JP2004303740A - Beam position measuring system - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、医療用、工業用、および、研究の各分野に用いられる荷電粒子ビーム加速装置のビーム位置測定システムに関するものである。 The present invention relates to a beam position measuring system of a charged particle beam accelerator used in medical, industrial, and research fields.
図10は、例えばThe 8th Symp.On Accelerator Science and Technology、1991.Saitama Japanの「BEAM MONITOR OF HIMAC HEAVY−ION SYNCHROTRON」p.320−322の特にFig.2に開示されているような従来のビーム位置測定システムの構成を示すもので、図中、1は右側電極2と左側電極3とを有する静電型ビーム位置モニタであり、図10は2個の静電型ビーム位置モニタ1が用いられる場合を示している。4aと4cは各静電型ビーム位置モニタ1の右側電極2の出力であるRF信号を増幅するヘッドアンプ、4bと4dは左側電極3の出力であるRF信号を増幅するヘッドアンプ、5aは右側信号用のヘッドアンプ4aと4cとからの出力信号を切り換える切換器、5bは左側信号用のヘッドアンプ4bと4dとからの出力信号を切り換える切換器、6は切換器5aおよび5bで切り換えられた信号を入力して検波とビーム位置演算とを行うビーム位置信号処理回路であり、切換器5aおよび5bは同一静電型ビーム位置モニタ1の出力であるヘッドアンプ4aと4b、または、4cと4dとを選択してビーム位置信号処理回路6に供給するように構成されている。
FIG. 10 shows, for example, The 8th Symp. On Accelerator Science and Technology, 1991. Saitama Japan "BEAM MONITOR OF HIMAC HEAVY-ION SYNCHROTRON" p. 320-322, especially FIG. 2 shows a configuration of a conventional beam position measuring system as disclosed in FIG. 2, where 1 is an electrostatic beam position monitor having a
また、図11は例えばThe 7th Symp.On Accelerator Science and Technologyの「BEAM MONITORS FOR RF CONTROL IN THE SYNCHROTRON TARN−II」p.210−212の特にFig.2に開示された従来のビーム位置モニタ1の電極構造を示す上面断面図と側面断面図であり、右側電極2および左側電極3はそれぞれ電極板7とアース板8とから構成され、それぞれがコの字に形成されており、アース板8を支えるサポート10と電極板7を支える絶縁サポート11とを介して真空容器9内にボルトなどにより組み付け固定されている。電極板7とアース板8とは静電容量の電極を構成し、右側電極2と左側電極3との間を荷電粒子ビームが通過することにより、この静電容量にはRF電圧が発生し、このRF電圧は右側電極2用の信号端子12と左側電極3用の信号端子13とを介してヘッドアンプなどの信号処理系に出力される。
FIG. 11 shows, for example, The 7th Symp. "BEAM MONITORS FOR RF CONTROL IN THE SYNCHROTRON TARN-II" of On Accelerator Science and Technology, p. 210-212, especially FIG. 2A and 2B are a top cross-sectional view and a side cross-sectional view showing an electrode structure of the conventional
図12は、図10にて示した従来のビーム位置測定システムに使用されていたヘッドアンプ4aないし4dの内、同一静電型ビーム位置モニタ1の出力を増幅するヘッドアンプ4aと4bとで構成される一組の回路構成を示すものである。図中、2aは静電型ビーム位置モニタ1の右側電極2の電極板7とアース板8との間に形成される静電容量を示し、3aは左側電極3による静電容量を示すものである。14は静電容量2aおよび3aに並列接続される各ヘッドアンプ4aおよび4bの入力抵抗、15は入力抵抗14の後段に設けられる電界効果トランジスタ、16は電界効果トランジスタ15の後段に接続され、外部から制御されて信号を減衰させるアッテネータ、17はアッテネータ16の後段に接続されるアンプである。
12 includes head amplifiers 4a and 4b for amplifying the output of the same electrostatic
このような静電型ビーム位置モニタ1とヘッドアンプ4aないし4dとを有して構成される従来のビーム位置測定システムにおいて、静電型ビーム位置モニタ1の右側電極2と左側電極3との間を荷電粒子ビームが通過すると、各電極2および3が形成する静電容量、すなわち、図12の静電容量2aおよび3aには荷電粒子ビームの電荷量と通過位置とに依存する電荷量が蓄積され、ヘッドアンプ4aおよび4bの入力端子、つまり、入力抵抗14の非接地側にはこの電荷量に比例した電圧が入力される。この入力電圧はRF信号電圧であり、電界効果トランジスタ15により低インピーダンスに変換されると共に増幅され、増幅された信号電圧はアッテネータ16を介してアンプ17に入力され、増幅されて切換器5aおよび5bに出力される。また、静電型ビーム位置モニタ1からの入力電圧が過大の場合にはアンプ17が飽和状態となり、入力電圧に対応した出力電圧が得られなくなるため、オペレータが外部からアッテネータ16を制御して信号電圧を減衰させ、アンプ17に対する入力電圧を適正化する。
In the conventional beam position measuring system including the electrostatic
このようにして出力されるヘッドアンプ4aないし4dの出力信号は図10に示すように切換器5aおよび5bに入力され、同一静電型ビーム位置モニタ1の右側電極2と左側電極3とからの信号、すなわち、ヘッドアンプ4aと4b、または、4cと4dの出力信号が選択されてビーム位置信号処理回路6に与えられる。ビーム位置信号処理回路6では右側電極2からの信号電圧の振幅VRと左側電極3からの信号電圧の振幅VLとを検出し、
ΔR=(VR−VL)/(VR+VL)
を演算する。静電容量2aおよび3aに蓄積される電荷量の総和、従って上記の式の分母は荷電粒子ビームの電荷量に比例するが通過位置には依存せず、静電容量2aおよび3aのそれぞれの電荷量は荷電粒子ビームの通過位置により変わるため、静電型ビーム位置モニタ1の中心をX=0として中心からのずれをΔXとすれば、上記の式のΔRはΔXに比例することになり、ΔRの演算により荷電粒子ビームの通過位置が測定できる。
