JP2004295064A - 二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子の製造方法を提供する。
【解決手段】その目的を達成するため、本発明は、非線形結晶に第1金属電極パターンを形成し、前記サンプルに対してキュリー温度より低い温度で熱処理をし、熱処理雰囲気下で1回目の浅い層領域反転を形成して、非線形結晶に第2金属電極パターンを形成し、当該結晶にその保磁力場より高い電圧を印加して、上記電界において2回目の深い層領域反転を完成して、これにより、電界で強誘電体結晶に対して領域反転(domain inversion)を駆動する時、反転領域においての核生成種の発生と、縦方向への移動を制御することができるとともに、時間領域においての一括生成する多周波レーザーと空間フィルタリング機能のある二次元非線形光子結晶を有し、これにより、空間電荷シールド電極パターンの下に位置するエッジ電界より、また、酸化層電極で領域反転の核生成種の密度を制御することにより、任意な幾何学の形状を有する二次元強誘電体格子構造、を製造する。
【選択図】 図3
【解決手段】その目的を達成するため、本発明は、非線形結晶に第1金属電極パターンを形成し、前記サンプルに対してキュリー温度より低い温度で熱処理をし、熱処理雰囲気下で1回目の浅い層領域反転を形成して、非線形結晶に第2金属電極パターンを形成し、当該結晶にその保磁力場より高い電圧を印加して、上記電界において2回目の深い層領域反転を完成して、これにより、電界で強誘電体結晶に対して領域反転(domain inversion)を駆動する時、反転領域においての核生成種の発生と、縦方向への移動を制御することができるとともに、時間領域においての一括生成する多周波レーザーと空間フィルタリング機能のある二次元非線形光子結晶を有し、これにより、空間電荷シールド電極パターンの下に位置するエッジ電界より、また、酸化層電極で領域反転の核生成種の密度を制御することにより、任意な幾何学の形状を有する二次元強誘電体格子構造、を製造する。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子の製造方法に関し、とくに、電界により強誘電体結晶に領域反転(domain inversion)を駆動させる時、反転領域においての核生成種の発生と、縦方向への移動を制御することができるとともに、時間領域においての一括生成する多周波レーザーと空間フィルタリング機能のある二次元非線形光子結晶を有し、これにより、空間電荷シールド電極パターンの下に位置するエッジ電界より、また、酸化層電極で領域反転の核生成種の密度を制御することにより、任意な幾何学の形状を有する二次元強誘電体格子構造、を製造するものに関する。
【0002】
【従来の技術】
強誘電体結晶の物理的特性は、結晶特性方向に自発分極(spontaneous polarization,Ps)であり、分極を有する領域がdomainと称する。この分極の方向性は、結晶より高い保磁力場(coercivefield,Ec)を印加する作用で、180°を回転し、この物理的なプロセスは、領域反転(domain inversion)とも称される。強誘電体結晶は、分極反転の特性を有し、大幅に高密度の不揮発性メモリ素子を製造することに適用され、例えばS.Essaian”Nonvolatile memory based on metal−ferroelectric−metal−insulator semiconductor structure” USpatent 5899977(1997)、やO.Auciello et al.“The physics of ferroelectric memories”(Physics Today,pp.22−27,July,1998)に記載される提案である。
【0003】
また、強誘電体非線形光学結晶が、分極によって180°を回転される時、光学非線形係数等の奇数段物理テンソルの正負変換が発生する。これにより、N.Bloembergenは、アメリカ特許3384433(1968)及び“Interactions between light waves in anonlinear dielectric,”Phys.Rev.vol.127,pp.1918−1939(1962)に、周期性領域反転構造(periodically poled structure)によって提供される波前ベクトルK=2π/Λで、屈折係数の分散効果により、非線形結晶において、周波数変換する時に起こる位相差(k2ω−2kω≠0)を補正し、そして、それで、仮周期位相マッチング(Quasi−Phase−Matching,QPM)を構築する。それと対応する物理的構造パターンは、図1のようで、k2ω−2kω−K=0を満足し、また、それぞれの領域反転の長さは、Λ=2lcで、式lc=λ/4(n2ω−nω)によって決められる。
【0004】
上記の概念により、日本のSony会社のM.Yamada et al.は、1993年において、短いパルス電圧で、ニオブ酸リチウム結晶中で周期性領域反転のQPM構造を作製して、第二高調波(second harmonicgeneration,SHG)レーザーを生成することを “Methodof controlling the domain of a nonlinear ferroelectric optics substrate,”US patent 5193023(1993)や、”The first−order quasi−phase−matched LiNbO3 waveguide periodically poled by applying an external field for efficient blue second−harmonic generation,”Appl.Phys.Lett.Vol.62,pp.435.436(1993)に提案した。この技術により、Matsushita会社も、2000年において、微小化(5×12×1.5mm3)したQPM−SHGの第二高調波レーザー技術を、Y.Kitaoka et al.により、”Miniaturized blue laser using second harmonic generation,”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.39,pp.3416−3418(2000)に提案し、20mWの赤外光半導体レーザーでトリガーする時、第二高調波レーザー変換パワーが2mWである。
【0005】
QPM−領域反転構造の作製及び適用上に、面する技術問題は、次のように整理できる:
【0006】
(1)domain merge領域合併現象により、小周期領域反転構造の作製が困難である(Λ<10μm)。
【0007】
(2)ベースバンドと周波数変換ビームとは、伝播ルートにおいて、互いに平行かつ分極方向が同じである明視野であり、フィルターにより分離しなければならない。
【0008】
問題(1)の原因としては、高い電界で周期性領域反転をする時、誘電率が連続しないため、電極パターンの下に発生するエッジ電界(fringing field)効果である。従来の技術を例として、図2(a)のように、z方向に分極反転電圧を印加する時、絶縁フォトレジスト層を増設することは、電界をフォトレジスト以外の電極パターン区間に制限するためで、また、これにより、領域反転の発生範囲を制御する。要するに、領域反転が発生する時、外部回路から2AdPs/dtの分極反転電流を提供することにより、面積Aである強誘電結晶に十分に電荷注入して、分極の空間回転を満足させる。しかし、静電気解析の結果によれば、図2(b)のように、従来の技術により、z方向に反転電圧を印加する時、フォトレジストによって覆われる結晶区間には、内側へ向かう異方性水平電界分布が発生する。この水平電界値は、4Ecまでにもなり、水平方向の電流が、フォトレジストによって覆われる結晶区間に流されて、当該区間には、必要としない領域反転が発生する。それで、水平方向においてのエッジ電界効果は、反転領域を、必要とする電極パターンの中に制限することができず、領域反転パターンのひずみを来たし、また、形成した格子構造を仮位相マッチング(QPM)条件からはずれ、非線形光学変換效率を降下する。
