JP2004260048A - Micro-type light emitting device - Google Patents

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明徳 林
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榮貴 許
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micro-type light emitting device which can be applied to designs of light, thin, short and small products. <P>SOLUTION: The micro-type light emitting device comprises a neglect hole provided in a substrate, a light emitting die fastened to the inside of the neglect hole by utilizing light transmitting layers, two electrodes of the light emitting die which are connected electrically by lead wires respectively with first and second power feeding circuits present at the side ends of the substrate, a heat radiating layer provided in the peripheral position uncoated with the light transmitting layers wherethrough a heat is rejected when the action of a pn-junction is so started as to generate the heat of a high temperature, and in addition to these, the foregoing light emitting die fastened to the inside of the neglect hole and not fastened to the surface of the substrate. Thereby, the thickness of the whole of the light emitting device can be reduced, and the effect of a high luminous brightness whom a flip-chip-package art possesses can be obtained simply by a well-known manufacturing method. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一種の発光装置に係り、特に、軽薄短小製品設計に適用されるマイクロタイプ発光装置であって、適時にｐｎ接合の作用により発生する熱を排除し、簡単に周知の製造方法によりフリップチップパッケージ技術の有する高い発光輝度の効果を達成できる、マイクロタイプ発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオード（ＬＥＤ；Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、寿命が長く、体積が小さく、発熱量が低く、消耗電力が少なく、反応速度が速く、単性光発光の特性と長所を有するため、新時代の光源として最良の選択と見なされている。
【０００３】
発光ダイオードの発展の歴史において、いかに発光輝度と発光効率を高めるかに業界の研究開発の重点が置かれてきた。周知の発光装置は、図１に示されるように、基板１１の上に発光ダイ１７が固定され、図１に示される平面型発光ダイオードは、発光ダイ１７の垂直延伸方向にパッケージ層１９が設けられ、該発光ダイ１７はダイ基板１７２、及び、ダイ基板１７２の上に成長させられてｐｎ接合を有する活性層１７４が組み合わされてなる。活性層１７４の一部の表面にさらに第１電極１７１と第２電極１７５が設けられ、そのうち第１電極１７１は第１リード線１７３で基板１１の側辺の第１電力供給回路１３に電気的に連接され、第２電極１７５は第２リード線１７７で基板１１のもう一側の第２電力供給回路１５に電気的に連接され、これにより、第１電力供給回路１３と第２電力供給回路１５が電力供給開始すると、発光ダイ１７のｐｎ接合が作用し光を発生し、並びにパッケージ層１９の方向に向けて投射し、これは点線矢印で示されるとおりである。
【０００４】
以上の第１種の周知の発光装置は有効に光を発生するが、それは以下のようないくつかの欠点を有している。
１．一部の投射光が第１電極に吸収され、光の遮蔽効果を形成し、全体の光源輝度に対して一定の損失を形成する。
２．活性層のｐｎ接合が作用する時、高熱が発生し、この作業の熱が適当なパイプラインにより発光装置の外に排除されないため、発光装置の正常な操作及び使用寿命が損なわれ易い。
３．発光ダイが基板の上表面に固定されているため、発光装置の軽薄短小のマイクロ化の設計理念に不利である。
【０００５】
このような発光装置内の放熱しにくさの問題を解決するため、業界は多くの放熱構造を開発してきた。図２に示される特許文献１の発光ダイオードパッケージ放熱構造に記載された技術は、リードフレーム或いは基板２３に発光ダイ２７を固定し、図示される直立型発光ダイオードのようであり、発光ダイ２７は、ｐｎ接合を具えた活性層２７４を具えている。有効にｐｎ接合の作用時に発生する熱を有効に排除するため、リードフレーム２３の底側位置に放熱ブロック２８が設けられ、且つ放熱ブロック２８にヒートパイプ２８５が連接されて、発生する熱の発光装置外への排除を強化している。しかし、このような周知の構造は、有効に発光装置の放熱の問題を解決できるが、以下のような問題を有している。
１．一部の投射光源が電極により吸収され、光の遮蔽効果を形成し、全体の光源輝度に対して一定の損失を形成する。
２．放熱ブロックがリードフレームの外周に形成され、発光装置の体積を増加し、発光装置の軽薄短小のマイクロ化の設計理念に役立たない。
【０００６】
このほか、発光装置の投射光の電極による吸収が発光輝度を低下させる問題を有効に解決するため、業界はフリップチップ構造を開発した。図３に示されるように、それは、発光ダイ３７が逆さに置かれ、図示される平面型発光ダイオードでは、発光ダイ３７の電極が第１ソルダボール３７１と第２ソルダボール３７５により基板３１側辺の第１電力供給回路３３及び第２電力供給回路３５に電気的に連接され、こうして、発光ダイ活性層３７４のｐｎ接合が作用し光を発生する時、その発生する光が透光効果を有するダイ基板３７２の方向に投射され、これは点線矢印で示されるとおりである。
【０００７】
しかし、この発光装置は投射光の電極による吸収による発光輝度への影響の問題を有効に解決するが、なおも以下のような欠点を有している。
１．発光ダイが基板の上表面に固定されているため、発光装置の軽薄短小のマイクロ化設計理念に不利である。
２．活性層のｐｎ接合作用時に発生する熱が適当なパイプラインにより発光装置外に排除されず、発光装置の正常な操作と使用寿命を損ないやすい。
３．フリップチップ構造は製造時に製造コストが高いボール固定機（ＢａｌｌＭｏｕｎｔｅｒ）と正確なアラインメント技術を必要とし、製造時の問題を増すだけでなく、製品歩留りを高めて製造コストを下げるのに役立たない。
【０００８】
【特許文献１】
台湾特許公告第４３３５５３号明細書
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このため、ｐｎ接合作用時に発生する高熱を発光装置外に排除できると共にマイクロ化製品の設計に役立ち、並びに有効に全体の発光輝度を高めた新規な発光装置の提供が望まれている。
【００１０】
本発明の主要な目的は、一種のマイクロタイプ発光装置を提供することにあり、それは上述の従来の発光装置の有する欠点を有効に解決したものとする。
【００１１】
本発明の次の目的は、一種のマイクロタイプ発光装置を提供することにあり、それは、その放熱層がｐｎ接合作用時に発生する高熱を発光装置外に排除し、ゆえに有効に発光装置の作業信頼性と使用寿命を高めることができるものとする。
【００１２】
本発明のまた別の目的は、一種のマイクロタイプ発光装置を提供することにあり、それは、基板に内向きに形成された放置孔或いは放置凹溝中に発光ダイが固定されることにより、有効に発光装置の全体厚さを制御でき、製品の軽薄短小のマイクロ化設計に有利であるものとする。
【００１３】
本発明のさらに別の目的は、一種のマイクロタイプ発光装置を提供することにあり、それは現存の半導体の習熟された簡単な製造技術或いは生産器具により、フリップチップパッケージ技術の有する発光輝度を高める効果を達成し、周知の発光ダイの電極による光遮蔽効果の問題を解決し、また、有効に製品歩留りを高め生産コストを下げられるものとする。
【００１４】
本発明のまた別の目的は、一種のマイクロタイプ発光装置を提供することにあり、それは、周知の発光装置の電極の光遮蔽効果の問題を有効に解決し、さらには反射特性を有する電極により大幅に発光輝度を高める効果を達成したものとする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、マイクロタイプ発光装置において、
基板とされ、少なくとも一つの放置孔を具え、該放置孔の側端に第１電力供給回路と第２電力供給回路が設けられた、上記基板と、
少なくとも一つの発光ダイとされ、対応する放置孔中に設けられ、各発光ダイがダイ基板、第１電極、第２電極、及び該ダイ基板の上に成長させられてｐｎ接合を有する活性層を具え、該第１電極が第１リード線で第１電力供給回路に電気的に連接され、該第２電極が第２リード線で第２電力供給回路に電気的に連接された、上記少なくとも一つの発光ダイと、
放熱層とされ、該発光ダイの一部周辺及び全部周辺のいずれかに環状に設けられた、上記放熱層と、
