JP2004273635A - Dicing equipment and dicing method - Google Patents

Dicing equipment and dicing method Download PDF

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JP2004273635A
JP2004273635A JP2003060254A JP2003060254A JP2004273635A JP 2004273635 A JP2004273635 A JP 2004273635A JP 2003060254 A JP2003060254 A JP 2003060254A JP 2003060254 A JP2003060254 A JP 2003060254A JP 2004273635 A JP2004273635 A JP 2004273635A
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dicing
wafer
substrate
pusher
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Terunao Hanaoka
輝直 花岡
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide dicing equipment and a dicing method in which a substrate can be diced stably even when a substrate having a plurality of circuit elements formed integrally is warped. <P>SOLUTION: The dicing equipment 100 for cutting a wafer 50 having a plurality of IC chips formed integrally into individual IC chips comprises a stage 5 for securing the circumferential edge part of the wafer 50, a pusher 3 for supporting the cutting part of the wafer 50 having a circumferential edge part being secured by the stage 5 from one side, and a blade 1 for dicing the cutting part of the wafer 50 having one side being supported by the pusher 3 from the other side. Even if the wafer 50 is warped, the cutting part of the wafer 50 can be supported continually by means of the pusher 3. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイシング装置及びダイシング方法に係り、特に、能動面が封止用の樹脂で覆われた半導体ウエーハを複数のチップに分割するダイシング工程に適用して好適なダイシング装置及びその方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は従来例に係るダイシング装置90の構成例を示す断面図である。図5において、ダイシングされる半導体ウエーハ(以下で、ウエーハという)50には上層部分と下層部分とがある。このウエーハ50の下層部分は、多数のIC(integrated circuit)チップが作り込まれたシリコン層である。また、このウエーハ50の上層部分は、ICチップの能動面側を封止する厚い樹脂層である。この樹脂層から、ICのボール電極52が露出している。ダイシング装置90では、この樹脂封止されたウエーハ50が、ステージ95にセットされる。
【0003】
図6はステージ95の構成例を示す平面図である。このステージ95のウエーハ50が載置される面は平坦である。また、ウエーハ50が載置される特定の位置97には、複数の吸気孔96が設けられている。これらの吸気孔96は、図示しない排気ポンプに接続されており、これらの吸気孔96から吸気することによって、ウエーハ50はステージ95側に引き寄せられる。
【0004】
ダイシング装置90を用いたダイシング工程では、高速回転しているダイシングブレード1 がウエーハ50のスクライブラインに当てられてダイシング作業が行なわれる。ウエーハ50はICチップの4辺に設けられたスクライブラインに沿ってダイシングされ、W−CSP(wafer−chip size package)等の超小型パッケージに分割される。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−190664号公報
【特許文献2】
特開昭62−151306号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ウエーハ50の下層部分であるシリコン層は、高温処理を伴うウエーハプロセスを経て、多数のIC(integrated circuit)チップが作り込まれたものである。このため、シリコン層には反りが生じていることが多い。また、特に、シリコン層の能動面側に厚い樹脂層がある場合には、この樹脂層によってシリコン層に収縮方向への応力が働くので、ウエーハ50の反りも大きくなる傾向がある。
【0007】
それゆえ、ウエーハ50をダイシングする際には、多くの場合、ウエーハ50とステージ95との間に僅かな空間が生じてしまい、ウエーハ50の全面を吸着支持することができない。そして、このようなウエーハ50において、特にステージ95との間に僅かな空間を有する部位にダイシングブレード1が当たると、この部位を中心にウエーハ50は上下方向にばたついてしまい、シリコン層にチッピング(マイクロクラック)が生じてしまうおそれがある。シリコン層にチッピングが生じてしまうと、ICチップの信頼性が低下してしまう。