【0009】
また、問題(2)の原因としては、仮位相マッチング(QPM)条件が、周波数変換の作用波を同方向入射(collinear incidence)に対して定義するため、図1のように、周期性領域反転構造が提供した波前ベクトルは、この作用波と平行になり、ベースバンド波や変換波及び領域反転構造の波前ベクトルは、三者ともに相互に平行であり、空間区隔ができない。従って、傳統のQPM素子には、フィルターを後付けしなければ、ベースバンド波と変換波とを有効に分離できず、使用上に、非常に不便である。
【0010】
また、従来の方式は、次の問題が残されている:
【0011】
(1)、絶縁層で覆って、領域反転側の紛失を低下させる技術領域反転する時、強誘電体非線形結晶によるエッジ電界効果の抑制に関しては、従来の技術は、図3のように、周期性金属電極に覆われるサンプルの表面に、絶縁層を形成する。適用する絶縁層は、SiO2であり、例え、K.Mizuuchi et al.“Generation of ultraviolet light byfrequency doubling of a red laser diode in a first−order periodically poled bulk LiTaO3,”Appl.Phys.Lett.Vol.70,pp.1201−1203(1997)],Ta2O5,WO3,HfO3,やM.C.Gupta et al,“Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field,”US patent 5756263(1998),やspin−on−glass G.D.Miller et al.,“42%−efficient single−pass cw second−harmonic generation in periodically poled LiNbO3,”Opt.Lett.Vol.22,PP.1834−1836(1997)]などのようである。
【0012】
問題は次ぎの様である:
1.上記の[Ref.8Appl.Phys.Lett.Vol.70,pp.1201−1203(1997)]の研究から、周期性金属電極上にSiO2があっても、金属電極と絶縁層との間には、依然として、エッジ電界効果が存在することが分かり、それによって起こられる領域反転側の拡散の広がり(spreading,Wmin)と基板厚さ(T)との関係が、Wmin=0.0027T−0.21(μm)とする経験式により表せる。
【0013】
式Wmin=0.0027T−0.21(μm)から分かるように、作製可能の最小周期の精確度は、基板の厚さによって決定される。例えば、一般に、500μm厚さのタンタル酸リチウム基板上に、上記技術で得られた反転領域の拡張電極で定義したパターンの最小誤差量は、1.14μmである。タンタル酸リチウムが850nmでのQPM−SHGオクターブ変換を例として、領域反転長さlc=1.9μmである。それで、基板を薄く磨かなければ、QPM周期の誤差量を許容範囲に縮小できない。
【0014】
絶縁層で覆って、強誘電体非線形結晶の基板を薄く磨くものを提案した文献は、次のようである:
【0015】
(a)Matsushita Electric Industrial Co.は[Ref.8 Appl.Phys.Lett.Vol.70,pp.1201−1203(1997)]に、LiTaO3基板を150μmまで薄く磨いて、領域反転周期が1.7μmであるQPM構造を作製するのを提案した。
【0016】
(b)Sony Corp.は、T.Yamaguchi et al.により、“Method of local domain control on nonlinear optical materials,”US patent 5526173(1996)に、LiNbO3の基板を100μmまで薄く磨くのを提案した。
【0017】
ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムの硬度係数がグレード5以上であるため、基板を薄く磨く(lapping & polishing)ことは、時間や工程がかかるだけでなく、研磨過程において印加した応力による圧電効果により、研磨中の強誘電体結晶に不規則の表面領域反転が発生して、電圧で領域反転する時の周期が大きくなることと歩留りを制御する問題は、解決しなければならない。
【0018】
(2)、拡散(diffusion)技術で、領域反転を制御することと問題:
【0019】
化学的或いは高温処理で、結晶内部のリチウムイオン拡散をトリガーし、強誘電体光学非線形結晶の構造特性を変化して、局部領域反転を起こさせる。従来の技術には、(a)チタン拡散、(b)プロトン交換、(c)高温でトリガーするリチウムの外拡散、及び(d)酸化物コーティングでトリガーする外拡散がある。(a)、(d)技術により、電極パターンの下で浅い層領域反転をトリガーするが、(b)技術により、金属マスク以外の領域で、浅い層領域反転をトリガーする。拡散技術は、大きい面積の領域反転を適用する。しかし、拡散条件が、温度や時間の指数との関係は、飽和にあるため、この方法は、浅い層領域の作製にしか適用できないし、領域反転の境界が垂直でないことと、拡散が結晶構造及び物理的特性を変化することをトリガーすることとの問題があり、詳しくはつぎのようである。
【0020】
(a).チタン拡散技術(Ti−diffusion)
[Ref.12]S.Miyazawa,“Ferroelectric domain inversion in Ti−diffused LiNbO3 optical waveguide,”J.Appl.Phys.Vol.50,4599−4603(1979)
【0021】
(b).プロトン交換技術(proton exchange)
[Ref.13]M.L.Bortz et al.“Noncritical quasi−phase−matched second harmonic generation in an annealed proton−exchange LiNbO3 waveguide,”IEEE Quantum Electron.Vol.30,pp.2953−2960(1994)
[Ref.14]K.Nakamura et al.,“Antipolarity domain nucleation and growth during heat treatment of proton−exchanged LiTaO3,”J.Appl.Phys.Vol.73,p.1390(1993)
【0022】
(c).高温でトリガーするLi外拡散技術
[Ref.14]K.Nakamura et al.,“Ferroelectric domain inversioncaused in LiNbO3 plates by heat treatment,”Appl.Phys.Lett.Vol.50,pp.1413−1414(1987).
【0023】
(d).酸化物コーティングで加熱技術
SiO2コーティングで、例えば、M.Fujimura et al.,“Ferroelectric domain inversion induced by SiO2 cladding for LiNbO3 waveguide,”Elec.Lett.Vol.27,pp.1207−1209(1991).
【0024】
MgOコーティングで、例えば、C.−S.Lau et al.,“Fabrication of MgO induced lithium out−diffusion waveguides,“IEEE Photon.Technol.Lett.Vol.4,pp.872−875(1992).