を具えたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が発光ダイの全体のｐｎ接合周辺位置を被覆することを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層を更に具え、該透光層が発光ダイの放熱層に未被覆の周辺に環状に設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項４の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の側端に少なくとも一つの水平側面が設けられ、相互に対応する水平側面に第１電力供給回路と第２電力供給回路のいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項５の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の一部の内表面に反射層が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項６の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、第１電極が反射特性を具えた材料で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項７の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層に接触するヒートパイプを具えたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項８の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層の上表面に反射層が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項９の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層内に、蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１０の発明は、請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層内に、蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１１の発明は、請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面に、抗短波長光薄膜が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１２の発明は、請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面が、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１３の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面が、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１４の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１５の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が錐形斜側壁を具え、該錐形斜側壁の出光方向端位置に形成された開口がもう一端の開口よりも大きいことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１６の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板がリードフレームとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１７の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板が反射、透光、絶縁、導電、熱伝導或いはその組合せの材質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１８の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板が、セラミック、ガラス、窒化アルミニウム、炭化けい素、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、尿素樹脂、プラスチック、ダイヤモンド、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、けい金化合物、プリント基板、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、或いは金属を含む化合物及びその組合せのいずれかで形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項１９の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、発光ダイが完全に基板の放置孔内に収容されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２０の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、発光ダイが平面型発光ダイオード、直立型発光ダイオード、有機発光ダイオード、レーザーダイオード、面投射型発光ダイオード、及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２１の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の厚さを調整できることを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２２の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔に代り、放置凹溝が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２３の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が透光特性を有する材料で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２４の発明は、請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層が熱伝導物質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２５の発明は、請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の上下の開口が円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２６の発明は、マイクロタイプ発光装置において、
基板とされ、少なくとも一つの放置孔を具え、該放置孔の側端に第１電力供給回路と第２電力供給回路が設けられた、上記基板と、
少なくとも一つの発光ダイとされ、対応する放置孔中に設けられ、各発光ダイがダイ基板、第１電極、第２電極、及び該ダイ基板の上に成長させられてｐｎ接合を有する活性層を具え、該第１電極が第１リード線で第１電力供給回路に電気的に連接され、該第２電極が第２リード線で第２電力供給回路に電気的に連接された、上記少なくとも一つの発光ダイと、
透光層とされ、該発光ダイの一部周辺及び全部周辺のいずれかに環状に設けられた、上記透光層と、
を具えたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２７の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層を更に具え、該放熱層が発光ダイの透光層が未被覆の周辺に環状に設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２８の発明は、請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が発光ダイの全体のｐｎ接合周辺位置を被覆することを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項２９の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層内に少なくとも一種類の蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３０の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面に抗短波長光薄膜が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３１の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３２の発明は、請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層の外表面が、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３３の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３４の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、発光ダイが平面型発光ダイオード、直立型発光ダイオード、有機発光ダイオード、レーザーダイオード、面投射型発光ダイオード、及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３５の発明は、請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層内に少なくとも一種類の蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３６の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板が反射、透光、絶縁、導電、熱伝導或いはその組合せの材質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３７の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が錐形斜側壁を具え、該錐形斜側壁の出光方向端位置に形成された開口がもう一端の開口よりも大きいことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３８の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の側端に少なくとも一つの水平側面が設けられ、相互に対応する水平側面に第１電力供給回路と第２電力供給回路のいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項３９の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層が熱伝導物質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項４０の発明は、請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が透光特性を有する材料で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項４１の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔に代わり放置凹溝が形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
請求項４２の発明は、請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔の上下の開口が、円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例によると、本発明は基板と少なくとも一つの発光ダイ、及び放熱層を具え、該基板に少なくとも一つの放置孔が設けられ、放置孔の側端に第１電力供給回路と第２電力供給回路が設けられ、上記少なくとも一つの発光ダイが対応する放置孔中に設置され、各発光ダイがダイ基板、第１電極、第２電極、及びダイ基板の上に成長させられてｐｎ接合を有する活性層を具え、該第１電極が第１リード線で第１電力供給回路に連接され、第２電極が第２リード線で第２電力供給回路に連接され、上記放熱層が環状に発光ダイの周辺に設けられ、並びに少なくとも全体の発光ダイのｐｎ接合の位置を被覆している。
【００１７】
このほか、本発明の別の実施例によると、それは基板と、少なくとも一つの発光ダイと、透光層とを具え、該基板に少なくとも一つの放置孔が設けられ、放置孔の側端に第１電力供給回路と第２電力供給回路が設けられ、上記少なくとも一つの発光ダイが対応する放置孔中に設置され、各発光ダイがダイ基板、第１電極、第２電極、及びダイ基板の上に成長させられてｐｎ接合を有する活性層を具え、該第１電極が第１リード線で第１電力供給回路に連接され、第２電極が第２リード線で第２電力供給回路に連接され、上記透光層が環状に発光ダイの周辺に設けられ、並びに該発光ダイを固定している。
【００１８】
【実施例】
図４は本発明の発光装置の実施例の構造断面図である。図示されるように、本発明は、セラミック、ガラス、窒化アルミニウム、炭化けい素、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、尿素樹脂、プラスチック、ダイヤモンド、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、けい金化合物、プリント基板、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、或いは金属を含む化合物及びその組合せのいずれかの材料で形成された基板４１にドリリング或いはエッチングにより少なくとも一つの放置孔４１５が設けられ、放置孔４１５の側壁に少なくとも一つの水平側面４１７が設けられ、図示される実施例では一つの階段水平側面とされ、且つ両側の水平側面４１７にそれぞれ相互に不接触の第１電力供給回路４３と第２電力供給回路４５が設けられている。該放置孔４１５内に平面型発光ダイオード、直立型発光ダイオード、有機発光ダイオード、レーザー発光ダイオード或いは面投射型レーザー等の発光ダイ４７が設置され、本実施例では平面型発光ダイオードが設けられている。発光ダイ４７はダイ基板４７２の上にｐｎ接合を具えた活性層４７４が成長させられ、活性層４７４の表面の第１電極４７１が第１リード線４７３で第１電力供給回路４３に電気的に連接され、第２電極４７５が第２リード線４７７で第２電力供給回路４５に電気的に連接されている。
【００１９】
放置孔４１５中にあって、透光層４６が環状に発光ダイ４７の一部周辺或いは底層位置（図５参照）に環状に設けられ、これにより発光ダイ４７が固定される。このほか、発光ダイ４７の透光層４６に被覆されていない位置に環状に、良好な熱伝導性を有する物質で形成された放熱層４８が設けられ、放熱層４８は発光ダイ４７の固定の作用のほか、第１電力供給回路４３及び第２電力供給回路４５の電力供給が開始されてｐｎ接合が作用して光を発生する時の、発光ダイ４７の発生する熱を放熱層４８を利用して装置外に排除する機能を有している。
【００２０】
このほか、ｐｎ接合の発生する光はダイ基板４７２の方向に投射され、点線矢印で示されるとおりであり、その結果、一般のフリップチップ構造と同様に、投射された光が第１電極４７１或いは第２電極４７５の方向を通らず、これにより光の遮蔽効果がなく、これにより全体の発光輝度を高めることができる。
【００２１】
当然、発光ダイ４７の作業により発生する熱の大部分はそのｐｎ接合より来るため、放熱層４８は活性層４７４のｐｎ接合周囲の位置を被覆するのがよいが、これに限定されるわけではない。
【００２２】
また、この実施例にあって、放置孔４１５の側壁（上開口部分）は階段水平側面４１７態様を以て現出するが、その他の実施例では、その水平側面はまた多階段構造、或いは無水平側面の構造とされ得て、第１電力供給回路４３及び第２電力供給回路４５が直接放置孔４１５の適当な内側壁に固定されればよい。
【００２３】
また、発光輝度を高めるため、放置孔４１５の一部周辺に反射層４４を設けることができ、これにより、ｐｎ接合の発生する光が正確な出光位置に案内される。
【００２４】
本発明は放熱層４８を利用して有効にｐｎ接合の発生する熱を発光ダイ４７外に排除でき、これにより発光ダイ４７の信頼性と使用寿命を確保できる。また、特殊なボール固定機及びアラインメント技術を必要とせずに、ただ一般の成熟した半導体設備と技術を用いるだけでフリップチップ構造の発光輝度増加の効果を達成できる。また、発光ダイ４７は基板４１の内向きに形成された放置孔４１５中にあり、並びに従来の技術のように基板４１の表面にはなく、これにより有効に発光装置の全体厚さを調整或いは縮減でき、製品の軽薄短小のマイクロ化設計に大きく役立つ。
【００２５】
図５は本発明のもう一つの実施例の構造断面図である。図示されるように、この実施例は、基板５１にドリリング或いはエッチングにより放置孔５１５が設けられ、放置孔５１５自身或いはその上下の開口部分が各種の実施状況により円形、楕円形、錐形、方形或いは各種環形態様に形成され、この実施例では円弧形の放置孔５１５が形成され、放置孔５１５の内表面に反射層５４が形成され、放置孔５１５内にあって、選択的に透光層５６、放熱層５８或いはその組合せを利用して発光ダイ５７が固定される。発光ダイ５７の発生する光はダイ基板５７２、反射層５４或いは透光層５６を通り投射される。
【００２６】
投射光を作用距離が長い集光特殊効果を具備させるか、或いは作用範囲の広い散乱特殊効果を具備させるため、透光層５６の外表面は、平面、内凹曲面、外凸曲面或いはその組合せに形成されうる。例えば本実施例では外凸曲面が形成されている。また、放熱層５８の外表面も、平面、内凹曲面、外凸曲面或いはその組合せに形成されうる（図示せず）。
【００２７】
このほか、発光装置が作業により発生する熱を順調に排出できるように、ヒートパイプ５９５を放熱層５８に接触するように設けてもよく、これにより順調に作業により発生した熱を発光装置外に排除できる。当然、放熱層５８の上端には反射層５９を設置することができ、これによりこれに投射された光を正確な出光位置に導くことができる。或いは反射層を設置せず、ｐｎ接合の発生する一部の光が放熱層４８の方向を通り投射される形態も可能である。
【００２８】
また、実際の使用の必要により、透光層５６中にりん光或いは蛍光物質等の色変換物質５２５を設けてもよく、これにより投射光の波長と色を変動させることができ、これにより異なる色の光、フルカラー或いは白色光を発生する目的を達成できる。或いは放熱層５８を透光物質で形成し、放熱層５８中に別のりん光或いは蛍光物質等の色変換物質５８５を設けることにより、その発生する一部或いは全部の光を変化させて他の色の光となすことができる。
【００２９】
また、本発明の発光装置は激烈に変化する外界環境、例えば砂漠地域に適用され、紫外光等の短い波長の光により透光層５６或いは発光ダイ５７が破壊されるのを防ぐために、透光層５６の外周に抗短波長光薄膜５２を設けることができる。
【００３０】
また、全体の発光輝度を高めるため、この実施例では、その第１電極５７１が反射特性を有する材料で形成され得て、且つ反射機能を有する第１電極４７１が全体の発光ダイ５７の作用表面に敷設され、これによりその反射作用範囲が拡大され、これにより第１電極５７１範囲に投射される光が反射されて正確な出光位置に導かれ、これは点線矢印で示されるとおりである。
【００３１】
最後に図６を参照されたい。図６は本発明のまた別の実施例の構造断面図である。図示されるように、この実施例は、基板６１に放置凹溝６１５の構造が設けられ、放置凹溝６１５の底側は基板底層６１１とされて、発光ダイ６７が設置され、放置凹溝６１５の周辺にドリリング或いはエッチングにより円形、楕円形、錐形、方形或いは各種環形態様が設けられ、図示される実施例では、錐形斜側壁６１３が設けられ、錐形斜側壁６１３に形成された二つの開口のうち、出光方向端の開口はもう一端のものより大きい。且つその表面に反射層６４が設けられ、これにより発光ダイ６７の発生する光線が順調に設計された出光位置に導かれ、これは点線矢印で示されるとおりである。放置凹溝６１５内には樹脂層６８が充填され、該樹脂層６８は透光物質、放熱物質、蛍光物質、りん光物質、色変換物質或いはその組合せ物が組み合わされてなる。当然、放置凹溝６１５の上開口部分も、円形、楕円形、錐形、方形或いは各種環形態様とされうる（図示せず）。
【００３２】
また、この実施例中には反射層６４が設計されるが、別の実施例では、基板６１自身が直接反射材質で形成される。或いは特殊な実際の使用を考慮し、基板６１が透光物質で形成されるか、或いは絶縁物質、導電物質或いは熱伝導物質で形成され、導電物質で形成される場合、そのうち一つの電力供給回路は絶縁材料により隔離処理される必要がある。当然、該基板６１もまた直立型発光ダイオードのリードフレームとされうる。
【００３３】
【発明の効果】
総合すると、本発明の発光装置は、軽薄短小製品設計に適用されるマイクロタイプ発光装置であり、適時にｐｎ接合の発生する熱を排除でき、また比較的成熟した製造方法により、フリップチップ技術の有する発光輝度向上機能を達成できる。ゆえに、本発明は新規性、進歩性及び産業上の利用価値を有する発明である。なお、以上の説明は、本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】周知の発光装置の構造断面図である。
【図２】周知の別の発光装置の構造断面図である。
【図３】周知のさらに別の発光装置の構造断面図である。
【図４】本発明の発光装置の実施例の構造断面図である。
【図５】本発明の発光装置の別の実施例の構造断面図である。
【図６】本発明の発光装置のさらに別の実施例の構造断面図である。
【符号の説明】
１１ 基板 １３ 第１電力供給回路
１５ 第２電力供給回路 １７ 発光ダイ
１７１ 第１電極 １７２ ダイ基板
１７３ 第１リード線 １７４ 活性層
１７５ 第２電極 １７７ 第２リード線
１９ パッケージ層 ２３ リードフレーム
２７ 発光ダイ ２７４ 活性層
２８ 放熱ブロック ２８５ ヒートパイプ
３１ 基板 ３３ 第１電力供給回路
３５ 第２電力供給回路 ３７ 発光ダイ
３７１ 第１ソルダボール ３７２ ダイ基板
３７４ 活性層 ３７５ 第２ソルダボール
４１ 基板 ４１５ 放置孔
４１７ 水平側面 ４３ 第１電力供給回路
４４ 反射層 ４５ 第２電力供給回路
４６ 透光層 ４７ 発光ダイ
４７１ 第１電極 ４７２ ダイ基板
４７３ 第１リード線 ４７４ 活性層
４７５ 第２電極 ４７７ 第２リード線
４８ 放熱層 ５１ 基板
５１５ 放置孔 ５２ 抗短波長光薄膜
５２５ 蛍光物質 ５４ 反射層
５６ 透光層 ５７ 発光ダイ
５７２ ダイ基板 ５７１ 第１電極
５８ 放熱層 ５８５ 蛍光物質
５９ 反射層 ５９５ ヒートパイプ
６１ 基板 ６１１ 基板底層
６１３ 錐形斜側壁 ６１５ 放置凹溝
６４ 反射層 ６８ 樹脂層[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a light-emitting device, and more particularly to a micro-type light-emitting device that is applied to the design of small, light, and small products. The present invention relates to a micro-type light emitting device that can achieve a high light emission luminance effect of a chip package technology.
