JP2004306155A - Polishing surface plate and correcting carrier - Google Patents

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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technical means for optimizing the friction distance characteristic of a surface plate exerting influence upon the working accuracy of a work in the polishing surface plate used in lapping or polishing a hard brittle plate or highly hard materials and its correcting carrier. <P>SOLUTION: The surface of the polishing surface plate or the correcting carrier are taken as a set of two or more virtual rings centering around the center of rotation, a required area of every virtual ring is computed so that the relative friction distances in the respective positions in the radial direction of a work are made uniform, the surface of each virtual ring has a contact surface with the work having the required area, a groove or a recessed part is provided in the surface of the polishing surface plate or the correcting carrier, or the size and arranging mode of a polishing pellet stuck to the surface plate is determined. Accordingly, even in the case of a small diameter, the polishing surface plate and the correcting carrier having excellent polishing characteristic can be obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ワークを回転する定盤(表面に研磨ペレットを貼着した定盤を含む)の表面に押接する構造のラッピング装置ないしポリシング装置に用いられる研磨定盤とその修正キャリアに関するもので、たとえば半導体ウェーハで代表される硬質脆性板やサファイヤなどの高硬度材料のラッピングないしポリシングに使用するのに好適な研磨定盤及びその修正キャリアに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハの製造工程は、半導体インゴットを切断し、切断されたウェーハのクラック層をラッピングにより除去すると共に所定の厚みに揃え、エッチング等による化学的研磨によって加工歪みを除去し、その後、ポリシングにより鏡面加工してウェーハが完成する。
【0003】
半導体ウェーハの製造工程の一つである平面ラッピングを行う加工装置としては、現在4ウェイラップ盤が主流となっている。4ウェイラップ盤は、ワークの自転、定盤軸を中心としたワークの遊星運動(公転)、及び上下定盤でそれぞれ反対方向の回転の4方向の動作が加えられるラップ盤である。ラップ盤による加工では、加工量は、プレストンの式でも与えられるように、加工圧力とワークとラップ定盤間の相対摩擦距離に比例する。よって、加工圧力が一定であれば、ワーク表面の各位置における摩擦距離が均一であればあるほど良い平行平面が得られる。4ウェイラップ盤では、ワークに比して大きなラップ定盤を使うほど、摩擦距離がワーク半径方向に均等に分布した摩擦距離特性を得ることができ、より良好な平行平面が得られる。一般的なラップ盤のワークと定盤の径比は1:4程度である。
【0004】
一方、ウェーハの大口径化に伴って,ラップ盤が大型化するという問題があり、ラップ盤自体の大型化に伴う装置据付エリアの増大の他、定盤の自重の増大に起因するラップ定盤の変形に伴うラッピングにおけるウェーハ平坦度が低下することや、定盤の取り外し作業を困難にするという問題が生じている。
【0005】
ラップ盤の大型化を避けるために、ワークを一枚ずつ研磨する枚葉ラップ盤が提案されている。枚葉ラップ盤では、ワークに対する定盤径を4ウェイラップ盤のそれに比べて小径とするが、定盤径を小さくすると摩擦距離特性が低下するという、4ウェイラップ盤と同様な問題がある。
【0006】
ラッピングにおけるラップ能率は、ラップ定盤とウェーハ相互間の摩擦距離に大きく依存する。すなわち,ラッピングには当然、加工の能率向上とウェーハの高い平坦度化が求められるが,そのためには、ウェーハ表面における摩擦距離を大きくすること、及び、ウェーハ表面全体における摩擦距離のばらつきを少なくすることが必要である。
【0007】
上記の4ウェイラップ盤や枚葉ラップ盤は、定盤自体の表面でワークの研磨を行うものであるが、セラミックスやサファイヤなどの高硬度材料を研磨する方法として、一般にダイヤモンドスムージングと呼ばれる加工方法が利用されている。この方法は、ペレットと呼ばれる短円柱状のダイヤモンド砥石を円盤表面に多数貼り付け、ペレットにワークを押接した状態で円盤を回転させてワークの研磨を行う加工方法である。一般的には、ペレットを貼付ける円盤としてラップ盤用の溝のない定盤を用い、その表面にペレットを一定間隔に貼り付けて研磨定盤としている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ラップ盤の定盤径を小さくすると摩擦距離特性が低下するという上記問題を解決する手段の一つとして、定盤の外周側に直線溝ないし円周溝を設けて、定盤の外周部における実質的な表面積(ワークに接触して加工に寄与する面積)を減少させ、それによって均一な摩擦距離特性を得ることが有効であると考えられる。
【0009】
定盤の表面にこのような面積分布調整用の溝ないし凹所を設けることは、4ウェイ、3ウェイラップ盤などを含む各種のラッピングにおいても有効と考えられ、また溝形状のものでなくても、ワークに接触しないようにした凹所であれば良いと考えられる。更に、ポリシングの場合には孤立した凹所であっても良いと考えられる。一方、このような凹所を設ける際の問題として、何を基準にしてどのような面積割合で設けるかが問題となる。合理的な態様で設けなければ、摩擦距離特性を悪化させる虞もあるからである。
【0010】
