JP2004271477A - 結晶の構造解析方法 - Google Patents
結晶の構造解析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004271477A JP2004271477A JP2003066062A JP2003066062A JP2004271477A JP 2004271477 A JP2004271477 A JP 2004271477A JP 2003066062 A JP2003066062 A JP 2003066062A JP 2003066062 A JP2003066062 A JP 2003066062A JP 2004271477 A JP2004271477 A JP 2004271477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hkl
- peak
- horizontal axis
- profile
- difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】測定された各プロファイルの横軸中で、基準となる点あるいはピ−クを任意に1つ選び、このプロファイルの横軸である回折角を、基準ピークからの回折角の差分△θを横軸とするプロファイルに変換しておく。この後、相異なる2つ以上の反射指数(hkl)に対する、規格化したプロファイル中の対応するピークの形状を相互に比較し、ピークの形状を、新たに考案した差分量△[h’k’l’](hkl)で規格化することにより、同じピーク拡がり形状になるか否かを調べる。これによって、ピークの拡がりの原因が、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果によるものであるか否かを判別する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体薄膜や多重量子井戸構造の構造解析をする、結晶の構造解析方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
2結晶X線回折を用いたエピ膜の構造評価において、ブロード(broad)なピーク、つまりピーク拡がりがしばしば観測される。このような場合、何故、ブロードニング(broadening)を起こしているのか、つまりピーク拡がりを起こしているのか、その原因を明らかにすることが重要な評価上の検討課題となる。
【0003】
2結晶X線回折を用いたエピ膜の構造評価では、ピークの拡がりの原因として、結晶のモザイク構造によるものが主要因である。この他にも、組成およびそれに伴う歪みの分布に起因する拡がり、試料中の構成層の厚さが薄いことに起因する拡がり、超格子界面等の乱れなどの結晶の(歪みの分布を伴わない)不完全性に起因する拡がりなど、さまざまな原因が考えられる。
【0004】
従来の2結晶X線回折評価技術では、このような問題に対して明確な回答を得る有効な手段がほとんどなく、成長条件などを変化させた他の実験結果などからの類推として漠然とした議論や、なんらかの試料構造の予備的情報をもとにしたシミュレーションによる解析がほとんどであった(例:Z.H.Mai et.al., J.Appl.Phys., 72, 3474 (1992), L.Xiu and Z.Wu, J.Appl.Phys., 71, 4892 (1992))。しかし、これらは予備的情報を必要とするという欠点をもち、一般的な解析手法としては不十分であった。
【0005】
一方、近年、逆格子マッピング評価技術が開発され、逆格子空間での拡がりの方向を測定することにより、モザイク結晶によるピーク拡がりと、組成の分布によるピーク拡がりとを区別することが可能となった。しかし、逆格子マッピング評価は、測定に時間がかかる点、微弱なピークに対して評価がしにくい点、さらに逆格子空間を疎らにスキャンするためピーク形状に対する、より詳細な解析検討が行いにくい点、などの問題がある。
【0006】
これらの問題点を解決するために、2結晶X線回折により得られるピーク拡がり形状を直接解析することにより、ピーク拡がりの要因を予備的情報なしに、明らかにできる解析法が望まれていた。
【0007】
最近、本発明者らはこのような解析法の1例として、反射指数(hkl)依存性を考察することにより、モザイク結晶によるピーク拡がりか否かを簡便に判定できる方法を提案報告した(k.Nakashima, J.Appl.Crystallogr., 33, 1376−1385 (2000))。さらに、この方法を他の要因によるピーク拡がりの場合の解析にも展開できることを明らかにした(K.Nakashima, Japanese J.Appl.Phys., 40, 5454−5463(2001), k.Nakashima and Y.Kawaguchi, J.Appl.Crystallogr., 34, 681−690 (2001))。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、2結晶X線回折により得られるピーク拡がり形状を直接解析する解析法については、本発明者らのもの以外にほとんど報告例がなく、この方法は未知の部分が多く残されている。特に、前記の報告例では、使用する基板の面指数が(001)のものに適用範囲が限られ、他の一般の面指数(h’k’l’)を有する基板上のエピタキシャル結晶の解析には適用出来ないという問題点を有していた。さらに、一般の面指数(h’k’l’)基板上のエピタキシャル結晶の解析自体が十分検討されておらず、この解析において反射指数(hkl)依存性を体系的に測定し、かつ解析する方法自体がこれまで知られていなかった。
【0009】