【0008】
そこで、この発明は、このような従来技術の問題点を解決したものであって、複数の回路素子が一体に形成されてなる基板が反っている場合でも、この基板を安定してダイシングできるようにしたダイシング装置及びダイシング方法の提供を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、本発明に係る第1のダイシング装置は、複数の回路素子が一体に形成されてなる基板を切断して個々の回路素子に分けるダイシング装置において、この基板の周縁部を固定する固定手段と、この固定手段によって周縁部が固定される基板の被切断部位を一方の側から支持する支持手段と、この支持手段によって一方の側が支持される被切断部位を他方の側から切断する切断手段とを備えたことを特徴とするものである。
【0010】
本発明に係る第2のダイシング装置は、上述した第1の半導体装置において、基板の一方の側には基板保持用のシート部材が貼付されており、支持手段は、このシート部材を押圧することにより基板の被切断部位を一方の側から支持することを特徴とするものである。
本発明に係る第3のダイシング装置は、上述した第2の半導体装置において、支持手段のシート部材を押圧する部位に、外周面の滑らかな転動体を有し、この転動体の外周面で基板の被切断部位を一方の側から支持することを特徴とするものである。
【0011】
本発明に係る第4のダイシング装置は、上述した第2の半導体装置において、支持手段のシート部材を押圧する部位に、全方向に回転可能な球体を有し、この球体の外周面で基板の被切断部位を一方の側から支持することを特徴とするものである。
ここで、ダイシング装置の切断手段には、通常、ダイシングブレードと呼ばれる円盤型のカッターが用いられる。このダイシングブレードは、高速回転しながら基板の被切断部位を走査して、基板を個々の回路素子に切断するものである。
【0012】
本発明に係る第1〜第4のダイシング装置によれば、複数の回路素子が一体に形成されてなる基板はその周縁部のみが固定手段によって固定される。また、この固定手段から浮いている状態の基板の被切断部位はその一方の側が支持手段によって局所的に支持される。そして、被切断部位のうち、支持手段によって局所的に支持されている部位の他方の側に切断手段が当接される。この状態で、支持手段は切断手段と連動して基板に対して相対的に移動し、被切断部位は支持手段と切断手段とに挟まれて切断される。
【0013】
従って、基板が反っている場合でも、この基板の被切断部位を間断なく支持することができ、切断手段から被切断部位にかかる力を支持手段で受けることができる。これにより、基板を安定してダイシングすることができ、チッピングの発生を低減することができる。
本発明に係るダイシング方法は、複数の回路素子が一体に形成されてなる基板を切断して、個々の回路素子に分けるダイシング方法において、この基板の一方の側に基板保持用のシート部材を貼付する工程と、このシート部材が貼付された基板の周縁部のみを固定する工程と、シート部材を押圧して基板の被切断部位を一方の側から支持する工程と、一方の側が支持された被切断部位を他方の側から切断する工程とを有することを特徴とするものである。本発明に係るダイシング方法によれば、基板が反っている場合でも、基板を安定してダイシングすることができ、チッピングの発生を低減することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態に係るダイシング装置と、ダイシング方法について説明する。
(1)第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態に係るダイシング装置100の構成例を示す断面図である。このダイシング装置100は、多数のICチップが一体に形成された半導体ウエーハ50を切断して個々の回路素子に分ける装置である。
【0015】
図1に示すように、このダイシング装置100は、半導体ウエーハ50の周縁部を吸着しながら固定するステージ5と、このステージ5によって周縁部が固定される半導体ウエーハ50のうち、スクライブラインに沿った被切断部位を下側から支持するプッシャー3と、このプッシャー3によって支持される被切断部位を上側から切断するダイシングブレード(以下で、ブレードという)1とを備えている。
【0016】
半導体ウエーハ50は、例えば図5を参照しながら説明したように、多数のICチップが作り込まれたシリコン層上に厚い樹脂層が設けられ、この樹脂層から、ICのボール電極52が露出したものである。図1において、この半導体ウエーハ50の直径は、例えば12インチ(約300mm)程度である。また、ボール電極52間の距離(ピッチ)は、例えば300μm程度である。
【0017】
このボール電極52の反対側には、ダイシングシート10が貼られている。このダイシングシート10のウエーハ50側には、紫外線硬化型の粘着材が塗布されている。ダイシング工程では、分割前後のウエーハ50は、このダイシングシート10によって粘着保持される。図1に示すように、このウエーハ50はダイシングシート10を下方に向けてステージ5にセットされる。
【0018】
ステージ5は、ダイシングシート10が貼られたウエーハ50をブレード1や、プッシャー3に対して所定の高さに保持するものであり、このウエーハ50の周縁部を固定するように設計されている。図1に示すように、ウエーハ50の周縁部であって、そのダイシングシート10側がステージ5上に載せられる。このステージ5のウエーハ50が載せられる面は凹凸がなく平坦である。
【0019】
また、図2に示すように、このステージ5のウエーハ50が載せられる位置(以下で、ウエーハ載置位置という)7には、複数の吸気孔8が設けられている。これらの吸気孔8は図示しない排気ポンプに接続されている。この排気ポンプを動作させて吸気孔8から吸気することによって、ウエーハ50の周縁部をステージ5に吸着し、固定することができる。
【0020】
さらに、このウエーハ載置位置7の内側には、平面視で略円形状の開口部9が設けられている。ウエーハ載置位置7の直径は、半導体ウエーハ50の大きさに対応して、例えば300mm程度である。また、開口部9の直径は例えば280mm程度である。吸気孔8の直径は2mm程度であり、等間隔に20〜40個程度設けられている。このステージ5は、図示しないモータ等によって、図1のX−Y方向に移動するように設計されている。