The output signals of the head amplifiers 4a to 4d output as described above are input to the switches 5a and 5b as shown in FIG. 10, and are output from the
ΔR = (VR−VL) / (VR + VL)
Is calculated. The sum of the amounts of charge stored in the capacitances 2a and 3a, and thus the denominator in the above equation is proportional to the charge amount of the charged particle beam but independent of the passing position, and the respective charges of the capacitances 2a and 3a Since the amount changes depending on the passing position of the charged particle beam, if the center of the electrostatic
従来のビーム位置測定システムでは以上のようにして荷電粒子ビームの通過位置を測定するが、測定上に様々な課題を有している。まずその第一は、ヘッドアンプ4aないし4dは内容的には同一構成であるのでそれぞれが一つの製品として個別の筐体に収納されており、温度により増幅度が変化しやすい電界効果トランジスタ15を使用しているため、例えばヘッドアンプ4aと4bとの各筐体の内部温度に温度差が生じた場合にはそれぞれの増幅率の比が変化し、荷電粒子ビーム通過位置の測定に誤差が発生して高い精度が得られない。また、第二の課題は、静電型ビーム位置モニタ1からの入力電圧が過大の場合にはオペレータがアッテネータ16の減衰率を操作する必要があり、ヘッドアンプ4aと4bの減衰率を等価にする必要性があるために測定時の操作が煩雑になると共に、操作のための図示しない外部制御機器のI/O点数が増加し、外部制御機器が高価なものになることである。
The conventional beam position measuring system measures the passing position of the charged particle beam as described above, but has various problems in measurement. First, since the head amplifiers 4a to 4d have the same structure in content, each is housed in a separate housing as a single product, and the field-
さらに、従来の静電型ビーム位置モニタ1は図11に示すように、電極板7とアース板8とが真空容器9内においてボルトなどで固定されており、両者間の間隔すなわち図12の静電容量2aと3aとは真空容器9を分解しなければ再調整ができない構造になっていた。そして、電極板7は絶縁サポート11を介して組み付けられており、絶縁サポート11はセラミックなどの絶縁材にて構成されるため、電極板7の組み付けにあたってはボルトなどの締め付けトルクには限界があり、輸送中の振動や径年変化による枯れなどのためにボルトの緩みが発生し易く、静電容量が変化してビーム位置の測定精度が劣化するという問題があった。
このために静電容量の再調整が必要となるが、再調整には真空容器9を分解せねばならず、調整、再組立、真空引きなどに煩雑な作業と大きな労力とを必要とするばかりでなく、真空容器9を大気開放することにより水分や異物の付着が起こり、再組立後の真空特性を劣化させるというのが第三の課題である。
Further, in the conventional electrostatic
For this purpose, the capacitance needs to be readjusted. However, the readjustment requires disassembly of the
さらにまた、このようなビーム位置測定システムでは測定データと実際のビーム位置との更正を行う必要があり、実際のビーム中心位置座標を横軸に、ビーム位置モニタの信号から算出されるビーム中心位置を縦軸にとると原点付近ではほぼ一次関数になり、この一次関数の傾きは感度係数と呼ばれる。この感度係数は例えばJpn.J.Appl.Phys.Vol132 PP 3265ー3269(1993)の図3に示されているように、ビーム位置モニタの設置されている場所におけるビームサイズに依存することが知られており、従って、正確なビーム中心位置を測定するためには正確なビームサイズを知り、感度係数を知る必要があるというのが第四の課題である。また、第五の課題は、ビーム軌道の傾きを測定する場合には、最低2個所でビーム中心、または、ビームプロファイルを測定し、これらのデータから傾きを算出する必要があるということであり、このために複数のビーム位置モニタを必要とするということである。 Further, in such a beam position measuring system, it is necessary to correct the measured data and the actual beam position. The horizontal axis represents the actual beam center position coordinates, and the beam center position calculated from the signal of the beam position monitor. Is approximately a linear function near the origin, and the slope of the linear function is called a sensitivity coefficient. This sensitivity coefficient is, for example, Jpn. J. Appl. Phys. As shown in FIG. 3 of Vol 132 PP 3265-3269 (1993), it is known to depend on the beam size at the position where the beam position monitor is installed, and therefore, the accurate beam center position is measured. The fourth problem is that it is necessary to know an accurate beam size and a sensitivity coefficient in order to perform the measurement. The fifth problem is that when measuring the inclination of the beam trajectory, it is necessary to measure the beam center or the beam profile at at least two places, and calculate the inclination from these data. This requires a plurality of beam position monitors.