【0025】
次の問題がある:
1.拡散法では、浅い層領域反転しかできず、反転される周期性領域境界の形状としては、ニオブ酸リチウムが三角形であり、タンタル酸リチウムが半円形であり、図1のような理想的な垂直境界が形成できないから、ビームの非線形変換敦率に悪影響を与える。周期性領域反転構造の境界形状と変換效率に対する影響の解析に関しては、例えば、K.Yamamoto et al.より“Characteristics of periodically domain−inverted LiNbO3 and LiTaO3 waveguidesfor second harmonic generation,”J.Appl.Phys.Vol.70,pp.1947−1951(1991)に提案したものがある。
【0026】
2.プロトン交換法では、結晶の成分と構造との変化が起こり、LixH1−xNbO3を生成するだけでなく、同時に、非線形光学変換係数を低下させる。また、アニールを行わなければ上記の破壊程度を低減できないが、非線形係数の回復が限られていて、詳しくは、Y.N.Korkishko et al.により、“The SHG−response of different phase in proton−exchanged lithium niobate waveguide,”IEEE J.Selected TopicsinQuantum Electron.Vol.6,pp.132−142(2000).に記載するもののようである。
【0027】
(3).保磁力場低下法:
エッジ電界の抑制效果を求めるために、もう一つの方法は、ブローク状結晶の保磁力場を低下するのである。この方法は、基本的に、結晶内の欠陥密度を低減するので、結晶の既存の光学非線形特性と変換效率を変化しない。現在において、従来の技術には、(a)等化学量成長結晶法stoichiometric−grown crystalsと(b)ドーピド一致成長結晶法doped congruent−grown crystalsの2種類がある。
【0028】
(a).Stoichiometric nonlinear crystals
この方法で成長したLi2O/(Nb2O5+Li2O)或いはLi2O/(Ta2O5+Li2O)は、成分が約0.49〜0.5の計量比結晶であり、大幅に保磁力場値を2kV/mmまでに低減でき、それが、一致成長(congruent−grown)結晶の1/10である。現在、この技術の特許権がV.Gopalan et al.,“Lithium niobate single crystal and photo−functional device,”US Patent 6195196(2001)、V.Gopalan et al.,“Lithium tantalate single crystal and photo−functional device,”US Patent 6211999(2001)に属するため、基板の提供元が限られている。
【0029】
(b).MgO or ZnO doping in congruent−grown crystals
この方法では、原子結合とニオブ酸リチウム或いはタンタル酸リチウムとを利用して相当な不純物を結合し、例えば、酸化マグネシウム(MgO)(A.Harada,“(Fabrication of ferroelectric domain reversal,”US patent5568308(1996)を例として)、や酸化亜鉛(ZnO)(L,−H.Peng et al.,“Method for bulk periodic poling of congruent grown ferroelectric nonlinear optical crystals by low electric field,”US patent 6295159(2001)を例として)をドープするものには、ドープした一致成長(congruent−grown)の結晶がニオブ酸リチウム、e.g.Li2O/(Nb2O5+Li2O)=0.485で、その中の不純物濃度を3〜9mol%濃度範囲に制御して、格子欠陥密度を低減する。この方法では、有効に保磁力場を元値の1/10間で低減する事だけでなく、結晶の抗光屈変と抗光破壊性も向上する。
【0030】
ドーピング法により一致成長結晶の保磁力場を向上する時、ドーピング濃度を慎重に制御しなければならないので、ドーピング濃度が上記範囲より高い場合、成長結晶の品質低下をトリガーするが、ドーピング濃度が低すぎると、格子欠陥を解消できない。
【0031】
(4).パルス波形制御法:
もう一つの、領域反転側紛失を制御する方法は、駆動電圧波形の正負極性と時間差を調整することにより、反転領域の移動を制御し、例えば、K.Mizuuchi et al.,“Method for manufacturingdomain−inverted region,optical wavelength conversion device utilizing such domain−inverted region and method for fabricating such device,”US patent 5652674(1997)及びR.G.Batchko et al.“Back−switching poling in lithium niobate for high.fidelity domain patterning and efficient blue light generation,”Applied Physics Letters,Vol.75,pp.1673−1775(1999)の記載するもののようである。この方法では、適当に液体電極を利用して、材料の絶縁破壊を防止し、例えば、R.L.Byer et al.,“Electrical field domain patterning,”US patent 5,800,767(1998);6,156,255(2000)の記載するもののようである。
【0032】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主な目的は、電界により強誘電体結晶を駆動して領域反転(domain inversion)を達成する時、反転領域の核生成種の発生を制御し、縦方向の移動を制御して、また、時間領域において多周波レーザーを同時生成して、空間フィルタリング機能を有する二次元非線形光子結晶である。
【0033】
本発明の他の目的は、空間電荷を利用して電極パターンの下にあるエッジ電界をシールドする。
【0034】
本発明の更に他の目的は、酸化層電極で領域反転の核生成種密度を制御して、任意の幾何学の形状を有する二次元強誘電体格子構造を製造する。
【0035】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子を製造方法であって、
非線形結晶に第1金属電極パターンを形成し、
上記サンプルに対して、キュリー温度の雰囲気下で熱処理し、
上記熱処理の雰囲気下で、1回目の浅い層領域反転を形成し、
非線形結晶に第2金属電極パターンを形成し、
上記結晶にその保磁力場より高い電圧を印加し、
上記電界作用下で2回目の深い層領域反転を完成する。
【0036】
【発明の実施の形態】
図3、図4(a)、図4(b)は、本発明の理論基礎の概念図で、本発明の第1実施例において、1050℃5hrの大気中での高温処理後、500μm厚さのZ切りのニオブ酸リチウムの表面に周期性のある三角形浅い層領域反転を形成する時のy断面エッチング図であり、本発明の図4(a)工程後、分極反転電圧を印加して得たPPLNのy断面エッチング図である。図のように、本発明は、二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子の製造方法であって、
非線形結晶に第1金属電極パターンを形成し、当該結晶には、一致成長のニオブ酸リチウム(LiNbO3,LixH1−xNbO3)、一致成長のタンタル酸リチウム(LiTaO3,LixH1−xTaO3)、酸化亜鉛をドーピングした一致成長のニオブ酸リチウム(ZnO:LiNbO3)、酸化マグネシウムをドーピングした一致成長のニオブ酸リチウム(MgO:LiNbO3)、等化学量のニオブ酸リチウム(LiNbO3)、酸化マグネシウムをドーピングした等化学量のニオブ酸リチウム(LiNbO3)、等化学量のタンタル酸リチウム(LiTaO3)、及び酸化マグネシウムをドーピングした等化学量のタンタル酸リチウム(LiTaO3)を有し、また、当該第1金属電極パターンがアルミウム(Al)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、クロミウム(Cr)、銀(Ag)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、或いは一定比例を有する上記金属からなる合金であり、また、当該第1金属電極パターンが、一次元でも、二次元パターンでも構わない、
上記サンプルを、キュリー温度より低い温度の雰囲気で熱処理し、当該熱処理雰囲気は、酸素が含まれる雰囲気でもよい、
