JP2004253044A - 光アシスト磁気記録ディスク装置および光アシスト磁気記録ディスク - Google Patents

Abstract

【課題】ヘッドの記録部と再生部をそれぞれ独立して目的の記録トラックにトラッキングさせることができ、これにより光アシスト磁気記録における高密度化を可能とした光アシスト磁気記録ディスク装置および光アシスト磁気記録ディスクを提供する。
【解決手段】記録時には、ヘッド１の記録部により記録トラックのアドレスマークおよびトラッキングマークを検出し、再生時には、ヘッド１の再生部により記録トラックのアドレスマークおよびトラッキングマークを検出する。信号処理回路２７はそれらの検出信号からアドレス信号およびトラッキング位置誤差信号を生成し、制御回路２８はヘッド１の記録部および再生部をそれぞれ独立して目的の記録トラックにトラッキングさせる。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光アシスト磁気記録ディスク装置および光アシスト磁気記録ディスクに関し、特に、ヘッドの記録部と再生部をそれぞれ独立して目的の記録トラックにトラッキングさせることができ、これにより光アシスト磁気記録における高密度化を可能とした光アシスト磁気記録ディスク装置および光アシスト磁気記録ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク記録装置においては、近年、年率１００％の速度で高密度化され、市販品としては、面記録密度４０Ｇｂｐｓｉ（Ｇｂｉｔ／（ｉｎｃｈ）^２）、実験レベルでは２００１年に１００Ｇｂｐｓｉが達成されるに至っている。
【０００３】
しかし、その後の伸びは鈍化しており、その一番の原因は記録磁化の熱緩和現象、すなわち、熱的な擾乱により磁化の方向が反転し、記録が失われて行く現象である。この熱的緩和現象は、磁気異方性と磁化の体積に比例する。従って、高密度化に伴い記録磁化のサイズが小さくなるにつれて、熱的緩和減少が起こりやすくなる。また、熱緩和を防ぐには、異方性の強い磁性膜を記録媒体として用いることが考えられるが、その膜に記録を行うには、より強い記録磁界が必要とされる。しかし、現在使用されている薄膜磁気ヘッドのポールにはすでに自然界に存在し得る最大の飽和磁束（２．４テスラ）の材料が使用されており、今後大幅な改良は望めない。
【０００４】
これを解決する方式として、光アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式では、記録時に記録位置に微小サイズのレーザ光を照射してその部分をキューリー温度近くまで加熱することにより、抗磁力を低下させて記録を行う。これにより、室温においてより磁気異方性が高く、抗磁力の強い、従って室温において熱的に安定な磁気記録媒体に記録することが可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この特許文献１に記載された従来の光アシスト磁気記録ディスク装置のヘッドは、浮上スライダの後方に、半導体レーザ、薄膜磁気トランスデューサ、およびＧＭＲセンサが順次積層された構造を有する。通常の磁気ヘッドでは、ＧＭＲセンサ、薄膜磁気トランスデューサの順に積層されているが、このヘッドでは、半導体レーザの出力光と薄膜磁気トランスデューサの磁気ポールを近付けるために逆の順に積層している。
【０００６】
このように構成された従来の光アシスト磁気記録ディスク装置では、再生部によりアドレスマークとトラッキングマークを読み取り、アドレス信号とトラッキング位置誤差信号を形成し、これらのアドレス信号およびトラッキング位置誤差信号に基づいて、記録部および再生部を記録トラックにトラッキングして記録および再生している。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００３−４５００４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の光アシスト磁気記録ディスク装置によると、ヘッドの記録部と再生部が同一トラック上にあることを前提としているが、微小レーザ光を照射して磁界を印加する記録位置と、ＧＭＲセンサの検出位置とは、薄膜磁気トランスデューサの厚さ分、約数μｍ隔てて配置されているため、再生部をトラッキングさせたときに記録部に位置ずれが生じることから、光アシスト磁気記録ディスクの高記録密度化に限界があるという問題がある。
【０００９】
