JP2004213695A - Nonvolatile memory, memory card using it, information processor and software write protection control method for nonvolatile memory - Google Patents

Nonvolatile memory, memory card using it, information processor and software write protection control method for nonvolatile memory Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile memory exhibiting nonvolatile software write protection and to provide a system technique using it in a memory card and an information processor using the nonvolatile memory without a write protection function. <P>SOLUTION: A flash memory card 1 uses the rewritable nonvolatile memory without a nonvolatile software write protection function. This memory card comprises a batch electrical erasure and a writable flash memory 2, a reset IC 3 issuing a power-on reset signal when applying power, and a card controller 4 controlling the devices and the nonvolatile memory and a memory card interface. The flash memory 2 is so formed that a write protection storage register 5 writing an address of an area intended to perform the write protection is set in an attribute region and a protection range is set from the system. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

本発明は、不揮発性メモリおよびそれを用いたシステム技術に関し、特に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスにおいて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを可能とする不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a non-volatile memory and a system technology using the same, and in particular, to a system using a rewritable non-volatile memory without a non-volatile software write protect function, for example, a general information processing device and a general memory card, and a non-volatile memory. The present invention relates to a non-volatile memory capable of performing non-volatile software write protection in a memory device, a memory card using the same, an information processing apparatus, and a technique effective when applied to a non-volatile memory software write protection control method.

たとえば、不揮発性メモリとしてのFlashメモリ(フラッシュEEPROM)を用い、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能を有するFlashメモリカードとしては、Intel社のSeries 2+が製品化されている。これは、Intel社のFlashメモリを使用しており、消去ブロック単位でのライトプロテクト機能をFlashメモリ自体が有している。   For example, as a Flash memory card using a Flash memory (flash EEPROM) as a non-volatile memory and having a non-volatile software write protection function, Series 2+ of Intel Corporation has been commercialized. This uses a Flash memory manufactured by Intel Corporation, and the Flash memory itself has a write protection function for each erase block.

なお、このソフトウェアライトプロテクト機能とは、書き込み禁止スイッチなどによるハードウェアライトプロテクト機能に対する言葉で、ユーザ(システム)側がFlashメモリ領域内の書き込み禁止領域を任意に設定できるという意味でのソフトウェアであり、このソフトウェアによってライトプロテクトを行うことをソフトウェアライトプロテクトと定義することができる。   The software write protect function is a word for a hardware write protect function using a write protect switch or the like, and is software that means that the user (system) can arbitrarily set a write protect area in the Flash memory area. Performing write protection by this software can be defined as software write protection.

ところで、前記のようなFlashメモリカードにおいては、ライトプロテクト機能をFlashメモリ自体が有しているために、ソフトウェアライトプロテクトが可能であるが、たとえば任意のエリアでのライトプロテクト機能のないFlashメモリを用いたメモリカードにおいては、ライトプロテクトエリアの書き換え可能な不揮発性のソフトウェアライトプロテクトが不可能となっている。   By the way, in the above-mentioned Flash memory card, since the Flash memory itself has a write protect function, software write protection is possible. For example, a Flash memory without a write protect function in an arbitrary area is used. In the memory card used, rewritable nonvolatile software write protection of the write protection area is not possible.

そこで、本発明の目的は、ライトプロテクト機能のないFlashメモリなどの不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置において、不揮発性メモリ内へのライトプロテクト保存レジスタの設定によって不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを行うことができる不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法を提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is to provide a memory card and an information processing device using a non-volatile memory such as a flash memory without a write protection function by setting a non-volatile memory write protection storage register in the non-volatile memory. And a memory card using the same, an information processing apparatus, and a method for controlling software write protection of the nonvolatile memory.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.

すなわち、本発明の不揮発性メモリは、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリに適用され、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とするために、不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定するものである。   That is, the non-volatile memory of the present invention is applied to a rewritable non-volatile memory having no non-volatile software write protection function. This is to set a write protection storage register for writing an address of an arbitrary write protection area in units of erasing.

