JP2004281707A

JP2004281707A - Method and apparatus for removing resist

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Publication number: JP2004281707A
Application number: JP2003070897A
Authority: JP
Inventors: Yuzo Mori; 勇▲蔵▼ 森; Yasushi Taima; 康當間
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2003-03-14
Filing date: 2003-03-14
Publication date: 2004-10-07
Anticipated expiration: 2023-03-14
Also published as: JP4229729B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for removing resist with a small load onto the environment by removing the resist on a substrate at a low cost without damaging the board. <P>SOLUTION: While wetting ion-exchange material 34b with a liquid and making the ion-exchange material 34a in contact with the resist application surface of the substrate W, the ion-exchange material 34a and the substrate W are relatively moved for removing the resist. Since the resist can be removed at a normal temperature, damage to the substrate is small, and since this process does not use any chemical; the load onto the environment is reduced markedly. Furthermore, washing which is normally performed after a resist removing process is not required to simplify processes. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造工程や液晶パネルの製造工程において、不要となったレジスト膜を基板上から除去するのに使用されるレジスト除去方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス用シリコン基板や液晶パネル用ガラス基板等の基板上の不要となったレジストを除去するレジスト除去方法は、一般に、プラズマを利用するドライプロセスと、薬液を使用するウェットプロセスに分けられる。ドライプロセスには、酸素プラズマ中に基板を晒すアッシングや、オゾン及びＵＶ照射による酸化除去などがある。一方、ウェットプロセスには、市販のレジスト剥離液（有機溶剤）による方法（例えば、非特許文献１参照）や、硫酸と過酸化水素水の混合溶液（いわゆる硫酸過水）による方法（例えば、特許文献１参照）等が主流であり、一部ではオゾン水によるレジスト剥離（例えば、非特許文献１参照）も行われている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−１５２２６８号公報
【非特許文献１】
堀邉英夫，野田清治，片岡辰夫：オゾンを用いたＬＣＤ用剥離技術，
三菱電機技報，７５，（２００１）２５
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のドライプロセスで基板上のレジストを剥離除去する場合には、プラズマ発生装置という高価な装置を必要とし、しかも、処理温度が２５０℃以上と高温になり、基板がこの高温に晒されるため、回路に与えるダメージが大きいという問題がある。またウェットプロセスで基板上のレジストを剥離除去する場合には、大量の薬液を使用するため、ランニングコストが大きく、しかも環境へ与える負荷が大きいという問題がある。なお、環境への負荷が小さいオゾン水を使用して基板上のレジストを剥離除去することも広く行われているが、この場合、オゾンの水への溶解度が低いため、充分に除去速度を上げることが困難であるという問題がある。このため、低ダメージ、低コストで基板上のレジストを除去することができ、しかも環境への負荷が小さく、十分な加工速度が得られるようにしたレジスト除去方法及び装置の開発が強く求められている。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板へダメージを与えることなく、低コストで基板上のレジストを除去することができ、しかも環境への負荷が小さいレジスト除去方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、イオン交換材料を液体で湿潤させ、該イオン交換材料を基板のレジスト塗布面に接触させながら、前記イオン交換材料と基板とを相対移動させることを特徴とするレジスト除去方法である。
【０００７】
このように、イオン交換基が導入された繊維や膜（イオン交換材料）を液体で湿潤させ、基板のレジスト塗布面に接触させながら該レジスト塗布面と相対移動させることで、基板上のレジストを簡易に除去することができる。これにより、プラズマ発生装置やオゾン水製造装置など特殊な装置が不要となって、簡便かつ低コストなレジストの除去が可能となる。また、ドライプロセスのように、基板が高温条件に晒されることがないため、基板へのダメージは少なく、しかも、薬品を一切使用しないプロセスであるため、環境への負荷が大幅に低減される。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、前記イオン交換材料は、第４級アンモニウム基、第１〜３級アミノ基から選択される少なくとも１種類のイオン交換基を持つことを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方法である。特に、イオン交換材料として、第４級アンモニウム基を持つイオン交換繊維を用いると、常温（約２０℃）で１μｍ／ｍｉｎ以上の高速なレジスト除去が可能となる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、前記イオン交換材料は、スルホン酸基またはカルボキシル基の少なくとも一方のイオン交換基を持つことを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方法である。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、前記イオン交換材料は、放射線グラフト重合法を利用して作製されたものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のレジスト除去方法である。例えば、複合繊維からなる有機高分子基材に、塩基性基または酸性基である官能基を、放射線グラフト重合法を利用して導入することで、官能基密度が高く、かつ厚さが均一なイオン交換材料を作製することができる。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、前記液体が超純水であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のレジスト除去方法である。このように、超純水を使用することによって、レジスト除去プロセス中に基板やイオン交換材料が汚染されることを防止し、通常レジスト除去工程の後に行われる洗浄を不要となして、工程が簡略化できる。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、レジストが塗布された基板を保持する基板ホルダと、イオン交換材料を有し、該イオン交換材料を前記基板ホルダで保持した基板のレジスト塗布面に接触させるレジスト加工具と、前記イオン交換材料に液体を供給する液体供給機構と、前記基板ホルダと前記レジスト加工具とを相対移動させる駆動部を有することを特徴とするレジスト除去装置である。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、前記液体供給機構から前記イオン交換材料に供給される液体の温度を制御する液体温度制御部を更に有することを特徴とする請求項６記載のレジスト除去装置である。
請求項８に記載の発明は、前記イオン交換材料は、第４級アンモニウム基、第１〜３級アミノ基から選択される少なくとも１種類のイオン交換基を持つことを特徴とする請求項６または７記載のレジスト除去装置である。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、前記イオン交換材料は、スルホン酸基またはカルボキシル基の少なくとも一方のイオン交換基を持つことを特徴とする請求項６または７記載のレジスト除去装置である。
請求項１０に記載の発明は、前記イオン交換材料は、放射線グラフト重合法を利用して作製されたものであることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載のレジスト除去装置である。
請求項１１に記載の発明は、前記液体が超純水であることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載のレジスト除去装置である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。本発明のレジスト除去を行う処理対象となる基板は、例えばシリコン基板やガラス基板等であるが、平滑面にレジストが塗布された基板であれば特に制限されず、また、レジストについても、通常使用される高分子有機化合物系の塗膜であれば特に制限されない。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態のレジスト除去装置の全体を示す。図１に示すように、このレジスト除去装置は、例えばステンレス製で、超純水１０を保持する加工槽１２を有するレジスト除去装置本体１４と、廃液タンク１６、超純水循環・精製部１８、及び高圧ポンプ２０を有する超純水循環・精製装置２２と、プランジャポンプ２４及び圧力トランスミッタ２６を有する高圧超純水供給装置２８とを備えている。
【００１７】
図２は、図１に示すレジスト除去装置のレジスト除去装置本体１４を示す縦断面図である。レジスト除去装置本体１４は、図２に示すように、半導体ウェハや液晶パネル用ガラス基板Ｗを吸着等によって着脱自在に水平に保持する基板ホルダ（試料ステージ）３０を備えている。この基板ホルダ３０は、加工槽１２の内部に配置されており、ＸＹθの３自由度を持っている。すなわち、基板ホルダ３０で保持された基板Ｗは、超純水１０中に浸漬された状態で、Ｘ，Ｙ方向に水平移動自在で、鉛直方向のθ軸を中心に水平面上を回転するようになっている。この基板ホルダ３０は、ラジアル方向、スラスト方向ともに超純水による静圧軸受３２（図１参照）により支持されている。
【００１８】
図３は、図２に示すレジスト除去装置本体１４の主要部を示す斜視図である。図３に示すように、基板ホルダ３０の上方には、その軸心Ｏ−Ｏが水平方向に延びる円柱または円筒状のレジスト除去具３４が配置されている。このレジスト除去具３４は、円柱または円筒状の芯材３４ａの外周面に、例えばイオン交換基が導入された繊維や膜からなるイオン交換材料３４ｂを取付けて構成されている。
【００１９】
このレジスト除去具３４は、軸心Ｏ−Ｏに沿って延び、上下動自在な回転軸３６に連結されている。この回転軸３６は、基板ホルダ３０と同様に、ラジアル方向、スラスト方向ともに超純水による静圧軸受（図示せず）により支持されている。このような構成により、レジスト除去具３４は、回転軸３６の回転に伴って軸心Ｏ−Ｏを中心に自転し、しかも基板ホルダ３０で保持した基板Ｗとの間隔が調整できるようになっている。レジスト除去加工時には、レジスト除去具３４を下降させ、イオン交換材料３４ｂの下端部を基板ホルダ３０で保持した基板Ｗの表面に接触させる。
【００２０】