この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、右側電極の信号を増幅するヘッドアンプと左側電極の信号を増幅するヘッドアンプとに温度差を生じさせず、均等な増幅率が得られるようにし、ヘッドアンプ内においてビーム位置モニタからの入力電圧により増幅率を自動制御して操作の容易化を図り、高精度な荷電粒子ビーム位置の測定を可能にすると共に、電極板とアース板との間に形成される静電容量の径年変化などを真空容器を分解することなく外部から調整することを可能にし、また、感度係数の測定を容易としてビームサイズに依存しないビーム位置の測定や、ビーム軌道の傾きを1台の静電型ビームモニタで測定することが可能なビーム位置測定システムを得ることを目的とするものである。 The present invention has been made to solve such a problem, and does not cause a temperature difference between a head amplifier that amplifies the signal of the right electrode and a head amplifier that amplifies the signal of the left electrode, and achieves uniform amplification. In the head amplifier, the amplification factor is automatically controlled by the input voltage from the beam position monitor to facilitate the operation, and the highly accurate measurement of the charged particle beam position is enabled. It is possible to adjust the aging of the capacitance formed between the ground plate and the earth without externally disassembling the vacuum vessel. In addition, the sensitivity coefficient can be easily measured and the beam does not depend on the beam size. It is an object of the present invention to obtain a beam position measurement system capable of measuring a position and measuring a tilt of a beam trajectory with one electrostatic beam monitor.
この発明に係わるビーム位置測定システムは、入射された荷電粒子ビームをRF加速電界により加速する加速器と、この加速器内の荷電粒子ビーム、または、この加速器からの荷電粒子ビームの位置を測定する少なくとも右側電極と左側電極との二つの電極が真空容器内に設けられた静電型ビーム位置モニタと、この静電型ビーム位置モニタの右側電極からの出力電圧と左側電極からの出力電圧とを個別に増幅すると共に電圧制御アンプを内蔵する複数の増幅回路と、この複数の増幅回路からの出力を受けてビーム位置を演算するビーム位置信号処理回路とを備え、複数の増幅回路のそれぞれの電圧制御アンプの出力電圧が加算され、この加算された電圧が制御電圧としてそれぞれの電圧制御アンプの制御電圧入力端子に負帰還され、増幅率制御が行われるように構成したものである。 A beam position measurement system according to the present invention includes an accelerator for accelerating an incident charged particle beam by an RF acceleration electric field, and at least a right side for measuring the position of the charged particle beam in the accelerator or the charged particle beam from the accelerator. An electrostatic beam position monitor in which two electrodes, an electrode and a left electrode, are provided in a vacuum vessel, and the output voltage from the right electrode and the output voltage from the left electrode of the electrostatic beam position monitor are individually A plurality of amplifier circuits that amplify and include a voltage control amplifier; and a beam position signal processing circuit that receives outputs from the plurality of amplifier circuits and calculates a beam position. Output voltages are added, and the added voltage is negatively fed back to the control voltage input terminal of each voltage control amplifier as a control voltage, and the amplification factor Are those configured as control is carried out.
また、複数の増幅回路の電圧制御アンプの出力電圧が検波された後に加算されるように構成したものである。
さらに、各電極から複数の増幅回路に入力される電圧信号の振幅がステップ状に増大した場合の増幅率制御の応答時間が、加速器に荷電粒子ビームが入射されてから加速が完了するまでの立ち上がり時間に対し、同等か、または、短い時間に設定されるようにしたものである。
Further, the output voltages of the voltage control amplifiers of the plurality of amplifier circuits are detected and added after being detected.
Furthermore, the response time of the gain control when the amplitude of the voltage signal input from each electrode to a plurality of amplifying circuits increases in a step-like manner starts from the time when the charged particle beam is incident on the accelerator until the acceleration is completed. The time is set to be equal to or shorter than the time.
この発明のビーム位置測定システムによれば次のような効果を得ることができる。すなわち、図1の構成によれば、静電型ビーム位置モニタの右側電極の信号を増幅する増幅回路と左側電極の信号を増幅する増幅回路とを同一筐体内に収納するようにしたので、ビーム位置をモニタ中に雰囲気温度の変動があっても両増幅回路には温度差が生じず、増幅率の比を一定に保つことができてビーム位置測定に誤差を生じることがない。また、実施の形態1および実施の形態2の構成によれば、右側電極の信号を増幅する電圧制御アンプのRF信号電圧の出力と左側電極の信号を増幅する電圧制御アンプのRF信号電圧の出力とを加算し、加算されたRF信号電圧とレファレンス電圧との差電圧を各電圧制御アンプの制御電圧入力端子に制御電圧としてフィードバックし、オートゲインコントロールを構成したので、入力電圧によりオペレータがゲイン操作を行う必要がなく、精度の高い測定ができ、アッテネータなどが不要となって操作が容易で安価なビーム位置測定システムを得ることができる。 According to the beam position measuring system of the present invention, the following effects can be obtained. That is, according to the configuration of FIG. 1, the amplifier circuit for amplifying the signal of the right electrode and the amplifier circuit for amplifying the signal of the left electrode of the electrostatic beam position monitor are housed in the same housing. Even if the ambient temperature fluctuates while monitoring the position, no temperature difference occurs between the two amplifier circuits, the ratio of the amplification factors can be kept constant, and no error occurs in the beam position measurement. According to the configurations of the first and second embodiments, the output of the RF signal voltage of the voltage control amplifier for amplifying the signal of the right electrode and the output of the RF signal voltage of the voltage control amplifier for amplifying the signal of the left electrode are provided. And the difference voltage between the added RF signal voltage and the reference voltage is fed back as a control voltage to the control voltage input terminal of each voltage control amplifier, and an automatic gain control is configured. This makes it possible to perform highly accurate measurement, eliminate the need for an attenuator or the like, and obtain an easy-to-operate and inexpensive beam position measurement system.