このことは、前述したダイヤモンドペレットを貼付した研磨定盤を用いる加工にも当てはまることで、貼付されたペレット相互の間の隙間は研磨面に形成された凹所となることから、ワーク表面の各位置における摩擦距離を均一にして加工面の平坦化を図るためには、どのような大きさのペレットをどのような配置で調布するかが問題となる。
【0011】
この発明は、ワークを均一に研磨するための面積分布調整用の溝ないし凹所を定盤表面にどのように設けたら良いかを検討する試験研究の結果として為されたもので、ワークの加工精度に影響を与える定盤の摩擦距離特性を最適化する技術手段を提供しようとするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この発明では、研磨定盤ないし修正キャリアの表面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングの集合体として捉え、ワーク(修正キャリアの場合は研磨定盤がワークとなる)半径方向の各位置における相対摩擦距離が均一となるように、各仮想リング毎の所要面積を演算して、各仮想リングの表面が当該所要面積のワークとの接触面を備えるように、研磨定盤ないし修正キャリアの表面に溝ないし凹所を設け、又は定盤に貼付する研磨ペレットの大きさや配置態様を決定することにより、上記課題を解決している。
【0013】
各仮想リング毎の上記所要面積の演算には、ニューラルネットワーク、セルラオートマトン等の各種の演算方法ないしアルゴリズムを用いることが可能であるが、遺伝的アルゴリズムを用いた演算により、摩擦距離特性を画期的に改善することが可能である。
【0014】
この発明により、小径であっても研磨特性に優れた、各種のラップ加工、ポリシング加工ないしスムージング加工用の研磨定盤及びこれらの定盤用の修正キャリアを提供することができる。
【0015】
従って、本願の請求項1の発明に係る研磨定盤は、ラッピングないしポリシング用の研磨定盤において、定盤面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングに分割したときの各仮想リングに、定盤との相対運動によるワーク半径方向の相対摩擦距離を均一化するように、異なる面積割合で面積分布調整用の溝ないし凹所が設けられている研磨定盤である。
【0016】
また定盤面に多数のダイヤモンドペレットその他の研磨ペレットを貼着した研磨定盤においては、請求項2に記載のように、定盤面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングに分割したときの各仮想リングに、定盤との相対運動によるワーク半径方向の相対摩擦距離を均一化するように、仮想リング毎の定盤面に対するペレット表面の面積割合を異なる割合にして、前記ペレットが貼着されているというものである。
【0017】
請求項3の発明は、前記研磨定盤における前記面積割合が、各仮想リングを個体ないし個体群とする遺伝的アルゴリズムを用いて決定されていることを特徴とするものである。
【0018】
本願の請求項4の発明に係る研磨定盤は、定盤の見掛け表面積に対するワークに接触する面積の割合が、定盤の外周半径の略1/2を半径とする円周より内側の領域では一定で、上記円周より外側の領域においては、定盤の中心からの距離が大きくなるに従って徐々に小さくなるように、面積分布調整用の溝ないし凹所が配置されている研磨定盤である。
【0019】
また請求項5の発明に係る研磨定盤は、定盤の面積に対する研磨ペレットの面積の割合が、定盤の外周半径の略1/2を半径とする円周より内側の領域では一定で、上記円周より外側の領域においては、定盤の中心からの距離が大きくなるに従って徐々に小さくなるように、前記ペレットが配置されている研磨定盤である。
【0020】
請求項6及び請求項7の発明は、研磨定盤の修正キャリアに関するもので、請求項6の発明に係る修正キャリアは、研磨定盤に対向するドレス面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングの集合体としたときの、当該ドレス面に対する前記研磨定盤の半径方向の各位置における相対摩擦距離が均一となるように、各仮想リングに異なる面積割合で面積分布調整用の溝ないし凹所が設けられている、研磨定盤の修正キャリアである。
【0021】
また請求項7の発明は、前記修正キャリアにおける前記面積割合が、各仮想リングを個体ないし個体群とした遺伝的アルゴリズムを用いて決定されていることを特徴とするものである。
【0022】
【発明の実施の形態】
図2は、枚葉ラップ盤における摩擦距離特性の一例として、図1に示す定盤半径Rlap=200mm、ワーク半径Rwork=125mm、定盤角速度ωlap=π/3rad/s、ワーク角速度ωwork=π/4rad/s、定盤とワークの偏心量xn=25mmとした場合の、ワークの各半径位置(横軸)における摩擦距離を計算した結果を示した図である。なお、この例ではワークとしてウェーハを用いており、図2の縦軸右側の摩擦距離比は,ウェーハ中心(r=0mm)の摩擦距離を基準値とする比である。図2に示すように、ウェーハの中心と端(r=125mm)においては、摩擦距離に約4.5%の偏倚がある。
【0023】
なお、研磨定盤とワークの直径比及び自転速度比が摩擦距離の偏倚に及ぼす影響については、定盤とワークの自転速度比が1に近く、直径比が大きいほど、偏倚量が小さいことが本願発明者の研究により確認されている。ところが、直径比を大きくすることは、定盤の直径の増大を意味し、装置の大型化を招くことは、前述したとおりである。
【0024】
この研磨定盤の表面に溝を適切な位置に設けることでワークの摩擦距離の偏倚を小さくするとともに、研磨能率を向上させることが可能であると推測される。すなわち、スラリー供給用の溝ないし凹所の位置や大きさを摩擦距離の偏倚を抑制するという視点から捉えて、決定するということが有効であると考えられる。
【0025】
そこで、研磨定盤に溝を設ける際に、ワーク表面における摩擦距離特性を最良にする溝の位置や大きさを決定する方法として、研磨定盤の表面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングの集合体と仮想し、ワークの各半径位置における定盤表面との相対摩擦距離が均一となるように、各仮想リング毎の所要面積を演算して、各仮想リングの表面が当該所要面積のワークとの接触面を備えるように、溝ないし凹所の半径方向位置と面積とを決定することとし、その演算の手段として、乖離や交叉、突然変異を繰り返すことで生物が進化することを数理的に表現した遺伝的アルゴリズム(GA:Genetic Algrithm。以下、「GA」と略称する)を適用することで、ワーク表面における摩擦距離特性を均一化することを試みた。その一つの例を以下に説明する。
【0026】
GAは生物の進化を数理的に捉えて、最適解の探索を行うアルゴリズムであり、図3に示すようにN個の染色体で構成される一つの世代のゲノムに関して、選択や交叉、突然変異を行いながら世代交代を逐次繰り返すものである。このとき、一つの染色体はM個の遺伝子で構成されるものとして考え、各染色体に割り当てた値から適応度fknを計算する。
【0027】