本発明は、前記の課題を解決し、立方晶結晶構造を有する任意の材料系を用い、(h’k’l’)基板上に任意の構造をエピタキシャル成長して得られた多層構造結晶を、X線回折により構造評価する場合を想定した場合、特に、基板面方位(h’k’l’)は(001)以外の任意の場合を想定した場合、X線回折測定をして得られた回折プロファイル中のピークに、ピークの拡がりが観測されたとき、ピークの拡がりの原因を予備的情報を用いず、決定論的に判定する、簡便な、結晶の構造解析方法を提供する。また、X線回折プロファイル中のピークの拡がりの原因が、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果によるものであるか否かを、予備的情報なしに区別することができる、結晶の構造解析方法を提供する。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項1の発明は、立方晶結晶構造を有する任意の材料系を用い、面指数(h’k’l’)の基板上に任意の構造をエピタキシャル成長して得られた結晶を構造評価の対象とする、X線回折を用いた結晶の構造解析方法において、相異なる反射指数を有する2つ以上の(hkl)反射のプロファイルを回折角に対して対称反射配置で体系的に測定する第1の工程を含むことを特徴とする、結晶の構造解析方法である。
請求項2の発明は、請求項1に記載の結晶の構造解析方法において、前記第1の工程で得られた各前記プロファイルの横軸である回折角度軸中で基準となる点あるいはピークを任意に1つ選び、該プロファイルの横軸である該回折角を該基準ピークからの該回折角の差分△θを横軸とするプロファイルに変換する第2の工程と、
前記基準ピークのブラッグ角度θBと、該基準ピークに対応する層の格子定数a0と、X線の波長λとを用いて、該格子定数a0を該波長λで割った量の2乗をさらに2倍した量2(a0/λ)2と、該ブラッグ角度θBの2倍の正弦sin(2θB)と、前記回折角の差分△θとの3つの因子の積2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θを構成し、さらに前記反射指数(hkl)中の各指数h、k、lおよび前記基板の面指数(h’k’l’)中の各指数h’、k’、l’を用いて構成される因子
m(hkl;h’k’l’)=
(hh’+kk’+ll’)/(h’2+k’2+l’2)1 / 2
で前記積2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θを除することにより、新たな差分量
△[h’k’l’](hkl):=
2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θ/m(hkl;h’k’l’)
を最終的に構成して、前記各(hkl)反射プロファイルの横軸を該回折角の差分△θから該新差分量△[h’k’l’](hkl)に、この最終的に構成した式を用いて変換することにより、横軸を規格化した新たなプロファイルに変換する第3の工程と、
前記相異なる2つ以上の反射指数(hkl)に対する前記規格化したプロファイル中の対応するピークの形状を相互に比較し、該ピークの形状が前記差分量△[h’k’l’](hkl)で規格化することにより、同じピーク拡がり形状になるか否かを調べ、これにより、該ピークの拡がりの原因が、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果によるものであるか否かを判別する第4の工程とを含むことを特徴とする。
【0011】
本発明によれば、プロファイルを前記差分量△[h’k’l’](hkl)を用いて規格化するという、新しい工程を考案したことにより、前記ピークの拡がりの原因が、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果によるものであるか否かを、予備的情報なしに区別することが可能となった。
【0012】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳しく説明する。本実施の形態では、立方晶結晶構造を有する任意の材料系を用い、一般の面指数(h’k’l’)基板上に任意の構造をエピタキシャル成長して得られた結晶を、X線回折により構造評価する場合を想定する。特に、基板面方位(h’k’l’)は(001)以外の任意の場合を想定する。これは、従来の解析法が知られていなかった場合である。
【0013】
本実施の形態による結晶の構造解析方法を図1に示す。本実施の形態では、相異なる指数を有する2以上の(hkl)反射のプロファイルを、回折角に対して測定する(第1の工程)。図1では、2つのプロファイルを測定している。
【0014】
第1の工程によって得られた各プロファイルの横軸(回折角度軸)中で、基準となる点あるいはピ−クを任意に1つ選び、このプロファイルの横軸である回折角を、基準ピークからの回折角の差分△θを横軸とするプロファイルに変換しておく(第2の工程)。図1では、差分△θを横軸として、第1の工程で測定されたピークA1、B1と、ピークA2、B2とが表されている。
【0015】
つぎに、基準ピークのブラッグ角度θB、基準ピークに対応する層の格子定数a0、X線の波長λを用いて、格子定数a0を波長λで割った量の2乗をさらに2倍した量
2(a0/λ)2
と、プラッグ角度θBの2倍の正弦
sin(2θB)
および、回折角の差分△θとの3つの因子の積
2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θ
を構成する。さらに、反射指数(hkl)中の各指数h、k、lと、使用基板の面指数(h’k’l’)中の各指数h’、k’、l’とを用いて構成される因子m(hkl;h’k’l’)で、前記の積を除することにより、新たな差分量
