JP2004246002A - 光変調素子及びその製造方法 - Google Patents
光変調素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004246002A JP2004246002A JP2003034742A JP2003034742A JP2004246002A JP 2004246002 A JP2004246002 A JP 2004246002A JP 2003034742 A JP2003034742 A JP 2003034742A JP 2003034742 A JP2003034742 A JP 2003034742A JP 2004246002 A JP2004246002 A JP 2004246002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- substrate
- phase
- optical
- phase shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
【課題】光学バイアス点の制御が容易であり、感度が高く、感度の直線性に優れた光変調素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板10上に、入射光導波路42、Y分岐結合部44、位相シフト光導波路46a、47a、及び変調電極48が形成され、また電気光学効果を有する基板11上には、位相シフト光導波路46b、47b、Y分岐結合部45、及び出射光導波路43が形成され、基板10と基板11とは、スペーサ13によって傾斜角度が調整され、接着剤14によって接続されて透過型の分岐干渉型光導波路が形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】電気光学効果を有する基板10上に、入射光導波路42、Y分岐結合部44、位相シフト光導波路46a、47a、及び変調電極48が形成され、また電気光学効果を有する基板11上には、位相シフト光導波路46b、47b、Y分岐結合部45、及び出射光導波路43が形成され、基板10と基板11とは、スペーサ13によって傾斜角度が調整され、接着剤14によって接続されて透過型の分岐干渉型光導波路が形成されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学効果を呈する基板上の光導波路を利用して構成される光変調素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の電気光学効果を有する結晶を基板とし、その表面に分岐干渉型の光導波路が形成された光導波路素子は、光変調器や光電界センサのセンサヘッド等として有用である。
【0003】
図3は、従来の導波路型の光変調素子である透過型光変調器3の構成を示す模式的な斜視図である。図3において、ニオブ酸リチウム単結晶のX軸に垂直に切り出した基板41上にチタンを拡散して光導波路が形成されている。前記基板41には、入射光導波路42、そこから、点線で囲んで示したY分岐結合部44で結合した位相シフト光導波路56、57、及び上記2本の位相シフト光導波路が合流するY分岐結合部45(同じく点線で囲んで示す)で結合した出射光導波路43が形成されて、更に、位相シフト光導波路56、57の付近には、変調電極48が形成されて、透過型光変調器3が構成されている。入射光導波路42の入射端には、入力光用の光ファイバ49が結合され、出射光導波路43の出射端には、出力光用の光ファイバ50が接続されている。
【0004】
図3において、光ファイバ49からの入射光51は入射光導波路42に入射した後、Y分岐結合部44で位相シフト光導波路56と57に分割される。変調電極48に電圧信号が印加された場合、位相シフト光導波路56と57には、互いに反対向きの電界成分が生ずる。この結果、電気光学効果により屈折率変化が生じて、位相シフト光導波路56、57を伝搬する光波間に、印加電圧に応じた位相差が生じ、それらがY分岐結合部45で合流する出射光導波路43では、二つの光波間の干渉により、出射光52の強度が変化する。すなわち、変調電極48に印加される電圧に応じて、光ファイバ50に出射される光出力の強度が変化する。
【0005】
以上の構成の光変調器では、分岐干渉型光導波路を通過する光波は、変調電極48により印加される電圧に対して、三角関数的に出力変動が起こる。これを数式で表すと、(1)式のとおりである。
【0006】
Pout=α・Pin[1+cos(π・V1/Vπ+φ)]/2 ……(1)
【0007】
ただし、Pout:出力光強度、Pin:入力光強度、Vπ:半波長電圧、α:光挿入損失、V1:印加電圧、である。
【0008】
