JP2004222294A5

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Publication number: JP2004222294A5
Application number: JP2004006909A
Authority: JP
Filing date: 2004-01-14
Publication date: 2007-03-01

Claims

バイアス電流レベルに基づくパワー・レベルを有する光出力信号を発生するように構成されたレーザと、
前記レーザにバイアス電流レベルを有するバイアス電流によるバイアスをかけ、前記パワー・レベルを表すモニタ信号レベルを有するモニタ信号を受信し、前記モニタ信号レベルとモニタ信号目標レベルに略中心を置く所望のモニタ信号レベル・レンジとを比較して、前記モニタ信号レベルが前記所望のモニタ信号レベル・レンジ内になければ、前記モニタ信号レベルと前記モニタ信号目標レベルとの差に基づいて前記バイアス電流レベルを調整するように構成されたコントローラと、
を有することを特徴とする、光トランシーバ・モジュール。
前記モニタ信号を生成するように構成されたセンサをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の光トランシーバ・モジュール。
光トランシーバ・モジュールのレーザを初期化する方法であって、
前記レーザを用いて、バイアス電流レベルに基づくパワー・レベルを有する光出力信号を発生することと、
バイアス電流レベルによって前記レーザにバイアスをかけることと、
前記パワー・レベルを表すモニタ信号レベルを有するモニタ信号を受信することと、
前記モニタ信号レベルとモニタ信号目標レベルに略中心を置く所望のモニタ信号レベル・レンジとを比較することと、
前記モニタ信号レベルが前記所望のモニタ信号レベル・レンジ内になければ、前記モニタ信号レベルと前記モニタ信号目標レベルとの差に基づいて前記バイアス電流レベルを調整することと、
を有することを特徴とする、方法。
メーカが定めた初期バイアス電流レベルで前記レーザを初期バイアスして、該レーザがパワー・レベルを有する光出力信号を与え、該パワー・レベルが前記所望のモニタ信号レベル・レンジ内のモニタ信号レベルを生ずるようにすることと、
前記初期バイアス電流レベルで前記レーザをバイアスする前に、前記光トランシーバ・モジュールの現在の温度を反映するように、前記初期バイアス電流を調整することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
光トランシーバ・モジュールのレーザにおけるレーザ・バイアス電流を設定する方法であって、
前記レーザ・バイアス電流をバイアス電流値に設定することと、
前記レーザ・バイアス電流値に応じた前記レーザの光出力パワーを表すレーザ・モニタ電流レベルを測定することと、
所望のレーザ・モニタ電流レベル・レンジ内に前記レーザ・モニタ電流レベルが入るか否かを決定することと、
前記レーザ・モニタ電流レベルが前記レーザ・モニタ電流レベル・レンジに入らない場合、前記レーザ・モニタ電流レベル・レンジ内のレーザ・モニタ電流目標レベルと前記レーザ・モニタ電流レベルとの第１の差を求めることと、
前記レーザ・バイアス電流を前記第１の差に基づく調整値に設定することと、
を有することを特徴とする、方法。
前記レーザ・バイアス電流を前記調整値にした場合の、レーザ・モニタ電流レベルを測定することと、
前記調整値における前記レーザ・バイアス電流値での前記レーザ・モニタ電流レベルと前記レーザ・モニタ電流目標レベルとの第２の差を求めることと、
をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
ルックアップ・テーブルに前記第１の差による索引付けをして、バイアス電流変数が得られるようにすることと、
前記レーザ・バイアス電流を前記バイアス電流変数に基づく前記調整値に設定することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
ルックアップ・テーブルに前記第１の差による索引付けをして、バイアス電流変数が得られるようにすることと、
前記レーザ・バイアス電流を調整すべきか否かを判定するために前記バイアス電流変数を評価することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
メーカが定めた初期バイアス電流レベルに前記レーザ・バイアス電流を初期設定して、前記所望のモニタ信号レベル・レンジ内の前記モニタ信号レベルを生ずるようにすることと、
前記レーザ・バイアス電流を前記初期バイアス電流レベルに初期設定する前に、前記光トランシーバ・モジュールの現在の温度を反映するように、前記初期バイアス電流レベルを調整することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
利得と前記第１の差との乗算をすることと、