△[h’k’l’](hkl):=
2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θ/m(hkl;h’k’l’)
…(1)
を構成する。ここに、因子m(hkl;h’k’l’)は具体的に、
m(hkl;h’k’l’)=
(hh’+kk’+ll’)/(h’2+k’2+l’2)1/2 …(2)により計算して求める。
【0016】
以上を基にして、前記各(hkl)反射プロファイルの横軸を、回折角の差分△θから差分量△[h’k’l’](hkl)にさらに変換し、横軸を規格化した新たなプロファイルに変換する(第3の工程)。図1では、差分量△[h’k’l’](hkl)を横軸としてピークA1、B1が表され、差分量△[h’k’l’](h’’k’’l’’)を横軸としてピークA2、B2が表されている。
【0017】
相異なる2つ以上の反射指数(hkl)に対する、規格化したプロファイル中の対応するピークの形状を相互に比較し、ピークの形状が差分量△[h’k’l’](hkl)で規格化することにより、同じピーク拡がり形状になるか否かを調べる。これによって、ピークの拡がりの原因が、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果によるものであるか否かを判別する(第4の工程)。図1では、ピークA1とピークA2とが重ね合わされて比較され、ピークB1とピークB2とが重ね合わされて比較されている。
【0018】
【実施例】
つぎに、本発明を実施例によってさらに詳しく説明する。本実施例では、立方晶結晶構造を有する任意の材料系を用い、(h’k’l’)基板上に任意の構造をエピタキシャル成長して得られた結晶を、X線回折により構造評価する場合を想定する。
【0019】
X線入射方向(φ)を固定して、反射指数(hkl)を変えて測定する。(hkl)反射はX線入射方向を固定したまま測定試料を傾けて、(hkl)面が鉛直面になるような配置、つまり対称反射配置で測定する(cf. K.Nakashima, J.Appl.Phys., 72. 1189 (1992))。
【0020】
今、注目するピークの(hkl)反射におけるプロファイルをIhkl(δθ,φ)とおく。ここに、θをX線の入射角とし、δθは、各(hkl)反射において今注目するピークが最大強度をもつようなθの位置をδθ=0として、θをとり直したものとする。そこで今注目するピークの拡がり、すなわち前記プロファイルIhkl(δθ,φ)のピーク形状が、前記第1のグループのピーク拡がり要因により支配されていると仮定する。この仮定のもとに、横軸δθを前記の(1)式の△θと見なす。
【0021】
(1)式をもとにδθを差分量△[h’k’l’](hkl)に変換して得られるプロファイルを、IT , hkl(△[h’k’l’],φ)と書く。ここに、変数を、
△[h’k’l’]:=△[h’k’l’](hkl)
と略記した。このとき、2つの異なる反射指数(hkl)および(h’’k’’l’’)に対して得られる前記プロファイルIT , hkl(△[h’k’l’],φ)と、IT , h’’k’’l’’(△[h’k’l’],φ)との間に、次の新しい関係式を満たすことが数学的に導ける。
IT , h’’k’’l’’(△[h’k’l’],φ)≒
const.×IT , hkl(△[h’k’l’],φ) …(3)
【0022】
この(3)式より、前記第1のグループのピーク拡がり要因が支配的なピークは、IT , hkl(△[h’k’l’],φ)の形に規格化したプロファイルにおいて、すべて同じピーク形状をもち、そのピーク形状は、もはや反射指数(hkl)に依存しないことが結論できる。したがって、前記のようにプロファイルの横軸を、δθから△[h’k’l’]にスケールし直した後で、対応するピークを、異なる指数のプロファイルから得られる対応する一連のピークに重ねて比較し、そのピーク形状が一致しているか否かを調べる。これによって、前記第1のグループのピーク拡がり要因が、支配的か否かを判定できることが判る。
【0023】
前記判定法の具体的な実施例として、基板面指数(h’k’l’)を(113)とした例を示す。すなわち、(113)GaAs基板上にエピタキシャル成長したAlGaInAs/AlGaAs歪超格子(SLS)試料を測定試料として選び、AlGaInAs/AlGaAs歪超格子試料から得られた一連のX線回折サテライトピークの拡がりを解析し、解析結果を図2に示す。図2では、(113)GaAs基板上にエピタキシャル成長したAlGaInAs/AlGaAs歪超格子試料を例としている。ここでは、一例として各(hkl)プロファイル中から代表的超格子サテライトピークを集めて、ピーク位置をそろえて重ねることにより、反射指数(hkl)を変えた場合に、ピークの拡がり形状に差が見られるか否かを比較している。つまり、図2(a)は、各(hkl)反射におけるX線回折サテライトピークを、横軸を△[h’k’l’]にスケールし直した後に、ピーク位置を合わせて並べて、形状を比較したものである。また、図2(b)図は、図2(a)の各ピークを重ねてプロットし、さらに詳細に形状を比較したものである。
【0024】
図2の結果より、各(hkl)を変えたプロファイルから得られるサテライトピークが、すべて同じピーク拡がり形状をしていることが確認でき、本発明により、膜の厚さが薄いという形状サイズ効果により、サテライトピークの拡がり形状が支配されていることが判定できる。つまり、反射指数(hkl)を変えても、ピークの拡がり形状に差は見られず、上の判定法により、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果により、ピークの拡がり形状が支配されていることが、決定論的に結論できる。この実施例より、上述した判定法が有効に働くことも実験的に確認された。