また、上記(1)式において、φは印加電圧0Vでの位相バイアス(以後、光学バイアス点と称す)のシフト値を示している。また、光変調素子に必要な条件としては、光学バイアス点が、出力光強度Poutの最大値と最小値の中点付近の直線性の良い位置にあることである。
【0009】
このように、光学バイアス点が設定されたとき、光は、印加電圧に対して、直線的に強度変調される。ところが、光学バイアス点が、出力光強度Poutの最大値又は最小値に近いものでは、強度変調の直線性は悪くなり、なおかつ、感度も低下する。
【0010】
この光学バイアス点を光変調素子の製造において制御するには、非常に高精度の製作条件が要求され、これが光変調素子の歩留りを悪くする最大の要因になっていた。そこで、得られた光変調素子のうち、光学バイアス点の不適当なものについては、光導波路の一部に応力を印加し屈折率を変化させて光学バイアス点を後から調整することなどが試みられている。
【0011】
例えば、光導波路の側面から外力を加えて光学バイアス点を調整する技術が次の特許文献1に開示されている。
【0012】
【特許文献1】
特開平6−337385号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に示されたような光導波路の一部に応力を印加して屈折率を変化させ光学バイアス点を調整する方法においては、長期信頼性において問題があり、実際的には、光学バイアス点の不適当なものは廃棄せざるを得なかった。
【0014】
従って、本発明の課題は、光学バイアス点の制御が容易であり、感度が高く、感度の直線性に優れた光変調素子及びその製造方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の光変調素子は、電気光学効果を有する基板上に、位相シフト光導波路を有する分岐干渉型光導波路と変調電極とが形成された透過型の光変調素子であって、前記基板は前記位相シフト光導波路をほぼ垂直に横切る境界面の付近で接合されたことを特徴とする。
【0016】
また、前記境界面では、前記位相シフト光導波路の方向がわずかに屈折しているとよい。
【0017】
また、前記境界面の付近の基板接合面では、位相シフト光導波路の方向とほぼ直交する方向での前記基板接合面の一端にスペーサが配設されているとよい。
【0018】
また、本発明の光変調素子の製造方法は、電気光学効果を有する光学結晶基板上に、位相シフト光導波路を有する分岐干渉型光導波路と変調電極とが形成されてなる光変調素子の製造方法であって、前記位相シフト光導波路が形成された基板の部分において、切断により、光の導波方向に対して前後に2分割する工程と、分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程と、を含むことを特徴とする。
【0019】
また、前記分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程は、2分割した基板の間の片側にスペーサを配設して、1つの平面上で前記傾斜角度の調整を行う工程と、前記2分割した基板を再び接着する工程とを含むとよい。
【0020】
そして、前記分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程は、前記2分割した基板の接着面となる端面を前記位相シフト光導波路に対し、所定の角度を設けて加工する工程と、1つの平面上で基板を接着する工程とを含むとよい。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0022】
(実施の形態1) 図1は、本発明の実施の形態1の光変調素子である透過型光変調器1の構成を示す平面図である。なお、図1の符号は従来例の図3の符号と、実質的に同じものについては、共通の符号を用いた。
【0023】
図1に示すように、透過型光変調器1は、2個の基板10及び11の上に形成された分岐干渉型光導波路が、同一平面上で結合して構成されている。
【0024】
基板10の上には、入射光導波路42、Y分岐結合部44、位相シフト光導波路46a、位相シフト光導波路47a、及び変調電極48が形成されている。
【0025】
また、基板11の上には、位相シフト光導波路46b、位相シフト光導波路47b、Y分岐結合部45、及び出射光導波路43が形成されている。
【0026】
前記基板10と11は、1つの基板上に位相シフト光導波路46aと46bが連続して形成され、また位相シフト光導波路47aと47bが連続して形成された分岐干渉型の光導波路素子を位相シフト光導波路が形成された基板部分で切断し、端面加工を施すことにより得られる。
【0027】
また、前記基板10、11の接続面の片端に、スペーサ13が配置され、前記基板10、11の間に傾斜角θが形成され、接着剤14によって接着されている。すなわち、基板10と基板11の間の基板接合面で、位相シフト光導波路の方向とほぼ直交する方向での基板接合面の一端にはスペーサが配設されている。
【0028】
ここで、スペーサ13の厚さdは、下記の(2)式で求められる。
【0029】
d=Va/Vπ・(λ/4n)・w/L ……(2)
【0030】
ただし、Va:傾斜角θが0°の時の中点までの位相シフトに必要な印加電圧、λ:光の波長、n:接着剤14の屈折率、L:分岐した光導波路間距離、w:光変調素子幅、である。
【0031】
このようにして作製された透過型光変調器1では、再び結合された位相シフト光導波路の間に、Va/Vπ・(λ/2n)の光路差が生じる。この結果、印加電圧V1が0Vにおいて、入射光導波路42、位相シフト光導波路、出射光導波路43を通過した光を最大値と最小値の中点近傍の強度とする事ができる。以上のことから、前記スペーサ13の厚さを変化させることにより、様々な光学バイアス点を持つ透過型光変調器の透過光出力を最大値と最小値の中点近傍に制御する事ができる。
【0032】
(実施の形態2)図2は、本発明の実施の形態2の光変調素子である透過型光変調器2の構成を示す平面図である。
【0033】
基板20の上に入射光導波路42、Y分岐結合部44、位相シフト光導波路46a、位相シフト光導波路47a、及び変調電極48が形成され、また、基板21の上に、位相シフト光導波路46b、位相シフト光導波路47b、Y分岐結合部45、及び出射光導波路43が形成され、合わせて分岐干渉型導波路素子が、同一平面上で接合されて、透過型光変調器2が構成されている。
【0034】
前記基板20、21の接合面の少なくとも一方の端面は、図2に示すように、傾斜角θで端面加工が施されている。その結果、接合後の位相シフト光導波路は、この境界面において、わずかに屈折している。従って、図1において説明したと同様に、位相シフト光導波路46a及び位相シフト光導波路46bを合わせた位相シフト光導波路と、位相シフト光導波路47a及び位相シフト光導波路47bを合わせた位相シフト光導波路との間で光路差が生じ、光学バイアス点が変化する。よって、端面加工の角度を変化させることにより、様々な光学バイアス点を持つ透過型光変調器を透過光強度の最大値と最小値の中点近傍に制御する事ができる。
【0035】
【発明の効果】
以上、述べたように、本発明によれば、容易に光学バイアス点を制御する事ができ、感度及び感度直線性の高い光変調素子及びその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1の透過型光変調器の構成を示す平面図。
【図2】実施の形態2の透過型光変調器の構成を示す平面図。
【図3】従来の透過型光変調器の構成を示す模式的な斜視図。
【符号の説明】
1,2,3 透過型光変調器
10,11,20,21,41 基板
13 スペーサ
14 接着剤
42 入射光導波路
43 出射光導波路
44,45 Y分岐結合部
46a,46b,47a,47b,56,57 位相シフト光導波路
48 変調電極
49,50 光ファイバ
51 入射光
52 出射光
θ 傾斜角
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学効果を呈する基板上の光導波路を利用して構成される光変調素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の電気光学効果を有する結晶を基板とし、その表面に分岐干渉型の光導波路が形成された光導波路素子は、光変調器や光電界センサのセンサヘッド等として有用である。
【0003】
図3は、従来の導波路型の光変調素子である透過型光変調器3の構成を示す模式的な斜視図である。図3において、ニオブ酸リチウム単結晶のX軸に垂直に切り出した基板41上にチタンを拡散して光導波路が形成されている。前記基板41には、入射光導波路42、そこから、点線で囲んで示したY分岐結合部44で結合した位相シフト光導波路56、57、及び上記2本の位相シフト光導波路が合流するY分岐結合部45(同じく点線で囲んで示す)で結合した出射光導波路43が形成されて、更に、位相シフト光導波路56、57の付近には、変調電極48が形成されて、透過型光変調器3が構成されている。入射光導波路42の入射端には、入力光用の光ファイバ49が結合され、出射光導波路43の出射端には、出力光用の光ファイバ50が接続されている。
【0004】
図3において、光ファイバ49からの入射光51は入射光導波路42に入射した後、Y分岐結合部44で位相シフト光導波路56と57に分割される。変調電極48に電圧信号が印加された場合、位相シフト光導波路56と57には、互いに反対向きの電界成分が生ずる。この結果、電気光学効果により屈折率変化が生じて、位相シフト光導波路56、57を伝搬する光波間に、印加電圧に応じた位相差が生じ、それらがY分岐結合部45で合流する出射光導波路43では、二つの光波間の干渉により、出射光52の強度が変化する。すなわち、変調電極48に印加される電圧に応じて、光ファイバ50に出射される光出力の強度が変化する。