さらに、実施の形態3の構成によれば、オートゲインコントロールの応答性を加速装置のバンチング完了までの時間より小さく設定したので、アンプ類の寿命を延長することが可能になると共に、測定時間の短縮を可能とすることができ、図5および図6の構成によれば、電極板とアース板とで形成される静電容量をモニタしながら外部より調整できるようにしたので、調整作業が容易となると共に、真空容器の真空特性の劣化を回避することができ、図7の構成によれば、荷電粒子ビームの測定中に電極位置を移動させて測定対象の荷電粒子ビームサイズによる感度係数が求められるようにしたので、従来装置のようにビームサイズを予め求めておくことなくビームの中心位置が精度良く測定でき、図9の構成によれば、ビーム位置モニタの中心線を傾けて感度特性を計測できるようにしたので、1台のビーム位置モニタにより荷電粒子ビームの軌跡の傾きの測定が可能になるなど、優れたビーム位置測定システムを得ることができるものである。 Furthermore, according to the configuration of the third embodiment, the responsiveness of the auto gain control is set to be shorter than the time until the completion of the bunching of the accelerator, so that the life of the amplifiers can be extended and the measurement time can be reduced. According to the configuration of FIGS. 5 and 6, the capacitance can be adjusted from the outside while monitoring the capacitance formed by the electrode plate and the ground plate. In addition, the vacuum characteristic of the vacuum vessel can be prevented from deteriorating, and according to the configuration of FIG. 7, the electrode position is moved during the measurement of the charged particle beam so that the sensitivity coefficient depending on the charged particle beam size of the measurement target is reduced. Since it can be obtained, the center position of the beam can be accurately measured without previously obtaining the beam size as in the conventional apparatus. According to the configuration of FIG. Since the sensitivity characteristic can be measured by tilting the center line, an excellent beam position measurement system can be obtained, for example, the inclination of the trajectory of the charged particle beam can be measured by one beam position monitor. is there.
図1は、この発明のベースとなるビーム位置測定システムの構成を示すもので、上記従来例の図10との同一部分には同一符号が付与されている。図において、1は右側電極2と左側電極3を持つ静電型ビーム位置モニタであり、図は2個の静電型ビーム位置モニタ1が用いられる場合を示し、また、図1には図示しないが、従来例の図11にて説明したように各電極2および3はそれぞれ電極板とアース板とにより構成され、この電極板とアース板とで静電容量を形成している。18はそれぞれの静電型ビーム位置モニタ1に対応して設けられるヘッドアンプで、それぞれ右側電極2の出力信号を増幅する増幅回路18aと左側電極3の出力信号を増幅する増幅回路18bとが同一筐体内に収納されている。5aはこれらの複数のヘッドアンプ18の右側電極2用の増幅回路18aからの出力信号を切り換える切換器、5bは複数のヘッドアンプ18の左側信号用の増幅回路18bからの出力信号を切り換える切換器、6は切換器5aおよび5bで切り換えられた信号を入力し、検波とビーム位置演算とを行うビーム位置信号処理回路である。
FIG. 1 shows the configuration of a beam position measuring system serving as a base of the present invention, and the same parts as those in FIG. In the drawing,
それぞれの静電型ビーム位置モニタ1の右側電極2の信号は各ヘッドアンプ18の増幅回路18aに入力され、また、左側電極3の信号は各ヘッドアンプ18の増幅回路18bに入力される。各増幅回路18aにて増幅された右側電極2の信号は切換器5aに、また、各増幅回路18bにて増幅された左側電極3の信号は切換器5bに出力され、切換器5aと5bとは同一静電型ビーム位置モニタ1の右側電極2の信号と左側電極3の信号とを選択してビーム位置信号処理回路6に出力し、ビーム位置が演算される。
The signal of the
図1に示すビーム位置測定システムにおいては、上記のように、同一静電型ビーム位置モニタ1の信号を増幅する右側信号用の増幅回路18aと左側信号用の増幅回路18bとが一つのヘッドアンプ18として同一筐体内に収納されるようにしたので、ビーム位置をモニタ中に雰囲気温度の変動があっても両増幅回路18aおよび18bには温度差が生じず、増幅率の比を一定に保つことができ、ビーム位置測定時に温度差により生じる測定誤差を回避することができる。なお、温度により増幅度が変化しやすい電界効果トランジスタを同一筐体内で接近、または、接着して設けるようにすればさらに効果的である。 In the beam position measuring system shown in FIG. 1, as described above, the amplifier circuit 18a for the right signal and the amplifier circuit 18b for the left signal for amplifying the signal of the same electrostatic beam position monitor 1 have one head amplifier. Since it is housed in the same housing as 18, even if the ambient temperature fluctuates while monitoring the beam position, there is no temperature difference between the two amplifier circuits 18a and 18b, and the ratio of the amplification factors is kept constant. It is possible to avoid a measurement error caused by a temperature difference when measuring the beam position. It is more effective to provide a field effect transistor whose amplification degree is liable to change depending on the temperature in the same housing, or close to or bonded to each other.
実施の形態1.