【0025】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明により、基板面指数(h’k’l’)が一般の場合においても、2結晶X線回折プロファイル中のピークの拡がりの原因が、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果によるものなのか否かを、予備的情報なしに、区別することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による、結晶の構造解析方法のフローチャートを示す図である。
【図2】(113)GaAs基板上にエピタキシャル成長したAlGaInAs/AlGaAs歪超格子試料を用いたサテライトピークを示す図である。
【符号の説明】
A1、A2、B1、B2 ピーク
Claims (2)
- 立方晶結晶構造を有する任意の材料系を用い、面指数(h’k’l’)の基板上に任意の構造をエピタキシャル成長して得られた結晶を構造評価の対象とする、X線回折を用いた結晶の構造解析方法において、
相異なる反射指数を有する2つ以上の(hkl)反射のプロファイルを回折角に対して対称反射配置で体系的に測定する第1の工程を含むことを特徴とする、結晶の構造解析方法。 - 前記第1の工程で得られた各前記プロファイルの横軸である回折角度軸中で基準となる点あるいはピークを任意に1つ選び、該プロファイルの横軸である該回折角を該基準ピークからの該回折角の差分△θを横軸とするプロファイルに変換する第2の工程と、
前記基準ピークのブラッグ角度θBと、該基準ピークに対応する層の格子定数a0と、X線の波長λとを用いて、該格子定数a0を該波長λで割った量の2乗をさらに2倍した量2(a0/λ)2と、該ブラッグ角度θBの2倍の正弦sin(2θB)と、前記回折角の差分△θとの3つの因子の積2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θを構成し、さらに前記反射指数(hkl)中の各指数h、k、lおよび前記基板の面指数(h’k’l’)中の各指数h’、k’、l’を用いて構成される因子
m(hkl;h’k’l’)=
(hh’+kk’+ll’)/(h’2+k’2+l’2)1 / 2
で前記積2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θを除することにより、新たな差分量
△[h’k’l’](hkl):=
2(a0/λ)2×sin(2θB)×△θ/m(hkl;h’k’l’)
を最終的に構成して、前記各(hkl)反射プロファイルの横軸を該回折角の差分△θから該新差分量△[h’k’l’](hkl)に、この最終的に構成した式を用いて変換することにより、横軸を規格化した新たなプロファイルに変換する第3の工程と、
前記相異なる2つ以上の反射指数(hkl)に対する前記規格化したプロファイル中の対応するピークの形状を相互に比較し、該ピークの形状が前記差分量△[h’k’l’](hkl)で規格化することにより、同じピーク拡がり形状になるか否かを調べ、これにより、該ピークの拡がりの原因が、膜の厚さが薄い等の形状サイズ効果によるものであるか否かを判別する第4の工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載の結晶の構造解析方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003066062A JP4131492B2 (ja) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 結晶の構造解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003066062A JP4131492B2 (ja) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 結晶の構造解析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004271477A true JP2004271477A (ja) | 2004-09-30 |
JP4131492B2 JP4131492B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=33126877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003066062A Expired - Fee Related JP4131492B2 (ja) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 結晶の構造解析方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4131492B2 (ja) |
-
2003
- 2003-03-12 JP JP2003066062A patent/JP4131492B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4131492B2 (ja) | 2008-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mishra et al. | Wafer‐scale synthesis of graphene on sapphire: toward fab‐compatible graphene | |
