JP2004222177A - Defective pixel correcting method of solid-state imaging device and photographing device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は固体撮像素子の欠陥画素補正方法及び撮影装置に係り、特にデジタルカメラやムービーカメラなどの電子映像記録装置に適用される技術であって、固体撮像素子の製造上発生し得る感光画素の欠陥(キズ)を補正する信号処理技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
デジタルカメラ等に用いられるCCD固体撮像素子は、一般の銀塩写真と比較してダイナミックレンジが非常に狭いため、適正露光で撮影された画像であっても銀塩系の写真と比較すると物足りない印象を受ける場合がある。また、撮影条件によっては、いわゆる黒つぶれや白とびを生じ、画質が著しく劣化することがある。このような欠点を解消するために、同一シーンにおいて露光量の異なる複数枚の画像を撮影し、これら複数枚の画像データを演算で合成することによってダイナミックレンジの拡大された画像を得る手法が提案されている。
【0003】
特許文献1に開示されたCCD固体撮像装置は、受光面に二次元配列される多数の受光部(ユニットセル)について、1つのユニットセルを感度の異なる2種類の受光領域(高感度部と低感度部)に分割し、2つの受光領域からそれぞれ読み出された信号を混合若しくは加算することにより、ダイナミックレンジの拡大を達成している。
【0004】
ところで、CCD等の固体撮像素子は半導体基板上に多数のフォトダイオード等の感光素子を形成することにより製造されるが、かかる撮像素子の製造にあたり、半導体基板に不純物が混入する等の原因により局所的に画素値の取り込みが不可能な欠陥画素が発生する場合がある。
【0005】
このような欠陥画素を有する撮像素子については、欠陥画素に隣接した周囲の複数の画素からの合成信号に基づいて、その欠陥画素の画素値を補正する技術が提案されている(特許文献2)。
【0006】
【特許文献1】
特開平9−205589号公報
【0007】
【特許文献2】
特開平7−143403号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来行われている固体撮像素子のキズ補正方法は、製造工程で一定以上のイレギュラーな振る舞いを見せる感光画素をキズとして検出し、キズが一定個数以下の場合、キズと判定された感光画素を周囲の画素情報で常に置き換える、或いは周囲数画素の平均値を常に出力するという補正が行われる。
【0009】
こうした従来の補正手法によると、判定されたキズが多かった場合に、これらのキズを周囲の画素値で補正するため、画像信号処理前から局所的にローパスフィルタ(LPF)がかかってしまった画像データが得られることになる。
【0010】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、解像感を落とすことなく、欠陥画素の画素値を精度よく補正できる欠陥画素補正方法及び撮影装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明に係る固体撮像素子の欠陥画素補正方法は、相対的に広い面積を有する主感光画素と、相対的に狭い面積を有する従感光画素との複合からなる画素セルが所定の配列形態に従って多数配置され、前記主感光画素で光電変換された信号電荷に基づく信号と前記従感光画素で光電変換された信号電荷に基づく信号とを選択的に取り出すことができる構造を備えた固体撮像素子において、前記固体撮像素子のいずれかの画素セルについて、当該画素セルを構成する主感光画素は正常な画素であって、従感光画素の方が欠陥画素である場合に、当該欠陥従感光画素を含む画素セルの周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが飽和出力を示す所定の飽和レベル未満であるか否かを判定し、前記周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが前記飽和レベル未満であるときに、前記欠陥従感光画素と同一画素セル内の主感光画素の画素値に基づいてその欠陥従感光画素の画素値を補正することを特徴とする。
【0012】
本発明によれば、主感光画素と従感光画素とは光学的に同位相の情報を取得することができ、同一画素セル内の主感光画素と従感光画素の画素位置は略同一の位置にあるものとして取り扱うことができる。一つの画素セル内で従感光画素に欠陥があり、従感光画素から正常な信号の取り出しが不能である場合に、当該画素セル内の正常な主感光画素の出力値(画素値)を用いて、欠陥従感光画素の画素値を補正する。ただし、このような補正を行うのは、当該欠陥画素の周囲に存在する画素セルの主感光画素(正常な画素)から得られる信号レベルが飽和レベルに達していない場合に限られる。
【0013】
欠陥画素の周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号のレベルが飽和レベルに達している場合、すなわち、主感光画素の画素値が飽和する高輝度領域については、同一画素セル内の主感光画素の画素値によって従感光画素の欠陥を補正するのは不適切であるため、従来型(ローパスフィルタ型)の補正を行うことが好ましい。
【0014】
逆に、欠陥画素の周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号のレベルが飽和レベルに達してない場合、すなわち、主感光画素のダイナミックレンジの範囲内である場合には、入射光量と画素値の間に一定の対応関係(例えば、比例関係)があるため、同一画素セル内の主感光画素の画素値によって従感光画素の欠陥を補正する。これにより、従来型の補正に比べてローパスフィルタ効果が低くなり、補正後も解像感を維持することができる。
【0015】
本発明の一態様によれば、欠陥従感光画素と同一画素セル内の主感光画素の画素値を主感光画素と従感光画素の感度比で除算する演算を行うことにより欠陥従感光画素の画素値を求めることを特徴とする。
【0016】
本発明の他の態様によれば、前記固体撮像素子のいずれかの画素セルについて、当該画素セルを構成する主感光画素が欠陥画素である場合に、当該欠陥主感光画素を含む画素セルの周囲に存在する画素セルの主感光画素の画素値に基づいてその欠陥主感光画素の画素値を補正することを特徴とする。
【0017】
主感光画素の欠陥については一律に従来型の補正を行う一方、従感光画素の欠陥については、上述した同一画素セル内の主感光画素の画素値を利用する補正を行う態様がある。
【0018】
本発明の更に他の態様は、前記固体撮像素子のいずれかの画素セルについて、当該画素セルを構成する主感光画素の方が欠陥画素であり、従感光画素は正常な画素である場合に、当該欠陥主感光画素を含む画素セルの周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが所定の判定基準値を超えるレベルであったときは、当該欠陥主感光画素と同一画素セル内の従感光画素の画素値に基づいてその欠陥主感光画素の画素値を補正することを特徴とする。
【0019】
主感光画素の欠陥を補正する際に、常に同一画素セル内の従感光画素の画素値を利用して補正すると、大きなゲインによってS/Nが劣化する場合もあるため、ガンマ変換等によって更にS/Nが劣化することが懸念される低輝度部については、従来型の補正を行うことが好ましい。S/N劣化が懸念される低輝度部であるか否かを判定するときの判定基準値を予め定めておき、この判定基準値を超える場合には、同一画素セル内の従感光画素の画素値を用いて欠陥主感光画素の画素値を補正する態様が好ましい。
【0020】
主感光画素の欠陥を補正するにあたり、欠陥主感光画素と同一画素セル内の従感光画素の画素値に主感光画素と従感光画素の感度比を乗算する演算を行うことにより欠陥主感光画素の画素値を求める態様がある。
【0021】
また、上記方法発明を具現化する装置を提供するため、本発明に係る撮影装置は、相対的に広い面積を有する主感光画素と、相対的に狭い面積を有する従感光画素との複合からなる画素セルが所定の配列形態に従って多数配置され、前記主感光画素で光電変換された信号電荷に基づく信号と前記従感光画素で光電変換された信号電荷に基づく信号とを選択的に取り出すことができる構造を備えた固体撮像素子と、前記固体撮像素子のいずれかの画素セルについて、当該画素セルを構成する主感光画素は正常な画素であって、従感光画素の方が欠陥画素である場合に、当該欠陥従感光画素を含む画素セルの周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが飽和出力を示す所定の飽和レベル未満であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段の判定により、前記周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが前記飽和レベル未満の信号レベルであると判定されたときに、当該欠陥従感光画素と同一画素セル内の主感光画素の画素値に基づいてその欠陥従感光画素の画素値を補正する欠陥画素補正手段と、を備えたことを特徴とする。
【0022】
本発明の撮影装置において、同じ画素セル内の主感光画素と従感光画素について同一の色成分のカラーフィルタが配置されており、各画素セルの上方にはそれぞれ1つの画素セルに対して1つのマイクロレンズが設けられていることを特徴とする態様がある。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係る固体撮像素子の欠陥画素補正方法及び撮影装置の好ましい実施の形態について詳説する。
【0024】