これを研磨定盤の最適化問題に適用するに際して、次のような遺伝子内における数値表現を定義する。すなわち,遺伝子の数値は0〜1の範囲内とし、研磨定盤を見かけ上、図4に示すようにM個の仮想リングの集合体として考えた場合に、中心から第m番目の仮想リングにおける溝のない部分の割合を遺伝子の値gkmとした。仮に第m番目の仮想リングにおける遺伝子の数値gkmが0.70であったとすると、このリングに面積割合で30%の溝ないし凹所が設けられているということになる。ペレット貼付定盤の場合には、当該仮想リングの面積割合で70%の領域にペレットが貼付されているということである。
【0028】
このとき、最初に定盤内の見かけ上の各リングにおけるラップ能率を確認する必要がある。たとえは,M=4としたとき、研磨定盤は4つの仮想リングから成り立っていると考えることになるが、図2と同一の条件下で第1リング#1〜第4リング#4のラップ能率を計算した結果が図5である。なお、合計と表記した線は、リング#1〜#4の総和である。そして,仮にリング#1の遺伝子が0.70であれば、図5中の点線のようにリング#1のラップ能率は70%になるということである。
【0029】
このような方法でラップ定盤形状の最適化問題の一つである定盤表面の溝配置に関して、GAにおける各種の条件を次のように定めた。
a)基本的な枚葉ラップ方式の諸条件は,比較的大きな摩擦距離と小さな摩擦距離の偏倚を示した前記図2の結果を得たときの条件と同一の条件とした。
b)遺伝子の値の分解度は0.01とした。
c)各染色体の適応度は摩擦距離の適応度とした。
d)選択においては、N個の染色体の中から適応度の高い半数(N/2個)の染色体を選択するとともに、残りの半数はルーレットルール方式にしたがって選択した。
e)交叉においては、交叉確率をPcと設定するとともに、交叉位置も各交叉の組み合わせで個々独立なものとして、乱数を発生させて決定した。
f)突然変異については、突然変異確率をPmとして、一つのゲノムにあるN×M個の遺伝子から無作為に突然変異を発生させるようにした。このとき、突然変異を生じた遺伝子内の数値としての溝のない部分の割合は乱数発生によって決定した。
【0030】
上記のような設定によって、GAによる研磨定盤の溝配置問題について計算した結果の一例が図6であり、同図は各世代におけるN個の染色体それぞれの適応度としての摩擦距離の偏倚の最小値がGAによる世代交代によってどのように変化しているかを示している。
【0031】
また図7には、上記の計算における最終世代である5000世代目での摩擦距離特性を示している。なお、演算条件は前述したとおりの、定盤半径Rlap=200mm、ワーク半径Rwork=125mm、定盤角速度ωlap=π/3rad/s、ワーク角速度ωwork=π/4rad/s、定盤とワークの偏心量xn=25mm、染色体数N=20,各染色体の遺伝子数M=24、交叉確率Pc=0.25、突然変異確率Pm=0.01である。このように,GAによる計算を5000世代程度まで行うことによって、まったく溝を設けない場合(図2に示した4.5%の偏倚)に比較して、偏倚は0.5%程度となるというように,格段に偏倚を減少させることができている。
【0032】
そして、5000世代目における染色体の遺伝子の値を図解したものが図8であり、これがGAを用いた上記実施例のラップ定盤表面におけるワーク接触面積割合の設定値ということになる。すなわち、たとえば第10番目のリングとしてのR9<R<R10の範囲には、約7%の溝を設けると良いということである。またペレット貼付定盤であれば、ペレットの面積割合が約93%になるように貼付すれば良いということである。
【0033】
ここまでのGAによる結果においては、図8に示すように、すべての仮想リングに溝ないし凹所を設けるものとして計算を行っている。ところが、実際にはラップ定盤に溝を設けるとしても、その数を多くすることはラップ定盤の製造の上であまり好ましくないと考えられる。そこで、ラップ定盤の中心部、すなわちラップ定盤におけるリング番号が小さい領域においては、強制的に遺伝子を1として溝をないものとするということで、そのときの改善の効果を検証した。その結果が図9である。なお、同図の結果は5000世代のGA計算を50回試行し、各試行計算で得られる5000世代目における適応度の平均値を表している。また、この場合も総リング数Mは24とし、横軸において例えば5の場合には、リング1〜5すべてに溝がないことを意味する。
【0034】
図9に示すとおり、定盤の中心付近には溝を設けないとすると、半径Rlapの定盤に対して0<R<Rlap/2までには溝を設けない方が良い結果が得られることが分かる。なお図には示してないが、反対に、中心部をすべて溝にする(ワークに接触しないように例えば穴をあける)ことは、摩擦距離の偏倚に悪影響を与える結果になることも分かった。
【0035】
図10、図11は、これまでと同一の条件下において、第1〜11番目のリングには溝ないし凹所を設けないものとしてGAによる最適化計算を行った際に得られる摩擦距離特性、並びに最終の5000世代目での染色体における遺伝子の値を示している。ここで11/24は、図9のグラフが最小値を示している値である。このように、図11のように定盤中心から外半径の略1/2までは摩耗距離特性を調整するための溝ないし凹所を設けず、それより外周側でワークに接触する面の面積割合を半径が大きくなるに従って低減する方向に分布させた定盤にすることで、図10のように摩擦距離の偏倚が0.1%程度というような格段に良好なラッピング加工を行うことができる。
【0036】
図12は、以上の試験結果から得られるラップ定盤の溝配置の一例を示した平面図である。図に縦横の等間隔の格子状の線で示した溝a、bは、スラリー供給用の溝である。この溝a、bは、定盤表面に均一に設けられているので、摩耗距離特性を変化させない。換言すれば、この格子状の溝a、bのみが設けられている領域は、摩擦距離を均一化するための溝ないし凹所が設けられていない領域である。一方、図の定盤の外半径の11/24の半径の円周より外側に設けられている円形溝c及び半径方向の直線溝dは、摩擦距離を均一化するための面積分布調整用の溝である。
【0037】
この面積分布調整用の溝は、定盤の表面を24等分した仮想リングの各々における、スラリー供給溝a、bを除いた部分の面積に対する、ワークに実際に接触する面の面積割合が、図11に示す割合となるように配置されている。具体的には、図12の結果から、1番目から11番目までの仮想リングの領域には面積分布調整溝は設けず、12番目の仮想リングの領域では、スラリー供給溝を除いた部分の面積に対するワークに接触する面の割合が、0.996%になるように、同様に、
13番目の領域では0.994%、
14番目の領域では0.989%、
15番目の領域では0.984%、
16番目の領域では0.981%、
17番目の領域では0.974%、
18番目の領域では0.966%、
19番目の領域では0.962%、
20番目の領域では0.955%、
21番目の領域では0.949%、
22番目の領域では0.943%、
23番目の領域では0.935%、
最外周の24番目の領域では0.929%、
になるように、円形溝cと直線溝dとを配置している。
【0038】
以上は、定盤表面に溝ないし凹所を形成して相対摩擦距離の均一化を図るものであるが、ペレット貼付定盤の場合には、例えば、貼付するペレットの直径をリング幅とする仮想リングで定盤面を分割し、最適な摩擦距離特性を得るのに要する各仮想リングにおける研磨面積をGAなどの演算手法を用いて求め、その求められた面積になるようにペレットを貼り付けることで、最適な研磨定盤を得ることができる。