上記熱処理の雰囲気下で、1回目の浅い層領域反転を形成するが、当該熱処理雰囲気の温度は、結晶のキュリー温度より低くて、また、電極によりコーティングされる領域以外の部分に、浅い層領域反転を形成でき、当該1回目の浅い層領域反転技術は、高温トリガーリチウム原子外拡散技術、高温トリガーチタンイオン内拡散技術、或いはプロトン交換技術であり、また、当該1回目の浅い層領域反転の深さは、50nmより深く、
非線形結晶に第2金属電極パターンを形成し、当該第2金属電極パターンの構成は、アルミウム(Al)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、クロミウム(Cr)、銀(Ag)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、或いは一定比例を有する上記金属からなる合金であり、また、当該2回目の深い層領域反転技術は、他に電圧を印加する領域反転技術で、当該他に印加する電圧がトリガーする電界は、結晶の保磁力場より高いものであり、上記結晶に対して、その保磁力場より高い電圧を印加して、上記電界の作用下で、2回目の深い層領域反転を完成する。
【0037】
本発明の第1実施例−一次元強誘電体周期性領域反転構造を作製する作製方法は、次のようである:
【0038】
まず、50nm厚さの周期性アルミウム金属電極を一致成長のニオブ酸リチウム+z面にメッキした後、大気で高温処理(1050℃,5 hr anneal in ambient air)して、1回目の表面浅い層領域反転をトリガーする。第1金属電極パターンは、熱蒸着或いは電子銃スパッタリング等の従来技術によるものである。図4(a)のように、20μm周期のQPM構造を有するニオブ酸リチウムの表面に上記熱処理をした後、HF溶液で結晶y断面をエッチングした後の光学撮影パターンである。パターンに現れる三角形の部分は、高温熱処理がトリガーした表層領域反転現象であり、その深さは5μmまである。金属電極によりコーティングされる領域は、酸化過程において、分極が元の方向性を維持する。
【0039】
熱処理された試料に電圧反転をした後、第1酸化電極に12kV、20msのパルス電圧を印加して、領域反転の作用を来たす。図4(b)は、この工程により得られる周期性領域反転構造のy断面光学照相パターンである。新しい180°周期性領域反転が、酸化電極以下しか発生しないことと発見し、酸化過程においての微小隙間には、領域反転の核生成種が形成される。また、電圧駆動で生成された第2周期性反転領域において、水平方向の移動は、1回目の熱処理がトリガーした三角形境界に制限されて、また、ニオブ酸リチウムの表面に垂直するように、厚さが500μmの基板を貫通する。この現象から分かるように、図4(b)においては、正電荷バリアを利用して水平方向のエッジ電界を抑制して、反転領域の移動範囲を制御する目的を達成する。
【0040】
図 5(a)、図5(b)、図5(c)を参照して、本発明の第2実施例において、周期が6.8μm、厚さが500μmのPPLNのyと−z面の撮影図で、1064nmのNd:YAGに対してSHG周波数変換する時の温度調変曲線図である。図のように、本発明の第2実施例−小周期(<8μm)一次元強誘電体周期性領域反転構造を作製する作製方法は、次のようである:
【0041】
一致成長のニオブ酸リチウムの上面に、小周期のQPM−SHG領域反転構造を作製する作成方法は、次のようである。第1高温熱処理工程(1050℃,5hr anneal in ambientair)で、第1金属電極を酸化状態にし、その後、パルス電圧(12kV,10ms)を第1電極に印加して、領域反転をする。図5(a)は、この方法で作製した周期が6.8μmのニオブ酸リチウムでQPM−SHG構造を有するy與−z面にHF溶液でエッチングした後の光学撮影パターンであり、その基板の厚さが500μmである。黒白相間のストライプは、互いに180°反転の反転領域において、HFエッチング液のエッチング速率が異なることを示す。図5(b)は、1064nmのYAGレーザーで、QPM−SHGマイクロ格子に対してオクターブ変換する時得たグリーン光りオクターブ転度と操作温度の関係図である。周波数変換する時出現したピーク温度(100℃)で、QPM−SHGの物理機構を有することが認められて、変換スペクトルの半値全幅により算出した有効なマイクロ格子構造長さは、2.3mmである。図1の簡略図の実験構成において、ベースバンド光がQPM−SHG構造のx軸伝播で、オクターブグリーン光の出力も、結晶のx軸に沿って伝播するものであるが、他にフィルタリング片を追加しなければ、有効にオクターブ光をフィルターすることができない。
【0042】
図6(a)、図6(b)、図6(c)及び図6(d)は、本発明第3実施例の二次元QPM−PPLN長方形マイクロ格子構造図で、1064nmのNd:YAGで図6(a)の二次元QPM構造に対してSHG出力の空間撮影及び強度分布パターンで、二次元QPM構造が提供するマルチ格子ベクトルにより、SHG出力に、空間において、ベースバンド光と異なる角度で、微調ベースバンド光入射角度±1.5°で、2D−QPMによる格子分量K1,±1により、SHG出力とベースバンド光の異なる方向図である。図のように、本発明の第3実施例−二次元強誘電体周期性領域反転構造を作製する作製方法は、次のようである:
【0043】
二次元強誘電体周期性領域反転構造の作製上、本実施例においては、厚さが500μmである一致成長のニオブ酸リチウム基板を例とする。それには、金属電極を酸化状態にする第1高温熱処理工程(1050℃,5hr anneal in ambient air)がある。この金属電極には、一次元周期性配列の構造パターンがあってもよいし、二次元周期性配列の構造パターンがあってもよい。上記の高温処理をして、金属電極以外の領域に対して、浅い層領域反転をし、電極パターンによりコーティングされる領域を囲む正電荷バリアを形成する。次、第2電極上にパルス電圧(12kV)を印加して、領域反転をする。第1電極が一次元周期性構造であれば、第2金属電極が、第1酸化電極上をコーティングする必要があり、二次元パターンを形成し、また、酸化電極内部の隙間でニオブ酸リチウム領域反転の核生成種を形成する。第1電極が二次元パターンであれば、電解液と酸化電極内部の隙間とにより、ニオブ酸リチウム領域反転の核生成種を形成することができる。図6(a)は、この技術により得た長方形アレイを有する二次元ニオブ酸リチウム領域反転のQPMマイクロ格子構造であり、周期が6.8×13.2μm2である。
【0044】
図6(a)の6.8×13.2μm周期の円柱形アレイ、二次元QPM−SHG構造は、1064nmのYAGレーザーに対してオクターブ変換をすることができる。この二次元構造は、第2実施との差異点は、本例において、更にy方向に周期が13.2μmであるQPM構造を有し、更に他の波前ベクトルを提供して、x方向に、周期が6.8μmのQPM構造から生成されるYAGのオクターブ光を分離し、これにより、空間フィルタリングベースバンド光の機能を有する。第2実施例においての一次元QPM構造では、單一のx方向の周期でQPM−SHGを生成して、オクターブ光の出力が平行になり、フィルタリング片を使用して分光することが必要である。
【0045】
図6(b)は、周期が6.8×13.2μm2の2D−QPMマイクロ格子アレイから得たアレイグリーン光オクターブレーザー出力の近接光学結像パターンと、グリーン光強度分布である。図6(c)は、アレイグリーン光レーザーが、異なる格子ベクトルKmn作用下での空間屈折効果の理論解析である。図によれば、y方向の非線形格子により、Kmn格子ベクトルにマッチするオクターブグリーン光レーザーの角度や強度を分離できる。この二次元構造にはy方向に水平対称性があり、Kmn格子ベクトルでマッチングするオクターブ光は、y軸に対して、特定な対応夾角を持ち、かつ、一対として現す。図6(b)は、一次元周期が6.8μmであるQPM構造で、K1,0グリーン光オクターブ出力とy軸との夾角が0°で、YAGレーザーのベースバンド光と重ねて平行する。図6(d)は、このアレイグリーン光レーザーの操作温度曲線であり、y方向の格子が高調オクターブグリーン光の位相マッチング機構を提供するので、図6のと同じな長さを有する二次元QPM構造にとっては、操作温度範囲が元の〜8℃から80℃まで向上する。
【0046】
以上の詳しい説明から、本技術を良く分かる熟練者は、本発明が明確に前記目的を達成できることが分かり、特許に関する法に従って、本願を申し込む。
【0047】
以上の説明は、ただ、本発明のよりよい実施例であり、本発明の実施範囲を制限するものではなく、また、本発明の特許請求の範囲や明細書内容に従って等価修正や変更も、本発明の請求範囲に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【図1】QMP周期性領域反転構造と非線形周波数変換概念図
【図2(a)】、
【図2(b)】従来の電圧で分極反転を駆動する時、絶縁フォトレジスト層と金属電極との境界に生成する垂直及び水平方向のエッジ電界効果図
【図3】本発明の理論基礎概念図
【図4(a)】本発明の第1実施例において、1050℃5hrの大気での高温処理後、500μm厚さのZ切りのニオブ酸リチウムの表面に周期性のある三角形浅い層領域反転を形成する時のy断面エッチング図