【0021】
ブレード1は、ダイヤモンド粒子を含むボンド材が円盤状に形成された、いわゆるダイヤモンドカッターである。このブレード1は、ブレードホルダー2に軸着されており、図示しないモータ等によって、図1のYZ平面上を所定の角速度で回転可能に設計されている。また、このブレード1を支持するブレードホルダー2は、ブレード1を支持した状態で、図示しないモータ等によって図1のZ方向に移動できるように設計されている。
【0022】
プッシャー3は、図1に示すように、ステージ5に設けられた開口部9の下方に設けられている。このプッシャー3は、その先端部4が棒状になっており、そのX−Y断面の形状は例えば略円形である。また、この先端部4のダイシングシート10を押圧する部位は、角部が削られてR状になっている。この先端部4は、例えばその本体がステンレス等の金属で構成されており、この本体上にフッ素樹脂等の低摩擦性の樹脂が塗布されている。また、このプッシャーの先端部4は、その取付け位置がブレード1と同軸で、図示しないモータ等によってZ方向に移動できるように設計されている。
【0023】
このように構成されたダイシング装置100を用いて、半導体ウエーハ50を個々のパッケージに切り分ける際には、このダイシング装置100を例えば以下のように操作する。
まず始めに、吸着テーブル5の吸気孔8(図2参照)を吸気状態にしておく。この状態で、ウエーハ50のダイシングシート10側をステージ5のウエーハ載置位置7(図2参照)に載せる。これにより、ウエーハ50の周縁部をステージ5に固定する。次に、このステージ5を図1のX−Y方向に移動させて、ウエーハ50の被切断部位がブレード1の下、即ちプッシャーの先端部4上にくるように位置調整する。
【0024】
次に、プッシャーの先端部4を上方に移動させてダイシングシート10を押圧し、ウエーハ50のスクライブラインに沿った被切断部位を局所的に支持する。この状態で、高速回転するブレード1を下方に移動させ、プッシャーの先端部4によって下側から支持されている被切断部位にブレード1を当接させる。そして、ブレード1とプッシャー3を図1のX―Y方向に対し固定した状態で、ステージ5をスクライブラインに沿ってX方向、Y方向に移動させる。これにより、ウエーハ50の被切断部位はプッシャーの先端部4に支持された状態で切断され、ウエーハ50は複数のパッケージに分割される。
【0025】
このように、本発明に係るダイシング装置100によれば、ウエーハ50はその周縁部のみがステージ5に固定される。また、このステージ5から浮いている状態のウエーハ50の被切断部位はその一方の側がプッシャー3によって局所的に支持される。そして、被切断部位のうち、プッシャー3によって局所的に支持されている部位の他方の側にブレード1が当接される。この状態で、プッシャー3はブレード1と連動してウエーハ50に対して相対的に移動し、スクライブラインに沿った被切断部位はプッシャー3とブレード1に挟まれて切断される。
【0026】
従って、ウエーハ50が反っている場合でも、ウエーハ50の被切断部位を間断なく支持することができ、ブレード1から被切断部位にかかる力をプッシャー3で受け止めることができる。これにより、ウエーハ50のばたつきを抑えることができ、ウエーハ50を安定してダイシングすることができる。それゆえ、チッピングの発生を低減することができる。
【0027】
この第1実施形態では、ブレード1は本発明の切断手段に対応し、プッシャー3は本発明の支持手段に対応している。また、ステージ5は本発明の固定手段に対応し、ダイシングシート10は本発明のシート部材に対応している。さらに、ウエーハ50は、本発明の基板に対応している。
なお、この第1実施形態では、図1に示すダイシング装置100を用いたダイシング方法について、ブレード1とプッシャー3とをX―Y方向に固定した状態で、ステージ5をスクライブラインに沿ってX―Y方向に移動させ、ウエーハ50をダイシングする場合について説明したが、ウエーハ50のダイシング方法はこれに限られることはない。ステージ5をX―Y方向に固定した状態で、ブレード1とプッシャー3とをスクライブラインに沿ってX―Y方向に同軸で移動させても良い。この場合でも、ステージ5を移動させてダイシングする場合と同様の作用効果を得ることができる。
(2)その他の実施形態
上述の第1実施形態では、プッシャー3の先端部4を棒状とし、そのダイシングシート10を押圧する部位をR状とする場合について説明したが、プッシャー3の先端部は、これに限られることはない。例えば、先端部4のダイシングシート10を押圧する部位は、滑らかな外周面を有するローラーでも良い。
【0028】
図3は本発明の第2実施形態に係るダイシング装置200の構成例を示す断面図である。図3に示すダイシング装置200において、図1に示したダイシング装置100と同一な構造を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。図3に示すダイシング装置200では、プッシャーの先端部4´は、その取付け位置がブレード1と同軸で、図示しないモータ等によって図3のZ方向に移動できるように設計されている。また、この先端部4´は、図3の矢印で示すように、Z軸上で自転できるように設計されている。さらに、この先端部4´のダイシングシート10を押圧する部位が、滑らかな外周面を有するローラーとなっている。
【0029】
このローラーは、例えばステンレス等の金属からなるローラー本体と、このローラー本体に塗布された低摩擦性のフッ素樹脂等から構成されている。或いは、このローラーは、硬ゴム等のみから構成されていても良い。このような構造により、ウエーハ50の被切断部位をローラーの外周面で支持した状態で、ステージ5をX―Y方向に移動させると、このステージ5の移動方向に合わせて先端部4´の向きが変わってローラーが回転する。従って、ダイシング装置100と比べて、プッシャーの先端部4´とダイシングシート10との間に生じる摩擦力を小さくすることができ、ウエーハ50を円滑にダイシングすることができる。
【0030】
