JP2004260197A - シリコン系基板のプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンウェハ7の処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、プラズマ処理装置の処理室内に配置された載置部6に回路形成面を保護テープ7aが貼着された状態のシリコンウェハ7を保護テープ7aを載置部6に接触させた姿勢で載置する。そして処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態でプラズマ放電を発生させて前記シリコン系基板の表面をプラズマによってエッチング処理する際に、シリコンウェハ7の表面Aの温度を40℃以上の温度に保持する。これによりフッ素系ガスの反応生成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行い、鏡面状のエッチング面を得ることができる。
【選択図】図2
Description
成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行うことができる。
に空隙部15bは支持部15a内を貫通して設けられたガス供給路15cを介してガス供給部19と接続されている。
おり、当初室温Trであったシリコンウェハ7は、放電開始のタイミングt1後、プラズマ放電によって過熱されて次第に昇温する。このとき、シリコンウェハ7の表面の温度が、予め設定された処理温度Ttに収束するよう、温度制御部10の温度制御条件が設定される。
2 処理室
3 下部電極
4 上部電極
7 シリコンウェハ
7a 保護テープ
10 温度制御部
19 ガス供給部
Claims (1)
- シリコン系基板の処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、処理室内に配置された載置部にシリコン系基板を載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態でプラズマ放電を発生させてシリコン系基板の表面をプラズマによってエッチング処理する際に、シリコン系基板の温度を40℃以上の温度に保持することを特徴とするシリコン系基板のプラズマ処理方法。
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JP2004108848A JP2004260197A (ja) | 2004-04-01 | 2004-04-01 | シリコン系基板のプラズマ処理方法 |
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JP2000058521A (ja) * | 1998-08-08 | 2000-02-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ研磨装置 |
JP2000133639A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Kemitoronikusu:Kk | プラズマエッチング装置およびこれを用いたエッチングの方法 |
JP2000173995A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
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