【0039】
なお、上記実施例では、定盤及びワークが回転運動をする枚葉ラップ定盤についての例を示したが、ワークが公転運動をする4ウェイラップ盤はもちろん、定盤径がワーク径より小さい場合や、また、自転や公転に揺動運動を重畳させる等の運動の場合にも、加工されるワークの半径方向における相対摩擦距離が均一となるように、定盤表面を複数の仮想リングに分割したときの各仮想リング毎の所要の面積割合をGAその他のアルゴリズムを用いて演算し、各仮想リングがそのような面積割合になるように定盤表面に溝ないし凹所を設けることで、研磨定盤や修正キャリアの最適化設計を行うことが可能である。
【0040】
【発明の効果】
以上のとおり、遺伝的アルゴリズム(GA)を用いてラップ定盤の溝形状を決定することにより、ラッピング加工の摩擦距離特性を格段に向上させることが可能である。また、ラップ定盤の外周半径の略中間より半径方向内側の領域には、スラリー供給に必要な溝以上のものは設けず、それより外側の部分に面積分布調整用の溝ないし凹所をその面積割合が徐々に増加するように設けることで、最適な摩擦距離特性が得られる。これにより、ラップ盤、特に枚葉式ラップ盤において、小径の定盤で高精度の加工が可能なラップ盤を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】枚葉ラッピングの定盤とワークを示す模式的な平面図
【図2】面積分布調整用の溝ないし凹所を設けない定盤を用いたときのワーク半径方向の摩擦距離の変化を示す図
【図3】遺伝的アルゴリズムを用いた演算の説明図
【図4】研磨定盤の演算に遺伝的アルゴリズムを適用する例を示した説明図
【図5】定盤を4個の仮想リングに分割したときのワークに対する各リングの摩擦距離の計算結果を示す図
【図6】遺伝的アルゴリズムによる適応関数の収束状態を示す図
【図7】本発明により最適化された第1例の研磨定盤の摩擦距離特性を示す図
【図8】図7の摩擦距離特性を備えた研磨定盤の半径方向の面積分布を示す図
【図9】定盤中心部の面積調整用の溝ないし凹所を設けないときの摩擦距離特性の変化を示す図
【図10】本発明により最適化された第2例の研磨定盤の摩擦距離特性を示す図
【図11】図10の摩擦距離特性を備えた研磨定盤の半径方向の面積分布を示す図
【図12】スラリー供給溝と面積分布値要請用の溝とを備えた研磨定盤の例を示す模式的な平面図
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a polishing platen used for a lapping device or a polishing device having a structure in which a work is rotated and pressed against a surface of a surface plate (including a surface plate having abrasive pellets adhered to the surface), and a repair carrier thereof. For example, the present invention relates to a polishing platen suitable for use in lapping or polishing of a hard material such as a hard brittle plate or sapphire represented by a semiconductor wafer and a carrier for repairing the same.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of a semiconductor wafer, a semiconductor ingot is cut, a crack layer of the cut wafer is removed by lapping, the thickness is adjusted to a predetermined thickness, processing distortion is removed by chemical polishing such as etching, and then a mirror surface is formed by polishing. Processing completes the wafer.
[0003]
At present, a 4-way lapping machine is mainly used as a processing apparatus for performing flat lapping, which is one of the semiconductor wafer manufacturing processes. The four-way lapping machine is a lapping machine to which the rotation of the work, the planetary movement (revolution) of the work around the platen axis, and the rotations of the upper and lower platens in opposite directions are added. In processing with a lapping machine, the amount of processing is proportional to the processing pressure and the relative friction distance between the workpiece and the lapping plate, as also given by the Preston equation. Therefore, if the processing pressure is constant, the better the friction distance at each position on the work surface is, the better the parallel plane can be obtained. In a four-way lapping machine, the larger the lapping base plate is used compared to the work, the more the friction distance can be obtained in which the friction distance characteristics are evenly distributed in the work radial direction, and a better parallel plane can be obtained. The diameter ratio between the work of a general lapping machine and the surface plate is about 1: 4.