前記レーザ・バイアス電流を、前記利得と前記第１の差とを乗算した値に基づく前記調整値に設定することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
利得と前記第１の差とを乗算することと、
前記レーザ・バイアス電流を調整すべきか否かを判定するために前記利得と前記第１の差とを乗算した値を評価することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
前記レーザ・モニタ電流レベルが前記レーザ・モニタ電流目標レベルを超える場合には、前記レーザ・バイアス電流を前記バイアス電流値未満の前記調整値に設定することと、
前記レーザ・モニタ電流レベルが前記レーザ・モニタ電流目標レベル未満の場合には、前記レーザ・バイアス電流を前記バイアス電流値を超える前記調整値に設定することと、
のいずれかのことをさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
前記レーザ・バイアス電流を調整すべきか否かを判定するために前記第１の差を評価することをさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
細分性の粗い調整と細分性の微細な調整のいずれかによって、前記レーザ・バイアス電流を調整すべきかを判定するために前記第１の差の符号を評価することをさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
前記レーザ・バイアス電流を細分性の粗い調整による前記調整値に設定することをさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
前記レーザ・バイアス電流を前記調整値にした場合の、第２のレーザ・モニタ電流レベルを測定することと、
前記第２のレーザ・モニタ電流レベルと前記レーザ・モニタ電流目標レベルとの第２の差を求めることと、
前記レーザ・バイアス電流を前記第２の差に基づく、細分性の微細な調整による新しい調整値に設定することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
前記レーザ・バイアス電流を前記調整値にした場合の、第２のレーザ・モニタ電流レベルを測定することと、
前記第２のレーザ・モニタ電流レベルと前記レーザ・モニタ電流目標レベルとの第２の差を求めることと、
前記第２の差の符号と前記第１の差の符号とを比較することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
前記第２の差の符号が前記第１の差の符号と同じ場合には、前記レーザ・バイアス電流を前記細分性の粗い調整による新しい調整値に設定することと、
前記第２の差の符号が前記第１の差の符号と異なる場合には、前記レーザ・バイアス電流を前記細分性の微細な調整による新しい調整値に設定することと、
のいずれかのことをさらに有することを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
前記第１の差の絶対値が所望の値を超える場合には、前記レーザ・バイアス電流を前記調整値に設定することをさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
前記第１の差が０を超える場合には、前記レーザ・バイアス電流を前記バイアス電流値未満の前記調整値に設定することと、
前記第１の差が０未満の場合には、前記レーザ・バイアス電流を前記バイアス電流値を超える前記調整値に設定することと、
のいずれかのことをさらに有することを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
光トランシーバ・モジュールのレーザにおけるレーザ・バイアス電流を設定する方法であって、
バイアス電流値で前記レーザ・バイアス電流を供給することと、
前記レーザ・バイアス電流を前記バイアス電流値にした場合の、レーザ・モニタ電流を測定することと、
前記レーザ・バイアス電流を前記バイアス電流値にした場合の前記レーザ・モニタ電流が所望のレンジ内にあるか否かを判定することと、
前記レーザ・モニタ電流が前記所望のレンジ内にない場合、前記レーザ・バイアス電流を所定量インクリメントしてインクリメントされたバイアス電流値を与えることと、
前記レーザ・バイアス電流を前記インクリメントされたバイアス電流値にした場合の、レーザ・モニタ電流を測定することと、
前記バイアス電流値、前記バイアス電流値の前記レーザ・バイアス電流での前記レーザ・モニタ電流、前記インクリメントされたバイアス電流値、及び、前記インクリメントされたバイアス電流値の前記レーザ・バイアス電流での前記レーザ・モニタ電流に基づき、前記レーザ・バイアス電流を調整することと、
を有することを特徴とする、方法。
メーカが定めた初期バイアス電流値で前記レーザ・バイアス電流を供給して、前記所望のレンジ内の前記レーザ・モニタ電流を生ずることと、
前記初期バイアス電流値与える前に、前記光トランシーバ・モジュールの現在の温度を反映するように、前記初期バイアス電流値を調整することと、
をさらに有することを特徴とする、請求項２１に記載の方法。