[0002]
[Prior art]
Light-emitting diodes (LEDs) have a long life, small volume, low heat generation, low power consumption, fast reaction speed, and have the characteristics and advantages of simple light emission. It is considered the best choice for light sources.
[0003]
In the history of the development of light emitting diodes, the emphasis of research and development in the industry has been on how to increase light emission luminance and light emission efficiency. In a known light emitting device, as shown in FIG. 1, a light emitting die 17 is fixed on a substrate 11, and a flat light emitting diode shown in FIG. The light emitting die 17 includes a die substrate 172 and an active layer 174 having a pn junction grown on the die substrate 172. A first electrode 171 and a second electrode 175 are further provided on a part of the surface of the active layer 174, and the first electrode 171 is electrically connected to the first power supply circuit 13 on the side of the substrate 11 by the first lead wire 173. The second electrode 175 is electrically connected to the second power supply circuit 15 on the other side of the substrate 11 by the second lead wire 177, whereby the first power supply circuit 13 and the second power supply circuit When the power supply 15 starts, the pn junction of the light emitting die 17 acts to generate light and project it toward the package layer 19, as shown by the dotted arrow.
[0004]
Although the first type of known light-emitting device effectively generates light, it has several disadvantages as follows.
1. Some of the projected light is absorbed by the first electrode, creating a light blocking effect and creating a constant loss to the overall light source brightness.
2. When the pn junction of the active layer acts, high heat is generated, and the heat of this operation is not removed out of the light emitting device by an appropriate pipeline, so that the normal operation and the service life of the light emitting device are easily impaired.
3. Since the light emitting die is fixed to the upper surface of the substrate, it is disadvantageous to the design philosophy of miniaturizing the light emitting device in a light and small size.
[0005]
In order to solve the problem of difficulty in dissipating heat in the light emitting device, the industry has developed many heat dissipating structures. The technology described in the light emitting structure of the light emitting diode package of Patent Document 1 shown in FIG. 2 fixes the light emitting die 27 to the lead frame or the substrate 23, and is like the upright type light emitting diode shown in the drawing. , An active layer 274 having a pn junction. In order to effectively eliminate the heat generated during the operation of the pn junction, a heat dissipation block 28 is provided at the bottom side of the lead frame 23, and a heat pipe 285 is connected to the heat dissipation block 28 to emit the generated heat. The exclusion from outside the equipment has been strengthened. However, such a known structure can effectively solve the problem of heat radiation of the light emitting device, but has the following problems.
1. Some projection light sources are absorbed by the electrodes, creating a light blocking effect and creating a constant loss to the overall light source brightness.
2. The heat radiation block is formed on the outer periphery of the lead frame, which increases the volume of the light emitting device, and does not contribute to the design philosophy of miniaturization of the light emitting device in a light and small size.
[0006]
In addition, the industry has developed a flip-chip structure in order to effectively solve the problem that the absorption of the projection light of the light emitting device by the electrode lowers the light emission luminance. As shown in FIG. 3, the light emitting die 37 is placed upside down, and in the illustrated planar light emitting diode, the electrodes of the light emitting die 37 are connected to the side of the substrate 31 by the first solder ball 371 and the second solder ball 375. Is electrically connected to the first power supply circuit 33 and the second power supply circuit 35. Thus, when the pn junction of the light emitting die active layer 374 acts to generate light, the generated light has a light transmitting effect. Projected in the direction of the die substrate 372, as shown by the dotted arrow.
[0007]
However, although this light emitting device effectively solves the problem of the influence on the light emission luminance due to the absorption of the projection light by the electrodes, it still has the following disadvantages.
1. Since the light emitting die is fixed to the upper surface of the substrate, it is disadvantageous to the light, thin and small micro design concept of the light emitting device.
2. The heat generated during the pn junction action of the active layer is not removed outside the light emitting device by an appropriate pipeline, and the normal operation and service life of the light emitting device are likely to be impaired.
3. The flip-chip structure requires a ball mounter (BallMounter) having a high manufacturing cost at the time of manufacturing and an accurate alignment technique, which not only increases the problem at the time of manufacturing but also does not help to increase the product yield and reduce the manufacturing cost.
[0008]
[Patent Document 1]
Taiwan Patent Publication No. 433553
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
For this reason, it is desired to provide a novel light emitting device which can eliminate high heat generated during the pn junction operation outside the light emitting device, which is useful for designing microfabricated products, and which effectively increases the overall light emission luminance.
[0010]
The main object of the present invention is to provide a kind of micro-type light emitting device, which effectively solves the above-mentioned disadvantages of the conventional light emitting device.
[0011]
A further object of the present invention is to provide a kind of micro type light emitting device, in which the heat radiation layer eliminates the high heat generated at the time of the pn junction action outside the light emitting device, thus effectively reducing the work reliability of the light emitting device. Performance and service life.
[0012]
Another object of the present invention is to provide a kind of micro type light emitting device, which is effective by fixing a light emitting die in a leaving hole or a leaving groove formed inwardly on a substrate. In addition, it is possible to control the overall thickness of the light emitting device, which is advantageous for designing a product to be light, thin and small.
[0013]
It is still another object of the present invention to provide a kind of micro-type light emitting device, which has the effect of enhancing the light emission brightness of the flip chip package technology by using the simple and familiar manufacturing technology or production equipment of the existing semiconductor. To solve the problem of the light shielding effect by the electrodes of the known light emitting die, and to effectively increase the product yield and reduce the production cost.
[0014]
Yet another object of the present invention is to provide a kind of micro-type light emitting device, which effectively solves the problem of the light shielding effect of the electrode of the known light emitting device, and furthermore, by using an electrode having a reflection characteristic. It is assumed that the effect of greatly increasing the light emission luminance has been achieved.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 is a micro type light emitting device,
A substrate, comprising at least one leaving hole, a first power supply circuit and a second power supply circuit provided at a side end of the leaving hole;
At least one light emitting die is provided in a corresponding leaving hole, and each light emitting die includes a die substrate, a first electrode, a second electrode, and an active layer having a pn junction grown on the die substrate. The at least one of the first and second electrodes, wherein the first electrode is electrically connected to a first power supply circuit by a first lead, and the second electrode is electrically connected to a second power supply circuit by a second lead. Two light emitting dies,
A heat dissipation layer, the heat dissipation layer provided in a ring around any part of the light emitting die and the entire periphery thereof,
And a micro-type light-emitting device.