すなわち、記録部と再生部との記録トラックに対しするトラッキング精度は、記録トラック幅の数分の一とする必要がある。数十Ｇｂｐｓｉの記録密度の場合、トラック幅は０．４μｍ程度であり、トラッキング精度としては、０．１μｍ程度でよく、ヘッドの角度精度としては、２０ミリラジアン（約１度）程度が許容されるため、ヘッドをスイングアームに取り付ける時の機械的な位置合わせが一応可能な範囲となる。しかし、１Ｔｂｐｓｉの場合、１ビットの占める面積は６００平方ｎｍ程度となるため、トラック幅は少なくとも６０ｎｍ以下にしなければならない。この時のトラッキング精度は１０ｎｍ以下が要求される。その場合、許容角度は１００Ｇｂｐｓｉの場合よりも一桁小さくなり、２ミリラジアン（０．１度）以下が必要となり、機械的な位置合わせのみでは極めて困難となる。
【００１０】
また、光アシスト磁気記録用のヘッドとして、半導体レーザの出力位置やソリッドイマージョンレンズの集光位置の周りにコイルを配置して磁界を発生する方式が考案されているが、これらの場合はソリッドイマージョンレンズの半径長以上、記録部と再生部を離さざるを得ないため、さらに両者の距離が長くなり、両者の位置合わせはますます困難となる。
【００１１】
従って、本発明の目的は、ヘッドの記録部と再生部をそれぞれ独立して目的の記録トラックにトラッキングさせることができ、これにより光アシスト磁気記録における高密度化を可能とした光アシスト磁気記録ディスク装置および光アシスト磁気記録ディスクを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を解決するため、ディスク上に形成された記録トラックの記録部分を加熱し、その記録部分に情報を磁気的に記録する記録部と、前記記録部分から前記情報を磁気的に再生する再生部とを有するヘッドを用いて記録および再生を行う光アシスト磁気記録ディスク装置において、前記記録部および前記再生部のそれぞれにより前記記録トラックのアドレスマークおよびトラッキングマークを検出し、得られた検出信号からアドレス信号およびトラッキング位置誤差信号を生成する信号処理手段と、前記記録の際に、前記記録部の検出に基づく前記アドレス信号および前記トラッキング位置誤差信号を用いて前記記録部を前記記録トラック上にトラッキングさせ、前記再生の際に、前記再生部の検出に基づく前記アドレス信号および前記トラッキング位置誤差信号を用いて前記再生部を前記記録トラック上にトラッキングさせる、トラッキング手段とを備えたことを特徴とする光アシスト磁気記録ディスク装置を提供する。
この構成によれば、記録時には、ヘッドの記録部により記録トラックのアドレスマークおよびトラッキングマークを検出し、信号処理手段はそれらの検出信号からアドレス信号およびトラッキング位置誤差信号を生成し、トラッキング手段はヘッドの記録部を目的の記録トラックにトラッキングさせる。ヘッドの記録部は目的の記録トラックに情報を磁気的に記録する。再生時には、ヘッドの再生部により記録トラックのアドレスマークおよびトラッキングマークを検出し、信号処理手段はそれらの検出信号からアドレス信号およびトラッキング位置誤差信号を生成し、トラッキング手段はヘッドの再生部を目的の記録トラックにトラッキングさせる。ヘッドの再生部は、目的の記録トラックから情報を磁気的に再生する。
【００１３】
本発明は、上記目的を達成するため、光学的、又は光学的および磁気的に検出可能なアドレスマークおよびトラッキングマークを備えたことを特徴とする光アシスト磁気記録ディスクを提供する。
この構成によれば、ヘッドの記録部に用いる半導体レーザあるいは薄膜磁気トランスデューサによりアドレスマークおよびトラッキングマークを検出することができ、ヘッドの再生部に用いる磁気センサあるいは磁気抵抗センサによりアドレスマークおよびトラッキングマークを検出することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスク装置の概略構成を示す。この光アシスト磁気記録ディスク装置２０は、基板２２上に磁気記録層２３としてＣｏＣｒＰｔからなる垂直磁気記録媒体を形成した光アシスト磁気記録ディスク２１と、その光アシスト磁気記録ディスク２１を回転させるモータ２４と、磁気記録層２３上を浮上走行して、磁気記録膜２３に光アシスト磁気を行う記録部と信号再生を行う再生部とを有する光アシスト磁気記録ヘッド１と、光アシスト磁気記録ヘッド１を支えるスイングアーム２５と、スイングアーム２５を走査するためのボイスコイルモータ２６と、所定の信号を処理する信号処理回路２７と、記録・再生時に信号処理回路２７からの制御信号に基づいて、モータ２４およびボイスコイルモータ２６を制御する制御回路２８とを有して構成されている。
【００１５】
信号処理回路２７は、記録時には記録情報信号を処理して光アシスト磁気記録ヘッド１の記録部の薄膜磁気トランスデューサと半導体レーザに印加する電流を変調し、磁気記録層２３に光アシスト磁気記録を行い、再生時には再生部のＧＭＲセンサからの磁界変調信号を用いて記録情報を再生するものである。