図2は、この発明の実施の形態1のビーム位置測定システムのヘッドアンプ18の構成を示すものであり、上記従来例の図12との同一部分には同一符号が付与されている。図において、2aは静電型ビーム位置モニタ1の右側電極2の電極板とアース板とで構成される静電容量、3aは同じく左側電極3の電極板とアース板とで構成される静電容量、14aは右側電極2の出力信号を増幅する増幅回路18aの入力抵抗、14bは左側電極3の出力信号を増幅する増幅回路18bの入力抵抗、15aと15bとは入力抵抗14aと14bの後段に設けられる電界効果トランジスタ、19aと19bとは電界効果トランジスタ15aと15bの後段に接続される電圧制御アンプ、20aと20bとは電圧制御アンプ19aと19bの後段に設けられるバッファアンプである。
FIG. 2 shows the configuration of the
また、21は増幅回路18aの電圧制御アンプ19aが出力するRF信号電圧と増幅回路18bの電圧制御アンプ19bが出力するRF信号電圧とを加算する加算器、22は加算されたRF信号電圧を検波する検波器、23は検波されたRF信号電圧を平滑するフィルタで、検波器22とフィルタ23とで加算されたRF信号電圧が直流化される。24はレファレンス電圧を出力するレファレンス電源、25はフィルタ23が出力する電圧からレファレンス電圧を減算する減算器であり、減算器25の出力は制御電圧として増幅回路18aの電圧制御アンプ19aと増幅回路18bの電圧制御アンプ19bの各制御電圧入力端子(VGC端子)にフィードバックされる。
An adder 21 adds the RF signal voltage output from the voltage control amplifier 19a of the amplifier circuit 18a to the RF signal voltage output from the
このように構成されたこの発明の実施の形態1のビーム位置測定システムのヘッドアンプにおいて、右側電極2の出力信号と左側電極3の出力信号とはRF信号であり、このRF信号はそれぞれ増幅回路18aの電界効果トランジスタ15aと増幅回路18bの電界効果トランジスタ15bとに入力され、低インピーダンスに変換されて増幅回路18aの電圧制御アンプ19aと増幅回路18bの電圧制御アンプ19bとに入力される。電圧制御アンプ19aが出力するRF信号電圧と電圧制御アンプ19bが出力するRF信号電圧とは加算器21にて加算され、加算されたRF信号電圧は検波器22とフィルタ23とにより、加算されたRF信号電圧の振幅に比例した直流電圧に変換され、この直流電圧とレファレンス電源24のレファレンス電圧とが減算器25により減算されて差電圧が各電圧制御アンプ19aと19bの制御電圧入力端子に制御電圧としてフィードバック(負帰還)される。
In the thus configured head amplifier of the beam position measuring system according to the first embodiment of the present invention, the output signal of the
このフィードバックループはオートゲインコントロール(以下AGCと称す)として機能するものであり、減算器25が出力する差電圧、すなわち、制御電圧により各電圧制御アンプ19aと19bとの増幅率が制御される。この制御電圧は加算されたRF信号電圧が大きいほど大となり、各電圧制御アンプ19aと19bの増幅率を低下させるため、各電圧制御アンプ19aと19bが出力するRF信号電圧は所定の値に収斂することになる。このために制御電圧も所定値に収斂することになり、フィルタ23の電圧とレファレンス電圧とが等しくなるときに平衡状態になる。そして、電圧制御アンプ19aの出力するRF信号電圧と19bの出力するRF信号電圧とはバッファアンプ20aと20bとを介して図1に示した切換器5aと5bとに出力される。
This feedback loop functions as an automatic gain control (hereinafter referred to as AGC), and the difference between the voltages output by the
このように、この発明の実施の形態1のビーム位置測定システムによれば、各電圧制御アンプ19aと19bの増幅率がAGCの機能により自動制御されるので、従来例のように静電型ビーム位置モニタ1からの入力電圧の条件によってオペレータが操作を行う必要がなく、アッテネータやその制御の機能が不要になるため、操作が容易で安価なビーム位置測定システムを得ることができるものである。また、各電圧制御アンプ19aと19bの制御電圧入力端子に加えられる制御電圧は同一値であるので、各電圧制御アンプ19aと19bの増幅率は同一となり、ビーム位置を演算する式
ΔR=(VR−VL)/(VR+VL)
の条件は満足されると共に、高精度のビーム位置測定が可能になるものである。
As described above, according to the beam position measuring system of the first embodiment of the present invention, the amplification factors of the
ΔR = (VR−VL) / (VR + VL)
Is satisfied, and the beam position can be measured with high accuracy.
実施の形態2.
図3は、この発明の実施の形態2のビーム位置測定システムのヘッドアンプの構成を示すもので、この実施の形態は、実施の形態1のヘッドアンプの構成に対してフィードバックループの構成を変更したものである。図において、22aは電圧制御アンプ19aが出力するRF信号電圧を検波する検波器、22bは電圧制御アンプ19bが出力するRF信号電圧を検波する検波器、21は検波器22aと22bとにより検波され直流化された両信号電圧を加算する加算器、23は加算された両信号電圧を平滑するフィルタ、25はフィルタ23の出力する加算された直流電圧とレファレンス電源24からのレファレンス電圧とを減算する減算器であり、減算器25により減算された差電圧が電圧制御アンプ19aと電圧制御アンプ19bの制御電圧入力端子に制御電圧としてフィードバックされるように構成されている。
FIG. 3 shows a configuration of a head amplifier of a beam position measuring system according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the configuration of the feedback loop is changed from the configuration of the head amplifier of the first embodiment. It was done. In the figure, 22a is a detector for detecting the RF signal voltage output from the voltage control amplifier 19a, 22b is a detector for detecting the RF signal voltage output from the
このように構成されたこの発明の実施の形態2のビーム位置測定システムのヘッドアンプにおいて、検波器22aは電圧制御アンプ19aが出力するRF信号電圧を検波して右側電極2のRF信号電圧の振幅に比例した直流電圧を出力し、検波器22bは電圧制御アンプ19bが出力するRF信号電圧を検波して左側電極3のRF信号電圧の振幅に比例した直流電圧を出力し、この両直流電圧が加算器21により加算される。静電型ビーム位置モニタ1からヘッドアンプ18に入力されるRF信号電圧は、例えば右側電極2から増幅回路18aまでのケーブル長さと、左側電極3から増幅回路18bまでのケーブル長さとに差がある場合、電圧制御アンプ19aと19bとから出力されるRF信号電圧には微妙な位相差が生じ、これらの信号電圧を加算した場合には、加算値が両信号電圧の振幅の加算値とは若干異なるものになってしまう。この実施の形態では以上のように、両RF信号電圧が検波されて直流電圧化された後に加算するようにしたため、両RF信号電圧に位相差があってもこれに影響されることがなく、正確な両信号電圧の振幅の加算値が得られ、ビーム位置の測定精度を高めることができると共に、実施の形態1と同様な効果を得ることができるものである。
In the thus configured head amplifier of the beam position measuring system according to the second embodiment of the present invention, the detector 22a detects the RF signal voltage output from the voltage control amplifier 19a and detects the amplitude of the RF signal voltage of the
実施の形態3.