図3に示す第2実施形態では、先端部4´に設けられたローラーが、本発明の転動体に対応している。また、本発明の転動体は、ローラーに限られることはなく、例えば、先端部4´に軸支された球体でも良い。
さらに、プッシャー3の先端部4であってダイシングシート10を押圧する部位は、例えば、市販されているボールペンのペン先のように、先端部に対して全方向に回転可能な(回転自在な)ボールでも良い。
【0031】
図4は本発明の第3実施形態に係るダイシング装置300の構成例を示す断面図である。図4示すダイシング装置300において、図1に示したダイシング装置100と同一な構造を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。図4に示すダイシング装置200では、このプッシャーの先端部4´´は、その取付け位置がブレード1と同軸で、図示しないモータ等によって図4のZ方向に移動できるように設計されている。また、先端部4´´のダイシングシート10を押圧する部位は、この先端部4´´に対して回転自在なボールとなっている。
【0032】
このボールは、例えばステンレス等の金属からなるボール本体と、このボール本体に塗布された低摩擦性のフッ素樹脂等から構成される。或いは、このボールは、フッ素樹脂だけから構成されていても良い。このような構造により、ウエーハ50の被切断部位をボールの外周面で支持した状態で、ステージ5をX―Y方向に移動させると、このステージ5の移動方向に合わせてボールが自在に回転する。
【0033】
従って、ダイシング装置100、200と比べて、プッシャーの先端部4´´とダイシングシート10との間に生じる摩擦力をさらに小さくすることができる。図4に示す第3実施形態では、先端部4´´に設けられたボールが、本発明の球体に対応している。
なお、上述の第1〜第3実施形態では、プッシャーの先端部4及び4´、4´´をダイシングシート10に点接触させて、このダイシングシート10を押圧する場合について説明したが、プッシャー3の先端部をダイシングシート10に接触させずに、このダイシングシート10を押圧する方法を採っても良い。この場合には、同極性の(電)磁極間に生じる反発力を応用する。例えば、ダイシングシート10には正の磁性を帯びた金属紛等を封入したものを使用する。また、プッシャー3には正の磁性を帯びたものを使用する。これにより、ダイシングシート10とプッシャー3間に反発力が生じ、ダイシングシート10が押圧される。この場合でも、被切断部位をプッシャー3を用いて間断なく支持することができるので、ウエーハ50のバタツキを防止することができる。
【0034】
また、この方法では、プッシャー3とダイシングシート10とが点接触ではなく、非接触なので、ウエーハ50を支持する際に与えてしまう物理的な衝撃を軽減することができる。このため、この非接触の方法は、厚みの薄いウエーハをダイシングする際に有利である。
さらに、ダイシングシート10をプッシャー3の先端部4に引き寄せて、このプッシャー3とダイシングシート10との間に隙間が生じないように密着させても良い。この場合には、異極性の(電)磁極間に生じる引力を応用して用いる。例えば、ダイシングシート10には、正の磁性を帯びた金属紛等を封入したものを使用する。また、プッシャー3には、負の磁性を帯びたものを使用する。この場合でも、被切断部位を間断なく支持することができるので、ウエーハ50のバタツキを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係るダイシング装置100の構成例を示す断面図。
【図2】ステージ5の構成例を示す平面図。
【図3】第2実施形態に係るダイシング装置200の構成例を示す断面図。
【図4】第3実施形態に係るダイシング装置300の構成例を示す断面図。
【図5】従来例に係るダイシング装置90の構成例を示す断面図。
【図6】従来例に係るステージ95の構成例を示す平面図。
【符号の説明】
1 ブレード、2 ブレードホルダー、3 プッシャー、4、4´、4´´ 先端部、5 ステージ、7 ウエーハ載置位置、8 吸気孔、9 開口部、10ダイシングシート、50 ウエーハ、52 ボール電極、100、200、300 ダイシング装置
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a dicing apparatus and a dicing method, and more particularly to a dicing apparatus and a dicing method suitable for dicing a semiconductor wafer having an active surface covered with a sealing resin into a plurality of chips. It is.
[0002]
[Prior art]
FIG. 5 is a sectional view showing a configuration example of a dicing apparatus 90 according to a conventional example. In FIG. 5, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) 50 to be diced has an upper layer portion and a lower layer portion. The lower layer of the wafer 50 is a silicon layer on which a number of integrated circuit (IC) chips are built. The upper layer portion of the wafer 50 is a thick resin layer for sealing the active surface side of the IC chip. The ball electrode 52 of the IC is exposed from the resin layer. In the dicing apparatus 90, the resin-sealed wafer 50 is set on a stage 95.