[0004]
On the other hand, there is a problem that the size of the lapping machine increases with the increase in the diameter of the wafer. There is a problem that the flatness of the wafer in the lapping is reduced due to the deformation of the wafer and that the work of removing the surface plate becomes difficult.
[0005]
In order to avoid an increase in the size of the lapping machine, a sheet-fed lapping machine that grinds works one by one has been proposed. In the single-wafer lapping machine, the diameter of the platen for the work is made smaller than that of the 4-way lapping machine. However, when the diameter of the platen is reduced, the friction distance characteristic is reduced, which is the same problem as the 4-way lapping machine.
[0006]
The lapping efficiency in lapping largely depends on the friction distance between the lapping plate and the wafer. In other words, lapping naturally requires higher processing efficiency and higher flatness of the wafer. To achieve this, the friction distance on the wafer surface must be increased, and the variation in the friction distance on the entire wafer surface must be reduced. It is necessary.
[0007]
The four-way lapping machine and the single-wafer lapping machine are used to polish a work on the surface of the surface plate itself. As a method of polishing a high-hardness material such as ceramics and sapphire, a processing method generally called diamond smoothing is used. Is used. This method is a processing method in which a large number of short columnar diamond grindstones called pellets are attached to the surface of a disk, and the disk is rotated while the workpiece is pressed against the pellets to polish the work. In general, a plate having no grooves for a lapping machine is used as a disk on which pellets are stuck, and the pellets are stuck on the surface at regular intervals to form a polishing platen.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
As one of means for solving the above-mentioned problem that the friction distance characteristic is reduced when the diameter of the lapping plate is reduced, a linear groove or a circumferential groove is provided on the outer peripheral side of the lapping plate to substantially reduce the outer peripheral portion of the lapping plate. It is considered effective to reduce the specific surface area (the area in contact with the work and contributing to the processing), thereby obtaining a uniform friction distance characteristic.
[0009]
Providing such a groove or recess for adjusting the area distribution on the surface of the surface plate is considered to be effective also in various types of lapping including a 4-way, 3-way lapping machine and the like. However, it is considered that any concave portion that does not contact the work may be used. Further, in the case of polishing, it is considered that an isolated recess may be used. On the other hand, as a problem when providing such a recess, what is to be provided and what area ratio is to be provided becomes a problem. If it is not provided in a rational manner, the friction distance characteristics may be deteriorated.
[0010]
This is also applicable to the above-described processing using the polishing platen to which the diamond pellets are attached, and the gap between the attached pellets becomes a recess formed on the polishing surface. In order to make the friction distance at the position uniform and to flatten the processed surface, it is important to determine the size of the pellets and the arrangement of the pellets.
[0011]
The present invention was made as a result of a test study for examining how to provide grooves or recesses for adjusting the area distribution for uniformly polishing the work on the surface of the surface plate. It is an object of the present invention to provide a technical means for optimizing a friction distance characteristic of a surface plate which affects accuracy.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, the surface of the polishing platen or the correction carrier is regarded as an aggregate of a plurality of virtual rings centered on the rotation center, and each position in the radial direction of the work (in the case of the correction carrier, the polishing platen becomes the work). The required area of each virtual ring is calculated so that the relative friction distance is uniform, and the surface of each virtual ring is provided with a contact surface with the work having the required area. The above-mentioned problem is solved by providing grooves or recesses on the surface or determining the size and arrangement of the abrasive pellets to be attached to the surface plate.
[0013]
For the calculation of the required area for each virtual ring, various calculation methods or algorithms such as a neural network and a cellular automaton can be used. It is possible to improve it.
[0014]
According to the present invention, it is possible to provide a polishing platen for various types of lapping, polishing or smoothing, and a correction carrier for these platens, which have excellent polishing characteristics even with a small diameter.
[0015]
Therefore, the polishing surface plate according to the invention of claim 1 of the present application is a polishing surface plate for lapping or polishing, in which each surface ring is divided into a plurality of virtual rings centering on the rotation center of the surface surface, This is a polishing table provided with grooves or recesses for adjusting the area distribution at different area ratios so as to equalize the relative friction distance in the radial direction of the work due to relative movement with the table.
[0016]
Further, in the polishing platen in which a large number of diamond pellets or other polishing pellets are adhered to the platen surface, when the platen surface is divided into a plurality of virtual rings centered on the rotation center as described in claim 2, The pellets are adhered to each virtual ring at a different ratio of the area of the pellet surface to the surface of the surface plate for each virtual ring so as to equalize the relative friction distance in the radial direction of the work due to the relative movement with the surface plate. It is that.
[0017]
The invention according to claim 3 is characterized in that the area ratio in the polishing platen is determined using a genetic algorithm in which each virtual ring is an individual or an individual group.
[0018]
In the polishing platen according to the invention of claim 4 of the present application, the ratio of the area in contact with the work to the apparent surface area of the platen is in a region inside a circle having a radius of approximately 1/2 of the outer peripheral radius of the platen. A polishing surface plate in which grooves or recesses for area distribution adjustment are arranged so as to be constant and gradually decrease as the distance from the center of the surface plate increases in a region outside the circumference. .
[0019]
Further, in the polishing platen according to the invention of claim 5, the ratio of the area of the polishing pellet to the area of the platen is constant in a region inside a circumference having a radius of about 1/2 of the outer peripheral radius of the surface plate, In a region outside the circumference, the polishing platen is provided with the pellets so that the pellets are gradually reduced as the distance from the center of the platen increases.