【００１６】
図２は、光アシスト磁気記録ヘッド１を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。この光アシスト磁気記録ヘッド１は、浮上スライダ２の後方に、半導体レーザ３および薄膜磁気トランスデューサ４からなる記録部と、ＧＭＲセンサ５からなる再生部を積層した構造を有する。
【００１７】
半導体レーザ３は、ＧａＡｓ系のｎ型半導体６の上に、ＧａＡｌＡｓの活性層７、ＧａＡｓ系のｐ型半導体８、キャップ層、電極（図略）等が積層されており、さらにその出力面には、微小開口１６ａを有する金属膜１６が被着され、そこから発振波長７８０ｎｍの微小レーザ光１７を磁気記録層２３の記録部分に照射して加熱することにより、その部分の抗磁力を低下させる。
【００１８】
薄膜磁気トランスデューサ４は、上下のヨーク９，１０に薄膜コイル１１が挟まれ、薄膜コイル１１の内側で上下のヨーク９，１０が接続されて磁気回路を構成し、下側のヨーク９に磁気ポール９’が接続されており、微小レーザ光１７に近接して磁界を発生し、半導体レーザ３からの微小レーザ光１７の照射によって抗磁力が低下した記録部分に磁界を印加する。
【００１９】
ＧＭＲセンサ５は、磁気シールド膜を兼ねる上側ヨーク１０と上側磁気シールド膜１５に挟まれたスピンバルブ膜１２と、スピンバルブ膜１２に電流を供給する一対の電極１３と、薄膜コイル１１およびスピンバルブ膜１２を支える誘電体膜からなるスペーサ１４とを有して構成され、記録部分の漏れ磁界から信号を磁気的に再生する。
【００２０】
図３は、光アシスト磁気記録ディスク２１の一記録トラックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。この光アシスト磁気記録ディスク２１の記録トラック４０は、クロックマーク４３と千鳥状の一対のトラッキングマーク４４からなるトラッキング部４１と、アドレスマーク４５からなるアドレス部４２とを有する。これらのマーク４３，４４，４５は、いずれも基板２２上にエンボス型（凹型）で形成されており、これらの凹部の上に磁気記録層２３が形成されている。
【００２１】
クロックマーク４３は、記録トラック４０からの再生信号やトラッキング位置誤差信号の同期を取るために使用される。
【００２２】
一対のトラッキングマーク４４は、従来の光ディスクのトラッキングにおいて提案されているサンプルサーボ方式における千鳥マークと同様のものであり、記録トラック４０に対してトラックピッチの１／４程度左右に位置をずらして配置されている。このトラッキングマーク４４上を微小レーザ光１７やＧＭＲセンサ５のスピンバルブ膜１２が走行することにより、記録部および再生部のトラッキング用のトラッキング位置誤差信号が形成される。深さは、波長の１／８〜１／６程度（波長７８０ｎｍの場合、１００〜１３０ｎｍ）としており、それによってトラッキングマーク４４による反射光の変調度は最大となる。
【００２３】
これらのクロックマーク４３およびトラッキングマーク４４の検出は、記録トラック４０からの反射光が半導体レーザ３のインピーダンスを変調する、所謂ＳＣＯＯＰ効果を用いて行う。すなわち、マーク４３，４４の有無により、半導体レーザ３に入射する光強度が変調を受けることによって、半導体レーザ３の活性層内のキャリア数が変調を受け、それによるインピーダンス変化から信号検出が可能となる。一対のトラッキングマーク４４と微小レーザ光１７との相対位置がずれることにより、それぞれのマーク４４からの信号強度が異なるため、その差信号を形成することによりトラック位置誤差信号を形成することができる。また、ＧＭＲセンサ５によるマーク検出も同様に可能となる。即ち、凹部であるマーク４３，４４は、平坦部に比べて１００ｎｍ程度スピンバルブ膜１２から離れるため、この部分の磁界は殆どスピンバルブ膜１２には到達しないため、磁気再生信号強度が平坦部に比べて非常に小さくなる。このため、ＧＭＲセンサ５によっても微小レーザ光１７の場合と同様にマーク４３，４４を検出することができる。
【００２４】
アドレスマーク４５は、トラッキングマーク４４と同様の深さで記録トラック４０の中央に形成されており、トラッキングマーク４４と同様に微小レーザ光１７とＧＭＲセンサ５により読み取られる。
【００２５】