ここで、基板ホルダ３０は鉛直軸を中心として、レジスト除去具３４は水平軸を中心として、超純水１０を巻き込む方向にそれぞれ回転するように構成されており、この回転方向の上流側には、基板ホルダ３０で保持した基板Ｗとレジスト除去具３４との間に超純水を高圧で吹き付ける、液体供給機構としての超純水ノズル４０が配置されている。これにより、基板Ｗとレジスト除去具３４の少なくとも一方を回転させながら、この回転方向の上流側からレジスト除去具３４と基板Ｗとの間に超純水１０を吹き付けて、レジスト除去具３４と基板Ｗとの間に溜まる加工生成物などを効果的に除去できるようになっている。
【００２１】
この超純水ノズル４０には、図１に示すように、超純水循環・精製装置２２の超純水循環・精製部１８で精製された超純水が、高圧超純水供給装置２８の圧力トランスミッタ２６からプランジャポンプ２４を介して昇圧されて供給されるようになっている。また、加工槽１２内の超純水１０は、図１に示すように、オーバーフローして廃液タンク１６に溜まり、超純水循環・精製部１８で精製された後、直接加工槽１２内に戻される。また、この超純水１０の一部は、高圧ポンプ２０を経由して静圧軸受３２にも供給される。
【００２２】
イオン交換材料３４ｂへの液体供給機構としては、流量が可変であり、超純水を使用した場合であっても、溶出物や粒子状物質を出さない超純水用ポンプと、ポンプ用コントローラとを有し、超純水製造装置または超純水供給ラインから得られる超純水を、前記純水用ポンプを経由してイオン交換材料までチューブ内を流通させて運ぶようにしたものを使用してもよい。
【００２３】
また、この例では、イオン交換材料３４ｂへの液体供給機構として、超純水ノズル４０を使用した例を示しているが、芯材の内部に、水供給用の穴を複数箇所開け、この穴からイオン交換材料に向けて給水するようにしてもよく、また、これらの穴と超純水ノズルとを組み合わせるようにしてもよい。
【００２４】
更に、基板Ｗ及びイオン交換材料３４ｂの汚染を考慮して、半導体工業用レベルで使用される水、すなわち超純水をイオン交換体材料に給水するようにした例を示しているが、この超純水は、例えば全有機炭素濃度（ＴＯＣ）が１０ｐｐｂ以下で、比抵抗が１０ＭΩ・ｃｍ以上であることが好ましい。給水流量や水圧、水温、供給時期については、対象とする被処理基板の大きさ及び種類、レジストの種類、イオン交換材料の種類及び形態に応じて適宜調整することが望ましい。
【００２５】
特に水温に関しては、常温（約２０℃）でのレジスト除去速度は、最大で１μｍ／ｍｉｎ以上であり、実用上は十分であるが、水温を上げることによりレジスト除去速度を更に速めることが可能で、例えば、水温を３０℃にした場合には、レジスト除去速度を２μｍ／ｍｉｎ程度まで、水温を４０℃にした場合には、レジスト除去速度を４μｍ／ｍｉｎ程度まで上げることができることが確かめられている。このように、水温は、レジストの除去速度に影響するため、図２に示すように、超純水ノズル４０へ超純水を供給する超純水経路４２内に、該経路４２に沿って流れる超純水の温度を制御する液体温度制御部４４を設けて、イオン交換材料３４ｂに給水する超純水の温度を、１０℃以上１００℃以下、望ましくは３０℃以上８０℃以下、より望ましくは４０℃以上５０℃以下に調整する。
【００２６】
このようなレジスト除去装置において、基板ホルダ３０で基板Ｗを保持し、レジスト除去具３４を下降させて、このイオン交換材料３４ｂを基板Ｗの表面に線乃至面状に接触させる。この状態で、超純水循環・精製装置２２によって、加工槽１２内の超純水１０を精製しながら循環させつつ、基板ホルダ３０とレジスト除去具３４とを超純水１０を巻き込む方向に同時に回転させ、この回転方向の上流側に配置した超純水ノズル４０からレジスト除去具３４と基板Ｗとの間に超純水を高圧で吹き付ける。これにより、基板Ｗの表面のレジスト除去が行われる。
【００２７】
ここで、基板ホルダ３０とレジスト除去具３４とを超純水１０を巻き込む方向に同時に回転させ、この回転方向の上流側からレジスト除去具３４と基板Ｗとの間に超純水を高圧で吹き付けることによって、基板Ｗと芯材３４ａとの間にある超純水１０を効果的に置換することが可能になり、これにより、加工生成物を効率的に除去して安定な加工を行うことができる。
【００２８】
レジストが塗布された基板Ｗに対するレジスト除去具３４の運動は、この例では、まず両者を接近させ、基板Ｗの表面を破損しない圧力で該基板Ｗの表面にイオン交換材料３４ｂを面接触させ、そして、基板Ｗの表面全体に渡って接触面が移動するように相対運動させるようにしている。この相対運動の方法としては、レジスト除去具３４を回転させながら、基板ホルダ３０で保持した基板Ｗを回転させ、同時にＸ−Ｙ方向に移動させている。なお、円盤状平面部材の下面にイオン交換材料を装着した場合には、このイオン交換材料を回転させながら、基板上を走査させるようにしてもよい。すなわち、イオン交換材料側が回転体形状であれば回転軸での回転及び回転軸の基板面に対する平行移動（走査）、イオン交換材料側が平面状であれば、基板面に対して垂直な回転軸での回転（自転）及び回転軸の基板面に対する平行移動（走査、公転）、基板の基板面に対して垂直な回転軸での回転（自転）及び回転軸の基板面に対する平行移動（走査、公転）の組み合わせが考えられ、適宜組み合わせて相対運動させればよい。
【００２９】
イオン交換材料３４ｂとしては、芯材３４ａへの固定が容易なように、フィルム状、シート状あるいは芯材３４ａの形状に合わせて成形したイオン交換繊維またはイオン交換膜を使用することが望ましく、局所的な接触による基板表面への損傷を考慮して、柔軟でかつ平滑な表面を有するものであることが望ましい。また、イオン交換材料３４ｂの形態としては、水の透過性が高いものが好ましく、織布または不織布を基材とするイオン交換繊維が好ましい。更に、また、芯材３４ａに保持しやすいようにニット素材で成形した基材を用いるイオン交換繊維は、レジストが塗布された基板表面と接触する部分に保持する際の継ぎ目を作る必要がなく、レジストを均一に除去する上で好ましい。
【００３０】
イオン交換繊維には、イオン交換基の密度（比交換容量）を高められることから、有機高分子繊維基材に放射線グラフト重合法を利用して作製されるイオン交換不織布、織布、またはニットを用いることが好ましい。有機高分子繊維基材としては、ポリオレフィン系高分子、例えばポリエチレンやポリプロピレン等や、ポリエチレンテレレフタレート等が挙げられる。
【００３１】
また、繊維の形態としては、単一高分子による単繊維であってもよく、また、繊維の芯部と鞘部とが異なる高分子によって構成される複合繊維であってもよいが、複合繊維からなる有機高分子基材に、塩基性基または酸性基である官能基を、放射線グラフト重合法を利用して導入したものが、官能基密度が高く、厚さが均一に製造できるので、特に好ましい。
【００３２】
イオン交換材料を製造するのに用いることができる放射線としては、α線、β線、γ線、紫外線、電子線を挙げることができるが、γ線または電子線を用いることが好ましい。放射線グラフト重合法には、グラフト基材に予め放射線を照射した後、グラフトモノマーと接触させて反応させる前照射グラフト重合法と、グラフト基材とグラフトモノマーの共存下に放射線を照射する同時照射グラフト重合法とがあるが、いずれの方法もイオン交換材料の製造に用いることができる。また、グラフトモノマーと基材との接触方法により、液相グラフト重合法、気相グラフト重合法、含浸気相グラフト重合法のいずれの方法も、イオン交換材料の製造に用いることができる。
【００３３】
イオン交換材料の製造において、繊維基材に導入するイオン交換基としては、塩基性基として第４級アンモニウム基及び第１〜３級アミノ基が、酸性基としてスルホン酸基及びカルボキシル基が挙げられる。これらの塩基性基または酸性基は、これらの塩基性基または酸性基を有するグラフトモノマーを用いてグラフト重合、好ましくは放射線グラフト重合を行うか、またはこれらの塩基性基または酸性基に転換可能な基を有するグラフトモノマーを用いてグラフト重合後に塩基性基または酸性基に転換することによって繊維基材に導入することができる。
【００３４】
この目的で用いることができる塩基性基または酸性基を有するグラフトモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、スチレンスルホン酸塩、メタリルスルホン酸塩、アリルスルホン酸塩、ビニルスルホン酸塩、ハロゲン化ビニルベンジルトリメチルアンモニウム、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド等が挙げられる。例えば、スチレンスルホン酸ナトリウムをグラフトモノマーとして用いて放射線グラフト重合を行うことにより、基材に直接、強酸性基であるスルホン酸基を導入することができ、また、塩化ビニルベンジルトリメチルアンモニウムをグラフトモノマーとして用いて放射線グラフト重合を行うことにより、基材に直接、強塩基性基である第４級アンモニウム基を導入することができる。
【００３５】
塩基性基または酸性基に転換可能な基を有するグラフトモノマーとしては、アクリロニトリル、アクロレイン、ビニルピリジン、スチレン、クロロメチルスチレン、メタクリル酸グリシジル等が挙げられる。例えば、メタクリル酸グリシジルを放射線グラフト重合によって基材に導入し、次に亜硫酸ナトリウムなどのスルホン化剤を反応させることによって、強酸性基であるスルホン酸基を基材に導入したり、またはクロロメチルスチレンをグラフト重合したりした後に、基材をトリメチルアミン水溶液に浸漬して第４級アンモニウム化を行うことによって、強塩基性基である第４級アンモニウム基を基材に導入することができる。
【００３６】
イオン交換材料３４ｂを保持する芯材３４ａは、イオン交換材料３４ｂと接触することによって変質あるいは溶出しない素材からなる成形体であることが望ましく、例えばポリ四フッ化エチレン等のフッ素樹脂、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン系高分子からなる成形体であることが好ましい。この芯材３４ａの形状としては、基板Ｗから均一にレジストを除去し、該基板表面を破損しない形状であることが必要であるので、例えば、回転軸を持ち、回転によってイオン交換材料とレジストが塗布された基板の接触面積及び接触圧力が大きく変化しない形状、またはレジストが塗布された基板面に対してイオン交換材料が平行に移動することで、イオン交換材料と接触面積及び接触圧力が大きく変化しない形状であることが好ましい。したがって、円筒形、球形、樽形、円盤形等の回転体、あるいは平面または波板状等の形状である成形体であることが好ましい。
【００３７】
芯材３４ａへのイオン交換材料３４ｂの保持方法としては、シート状のイオン交換材料３４ｂを球状或いは円筒状等の芯材３４ａに固定するのであれば該イオン交換材料３４ｂを芯材３４ａにしわが寄らないように巻き付けて端部を接着剤で接着または糸で縫い付け、平面状の芯材（図示せず）であれば、端部を挟み込み、平面部分にしわができないように固定する。また、円筒状の芯材に対して、ニット素材で筒状に成形したイオン交換体材料を固定するのであれば、イオン交換体材料をしわが寄らないように芯材に装着して、外れないように端部を固定すればよい。
【００３８】
図４は、本発明の他の実施の形態のレジスト除去装置の主要部の斜視図を示す。この例の前述の例と異なる点は、芯材１３４ａとして、楕円体または球状のものを使用し、この芯材１３４ａを下降させたとき、芯材１３４ａの外周面のイオン交換材料１３４ｂの下部が基板ホルダ３０で保持した基板Ｗに点乃至円で接触した状態で、芯材１３４ａと基板ホルダ３０が回転するようになっている点にある。その他の構成は、上述したレジスト除去装置と同様である。図４に示すレジスト除去装置によれば、加工部の面積が小さくなって、加工部周辺への超純水１０の供給が容易に行われて、安定した条件で加工を行うことができる。
【００３９】
本発明のレジスト除去方法及びレジスト除去装置では、加工に用いる液体として、純水以外に添加剤として希薄な薬液を加えてもよい。例えば、２−プロパノール（ＩＰＡ）を加工液の極性を調整するために加えてもよい。上述したレジスト除去装置によれば、濃い薬液を用いないので、加工槽１２内の汚染は、レジスト除去工程で発生する反応生成物が主になり、レジスト除去後の基板のリンスや薬液処理が簡略化もしくは省略できる。また、使用した超純水の循環処理を行うことで、排水量も低減し、薬液の処理も不要であるので、稼動コストを極めて小さく抑え、かつ環境への負荷を低減することができる。
【００４０】
（実施例１）
シリコン基板（Ｓｉ基板）及び厚さ２００ｎｍの熱酸化膜（ＳｉＯ_２）を堆積させたシリコン基板の表面にレジストを塗布し、しかる後、パターニングして、プリベーク及びポストベークした試料を用意した。レジスト塗布の工程は表１の通りである。
【表１】