図1は本発明の実施形態に係る電子カメラの構成を示すブロック図である。このカメラ10は、CCD固体撮像素子(以下、CCDという。)13を介して撮像した被写体の光学像をデジタル画像データに変換して記録メディア14に記録するデジタルカメラであり、CCD13から得られた画像信号を処理する信号処理手段の一部に本発明の欠陥画素補正方法が適用されている。
【0025】
カメラ10全体の動作は、カメラ内蔵の中央処理装置(CPU)16によって統括制御される。 CPU16は、所定のプログラムに従って本カメラシステムを制御する制御手段として機能するとともに、自動露出(AE)演算、自動焦点調節(AF)演算、及びオートホワイトバランス(AWB)制御、欠陥画素の補正演算など各種演算を実施する演算手段として機能する。
【0026】
CPU16はバス18を介してROM20及びメモリ(RAM)22と接続されている。ROM20にはCPU16が実行するプログラム及び制御に必要な各種データなどが格納されている。メモリ22はプログラムの展開領域及びCPU16の演算作業用領域として利用されるとともに、画像データの一時記憶領域として利用される。
【0027】
また、CPU16にはEEPROM24が接続されている。EEPROM24は、CCD13の欠陥画素の位置情報、AE、AF及びAWB等の制御に必要なデータ或いはユーザが設定したカスタマイズ情報などが格納される不揮発性の記憶手段であり、必要に応じてデータの書き換えが可能であるとともに、電源OFF時においても情報内容が保持される。CPU16は必要に応じてEEPROM24のデータを参照して演算等を行う。
【0028】
カメラ10にはユーザが各種の指令を入力するための操作部30が設けられている。操作部30は、シャッターボタン、ズームスイッチ、モード切換スイッチなど各種操作部を含む。シャッターボタンは、撮影開始の指示を入力する操作手段であり、半押し時にONするS1 スイッチと、全押し時にONするS2 スイッチとを有する二段ストローク式のスイッチで構成されている。S1 オンにより、AE及びAF処理が行われ、S2 オンによって記録用の露光が行われる。ズームスイッチは、撮影倍率や再生倍率を変更するための操作手段である。モード切換スイッチは、撮影モードと再生モードとを切り換えるための操作手段である。
【0029】
また、操作部30には、上記の他、撮影目的に応じて最適な動作モード(連写モード、オート撮影モード、マニュアル撮影モード、人物モード、風景モード、夜景モードなど)を設定する撮影モード設定手段、液晶モニタ32にメニュー画面を表示させるメニューボタン、メニュー画面から所望の項目を選択する十字ボタン(カーソル移動操作手段)、選択項目の確定や処理の実行を指令するOKボタン、選択項目など所望の対象の消去や指示内容の取消し、或いは1つ前の操作状態に戻らせる指令を入力するキャンセルボタンなどの操作手段も含まれる。
【0030】
なお、操作部30の中には、プッシュ式のスイッチ部材、ダイヤル部材、レバースイッチなどの構成によるものに限らず、メニュー画面から所望の項目を選択するようなユーザインターフェースによって実現されるものも含まれている。
【0031】
操作部30からの信号はCPU16に入力される。CPU16は操作部30からの入力信号に基づいてカメラ10の各回路を制御し、例えば、レンズ駆動制御、撮影動作制御、画像処理制御、画像データの記録/再生制御、液晶モニタ32の表示制御などを行う。
【0032】
液晶モニタ32は、撮影時に画角確認用の電子ファインダーとして使用できるとともに、記録済み画像を再生表示する手段として利用される。また、液晶モニタ32は、ユーザインターフェース用表示画面としても利用され、必要に応じてメニュー情報や選択項目、設定内容などの情報が表示される。なお、液晶ディスプレイに代えて、有機ELなど他の方式の表示装置(表示手段)を用いることも可能である。
【0033】
次に、カメラ10の撮影機能について説明する。
【0034】
カメラ10は光学系ユニット34と、CCD13とを備えている。なお、CCD13に代えて、MOS型固体撮像素子など他の方式の撮像素子を用いることも可能である。光学系ユニット34は、不図示の撮影レンズと、絞り兼用メカシャッター機構を含む。撮影レンズは電動式のズームレンズで構成されており、詳細な光学構成については図示しないが、主として倍率変更(焦点距離可変)作用をもたらす変倍レンズ群及び補正レンズ群と、フォーカス調整に寄与するフォーカスレンズとを含む。
【0035】
撮影者によって操作部30のズームスイッチが操作されると、そのスイッチ操作に応じてCPU16からモータ駆動回路36に対して光学系制御信号が出力される。モータ駆動回路36は、CPU16からの制御信号に基づいてレンズ駆動用の信号を生成し、ズームモータ(不図示)に与える。こうして、モータ駆動回路36から出力されるモータ駆動電圧によってズームモータが作動し、撮影レンズ内の変倍レンズ群及び補正レンズ群が光軸に沿って前後移動することにより、撮影レンズの焦点距離(光学ズーム倍率)が変更される。
【0036】
光学系ユニット34を通過した光は、CCD13の受光面に入射する。CCD13の受光面には多数のフォトセンサ(受光素子)が平面的に配列され、各フォトセンサに対応して赤(R)、緑(G)、青(B)の原色カラーフィルタが所定の配列構造で配置されている。
【0037】
CCD13の受光面に結像された被写体像は、各フォトセンサによって入射光量に応じた量の信号電荷に変換される。CCD13は、シャッターゲートパルスのタイミングによって各フォトセンサの電荷蓄積時間(シャッタースピード)を制御する電子シャッター機能を有している。
【0038】
CCD13の各フォトセンサに蓄積された信号電荷は、CCDドライバ40から与えられるパルスに基づいて信号電荷に応じた電圧信号(画像信号)として順次読み出される。CCD13から出力された画像信号は、アナログ処理部42に送られる。アナログ処理部42は、CDS(相関二重サンプリング)回路及びゲイン調整回路を含む処理部であり、このアナログ処理部42において、サンプリング処理並びにR,G,Bの各色信号に色分離処理され、各色信号の信号レベルの調整が行われる。
【0039】
アナログ処理部42から出力された画像信号はA/D変換器44によってデジタル信号に変換された後、信号処理部46を介してメモリ22に格納される。タイミングジェネレータ(TG)48は、CPU16の指令に従ってCCDドライバ40、アナログ処理部42及びA/D変換器44に対してタイミング信号を与えており、このタイミング信号によって各回路の同期がとられている。
【0040】
信号処理部46は、メモリ22の読み書きを制御するメモリコントローラを兼ねたデジタル信号処理ブロックである。信号処理部46は、欠陥画素補正部、AE/AF/AWB処理を行うオート演算部、ホワイトバランス回路、ガンマ変換回路、同時化回路(単板CCDのカラーフィルタ配列に伴う色信号の空間的なズレを補間して各点の色を計算する処理回路)、輝度・色差信号輝度・色差信号生成回路、輪郭補正回路、コントラスト補正回路等を含む画像処理手段であり、CPU16からのコマンドに従ってメモリ22を活用しながら画像信号を処理する。
【0041】
メモリ22に格納されたデータ(CCDRAWデータ)は、バス18を介して信号処理部46に送られる。信号処理部46に入力された画像データは、ホワイトバランス調整処理、ガンマ変換処理、輝度信号(Y信号)及び色差信号(Cr,Cb 信号)への変換処理(YC処理)など、所定の信号処理が施された後、メモリ22に格納される。
【0042】
撮影画像をモニタ出力する場合、メモリ22から画像データが読み出され、表示回路50に送られる。表示回路50に送られた画像データは表示用の所定方式の信号(例えば、NTSC方式のカラー複合映像信号)に変換された後、液晶モニタ32に出力される。CCD13から出力される画像信号によってメモリ22内の画像データが定期的に書き換えられ、その画像データから生成される映像信号が液晶モニタ32に供給されることにより、撮像中の映像(スルー画)がリアルタイムに液晶モニタ32に表示される。撮影者は液晶モニタ32に表示される映像(いわゆるスルームービー)によって画角(構図)を確認できる。
【0043】
撮影者が画角を決めてシャッターボタンを押下すると、CPU16はこれを検知し、シャッターボタンの半押し(S1 ON)に応動してAE処理、AF処理を行い、シャッターボタンの全押し(S2 =ON)に応動して記録用の画像を取り込むためのCCD露光及び読み出し制御を開始する。
【0044】
すなわち、CPU16は、S1 =ONに応動して取り込まれた画像データから焦点評価演算やAE演算などの各種演算を行い、その演算結果に基づいてモータ駆動回路36に制御信号を送り、不図示のAFモータを制御して光学系ユニット34内のフォーカスレンズを合焦位置に移動させる。
【0045】
また、AE演算部は撮影画像の1画面を複数のエリア(例えば、16×16)に分割し、分割エリアごとにRGB信号を積算する回路を含み、その積算値をCPU16に提供する。RGBの各色信号について積算値を求めてもよいし、これらのうちの一色(例えば、G信号)のみについて積算値を求めてもよい。
【0046】
CPU16は、AE演算部から得た積算値に基づいて重み付け加算を行い、被写体の明るさ(被写体輝度)を検出し、撮影に適した露出値(撮影EV値)を算出する。
【0047】
カメラ10のAEは、広いダイナミックレンジを精度よく測光するために、複数回の測光を行い、被写体の輝度を正しく認識する。例えば、5〜17EVの範囲を測光するのに、1回の測光で3EVの範囲を測定できるものとすると、露出条件を変えながら最大で4回の測光が行われる。
【0048】
ある露出条件で測光を行い、各分割エリアの積算値を監視する。画像内に飽和しているエリアが存在していれば露出条件を変えて測光を行う。その一方、画像内に飽和しているエリアがなければ、その露出条件で正しく測光できるため、更なる露出条件の変更は行わない。
【0049】