図4は、この発明の実施の形態3のビーム位置測定システムの動作を説明する特性図であり、この実施の形態は、実施の形態1および2のAGCの応答性を規定するものである。図の特性26は増幅回路18aあるいは18bに入力されるRF信号電圧の振幅がステップ状に増大すると仮定したときの関数を示す特性であり、特性27は増幅回路18aあるいは18bに特性26を持つRF信号電圧が入力された場合の制御電圧の応答性τagcを示すものである。特性28は荷電粒子ビームが加速装置であるシンクロトロンに入射された直後の荷電粒子ビーム電流の波形を示し、特性29はシンクロトロンのRF加速電界により荷電粒子がバンチングされ、バンチングが完了した時点での荷電粒子ビーム電流の波形を示すものである。特性30は荷電粒子ビームがシンクロトロンに入射されてからバンチングが完了するまでの間に増幅回路18aあるいは18bに入力されるRF信号電圧の振幅の時間に対する関数を示し、特性31は特性30に示したRF信号電圧が増幅回路18aあるいは18bに入力された場合の電圧制御アンプ19aと19bの制御電圧の応答の状態を示すものである。
FIG. 4 is a characteristic diagram for explaining the operation of the beam position measuring system according to the third embodiment of the present invention. This embodiment defines the responsiveness of the AGC of the first and second embodiments. The characteristic 26 shown in the figure is a characteristic showing a function when it is assumed that the amplitude of the RF signal voltage input to the amplifier circuit 18a or 18b increases in a step-like manner. It shows the response τagc of the control voltage when a signal voltage is input. A characteristic 28 indicates a waveform of the charged particle beam current immediately after the charged particle beam is incident on the synchrotron as an accelerator, and a characteristic 29 indicates a state where the charged particles are bunched by the RF accelerating electric field of the synchrotron and the bunching is completed. 3 shows a waveform of the charged particle beam current. A characteristic 30 indicates a function of the amplitude of the RF signal voltage input to the amplifier circuit 18a or 18b from the time when the charged particle beam enters the synchrotron to the time when the bunching is completed. This shows the response state of the control voltage of the
制御電圧の応答性τagcは、増幅回路18aあるいは18bに振幅がステップ状に増大する電圧が入力されたときの電圧制御アンプ19aと19bの制御電圧の立ち下がり時間である。荷電粒子ビームがシンクロトロンに入射されてからバンチングが完了するまでの時間を特性30に示したτbunchとすると、τagcがτbunchより長い場合には増幅回路18aあるいは18bに入力されるRF信号電圧の振幅の増大にAGCの動作が追従できず、一時的に電圧制御アンプ19aと19bの増幅率が大きくなりすぎて電圧制御アンプ19aと19b、および、バッファアンプ20aと20bとが飽和してしまうことになる。一度飽和状態となればAGCが平衡状態となっても電圧制御アンプ19aと19b、および、バッファアンプ20aと20bの回復には時間がかかり、出力信号は不安定となってしまう。
The response τagc of the control voltage is the fall time of the control voltage of the
この実施の形態はこのような状態を避けるために、τagcをτbunchより短くするか、または、同等に設定するようにしたものである。このように設定することにより、荷電粒子がシンクロトロンに入射されてからバンチングが完了するまでの間の、ヘッドアンプに入力されるRF信号電圧の振幅の増大にAGCが追従することができ、電圧制御アンプ19aと19b、および、バッファアンプ20aと20bの飽和を回避することができるので、これらのアンプ類の寿命を延長することができ、アンプ類の飽和からの回復を待つことなくビーム位置の測定ができるもので、測定時間の短縮が可能なビーム位置測定システムを得ることができるものである。
In this embodiment, in order to avoid such a state, τagc is set to be shorter than τbunch, or set to be equal. With this setting, the AGC can follow the increase in the amplitude of the RF signal voltage input to the head amplifier between the time when the charged particles are incident on the synchrotron and the time when the bunching is completed. Since the saturation of the