【００４１】
そして、図４に示すレジスト除去装置を使用し、基板ホルダ３０、レジスト除去具１３４をそれぞれ１０ｒｐｍ、３００ｒｐｍで回転させながら、超純水中で前記試料に形成したレジストの除去加工を３０分間行った。ここで、図４に示す芯材１３４ａとして、直径５０ｍｍの球状のものを、またイオン交換材料１３４ｂとして、下記の放射線グラフト重合法によって作製した強塩基性陰イオン交換繊維（強アニオン繊維）をそれぞれ使用した。
【００４２】
すなわち、強アニオン繊維の基材（主鎖）には、直径約２０μｍのポリエチレン繊維からなる不織布を用い、この不織布に電子線を照射した後、モノマーとしてクロロメチルスチレンをグラフト重合させ、１０％のトリメチルアミン水溶液を導入して１０％の水酸化ナトリウムの水溶液でＯＨ置換し、第４級アンモニウム基を有する強塩基性陰イオン交換繊維を作製した。アニオン繊維の厚さは０．５ｍｍで、交換容量は１．３ｍｅｑ／ｇであった。また、使用した超純水は、比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ、全有機炭素濃度（ＴＯＣ）と溶存酸素濃度（ＤＯ）がともに１ｐｐｂ以下であった。
【００４３】
加工速度を調べるために、イオン交換材料１３４ｂとして、前述の強アニオン繊維を用い、基板ホルダ３０、レジスト除去具１３４の回転速度をそれぞれ１０ｒｐｍ、３００ｒｐｍに設定し、常温（約２０℃）の超純水を使用して１５秒間の加工実験を行った。その結果、厚さ０．２５μｍのレジストが除去加工され、下地のシリコン酸化膜が露出したことから、加工速度は１μｍ／ｍｉｎ以上であることが分かった。この加工を、超純水の水温を３０℃にした以外は同じ条件で行った場合には、レジスト除去速度を２μｍ／ｍｉｎ程度まで、超純水の水温を４０℃にした場合には、レジスト除去速度を４μｍ／ｍｉｎ程度まで上げることができた。
【００４４】
（実施例２）
前述と同様な試料を用意し、イオン交換材料１３４ｂとして、強塩基性陰イオン交換繊維の代わりに強酸性陽イオン交換性繊維（強カチオン繊維）を使用して、前述の実施例１と同じ条件でレジスト除去加工を行った。
【００４５】
強カチオン繊維の基材には、強塩基性陰イオン交換膜に用いた基材と同様の不織布を用い、この不織布に電子線を照射した後、モノマーとしてメタノールで１０倍に希釈したメタクリル酸グリシジルを接触させ重合させた。次に、グラフト重合したＧＭＡ部分にイオン交換基を導入するため、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、イソプロパノールの混合水溶液に、得られた不織布を浸漬させた。この混合溶液の組成は、重量比で、亜硫酸ナトリウム８％、亜硫酸水素ナトリウム４％、イソプロパノール１２％である。このとき付加されるスルホン酸基はＮａ型になっているため、これをＨ型にするため７％に希釈した塩酸に浸漬して、スルホン酸基を有する強酸性陽イオン交換繊維を作製した。このレジスト除去に使用した強カチオン繊維の厚さは１．１ｍｍで、交換容量は２．５ｍｅｑ／ｇであった。
【００４６】
（比較例）
前述と同様な試料を用意し、芯材１３４ａの表面を、イオン交換基のついていないポリスチレン繊維で被覆して構成したレジスト除去具１３４を使用して、実施例１と同じ条件でレジスト除去加工を行った。
【００４７】
これらの実施例１、実施例２及び比較例によって、レジストが除去されたかどうか光学的顕微鏡を使用して確認した。その結果を下記の表２に示す。
【表２】