Frentrup et al. | X-ray diffraction analysis of cubic zincblende III-nitrides | |
Tallaire et al. | Identification of dislocations in synthetic chemically vapor deposited diamond single crystals | |
US11239073B2 (en) | Methods and structures for altering charge carrier density or bandgap of a topological Dirac semimetal layer | |
Ni et al. | X-ray reciprocal space mapping studies of strain relaxation in thin SiGe layers (⩽ 100 nm) using a low temperature growth step | |
Goosney et al. | InSb nanowires for multispectral infrared detection | |
Xu et al. | Observation of phase-filling singularities in the optical dielectric function of highly doped n-type Ge | |
US20010018891A1 (en) | Calibrated scale in the nanometer range for technical devices used for the high-resolution or ultrahigh-resolution imaging of structures | |
JP2009047443A (ja) | 結晶の構造解析方法 | |
JP2009198281A (ja) | 結晶の構造解析方法 | |
Belloeil et al. | Nanoscale x-ray investigation of composition fluctuations in AlGaN nanowires | |
JP2004271477A (ja) | 結晶の構造解析方法 | |
Goletti et al. | Reflectance anisotropy spectroscopy of strain-engineered GaAsBi alloys | |
Darhuber et al. | Elastic relaxation of dry-etched Si/SiGe quantum dots | |
Fewster et al. | Microstructure and composition analysis of group III nitrides by X-ray scattering | |
Alkabsh et al. | A simple approach to analyze layer-dependent optical properties of few-layer transition metal dichalcogenide thin films | |
Zhang et al. | Strong band gap reduction in highly mismatched alloy InAlBiAs grown by molecular beam epitaxy | |
Geddo et al. | Optical study of hydrogen-irradiated GaAsN/GaAs heterostructures | |
Reiher et al. | Depth-resolving structural analysis of GaN layers by skew angle x-ray diffraction | |
JP5373660B2 (ja) | 結晶の構造解析方法 | |
Yastrubchak et al. | Strain release in InGaAs/InxAl1− xAs/InP heterostructures | |
Bruckbauer et al. | Luminescence behavior of semipolar (101¯ 1) InGaN/GaN “bow-tie” structures on patterned Si substrates | |
JP2004069339A (ja) | 結晶の構造解析方法 | |
Roumeliotis | III-Nitride Emitters and Converters: Built-in polarization-induced electric fields, built-in potential, and effective doping concentration | |
JP2006153794A (ja) | 結晶の構造解析方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080311 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080520 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20080521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080521 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |