターンを描画する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の表示装置は、ディスプレイの高精細化が進んでいることから、表示装置のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイやカラーフィルター等の製造に用いられるフォトマスクのパターンについても微細化が進んでいる。
上記のようなフォトマスクとしては、所定サイズの透明基板上に所定の遮光膜（クロム系膜等）パターンが形成されたものが一般的である。このようなフォトマスクは、通常、透明基板上に所定の遮光膜（クロム系膜）が形成されたフォトマスクブランク上にレジスト膜を塗布し、前記レジスト膜に、電子線又はレーザ等のエネルギービームを用いてパターン描画を行った後、現像処理を行いレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、残存したレジストパターンを剥離して、所定の洗浄工程を経てフォトマスクを製造する。
【０００３】
特に、近年、大型ＬＣＤ用マスクの分野において、グレートーンマスクを用いて使用するマスク枚数を削減する試みがなされており、このグレートーンマスクは、微細パターンを有するものを用いられるため、微細な高精度パターンが必要となった要因にもなっている。
ここで、グレートーンマスクとは、図３示されるように、遮光部１と、全透過部２と、グレートーン部３とを有する。グレートーン部３は、例えば、グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下のパターン寸法を有する微細遮光パターン３ａを形成した領域であって、この領域を透過する光の透過量を低減（一部透過）しこの領域による照射量を低減してフォトレジストの膜厚を他の領域に対し選択的に変えることを目的として形成される。遮光部１と微細遮光パターン３ａはともにクロムやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの膜から通常形成されている。全透過部２と微細透過部３ｂはともに、透明基板上において遮光膜等が形成されていない透明基板の部分である。
グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、例えば、図３（１）でグレートーン部における微細透過部３ｂのスペース幅を３μｍ未満、露光機の解像限界以下の微細遮光パターン３ａのライン幅を３μｍ未満とする。上記大型ＬＣＤ用露光機で露光した場合、グレートーン部３を通過した露光光は全体として露光量が足りなくなるため、このグレートーン部３を介して露光したポジ型フォトレジストは膜厚が薄くなるだけで基板上に残る。つまり、レジストは露光量の違いによって通常の遮光部１に対応する部分とグレートーン部３に対応する部分で現像液に対する溶解性に差ができるため、現像後のレジスト形状は、図３（２）に示すように、通常の遮光部１に対応する部分１’が例えば約１．３μｍ、グレートーン部３に対応する部分３’が例えば約０．３μｍ、全透過部２に対応する部分はレジストが残存しない部分２’となる。そして、レジストが残存しない部分２’で被加工基板の第１のエッチングを行い、グレートーン部３に対応する薄い部分３’のレジストをアッシング等によって除去しこの部分で第２のエッチングを行うことによって、１枚のマスクで従来のマスク２枚分の工程を行い、マスク枚数を削減する。
【０００４】
ところで、表示装置用の製造するためのフォトマスクは、上記のようにフォトマスクを製造する際のパターンの描画にラスタスキャン方式を用いるのが主流である。ラスタスキャン方式は、描画エリア全面を、エネルギービーム（電子線或いはレーザ）が走査して、パターン部分に達するとビームがＯＮとなり描画を行う方式である。この方式は、図４に示されるように、スキャン幅（一般的には、描画装置において設定されているビームの振り幅）で現されるＸ方向の長さ５とビーム径（複数のビームを用いる場合はその合計）で現されるＹ方向の長さ６とからなる描画単位７（図上斜線を付した部分）を有し、ビームの走査は該描画単位毎に、描画領域内のＹ方向の始点から終点まで矢印８のように順次スキャンされ（このスキャンを１ストライプのスキャンと呼ぶ）、それをＸ方向にずらしながら順次繰り返され、描画領域全面がスキャンされる。
【０００５】
ラスタスキャン方式の描画において、例えば、特許文献１の従来技術として記載されているような、転写像の解像度を向上させるために、ビーム径を小さくして描画単位の密度を増大させた上で、図５に示すように、Ｘ方向に隣接する描画単位７，７’に重なりをもたせ、かつ描画単位７，７’をＹ方向にお互いずらす、多重露光（多重描画）が知られている。この場合、多重露光される部分の露光量が本来の露光量となるように、各々のビーム出力が調整されることは勿論である。
また、Ｘ方向に重なりを持たせることは、描画パターンのムラの発生を低減させることにも有効であることが、例えば、特許文献２に記載されている。即ち、パターンの描画に際しては、描画した際に、隣り合う描画領域の境界にパターンの異常（バッティングエラー等）が起こるという問題があることが知られている。そして、このようなパターンの異常が規則的に発生してムラとなり、製造した表示装置の表示性能の低下につながってしまうという問題があった。上述のように、描画単位に重なりを持たせることにより、描画単位の境界部の継ぎ目を目立たなくすることが可能となると考えられる。