According to a second aspect of the present invention, there is provided the micro-type light emitting device according to the first aspect, wherein the heat radiation layer covers an entire pn junction peripheral position of the light emitting die.
According to a third aspect of the present invention, there is provided the micro-type light emitting device according to the first aspect, further comprising a light-transmitting layer, wherein the light-transmitting layer is provided in an annular shape around the heat-radiating layer of the light-emitting die. And a micro-type light emitting device.
According to a fourth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the first aspect, at least one horizontal side surface is provided at a side end of the leaving hole, and the first power supply circuit and the second power supply are provided on the corresponding horizontal side surfaces. A micro-type light-emitting device is provided with one of the supply circuits.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the first aspect, wherein a reflection layer is provided on an inner surface of a part of the leaving hole.
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the micro-type light emitting device according to the first aspect, wherein the first electrode is formed of a material having a reflection characteristic.
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the first aspect, further comprising a heat pipe in contact with the heat radiation layer.
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the first aspect, wherein a reflective layer is provided on an upper surface of the heat radiation layer.
According to a ninth aspect of the present invention, in the micro-type light emitting device according to the first aspect, any one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance, and a combination thereof is provided in the heat radiation layer. It is a micro type light emitting device.
According to a tenth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the third aspect, any one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance, and a combination thereof is provided in the light transmitting layer. , A micro-type light emitting device.
An eleventh aspect of the present invention is the micro type light emitting device according to the third aspect, wherein an anti-short wavelength optical thin film is provided on an outer surface of the light transmitting layer.
According to a twelfth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the third aspect, the outer surface of the light transmitting layer is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof. It is a micro type light emitting device.
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the micro-type light emitting device according to the first aspect, the outer surface of the light transmitting layer is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof. It is a micro type light emitting device.
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the first aspect, the leaving hole of the substrate is any one of a circle, an ellipse, a cone, a square, a ring, and a combination thereof. It is a type light emitting device.
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the micro-type light emitting device according to the first aspect, the leaving hole of the substrate has a conical oblique side wall, and an opening formed at an end position in the light emitting direction of the conical oblique side wall is provided at the other end. The micro type light emitting device is characterized by being larger than the opening.
According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the first aspect, wherein the substrate is a lead frame.
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the first aspect, the substrate is formed of a material of reflection, light transmission, insulation, conduction, heat conduction, or a combination thereof. Equipment.
The invention of claim 18 is the micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is made of ceramic, glass, aluminum nitride, silicon carbide, aluminum oxide, epoxy resin, urea resin, plastic, diamond, beryllium oxide, nitride. A micro-type light-emitting device is formed using any of boron, a silicon compound, a printed board, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, a compound containing a metal, and a combination thereof.
According to a nineteenth aspect of the present invention, there is provided the micro-type light emitting device according to the first aspect, wherein the light emitting die is completely accommodated in a leaving hole of the substrate.
According to a twentieth aspect of the present invention, in the micro-type light emitting device according to the first aspect, the light emitting die is any one of a flat light emitting diode, an upright light emitting diode, an organic light emitting diode, a laser diode, a surface projection light emitting diode, and a combination thereof. A micro-type light emitting device characterized by the above features.
According to a twenty-first aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the first aspect, wherein the thickness of the substrate can be adjusted.
According to a twenty-second aspect of the present invention, there is provided the micro-type light emitting device according to the first aspect, wherein a leaving groove is provided instead of the leaving hole.
According to a twenty-third aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the first aspect, wherein the heat radiation layer is formed of a material having a light transmitting property.
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the third aspect, wherein the light transmitting layer is formed of a heat conductive material.
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, in the micro-type light emitting device according to the first aspect, the upper and lower openings of the leaving hole are any one of a circle, an ellipse, a cone, a square, a ring, and a combination thereof. , A micro-type light emitting device.
According to a twenty-sixth aspect, in the micro type light emitting device,
A substrate, comprising at least one leaving hole, a first power supply circuit and a second power supply circuit provided at a side end of the leaving hole;
At least one light emitting die is provided in a corresponding leaving hole, and each light emitting die includes a die substrate, a first electrode, a second electrode, and an active layer having a pn junction grown on the die substrate. The at least one of the first and second electrodes, wherein the first electrode is electrically connected to a first power supply circuit by a first lead, and the second electrode is electrically connected to a second power supply circuit by a second lead. Two light emitting dies,
A light-transmitting layer, the light-transmitting layer is provided in a ring around any part of the light-emitting die and the entire periphery,
And a micro-type light-emitting device.
According to a twenty-seventh aspect of the present invention, there is provided the micro-type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, further comprising a heat radiation layer, wherein the heat radiation layer is provided in an annular shape around a light-transmitting layer of the light emitting die that is not covered. A micro-type light emitting device.
According to a twenty-eighth aspect of the present invention, there is provided the micro type light emitting device according to the twenty-seventh aspect, wherein the heat radiation layer covers an entire pn junction peripheral position of the light emitting die.
According to a twenty-ninth aspect, in the micro-type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, at least one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance, and a combination thereof is provided in the light transmitting layer. The feature is a micro type light emitting device.
The invention of claim 30 is the micro-type light emitting device according to claim 26, wherein an anti-short wavelength optical thin film is provided on the outer surface of the light transmitting layer.
The invention of claim 31 is the micro-type light-emitting device according to claim 26, characterized in that the micro-type light-emitting device is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof.
The invention of claim 32 is the micro-type light emitting device according to claim 27, wherein the outer surface of the heat radiation layer is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof. It is a type light emitting device.
A thirty-third aspect of the present invention is the micro-type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, wherein the leaving hole of the substrate has any one of a circular shape, an elliptical shape, a conical shape, a square shape, a ring shape, and a combination thereof. It is a type light emitting device.
According to a thirty-fourth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, the light emitting die is any one of a flat light emitting diode, an upright light emitting diode, an organic light emitting diode, a laser diode, a surface projection light emitting diode, and a combination thereof. A micro-type light emitting device characterized by the above features.
According to a thirty-fifth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the twenty-seventh aspect, at least one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance, and a combination thereof is provided in the heat radiation layer. And a micro-type light emitting device.
According to a thirty-sixth aspect of the present invention, there is provided the micro-type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, wherein the substrate is formed of a material of reflection, light transmission, insulation, conductivity, heat conduction, or a combination thereof. Equipment.
According to a thirty-seventh aspect of the present invention, in the micro-type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, the leaving hole of the substrate has a conical oblique side wall, and an opening formed at an end position of the conical oblique side wall in the light emission direction is provided at the other end. The micro type light emitting device is characterized by being larger than the opening.
According to a thirty-eighth aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, at least one horizontal side surface is provided at a side end of the leaving hole, and the first power supply circuit and the second power supply are provided on the corresponding horizontal side surfaces. A micro-type light-emitting device is provided with one of the supply circuits.
A thirty-ninth aspect of the present invention is the micro-type light-emitting device according to the twenty-sixth aspect, wherein the light-transmitting layer is formed of a heat conductive material.
The invention of claim 40 provides the micro-type light-emitting device according to claim 27, wherein the heat radiation layer is formed of a material having a light-transmitting property.
The invention of claim 41 is the micro type light emitting device according to claim 26, wherein a leaving groove is formed instead of the leaving hole.