【0005】
以上の構成の光変調器では、分岐干渉型光導波路を通過する光波は、変調電極48により印加される電圧に対して、三角関数的に出力変動が起こる。これを数式で表すと、(1)式のとおりである。
【0006】
Pout=α・Pin[1+cos(π・V1/Vπ+φ)]/2 ……(1)
【0007】
ただし、Pout:出力光強度、Pin:入力光強度、Vπ:半波長電圧、α:光挿入損失、V1:印加電圧、である。
【0008】
また、上記(1)式において、φは印加電圧0Vでの位相バイアス(以後、光学バイアス点と称す)のシフト値を示している。また、光変調素子に必要な条件としては、光学バイアス点が、出力光強度Poutの最大値と最小値の中点付近の直線性の良い位置にあることである。
【0009】
このように、光学バイアス点が設定されたとき、光は、印加電圧に対して、直線的に強度変調される。ところが、光学バイアス点が、出力光強度Poutの最大値又は最小値に近いものでは、強度変調の直線性は悪くなり、なおかつ、感度も低下する。
【0010】
この光学バイアス点を光変調素子の製造において制御するには、非常に高精度の製作条件が要求され、これが光変調素子の歩留りを悪くする最大の要因になっていた。そこで、得られた光変調素子のうち、光学バイアス点の不適当なものについては、光導波路の一部に応力を印加し屈折率を変化させて光学バイアス点を後から調整することなどが試みられている。
【0011】
例えば、光導波路の側面から外力を加えて光学バイアス点を調整する技術が次の特許文献1に開示されている。
【0012】
【特許文献1】
特開平6−337385号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に示されたような光導波路の一部に応力を印加して屈折率を変化させ光学バイアス点を調整する方法においては、長期信頼性において問題があり、実際的には、光学バイアス点の不適当なものは廃棄せざるを得なかった。
【0014】
従って、本発明の課題は、光学バイアス点の制御が容易であり、感度が高く、感度の直線性に優れた光変調素子及びその製造方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の光変調素子は、電気光学効果を有する基板上に、位相シフト光導波路を有する分岐干渉型光導波路と変調電極とが形成された透過型の光変調素子であって、前記基板は前記位相シフト光導波路をほぼ垂直に横切る境界面の付近で接合されたことを特徴とする。
【0016】
また、前記境界面では、前記位相シフト光導波路の方向がわずかに屈折しているとよい。
【0017】
また、前記境界面の付近の基板接合面では、位相シフト光導波路の方向とほぼ直交する方向での前記基板接合面の一端にスペーサが配設されているとよい。
【0018】
また、本発明の光変調素子の製造方法は、電気光学効果を有する光学結晶基板上に、位相シフト光導波路を有する分岐干渉型光導波路と変調電極とが形成されてなる光変調素子の製造方法であって、前記位相シフト光導波路が形成された基板の部分において、切断により、光の導波方向に対して前後に2分割する工程と、分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程と、を含むことを特徴とする。
【0019】
また、前記分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程は、2分割した基板の間の片側にスペーサを配設して、1つの平面上で前記傾斜角度の調整を行う工程と、前記2分割した基板を再び接着する工程とを含むとよい。
【0020】
そして、前記分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程は、前記2分割した基板の接着面となる端面を前記位相シフト光導波路に対し、所定の角度を設けて加工する工程と、1つの平面上で基板を接着する工程とを含むとよい。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0022】
(実施の形態1) 図1は、本発明の実施の形態1の光変調素子である透過型光変調器1の構成を示す平面図である。なお、図1の符号は従来例の図3の符号と、実質的に同じものについては、共通の符号を用いた。
【0023】
図1に示すように、透過型光変調器1は、2個の基板10及び11の上に形成された分岐干渉型光導波路が、同一平面上で結合して構成されている。
【0024】
基板10の上には、入射光導波路42、Y分岐結合部44、位相シフト光導波路46a、位相シフト光導波路47a、及び変調電極48が形成されている。
【0025】
また、基板11の上には、位相シフト光導波路46b、位相シフト光導波路47b、Y分岐結合部45、及び出射光導波路43が形成されている。
【0026】
前記基板10と11は、1つの基板上に位相シフト光導波路46aと46bが連続して形成され、また位相シフト光導波路47aと47bが連続して形成された分岐干渉型の光導波路素子を位相シフト光導波路が形成された基板部分で切断し、端面加工を施すことにより得られる。
【0027】
また、前記基板10、11の接続面の片端に、スペーサ13が配置され、前記基板10、11の間に傾斜角θが形成され、接着剤14によって接着されている。すなわち、基板10と基板11の間の基板接合面で、位相シフト光導波路の方向とほぼ直交する方向での基板接合面の一端にはスペーサが配設されている。
【0028】
ここで、スペーサ13の厚さdは、下記の(2)式で求められる。
【0029】
d=Va/Vπ・(λ/4n)・w/L ……(2)
【0030】
ただし、Va:傾斜角θが0°の時の中点までの位相シフトに必要な印加電圧、λ:光の波長、n:接着剤14の屈折率、L:分岐した光導波路間距離、w:光変調素子幅、である。
【0031】
このようにして作製された透過型光変調器1では、再び結合された位相シフト光導波路の間に、Va/Vπ・(λ/2n)の光路差が生じる。この結果、印加電圧V1が0Vにおいて、入射光導波路42、位相シフト光導波路、出射光導波路43を通過した光を最大値と最小値の中点近傍の強度とする事ができる。以上のことから、前記スペーサ13の厚さを変化させることにより、様々な光学バイアス点を持つ透過型光変調器の透過光出力を最大値と最小値の中点近傍に制御する事ができる。
【0032】
(実施の形態2)図2は、本発明の実施の形態2の光変調素子である透過型光変調器2の構成を示す平面図である。
【0033】
基板20の上に入射光導波路42、Y分岐結合部44、位相シフト光導波路46a、位相シフト光導波路47a、及び変調電極48が形成され、また、基板21の上に、位相シフト光導波路46b、位相シフト光導波路47b、Y分岐結合部45、及び出射光導波路43が形成され、合わせて分岐干渉型導波路素子が、同一平面上で接合されて、透過型光変調器2が構成されている。
【0034】
前記基板20、21の接合面の少なくとも一方の端面は、図2に示すように、傾斜角θで端面加工が施されている。その結果、接合後の位相シフト光導波路は、この境界面において、わずかに屈折している。従って、図1において説明したと同様に、位相シフト光導波路46a及び位相シフト光導波路46bを合わせた位相シフト光導波路と、位相シフト光導波路47a及び位相シフト光導波路47bを合わせた位相シフト光導波路との間で光路差が生じ、光学バイアス点が変化する。よって、端面加工の角度を変化させることにより、様々な光学バイアス点を持つ透過型光変調器を透過光強度の最大値と最小値の中点近傍に制御する事ができる。
【0035】
【発明の効果】
以上、述べたように、本発明によれば、容易に光学バイアス点を制御する事ができ、感度及び感度直線性の高い光変調素子及びその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1の透過型光変調器の構成を示す平面図。
【図2】実施の形態2の透過型光変調器の構成を示す平面図。
【図3】従来の透過型光変調器の構成を示す模式的な斜視図。
【符号の説明】
1,2,3 透過型光変調器
10,11,20,21,41 基板
13 スペーサ
14 接着剤
42 入射光導波路
43 出射光導波路
44,45 Y分岐結合部
46a,46b,47a,47b,56,57 位相シフト光導波路
48 変調電極
49,50 光ファイバ
51 入射光
52 出射光
θ 傾斜角
Claims (6)
- 電気光学効果を有する基板上に、位相シフト光導波路を有する分岐干渉型光導波路と変調電極とが形成された透過型の光変調素子であって、前記基板は前記位相シフト光導波路をほぼ垂直に横切る境界面の付近で接合されたことを特徴とする光変調素子。
- 前記境界面で、前記位相シフト光導波路の方向がわずかに屈折したことを特徴とする請求項1に記載の光変調素子。
- 前記境界面の付近の基板接合面で、位相シフト光導波路の方向とほぼ直交する方向での前記基板接合面の一端にはスペーサが配設されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調素子。
- 電気光学効果を有する光学結晶基板上に、位相シフト光導波路を有する分岐干渉型光導波路と変調電極とが形成されてなる透過型の光変調素子の製造方法であって、前記位相シフト光導波路が形成された基板の部分において、切断により、光の導波方向に対して前後に2分割する工程と、分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程と、を含むことを特徴とする光変調素子の製造方法。
- 前記分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程は、2分割した基板の間の片側にスペーサを配設して、1つの平面上で前記傾斜角度の調整を行う工程と、前記2分割した基板を再び接着する工程とを含むことを特徴とする請求項4に記載の光変調素子の製造方法。