[0020]
The invention according to claims 6 and 7 relates to a repair carrier for a polishing platen, and the repair carrier according to the invention according to claim 6 has a plurality of dressing surfaces facing a polishing platen centered on the rotation center thereof. When forming an aggregate of virtual rings, the grooves for adjusting the area distribution at a different area ratio in each virtual ring so that the relative friction distance at each position in the radial direction of the polishing platen with respect to the dress surface becomes uniform. It is a polishing carrier of a polishing platen provided with a recess.
[0021]
The invention according to claim 7 is characterized in that the area ratio in the modified carrier is determined using a genetic algorithm in which each virtual ring is an individual or an individual group.
[0022]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 2 shows, as an example of the friction distance characteristic of the single-wafer lapping machine, the radius of the platen Rlap = 200 mm, the radius of the work Rwork = 125 mm, the angular velocity of the platen ωlap = π / 3 rad / s, and the angular velocity of the work ωwork = π / shown in FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating a calculation result of a friction distance at each radial position (horizontal axis) of the work when 4 rad / s and the amount of eccentricity between the surface plate and the work xn = 25 mm. In this example, a wafer is used as the workpiece, and the friction distance ratio on the right side of the vertical axis in FIG. 2 is a ratio using the friction distance at the center of the wafer (r = 0 mm) as a reference value. As shown in FIG. 2, at the center and edge of the wafer (r = 125 mm), there is about 4.5% deviation in the friction distance.
[0023]
Regarding the influence of the diameter ratio and the rotation speed ratio of the polishing surface plate and the work on the deviation of the friction distance, the rotation amount ratio of the surface plate and the work is closer to 1, and the larger the diameter ratio, the smaller the deviation amount. It has been confirmed by the study of the present inventor. However, as described above, increasing the diameter ratio means increasing the diameter of the platen, and increasing the size of the apparatus.
[0024]
It is presumed that by providing grooves on the surface of the polishing platen at appropriate positions, it is possible to reduce the deviation of the friction distance of the work and improve the polishing efficiency. That is, it is considered effective to determine and determine the position and size of the slurry supply groove or recess from the viewpoint of suppressing the deviation of the friction distance.
[0025]
Therefore, when providing grooves on the polishing platen, as a method of determining the position and size of the groove that optimizes the friction distance characteristic on the work surface, a plurality of virtual surfaces around the rotation center of the surface of the polishing platen are used. The required area of each virtual ring is calculated so that the relative friction distance between the surface of the work and the surface of the platen at each radial position of the workpiece is uniform, and the surface of each virtual ring becomes the required area. Determine the radial position and area of the groove or recess so as to provide a contact surface with the workpiece, and as a means of calculation, evolve the organism by repeating divergence, crossover, and mutation. By applying a genetic algorithm expressed mathematically (GA: Genetic Algorithm; hereinafter, abbreviated as "GA"), an attempt was made to uniform the friction distance characteristics on the work surface. One example is described below.
[0026]
GA is an algorithm that mathematically grasps the evolution of living organisms and searches for the optimal solution. As shown in FIG. 3, selection, crossover, and mutation are performed on the genome of one generation composed of N chromosomes. The generation change is repeated successively while performing. At this time, one chromosome is considered to be composed of M genes, and the fitness fkn is calculated from the value assigned to each chromosome.
[0027]
When this is applied to the optimization problem of the polishing table, the following numerical expression in the gene is defined. That is, when the numerical value of the gene is in the range of 0 to 1 and the polishing platen is apparently considered as a set of M virtual rings as shown in FIG. The ratio of the portion having no groove was defined as the gene value gkm. Assuming that the numerical value gkm of the gene in the m-th virtual ring is 0.70, it means that this ring is provided with a groove or a recess having an area ratio of 30%. In the case of the pellet-attached surface plate, it means that the pellets are attached to a region of 70% in the area ratio of the virtual ring.
[0028]
At this time, it is necessary to first confirm the lap efficiency of each apparent ring in the surface plate. For example, when M = 4, the polishing platen is considered to be composed of four virtual rings, but under the same conditions as in FIG. 2, the lap of the first ring # 1 to the fourth ring # 4 The result of calculating the efficiency is shown in FIG. In addition, the line described as the sum is the sum total of the rings # 1 to # 4. If the gene of ring # 1 is 0.70, the wrap efficiency of ring # 1 is 70% as indicated by the dotted line in FIG.
[0029]
With such a method, various conditions in the GA were determined as follows regarding the groove arrangement on the surface of the surface plate, which is one of the optimization problems of the shape of the lap surface plate.
a) The conditions for the basic single-wafer lap method were the same as the conditions when the results of FIG. 2 were obtained, which showed a relatively large friction distance and a small deviation of the friction distance.
b) The degree of decomposition of the gene value was set to 0.01.
c) The fitness of each chromosome was defined as the fitness of the friction distance.
d) In selection, half of the chromosomes (N / 2) having high fitness were selected from the N chromosomes, and the other half were selected according to the roulette rule method.
e) In the crossover, the crossover probability was set to Pc, and the crossover positions were determined by generating random numbers, assuming each crossover combination was independent.
f) Mutation was randomly generated from N × M genes in one genome, with the mutation probability as Pm. At this time, the ratio of the non-grooved portion as a numerical value in the mutated gene was determined by random number generation.
[0030]
FIG. 6 shows an example of a result calculated by the above-described setting for the groove arrangement problem of the polishing platen by the GA. FIG. 6 shows the minimum deviation of the friction distance as the fitness of each of the N chromosomes in each generation. It shows how the value changes with the generation change by GA.