こうして、複数回に分けて測光を実行することで広いレンジ(5〜17EV)を測光し、最適な露出条件を決定する。なお、1回の測光で測定できる範囲や、測光すべき範囲については、カメラ機種ごとに適宜設計可能である。
【0050】
CPU16は、上述のAE演算結果に基づいて絞りとシャッタースピードを制御し、S2 =ONに応動して記録用の画像を取得する。
【0051】
シャッターボタンの全押し(S2 =ON)に応動して取り込まれた画像データは、図1に示した信号処理部46においてYC処理その他の所定の信号処理を経た後、圧縮伸張回路52において所定の圧縮フォーマット(例えば、JPEG方式) に従って圧縮される。圧縮された画像データは、メディアインターフェース部54を介して記録メディア14に記録される。圧縮形式はJPEGに限定されず、MPEGその他の方式を採用してもよい。
【0052】
画像データを保存する手段は、スマートメディア(商標)、コンパクトフラッシュ(商標)などで代表される半導体メモリカード、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクなど、種々の媒体を用いることができる。また、リムーバブルメディアに限らず、カメラ10に内蔵された記録媒体(内部メモリ)であってもよい。
【0053】
操作部30のモード選択スイッチによって再生モードが選択されると、記録メディア14に記録されている最終の画像ファイル(最後に記録したファイル)が読み出される。記録メディア14から読み出された画像ファイルのデータは、圧縮伸張回路52によって伸張処理され、表示回路50を介して液晶モニタ32に出力される。
【0054】
再生モードの一コマ再生時に十字ボタンを操作することにより、順方向又は逆方向にコマ送りすることができ、コマ送りされた次のファイルが記録メディア14から読み出され、表示画像が更新される。
【0055】
図2は、CCD13の受光面の構造を示す平面図である。図2では2つの受光セル(画素PIX)が横に並んでいる様子を示したが、実際には多数の画素PIXが水平方向(行方向)及び垂直方向(列方向)に一定の配列周期で配列されている。
【0056】
各画素PIXは、感度の異なる2つのフォトダイオード領域61、62を含む。第1のフォトダイオード領域61は、相対的に広い面積を有し、主たる感光部(以下、主感光画素という)を構成する。第2のフォトダイオード領域62は、相対的に狭い面積を有し、従たる感光部(以下、従感光画素という。)を構成する。画素PIXの右側には垂直転送路(VCCD)63が形成されている。
【0057】
図2に示した構成はハニカム構造の画素配列であり、図示した2つの画素PIX上側及び下側の画素は横方向に半ピッチずれた位置に配置される。図2上に示した各画素PIXの左側に示されている垂直転送路63は、これら画像PIXの上側及び下側に配置される不図示の画素からの電荷を読み出し、転送するためのものである。
【0058】
図2中点線で示すように、四相駆動(φ1,φ2,φ3,φ4)に必要な転送電極64、65、66、67(まとめてELで示す。)が垂直転送路63の上方に配置される。例えば、2層ポリシリコンで転送電極を形成する場合、φ1 のパルス電圧が印加される第1の転送電極64と、φ3 のパルス電圧が印加される第3の転送電極66とは第1層ポリシリコン層で形成され、φ2 のパルス電圧が印加される第2の転送電極65と、φ4 のパルス電圧が印加される第4の転送電極68とは第2層ポリシリコン層で形成される。なお、転送電極64は従感光画素62から垂直転送路63への電荷読み出しも制御する。転送電極65は主感光画素61から垂直転送路63への電荷読み出しも制御する。
【0059】
図3は図1の3−3線に沿う断面図であり、図4は図1の4−4線に沿う断面図である。図3に示したように、n型半導体基板70の1表面にp型ウエル71が形成されている。p型ウエル71の表面領域に2つのn型領域73、74が形成され、フォトダイオードを構成している。符号73で示したn型領域のフォトダイオードが主感光画素61に相当し、符号74で示したn型領域のフォトダイオードが従感光画素62に相当している。p+ 型領域76は、画素PIX、垂直転送路63等の電気的な分離を行うチャネルストップ領域である。
【0060】
図4に示すように、フォトダイオードを構成するn型領域73の近傍に垂直転送路63を構成するn型領域77が配置されている。n型領域74、77の間のp型ウエル71が読み出しトランジスタを構成する。
【0061】
半導体基板表面上には酸化シリコン膜等の絶縁層が形成され、その上にポリシリコンで形成された転送電極ELが形成される。転送電極ELは、垂直転送路63の上方を覆うように配置されている。転送電極ELの上に、更に酸化シリコン等の絶縁層が形成され、その上に垂直転送路63等の構成要素を覆い、フォトダイオード上方に開口を有する遮光膜78がタングステン等により形成されている。
【0062】
遮光膜78を覆うようにホスホシリケートガラス等で形成された層間絶縁膜79が形成され、その表面が平坦化されている。層間絶縁膜79の上にカラーフィルタ層80が形成されている。カラーフィルタ層80は、例えば赤色領域、緑色領域、及び青色領域等の3色以上の色領域を含み、各画素PIXについて一色の色領域が割り当てられている。
【0063】
カラーフィルタ層80の上に各画素PIXに対応してマイクロレンズ81がレジスト材料等により形成されている。マイクロレンズ81は、各画素PIXの上に1つ形成されており、上方より入射する光を遮光膜78が画定する開口内に集光させる機能を有する。
【0064】
マイクロレンズ81を介して入射した光は、カラーフィルタ層80によって色分解され、主感光画素61及び従感光画素62の各フォトダイオード領域にそれぞれ入射する。各フォトダイオード領域に入射した光は、その光量に応じた信号電荷に変換され、それぞれ別々に垂直転送路63に読み出される。
【0065】
こうして、1つの画素PIXから感度の異なる2種類の画像信号(高感度画像信号と低感度画像信号)と別々に取り出すことが可能であり、光学的に同位相の画像信号を得る。
【0066】
図5は、CCD13の受光領域PS内の画素PIX及び垂直転送路63の配置を示す。画素PIXは、セルの幾何学的な形状の中心点を行方向及び列方向に1つおきに画素ピッチの半分(1/2ピッチ)ずらして配列させたハニカム構造となっている。すなわち、互いに隣接する画素PIXの行どうし(又は列どうし)において、一方の行(又は列)のセル配列が、他方の行(又は列)のセル配列に対して行方向(又は列方向)の配列間隔の略1/2だけ相対的にずれて配置された構造となっている。
【0067】
図5において画素PIXが配列された受光領域PSの右側には、転送電極ELにパルス電圧を印加するVCCD駆動回路84が配置される。各画素PIXは上述のように主感光部(主画素)と従感光部(副画素)とを含む。垂直転送路63は各列に近接して蛇行して配置されている。
【0068】
また、受光領域PSの下側(垂直転送路63の下端側)には、垂直転送路30から移された信号電荷を水平方向に転送する水平転送路(HCCD)85が設けられている。
【0069】
水平転送路85は、2相駆動の転送CCDで構成されており、水平転送路85の最終段(図1上で最左段)は出力部86に接続されている。出力部86は出力アンプを含み、入力された信号電荷の電荷検出を行い、信号電圧として出力端子に出力する。こうして、各画素PIXで光電変換した信号が点順次の信号列として出力される。
【0070】
図6は、主感光画素61と従感光画素62の光電変換特性を示すグラフである。横軸は入射光量、縦軸はA/D変換後の画像データ値(QL値)を示す。本例では12ビットデータを例示するが、ビット数はこれに限定されない。
【0071】
同図に示すように、主感光画素61と従感光画素62の感度比は1:1/aとなっている(ただし、a>1)。主感光画素61の出力は、入射光量に比例して次第に増加し、入射光量が「c」のときに出力が飽和値(QL値=4095)に達する。以後、入射光量が増加しても主感光画素61の出力は一定となる。この「c」を主感光画素61の飽和光量と呼ぶことにする。
【0072】
一方、従感光画素62の感度は、主感光画素61の感度の1/aであり、入射光量がα×cのときにQL値=4095/bで飽和する(ただし、b>1,α=a/b)。このときの「α×c」を従感光画素62の飽和光量とよぶ。
【0073】
このように、異なる感度を持つ主感光画素と従感光画素とを組み合わせることにより、主感光画素のみの構成よりもCCD13のダイナミックレンジをα倍に拡大(本例では約4倍に拡大)できる。
【0074】
シャッターボタンのS1 =ONに伴うAE処理及びAF処理は主感光画素61から得られる信号に基づいて行われる。そして、広ダイナミックレンジ撮像を行う撮影モードが選択されている場合、又は、AEの結果(ISO感度や測光値)又はホワイトバランスゲイン値などに基づき自動的に広ダイナミックレンジ撮像モードが選択された場合には、シャッターボタンのS2 =ONに応動してCCD13の露光を行い、露光後にメカシャッターを閉じて光の進入を遮断した状態で垂直駆動信号(VD)に同期して、まず、主感光画素61の電荷を読み出し、その後、従感光画素62の電荷の読み出しを行う。
【0075】
以下、CCD13の出力信号の処理について説明する。
【0076】
図7は、図1に示した信号処理部46の詳細構成を示すブロック図である。
【0077】
信号処理部46は、図7に示すように、オフセット処理部101、シェーディング補正部102、キズ補正部103、ホワイトバランス(WB)ゲイン部104、ガンマ補正部105、加算部106、YC変換部107、及び各種補正部108を備えている。
【0078】
オフセット処理部101は、CCD出力の暗電流成分を補正する処理部であり、CCD13上の遮光画素から得られるオプティカルブラック(OB)信号の値を画素値から減算する演算を行う。
【0079】
シェーディング補正部102は、光学系に起因する光量分布のばらつきに伴うCCD出力の不均一性を補正する処理部であり、画素PIXの位置に応じて予め用意されている補正係数を画素値に乗算して出力レベルを均一化する。