- 前記分割された位相シフト光導波路の間の傾斜角度を調整して再び結合する工程は、前記2分割した基板の接着面となる端面を前記位相シフト光導波路に対し、所定の角度を設けて加工する工程と、1つの平面上で基板を接着する工程とを含むことを特徴とする請求項4に記載の光変調素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003034742A JP2004246002A (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | 光変調素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003034742A JP2004246002A (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | 光変調素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004246002A true JP2004246002A (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=33020344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003034742A Pending JP2004246002A (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | 光変調素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004246002A (ja) |
-
2003
- 2003-02-13 JP JP2003034742A patent/JP2004246002A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5421595B2 (ja) | 進行波型光変調器 | |
US7447389B2 (en) | Optical modulator | |
US7386198B2 (en) | Optical waveguide device | |
JP4842987B2 (ja) | 光デバイス | |
JP5092573B2 (ja) | 光導波路デバイス | |
US8909006B2 (en) | Optical waveguide device | |
US20050180694A1 (en) | Optical modulator | |
JP5782974B2 (ja) | 光変調器及び光変調器の受光素子の受光量調整方法 | |
WO2011111726A1 (ja) | 光導波路素子 | |
JPWO2004068221A1 (ja) | 光変調器 | |
US20040095628A1 (en) | Optical modulator | |
US20090190876A1 (en) | Waveguide polarizer and optical waveguide device | |
US7809217B2 (en) | Light control element | |
US7778497B2 (en) | Optical modulators | |
JP5729075B2 (ja) | 光導波路素子 | |
JPH10260328A (ja) | 光変調素子 | |
GB2352290A (en) | An optical circuit for a fibre optic gyroscope | |
JP2010230741A (ja) | 光変調器 | |
JP2001350046A (ja) | 集積型光導波路素子 | |
JP2004246002A (ja) | 光変調素子及びその製造方法 | |
JPS58202406A (ja) | 導波形光ビ−ム・スプリツタ | |
JP2008009314A (ja) | 光導波路素子、光変調器および光通信装置 | |
JPH1068916A (ja) | 光導波路デバイスおよびその製造方法 | |
JP2023037926A (ja) | 光デバイス及び光通信装置 | |
JPS6294823A (ja) | 導波形光変調器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060705 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060822 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070116 |