【０００６】
【特許文献１】特許３０４７１０３号公報
【特許文献２】特開２０００−４７３６３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような多重描画においては、一描画単位の露光量を少なくすることにより境界部の継ぎ目の露光量は減少して目立たなくなるものの、描画単位の境界部９はＹ方向に連続して存在するため、依然として表示装置の表示性能を低下してしまうようなパターン異常（ムラ）となってしまう場合が考えられるという問題点があった。
また、多重描画はビームのＯＮ／ＯＦＦする回数が倍増するために、描画するデータ量が倍増し、描画時間も倍増するという問題点があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、繰り返しパターンを描画する際に、パターンムラの発生により表示装置の表示性能の低下を防止することができるようなフォトマスク等のパターンを描画する方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の構成を有する。
（構成１） レジスト層が形成された基板におけるレジスト層上の描画領域に、所定のパターンを描画する方法であって、エネルギービームを前記基板に対して相対移動させることにより、エネルギービームの所定のスキャン幅からなるＸ方向に平行な幅とエネルギービームのビーム径からなるＹ方に平行な幅とにより定義される描画単位ごとのエネルギービームの走査を、描画領域内のＹ方向へ繰り返し行うことにより１ストライプの走査を行い、かつ、前記１ストライプの走査を描画領域内のＸ方向へ繰り返すことによって描画領域全面にエネルギービームを走査させ、前記走査の際に所定のパターンデータに従ってエネルギービームをオン・オフすることによって、前記レジスト層上の所定のパターンを描画する方法において、
前記エネルギービームの走査において、ｎ番目のストライプ（ｎは全ストライプ数より小さい任意の整数）において、前記描画単位毎のＹ方向への繰り返し走査による描画を、エネルギービームをオン・オフすることによって、描画単位１つおきに描画を行い、Ｙ方向へ１つおきに描画された描画単位群（パスｎ）を形成する工程と、
その次の（ｎ＋１）番目のストライプにおいては、前記ｎ番目のストライプに対してＸ方向にずらし、かつ、前記ｎ番目のストライプにおいてＹ方向へ１つおきに描画されなかった各領域を含む各領域に、描画単位１つおきに描画を行うことによって、Ｙ方向へ１つおきに描画された描画単位群（パスｎ＋１）を形成する工程と、
を有することを特徴とするパターン描画方法。
（構成２） 構成１に記載のパターン描画方法により、隣り合う描画領域の境界にパターンの異常が起こる可能性のある全ての描画領域を描画することを特徴とする構成１に記載のフォトマスクの製造方法。
（構成３） 構成１又は２に記載のパターン描画方法によりパターンを描画する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、図１に示すように、Ｙ方向に配列された描画単位７がＸ方向に交互にずれているため、Ｙ方向に配列された描画単位７の境界部１０、１０’がＹ方向に連続的につながらずにギザギザとなり、その連続性が分散されることから、描画むらが目立たなくなる。さらに、上述の１つおきに形成された境界部によるＹ方向の描画むらは、その間隔が小さくなるため、Ｙ方向の描画むらが目視で認識できない、細かいムラとなる。その結果として表示装置の表示性能の低下を防止することができる。
【００１０】
【実施例】
以下、パターン描画方法の実施例について説明する。
▲１▼まず、図２（１）示すように、例えば１番目のストライプ（第１列）について、描画単位１つおきに歯抜け状に描画を行い、Ｙ方向へ１つおきに描画された描画単位Ａ群を形成する（例えば第２行目、第４行目、第６行目…、のように偶数行に描画単位Ａを形成する）。本発明では、このように、１ストライプのスキャンにおいて、Ｙ方向へ１つおきに描画された描画単位Ａ群を形成したものをパスＡと呼ぶ（以下の工程においても同様）。パスＡの形成は、Ｙ方向へ１つおきに描画されるようにエネルギービームをオン・オフするデータと、描画単位Ａの描画データを含むパスＡの描画データを作成して行う（以下の工程においても同様）。パスＡの形成では、１つおきに描画しない部分についての描画データが無くて済み、１ストライプ当りのデータ量が従来の半分となるため、メモリー負荷を低減することができる（以下の工程においても同様）。
▲２▼次に、図２（２）示すように、例えば２番目のストライプ（第２列）について、１番目のストライプに対して例えばスキャン幅の１／２をＸ方向にずらし、かつ、前記１番目のストライプにおいてＹ方向へ１つおきに描画されなかった各領域を含む各領域に、描画単位１つおきに描画を行う（例えば第１行目、第３行目、第５行目…、のように奇数行に描画単位Ｂを形成する）ことによって、Ｙ方向へ１つおきに交互に描画された描画単位Ｂ群を形成して、パスＢを形成する。
言い換えると、描画単位Ａ（データＡ）とＡの間隔に位置するような交互の描画データＢを描画する（パスＢ）。