【0080】
なお、主感光画素61と従感光画素62とでは輝度シェーディングの発生現象が異なるため、主感光画素61の画素値及び従感光画素62の画素値についてそれぞれ異なるシェーディング補正が行われる。主感光画素については、画面中心部に対して周囲が暗くなる傾向があり、従感光画素62については、マイクロレンズ81の位置や画素PIX内における従感光画素62の形成位置などの関係で特有のシェーディング(例えば、画面中心部に対して周囲の光量が増加する現象)が発生する。主感光画素61及び従感光画素62のそれぞれのシェーディングパターンに応じてこれを解消するような信号補正処理が行われる。
【0081】
キズ補正部103は、CCD13の欠陥画素の信号値を補正する処理部である。画素PIXの欠陥には、▲1▼主感光画素61のみがキズである場合、▲2▼従感光画素62のみがキズである場合、▲3▼主感光画素61と従感光画素62の両方がキズである場合、という3態様がある。上記の3態様に対応するキズ補正のアルゴリズムについて詳しくは後述するが、補正方法としては、欠陥画素の周囲の画素PIXの画素値を利用して補正する従来型(ローパスフィルタ型)の方法と、同一画素PIX内の正常な従感光画素の画素値又は主感光画素の画素値を利用して補正する方法とがあり、状況に応じて補正方法が切り換えられる。
【0082】
キズ補正部103によってキズ補正処理されて得られた画像データはCCDRAWデータとしてメモリ22に格納される。メモリ22に格納されたCCDRAWデータはWBゲイン部104に送られる。
【0083】
WBゲイン部104は、R,G,Bの色信号のレベルを増減するためのゲイン可変アンプを含み、CPU16からの指令に基づいて各色信号のゲイン調整を行う。WBゲイン部104においてゲイン処理された信号は、ガンマ補正部105に送られる。
【0084】
ガンマ補正部105は、CPU16の指令に従い、所望のガンマ特性となるように入出力特性を変換する。ガンマ補正された画像信号は加算部106に送られる。加算部106は、主感光画素から得られた画像信号と従感光画素から得られた画像信号を加算(合成)する処理部であり、次式〔数1〕に従って出力信号を生成する。
【0085】
【数1】
出力信号=g×(主感光画素の信号)+(1−g)×(従感光画素の信号)
ただし、加算割合を示す係数gは0≦g≦1の範囲で適宜設定可能である。
CPU16は状況に応じて係数gを可変設定する。
【0086】
加算部106からの出力信号はYC処理部107に送られる。YC処理部107は単板CCD13のカラーフィルタ配列構造に伴う色信号の空間的なズレを補間して各点の色(RGB)を計算する同時化処理部と、RGB信号から輝度・色差信号を生成するYC変換処理部とを含む。
【0087】
YC処理部107で生成された輝度・色差信号(YCr Cb )は、各種補正部108に送られる。各種補正部108には、例えば、輪郭強調(アパーチャ補正)部や色差マトリックスによる色補正部などが含まれる。
【0088】
次に、上記の如く構成されたカメラ10におけるキズ補正方法について説明する。
【0089】
図8は第1の制御例を示すキズ補正処理ルーチンのフローチャートである。キズ補正の処理が開始されると(ステップS110)、まず、主感光画素61のキズ補正を実施する(ステップS120)。主感光画素61の欠陥画素の位置情報は予めEEPROM24に記憶されているので、その位置情報に基づき欠陥画素の周辺に位置する正常な主感光画素61の画素値を用いてローパスフィルタ(LPF)型の補正(周囲の画素情報で置き換え、又は周囲数画素の平均値を出力するなどの補正)を行う(ステップS130)。
【0090】
EEPROM24に記憶されている全ての主感光画素キズについて上記LPF型の補正が完了したか否かを判定し(ステップS140)、未完了ならば他の主感光画素キズについてもステップS130の補正処理を繰り返す。
【0091】
ステップS140において全ての主感光画素キズについて補正が完了したら、ステップS150に進み、従感光画素62のキズ補正を開始する。従感光画素キズを補正する際には、まず、従感光画素キズが含まれる分割測光エリアについて分割測光のデータを呼び出し(ステップS152)、その測光データ(エリアの明るさ平均を示す評価値)に基づいてダイナミックレンジの判定を行う(ステップS154)。
【0092】
従感光画素キズが含まれているエリア(区画)の明るさが主感光画素のダイナミックレンジの範囲内(ダイナミックレンジ100%以下)であるか否かを判定し(ステップS154)、ダイナミックレンジが100%未満の場合、すなわち、主感光画素データが飽和しない領域である場合には、ステップS156に進む。なお、飽和判定には一定のマージンを設けることが好ましい。
【0093】
ステップS156では、補正対象の従感光画素Sub[y][x] と同一画素PIX内の主感光画素Main[y][x]がキズであるか否かの判定を行う。この判定はEEPROM24内の欠陥画素位置情報に基づいて行われる。
【0094】
主感光画素Main[y][x]がキズである場合、つまり、ある感光画素位置([y][x])において主感光画素及び従感光画素ともにキズであると判定された場合は、従来どおり、ローパスフィルタ型の補正を行い、各々の近傍感光画素情報から画素値を決定する(ステップS158)。
【0095】
その一方、ステップS156において、主感光画素Main[y][x]が正常画素である場合には、従感光画素キズを同位置の主感光画素Main[y][x]出力を感度比にて除算した値で埋める(ステップS160)。
【0096】
すなわち、次式〔数2〕に従って従感光画素Sub[y][x] の値を定める。
【0097】
【数2】Sub[y][x] =Main[y][x]/感度比
同一画素セル内の主感光画素61の画素値によって従感光画素62の欠陥を補正することにより、従来型の補正に比べてローパスフィルタ効果が低くなり、補正後も解像感を維持することができる。
【0098】
ステップS158又はステップS160の後はステップS170に進む。ステップS170では、EEPROM24に記憶されている全ての従感光画素キズについて補正が完了したか否かを判定し、未完了ならばステップS154に戻り、他の従感光画素キズについても上述の補正処理を繰り返す。
【0099】
ステップS170において全ての従感光画素キズについて補正が完了したら、キズ補正のシーケンスを終了する(ステップS180)。
【0100】
また、ステップS154において、ダイナミックレンジが100%以上になった場合、すなわち、主感光画素データが飽和している領域の場合には、ステップS158に進み、従感光画素キズをローパスフィルタ型の補正によって埋める。
【0101】
このように、従感光画素62のキズを補正する際に、ダイナミックレンジ100%以下と判定された区画のみ、そのキズを同位置の主感光画素データで補正するようにしたのは、ダイナミックレンジ100%以上の区画については、従感光画素キズと同位置の主感光画素データが飽和しているため、主感光画素のデータを使用して補正を行うと、レベル的に正確な補正とならないためである。
【0102】
図8のフローチャートでは、分割測光データが示す各エリアの評価値から主感光画素の飽和の有無を判定したが、本発明においては、AE制御によって決定された露出条件で撮影した場合の各エリアの評価値を予測して、その予測値から主感光画素が飽和するか否かを判断してもよい。
【0103】
また、AE後のS2 =ONによって取得した画像データから直接的に主感光画素61が飽和しているか否かを判断することもできる。
【0104】
図9は第2の制御例を示すキズ補正処理ルーチンのフローチャートである。図9中図8のフローチャートと共通する工程には同一のステップ番号を付し、その説明は省略する。
【0105】
図9に示した制御例では、図8のフローチャート中のステップS152及びステップS154の処理工程に代えて、ステップS153及びステップS155の処理を行っている。
【0106】
すなわち、図9によれば、従感光画素キズの補正が開始されると(ステップS150)、従感光画素キズと同一画素PIX内の主感光画素データ(主感光画素の画素値)をメモリ22から読み出し(ステップS153)、補正対象の従感光画素Sub[y][x] と同一画素PIX内の主感光画素Main[y][x]が飽和しているか否かを判定する(ステップS155)。
【0107】
飽和の判定は図6で説明したように、飽和値に達しているか否かを判定するが、この飽和判定には一定のマージンを設け、判定基準値として飽和値(QL値=4095)よりも低い値を設定しておいてもよい。
【0108】
図9のステップS155において、従感光画素キズと同位置の主感光画素データが飽和していると判定した場合には、従来型(ローパスフィルタ型)の補正を行う(ステップS158)。その一方、従感光画素キズと同位置の主感光画素データが飽和していなければ、ステップS156に進み、当該主感光画素Main[y][x]がキズであるか否かを判定する。
【0109】
主感光画素Main[y][x]がキズであれば、ローパスフィルタ型の補正を行い(ステップS158)、主感光画素Main[y][x]が正常画素であれば、当該主感光画素Main[y][x]出力を用いて従感光画素Sub[y][x] の値を定める(ステップS160)。
【0110】
このように、S1 =ONに応じて取得される分割測光データを利用する代わりに、S2 =ONで取得された実際の主感光画素データに基づいて、主感光画素61の飽和の有無を判断してもよい。
【0111】
また、図8や図9で説明した制御例においては、主感光画素61のキズ補正に従感光画素62のデータを使用しないために、主感光画素61のCCDRAWデータを取得後、従感光画素62のデータの読み出し時に、主感光画素61のCCDRAWデータの信号処理(ホワイトバランス処理やガンマ補正など)を直ちに開始することができる利点がある。