According to a twenty-second aspect of the present invention, in the micro type light emitting device according to the twenty-sixth aspect, the upper and lower openings of the leaving hole of the substrate are any of a circle, an ellipse, a cone, a square, a ring, and a combination thereof. The feature is a micro type light emitting device.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
According to an embodiment of the present invention, the present invention includes a substrate, at least one light emitting die, and a heat dissipation layer, wherein the substrate is provided with at least one leaving hole, and a first power supply circuit and a second power supply circuit are provided at a side end of the leaving hole. 2. A power supply circuit is provided, wherein the at least one light emitting die is disposed in a corresponding leaving hole, and each light emitting die is grown on the die substrate, the first electrode, the second electrode, and the die substrate to form a pn. An active layer having a junction, wherein the first electrode is connected to the first power supply circuit by a first lead, the second electrode is connected to the second power supply circuit by a second lead, and the heat dissipation layer is annular. At the periphery of the light emitting die, and covers at least the position of the pn junction of the entire light emitting die.
[0017]
In addition, according to another embodiment of the present invention, it includes a substrate, at least one light emitting die, and a translucent layer, wherein the substrate is provided with at least one leaving hole, and a side edge of the leaving hole has a second end. A first power supply circuit and a second power supply circuit are provided, and the at least one light emitting die is installed in a corresponding leaving hole, and each light emitting die is mounted on a die substrate, a first electrode, a second electrode, and a die substrate. An active layer having a pn junction, the first electrode being connected to a first power supply circuit with a first lead, and the second electrode being connected to a second power supply circuit with a second lead. The light-transmitting layer is provided annularly around the light emitting die and fixes the light emitting die.
[0018]
【Example】
FIG. 4 is a structural sectional view of an embodiment of the light emitting device of the present invention. As shown, the present invention relates to ceramic, glass, aluminum nitride, silicon carbide, aluminum oxide, epoxy resin, urea resin, plastic, diamond, beryllium oxide, boron nitride, silicon compound, printed circuit board, indium tin oxide. At least one leaving hole 415 is formed by drilling or etching on the substrate 41 formed of any one of a material, indium zinc oxide, zinc oxide, a compound containing a metal, and a combination thereof. At least one horizontal side surface 417 is provided, which in the illustrated embodiment is one stair horizontal side surface, and the first side power supply circuit 43 and the second side power supply circuit 45 which are not in contact with each other on both side side surfaces 417. Is provided. A light emitting die 47 such as a flat light emitting diode, an upright light emitting diode, an organic light emitting diode, a laser light emitting diode, or a surface projection laser is installed in the leaving hole 415. In this embodiment, the flat light emitting diode is provided. . In the light emitting die 47, an active layer 474 having a pn junction is grown on a die substrate 472, and a first electrode 471 on the surface of the active layer 474 is electrically connected to a first power supply circuit 43 by a first lead wire 473. The second electrode 475 is electrically connected to the second power supply circuit 45 via the second lead wire 477.
[0019]
In the leaving hole 415, the light transmitting layer 46 is provided annularly around a part of the light emitting die 47 or at the bottom layer position (see FIG. 5), whereby the light emitting die 47 is fixed. In addition, a heat radiation layer 48 made of a substance having good thermal conductivity is provided in a ring shape at a position not covered by the light transmitting layer 46 of the light emitting die 47. In addition to the operation, when the power supply of the first power supply circuit 43 and the second power supply circuit 45 is started and the pn junction operates to generate light, the heat generated by the light emitting die 47 is used by the heat radiation layer 48. And has the function of excluding it outside the apparatus.
[0020]
In addition, light generated by the pn junction is projected in the direction of the die substrate 472 and is as shown by a dotted arrow. As a result, similarly to a general flip-chip structure, the projected light is emitted by the first electrode 471 or The light does not pass through the direction of the second electrode 475, so that there is no light blocking effect, thereby increasing the overall light emission luminance.
[0021]
Naturally, most of the heat generated by the operation of the light emitting die 47 comes from the pn junction. Therefore, it is preferable that the heat radiation layer 48 covers the position around the pn junction of the active layer 474, but is not limited to this. Absent.
[0022]
Further, in this embodiment, the side wall (upper opening portion) of the leaving hole 415 appears as a staircase horizontal side surface 417, but in other embodiments, the horizontal side surface has a multi-step structure or a non-horizontal side surface. The first power supply circuit 43 and the second power supply circuit 45 may be directly fixed to an appropriate inner wall of the leaving hole 415.
[0023]
Further, in order to increase the light emission luminance, the reflection layer 44 can be provided around a part of the leaving hole 415, whereby the light generated by the pn junction is guided to an accurate light emission position.
[0024]
According to the present invention, the heat generated by the pn junction can be effectively removed from the light emitting die 47 by utilizing the heat radiation layer 48, thereby ensuring the reliability and the service life of the light emitting die 47. Also, the effect of increasing the light emission luminance of the flip-chip structure can be achieved only by using general mature semiconductor equipment and technology without requiring a special ball fixing machine and alignment technology. In addition, the light emitting die 47 is in the inward hole 415 formed inward of the substrate 41, and is not on the surface of the substrate 41 as in the prior art, thereby effectively adjusting or controlling the entire thickness of the light emitting device. It can be reduced, and it is very useful for the miniaturization design of products.
[0025]
FIG. 5 is a structural sectional view of another embodiment of the present invention. As shown in the drawing, in this embodiment, a leaving hole 515 is provided in the substrate 51 by drilling or etching, and the leaving hole 515 itself or the upper and lower openings thereof are circular, oval, conical, rectangular, or square depending on various implementation situations. Alternatively, in this embodiment, an arc-shaped leaving hole 515 is formed, and in this embodiment, the reflection layer 54 is formed on the inner surface of the leaving hole 515. The light emitting die 57 is fixed using the layer 56, the heat radiation layer 58, or a combination thereof. Light generated by the light emitting die 57 is projected through the die substrate 572, the reflective layer 54 or the light transmitting layer 56.
[0026]
The outer surface of the light-transmitting layer 56 may be a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, or a combination thereof in order to provide the projection light with a special focusing effect having a long working distance or a special scattering effect with a wide working range. Can be formed. For example, in this embodiment, an outer convex curved surface is formed. Further, the outer surface of the heat radiation layer 58 may be formed as a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, or a combination thereof (not shown).
[0027]
In addition, the heat pipe 595 may be provided so as to be in contact with the heat radiation layer 58 so that the light emitting device can smoothly discharge the heat generated by the work, whereby the heat generated by the work can be transferred to the outside of the light emitting device. Can be eliminated. Naturally, the reflection layer 59 can be provided on the upper end of the heat radiation layer 58, so that the light projected on the reflection layer 59 can be guided to an accurate light emitting position. Alternatively, a configuration in which a part of light generated by the pn junction is projected through the direction of the heat radiation layer 48 without providing the reflective layer is also possible.
[0028]
Further, if necessary for actual use, a color conversion material 525 such as phosphorescent or fluorescent material may be provided in the light transmitting layer 56, whereby the wavelength and color of the projection light can be changed, thereby The objective of generating colored light, full color or white light can be achieved. Alternatively, the heat radiation layer 58 is formed of a light-transmitting material, and another color conversion material 585 such as phosphorescent or fluorescent material is provided in the heat radiation layer 58 so that a part or all of the generated light is changed and the other light is converted. Can be colored light.