▲３▼次に、図２（３）示すように、例えば３番目のストライプ（第３列）について、２番目のストライプに対して例えばスキャン幅の１／２をＸ方向にずらし、かつ、前記２番目のストライプにおいてＹ方向へ１つおきに描画されなかった各領域を含む各領域に、描画単位１つおきに描画を行う（例えば第２行目、第４行目、第６行目…、のように偶数行に描画単位Ｃを形成する）ことによって、Ｙ方向へ１つおきに交互に描画された描画単位Ｃ群を形成して、パスＣを形成する。
▲４▼以上を繰り返して、描画領域全域を描画する。
【００１１】
尚、上記実施例では、隣り合うパス（上記実施例では例えばパスＡとパスＢ）を順次走査したが、順番はそれに限らない。例えば、パスＡの次にパスＣを順次走査する順番とすることもできる。
また、本発明においては、Ｘ方向に隣接する描画単位同士（例えば、上記実施例では描画単位Ａと描画単位Ｃ）を重ね合わせてもよく、さらにムラを目立たなくする効果が期待できる。例えば、上記実施例において描画単位Ａと描画単位Ｃを重ね合わせるには、パスＣを形成する工程▲３▼において、２番目のストライプに対してスキャン幅の１／２以下の距離をＸ方向にずらして、パスＣを形成すればよい。尚、この場合、重なり部分の露光量が、本来の露光量となるように、各々のビーム出力を調整する必要がある。
また、上記実施例では、Ｘ方向のずらし量をスキャン幅の１／２としたが、これに限らず、例えば、１／ｎ（ｎ：２以上の整数）とすることができる。
尚、本発明においては、Ｙ方向において１つおきに同じずれ量となっている（規則性を有している）ので、例えば、繰り返しパターンに、描画の境界部が当らないことが好ましい重要部（例えば、ＴＦＴ製造用グレートーンマスクにおけるグレートーン部）が存左する場合、規則的に配列されたパターンの重要部に描画の境界部が当たらないように調整することが比較的容易となる。
本発明においては、パス数が増大する分、ストライプ方向の走査速度を増加させることが、スループットの観点から好ましい。具体的には、Ｙ方向へのビームの移動（走査）を基板ステージで行う場合は、Ｙ方向に走行する基板ステージの走行速度を速めることによってストライプ方向の走査速度を増加することができる。
本発明によれば、上述したように、１ストライプ当りのデータ量が従来の半分となるため、メモリー負荷を低減することができる。
【００１２】
尚、本発明は、「レジスト層が形成された基板におけるレジスト層上の描画領域に、所定のパターンを描画する方法であって、エネルギービームを前記基板に対して相対移動させることにより、エネルギービームの所定のスキャン幅からなるＸ方向に平行な幅とエネルギービームのビーム径からなるＹ方に平行な幅とにより定義される描画単位ごとのエネルギービームの走査を、描画領域内のＹ方向へ繰り返し行うことにより１ストライプの走査を行い、かつ、前記１ストライプの走査を描画領域内のＸ方向へ繰り返すことによって描画領域全面にエネルギービームを走査させ、前記走査の際に所定のパターンデータに従ってエネルギービームをオン・オフすることによって、前記レジスト層上の所定のパターンを描画する方法において、
前記エネルギービームの走査において、ｎ番目のストライプ（ｎは全ストライプ数より小さい任意の整数）において、前記描画単位毎のＹ方向への繰り返し走査による描画を、描画単位と描画単位との間に、描画単位と同等のＹ方向の長さを有する間隔を空けて順次描画を行い、その次の（ｎ＋１）番目のストライプにおいては、前記ｎ番目のストライプに対してＸ方向にずらし、かつ、前記ｎ番目のストライプにおいて間隔を空けることによって描画されなかった各領域を含む各領域に、順次描画を行うことを特徴とするパターン描画方法。」であると表現できる。
【００１３】
【発明の効果】
本発明によれば、繰り返しパターンを描画する際に、パターン異常（ムラ）の発生により表示装置の表示性能の低下を防止することができるようなフォトマスク等のパターンを描画する方法を提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパターン描画方法を説明するための模式図である。
【図２】実施例に係るパターン描画方法を説明するための模式図である。
【図３】グレートーンマスクを説明するための図であり、（１）は部分平面図、（２）は部分断面図である。
【図４】従来のパターン描画方法を説明するための模式図である。
【図５】従来の他のパターン描画方法を説明するための模式図である。
【符号の説明】
１ 遮光部
２ 全透過部
３ グレートーン部
３ａ 微細遮光パターン
３ｂ 微細透過部
５ スキャン幅（ビームの振り幅）で現されるＸ方向の長さ
６ ビーム径で現されるＹ方向の長さ
７ 描画単位[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for drawing a pattern on a resist layer on a substrate such as a photomask, and more specifically, using a drawing method using a raster scan method, such as a photomask for manufacturing a liquid crystal display device or the like. It relates to a method of drawing a repetitive pattern.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, as display devices such as liquid crystal displays (LCDs) have become increasingly fine, the pattern of a photomask used for manufacturing a TFT (thin film transistor) array and a color filter of the display device has also been reduced. Is progressing.
As the photomask as described above, a photomask in which a predetermined light-shielding film (such as a chromium-based film) pattern is formed on a transparent substrate of a predetermined size is generally used. Such a photomask is usually formed by applying a resist film on a photomask blank having a predetermined light-shielding film (chromium-based film) formed on a transparent substrate, and applying an energy beam such as an electron beam or a laser to the resist film. After performing pattern drawing using, development processing is performed to form a resist pattern, the light-shielding film is etched using the resist pattern as a mask, the remaining resist pattern is peeled off, and a photomask is manufactured through a predetermined cleaning process I do.
[0003]
In particular, in recent years, in the field of large-size LCD masks, attempts have been made to reduce the number of masks to be used by using gray-tone masks. It is also a factor that required an accuracy pattern.
Here, as shown in FIG. 3, the gray-tone mask has a light-shielding portion 1, a totally transmitting portion 2, and a gray-tone portion 3. The gray-tone portion 3 is, for example, a region where a fine light-shielding pattern 3a having a pattern size equal to or smaller than the resolution limit of a large-sized LCD exposing machine using a gray-tone mask is formed, and a transmission amount of light transmitted through this region. Is formed for the purpose of reducing (partially transmitting), reducing the irradiation amount in this region, and selectively changing the thickness of the photoresist with respect to other regions. Both the light-shielding portion 1 and the fine light-shielding pattern 3a are usually formed from films of the same thickness made of the same material such as chromium or a chromium compound. Both the fully transmitting portion 2 and the fine transmitting portion 3b are portions of the transparent substrate where no light-shielding film or the like is formed on the transparent substrate.
The resolution limit of a large LCD exposure machine using a gray-tone mask is about 3 μm for a stepper type exposure machine and about 4 μm for a mirror projection type exposure machine. For this reason, for example, in FIG. 3A, the space width of the fine transmission portion 3b in the gray tone portion is set to less than 3 μm, and the line width of the fine light shielding pattern 3a equal to or less than the resolution limit of the exposure machine is set to less than 3 μm. When the exposure is performed by the above-described large-sized LCD exposure device, the exposure light passing through the gray tone portion 3 has a shortage of exposure amount as a whole, so that the positive photoresist exposed through the gray tone portion 3 has a small film thickness. Just remain on the substrate. In other words, the resist has a difference in solubility in the developing solution between the portion corresponding to the normal light shielding portion 1 and the portion corresponding to the gray tone portion 3 due to the difference in the exposure amount. ), A portion 1 ′ corresponding to a normal light-shielding portion 1 is, for example, about 1.3 μm, a portion 3 ′ corresponding to a gray-tone portion 3 is, for example, about 0.3 μm, and a portion corresponding to a total transmission portion 2 is This is the portion 2 'where the resist does not remain. Then, first etching of the substrate to be processed is performed on the portion 2 'where the resist does not remain, and the resist of the thin portion 3' corresponding to the gray tone portion 3 is removed by ashing or the like, and second etching is performed on this portion. Thus, the process for two conventional masks is performed with one mask, and the number of masks is reduced.
[0004]
By the way, as a photomask for manufacturing a display device, a raster scan method is mainly used for drawing a pattern when manufacturing a photomask as described above. The raster scan method is a method in which an energy beam (an electron beam or a laser) scans the entire drawing area, and when a pattern portion is reached, the beam is turned on to perform drawing. In this method, as shown in FIG. 4, a length 5 in the X direction represented by a scan width (generally, a swing width of a beam set in a writing apparatus) and a beam diameter (a plurality of beams are used). And a drawing unit 7 (a hatched portion in the figure) composed of a length 6 in the Y direction expressed by the total length of the drawing in the Y direction. Scanning is sequentially performed from the start point to the end point in the direction as indicated by an arrow 8 (this scan is referred to as scanning of one stripe), and the scanning is sequentially repeated while being shifted in the X direction, thereby scanning the entire drawing area.
[0005]
In the raster scan type drawing, for example, in order to improve the resolution of a transferred image, as described in the related art of Patent Document 1, after reducing the beam diameter and increasing the density of drawing units, As shown in FIG. 5, there is known a multiple exposure (multiple drawing) in which drawing units 7, 7 'adjacent in the X direction are overlapped and the drawing units 7, 7' are shifted from each other in the Y direction. In this case, it is a matter of course that each beam output is adjusted so that the exposure amount of the multiple exposure portion becomes the original exposure amount.
Further, for example, Patent Document 2 describes that giving an overlap in the X direction is also effective in reducing the occurrence of unevenness in a drawing pattern. That is, it is known that when drawing a pattern, there is a problem that a pattern abnormality (such as a batting error) occurs at a boundary between adjacent drawing regions when the pattern is drawn. Then, there is a problem that such pattern abnormalities occur regularly and become uneven, leading to a reduction in display performance of the manufactured display device. As described above, it is considered that by making the drawing units overlap, it is possible to make the seams at the boundaries of the drawing units inconspicuous.
[0006]
[Patent Document 1] Japanese Patent No. 3047103 [Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-47363
[Problems to be solved by the invention]
However, in the multiple writing as described above, although the exposure amount at the seam of the boundary portion decreases and becomes inconspicuous by reducing the exposure amount of one writing unit, the boundary portion 9 of the writing unit is continuously formed in the Y direction. Because of the presence of the pattern, there is a problem that a pattern abnormality (unevenness) may still occur which may deteriorate the display performance of the display device.