【図4(b)】本発明図4(a)工程後、分極反転電圧を印加して得たPPLNのy断面エッチング図
【図5(a)】、
【図5(b)】本発明の第2実施例において、周期が6.8μm、厚さが500μmのPPLNのy與−z面照相図
【図5(c)】1064nmのNd:YAGに対してSHG周波数変換する時の温度調変曲線図
【図6(a)】本発明第3実施例の二次元QPM−PPLN長方形マイクロ格子構造図
【図6(b)】1064nmのNd:YAGで図6(a)の二次元QPM構造に対してSHG出力の空間撮影及び強度分布パターン
【図6(c)】二次元QPM構造が提供するマルチ格子ベクトルにより、SHG出力に、空間において、ベースバンド光と異なる角度
【図6(d)】微調ベースバンド光入射角度±1.5°で、2D−QPMによる格子分量K1,±1により、SHG出力とベースバンド光の異なる方向図
【発明の属する技術分野】
本発明は、二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子の製造方法に関し、とくに、電界により強誘電体結晶に領域反転(domain inversion)を駆動させる時、反転領域においての核生成種の発生と、縦方向への移動を制御することができるとともに、時間領域においての一括生成する多周波レーザーと空間フィルタリング機能のある二次元非線形光子結晶を有し、これにより、空間電荷シールド電極パターンの下に位置するエッジ電界より、また、酸化層電極で領域反転の核生成種の密度を制御することにより、任意な幾何学の形状を有する二次元強誘電体格子構造、を製造するものに関する。
【0002】
【従来の技術】
強誘電体結晶の物理的特性は、結晶特性方向に自発分極(spontaneous polarization,Ps)であり、分極を有する領域がdomainと称する。この分極の方向性は、結晶より高い保磁力場(coercivefield,Ec)を印加する作用で、180°を回転し、この物理的なプロセスは、領域反転(domain inversion)とも称される。強誘電体結晶は、分極反転の特性を有し、大幅に高密度の不揮発性メモリ素子を製造することに適用され、例えばS.Essaian”Nonvolatile memory based on metal−ferroelectric−metal−insulator semiconductor structure” USpatent 5899977(1997)、やO.Auciello et al.“The physics of ferroelectric memories”(Physics Today,pp.22−27,July,1998)に記載される提案である。
【0003】
また、強誘電体非線形光学結晶が、分極によって180°を回転される時、光学非線形係数等の奇数段物理テンソルの正負変換が発生する。これにより、N.Bloembergenは、アメリカ特許3384433(1968)及び“Interactions between light waves in anonlinear dielectric,”Phys.Rev.vol.127,pp.1918−1939(1962)に、周期性領域反転構造(periodically poled structure)によって提供される波前ベクトルK=2π/Λで、屈折係数の分散効果により、非線形結晶において、周波数変換する時に起こる位相差(k2ω−2kω≠0)を補正し、そして、それで、仮周期位相マッチング(Quasi−Phase−Matching,QPM)を構築する。それと対応する物理的構造パターンは、図1のようで、k2ω−2kω−K=0を満足し、また、それぞれの領域反転の長さは、Λ=2lcで、式lc=λ/4(n2ω−nω)によって決められる。
【0004】
上記の概念により、日本のSony会社のM.Yamada et al.は、1993年において、短いパルス電圧で、ニオブ酸リチウム結晶中で周期性領域反転のQPM構造を作製して、第二高調波(second harmonicgeneration,SHG)レーザーを生成することを “Methodof controlling the domain of a nonlinear ferroelectric optics substrate,”US patent 5193023(1993)や、”The first−order quasi−phase−matched LiNbO3 waveguide periodically poled by applying an external field for efficient blue second−harmonic generation,”Appl.Phys.Lett.Vol.62,pp.435.436(1993)に提案した。この技術により、Matsushita会社も、2000年において、微小化(5×12×1.5mm3)したQPM−SHGの第二高調波レーザー技術を、Y.Kitaoka et al.により、”Miniaturized blue laser using second harmonic generation,”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.39,pp.3416−3418(2000)に提案し、20mWの赤外光半導体レーザーでトリガーする時、第二高調波レーザー変換パワーが2mWである。
【0005】
QPM−領域反転構造の作製及び適用上に、面する技術問題は、次のように整理できる:
【0006】
(1)domain merge領域合併現象により、小周期領域反転構造の作製が困難である(Λ<10μm)。
【0007】
(2)ベースバンドと周波数変換ビームとは、伝播ルートにおいて、互いに平行かつ分極方向が同じである明視野であり、フィルターにより分離しなければならない。
【0008】
問題(1)の原因としては、高い電界で周期性領域反転をする時、誘電率が連続しないため、電極パターンの下に発生するエッジ電界(fringing field)効果である。従来の技術を例として、図2(a)のように、z方向に分極反転電圧を印加する時、絶縁フォトレジスト層を増設することは、電界をフォトレジスト以外の電極パターン区間に制限するためで、また、これにより、領域反転の発生範囲を制御する。要するに、領域反転が発生する時、外部回路から2AdPs/dtの分極反転電流を提供することにより、面積Aである強誘電結晶に十分に電荷注入して、分極の空間回転を満足させる。しかし、静電気解析の結果によれば、図2(b)のように、従来の技術により、z方向に反転電圧を印加する時、フォトレジストによって覆われる結晶区間には、内側へ向かう異方性水平電界分布が発生する。この水平電界値は、4Ecまでにもなり、水平方向の電流が、フォトレジストによって覆われる結晶区間に流されて、当該区間には、必要としない領域反転が発生する。それで、水平方向においてのエッジ電界効果は、反転領域を、必要とする電極パターンの中に制限することができず、領域反転パターンのひずみを来たし、また、形成した格子構造を仮位相マッチング(QPM)条件からはずれ、非線形光学変換效率を降下する。
【0009】
また、問題(2)の原因としては、仮位相マッチング(QPM)条件が、周波数変換の作用波を同方向入射(collinear incidence)に対して定義するため、図1のように、周期性領域反転構造が提供した波前ベクトルは、この作用波と平行になり、ベースバンド波や変換波及び領域反転構造の波前ベクトルは、三者ともに相互に平行であり、空間区隔ができない。従って、傳統のQPM素子には、フィルターを後付けしなければ、ベースバンド波と変換波とを有効に分離できず、使用上に、非常に不便である。
【0010】
また、従来の方式は、次の問題が残されている:
【0011】
(1)、絶縁層で覆って、領域反転側の紛失を低下させる技術領域反転する時、強誘電体非線形結晶によるエッジ電界効果の抑制に関しては、従来の技術は、図3のように、周期性金属電極に覆われるサンプルの表面に、絶縁層を形成する。適用する絶縁層は、SiO2であり、例え、K.Mizuuchi et al.“Generation of ultraviolet light byfrequency doubling of a red laser diode in a first−order periodically poled bulk LiTaO3,”Appl.Phys.Lett.Vol.70,pp.1201−1203(1997)],Ta2O5,WO3,HfO3,やM.C.Gupta et al,“Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field,”US patent 5756263(1998),やspin−on−glass G.D.Miller et al.,“42%−efficient single−pass cw second−harmonic generation in periodically poled LiNbO3,”Opt.Lett.Vol.22,PP.1834−1836(1997)]などのようである。
【0012】
問題は次ぎの様である:
1.上記の[Ref.8Appl.Phys.Lett.Vol.70,pp.1201−1203(1997)]の研究から、周期性金属電極上にSiO2があっても、金属電極と絶縁層との間には、依然として、エッジ電界効果が存在することが分かり、それによって起こられる領域反転側の拡散の広がり(spreading,Wmin)と基板厚さ(T)との関係が、Wmin=0.0027T−0.21(μm)とする経験式により表せる。
【0013】
式Wmin=0.0027T−0.21(μm)から分かるように、作製可能の最小周期の精確度は、基板の厚さによって決定される。例えば、一般に、500μm厚さのタンタル酸リチウム基板上に、上記技術で得られた反転領域の拡張電極で定義したパターンの最小誤差量は、1.14μmである。タンタル酸リチウムが850nmでのQPM−SHGオクターブ変換を例として、領域反転長さlc=1.9μmである。それで、基板を薄く磨かなければ、QPM周期の誤差量を許容範囲に縮小できない。
【0014】
絶縁層で覆って、強誘電体非線形結晶の基板を薄く磨くものを提案した文献は、次のようである:
【0015】
(a)Matsushita Electric Industrial Co.は[Ref.8 Appl.Phys.Lett.Vol.70,pp.1201−1203(1997)]に、LiTaO3基板を150μmまで薄く磨いて、領域反転周期が1.7μmであるQPM構造を作製するのを提案した。
【0016】
(b)Sony Corp.は、T.Yamaguchi et al.により、“Method of local domain control on nonlinear optical materials,”US patent 5526173(1996)に、LiNbO3の基板を100μmまで薄く磨くのを提案した。
【0017】
ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムの硬度係数がグレード5以上であるため、基板を薄く磨く(lapping & polishing)ことは、時間や工程がかかるだけでなく、研磨過程において印加した応力による圧電効果により、研磨中の強誘電体結晶に不規則の表面領域反転が発生して、電圧で領域反転する時の周期が大きくなることと歩留りを制御する問題は、解決しなければならない。
【0018】
(2)、拡散(diffusion)技術で、領域反転を制御することと問題:
【0019】
化学的或いは高温処理で、結晶内部のリチウムイオン拡散をトリガーし、強誘電体光学非線形結晶の構造特性を変化して、局部領域反転を起こさせる。従来の技術には、(a)チタン拡散、(b)プロトン交換、(c)高温でトリガーするリチウムの外拡散、及び(d)酸化物コーティングでトリガーする外拡散がある。(a)、(d)技術により、電極パターンの下で浅い層領域反転をトリガーするが、(b)技術により、金属マスク以外の領域で、浅い層領域反転をトリガーする。拡散技術は、大きい面積の領域反転を適用する。しかし、拡散条件が、温度や時間の指数との関係は、飽和にあるため、この方法は、浅い層領域の作製にしか適用できないし、領域反転の境界が垂直でないことと、拡散が結晶構造及び物理的特性を変化することをトリガーすることとの問題があり、詳しくはつぎのようである。
【0020】
(a).チタン拡散技術(Ti−diffusion)
[Ref.12]S.Miyazawa,“Ferroelectric domain inversion in Ti−diffused LiNbO3 optical waveguide,”J.Appl.Phys.Vol.50,4599−4603(1979)
【0021】
(b).プロトン交換技術(proton exchange)
[Ref.13]M.L.Bortz et al.“Noncritical quasi−phase−matched second harmonic generation in an annealed proton−exchange LiNbO3 waveguide,”IEEE Quantum Electron.Vol.30,pp.2953−2960(1994)
[Ref.14]K.Nakamura et al.,“Antipolarity domain nucleation and growth during heat treatment of proton−exchanged LiTaO3,”J.Appl.Phys.Vol.73,p.1390(1993)
【0022】
(c).高温でトリガーするLi外拡散技術
[Ref.14]K.Nakamura et al.,“Ferroelectric domain inversioncaused in LiNbO3 plates by heat treatment,”Appl.Phys.Lett.Vol.50,pp.1413−1414(1987).
【0023】
(d).酸化物コーティングで加熱技術
SiO2コーティングで、例えば、M.Fujimura et al.,“Ferroelectric domain inversion induced by SiO2 cladding for LiNbO3 waveguide,”Elec.Lett.Vol.27,pp.1207−1209(1991).
【0024】
MgOコーティングで、例えば、C.−S.Lau et al.,“Fabrication of MgO induced lithium out−diffusion waveguides,“IEEE Photon.Technol.Lett.Vol.4,pp.872−875(1992).
【0025】
次の問題がある:
1.拡散法では、浅い層領域反転しかできず、反転される周期性領域境界の形状としては、ニオブ酸リチウムが三角形であり、タンタル酸リチウムが半円形であり、図1のような理想的な垂直境界が形成できないから、ビームの非線形変換敦率に悪影響を与える。周期性領域反転構造の境界形状と変換效率に対する影響の解析に関しては、例えば、K.Yamamoto et al.より“Characteristics of periodically domain−inverted LiNbO3 and LiTaO3 waveguidesfor second harmonic generation,”J.Appl.Phys.Vol.70,pp.1947−1951(1991)に提案したものがある。
【0026】
2.プロトン交換法では、結晶の成分と構造との変化が起こり、LixH1−xNbO3を生成するだけでなく、同時に、非線形光学変換係数を低下させる。また、アニールを行わなければ上記の破壊程度を低減できないが、非線形係数の回復が限られていて、詳しくは、Y.N.Korkishko et al.により、“The SHG−response of different phase in proton−exchanged lithium niobate waveguide,”IEEE J.Selected TopicsinQuantum Electron.Vol.6,pp.132−142(2000).に記載するもののようである。
【0027】
(3).保磁力場低下法:
エッジ電界の抑制效果を求めるために、もう一つの方法は、ブローク状結晶の保磁力場を低下するのである。この方法は、基本的に、結晶内の欠陥密度を低減するので、結晶の既存の光学非線形特性と変換效率を変化しない。現在において、従来の技術には、(a)等化学量成長結晶法stoichiometric−grown crystalsと(b)ドーピド一致成長結晶法doped congruent−grown crystalsの2種類がある。
【0028】
(a).Stoichiometric nonlinear crystals
この方法で成長したLi2O/(Nb2O5+Li2O)或いはLi2O/(Ta2O5+Li2O)は、成分が約0.49〜0.5の計量比結晶であり、大幅に保磁力場値を2kV/mmまでに低減でき、それが、一致成長(congruent−grown)結晶の1/10である。現在、この技術の特許権がV.Gopalan et al.,“Lithium niobate single crystal and photo−functional device,”US Patent 6195196(2001)、V.Gopalan et al.,“Lithium tantalate single crystal and photo−functional device,”US Patent 6211999(2001)に属するため、基板の提供元が限られている。
【0029】
(b).MgO or ZnO doping in congruent−grown crystals
この方法では、原子結合とニオブ酸リチウム或いはタンタル酸リチウムとを利用して相当な不純物を結合し、例えば、酸化マグネシウム(MgO)(A.Harada,“(Fabrication of ferroelectric domain reversal,”US patent5568308(1996)を例として)、や酸化亜鉛(ZnO)(L,−H.Peng et al.,“Method for bulk periodic poling of congruent grown ferroelectric nonlinear optical crystals by low electric field,”US patent 6295159(2001)を例として)をドープするものには、ドープした一致成長(congruent−grown)の結晶がニオブ酸リチウム、e.g.Li2O/(Nb2O5+Li2O)=0.485で、その中の不純物濃度を3〜9mol%濃度範囲に制御して、格子欠陥密度を低減する。この方法では、有効に保磁力場を元値の1/10間で低減する事だけでなく、結晶の抗光屈変と抗光破壊性も向上する。