【００４８】
この表２に示す結果から、イオン交換材料として、強アニオン繊維を用いた場合（実施例１）には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）、シリコン（Ｓｉ）のいずれの基板でもレジストを完全に除去できることが分かる。イオン交換材料として、強カチオン繊維を用いた場合（実施例２）には、レジストは完全には除去されていないが、一部が除去された。イオン交換基のついていないポリエステル繊維を使用した場合（比較例）には、レジストはほとんど除去されなかった。このことから、この方法によるレジストの除去はイオン交換基が大きく作用していると考えられる。
【００４９】
以上、実施例は、強カチオン繊維、強アニオン繊維に限定して実施例を述べたが、例えばカルボキシル基を有する弱カチオン繊維や、例えばアミノ基を有する弱アニオン繊維、また繊維状ではなく膜状のイオン交換材料を用いた場合でもレジストの除去が可能であり、イオン交換材料官能基の種類はこれらに限定されるものではない。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ発生装置やオゾン水製造装置、水素水製造装置など特殊な装置を全く必要とすることなく、レジストを除去できるため、簡便かつ低コストでのレジストの除去が可能となる。また、常温でのレジスト除去が可能で、基板へのダメージは少ない。更に、本発明は、薬品を一切使用しないプロセスであるため環境への負荷を大幅に低減でき、しかも、超純水を使用することで、通常レジスト除去工程の後に行われる洗浄も必要とせず、工程も簡略化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のレジスト除去装置の一例を示す概念図である。
【図２】図１に示すレジスト除去装置本体を示す縦断面図である。
【図３】図１に示すレジスト除去装置本体の主要部を示す斜視図である。
【図４】本発明の他の実施の形態のレジスト除去装置の主要部を示す斜視図（図３相当図）である。
【符号の説明】
１０超純水
１２加工槽
１４レジスト除去装置本体
１６廃液タンク
１８超純水循環・精製部
２０高圧ポンプ
２２超純水循環・精製装置
２４プランジャポンプ
２６圧力トランスミッタ
２８高圧超純水供給装置
３０基板ホルダ
３２静圧軸受
３４，１３４レジスト除去具
３４ａ，１３４ａ芯材
３４ｂ，１３４ｂイオン交換材料
３６回転軸
４０超純水ノズル（液体供給機構）
４２超純水経路
４４液体温度制御部
Ｗ基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and apparatus for removing a resist film that is no longer needed from a substrate in a semiconductor device manufacturing process or a liquid crystal panel manufacturing process.
[0002]
[Prior art]
A resist removing method for removing unnecessary resist on a substrate such as a silicon substrate for a semiconductor device or a glass substrate for a liquid crystal panel is generally classified into a dry process using plasma and a wet process using a chemical solution. The dry process includes ashing in which the substrate is exposed to oxygen plasma, and oxidation removal by irradiation with ozone and UV. On the other hand, a wet process includes a method using a commercially available resist stripping solution (organic solvent) (for example, see Non-Patent Document 1) and a method using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution (so-called sulfuric acid-hydrogen peroxide) (for example, Literature 1) and the like are mainstream, and in some cases, resist stripping using ozone water (for example, see Non-Patent Literature 1) is also performed.
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-5-152268
[Non-patent document 1]
Hideo Horinabe, Seiji Noda, Tatsuo Kataoka: Stripping technology for LCD using ozone,
Mitsubishi Electric Technical Report, 75, (2001) 25
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the resist on the substrate is peeled off by the conventional dry process, an expensive apparatus such as a plasma generator is required, and the processing temperature becomes as high as 250 ° C. or more, and the substrate is exposed to this high temperature. Therefore, there is a problem that damage to the circuit is large. Further, when the resist on the substrate is removed by a wet process, a large amount of a chemical solution is used, so that there is a problem that the running cost is large and the load on the environment is large. In addition, although the removal of the resist on the substrate is widely performed by using ozone water having a small load on the environment, in this case, since the solubility of ozone in water is low, the removal rate is sufficiently increased. There is a problem that it is difficult. For this reason, there is a strong demand for the development of a resist removal method and apparatus capable of removing the resist on the substrate with low damage and low cost, and having a small load on the environment and a sufficient processing speed. I have.
[0005]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a resist removing method and apparatus which can remove a resist on a substrate at a low cost without damaging the substrate and also have a small environmental load. The purpose is to:
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The resist according to claim 1, wherein the ion exchange material is wetted with a liquid, and the ion exchange material and the substrate are relatively moved while the ion exchange material is in contact with the resist coating surface of the substrate. This is the removal method.
[0007]
As described above, the fiber or the membrane (ion exchange material) into which the ion exchange group is introduced is wetted with the liquid, and is moved relative to the resist coated surface while being in contact with the resist coated surface of the substrate, thereby removing the resist on the substrate. It can be easily removed. This eliminates the need for a special device such as a plasma generator or an ozone water producing device, and enables simple and low-cost removal of the resist. Further, unlike the dry process, the substrate is not exposed to high-temperature conditions, so that damage to the substrate is small. In addition, since the process does not use any chemicals, the load on the environment is greatly reduced.
[0008]
The invention according to claim 2 is characterized in that the ion exchange material has at least one type of ion exchange group selected from a quaternary ammonium group and a tertiary amino group. Is a method of removing the resist. In particular, when an ion exchange fiber having a quaternary ammonium group is used as the ion exchange material, a high-speed resist removal of 1 μm / min or more at room temperature (about 20 ° C.) can be performed.
[0009]
The invention according to claim 3 is the resist removing method according to claim 1, wherein the ion exchange material has at least one of a sulfonic acid group and a carboxyl group.
[0010]
The invention according to claim 4 is the method for removing a resist according to any one of claims 1 to 3, wherein the ion-exchange material is produced using a radiation graft polymerization method. . For example, by introducing a functional group that is a basic group or an acidic group into an organic polymer base material made of a conjugate fiber using a radiation graft polymerization method, the functional group density is high, and the thickness is uniform. An ion exchange material can be made.
[0011]
The invention according to claim 5 is the resist removal method according to any one of claims 1 to 4, wherein the liquid is ultrapure water. In this way, the use of ultrapure water prevents contamination of the substrate and the ion exchange material during the resist removal process, and simplifies the process by eliminating the need for cleaning that is usually performed after the resist removal process. Can be
[0012]
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a resist holder having a substrate holder for holding a substrate on which a resist is applied, and an ion exchange material, wherein the ion exchange material is brought into contact with a resist coating surface of the substrate held by the substrate holder. A resist removing apparatus comprising: a tool; a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the ion exchange material; and a drive unit for relatively moving the substrate holder and the resist processing tool.
[0013]
The invention according to claim 7 is the resist removing apparatus according to claim 6, further comprising a liquid temperature control unit that controls a temperature of a liquid supplied from the liquid supply mechanism to the ion exchange material. .
The invention according to claim 8 is characterized in that the ion exchange material has at least one type of ion exchange group selected from a quaternary ammonium group and a tertiary amino group. 8. The resist removing apparatus according to 7.
[0014]
The invention according to claim 9 is the resist removing apparatus according to claim 6 or 7, wherein the ion exchange material has at least one of a sulfonic acid group and a carboxyl group.
The invention according to claim 10 is the resist removing apparatus according to any one of claims 6 to 9, wherein the ion-exchange material is produced by using a radiation graft polymerization method. .
The invention according to claim 11 is the resist removal apparatus according to any one of claims 6 to 10, wherein the liquid is ultrapure water.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The substrate to be processed for removing the resist of the present invention is, for example, a silicon substrate or a glass substrate, but is not particularly limited as long as the substrate has a smooth surface coated with a resist. It is not particularly limited as long as it is a high-molecular-weight organic compound-based coating film.
[0016]
FIG. 1 shows an entire resist removing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the resist removing apparatus is made of, for example, stainless steel and has a resist removing apparatus main body 14 having a processing tank 12 for holding ultrapure water 10, a waste liquid tank 16, an ultrapure water circulation / purification section 18, An ultrapure water circulation / purification device 22 having a high pressure pump 20 and a high pressure ultrapure water supply device 28 having a plunger pump 24 and a pressure transmitter 26 are provided.
[0017]
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the resist removing device main body 14 of the resist removing device shown in FIG. As shown in FIG. 2, the resist removing apparatus main body 14 includes a substrate holder (sample stage) 30 that holds a semiconductor wafer or a glass substrate W for a liquid crystal panel in a detachable horizontal manner by suction or the like. The substrate holder 30 is disposed inside the processing tank 12 and has three degrees of freedom of XYθ. That is, the substrate W held by the substrate holder 30 can be horizontally moved in the X and Y directions while being immersed in the ultrapure water 10 so as to rotate on the horizontal plane about the vertical θ axis. Has become. The substrate holder 30 is supported by a hydrostatic bearing 32 (see FIG. 1) made of ultrapure water in both the radial direction and the thrust direction.
[0018]
FIG. 3 is a perspective view showing a main part of the resist removing apparatus main body 14 shown in FIG. As shown in FIG. 3, a cylindrical or cylindrical resist remover 34 whose axis OO extends in the horizontal direction is disposed above the substrate holder 30. The resist removing tool 34 is configured by attaching an ion exchange material 34b made of, for example, a fiber or a membrane into which an ion exchange group has been introduced, to the outer peripheral surface of a cylindrical or cylindrical core material 34a.
[0019]
The resist remover 34 extends along the axis OO and is connected to a vertically movable rotary shaft 36. The rotary shaft 36 is supported by a hydrostatic bearing (not shown) made of ultrapure water in both the radial direction and the thrust direction, similarly to the substrate holder 30. With such a configuration, the resist removing tool 34 rotates around the axis O-O with the rotation of the rotating shaft 36, and the distance between the resist removing tool 34 and the substrate W held by the substrate holder 30 can be adjusted. I have. At the time of the resist removal process, the resist removal tool 34 is lowered to bring the lower end of the ion exchange material 34b into contact with the surface of the substrate W held by the substrate holder 30.
[0020]
Here, the substrate holder 30 is configured to rotate around a vertical axis, and the resist removal tool 34 is rotated around a horizontal axis in a direction in which the ultrapure water 10 is wound. An ultrapure water nozzle 40 as a liquid supply mechanism for spraying ultrapure water at a high pressure between the substrate W held by the substrate holder 30 and the resist remover 34 is provided. Thus, while rotating at least one of the substrate W and the resist removing tool 34, the ultrapure water 10 is sprayed between the resist removing tool 34 and the substrate W from the upstream side in the rotation direction, and the resist removing tool 34 and the substrate Work products and the like that accumulate between W and the like can be effectively removed.
[0021]
As shown in FIG. 1, the ultrapure water nozzle 40 feeds the ultrapure water purified by the ultrapure water circulation / purification unit 18 of the ultrapure water circulation / purification unit 22 to the high pressure ultrapure water supply unit 28. The pressure is increased and supplied from the pressure transmitter 26 via the plunger pump 24. Also, as shown in FIG. 1, the ultrapure water 10 in the processing tank 12 overflows and accumulates in the waste liquid tank 16, is purified by the ultrapure water circulation / purification unit 18, and is returned directly to the processing tank 12. It is. A part of the ultrapure water 10 is also supplied to the hydrostatic bearing 32 via the high-pressure pump 20.
[0022]
As a liquid supply mechanism to the ion-exchange material 34b, a pump for ultrapure water that has a variable flow rate and does not emit eluate or particulate matter even when ultrapure water is used, and a pump controller Using ultrapure water obtained from an ultrapure water production apparatus or an ultrapure water supply line, by carrying the ultrapure water through the tube to the ion exchange material via the pure water pump. May be.
[0023]
Further, in this example, an example in which the ultrapure water nozzle 40 is used as a liquid supply mechanism to the ion exchange material 34b is shown, but a plurality of holes for water supply are opened inside the core material, and the holes are formed. The water may be supplied to the ion exchange material from above, or these holes may be combined with an ultrapure water nozzle.