[0003]
FIG. 6 is a plan view showing a configuration example of the stage 95. The surface of the stage 95 on which the wafer 50 is placed is flat. At a specific position 97 where the wafer 50 is placed, a plurality of intake holes 96 are provided. The suction holes 96 are connected to an exhaust pump (not shown), and the wafer 50 is drawn toward the stage 95 by sucking air from the suction holes 96.
[0004]
In the dicing process using the dicing apparatus 90, the dicing blade 1 rotating at a high speed is applied to a scribe line of the wafer 50 to perform a dicing operation. The wafer 50 is diced along scribe lines provided on four sides of the IC chip, and divided into ultra-small packages such as W-CSP (wafer-chip size package).
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-190664 [Patent Document 2]
JP-A-62-151306
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the silicon layer, which is the lower layer of the wafer 50, is one in which many IC (integrated circuit) chips are built through a wafer process involving high-temperature processing. For this reason, the silicon layer is often warped. In particular, when there is a thick resin layer on the active surface side of the silicon layer, stress in the contraction direction acts on the silicon layer by the resin layer, and therefore, the warpage of the wafer 50 tends to increase.
[0007]
Therefore, when dicing the wafer 50, a small space is often generated between the wafer 50 and the stage 95, and the entire surface of the wafer 50 cannot be suction-supported. When the dicing blade 1 hits a part of the wafer 50 having a small space between the wafer and the stage 95 in particular, the wafer 50 flaps up and down around the part, and the chipping of the silicon layer occurs. (Microcracks) may occur. If chipping occurs in the silicon layer, the reliability of the IC chip decreases.
[0008]
Therefore, the present invention is to solve such a problem of the prior art, and is capable of stably dicing this substrate even when a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed is warped. It is an object of the present invention to provide a dicing apparatus and a dicing method.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, a first dicing apparatus according to the present invention is a dicing apparatus that cuts a substrate having a plurality of circuit elements formed integrally and divides the substrate into individual circuit elements. Fixing means for fixing the portion, supporting means for supporting the cut portion of the substrate to which the peripheral portion is fixed by the fixing means from one side, and the cut portion which is supported on one side by the support means. Cutting means for cutting from the side.
[0010]
In the second dicing apparatus according to the present invention, in the above-described first semiconductor device, a sheet member for holding the substrate is attached to one side of the substrate, and the supporting unit presses the sheet member. Thus, the cut portion of the substrate is supported from one side.
According to a third dicing apparatus of the present invention, in the above-mentioned second semiconductor device, a rolling member having a smooth outer peripheral surface is provided at a portion of the supporting means for pressing the sheet member, and a substrate is provided on the outer peripheral surface of the rolling member. Is supported from one side.
[0011]
A fourth dicing apparatus according to the present invention, in the above-described second semiconductor device, has a sphere that can rotate in all directions at a position where the sheet member of the support means is pressed, and an outer peripheral surface of the sphere forms a substrate. The cutting portion is supported from one side.
Here, a disc-shaped cutter called a dicing blade is usually used as a cutting means of the dicing device. The dicing blade scans a cut portion of the substrate while rotating at a high speed, and cuts the substrate into individual circuit elements.
[0012]
According to the first to fourth dicing apparatuses according to the present invention, only a peripheral portion of a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed is fixed by fixing means. One side of the cut portion of the substrate floating from the fixing means is locally supported by the support means. The cutting means abuts on the other side of the part to be cut which is locally supported by the support means. In this state, the supporting means moves relative to the substrate in conjunction with the cutting means, and the cut portion is cut by being sandwiched between the supporting means and the cutting means.
[0013]
Therefore, even when the substrate is warped, the cut portion of the substrate can be supported without interruption, and the force applied to the cut portion from the cutting means can be received by the support means. Thereby, the substrate can be stably diced, and the occurrence of chipping can be reduced.
The dicing method according to the present invention is a dicing method for cutting a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed and dividing the substrate into individual circuit elements, wherein a sheet member for holding a substrate is attached to one side of the substrate. A step of fixing only the peripheral portion of the substrate to which the sheet member is attached, a step of pressing the sheet member to support the cut portion of the substrate from one side, and a step of supporting the cut portion of the substrate from one side. Cutting the cutting site from the other side. According to the dicing method according to the present invention, even when the substrate is warped, the substrate can be diced stably, and the occurrence of chipping can be reduced.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a dicing apparatus and a dicing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(1) First Embodiment FIG. 1 is a sectional view showing a configuration example of a dicing apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention. The dicing apparatus 100 is an apparatus for cutting a semiconductor wafer 50 on which a large number of IC chips are integrally formed and dividing the semiconductor wafer into individual circuit elements.
[0015]
As shown in FIG. 1, the dicing apparatus 100 includes a stage 5 for fixing the periphery of a semiconductor wafer 50 while adsorbing the semiconductor wafer 50, and a semiconductor wafer 50 whose periphery is fixed by the stage 5 along a scribe line. The apparatus includes a pusher 3 that supports the cut portion from below, and a dicing blade (hereinafter, referred to as a blade) 1 that cuts the cut portion supported by the pusher 3 from above.