次に、この第１の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスク装置２０の動作を説明する。記録時は、信号処理回路２７が、制御回路２８の制御の下に、記録情報信号を処理して光アシスト磁気記録ヘッド１の記録部の薄膜磁気トランスデューサ４と半導体レーザ３に印加する電流を変調し、磁気記録層２３に光アシスト磁気記録を行う。微小レーザ光１７が記録トラック４０上を走行することによって、信号処理回路２７は、アドレスマーク４５からのアドレス信号を生成し、一対のトラッキングマーク４４からトラッキング位置誤差信号を生成する。制御回路２８は、アドレス信号およびトラッキング位置誤差信号に基づいてボイスコイルモータ２６を駆動制御し、スイングアーム２５を走査させてヘッド１の記録部を所定の記録トラック上にトラッキングさせて記録する。
【００２６】
再生時は、このときＧＭＲセンサ５によりアドレスマーク４５およびトラッキングマーク４４から信号を検出し、信号処理回路２７は、ＧＭＲセンサ５の信号検出によりアドレス信号およびトラッキング位置誤差信号を生成する。制御回路２８は、アドレス信号およびトラッキング位置誤差信号に基づいてボイスコイルモータ２６を駆動制御し、スイングアーム２５を走査させて再生部を所定の記録トラック上にトラッキングさせる。光アシスト磁気記録ヘッド１の再生部のＧＭＲセンサ５からの磁界変調信号を用いて記録情報を再生する。
【００２７】
このような第１の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスク装置２０によれば、光アシスト磁気記録ヘッド１の記録部と再生部により独立にアドレス信号とトラッキング位置誤差信号を形成できるため、記録部と再生部が離れていても、それぞれを独立にトラッキング制御することが可能となる。これによって、記録密度の向上を図ることができる。
【００２８】
なお、薄膜磁気トランスデューサ４とＧＭＲセンサ５との間に、別の半導体レーザを搭載することにより、レーザ光のみを用いて、アドレスマークとトラッキングマークを検出することも可能である。この場合、再生時にも記録層を加熱することが可能となるので、ＴｂＦｅＣｏなどのフェリ磁性媒体を光アシスト磁気記録ディスク２１の記録層に用いた場合、加熱によって磁化を増大させることができ、再生感度を上げることができる。また、これによって、目的のトラックの磁化のみを増大させることができるので、隣接トラックからのクロストークを防げ、ＧＭＲセンサの幅をトラック幅よりも大きくできるという利点がある。
【００２９】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスクの一記録トラックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。この光アシスト磁気記録ディスクは、基板上の磁気記録層２３を磁化することにより、トラッキング部５１と、アドレスマーク５５からなるアドレス部５２を形成したものである。トラッキング部５１は、左右で空間周波数（ピッチ）が異なる一対のトラッキングマーク５３からなる。これにより、再生時にバンドパスフィルターを用いて両者の信号を分離することにより、トラッキング位置誤差信号を形成することができる。
【００３０】
再生部での信号形成には、ＧＭＲセンサ５を用いる。記録部での信号形成には、薄膜磁気トランスデューサ４を用いる。すなわち、磁気記録層２３からの漏れ磁界によって生じる薄膜磁気トランスデューサ４の電磁誘導を用いて信号を形成する。しかし、電磁誘導による検出感度はＧＭＲセンサ５に比べて１桁以上小さいため、トラッキングマーク５３およびアドレスマーク５５のマーク長を情報記録のマーク長よりも長くする（望ましくは３倍以上）ことにより、信号強度を増大させる。
【００３１】
この第２の実施の形態によれば、ヘッドの記録部と再生部が離れていても、第１の実施の形態と同様に、記録部と再生部をそれぞれ独立してトラッキングさせることができるので、高記録密度のディスク上の目的のトラックに記録を行うことができる。なお、トラッキングマーク５３は千鳥状に配置してゲート信号を用いて時間的に分離してもよい。
【００３２】
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスクのトラックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。この第３の実施の形態における光アシスト磁気記録ヘッドは、複数の記録部と、複数の再生部を並列に集積したものを用いる。
【００３３】
光アシスト磁気記録ディスクは、記録トラック４０の間にトラッキング用溝５６が設けられており、その両側に２つの微小レーザ光５７を走行させることにより、両者の再生信号の差信号からトラッキング位置誤差信号を生成する。２つの並列されたＧＭＲセンサにより同様のトラック位置誤差信号を生成できることは言うまでもない。
【００３４】