[0029]
Further, the light emitting device of the present invention is applied to a drastically changing external environment, for example, a desert area. In order to prevent the light transmitting layer 56 or the light emitting die 57 from being destroyed by light having a short wavelength such as ultraviolet light, the light transmitting device is used. An anti-short wavelength optical thin film 52 can be provided on the outer periphery of the layer 56.
[0030]
Further, in this embodiment, the first electrode 571 can be formed of a material having a reflection characteristic, and the first electrode 471 having a reflection function is formed on the working surface of the entire light emitting die 57 in order to increase the overall light emission luminance. , Whereby the range of its reflection action is enlarged, whereby the light projected on the first electrode 571 is reflected and guided to the correct light emitting position, as shown by the dotted arrow.
[0031]
Finally, see FIG. FIG. 6 is a structural sectional view of still another embodiment of the present invention. As shown in the figure, in this embodiment, the structure of the leaving groove 615 is provided on the substrate 61, the bottom side of the leaving groove 615 is the substrate bottom layer 611, the light emitting die 67 is installed, and the leaving groove 615 is provided. In the embodiment shown in the drawing, a circular, elliptical, conical, square, or various ring forms are provided by drilling or etching. In the illustrated embodiment, a conical oblique side wall 613 is provided. Of the two openings, the opening at the light emitting end is larger than the other opening. In addition, a reflective layer 64 is provided on the surface, whereby the light beam generated by the light emitting die 67 is guided to a well-designed light emitting position, as shown by a dotted arrow. A resin layer 68 is filled in the left concave groove 615, and the resin layer 68 is made of a combination of a light-transmitting substance, a heat-dissipating substance, a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance, or a combination thereof. Of course, the upper opening of the leaving groove 615 may also be circular, elliptical, conical, square, or various ring forms (not shown).
[0032]
In this embodiment, the reflection layer 64 is designed, but in another embodiment, the substrate 61 itself is formed of a direct reflection material. Alternatively, in consideration of special actual use, when the substrate 61 is formed of a light-transmitting material, or is formed of an insulating material, a conductive material, or a heat conductive material, and is formed of a conductive material, one of the power supply circuits is used. Must be isolated by an insulating material. Of course, the substrate 61 can also be a lead frame of an upright light emitting diode.
[0033]
【The invention's effect】
In summary, the light-emitting device of the present invention is a micro-type light-emitting device applied to the design of light, short and small products, can eliminate the heat generated by the pn junction in a timely manner, and has a relatively mature manufacturing method. It is possible to achieve the function of improving light emission luminance. Therefore, the present invention is an invention having novelty, inventive step, and industrial value. Note that the above description does not limit the scope of the present invention, and any modification or alteration of details that can be made based on the present invention falls within the scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a structural sectional view of a known light emitting device.
FIG. 2 is a structural sectional view of another known light emitting device.
FIG. 3 is a structural sectional view of still another known light emitting device.
FIG. 4 is a structural sectional view of an embodiment of the light emitting device of the present invention.
FIG. 5 is a structural sectional view of another embodiment of the light emitting device of the present invention.
FIG. 6 is a structural sectional view of still another embodiment of the light emitting device of the present invention.
[Explanation of symbols]
11 board 13 first power supply circuit
15 Second power supply circuit 17 Light emitting die
171 First electrode 172 Die substrate
173 first lead wire 174 active layer
175 second electrode 177 second lead wire
19 Package layer 23 Lead frame
27 Light emitting die 274 Active layer
28 heat dissipation block 285 heat pipe
31 substrate 33 first power supply circuit
35 Second power supply circuit 37 Light emitting die
371 First solder ball 372 Die substrate
374 Active layer 375 Second solder ball
41 substrate 415 leaving hole
417 Horizontal side 43 First power supply circuit
44 reflection layer 45 second power supply circuit
46 light transmitting layer 47 light emitting die
471 First electrode 472 Die substrate
473 First Lead Wire 474 Active Layer
475 Second electrode 477 Second lead wire
48 heat dissipation layer 51 substrate
515 Leaving hole 52 Anti-short wavelength optical thin film
525 phosphor 54 reflection layer
56 translucent layer 57 light emitting die
572 Die substrate 571 First electrode
58 Heat dissipation layer 585 Fluorescent substance
59 Reflective layer 595 Heat pipe
61 substrate 611 substrate bottom layer
613 Conical oblique side wall 615 Leaving groove
64 Reflective layer 68 Resin layer

Claims (42)

マイクロタイプ発光装置において、
基板とされ、少なくとも一つの放置孔を具え、該放置孔の側端に第１電力供給回路と第２電力供給回路が設けられた、上記基板と、
少なくとも一つの発光ダイとされ、対応する放置孔中に設けられ、各発光ダイがダイ基板、第１電極、第２電極、及び該ダイ基板の上に成長させられてｐｎ接合を有する活性層を具え、該第１電極が第１リード線で第１電力供給回路に電気的に連接され、該第２電極が第２リード線で第２電力供給回路に電気的に連接された、上記少なくとも一つの発光ダイと、
放熱層とされ、該発光ダイの一部周辺及び全部周辺のいずれかに環状に設けられた、上記放熱層と、
を具えたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。In a micro type light emitting device,
A substrate, comprising at least one leaving hole, a first power supply circuit and a second power supply circuit provided at a side end of the leaving hole;
At least one light emitting die is provided in a corresponding leaving hole, and each light emitting die includes a die substrate, a first electrode, a second electrode, and an active layer having a pn junction grown on the die substrate. The at least one of the first and second electrodes, wherein the first electrode is electrically connected to a first power supply circuit by a first lead, and the second electrode is electrically connected to a second power supply circuit by a second lead. Two light emitting dies,
A heat dissipation layer, the heat dissipation layer provided in a ring around any part of the light emitting die and the entire periphery thereof,
A micro-type light emitting device, comprising: 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が発光ダイの全体のｐｎ接合周辺位置を被覆することを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the heat radiation layer covers the entire pn junction peripheral position of the light emitting die. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層を更に具え、該透光層が発光ダイの放熱層に未被覆の周辺に環状に設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light-emitting device according to claim 1, further comprising a light-transmitting layer, wherein the light-transmitting layer is provided in an annular shape around an uncoated heat-radiating layer of the light-emitting die. . 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の側端に少なくとも一つの水平側面が設けられ、相互に対応する水平側面に第１電力供給回路と第２電力供給回路のいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein at least one horizontal side surface is provided at a side end of the leaving hole, and one of the first power supply circuit and the second power supply circuit is provided at a corresponding horizontal side surface. A micro-type light emitting device, characterized in that: 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の一部の内表面に反射層が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein a reflection layer is provided on an inner surface of a part of the leaving hole. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、第１電極が反射特性を具えた材料で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the first electrode is formed of a material having a reflection characteristic. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層に接触するヒートパイプを具えたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, further comprising a heat pipe in contact with the heat radiation layer. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層の上表面に反射層が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein a reflection layer is provided on an upper surface of the heat radiation layer. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層内に、蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein any one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance, and a combination thereof is provided in the heat radiation layer. 請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層内に、蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。4. The micro-type light emitting device according to claim 3, wherein any one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance and a combination thereof is provided in the light transmitting layer. 請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面に、抗短波長光薄膜が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。4. The micro type light emitting device according to claim 3, wherein an anti-short wavelength optical thin film is provided on an outer surface of the light transmitting layer. 請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面が、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。4. The micro type light emitting device according to claim 3, wherein the outer surface of the light transmitting layer is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面が、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein an outer surface of the light transmitting layer is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the leaving hole of the substrate is any one of a circle, an ellipse, a cone, a square, a ring, and a combination thereof. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が錐形斜側壁を具え、該錐形斜側壁の出光方向端位置に形成された開口がもう一端の開口よりも大きいことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the leaving hole of the substrate has a conical oblique side wall, and an opening formed at an end position in the light emitting direction of the conical oblique side wall is larger than an opening at the other end. A micro-type light emitting device. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板がリードフレームとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is a lead frame. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板が反射、透光、絶縁、導電、熱伝導或いはその組合せの材質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is formed of a material of reflection, light transmission, insulation, conductivity, heat conduction, or a combination thereof. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板が、セラミック、ガラス、窒化アルミニウム、炭化けい素、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、尿素樹脂、プラスチック、ダイヤモンド、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、けい金化合物、プリント基板、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、或いは金属を含む化合物及びその組合せのいずれかで形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is ceramic, glass, aluminum nitride, silicon carbide, aluminum oxide, epoxy resin, urea resin, plastic, diamond, beryllium oxide, boron nitride, silicon compound, and printed. A micro-type light-emitting device comprising a substrate, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, a compound containing a metal, or a combination thereof. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、発光ダイが完全に基板の放置孔内に収容されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting die is completely housed in a leaving hole of the substrate. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、発光ダイが平面型発光ダイオード、直立型発光ダイオード、有機発光ダイオード、レーザーダイオード、面投射型発光ダイオード、及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting die is any one of a flat light emitting diode, an upright light emitting diode, an organic light emitting diode, a laser diode, a surface projection light emitting diode, and a combination thereof. A micro-type light emitting device. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の厚さを調整できることを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the substrate can be adjusted. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔に代り、放置凹溝が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein a leaving groove is provided instead of the leaving hole. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が透光特性を有する材料で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the heat radiation layer is formed of a material having a light transmitting property. 請求項３に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層が熱伝導物質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。4. The micro type light emitting device according to claim 3, wherein the light transmitting layer is formed of a heat conductive material. 請求項１に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の上下の開口が円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。2. The micro-type light emitting device according to claim 1, wherein the upper and lower openings of the leaving hole are any of a circle, an ellipse, a cone, a square, a ring, and a combination thereof. マイクロタイプ発光装置において、
基板とされ、少なくとも一つの放置孔を具え、該放置孔の側端に第１電力供給回路と第２電力供給回路が設けられた、上記基板と、
少なくとも一つの発光ダイとされ、対応する放置孔中に設けられ、各発光ダイがダイ基板、第１電極、第２電極、及び該ダイ基板の上に成長させられてｐｎ接合を有する活性層を具え、該第１電極が第１リード線で第１電力供給回路に電気的に連接され、該第２電極が第２リード線で第２電力供給回路に電気的に連接された、上記少なくとも一つの発光ダイと、
透光層とされ、該発光ダイの一部周辺及び全部周辺のいずれかに環状に設けられた、上記透光層と、
を具えたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。In a micro type light emitting device,
A substrate, comprising at least one leaving hole, a first power supply circuit and a second power supply circuit provided at a side end of the leaving hole;
At least one light emitting die is provided in a corresponding leaving hole, and each light emitting die includes a die substrate, a first electrode, a second electrode, and an active layer having a pn junction grown on the die substrate. The at least one of the first and second electrodes, wherein the first electrode is electrically connected to a first power supply circuit by a first lead, and the second electrode is electrically connected to a second power supply circuit by a second lead. Two light emitting dies,
A light-transmitting layer, the light-transmitting layer is provided in a ring around any part of the light-emitting die and the entire periphery,
A micro-type light emitting device, comprising: 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層を更に具え、該放熱層が発光ダイの透光層が未被覆の周辺に環状に設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light-emitting device according to claim 26, further comprising a heat-radiating layer, wherein the heat-radiating layer is provided in an annular shape around the uncoated light-emitting layer of the light-emitting die. 請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が発光ダイの全体のｐｎ接合周辺位置を被覆することを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。28. The micro-type light emitting device according to claim 27, wherein the heat dissipation layer covers an entire pn junction peripheral position of the light emitting die. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層内に少なくとも一種類の蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light emitting device according to claim 26, wherein at least one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance and a combination thereof is provided in the light transmitting layer. apparatus. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層の外表面に抗短波長光薄膜が設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro type light emitting device according to claim 26, wherein an anti-short wavelength optical thin film is provided on an outer surface of the light transmitting layer. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light-emitting device according to claim 26, wherein the micro-type light-emitting device is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof. 請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層の外表面が、平面、内凹曲面、外凸曲面及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。28. The micro type light emitting device according to claim 27, wherein the outer surface of the heat radiation layer is any one of a flat surface, an inner concave curved surface, an outer convex curved surface, and a combination thereof. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light emitting device according to claim 26, wherein the leaving hole of the substrate is any one of a circle, an ellipse, a cone, a square, a ring, and a combination thereof. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、発光ダイが平面型発光ダイオード、直立型発光ダイオード、有機発光ダイオード、レーザーダイオード、面投射型発光ダイオード、及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light emitting device according to claim 26, wherein the light emitting die is any one of a flat light emitting diode, an upright light emitting diode, an organic light emitting diode, a laser diode, a surface projection light emitting diode, and a combination thereof. A micro-type light emitting device. 請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層内に少なくとも一種類の蛍光物質、りん光物質、色変換物質及びその組合せのいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。28. The micro-type light emitting device according to claim 27, wherein at least one of a fluorescent substance, a phosphorescent substance, a color conversion substance and a combination thereof is provided in the heat radiation layer. . 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板が反射、透光、絶縁、導電、熱伝導或いはその組合せの材質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro type light emitting device according to claim 26, wherein the substrate is formed of a material of reflection, light transmission, insulation, conductivity, heat conduction or a combination thereof. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔が錐形斜側壁を具え、該錐形斜側壁の出光方向端位置に形成された開口がもう一端の開口よりも大きいことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light emitting device according to claim 26, wherein the leaving hole of the substrate has a conical oblique side wall, and an opening formed at an end position of the conical oblique side wall in the light emitting direction is larger than an opening at the other end. A micro-type light emitting device. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔の側端に少なくとも一つの水平側面が設けられ、相互に対応する水平側面に第１電力供給回路と第２電力供給回路のいずれかが設けられたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light emitting device according to claim 26, wherein at least one horizontal side surface is provided at a side end of the leaving hole, and one of the first power supply circuit and the second power supply circuit is provided at the corresponding horizontal side surface. A micro-type light emitting device, characterized in that: 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、透光層が熱伝導物質で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro type light emitting device according to claim 26, wherein the light transmitting layer is formed of a heat conductive material. 請求項２７に記載のマイクロタイプ発光装置において、放熱層が透光特性を有する材料で形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。28. The micro type light emitting device according to claim 27, wherein the heat radiation layer is formed of a material having a light transmitting property. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、放置孔に代わり放置凹溝が形成されたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro type light emitting device according to claim 26, wherein a leaving groove is formed instead of the leaving hole. 請求項２６に記載のマイクロタイプ発光装置において、基板の放置孔の上下の開口が、円形、楕円形、錐形、方形、環形及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、マイクロタイプ発光装置。27. The micro-type light emitting device according to claim 26, wherein the upper and lower openings of the leaving hole of the substrate are any of a circle, an ellipse, a cone, a square, a ring, and a combination thereof. apparatus.
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