[0024]
Further, in consideration of contamination of the substrate W and the ion exchange material 34b, an example is shown in which water used at the semiconductor industrial level, that is, ultrapure water is supplied to the ion exchanger material. The pure water preferably has, for example, a total organic carbon concentration (TOC) of 10 ppb or less and a specific resistance of 10 MΩ · cm or more. It is desirable to appropriately adjust the supply water flow rate, water pressure, water temperature, and supply timing according to the size and type of the target substrate to be processed, the type of resist, and the type and form of the ion exchange material.
[0025]
In particular, with respect to the water temperature, the resist removal rate at room temperature (about 20 ° C.) is at most 1 μm / min or more, which is practically sufficient. However, the resist removal rate can be further increased by increasing the water temperature. For example, it has been confirmed that when the water temperature is set to 30 ° C., the resist removal rate can be increased to about 2 μm / min, and when the water temperature is set to 40 ° C., the resist removal rate can be increased to about 4 μm / min. I have. As described above, since the water temperature affects the removal rate of the resist, as shown in FIG. 2, the water temperature flows along the ultrapure water path 42 that supplies the ultrapure water to the ultrapure water nozzle 40. A liquid temperature controller 44 for controlling the temperature of the ultrapure water is provided, and the temperature of the ultrapure water supplied to the ion exchange material 34b is set to 10 ° C or more and 100 ° C or less, preferably 30 ° C or more and 80 ° C or less, more preferably Adjust to 40 ° C or higher and 50 ° C or lower.
[0026]
In such a resist removing apparatus, the substrate W is held by the substrate holder 30, and the resist removing tool 34 is lowered to bring the ion exchange material 34b into linear or planar contact with the surface of the substrate W. In this state, while circulating the ultrapure water 10 in the processing tank 12 while refining it by the ultrapure water circulation / purification device 22, the substrate holder 30 and the resist removing tool 34 are simultaneously moved in the direction in which the ultrapure water 10 is wound. The resist is rotated, and ultrapure water is sprayed at high pressure between the resist removing tool 34 and the substrate W from the ultrapure water nozzle 40 arranged on the upstream side in the rotation direction. Thereby, the resist on the surface of the substrate W is removed.
[0027]
Here, the substrate holder 30 and the resist remover 34 are simultaneously rotated in the direction in which the ultrapure water 10 is wound, and ultrapure water is sprayed at a high pressure between the resist remover 34 and the substrate W from the upstream side in the rotation direction. Thereby, it becomes possible to effectively replace the ultrapure water 10 between the substrate W and the core material 34a, thereby efficiently removing a processing product and performing stable processing. it can.
[0028]
In this example, the movement of the resist removing tool 34 with respect to the substrate W on which the resist has been applied is such that the ion-exchange material 34b is brought into surface contact with the surface of the substrate W at a pressure that does not damage the surface of the substrate W in this example. Then, relative movement is performed so that the contact surface moves over the entire surface of the substrate W. As a method of the relative movement, the substrate W held by the substrate holder 30 is rotated while rotating the resist removing tool 34, and is simultaneously moved in the XY directions. When the ion exchange material is mounted on the lower surface of the disk-shaped flat member, the substrate may be scanned while rotating the ion exchange material. That is, if the ion-exchange material side is a rotating body, the rotation about the rotation axis and the translation of the rotation axis with respect to the substrate surface (scanning), and if the ion-exchange material side is planar, the rotation axis is perpendicular to the substrate surface. (Rotation) and translation of the rotation axis with respect to the substrate surface (scanning and revolution), rotation of the substrate with a rotation axis perpendicular to the substrate surface (rotation), and translation of the rotation axis with respect to the substrate surface (scanning and revolution) ) Are conceivable, and a relative movement may be performed in an appropriate combination.
[0029]
As the ion-exchange material 34b, it is preferable to use an ion-exchange fiber or an ion-exchange membrane formed into a film, a sheet, or the shape of the core 34a so as to be easily fixed to the core 34a. It is desirable to have a soft and smooth surface in consideration of the damage to the substrate surface due to the temporary contact. As the form of the ion exchange material 34b, a material having high water permeability is preferable, and an ion exchange fiber having a woven or nonwoven fabric as a base material is preferable. Furthermore, the ion-exchange fiber using a base material formed of a knit material so as to be easily held on the core material 34a does not need to form a seam when held at a portion that comes into contact with the resist-coated substrate surface, It is preferable for removing the resist uniformly.
[0030]
Since ion exchange fibers can increase the density of ion exchange groups (specific exchange capacity), an ion exchange nonwoven fabric, woven fabric, or knit made using a radiation graft polymerization method on an organic polymer fiber base material is used. Preferably, it is used. Examples of the organic polymer fiber base include polyolefin polymers such as polyethylene and polypropylene, and polyethylene terephthalate.
[0031]
The form of the fiber may be a single fiber of a single polymer, or a composite fiber in which the core and the sheath of the fiber are composed of different polymers. In the organic polymer base material consisting of, a functional group that is a basic group or an acidic group, which is introduced using a radiation graft polymerization method, has a high functional group density and can be uniformly manufactured in thickness, preferable.
[0032]
Examples of the radiation that can be used for producing the ion exchange material include α-rays, β-rays, γ-rays, ultraviolet rays, and electron beams, and it is preferable to use γ-rays or electron beams. The radiation graft polymerization method includes a pre-irradiation graft polymerization method in which a graft substrate is irradiated with radiation in advance and then brought into contact with a graft monomer to react with the graft substrate, and a simultaneous irradiation graft in which radiation is irradiated in the coexistence of the graft substrate and the graft monomer. There is a polymerization method, and any of these methods can be used for producing an ion exchange material. In addition, any of a liquid phase graft polymerization method, a gas phase graft polymerization method, and an impregnated gas phase graft polymerization method can be used for producing an ion exchange material, depending on the method of contacting the graft monomer with the substrate.
[0033]
In the production of the ion exchange material, examples of the ion exchange group to be introduced into the fiber base material include a quaternary ammonium group and a tertiary amino group as a basic group, and a sulfonic acid group and a carboxyl group as an acidic group. . These basic groups or acidic groups can be subjected to graft polymerization using a graft monomer having these basic groups or acidic groups, preferably radiation graft polymerization, or can be converted to these basic groups or acidic groups. It can be introduced into a fiber base material by using a graft monomer having a group and converting it to a basic group or an acidic group after graft polymerization.
[0034]
Examples of the graft monomer having a basic group or an acidic group that can be used for this purpose include acrylic acid, methacrylic acid, styrene sulfonate, methallyl sulfonate, allyl sulfonate, vinyl sulfonate, and vinyl halide. Benzyltrimethylammonium, diethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminopropylacrylamide and the like. For example, by performing radiation graft polymerization using sodium styrenesulfonate as a graft monomer, it is possible to directly introduce a sulfonic acid group, which is a strongly acidic group, into the base material. , A quaternary ammonium group, which is a strong basic group, can be directly introduced into the substrate.
[0035]
Examples of the graft monomer having a group convertible to a basic group or an acidic group include acrylonitrile, acrolein, vinylpyridine, styrene, chloromethylstyrene, glycidyl methacrylate and the like. For example, glycidyl methacrylate is introduced into a substrate by radiation graft polymerization, and then a sulfonating agent such as sodium sulfite is reacted to introduce a strongly acidic sulfonic acid group into the substrate, or chloromethyl After graft polymerization of styrene or the like, the substrate is immersed in an aqueous solution of trimethylamine to perform quaternary ammonium conversion, whereby a quaternary ammonium group, which is a strongly basic group, can be introduced into the substrate.
[0036]
The core material 34a holding the ion-exchange material 34b is preferably a molded body made of a material that does not deteriorate or elute when it comes into contact with the ion-exchange material 34b, for example, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene, polyethylene or polypropylene. It is preferable that the molded article is made of a polyolefin-based polymer such as As the shape of the core material 34a, it is necessary that the resist is uniformly removed from the substrate W and the substrate surface is not damaged. For example, the core material 34a has a rotation axis, and the ion exchange material and the resist are rotated. A shape in which the contact area and contact pressure of the applied substrate do not change significantly, or the ion exchange material moves in parallel with the resist-coated substrate surface, causing a large change in the contact area and contact pressure with the ion exchange material It is preferable that the shape is not formed. Therefore, it is preferable that the rotating body has a cylindrical shape, a spherical shape, a barrel shape, a disk shape or the like, or a molded body having a shape such as a flat or corrugated shape.
[0037]
As a method of holding the ion-exchange material 34b on the core 34a, if the sheet-like ion-exchange material 34b is fixed to a spherical or cylindrical core 34a, the ion-exchange material 34b is wrinkled on the core 34a. The core is wrapped so as not to be wrapped and the end is bonded with an adhesive or sewn with a thread. If the core is a flat core material (not shown), the end is sandwiched and the flat portion is fixed so as not to be wrinkled. Also, if the ion exchanger material molded into a tubular shape with a knit material is fixed to the cylindrical core material, the ion exchanger material is attached to the core material so as not to wrinkle and does not come off. The ends may be fixed as follows.
[0038]
FIG. 4 is a perspective view of a main part of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention. The difference of this example from the aforementioned example is that an elliptical or spherical material is used as the core material 134a, and when the core material 134a is lowered, the lower part of the ion exchange material 134b on the outer peripheral surface of the core material 134a The point is that the core material 134a and the substrate holder 30 are rotated in a state where the substrate W held by the substrate holder 30 is in contact with the substrate at a point or a circle. Other configurations are the same as those of the above-described resist removing apparatus. According to the resist removing apparatus shown in FIG. 4, the area of the processing portion is reduced, the ultrapure water 10 is easily supplied to the periphery of the processing portion, and the processing can be performed under stable conditions.
[0039]
In the resist removing method and the resist removing apparatus of the present invention, as a liquid used for processing, a dilute chemical solution may be added as an additive in addition to pure water. For example, 2-propanol (IPA) may be added to adjust the polarity of the working fluid. According to the above-described resist removing apparatus, since the concentrated chemical is not used, the contamination in the processing tank 12 is mainly a reaction product generated in the resist removing step, and rinsing of the substrate after removing the resist and chemical treatment are simplified. Or can be omitted. Further, by performing the circulating treatment of the used ultrapure water, the amount of wastewater is reduced, and the treatment of the chemical solution is not required. Therefore, the operating cost can be extremely reduced and the burden on the environment can be reduced.
[0040]
(Example 1)
Silicon substrate (Si substrate) and thermal oxide film (SiO ₂ A resist was applied to the surface of the silicon substrate on which was deposited), and then patterned to prepare a sample that had been pre-baked and post-baked. Table 1 shows the steps of resist coating.
[Table 1]