この第３の実施の形態によれば、トラッキングマーク部を記録トラック上に別に設ける必要がなくなり、高密度化が可能となる。また、連続してトラッキング位置誤差信号が得られるので、信号処理が簡単となり、また安定して信号が得られる。また、１本のトラッキング溝で２本の記録トラックを追従させられるため、トラッキング溝の数は、記録トラックの半分でよく、トラック溝の形成が容易となるため、より高密度化に適する。
【００３５】
図６は、本発明の第４の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ヘッドを示す。この光アシスト磁気記録ヘッドの記録部は、光アシスト磁気記録ディスク２１に平行にレーザ光６５を出射する半導体レーザ６４と、半導体レーザ６４の出力光６５を平行ビームに整形するコリメータレンズ６６と、コリメータレンズ６６からのレーザ光を半回転放物面型の外側に設けた反射層６１ａにより反射して底面６７に微小レーザ光６２を形成するソリッドイマージョンミラー（ＳＩＭ）６１と、ＳＩＭ６１の集光位置周辺に取り付けられた薄膜磁気コイル６３とを有する。また、この光アシスト磁気記録ヘッドの再生部は、ＳＩＭ６１の頂点付近に取り付けたＧＭＲセンサ５を有する。また、この光アシスト磁気記録ヘッドは、ＳＩＭ６１、ＧＭＲセンサ５、コリメータレンズ６６を支えるホルダー６８と、半導体レーザ６４をホルダー６８に取り付けるスペーサ６９とを有する。
【００３６】
この第４の実施の形態によれば、ＳＩＭ６１により、高効率微細な近接光形成が可能となる。また、ＳＩＭを用いた場合、ＳＩＭの頂点６７から集光位置まで約１００μｍと大きく離れており、従って微小レーザ光６２とスピンバルブ膜１２とはそれ以上離れているが、本発明のヘッドの記録部と再生部をそれぞれ独立して目的のトラックにトラッキングさせる機能を用いることにより、目標のトラックに記録・再生することができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、記録部と再生部のそれぞれによりアドレス信号とトラッキング位置誤差信号を生成できるので、ヘッドの記録部と再生部をそれぞれ独立して目的の記録トラックにトラッキングさせることができ、これにより光アシスト磁気記録における高密度化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスク装置を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスクの一記録トラックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光アシスト磁気ディスクの一記録トラックをを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ディスクのトラックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る光アシスト磁気記録ヘッドの断面図である。
【符号の説明】
１ 光アシスト磁気記録ヘッド
２ 浮上スライダ
３ 半導体レーザ
４ 薄膜磁気トランスデューサ
５ ＧＭＲセンサ
６ ｎ型半導体
７ 活性層
８ ｐ型半導体
９，１０ ヨーク
９’ 磁気ポール
１１ 薄膜コイル
１２ スピンバルブ膜
１３ 電極
１４ スペーサ
１５ 磁気シールド膜
１６ 金属膜
１６ａ 微小開口
１７ 微小レーザ光
２０ 光アシスト磁気記録ディスク装置
２１ 光アシスト磁気記録ディスク
２２ 基板
２３ 磁気記録層
２４ モータ
２５ スイングアーム
２６ ボイスコイルモータ
４０ 記録トラック
４１ トラッキングマーク部
４２ アドレス部
４３ クロックマーク
４４ トラッキングマーク
４５ アドレスマーク
５１ トラッキングマーク部
５２ アドレス部
５３ トラッキングマーク
５５ アドレスマーク
６０ 光アシスト磁気記録ヘッド
６１ ソリッドイマージョンミラー
６２ 微小レーザ光
６３ 薄膜磁気コイル
６４ 半導体レーザ
６５ 出力光
６６ コリメータレンズ
６７ 頂点
６８ ホルダー
６９ スペーサ

Claims (13)

1. ディスク上に形成された記録トラックの記録部分を加熱し、その記録部分に情報を磁気的に記録する記録部と、前記記録部分から前記情報を磁気的に再生する再生部とを有するヘッドを用いて記録および再生を行う光アシスト磁気記録ディスク装置において、
   前記記録部および前記再生部のそれぞれにより前記記録トラックのアドレスマークおよびトラッキングマークを検出して得られた検出信号からアドレス信号およびトラッキング位置誤差信号を生成する信号処理手段と、