[0016]
As described with reference to FIG. 5, for example, the semiconductor wafer 50 is provided with a thick resin layer on a silicon layer in which a large number of IC chips are formed, and the ball electrodes 52 of the IC are exposed from the resin layer. Things. In FIG. 1, the diameter of the semiconductor wafer 50 is, for example, about 12 inches (about 300 mm). The distance (pitch) between the ball electrodes 52 is, for example, about 300 μm.
[0017]
The dicing sheet 10 is stuck on the opposite side of the ball electrode 52. On the wafer 50 side of the dicing sheet 10, a UV-curable adhesive is applied. In the dicing step, the wafers 50 before and after the division are adhesively held by the dicing sheet 10. As shown in FIG. 1, the wafer 50 is set on the stage 5 with the dicing sheet 10 facing downward.
[0018]
The stage 5 holds the wafer 50 on which the dicing sheet 10 is stuck at a predetermined height with respect to the blade 1 and the pusher 3, and is designed to fix a peripheral portion of the wafer 50. As shown in FIG. 1, the dicing sheet 10 side, which is the peripheral portion of the wafer 50, is placed on the stage 5. The surface of the stage 5 on which the wafer 50 is mounted is flat without irregularities.
[0019]
Further, as shown in FIG. 2, a plurality of intake holes 8 are provided at a position (hereinafter, referred to as a wafer mounting position) 7 of the stage 5 where the wafer 50 is mounted. These intake holes 8 are connected to an exhaust pump (not shown). By operating this exhaust pump and sucking in air from the intake holes 8, the peripheral portion of the wafer 50 can be attracted to the stage 5 and fixed.
[0020]
Further, an opening 9 having a substantially circular shape in plan view is provided inside the wafer mounting position 7. The diameter of the wafer mounting position 7 is, for example, about 300 mm corresponding to the size of the semiconductor wafer 50. The diameter of the opening 9 is, for example, about 280 mm. The diameter of the intake holes 8 is about 2 mm, and about 20 to 40 are provided at equal intervals. The stage 5 is designed to be moved in the XY direction in FIG. 1 by a motor (not shown) or the like.
[0021]
The blade 1 is a so-called diamond cutter in which a bonding material containing diamond particles is formed in a disk shape. The blade 1 is mounted on a blade holder 2 so as to be rotatable at a predetermined angular velocity on the YZ plane in FIG. 1 by a motor or the like (not shown). The blade holder 2 that supports the blade 1 is designed to be movable in the Z direction in FIG. 1 by a motor (not shown) while supporting the blade 1.
[0022]
The pusher 3 is provided below an opening 9 provided in the stage 5, as shown in FIG. The pusher 3 has a distal end portion 4 in a rod shape, and the shape of the XY cross section is, for example, substantially circular. In addition, a portion of the front end portion 4 that presses the dicing sheet 10 has an R-shape with a sharp corner. The tip 4 has, for example, a main body made of a metal such as stainless steel, and a low friction resin such as a fluororesin is applied on the main body. The tip 4 of the pusher is coaxial with the blade 1 and is designed to be movable in the Z direction by a motor (not shown).
[0023]
When the semiconductor wafer 50 is cut into individual packages using the dicing apparatus 100 configured as described above, the dicing apparatus 100 is operated, for example, as follows.
First, the suction holes 8 (see FIG. 2) of the suction table 5 are set in a suction state. In this state, the dicing sheet 10 side of the wafer 50 is placed on the wafer mounting position 7 of the stage 5 (see FIG. 2). As a result, the peripheral portion of the wafer 50 is fixed to the stage 5. Next, the stage 5 is moved in the XY direction in FIG. 1 to adjust the position so that the cut portion of the wafer 50 is located below the blade 1, that is, on the tip 4 of the pusher.
[0024]
Next, the tip portion 4 of the pusher is moved upward to press the dicing sheet 10 to locally support the cut portion of the wafer 50 along the scribe line. In this state, the blade 1 rotating at a high speed is moved downward, and the blade 1 is brought into contact with the cut portion supported from below by the tip 4 of the pusher. Then, with the blade 1 and the pusher 3 fixed in the XY directions in FIG. 1, the stage 5 is moved in the X and Y directions along the scribe line. As a result, the cut portion of the wafer 50 is cut while being supported by the distal end portion 4 of the pusher, and the wafer 50 is divided into a plurality of packages.
[0025]
As described above, according to the dicing apparatus 100 of the present invention, only the periphery of the wafer 50 is fixed to the stage 5. One of the cut portions of the wafer 50 floating from the stage 5 is locally supported by the pusher 3. Then, the blade 1 is brought into contact with the other side of the part to be cut which is locally supported by the pusher 3. In this state, the pusher 3 moves relative to the wafer 50 in conjunction with the blade 1, and a portion to be cut along the scribe line is cut between the pusher 3 and the blade 1.
[0026]
Therefore, even when the wafer 50 is warped, the cut portion of the wafer 50 can be supported without interruption, and the force applied from the blade 1 to the cut portion can be received by the pusher 3. As a result, the wafer 50 can be prevented from fluttering, and the wafer 50 can be diced stably. Therefore, occurrence of chipping can be reduced.