[0041]
Then, the resist formed on the sample was removed in ultrapure water for 30 minutes while rotating the substrate holder 30 and the resist remover 134 at 10 rpm and 300 rpm, respectively, using the resist remover shown in FIG. . Here, a spherical material having a diameter of 50 mm is used as the core material 134a shown in FIG. 4, and a strongly basic anion exchange fiber (strong anion fiber) produced by the following radiation graft polymerization method is used as the ion exchange material 134b. used.
[0042]
That is, a non-woven fabric made of polyethylene fibers having a diameter of about 20 μm was used as the base material (main chain) of the strong anionic fiber, and after irradiating the non-woven fabric with an electron beam, chloromethylstyrene was graft-polymerized as a monomer to obtain a 10% An aqueous solution of trimethylamine was introduced and OH-substituted with an aqueous solution of 10% sodium hydroxide to prepare a strongly basic anion exchange fiber having a quaternary ammonium group. The thickness of the anion fiber was 0.5 mm, and the exchange capacity was 1.3 meq / g. The ultrapure water used had a specific resistance of 18 MΩ · cm and a total organic carbon concentration (TOC) and a dissolved oxygen concentration (DO) of 1 ppb or less.
[0043]
In order to investigate the processing speed, the above-mentioned strong anionic fiber was used as the ion exchange material 134b, and the rotation speeds of the substrate holder 30 and the resist removal tool 134 were set to 10 rpm and 300 rpm, respectively. A 15 second processing experiment was performed using water. As a result, since the resist having a thickness of 0.25 μm was removed and the underlying silicon oxide film was exposed, it was found that the processing speed was 1 μm / min or more. When this processing was performed under the same conditions except that the water temperature of the ultrapure water was set to 30 ° C., the resist removal rate was increased to about 2 μm / min, and when the water temperature of the ultrapure water was set to 40 ° C., the resist was removed. The removal rate could be increased to about 4 μm / min.
[0044]
(Example 2)
A sample similar to that described above was prepared, and a strongly acidic cation exchange fiber (strong cation fiber) was used as the ion exchange material 134b instead of the strongly basic anion exchange fiber, under the same conditions as in Example 1 described above. The resist was removed.
[0045]
As the base material of the strong cationic fiber, a nonwoven fabric similar to the base material used for the strongly basic anion exchange membrane was used. After irradiating the nonwoven fabric with an electron beam, glycidyl methacrylate diluted 10-fold with methanol as a monomer was used. Was contacted and polymerized. Next, the resulting nonwoven fabric was immersed in a mixed aqueous solution of sodium sulfite, sodium hydrogen sulfite, and isopropanol in order to introduce an ion exchange group into the graft-polymerized GMA portion. The composition of this mixed solution is 8% sodium sulfite, 4% sodium bisulfite, and 12% isopropanol by weight. Since the sulfonic acid group added at this time was in the Na type, the sulfonic acid group was immersed in hydrochloric acid diluted to 7% in order to convert the sulfonic acid group into the H type to prepare a strongly acidic cation exchange fiber having a sulfonic acid group. The thickness of the strong cationic fiber used for removing the resist was 1.1 mm, and the exchange capacity was 2.5 meq / g.
[0046]
(Comparative example)
A sample similar to that described above was prepared, and a resist removal process was performed under the same conditions as in Example 1 using a resist removal tool 134 constituted by coating the surface of the core material 134a with a polystyrene fiber having no ion exchange group. went.
[0047]
Using Examples 1, 2 and Comparative Examples, it was confirmed using an optical microscope whether or not the resist had been removed. The results are shown in Table 2 below.
[Table 2]