【0030】
ドーピング法により一致成長結晶の保磁力場を向上する時、ドーピング濃度を慎重に制御しなければならないので、ドーピング濃度が上記範囲より高い場合、成長結晶の品質低下をトリガーするが、ドーピング濃度が低すぎると、格子欠陥を解消できない。
【0031】
(4).パルス波形制御法:
もう一つの、領域反転側紛失を制御する方法は、駆動電圧波形の正負極性と時間差を調整することにより、反転領域の移動を制御し、例えば、K.Mizuuchi et al.,“Method for manufacturingdomain−inverted region,optical wavelength conversion device utilizing such domain−inverted region and method for fabricating such device,”US patent 5652674(1997)及びR.G.Batchko et al.“Back−switching poling in lithium niobate for high.fidelity domain patterning and efficient blue light generation,”Applied Physics Letters,Vol.75,pp.1673−1775(1999)の記載するもののようである。この方法では、適当に液体電極を利用して、材料の絶縁破壊を防止し、例えば、R.L.Byer et al.,“Electrical field domain patterning,”US patent 5,800,767(1998);6,156,255(2000)の記載するもののようである。
【0032】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主な目的は、電界により強誘電体結晶を駆動して領域反転(domain inversion)を達成する時、反転領域の核生成種の発生を制御し、縦方向の移動を制御して、また、時間領域において多周波レーザーを同時生成して、空間フィルタリング機能を有する二次元非線形光子結晶である。
【0033】
本発明の他の目的は、空間電荷を利用して電極パターンの下にあるエッジ電界をシールドする。
【0034】
本発明の更に他の目的は、酸化層電極で領域反転の核生成種密度を制御して、任意の幾何学の形状を有する二次元強誘電体格子構造を製造する。
【0035】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子を製造方法であって、
非線形結晶に第1金属電極パターンを形成し、
上記サンプルに対して、キュリー温度の雰囲気下で熱処理し、
上記熱処理の雰囲気下で、1回目の浅い層領域反転を形成し、
非線形結晶に第2金属電極パターンを形成し、
上記結晶にその保磁力場より高い電圧を印加し、
上記電界作用下で2回目の深い層領域反転を完成する。
【0036】
【発明の実施の形態】
図3、図4(a)、図4(b)は、本発明の理論基礎の概念図で、本発明の第1実施例において、1050℃5hrの大気中での高温処理後、500μm厚さのZ切りのニオブ酸リチウムの表面に周期性のある三角形浅い層領域反転を形成する時のy断面エッチング図であり、本発明の図4(a)工程後、分極反転電圧を印加して得たPPLNのy断面エッチング図である。図のように、本発明は、二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子の製造方法であって、
非線形結晶に第1金属電極パターンを形成し、当該結晶には、一致成長のニオブ酸リチウム(LiNbO3,LixH1−xNbO3)、一致成長のタンタル酸リチウム(LiTaO3,LixH1−xTaO3)、酸化亜鉛をドーピングした一致成長のニオブ酸リチウム(ZnO:LiNbO3)、酸化マグネシウムをドーピングした一致成長のニオブ酸リチウム(MgO:LiNbO3)、等化学量のニオブ酸リチウム(LiNbO3)、酸化マグネシウムをドーピングした等化学量のニオブ酸リチウム(LiNbO3)、等化学量のタンタル酸リチウム(LiTaO3)、及び酸化マグネシウムをドーピングした等化学量のタンタル酸リチウム(LiTaO3)を有し、また、当該第1金属電極パターンがアルミウム(Al)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、クロミウム(Cr)、銀(Ag)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、或いは一定比例を有する上記金属からなる合金であり、また、当該第1金属電極パターンが、一次元でも、二次元パターンでも構わない、
上記サンプルを、キュリー温度より低い温度の雰囲気で熱処理し、当該熱処理雰囲気は、酸素が含まれる雰囲気でもよい、
上記熱処理の雰囲気下で、1回目の浅い層領域反転を形成するが、当該熱処理雰囲気の温度は、結晶のキュリー温度より低くて、また、電極によりコーティングされる領域以外の部分に、浅い層領域反転を形成でき、当該1回目の浅い層領域反転技術は、高温トリガーリチウム原子外拡散技術、高温トリガーチタンイオン内拡散技術、或いはプロトン交換技術であり、また、当該1回目の浅い層領域反転の深さは、50nmより深く、
非線形結晶に第2金属電極パターンを形成し、当該第2金属電極パターンの構成は、アルミウム(Al)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、クロミウム(Cr)、銀(Ag)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、或いは一定比例を有する上記金属からなる合金であり、また、当該2回目の深い層領域反転技術は、他に電圧を印加する領域反転技術で、当該他に印加する電圧がトリガーする電界は、結晶の保磁力場より高いものであり、上記結晶に対して、その保磁力場より高い電圧を印加して、上記電界の作用下で、2回目の深い層領域反転を完成する。
【0037】
本発明の第1実施例−一次元強誘電体周期性領域反転構造を作製する作製方法は、次のようである:
【0038】
まず、50nm厚さの周期性アルミウム金属電極を一致成長のニオブ酸リチウム+z面にメッキした後、大気で高温処理(1050℃,5 hr anneal in ambient air)して、1回目の表面浅い層領域反転をトリガーする。第1金属電極パターンは、熱蒸着或いは電子銃スパッタリング等の従来技術によるものである。図4(a)のように、20μm周期のQPM構造を有するニオブ酸リチウムの表面に上記熱処理をした後、HF溶液で結晶y断面をエッチングした後の光学撮影パターンである。パターンに現れる三角形の部分は、高温熱処理がトリガーした表層領域反転現象であり、その深さは5μmまである。金属電極によりコーティングされる領域は、酸化過程において、分極が元の方向性を維持する。
【0039】
熱処理された試料に電圧反転をした後、第1酸化電極に12kV、20msのパルス電圧を印加して、領域反転の作用を来たす。図4(b)は、この工程により得られる周期性領域反転構造のy断面光学照相パターンである。新しい180°周期性領域反転が、酸化電極以下しか発生しないことと発見し、酸化過程においての微小隙間には、領域反転の核生成種が形成される。また、電圧駆動で生成された第2周期性反転領域において、水平方向の移動は、1回目の熱処理がトリガーした三角形境界に制限されて、また、ニオブ酸リチウムの表面に垂直するように、厚さが500μmの基板を貫通する。この現象から分かるように、図4(b)においては、正電荷バリアを利用して水平方向のエッジ電界を抑制して、反転領域の移動範囲を制御する目的を達成する。
【0040】
図 5(a)、図5(b)、図5(c)を参照して、本発明の第2実施例において、周期が6.8μm、厚さが500μmのPPLNのyと−z面の撮影図で、1064nmのNd:YAGに対してSHG周波数変換する時の温度調変曲線図である。図のように、本発明の第2実施例−小周期(<8μm)一次元強誘電体周期性領域反転構造を作製する作製方法は、次のようである:
【0041】
一致成長のニオブ酸リチウムの上面に、小周期のQPM−SHG領域反転構造を作製する作成方法は、次のようである。第1高温熱処理工程(1050℃,5hr anneal in ambientair)で、第1金属電極を酸化状態にし、その後、パルス電圧(12kV,10ms)を第1電極に印加して、領域反転をする。図5(a)は、この方法で作製した周期が6.8μmのニオブ酸リチウムでQPM−SHG構造を有するy與−z面にHF溶液でエッチングした後の光学撮影パターンであり、その基板の厚さが500μmである。黒白相間のストライプは、互いに180°反転の反転領域において、HFエッチング液のエッチング速率が異なることを示す。図5(b)は、1064nmのYAGレーザーで、QPM−SHGマイクロ格子に対してオクターブ変換する時得たグリーン光りオクターブ転度と操作温度の関係図である。周波数変換する時出現したピーク温度(100℃)で、QPM−SHGの物理機構を有することが認められて、変換スペクトルの半値全幅により算出した有効なマイクロ格子構造長さは、2.3mmである。図1の簡略図の実験構成において、ベースバンド光がQPM−SHG構造のx軸伝播で、オクターブグリーン光の出力も、結晶のx軸に沿って伝播するものであるが、他にフィルタリング片を追加しなければ、有効にオクターブ光をフィルターすることができない。
【0042】
図6(a)、図6(b)、図6(c)及び図6(d)は、本発明第3実施例の二次元QPM−PPLN長方形マイクロ格子構造図で、1064nmのNd:YAGで図6(a)の二次元QPM構造に対してSHG出力の空間撮影及び強度分布パターンで、二次元QPM構造が提供するマルチ格子ベクトルにより、SHG出力に、空間において、ベースバンド光と異なる角度で、微調ベースバンド光入射角度±1.5°で、2D−QPMによる格子分量K1,±1により、SHG出力とベースバンド光の異なる方向図である。図のように、本発明の第3実施例−二次元強誘電体周期性領域反転構造を作製する作製方法は、次のようである:
【0043】
二次元強誘電体周期性領域反転構造の作製上、本実施例においては、厚さが500μmである一致成長のニオブ酸リチウム基板を例とする。それには、金属電極を酸化状態にする第1高温熱処理工程(1050℃,5hr anneal in ambient air)がある。この金属電極には、一次元周期性配列の構造パターンがあってもよいし、二次元周期性配列の構造パターンがあってもよい。上記の高温処理をして、金属電極以外の領域に対して、浅い層領域反転をし、電極パターンによりコーティングされる領域を囲む正電荷バリアを形成する。次、第2電極上にパルス電圧(12kV)を印加して、領域反転をする。第1電極が一次元周期性構造であれば、第2金属電極が、第1酸化電極上をコーティングする必要があり、二次元パターンを形成し、また、酸化電極内部の隙間でニオブ酸リチウム領域反転の核生成種を形成する。第1電極が二次元パターンであれば、電解液と酸化電極内部の隙間とにより、ニオブ酸リチウム領域反転の核生成種を形成することができる。図6(a)は、この技術により得た長方形アレイを有する二次元ニオブ酸リチウム領域反転のQPMマイクロ格子構造であり、周期が6.8×13.2μm2である。
【0044】
図6(a)の6.8×13.2μm周期の円柱形アレイ、二次元QPM−SHG構造は、1064nmのYAGレーザーに対してオクターブ変換をすることができる。この二次元構造は、第2実施との差異点は、本例において、更にy方向に周期が13.2μmであるQPM構造を有し、更に他の波前ベクトルを提供して、x方向に、周期が6.8μmのQPM構造から生成されるYAGのオクターブ光を分離し、これにより、空間フィルタリングベースバンド光の機能を有する。第2実施例においての一次元QPM構造では、單一のx方向の周期でQPM−SHGを生成して、オクターブ光の出力が平行になり、フィルタリング片を使用して分光することが必要である。
【0045】
図6(b)は、周期が6.8×13.2μm2の2D−QPMマイクロ格子アレイから得たアレイグリーン光オクターブレーザー出力の近接光学結像パターンと、グリーン光強度分布である。図6(c)は、アレイグリーン光レーザーが、異なる格子ベクトルKmn作用下での空間屈折効果の理論解析である。図によれば、y方向の非線形格子により、Kmn格子ベクトルにマッチするオクターブグリーン光レーザーの角度や強度を分離できる。この二次元構造にはy方向に水平対称性があり、Kmn格子ベクトルでマッチングするオクターブ光は、y軸に対して、特定な対応夾角を持ち、かつ、一対として現す。図6(b)は、一次元周期が6.8μmであるQPM構造で、K1,0グリーン光オクターブ出力とy軸との夾角が0°で、YAGレーザーのベースバンド光と重ねて平行する。図6(d)は、このアレイグリーン光レーザーの操作温度曲線であり、y方向の格子が高調オクターブグリーン光の位相マッチング機構を提供するので、図6のと同じな長さを有する二次元QPM構造にとっては、操作温度範囲が元の〜8℃から80℃まで向上する。
【0046】
以上の詳しい説明から、本技術を良く分かる熟練者は、本発明が明確に前記目的を達成できることが分かり、特許に関する法に従って、本願を申し込む。
【0047】
以上の説明は、ただ、本発明のよりよい実施例であり、本発明の実施範囲を制限するものではなく、また、本発明の特許請求の範囲や明細書内容に従って等価修正や変更も、本発明の請求範囲に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【図1】QMP周期性領域反転構造と非線形周波数変換概念図
【図2(a)】、
【図2(b)】従来の電圧で分極反転を駆動する時、絶縁フォトレジスト層と金属電極との境界に生成する垂直及び水平方向のエッジ電界効果図
【図3】本発明の理論基礎概念図
【図4(a)】本発明の第1実施例において、1050℃5hrの大気での高温処理後、500μm厚さのZ切りのニオブ酸リチウムの表面に周期性のある三角形浅い層領域反転を形成する時のy断面エッチング図
【図4(b)】本発明図4(a)工程後、分極反転電圧を印加して得たPPLNのy断面エッチング図
【図5(a)】、
【図5(b)】本発明の第2実施例において、周期が6.8μm、厚さが500μmのPPLNのy與−z面照相図
【図5(c)】1064nmのNd:YAGに対してSHG周波数変換する時の温度調変曲線図
【図6(a)】本発明第3実施例の二次元QPM−PPLN長方形マイクロ格子構造図
【図6(b)】1064nmのNd:YAGで図6(a)の二次元QPM構造に対してSHG出力の空間撮影及び強度分布パターン
【図6(c)】二次元QPM構造が提供するマルチ格子ベクトルにより、SHG出力に、空間において、ベースバンド光と異なる角度
【図6(d)】微調ベースバンド光入射角度±1.5°で、2D−QPMによる格子分量K1,±1により、SHG出力とベースバンド光の異なる方向図
Claims (10)
- 非線形結晶に第1金属電極パターンを形成し、
上記サンプルに対して、キュリー温度の雰囲気下で熱処理し、
上記熱処理の雰囲気下で、1回目の浅い層領域反転を形成し、
非線形結晶に第2金属電極パターンを形成し、
上記結晶にその保磁力場より高い電圧を印加し、
上記電界作用下で2回目の深い層領域反転を完成する、ことを特徴とする二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該第1金属電極パターンは、アルミウム(Al)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、クロミウム(Cr)、銀(Ag)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge),或いは一定比例を有する上記金属からなる合金からなる。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該第1金属電極パターンが一次元パターンでも、二次元パターンでもよい。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該熱処理雰囲気は、酸素が含まれる雰囲気である。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該熱処理雰囲気の温度は、結晶のキュリー温度より低くて、また、電極によりコーティングされる領域以外の部分に、浅い層領域反転を形成できる。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該1回目の浅い層領域反転技術は、高温トリガーリチウム原子外拡散技術、高温トリガーチタンイオン内拡散技術、或いはプロトン交換技術である。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該1回目の浅い層領域反転の深さは、50nmより深い。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該第2金属電極パターンの構成は、アルミウム(Al)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、クロミウム(Cr)、銀(Ag)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、或いは一定比例を有する上記金属からなる合金である。 - 請求項1記載の二次元周期性領域反転の強誘電体光学非線形マイクロ格子製造方法であって、
当該2回目の深い層領域反転技術は、他に電圧を印加する領域反転技術で、当該他に印加する電圧がトリガーする電界は、結晶の保磁力場より高いものである。
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