【0112】
図10は第3の制御例を示すキズ補正処理ルーチンのフローチャートである。図10中図8のフローチャートと共通する工程には同一のステップ番号を付し、その説明は省略する。
【0113】
図10のステップS120で主感光画素キズの補正を開始したら、まずキズ画素を含む分割測光エリアについてAE処理時の分割測光データを読み出し(ステップS122)、その測光データに基づいて明るさを判定する(ステップS124)。
【0114】
ステップS124では輝度の判定基準値が定められており、取得された画像データが判定基準値よりも高輝度の領域であるか否かを判定する。
【0115】
ステップS124において高輝度部と判定した場合には、ステップS126に進み、補正対象の主感光画素Main[y][x]と同一画素PIX内の従感光画素Sub[y][x] がキズであるか否かの判定を行う。この判定はEEPROM24内の欠陥画素位置情報に基づいて行われる。
【0116】
従感光画素Sub[y][x] がキズである場合、つまり、ある感光画素位置([y][x])において主感光画素及び従感光画素ともにキズであると判定された場合は、従来どおり、ローパスフィルタ型の補正を行い(ステップS130)、各々の近傍感光画素情報から埋める。
【0117】
その一方、ステップS130において、従感光画素Sub[y][x] が正常画素である場合には、主感光画素キズを同位置の従感光画素Sub[y][x] 出力を感度比倍した値で埋める(ステップS132)。
【0118】
すなわち、次式〔数3〕に従って主感光画素Main[y][x]の値を定める。
【0119】
【数3】Main[y][x]=感度比×Sub[y][x]
ただし〔数3〕式の演算結果が飽和出力値を超える場合には出力信号を飽和出力値でクリップする。
【0120】
このように、従感光画素62のデータを使用して主感光画素61のキズを補正する場合には、大きなゲインによってS/Nが劣化する危険性もあるため、ガンマ変換によって更にS/N劣化することが懸念される低輝度部(判定基準値よりも低い輝度領域)においては、従来どおりLPF型の補正を行い、近傍画素情報から画素値を埋める手法を用いる。
【0121】
判定基準値よりも高輝度側の飽和光量近傍の領域については、同一画素PIX内の主感光画素出力によって従感光画素キズを適正に補正することができる。
【0122】
なお、飽和光量を超える高輝度の領域については、従感光画素のデータを感度倍しても主感光画素の飽和出力値(4095)を超えてしまうので、補正値は飽和出力値(4095)でクリップする。
【0123】
ステップS130又はステップS132の後はステップS140に進む。ステップS140では、EEPROM24に記憶されている全ての主感光画素キズについて上記LPF型の補正が完了したか否かを判定し(ステップS140)、未完了ならばステップS124に戻って、他の主感光画素キズについても補正処理を繰り返す。
【0124】
ステップS140において全ての主感光画素キズについて補正が完了したら、ステップS150に進み、従感光画素62のキズ補正を開始する。従感光画素キズの補正については図8で説明したとおりである。
【0125】
なお、図10に示した制御例では、従感光画素62の画素値を利用して主感光画素キズの補正を行うため、主感光画素61のデータと従感光画素62のデータとがともに一旦メモリ22に格納される。そして、メモリ22から主感光画素61のデータ及び従感光画素62のデータが読み出されて、欠陥の補正処理が行われる。
【0126】
〔変形例〕
図11にCCD13の他の構造例を示す。図11は平面図、図12は図11の12−12線に沿う断面図である。これらの図面中図2及び図3に示した例と同一又は類似の部材には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【0127】
図11及び図12に示したように、主感光画素61と従感光画素62の間にp+ 型分離領域88が形成されている。この分離領域88はチャネルストップ領域(チャネルストッパ)として機能し、フォトダイオード領域の電気的な分離を行う。また、分離領域88の上方には分離領域88に対応した位置に遮光膜89が形成されている。
【0128】
遮光膜89と分離領域88とを用いることにより、入射する光を効率的に分離するとともに、主感光画素61及び従感光画素62に蓄積された電荷がその後混合することを防止する。その他の構成は図2及び図3に示した例と同様である。
【0129】
また、画素PIXのセル形状や開口形状は図2や図11に示した例に限定されず、多角形、円形など多様な形態をとり得る。更に、各受光セルの分離形状(分割形態)についても、図2や図9に示した形状に限定されない。
【0130】
図13にCCD13の更に他の構造例を示す。図13中図2及び図11に示した例と同一又は類似の部材には同一の符号を付し、その説明は省略する。図13は、二つの感光部(61、62)が斜め方向に分離されている構成を示す。
【0131】
このように、それぞれの分割感光エリアの蓄積電荷を別々に垂直転送路に読み出すことができればよく、分決形状や分割数、面積の大小関係などは適宜設計される。ただし、従感光画素の面積を主感光画素の面積に比べて小さい値とする。また、主感光部の面積減少を抑制し、感度低下を最小限に抑えることが好ましい。
【0132】
上述の説明では、ハニカム構造の画素配列を有するCCDを例に説明したが、本発明の適用範囲はこれに限定されず、全画素が正方行列的に配列された画素配列の撮像素子を用いることもできる。
【0133】
また、上述の実施形態では、デジタルカメラを例示したが、本発明の適用範囲はこれに限定されず、ビデオカメラ、DVDカメラ、カメラ付き携帯電話機、カメラ付きPDA、カメラ付きモバイルパソコンなど、電子撮像機能を備えた他の撮影装置についても本発明を適用できる。
【0134】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、光学的に同位相の情報を捉える主感光画素と従感光画素とを備える固体撮像素子において、従感光画素の欠陥を同一画素セル内の主感光画素の画素値に基づいて補正する構成にしたので、従来の補正と比較してローパスフィルタ効果が低く、補正後も解像感を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る電子カメラの構成を示すブロック図
【図2】図1に示すCCDの受光面の構造を示す平面図
【図3】図2の3−3線に沿う断面図
【図4】図2の4−4線に沿う断面図
【図5】図1に示すCCDの全体構成を示す平面模式図
【図6】主感光画素と従感光画素の光電変換特性を示すグラフ
【図7】図1に示した信号処理部の詳細構成を示すブロック図
【図8】本例のカメラにおける第1の制御例を示すキズ補正処理ルーチンのフローチャート
【図9】本例のカメラにおける第2の制御例を示すキズ補正処理ルーチンのフローチャート
【図10】本例のカメラにおける第3の制御例を示すキズ補正処理ルーチンのフローチャート
【図11】CCDの他の構造例を示す平面図
【図12】図11の12−12線に沿う断面図
【図13】CCDの更に他の構造例を示す平面図
【符号の説明】
10…カメラ、13…CCD、16…CPU、22…メモリ、24…EEPROM、61…フォトダイオード領域(主感光画素)、62…フォトダイオード領域(従感光画素)、63…垂直転送路、80…カラーフィルタ層、81…マイクロレンズ、103…キズ補正部、106…加算部、PIX…画素、PS…受光領域[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for correcting defective pixels of a solid-state image sensor and a photographing apparatus, and more particularly to a technique applied to an electronic video recording apparatus such as a digital camera or a movie camera. The present invention relates to a signal processing technique for correcting defects (scratches).
[0002]
[Prior art]
CCD solid-state image sensors used in digital cameras and other devices have a very narrow dynamic range compared to general silver salt photographs, so even an image taken with proper exposure is unsatisfactory compared to silver salt photographs. May receive. Also, depending on the shooting conditions, so-called blackout or overexposure may occur, and image quality may be significantly degraded. In order to eliminate such drawbacks, a method has been proposed in which a plurality of images with different exposure amounts are shot in the same scene, and an image with an expanded dynamic range is obtained by combining the plurality of image data by calculation. Has been.
[0003]
In the CCD solid-state imaging device disclosed in Patent Document 1, one unit cell is divided into two types of light receiving regions (a high sensitivity portion and a low sensitivity portion) for a large number of light receiving portions (unit cells) arranged two-dimensionally on the light receiving surface. The sensitivity range is divided and the signals read from the two light receiving areas are mixed or added to achieve expansion of the dynamic range.
[0004]
By the way, a solid-state imaging device such as a CCD is manufactured by forming a number of photosensitive elements such as photodiodes on a semiconductor substrate. In some cases, defective pixels that cannot take in pixel values may occur.
[0005]
For an image sensor having such a defective pixel, a technique for correcting the pixel value of the defective pixel based on a composite signal from a plurality of surrounding pixels adjacent to the defective pixel has been proposed (Patent Document 2). .
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-9-205589
[0007]
[Patent Document 2]
JP 7-143403 A
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The conventional method for correcting defects in a solid-state imaging device detects photosensitive pixels that exhibit irregular behavior above a certain level in the manufacturing process as scratches, and if the number of scratches is less than a certain number, the photosensitive pixels that are determined to be scratches are detected. Correction is always performed so that the pixel information is always replaced with the surrounding pixel information or the average value of the surrounding pixels is always output.
[0009]
According to such a conventional correction method, when there are many determined scratches, these scratches are corrected with surrounding pixel values, so that an image that has been locally subjected to a low-pass filter (LPF) before image signal processing is applied. Data will be obtained.
[0010]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a defective pixel correction method and a photographing apparatus capable of accurately correcting the pixel value of a defective pixel without reducing the sense of resolution.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a defective pixel correction method for a solid-state imaging device according to the present invention is a pixel cell comprising a composite of a main photosensitive pixel having a relatively large area and a secondary photosensitive pixel having a relatively small area. Are arranged according to a predetermined arrangement form, and can selectively extract a signal based on the signal charge photoelectrically converted by the primary photosensitive pixel and a signal based on the signal charge photoelectrically converted by the secondary photosensitive pixel. In the solid-state imaging device provided, for any pixel cell of the solid-state imaging device, when the primary photosensitive pixel constituting the pixel cell is a normal pixel and the secondary photosensitive pixel is a defective pixel, Determining whether a signal level obtained from a main photosensitive pixel of a pixel cell existing around a pixel cell including a defective secondary photosensitive pixel is less than a predetermined saturation level indicating a saturated output; When the signal level obtained from the primary photosensitive pixel of the existing pixel cell is less than the saturation level, the pixel of the defective secondary photosensitive pixel based on the pixel value of the primary photosensitive pixel in the same pixel cell as the defective secondary photosensitive pixel It is characterized by correcting the value.
[0012]
According to the present invention, the main photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel can acquire optically in-phase information, and the pixel positions of the primary photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel in the same pixel cell are substantially the same position. It can be handled as something. When there is a defect in the secondary photosensitive pixel in one pixel cell and normal signal extraction from the secondary photosensitive pixel is impossible, the output value (pixel value) of the normal primary photosensitive pixel in the pixel cell is used. The pixel value of the defective secondary photosensitive pixel is corrected. However, such correction is performed only when the signal level obtained from the main photosensitive pixel (normal pixel) of the pixel cell existing around the defective pixel does not reach the saturation level.
[0013]
When the level of the signal obtained from the main photosensitive pixel of the pixel cell existing around the defective pixel has reached the saturation level, that is, in the high luminance region where the pixel value of the main photosensitive pixel is saturated, Since it is inappropriate to correct the defect of the secondary photosensitive pixel by the pixel value of the primary photosensitive pixel, it is preferable to perform the conventional type (low-pass filter type) correction.
[0014]
Conversely, when the level of the signal obtained from the main photosensitive pixel of the pixel cell existing around the defective pixel does not reach the saturation level, that is, within the dynamic range of the main photosensitive pixel, the amount of incident light Since there is a certain correspondence (for example, a proportional relationship) between the pixel value and the pixel value, the defect of the secondary photosensitive pixel is corrected by the pixel value of the primary photosensitive pixel in the same pixel cell. As a result, the low-pass filter effect is lower than that of the conventional correction, and the resolution can be maintained even after correction.
[0015]
According to one aspect of the present invention, the pixel of the defective secondary photosensitive pixel is obtained by performing an operation of dividing the pixel value of the primary photosensitive pixel in the same pixel cell as the defective secondary photosensitive pixel by the sensitivity ratio of the primary photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel. It is characterized by obtaining a value.
[0016]
According to another aspect of the present invention, for any pixel cell of the solid-state imaging device, when the main photosensitive pixel constituting the pixel cell is a defective pixel, the periphery of the pixel cell including the defective main photosensitive pixel The pixel value of the defective main photosensitive pixel is corrected based on the pixel value of the main photosensitive pixel of the pixel cell existing in the pixel cell.
[0017]
For the defect of the main photosensitive pixel, the conventional correction is uniformly performed. On the other hand, for the defect of the secondary photosensitive pixel, the correction using the pixel value of the main photosensitive pixel in the same pixel cell is performed.
[0018]
According to still another aspect of the present invention, for any pixel cell of the solid-state imaging device, when the primary photosensitive pixel constituting the pixel cell is a defective pixel and the secondary photosensitive pixel is a normal pixel, When the signal level obtained from the main photosensitive pixel of the pixel cell existing around the pixel cell including the defective main photosensitive pixel is a level exceeding a predetermined determination reference value, it is within the same pixel cell as the defective main photosensitive pixel. The pixel value of the defective main photosensitive pixel is corrected based on the pixel value of the secondary photosensitive pixel.
[0019]
When the defect of the main photosensitive pixel is always corrected using the pixel value of the secondary photosensitive pixel in the same pixel cell, the S / N may be deteriorated by a large gain. It is preferable to perform conventional correction for a low-luminance portion where / N is a concern. A determination reference value for determining whether or not the low-brightness area is a concern for S / N degradation is determined in advance, and if this determination reference value is exceeded, the pixels of the sub-photosensitive pixels in the same pixel cell are determined. It is preferable to correct the pixel value of the defective main photosensitive pixel using the value.
[0020]
In correcting the defect of the primary photosensitive pixel, the pixel value of the secondary photosensitive pixel in the same pixel cell as the defective primary photosensitive pixel is multiplied by the sensitivity ratio of the primary photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel to perform an operation of the defective primary photosensitive pixel. There is a mode for obtaining a pixel value.
[0021]
In order to provide an apparatus that embodies the above-described method invention, an imaging apparatus according to the present invention includes a composite of a main photosensitive pixel having a relatively large area and a secondary photosensitive pixel having a relatively small area. A large number of pixel cells are arranged according to a predetermined arrangement form, and a signal based on the signal charge photoelectrically converted by the primary photosensitive pixel and a signal based on the signal charge photoelectrically converted by the secondary photosensitive pixel can be selectively extracted. For a solid-state imaging device having a structure and any pixel cell of the solid-state imaging device, when the main photosensitive pixel constituting the pixel cell is a normal pixel and the sub-photosensitive pixel is a defective pixel Determining means for determining whether a signal level obtained from a main photosensitive pixel of a pixel cell existing around a pixel cell including the defective secondary photosensitive pixel is less than a predetermined saturation level indicating a saturated output; When it is determined by the determination means that the signal level obtained from the main photosensitive pixel of the surrounding pixel cell is a signal level lower than the saturation level, it is within the same pixel cell as the defective secondary photosensitive pixel. And defective pixel correction means for correcting the pixel value of the defective secondary photosensitive pixel based on the pixel value of the primary photosensitive pixel.
[0022]
In the photographing apparatus of the present invention, color filters of the same color component are arranged for the main photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel in the same pixel cell, and one pixel cell is provided above each pixel cell. There is an aspect characterized in that a microlens is provided.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a method for correcting defective pixels of a solid-state imaging device and a photographing apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
[0024]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electronic camera according to an embodiment of the present invention. The
[0025]
The overall operation of the
[0026]
The
[0027]
An
[0028]
The
[0029]
In addition to the above, the
[0030]
The
[0031]
A signal from the
[0032]
The liquid crystal monitor 32 can be used as an electronic viewfinder for checking the angle of view at the time of shooting, and is used as a means for reproducing and displaying recorded images. The liquid crystal monitor 32 is also used as a user interface display screen, and displays information such as menu information, selection items, and setting contents as necessary. Instead of a liquid crystal display, other types of display devices (display means) such as an organic EL can be used.
[0033]
Next, the shooting function of the
[0034]
The
[0035]
When the photographer operates the zoom switch of the
[0036]
The light that has passed through the optical system unit 34 enters the light receiving surface of the
[0037]
The subject image formed on the light receiving surface of the
[0038]
The signal charges accumulated in the photosensors of the
[0039]
The image signal output from the
[0040]
The
[0041]
Data (CCDRAW data) stored in the
[0042]
When the captured image is output to the monitor, the image data is read from the
[0043]
When the photographer determines the angle of view and presses the shutter button, the
[0044]
That is, the
[0045]
The AE calculation unit includes a circuit that divides one screen of a captured image into a plurality of areas (for example, 16 × 16) and integrates RGB signals for each divided area, and provides the integrated value to the
[0046]
The
[0047]
The AE of the
[0048]
Metering is performed under certain exposure conditions, and the integrated value of each divided area is monitored. If there is a saturated area in the image, photometry is performed with different exposure conditions. On the other hand, if there is no saturated area in the image, metering can be performed correctly under that exposure condition, and therefore the exposure condition is not changed further.