図5は、この発明のビーム位置測定システムに使用される静電型ビーム位置モニタの構成の一例を示す上面断面図と側面断面図であり、図中、上記従来例の図11と同一部分には同一符号が付与されている。図において、2は右側電極、3は左側電極であり、各電極2および3は図の側面断面図に示すように電極板7とアース板8とから構成され、真空容器9内にアース板8を支えるサポート10と電極板7を支える絶縁サポート11とを介してボルト32により組み付けられている。33は可変容量コンデンサであり、セラミックなどにより封止された真空導入端子34を通じて電極板7と真空容器9(アース板8と同電位)との間に接続され、真空容器9の外部に設けられている。電極板7とアース板8との間に発生する電圧は、右側電極2用の信号端子12と左側電極3用の信号端子13とを介して外部の信号処理系であるヘッドアンプ18に出力される。
FIG. 5 is a top sectional view and a side sectional view showing an example of the configuration of an electrostatic beam position monitor used in the beam position measuring system of the present invention. Are given the same reference numerals. In the figure, 2 is a right electrode, 3 is a left electrode, and each of the
このように構成された静電型ビーム位置モニタにおいて、荷電粒子ビームが真空容器9の右側電極2と左側電極3との間を通過すると、各電極2および3の電極板7には荷電粒子とは反対極性の電荷が蓄積され、また、アース板8には電極板7とは逆極性の電荷が蓄積される。右側電極2と左側電極3とでは荷電粒子ビームの位置により蓄積される電荷量が変わり、右側電極2に蓄積される電荷量をQR、左側電極3に蓄積される電荷量をQLとし、右側電極2の静電容量をCR、左側電極3の静電容量をCLとすると、右側電極2用の信号端子12と左側電3用の信号端子13とには、この電荷量をそれぞれの静電容量で除した値の電圧、すなわち、右側電極2用の信号端子12には、VR=QR/CRが、左側電極3用の信号端子13には、VL=QL/CLが出力されて各増幅回路18aと18bとに供給され、前記の式
ΔR=(VR−VL)/(VR+VL)
によりビーム位置が測定される。
In the thus-configured electrostatic beam position monitor, when the charged particle beam passes between the
ΔR = (VR−VL) / (VR + VL)
Measure the beam position.
このようにビーム位置を測定する場合、それぞれの電極2および3の静電容量CRとCLとは値を一致させておく必要があるが、輸送中の振動や径年変化によるボルト32の緩みなどにより、電極板7とアース板8との間隔が変化すれば、静電容量の値も変化してビーム位置の測定に誤差を生ずることになる。図5に示す静電型ビーム位置モニタでは上記のように、電極板7に真空導入端子34を通じて真空容器9の外部に可変容量コンデンサ33を接続したので、真空導入端子34にて静電容量の値をモニタしながら真空容器9の外部から可変容量コンデンサ33を操作して各電極の静電容量を微調整することができ、従来例のような分解による調整が不要となり、煩雑な作業と、水分や異物の付着による真空特性の劣化とを回避することが可能になるものである。
When measuring the beam position in this way, it is necessary to make the values of the capacitances CR and CL of the
図6は、この発明のビーム位置測定システムに使用される静電型ビーム位置モニタの構成の一例を示す上面断面図と側面断面図である。図において、2は右側電極、3は左側電極であり、各電極2および3は図の側面断面図に示すように電極板7とアース板8とから構成され、アース板8はサポート10を介して真空容器9内に組み付けられ、電極板7は絶縁スペーサ35と固定用ナット36とにより直線導入機37の先端に取り付けられている。直線導入機37は真空容器9内の真空を保持した状態で真空容器9内の電極板7を外部より手動ないしは電動により直線的に移動できるように構成されている。
FIG. 6 is a top sectional view and a side sectional view showing an example of the configuration of an electrostatic beam position monitor used in the beam position measuring system of the present invention. In the drawing, 2 is a right electrode, 3 is a left electrode, and each of the
以上のように構成されたビーム位置測定システムに使用される静電型ビーム位置モニタにおいても、図5の場合と同様に、真空容器9を分解することなく各電極2および3の静電容量の調整ができるものであり、調整は信号端子12と13とにより静電容量をモニタしながら直線導入機37を操作し、電極板7を移動させてアース板8との間隔を調整することにより達成でき、図5と同様の効果を得ることができるものである。なおこの例では電極板7を移動させたが、アース板8を移動させても同様の効果が得られるものである。
Also in the electrostatic beam position monitor used in the beam position measuring system configured as described above, the capacitance of each
図7は、この発明のビーム位置測定システムに使用される静電型ビーム位置モニタの構成の一例を示す上面断面図と正面断面図、図8はその動作を説明する特性図である。
図において、9は真空容器、38は真空容器9内に、荷電粒子ビームの軌道に対して移動可能に保持される方形管、39は方形管38を荷電粒子ビームの軌道に対して移動させる駆動装置、40は駆動装置39と方形管38とをつなぐ連結桿、41は荷電粒子ビームの断面、42は荷電粒子ビームの中心であり、方形管38の内部には電極板7とアース板8とが絶縁サポート11とサポート10とを介して取り付けられ、右側電極2と左側電極3とを形成している。
FIG. 7 is a top sectional view and a front sectional view showing an example of the configuration of an electrostatic beam position monitor used in the beam position measuring system of the present invention, and FIG. 8 is a characteristic diagram for explaining the operation.