[0031]
FIG. 7 shows the friction distance characteristics at the 5000th generation, which is the last generation in the above calculation. As described above, the calculation conditions are as described above, the platen radius Rlap = 200 mm, the work radius Rwork = 125 mm, the platen angular velocity ωlap = π / 3 rad / s, the work angular velocity ωwork = π / 4 rad / s, and the eccentricity of the platen and the work. The quantity xn = 25 mm, the number of chromosomes N = 20, the number of genes on each chromosome M = 24, the crossover probability Pc = 0.25, and the mutation probability Pm = 0.01. As described above, by performing the calculation by GA up to about 5000 generations, the deviation is about 0.5% compared to the case where no groove is provided (the deviation of 4.5% shown in FIG. 2). Thus, the deviation can be significantly reduced.
[0032]
FIG. 8 illustrates the gene values of the chromosomes at the 5000th generation, and this is the set value of the work contact area ratio on the surface of the lap plate of the above-described embodiment using GA. That is, for example, in the range of R9 <R <R10 as the tenth ring, it is preferable to provide a groove of about 7%. In the case of a pellet sticking surface plate, it is sufficient to stick the pellet so that the area ratio of the pellet is about 93%.
[0033]
In the results of the GA up to this point, the calculation is performed assuming that grooves or recesses are provided in all virtual rings as shown in FIG. However, even if grooves are actually provided on the lapping plate, it is considered that increasing the number thereof is not so preferable in manufacturing the lapping plate. Therefore, in the central part of the lap surface plate, that is, in the region where the ring number is small in the lap surface plate, the gene was set to 1 and no groove was formed, thereby verifying the effect of the improvement at that time. FIG. 9 shows the result. It should be noted that the results shown in the figure represent the average value of the fitness at the 5000th generation obtained by performing the GA calculation of the 5000th generation 50 times and performing each trial calculation. Also in this case, the total number of rings M is set to 24. For example, in the case of 5 on the horizontal axis, it means that all the rings 1 to 5 have no groove.
[0034]
As shown in FIG. 9, assuming that no groove is provided near the center of the surface plate, it is better to provide no groove until 0 <R <Rlap / 2 for the surface plate of radius Rlap. I understand. In addition, although not shown in the figure, it was also found that conversely, forming all the grooves in the center portion (for example, making holes so as not to contact the work) adversely affects the deviation of the friction distance.
[0035]
FIG. 10 and FIG. 11 show friction distance characteristics obtained when the optimization calculation by GA is performed under the same conditions as above without providing grooves or recesses in the first to eleventh rings, Also, the values of genes on the chromosome at the last 5000th generation are shown. Here, 11/24 is a value at which the graph of FIG. 9 shows the minimum value. In this way, as shown in FIG. 11, no groove or recess for adjusting the wear distance characteristic is provided from the center of the surface plate to approximately 1/2 of the outer radius, and the area of the surface that comes into contact with the workpiece on the outer peripheral side is not provided. By using a surface plate distributed in a direction in which the ratio decreases as the radius increases, a much better lapping process can be performed in which the deviation of the friction distance is about 0.1% as shown in FIG. .
[0036]
FIG. 12 is a plan view showing an example of the groove arrangement of the lap surface plate obtained from the above test results. The grooves a and b shown by grid lines at equal intervals in the vertical and horizontal directions are grooves for supplying slurry. Since the grooves a and b are provided uniformly on the surface of the surface plate, the wear distance characteristics are not changed. In other words, the area where only the lattice-shaped grooves a and b are provided is an area where no grooves or recesses for equalizing the friction distance are provided. On the other hand, the circular groove c and the radial straight groove d provided outside the circumference having a radius of 11/24 of the outer radius of the platen shown in the figure are used for adjusting the area distribution for equalizing the friction distance. It is a groove.
[0037]
This area distribution adjusting groove is such that, in each of the virtual rings obtained by dividing the surface of the surface plate into 24 equal parts, the area ratio of the surface actually in contact with the work to the area of the part excluding the slurry supply grooves a and b is: They are arranged so as to have the ratio shown in FIG. Specifically, from the results of FIG. 12, the area of the first to eleventh virtual rings is not provided with the area distribution adjusting groove, and the area of the twelfth virtual ring is excluding the slurry supply groove. Similarly, so that the ratio of the surface contacting the workpiece with respect to is 0.996%.
0.994% in the 13th area,
0.989% in the 14th area,
0.984% in the fifteenth area,
0.981% in the 16th area,
0.974% in the 17th area,
0.966% in the 18th area,
0.962% in the 19th area,
0.955% in the 20th area,
0.949% in the 21st area,
0.943% in the 22nd area,
0.935% in the 23rd area,
0.929% in the outermost 24th area,
The circular groove c and the straight groove d are arranged such that
[0038]
The above is intended to equalize the relative friction distance by forming a groove or a recess on the surface of the surface plate. In the case of a pellet-attached surface plate, for example, the diameter of the pellet to be attached is assumed to be a ring width. The surface of the platen is divided by a ring, the polishing area of each virtual ring required to obtain the optimal friction distance characteristics is obtained using a calculation method such as GA, and the pellet is attached so that the obtained area is obtained. Thus, an optimal polishing platen can be obtained.
[0039]
Note that, in the above embodiment, an example of a single-wafer lapping plate in which the platen and the work make a rotational movement has been described, but a 4-way lapping plate in which the work revolves, as well as a platen diameter smaller than the work diameter. Also, in the case of motion such as superimposing oscillating motion on rotation or revolution, the surface of the surface plate is formed with a plurality of virtual rings so that the relative friction distance in the radial direction of the workpiece to be processed is uniform. By calculating the required area ratio for each virtual ring when divided using GA or another algorithm, by providing a groove or a recess on the surface of the surface plate so that each virtual ring has such an area ratio, It is possible to carry out optimization design of the polishing table and the repair carrier.