[0027]
In the first embodiment, the blade 1 corresponds to the cutting means of the present invention, and the pusher 3 corresponds to the supporting means of the present invention. The stage 5 corresponds to the fixing means of the present invention, and the dicing sheet 10 corresponds to the sheet member of the present invention. Further, the wafer 50 corresponds to the substrate of the present invention.
In the first embodiment, in the dicing method using the dicing apparatus 100 shown in FIG. 1, the stage 5 is moved along the scribe line while the blade 1 and the pusher 3 are fixed in the XY directions. Although the case where the wafer 50 is moved in the Y direction and the wafer 50 is diced has been described, the dicing method of the wafer 50 is not limited to this. With the stage 5 fixed in the XY directions, the blade 1 and the pusher 3 may be moved coaxially in the XY directions along the scribe line. Also in this case, the same operation and effect as in the case of dicing by moving the stage 5 can be obtained.
(2) Other Embodiments In the first embodiment described above, a case was described in which the distal end portion 4 of the pusher 3 was formed in a rod shape, and the portion for pressing the dicing sheet 10 was formed in an R shape. , But is not limited to this. For example, the portion of the tip 4 that presses the dicing sheet 10 may be a roller having a smooth outer peripheral surface.
[0028]
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a dicing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention. In the dicing apparatus 200 shown in FIG. 3, portions having the same structure as the dicing apparatus 100 shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In the dicing apparatus 200 shown in FIG. 3, the tip 4 'of the pusher is coaxial with the blade 1 and is designed to be movable in the Z direction in FIG. 3 by a motor or the like (not shown). The tip 4 'is designed to be able to rotate on the Z axis, as indicated by the arrow in FIG. Further, the portion of the tip 4 ′ that presses the dicing sheet 10 is a roller having a smooth outer peripheral surface.
[0029]
The roller includes a roller body made of a metal such as stainless steel, and a low-friction fluororesin applied to the roller body. Alternatively, this roller may be composed of only hard rubber or the like. With such a structure, when the stage 5 is moved in the XY direction while the cut portion of the wafer 50 is supported by the outer peripheral surface of the roller, the direction of the tip 4 ′ is adjusted in accordance with the moving direction of the stage 5. Changes and the roller rotates. Therefore, as compared with the dicing apparatus 100, the frictional force generated between the tip portion 4 'of the pusher and the dicing sheet 10 can be reduced, and the wafer 50 can be diced smoothly.
[0030]
In the second embodiment shown in FIG. 3, the rollers provided at the distal end portion 4 'correspond to the rolling elements of the present invention. Further, the rolling element of the present invention is not limited to a roller, and may be, for example, a sphere that is pivotally supported at the tip 4 ′.
Further, the tip portion 4 of the pusher 3 which presses the dicing sheet 10 is rotatable (rotatable) in all directions with respect to the tip portion, for example, like the tip of a commercially available ballpoint pen. A ball is fine.
[0031]
FIG. 4 is a sectional view showing a configuration example of a dicing apparatus 300 according to the third embodiment of the present invention. In the dicing apparatus 300 shown in FIG. 4, portions having the same structure as the dicing apparatus 100 shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In the dicing apparatus 200 shown in FIG. 4, the tip portion 4 '' of the pusher is designed so that its mounting position is coaxial with the blade 1 and can be moved in the Z direction in FIG. The portion of the tip 4 ″ that presses the dicing sheet 10 is a ball that is rotatable with respect to the tip 4 ″.
[0032]
This ball is composed of, for example, a ball body made of a metal such as stainless steel and a low friction fluororesin applied to the ball body. Alternatively, this ball may be made of only a fluororesin. With such a structure, when the stage 5 is moved in the XY directions while the cut portion of the wafer 50 is supported by the outer peripheral surface of the ball, the ball freely rotates in accordance with the moving direction of the stage 5. .
[0033]
Therefore, the frictional force generated between the tip 4 ″ of the pusher and the dicing sheet 10 can be further reduced as compared with the dicing devices 100 and 200. In the third embodiment shown in FIG. 4, the ball provided at the tip 4 '' corresponds to the sphere of the present invention.
In the above-described first to third embodiments, the case has been described in which the tip portions 4 and 4 ′, 4 ″ of the pusher are brought into point contact with the dicing sheet 10 to press the dicing sheet 10. A method of pressing the dicing sheet 10 without contacting the tip of the dicing sheet 10 may be adopted. In this case, the repulsive force generated between the (polar) magnetic poles of the same polarity is applied. For example, as the dicing sheet 10, a sheet in which metal powder or the like having positive magnetism is enclosed is used. The pusher 3 has a positive magnetic property. Thereby, a repulsive force is generated between the dicing sheet 10 and the pusher 3, and the dicing sheet 10 is pressed. Even in this case, since the cut portion can be supported without interruption using the pusher 3, the wafer 50 can be prevented from flapping.