[0049]
In this way, photometry is performed in a plurality of times to measure the wide range (5 to 17 EV), and the optimum exposure condition is determined. Note that the range that can be measured by one photometry and the range that should be measured can be appropriately designed for each camera model.
[0050]
The
[0051]
The image data captured in response to the full press of the shutter button (S2 = ON) is subjected to YC processing and other predetermined signal processing in the
[0052]
As a means for storing image data, various media such as a semiconductor memory card represented by SmartMedia (trademark), compact flash (trademark), a magnetic disk, an optical disk, and a magneto-optical disk can be used. Further, the recording medium (internal memory) built in the
[0053]
When the playback mode is selected by the mode selection switch of the
[0054]
By operating the cross button during single-frame playback in the playback mode, it is possible to advance the frame in the forward direction or the reverse direction, and the next file that has been forwarded is read from the recording medium 14 and the display image is updated. .
[0055]
FIG. 2 is a plan view showing the structure of the light receiving surface of the
[0056]
Each pixel PIX includes two
[0057]
The configuration shown in FIG. 2 is a honeycomb-structured pixel arrangement, and the two pixels PIX above and below are arranged at positions shifted by a half pitch in the horizontal direction. A
[0058]
As indicated by dotted lines in FIG. 2,
[0059]
3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 in FIG. As shown in FIG. 3, a p-
[0060]
As shown in FIG. 4, an n-
[0061]
An insulating layer such as a silicon oxide film is formed on the surface of the semiconductor substrate, and a transfer electrode EL made of polysilicon is formed thereon. The transfer electrode EL is disposed so as to cover the
[0062]
An interlayer insulating
[0063]
On the
[0064]
Light incident through the
[0065]
In this way, two types of image signals (high-sensitivity image signal and low-sensitivity image signal) having different sensitivities can be separately extracted from one pixel PIX, and an optically in-phase image signal is obtained.
[0066]
FIG. 5 shows the arrangement of the pixels PIX and the
[0067]
In FIG. 5, a
[0068]
Further, a horizontal transfer path (HCCD) 85 that transfers the signal charges transferred from the
[0069]
The
[0070]
FIG. 6 is a graph showing the photoelectric conversion characteristics of the main
[0071]
As shown in the figure, the sensitivity ratio between the main
[0072]
On the other hand, the sensitivity of the secondary
[0073]
In this way, by combining the main photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel having different sensitivities, the dynamic range of the
[0074]
The AE process and the AF process associated with S1 = ON of the shutter button are performed based on the signal obtained from the main
[0075]
Hereinafter, processing of the output signal of the
[0076]
FIG. 7 is a block diagram showing a detailed configuration of the
[0077]
As shown in FIG. 7, the
[0078]
The offset
[0079]
The
[0080]
Note that since the occurrence of luminance shading is different between the main
[0081]
The
[0082]
Image data obtained by the defect correction processing by the
[0083]
The
[0084]
The
[0085]
[Expression 1]
Output signal = g × (main photosensitive pixel signal) + (1−g) × (secondary photosensitive pixel signal)
However, the coefficient g indicating the addition ratio can be appropriately set within the range of 0 ≦ g ≦ 1.
The
[0086]
An output signal from the adding
[0087]
The luminance / color difference signal (YCr Cb) generated by the
[0088]
Next, a scratch correction method in the
[0089]
FIG. 8 is a flowchart of a scratch correction processing routine illustrating a first control example. When the scratch correction process is started (step S110), first, the scratch correction of the main
[0090]
It is determined whether or not the LPF type correction has been completed for all the main photosensitive pixel scratches stored in the EEPROM 24 (step S140). If the correction has not been completed, the correction process of step S130 is performed for other main photosensitive pixel scratches. repeat.
[0091]
When the correction is completed for all the main photosensitive pixel scratches in step S140, the process proceeds to step S150, and the scratch correction of the secondary
[0092]
It is determined whether or not the brightness of the area (section) containing the secondary photosensitive pixel scratch is within the dynamic range of the primary photosensitive pixel (dynamic range of 100% or less) (step S154), and the dynamic range is 100. If it is less than%, that is, if the main photosensitive pixel data is not saturated, the process proceeds to step S156. It is preferable to provide a certain margin for the saturation determination.
[0093]
In step S156, it is determined whether or not the main photosensitive pixel Main [y] [x] in the same pixel PIX as the correction target secondary photosensitive pixel Sub [y] [x] is damaged. This determination is made based on defective pixel position information in the
[0094]
When the main photosensitive pixel Main [y] [x] is scratched, that is, when it is determined that both the primary photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel are scratched at a certain photosensitive pixel position ([y] [x]), As described above, the low-pass filter type correction is performed, and the pixel value is determined from each neighboring photosensitive pixel information (step S158).
[0095]
On the other hand, in step S156, if the main photosensitive pixel Main [y] [x] is a normal pixel, the output of the main photosensitive pixel Main [y] [x] at the same position as the secondary photosensitive pixel scratch is determined by the sensitivity ratio. Fill with the divided value (step S160).
[0096]
That is, the value of the sub-photosensitive pixel Sub [y] [x] is determined according to the following equation [Equation 2].
[0097]
## EQU2 ## Sub [y] [x] = Main [y] [x] / sensitivity ratio
By correcting the defect of the secondary
[0098]
After step S158 or step S160, the process proceeds to step S170. In step S170, it is determined whether or not the correction has been completed for all the sub-photosensitive pixel scratches stored in the
[0099]
When the correction for all the sub-photosensitive pixel flaws is completed in step S170, the flaw correction sequence is terminated (step S180).
[0100]
If the dynamic range becomes 100% or more in step S154, that is, if the main photosensitive pixel data is saturated, the process proceeds to step S158, and the secondary photosensitive pixel scratches are corrected by low-pass filter type correction. fill in.
[0101]
As described above, when the defect of the secondary
[0102]
In the flowchart of FIG. 8, the presence or absence of saturation of the main photosensitive pixel is determined from the evaluation value of each area indicated by the divided photometry data. However, in the present invention, each area when shooting is performed under the exposure condition determined by the AE control. An evaluation value may be predicted and it may be determined from the predicted value whether the main photosensitive pixel is saturated.
[0103]
It is also possible to determine whether or not the main
[0104]
FIG. 9 is a flowchart of a scratch correction processing routine showing a second control example. In FIG. 9, steps that are the same as those in the flowchart of FIG. 8 are given the same step numbers, and descriptions thereof are omitted.
[0105]
In the control example shown in FIG. 9, the processing of step S153 and step S155 is performed instead of the processing step of step S152 and step S154 in the flowchart of FIG.
[0106]
That is, according to FIG. 9, when correction of the secondary photosensitive pixel scratch is started (step S150), the primary photosensitive pixel data (pixel value of the primary photosensitive pixel) in the same pixel PIX as the secondary photosensitive pixel scratch is stored from the
[0107]
As described with reference to FIG. 6, the saturation determination determines whether or not the saturation value has been reached. This saturation determination is provided with a certain margin, and the determination reference value is more than the saturation value (QL value = 4095). A low value may be set.
[0108]
If it is determined in step S155 in FIG. 9 that the main photosensitive pixel data at the same position as the secondary photosensitive pixel scratch is saturated, the conventional type (low-pass filter type) correction is performed (step S158). On the other hand, if the primary photosensitive pixel data at the same position as the secondary photosensitive pixel scratch is not saturated, the process proceeds to step S156 to determine whether or not the primary photosensitive pixel Main [y] [x] is scratched.
[0109]
If the main photosensitive pixel Main [y] [x] is flawed, low-pass filter type correction is performed (step S158). If the main photosensitive pixel Main [y] [x] is a normal pixel, the main photosensitive pixel Main is processed. The value of the secondary photosensitive pixel Sub [y] [x] is determined using the [y] [x] output (step S160).
[0110]
In this way, instead of using the divided photometry data acquired in response to S1 = ON, whether or not the main
[0111]
In the control examples described with reference to FIGS. 8 and 9, since the data of the
[0112]
FIG. 10 is a flowchart of a scratch correction processing routine showing a third control example. In FIG. 10, steps that are the same as those in the flowchart of FIG. 8 are given the same step numbers, and descriptions thereof are omitted.
[0113]
When the correction of the main photosensitive pixel scratch is started in step S120 of FIG. 10, first, the divided photometry data at the time of AE processing is read from the divided photometry area including the scratch pixel (step S122), and the brightness is determined based on the photometry data. (Step S124).
[0114]
In step S124, a luminance determination reference value is set, and it is determined whether or not the acquired image data is an area having a higher luminance than the determination reference value.