[0048]
From the results shown in Table 2, when a strong anionic fiber was used as the ion exchange material (Example 1), the silicon oxide film (SiO 2 ₂ It can be seen that the resist can be completely removed from any substrate of silicon (Si). When a strong cationic fiber was used as the ion exchange material (Example 2), the resist was not completely removed, but was partially removed. When a polyester fiber having no ion-exchange group was used (Comparative Example), the resist was hardly removed. From this, it is considered that the removal of the resist by this method largely depends on the ion exchange group.
[0049]
As described above, the examples are limited to strong cationic fibers and strong anionic fibers.However, for example, weak cationic fibers having a carboxyl group, and weak anionic fibers having an amino group, for example, are not fibrous, but are in the form of a film. The resist can be removed even when the ion exchange material is used, and the type of the ion exchange material functional group is not limited to these.
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the resist can be removed without any special device such as a plasma generator, an ozone water production device, and a hydrogen water production device, so that the resist can be easily and inexpensively manufactured. Can be removed. Further, the resist can be removed at room temperature, and damage to the substrate is small. Further, the present invention can significantly reduce the burden on the environment because it is a process that does not use any chemicals.Moreover, by using ultrapure water, cleaning that is usually performed after the resist removal step is not necessary, The process can also be simplified.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating an example of a resist removing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a resist removing apparatus main body shown in FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a main part of the main body of the resist removing apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a perspective view (corresponding to FIG. 3) showing a main part of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10 Ultra pure water
12 Processing tank
14 Resist remover body
16 Waste liquid tank
18 Ultrapure water circulation / refining unit
20 High pressure pump
22 Ultrapure water circulation / purification equipment
24 plunger pump
26 Pressure transmitter
28 High pressure ultrapure water supply device
30 Substrate holder
32 hydrostatic bearing
34,134 Resist remover
34a, 134a core material
34b, 134b Ion exchange material
36 rotation axis
40 Ultrapure water nozzle (liquid supply mechanism)
42 Ultrapure water path
44 Liquid temperature controller
W substrate