In addition, since the number of times of beam ON / OFF is doubled in the multiple writing, the amount of data to be written is doubled and the writing time is also doubled.
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and when a repetitive pattern is drawn, a pattern such as a photomask that can prevent a decrease in display performance of a display device due to occurrence of pattern unevenness is provided. The purpose of this is to provide a method for drawing.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration.
(Structure 1) A method of drawing a predetermined pattern in a drawing area on a resist layer of a substrate on which a resist layer is formed, wherein the energy beam is relatively moved with respect to the substrate to thereby form a predetermined energy beam. By repeatedly scanning the energy beam for each drawing unit defined by the width parallel to the X direction consisting of the scan width and the width parallel to the Y direction consisting of the beam diameter of the energy beam in the Y direction within the drawing area, By scanning one stripe and repeating the scanning of the one stripe in the X direction in the drawing area, the energy beam is scanned over the entire drawing area, and the energy beam is turned on and off in accordance with predetermined pattern data during the scanning. In the method of drawing a predetermined pattern on the resist layer by turning off,
In the scanning of the energy beam, in the n-th stripe (n is an arbitrary integer smaller than the total number of stripes), writing by repetitive scanning in the Y direction for each writing unit is performed by turning on / off the energy beam. Drawing every other drawing unit to form a drawing unit group (pass n) drawn every other in the Y direction;
In the next (n + 1) -th stripe, each region including each region shifted in the X direction with respect to the n-th stripe and not drawn every other in the Y direction in the n-th stripe Forming a drawing unit group (pass n + 1) drawn every other unit in the Y direction by performing drawing every other drawing unit;
A pattern drawing method, comprising:
(Structure 2) The photomask according to Structure 1, wherein all the drawing areas where pattern abnormalities may occur at boundaries between adjacent drawing areas are drawn by the pattern drawing method described in Structure 1. Production method.
(Structure 3) A method for manufacturing a photomask, comprising a step of drawing a pattern by the pattern drawing method according to Structure 1 or 2.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In the present invention, as shown in FIG. 1, the drawing units 7 arranged in the Y direction are alternately shifted in the X direction, so that the boundaries 10, 10 'of the drawing units 7 arranged in the Y direction are shifted in the Y direction. However, the continuity is dispersed, and drawing unevenness is less noticeable. Furthermore, since the drawing unevenness in the Y direction due to the above-described alternately formed boundary portions becomes small, the drawing unevenness in the Y direction becomes fine unevenness that cannot be visually recognized. As a result, a decrease in display performance of the display device can be prevented.
[0010]
【Example】
Hereinafter, embodiments of the pattern drawing method will be described.
{Circle around (1)} First, as shown in FIG. 2 (1), for example, for the first stripe (first column), drawing is performed in every other drawing unit in a toothless manner, and every other drawing is performed in the Y direction. A drawing unit A group is formed (for example, a drawing unit A is formed on an even-numbered line such as a second line, a fourth line, a sixth line...). In the present invention, a pattern formed by forming a group of writing units A drawn alternately in the Y direction in scanning of one stripe is referred to as a path A (the same applies to the following steps). The path A is formed by creating data for turning on / off the energy beam so that every other image is drawn in the Y direction and drawing data of the path A including drawing data of the drawing unit A (the following steps). In the same way). In the formation of the path A, there is no drawing data for every other portion that is not drawn, and the amount of data per stripe is halved compared to the conventional case, so that the memory load can be reduced (also in the following steps). Similar).
{Circle around (2)} Next, as shown in FIG. 2 (2), for example, for the second stripe (second column), for example, ス キ ャ ン of the scan width is shifted in the X direction with respect to the first stripe, and In the first stripe, drawing is performed every other drawing unit in each region including each region that is not drawn every other direction in the Y direction (for example, the first line, the third line, the fifth line,...). , The drawing unit B is formed in an odd-numbered row), thereby forming a group of drawing units B alternately drawn in the Y direction and forming a path B.
In other words, alternate drawing data B that is located at the interval between the drawing units A (data A) and A is drawn (pass B).