In the figure, 9 is a vacuum vessel, 38 is a square tube movably held in the
このように構成された静電型ビーム位置モニタにより荷電粒子ビームの位置を測定するとき、荷電粒子ビームの中心位置42が時間的に変化しないものとすると、駆動装置39により方形管38を荷電粒子ビームの軌道に対して移動させることにより、右側電極2と左側電極3とが相対位置を保ったまま移動するので、前に示した式、ΔR=(VR−VL)/(VR+VL)のΔRが変化することになる。このΔRと方形管38の位置、従って、電極2および3の位置との関係を示したのが図8の白点の特性である。この特性を直線とみなし、傾斜を感度係数とし、異なる荷電粒子ビームサイズ41で同様の測定をすれば、例えば図8の黒点の特性が得られる。この両感度係数の差は荷電粒子ビームサイズ41の差で生じるものであるが、この例のビーム位置モニタでは、このようにしてビームサイズ41により感度係数が変わっても、感度係数を容易に測定することができるので、測定対象の荷電粒子ビームの感度係数を測定することにより、従来装置のようにビームサイズを予め求めておくことなく、簡単にビームの中心位置の測定を行うことができるものである。
When the position of the charged particle beam is measured by the electrostatic beam position monitor configured as described above, assuming that the center position 42 of the charged particle beam does not change with time, the
図9は、この発明のビーム位置測定システムに使用される静電型ビーム位置モニタの構成の一例を示す上面断面図と正面断面図であり、この例は、1台のビーム位置モニタにより荷電粒子ビームの傾きの測定を可能にするものである。図において、9は真空容器、38は真空容器9内に荷電粒子ビームの軌道に対して左右に移動可能に保持される方形管、43は方形管38の荷電粒子ビームの軌道に対する傾きを調整する駆動装置、40は駆動装置43と方形管38とをつなぐ連結桿、41は荷電粒子ビームの断面、42は荷電粒子ビームの中心、44はビーム位置モニタの中心線であり、方形管38の内部には電極板7aとアース板8aとが絶縁サポート11とサポート10とを介して取り付けられ、右側電極2bと左側電極3bとを形成している。この例の電極2bおよび3bは上述した各例とは異なり、各電極の電極板7a間に形成される隙間がビーム位置モニタの中心線44とは平行に設けられている。
FIG. 9 is a top sectional view and a front sectional view showing an example of the configuration of an electrostatic beam position monitor used in the beam position measuring system of the present invention. In this example, charged particles are measured by one beam position monitor. This enables the measurement of the tilt of the beam. In the figure, 9 is a vacuum vessel, 38 is a rectangular tube held in the
このように構成された静電型ビーム位置モニタにより荷電粒子ビームの傾きを測定するとき、荷電粒子ビームの中心位置42と軌道の傾きとが時間的に変化しないものとすると、駆動装置43によりビーム位置モニタの中心線44の荷電粒子ビームの軌道に対する傾きを変えて図7で説明した感度係数を測定し、感度係数が最大になる傾き角を計測する。ビーム位置モニタの中心線44の傾きと荷電粒子ビームの軌道の傾きとが一致した場合にこの感度係数が最大となるため、このときのビーム位置モニタの中心線44の傾きθを求めることにより、従来装置のように複数のビーム位置モニタを使用することなく、1台の静電型ビーム位置モニタによりビームの傾きの計測が可能になるものである。 When the inclination of the charged particle beam is measured by the electrostatic beam position monitor configured as described above, it is assumed that the center position 42 of the charged particle beam and the inclination of the trajectory do not change with time. By changing the inclination of the center line 44 of the position monitor with respect to the trajectory of the charged particle beam, the sensitivity coefficient described with reference to FIG. 7 is measured, and the inclination angle at which the sensitivity coefficient becomes maximum is measured. When the inclination of the center line 44 of the beam position monitor and the inclination of the trajectory of the charged particle beam coincide with each other, the sensitivity coefficient becomes maximum. By calculating the inclination θ of the center line 44 of the beam position monitor at this time, It is possible to measure the tilt of a beam with one electrostatic beam position monitor without using a plurality of beam position monitors as in the conventional apparatus.
1 静電型ビーム位置モニタ、 2 右側電極、 3 左側電極、
2a、3a 静電容量、 5a、5b 切換器、 6 ビーム位置信号処理回路、
7 電極板、 8 アース板、 9 真空容器、 10 サポート、
11 絶縁サポート、 12、13 信号端子、 14a、14b 入力抵抗、
15a、15b 電界効果トランジスタ、 18 ヘッドアンプ、
18a、18b 増幅回路、 19a、19b 電圧制御アンプ、
20a、20b バッファアンプ、 21 加算機、 22a、22b 検波器、
23 フィルタ、 24 レファレンス電源、 25 減算器、
33 可変容量コンデンサ、 34 真空導入端子、 35 絶縁スペーサ、
37 直線導入機、 38 方形管、 39 駆動装置、 40 連結桿、
41 荷電粒子ビームの断面、 42 荷電粒子ビームの中心、 43 駆動装置、
44 ビーム位置モニタの中心線。
1 Electrostatic beam position monitor, 2 Right electrode, 3 Left electrode,
2a, 3a capacitance, 5a, 5b switch, 6 beam position signal processing circuit,
7 electrode plate, 8 ground plate, 9 vacuum vessel, 10 support,
11 Insulation support, 12, 13 signal terminal, 14a, 14b input resistance,
15a, 15b field-effect transistor, 18 head amplifier,
18a, 18b amplifier circuit, 19a, 19b voltage control amplifier,
20a, 20b buffer amplifier, 21 adder, 22a, 22b detector,
23 filters, 24 reference power supplies, 25 subtractors,
33 variable capacitance capacitor, 34 vacuum introduction terminal, 35 insulating spacer,
37 linear introducer, 38 square tube, 39 drive, 40 connecting rod,
41 cross section of charged particle beam, 42 center of charged particle beam, 43 driving device,
44 Beam position monitor centerline.
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- 2004-07-14 JP JP2004206807A patent/JP3819402B2/en not_active Expired - Lifetime
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