[0115]
If it is determined in step S124 that the area is a high-intensity part, the process proceeds to step S126, and the secondary photosensitive pixel Sub [y] [x] in the same pixel PIX as the correction target main photosensitive pixel Main [y] [x] is damaged. It is determined whether or not there is. This determination is made based on defective pixel position information in the
[0116]
When the secondary photosensitive pixel Sub [y] [x] is scratched, that is, when it is determined that both the primary photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel are scratched at a certain photosensitive pixel position ([y] [x]), In the same manner, low-pass filter type correction is performed (step S130), and each neighboring photosensitive pixel information is filled.
[0117]
On the other hand, if the secondary photosensitive pixel Sub [y] [x] is a normal pixel in step S130, the output of the secondary photosensitive pixel Sub [y] [x] at the same position is multiplied by the sensitivity ratio of the primary photosensitive pixel scratch. Fill with values (step S132).
[0118]
That is, the value of the main photosensitive pixel Main [y] [x] is determined according to the following equation [Equation 3].
[0119]
Main [y] [x] = sensitivity ratio × Sub [y] [x]
However, if the calculation result of the equation (3) exceeds the saturated output value, the output signal is clipped with the saturated output value.
[0120]
As described above, when the data of the secondary
[0121]
In the area near the saturated light quantity on the higher luminance side than the determination reference value, the secondary photosensitive pixel defect can be appropriately corrected by the primary photosensitive pixel output in the same pixel PIX.
[0122]
Note that, in a high luminance area exceeding the saturation light amount, the saturation output value (4095) of the main photosensitive pixel is exceeded even if the data of the secondary photosensitive pixel is multiplied by the sensitivity, so the correction value is the saturation output value (4095). Clip.
[0123]
After step S130 or step S132, the process proceeds to step S140. In step S140, it is determined whether or not the LPF type correction has been completed for all the main photosensitive pixel scratches stored in the EEPROM 24 (step S140). If not completed, the process returns to step S124 to return to other main photosensitive pixels. The correction process is repeated for pixel scratches.
[0124]
When the correction is completed for all the main photosensitive pixel scratches in step S140, the process proceeds to step S150, and the scratch correction of the secondary
[0125]
In the control example shown in FIG. 10, since the main photosensitive pixel defect is corrected using the pixel value of the secondary
[0126]
[Modification]
FIG. 11 shows another structural example of the
[0127]
As shown in FIG. 11 and FIG. 12, p between the primary
[0128]
By using the
[0129]
Further, the cell shape and the opening shape of the pixel PIX are not limited to the examples shown in FIGS. 2 and 11, and may take various forms such as a polygon and a circle. Furthermore, the separation shape (divided form) of each light receiving cell is not limited to the shape shown in FIGS.
[0130]
FIG. 13 shows still another structural example of the
[0131]
In this way, it is only necessary that the accumulated charges in the respective divided photosensitive areas can be read out separately to the vertical transfer path, and the shape of division, the number of divisions, the size relationship of areas, and the like are appropriately designed. However, the area of the secondary photosensitive pixel is set to a smaller value than the area of the main photosensitive pixel. In addition, it is preferable to suppress a decrease in the area of the main photosensitive portion and minimize a decrease in sensitivity.
[0132]
In the above description, a CCD having a honeycomb structure pixel array has been described as an example. However, the scope of application of the present invention is not limited to this, and an image sensor having a pixel array in which all pixels are arranged in a square matrix is used. You can also.
[0133]
In the above-described embodiment, the digital camera is exemplified. However, the scope of application of the present invention is not limited to this, and electronic imaging such as a video camera, a DVD camera, a mobile phone with a camera, a PDA with a camera, a mobile personal computer with a camera, etc. The present invention can also be applied to other imaging apparatuses having functions.
[0134]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, in the solid-state imaging device including the primary photosensitive pixel and the secondary photosensitive pixel that optically capture the information of the same phase, the secondary photosensitive pixel defect is detected in the primary photosensitive pixel in the same pixel cell. Since the correction is made based on the pixel value, the low-pass filter effect is low as compared with the conventional correction, and the resolution can be maintained even after correction.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electronic camera according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing the structure of the light receiving surface of the CCD shown in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG.
4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 of FIG.
5 is a schematic plan view showing the overall configuration of the CCD shown in FIG.
FIG. 6 is a graph showing photoelectric conversion characteristics of a main photosensitive pixel and a secondary photosensitive pixel.
7 is a block diagram showing a detailed configuration of a signal processing unit shown in FIG.
FIG. 8 is a flowchart of a scratch correction processing routine showing a first control example in the camera of this example.
FIG. 9 is a flowchart of a scratch correction processing routine showing a second control example in the camera of this example.
FIG. 10 is a flowchart of a scratch correction processing routine showing a third control example in the camera of this example.
FIG. 11 is a plan view showing another structural example of a CCD.
12 is a cross-sectional view taken along the line 12-12 in FIG.
FIG. 13 is a plan view showing still another structural example of a CCD.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記固体撮像素子のいずれかの画素セルについて、当該画素セルを構成する主感光画素は正常な画素であって、従感光画素の方が欠陥画素である場合に、
当該欠陥従感光画素を含む画素セルの周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが飽和出力を示す所定の飽和レベル未満であるか否かを判定し、
前記周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが前記飽和レベル未満であるときに、前記欠陥従感光画素と同一画素セル内の主感光画素の画素値に基づいてその欠陥従感光画素の画素値を補正することを特徴とする固体撮像素子の欠陥画素補正方法。A large number of pixel cells composed of a combination of a primary photosensitive pixel having a relatively large area and a secondary photosensitive pixel having a relatively small area are arranged in accordance with a predetermined arrangement form, and signal charges photoelectrically converted by the primary photosensitive pixel In a solid-state imaging device having a structure capable of selectively extracting a signal based on the signal and a signal based on the signal charge photoelectrically converted by the sub-photosensitive pixel,
For any pixel cell of the solid-state imaging device, when the primary photosensitive pixel constituting the pixel cell is a normal pixel and the secondary photosensitive pixel is a defective pixel,
Determining whether the signal level obtained from the main photosensitive pixel of the pixel cell existing around the pixel cell including the defective secondary photosensitive pixel is less than a predetermined saturation level indicating a saturated output;
When the signal level obtained from the primary photosensitive pixel of the surrounding pixel cell is less than the saturation level, the defective secondary photosensitivity is based on the pixel value of the primary photosensitive pixel in the same pixel cell as the defective secondary photosensitive pixel. A defective pixel correction method for a solid-state imaging device, wherein the pixel value of a pixel is corrected.
当該欠陥主感光画素を含む画素セルの周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが所定の判定基準値を超えるレベルであったときは、当該欠陥主感光画素と同一画素セル内の従感光画素の画素値に基づいてその欠陥主感光画素の画素値を補正することを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子の欠陥画素補正方法。For any pixel cell of the solid-state imaging device, when the primary photosensitive pixel constituting the pixel cell is a defective pixel and the secondary photosensitive pixel is a normal pixel,
When the signal level obtained from the main photosensitive pixel of the pixel cell existing around the pixel cell including the defective main photosensitive pixel is a level exceeding a predetermined determination reference value, it is within the same pixel cell as the defective main photosensitive pixel. 3. The defective pixel correction method for a solid-state imaging device according to claim 1, wherein the pixel value of the defective main photosensitive pixel is corrected based on the pixel value of the secondary photosensitive pixel.
前記固体撮像素子のいずれかの画素セルについて、当該画素セルを構成する主感光画素は正常な画素であって、従感光画素の方が欠陥画素である場合に、当該欠陥従感光画素を含む画素セルの周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが飽和出力を示す所定の飽和レベル未満であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段の判定により、前記周囲に存在する画素セルの主感光画素から得られる信号レベルが前記飽和レベル未満の信号レベルであると判定されたときに、当該欠陥従感光画素と同一画素セル内の主感光画素の画素値に基づいてその欠陥従感光画素の画素値を補正する欠陥画素補正手段と、
を備えたことを特徴とする撮影装置。A large number of pixel cells composed of a combination of a primary photosensitive pixel having a relatively large area and a secondary photosensitive pixel having a relatively small area are arranged in accordance with a predetermined arrangement form, and signal charges photoelectrically converted by the primary photosensitive pixel And a solid-state imaging device having a structure capable of selectively extracting a signal based on a signal based on a signal charge photoelectrically converted by the sub-photosensitive pixel, and
For any pixel cell of the solid-state imaging device, if the primary photosensitive pixel constituting the pixel cell is a normal pixel and the secondary photosensitive pixel is a defective pixel, the pixel including the defective secondary photosensitive pixel Determination means for determining whether or not a signal level obtained from a main photosensitive pixel of a pixel cell existing around the cell is lower than a predetermined saturation level indicating a saturation output;
When it is determined by the determination means that the signal level obtained from the main photosensitive pixel of the surrounding pixel cell is a signal level lower than the saturation level, it is within the same pixel cell as the defective secondary photosensitive pixel. Defective pixel correction means for correcting the pixel value of the defective secondary photosensitive pixel based on the pixel value of the primary photosensitive pixel;
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