{Circle around (3)} Next, as shown in FIG. 2 (3), for example, for the third stripe (third column), for example, ス キ ャ ン of the scan width is shifted in the X direction with respect to the second stripe, and Draw every other drawing unit in each area including each area in the second stripe that is not drawn in the Y direction (for example, the second line, the fourth line, the sixth line,...). , The drawing units C are formed on even-numbered rows, thereby forming a group of drawing units C alternately drawn in the Y direction every other line, thereby forming a path C.
(4) By repeating the above, the entire drawing area is drawn.
[0011]
In the above embodiment, adjacent paths (in the above embodiment, for example, path A and path B) are sequentially scanned, but the order is not limited thereto. For example, the path C may be sequentially scanned next to the path A.
Further, in the present invention, the drawing units adjacent in the X direction (for example, the drawing unit A and the drawing unit C in the above embodiment) may be overlapped, and an effect of further reducing unevenness can be expected. For example, in order to superimpose the drawing unit A and the drawing unit C in the above embodiment, in the step (3) of forming the path C, a distance equal to or less than 1/2 of the scan width with respect to the second stripe is set in the X direction. The path C may be shifted and formed. In this case, it is necessary to adjust each beam output so that the exposure amount of the overlapping portion becomes the original exposure amount.
In the above embodiment, the shift amount in the X direction is set to の of the scan width. However, the present invention is not limited to this. For example, it can be set to 1 / n (n: an integer of 2 or more).
In the present invention, since every other shift amount is the same in the Y direction (has regularity), for example, it is preferable that the boundary of the drawing does not hit the repeated pattern. In the case where a gray-tone portion in a gray-tone mask for manufacturing TFTs is present, it is relatively easy to adjust the drawing so that the drawing boundary does not hit an important portion of a regularly arranged pattern.
In the present invention, it is preferable from the viewpoint of throughput to increase the scanning speed in the stripe direction as much as the number of passes increases. Specifically, when the movement (scanning) of the beam in the Y direction is performed on the substrate stage, the scanning speed in the stripe direction can be increased by increasing the traveling speed of the substrate stage traveling in the Y direction.
According to the present invention, as described above, the amount of data per stripe is half that of the conventional one, so that the memory load can be reduced.
[0012]
Note that the present invention provides a method of drawing a predetermined pattern in a drawing area on a resist layer of a substrate on which a resist layer is formed, wherein the energy beam is relatively moved with respect to the substrate. The scanning of the energy beam for each drawing unit defined by the width parallel to the X direction consisting of the predetermined scanning width and the width parallel to the Y direction consisting of the beam diameter of the energy beam is repeated in the Y direction in the drawing area. By performing the scanning of one stripe, the scanning of the one stripe is repeated in the X direction in the drawing area, thereby scanning the entire surface of the drawing area with the energy beam. In the scanning, the energy beam is scanned in accordance with predetermined pattern data. By turning on and off, in the method of drawing a predetermined pattern on the resist layer,
In the scanning of the energy beam, in the n-th stripe (n is an arbitrary integer smaller than the total number of stripes), writing by repetitive scanning in the Y direction for each writing unit is performed between writing units. Writing is sequentially performed with an interval having a length in the Y direction equivalent to the writing unit, and in the next (n + 1) th stripe, the stripe is shifted in the X direction with respect to the nth stripe, and A pattern writing method, wherein writing is sequentially performed on each area including each area which is not drawn by setting an interval in a third stripe. ] Can be expressed.
[0013]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a method of drawing a pattern such as a photomask, which can prevent a decrease in display performance of a display device due to occurrence of a pattern abnormality (unevenness) when a repeated pattern is drawn. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a pattern drawing method of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a pattern drawing method according to an embodiment.
3A and 3B are diagrams for explaining a gray-tone mask, wherein FIG. 3A is a partial plan view and FIG. 3B is a partial cross-sectional view.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a conventional pattern drawing method.
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining another conventional pattern drawing method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Shield part 2 Total transmission part 3 Gray tone part 3a Fine light shielding pattern 3b Fine transmission part 5 Length in X direction expressed by scan width (beam swing width) 6 Length in Y direction expressed by beam diameter 7 Drawing unit