   前記記録の際に、前記記録部の検出に基づく前記アドレス信号および前記トラッキング位置誤差信号を用いて前記記録部を前記記録トラック上にトラッキングさせ、前記再生の際に、前記再生部の検出に基づく前記アドレス信号および前記トラッキング位置誤差信号を用いて前記再生部を前記記録トラック上にトラッキングさせるトラッキング手段とを備えたことを特徴とする光アシスト磁気記録ディスク装置。
2. 前記ヘッドの前記記録部は、前記記録部分に微小レーザ光を照射して加熱する半導体レーザと、前記記録部分に磁界を印加して前記情報を磁気的に記録する薄膜磁気トランスデューサとを備え、
   前記ヘッドの前記再生部は、前記情報を磁気的に再生する磁気抵抗センサを備えたことを特徴とする請求項１記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
3. 前記ディスクの前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークは、光学的および磁気的に検出可能であり、
   前記ヘッドの前記記録部は、前記半導体レーザからの前記微小レーザ光によって前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークを光学的に検出し、
   前記ヘッドの前記再生部は、前記磁気抵抗センサによって前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークを磁気的に検出することを特徴とする請求項２記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
4. 前記ディスクの前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークは、凹状あるいは凸状に形成されていることを特徴する請求項３記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
5. 前記ディスクの前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークは、磁気的に形成されており、
   前記ヘッドの前記記録部は、前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークからの漏れ磁界を、前記薄膜磁気トランスデューサにより電磁誘導的に検出し、
   前記ヘッドの前記再生部は、前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークからの漏れ磁界を、前記磁気抵抗センサの抵抗変化として検出することを特徴とする請求項２記載の光アシスト磁気記録装置。
6. 前記ディスクの前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークは、前記ディスクの情報記録マークの空間周波数よりも低いことを特徴とする請求項３、４又は５記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
7. 前記ヘッドは、前記半導体レーザに、前記薄膜磁気トランスデューサおよび前記磁気抵抗センサがこの順で積層されていることを特徴とする請求項２記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
8. 前記ヘッドの前記薄膜磁気トランスデューサは、前記半導体レーザの前記微小レーザ光の出射位置近傍に、前記磁界を印加する磁気ポールを備えたことを特徴とする請求項２記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
9. 前記ヘッドの前記記録部は、前記微小レーザ光を近接場光として出射する近接場光出射手段を備えたことを特徴とする請求項２記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
10. 前記ヘッドの前記再生部は、第２の半導体レーザを備え、前記第２の半導体レーザからの微小レーザ光によって前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークを光学的に検出することを特徴とする請求項２記載の光アシスト磁気記録ディスク装置。
11. 光学的に検出可能なアドレスマークおよびトラッキングマークを備えたことを特徴とする光アシスト磁気記録ディスク。
12. 光学的および磁気的に検出可能なアドレスマークおよびトラッキングマークを備えたことを特徴とする光アシスト磁気記録ディスク。
13. 前記アドレスマークおよび前記トラッキングマークは、凹状あるいは凸状に形成されていることを特徴とする請求項１１又は１２記載の光アシスト磁気記録ディスク。

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