[0034]
Further, in this method, since the pusher 3 and the dicing sheet 10 are not in point contact with each other but in non-contact, it is possible to reduce a physical impact given when the wafer 50 is supported. Therefore, this non-contact method is advantageous when dicing a thin wafer.
Further, the dicing sheet 10 may be drawn to the distal end portion 4 of the pusher 3 and may be brought into close contact with the pusher 3 so that no gap is formed between the pusher 3 and the dicing sheet 10. In this case, an attractive force generated between (polar) magnetic poles having different polarities is used. For example, as the dicing sheet 10, a sheet in which positively magnetic metal powder or the like is sealed is used. The pusher 3 has negative magnetism. Also in this case, since the cut portion can be supported without interruption, the wafer 50 can be prevented from fluttering.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a dicing apparatus 100 according to a first embodiment.
FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of a stage 5.
FIG. 3 is a sectional view showing a configuration example of a dicing apparatus 200 according to a second embodiment.
FIG. 4 is a sectional view showing a configuration example of a dicing apparatus 300 according to a third embodiment.
FIG. 5 is a sectional view showing a configuration example of a dicing apparatus 90 according to a conventional example.
FIG. 6 is a plan view showing a configuration example of a stage 95 according to a conventional example.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 blade, 2 blade holder, 3 pusher, 4, 4 ', 4''tip, 5 stage, 7 wafer mounting position, 8 intake hole, 9 opening, 10 dicing sheet, 50 wafer, 52 ball electrode, 100 , 200, 300 Dicing machine

Claims (5)

複数の回路素子が一体に形成されてなる基板を切断して個々の回路素子に分けるダイシング装置において、
前記基板の周縁部を固定する固定手段と、
前記固定手段によって周縁部が固定される基板の被切断部位を一方の側から支持する支持手段と、
前記支持手段によって一方の側が支持される被切断部位を他方の側から切断する切断手段とを備えたことを特徴とするダイシング装置。
In a dicing apparatus that cuts a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed and separates the circuit elements into individual circuit elements,
Fixing means for fixing the peripheral portion of the substrate,
Supporting means for supporting the cut portion of the substrate to which the peripheral portion is fixed by the fixing means from one side,
A dicing device, comprising: cutting means for cutting, from the other side, a portion to be cut whose one side is supported by the supporting means.
前記基板の一方の側には基板保持用のシート部材が貼付されており、
前記支持手段は、
前記シート部材を押圧することにより前記基板の被切断部位を一方の側から支持することを特徴とする請求項1に記載のダイシング装置。
A sheet member for holding the substrate is attached to one side of the substrate,
The support means,
The dicing apparatus according to claim 1, wherein the cut portion of the substrate is supported from one side by pressing the sheet member.
前記支持手段のシート部材を押圧する部位に、外周面の滑らかな転動体を有し、
前記転動体の外周面で前記基板の被切断部位を一方の側から支持することを特徴とする請求項2に記載のダイシング装置。
A portion of the supporting means that presses the sheet member has a rolling element having a smooth outer peripheral surface,
3. The dicing apparatus according to claim 2, wherein the cut portion of the substrate is supported from one side by an outer peripheral surface of the rolling element.
前記支持手段のシート部材を押圧する部位に、全方向に回転可能な球体を有し、
前記球体の外周面で前記基板の被切断部位を一方の側から支持することを特徴とする請求項2に記載のダイシング装置。
A portion of the supporting means that presses the sheet member has a sphere that can rotate in all directions,
3. The dicing apparatus according to claim 2, wherein a cut portion of the substrate is supported from one side by an outer peripheral surface of the sphere.
複数の回路素子が一体に形成されてなる基板を切断して、個々の回路素子に分けるダイシング方法において、
前記基板の一方の側に基板保持用のシート部材を貼付する工程と、
前記シート部材が貼付された基板の周縁部のみを固定する工程と、
前記シート部材を押圧して前記基板の被切断部位を一方の側から支持する工程と、
一方の側が支持された前記被切断部位を他方の側から切断する工程とを有することを特徴とするダイシング方法。
In a dicing method in which a substrate formed by integrally forming a plurality of circuit elements is cut and divided into individual circuit elements,
Affixing a sheet member for holding the substrate to one side of the substrate,
Fixing only the peripheral portion of the substrate to which the sheet member is attached,
A step of pressing the sheet member to support the cut portion of the substrate from one side,
Cutting the site to be cut having one side supported from the other side.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113484063A (en) * 2021-07-08 2021-10-08 河南农业大学 Corn leaf sampling device
JP2023501731A (en) * 2020-02-06 2023-01-18 エルジー・ケム・リミテッド Separating device for semiconductor chips and method for separating semiconductor chips using the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023501731A (en) * 2020-02-06 2023-01-18 エルジー・ケム・リミテッド Separating device for semiconductor chips and method for separating semiconductor chips using the same
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CN113484063A (en) * 2021-07-08 2021-10-08 河南农业大学 Corn leaf sampling device
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