[0040]
【The invention's effect】
As described above, by determining the groove shape of the lap surface plate using the genetic algorithm (GA), it is possible to significantly improve the friction distance characteristics of the lapping process. Further, in a region radially inward from a substantially middle of the outer peripheral radius of the lap surface plate, there is no groove or a groove required for slurry supply, and a groove or a recess for area distribution adjustment is provided in a portion outside the groove. By providing such that the area ratio gradually increases, an optimum friction distance characteristic can be obtained. As a result, in a lapping machine, in particular, in a single-wafer lapping machine, there is an effect that a lapping machine capable of performing high-precision machining with a small-diameter platen can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing a platen for single-wafer lapping and a work. FIG. 2 A change in friction distance in a work radial direction when a platen having no grooves or recesses for area distribution adjustment is used. FIG. 3 is an explanatory diagram of an operation using a genetic algorithm. FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of applying a genetic algorithm to the operation of a polishing surface plate. FIG. 6 shows a calculation result of a friction distance of each ring with respect to a work when divided into rings. FIG. 6 shows a convergence state of an adaptive function by a genetic algorithm. FIG. 7 shows a first example optimized by the present invention. FIG. 8 is a diagram showing a friction distance characteristic of a polishing table. FIG. 8 is a diagram showing an area distribution in a radial direction of the polishing table having the friction distance characteristic of FIG. 7. FIG. FIG. 10 shows a change in the friction distance characteristic when no recess is provided. FIG. 11 is a view showing a friction distance characteristic of the polishing table of the second example optimized by the method. FIG. 11 is a view showing an area distribution in a radial direction of the polishing table having the friction distance characteristic of FIG. 10. FIG. Schematic plan view showing an example of a polishing platen provided with grooves and grooves for requesting an area distribution value

Claims (7)

ラッピングないしポリシング用の研磨定盤において、定盤面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングに分割したときの各仮想リングに、定盤との相対運動によるワーク半径方向の相対摩擦距離を均一化するように、異なる面積割合で面積分布調整用の溝ないし凹所が設けられている研磨定盤。On a polishing surface plate for lapping or polishing, when the surface of the surface plate is divided into multiple virtual rings centered on the center of rotation, the relative friction distance in the workpiece radial direction due to relative motion with the surface plate is uniform on each virtual ring. Polishing surface plate provided with grooves or recesses for adjusting the area distribution at different area ratios. 定盤面に多数の研磨ペレットを貼着した研磨定盤において、定盤面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングに分割したときの各仮想リングに、定盤との相対運動によるワーク半径方向の相対摩擦距離を均一化するように、仮想リング毎の定盤面に対するペレット表面の面積割合を異なる割合にして、前記ペレットが貼着されている研磨定盤。In the polishing platen where a large number of abrasive pellets are adhered to the surface plate surface, when the surface plate surface is divided into a plurality of virtual rings centered on the rotation center, each virtual ring has a work radial direction due to relative motion with the surface plate. A polishing platen on which the pellets are adhered with different ratios of the area ratio of the pellet surface to the platen surface of each virtual ring so as to make the relative friction distance uniform. 前記面積割合が、各仮想リングを個体ないし個体群とする遺伝的アルゴリズムを用いて決定されている、請求項1又は2記載の研磨定盤。3. The polishing table according to claim 1, wherein the area ratio is determined using a genetic algorithm in which each virtual ring is an individual or an individual group. 定盤の見掛け表面積に対するワークに接触する面積の割合が、定盤の外周半径の略1/2を半径とする円周より内側の領域では一定で、上記円周より外側の領域においては、定盤の中心からの距離が大きくなるに従って徐々に小さくなるように、面積分布調整用の溝ないし凹所が配置されている、研磨定盤。The ratio of the area in contact with the work to the apparent surface area of the surface plate is constant in a region inside the circumference having a radius of approximately 1/2 of the outer radius of the surface plate, and constant in the region outside the circumference. A polishing platen in which grooves or recesses for adjusting area distribution are arranged so as to gradually decrease as the distance from the center of the plate increases. 定盤の面積に対する研磨ペレットの面積の割合が、定盤の外周半径の略1/2を半径とする円周より内側の領域では一定で、上記円周より外側の領域においては、定盤の中心からの距離が大きくなるに従って徐々に小さくなるように、前記ペレットが配置されている、研磨定盤。The ratio of the area of the polishing pellet to the area of the surface plate is constant in a region inside a circumference having a radius of approximately 1/2 of the outer circumference of the surface plate, and in a region outside the circumference, A polishing platen on which the pellets are arranged so as to gradually decrease as the distance from the center increases. 研磨定盤に対向するドレス面をその回転中心を中心とする複数の仮想リングの集合体としたときの、当該ドレス面に対する前記研磨定盤の半径方向の各位置における相対摩擦距離が均一となるように、各仮想リングに異なる面積割合で面積分布調整用の溝ないし凹所が設けられている、研磨定盤の修正キャリア。When the dress surface facing the polishing platen is an aggregate of a plurality of virtual rings centered on the rotation center, the relative friction distance at each position in the radial direction of the polishing platen with respect to the dress surface becomes uniform. As described above, the correction carrier of the polishing platen, in which grooves or recesses for adjusting the area distribution are provided at different area ratios in each virtual ring. 前記面積割合が、各仮想リングを個体ないし個体群とした遺伝的アルゴリズムを用いて決定されている、請求項6記載の修正キャリア。7. The modified carrier according to claim 6, wherein the area ratio is determined using a genetic algorithm in which each virtual ring is an individual or an individual group.
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