Claims

A method of removing a resist, comprising: wetting an ion-exchange material with a liquid; and relatively moving the ion-exchange material and the substrate while bringing the ion-exchange material into contact with the resist-coated surface of the substrate.

2. The method according to claim 1, wherein the ion exchange material has at least one type of ion exchange group selected from quaternary ammonium groups and tertiary amino groups.

2. The method according to claim 1, wherein the ion exchange material has at least one of a sulfonic acid group and a carboxyl group.

4. The method according to claim 1, wherein the ion-exchange material is prepared by using a radiation graft polymerization method.

5. The method according to claim 1, wherein the liquid is ultrapure water.

A substrate holder for holding a substrate coated with resist,
A resist processing tool having an ion exchange material and bringing the ion exchange material into contact with a resist coated surface of a substrate held by the substrate holder;
A liquid supply mechanism for supplying a liquid to the ion exchange material,
A resist removing apparatus, comprising: a driving unit that relatively moves the substrate holder and the resist processing tool.

7. The resist removing apparatus according to claim 6, further comprising a liquid temperature control unit that controls a temperature of a liquid supplied from the liquid supply mechanism to the ion exchange material.

8. The resist removing apparatus according to claim 6, wherein the ion exchange material has at least one kind of ion exchange group selected from quaternary ammonium groups and tertiary amino groups.

The resist removing apparatus according to claim 6, wherein the ion exchange material has at least one of a sulfonic acid group and a carboxyl group.

The resist removing apparatus according to claim 6, wherein the ion exchange material is manufactured using a radiation graft polymerization method.

11. The resist removing apparatus according to claim 6, wherein the liquid is ultrapure water.