この場合に、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とし、たとえばFlashメモリに適用するようにしたものである。   In this case, the setting of the write protection area can be changed from the beginning to the end of the nonvolatile memory, from the end to the end, from the end to the end, or from the arbitrary to the arbitrary erase unit. Can be changed in block units, and is applied to, for example, a flash memory.

また、本発明のメモリカードは、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも不揮発性メモリとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラとから構成するものである。   Further, a memory card of the present invention uses the nonvolatile memory, and comprises the nonvolatile memory and a card controller which controls at least between the nonvolatile memory and the memory card interface.

さらに、本発明の情報処理装置は、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも中央処理装置およびその周辺装置とから構成するものである。   Further, an information processing apparatus according to the present invention uses the nonvolatile memory, and includes the nonvolatile memory, and at least a central processing unit and its peripheral devices.

また、本発明の不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法は、不揮発性メモリ内のライトプロテクト保存レジスタに任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込み、そのアドレスを用いてユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を行うものである。   Also, the software write protection control method for a nonvolatile memory according to the present invention writes an address of an arbitrary write protection area to a write protection storage register in the nonvolatile memory, and writes an address accessed by a user using the address. It is determined whether or not the data is within the protection area, and nonvolatile software write protection control is performed.

(作用)
前記した不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法によれば、たとえば一括電気的消去および書き込み可能なFlashメモリの最終アドレスをライトプロテクト保存レジスタとしてアトリビュート領域で設定し、このライトプロテクト保存レジスタにライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトする。
(Action)
According to the above-described nonvolatile memory, the memory card using the same, the information processing apparatus, and the software write protection control method for the nonvolatile memory, for example, the last address of the flash memory that can be collectively electrically erased and written can be write-protected and stored. It is set in the attribute area as a register, and the address of the area where write protection is to be performed is written to this write protection storage register.

この場合に、このライトプロテクトエリアは、Flashメモリの機能仕様などに対応して、Flashメモリの先頭セクタ、最終セクタまたは任意のセクタからの1セクタ刻み、2セクタ刻みなどのデータ単位の512byte(4096bit)で定義されるセクタ単位、または数セクタのデータの集まりを表すデバイスのブロック単位による先頭ブロック、最終ブロックまたは任意のブロックから任意のブロックまでのブロック単位で領域可変プロテクト方式により設定することができる。   In this case, the write protect area corresponds to 512 bytes (4096 bits) of a data unit such as a 1-sector unit or a 2-sector unit from the first sector, the last sector, or an arbitrary sector of the Flash memory according to the functional specification of the Flash memory. ) Can be set by the area variable protection method in the first block, the last block, or a block from an arbitrary block to an arbitrary block in units of a sector which represents a group of data of a number of sectors defined by the above or a plurality of sectors. .

さらに、ライトプロテクト保存レジスタにライトしたライトデータを、システム側からの入力によるハードウェアリセット、システム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセット、あるいは電源投入時によるパワーオンリセットをカードコントローラに入れることによって、カードコントローラ内のライトプロテクトレジスタに転送する。   In addition, the write data written to the write protection storage register is transferred to the card controller by hardware reset by input from the system, software reset by register write from the system, or power-on reset by power-on. Transfer to the write protect register in the controller.

そして、それ以降、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かをカードコントローラで判定し、この結果ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能として、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。   Thereafter, the card controller determines whether or not the address accessed by the user is within the write protection area. As a result, if the address is within the write protection area, write protection is enabled. By disabling write protection, software write protection control can be performed in units of erase.

これにより、ライトプロテクト情報が不揮発性であり、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリなどの書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を向上させることができる。   As a result, the write protect information is non-volatile, and write protection can be performed in an arbitrary area, and a memory card using a rewritable non-volatile memory such as a Flash memory without a software write protect function, an information processing device, and the like. In this system, the maintainability of the write protect information and the data in the write protect area can be improved.

また、任意の領域でのライトプロテクトが可能なため、メモリのソフトウェアライトプロテクトにより書き込みが禁止されている領域のプロテクトエリアと、この領域以外の書き込みが禁止されていない領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができ、不揮発性メモリの有効利用を可能とすることができる。   In addition, since write protection can be performed in an arbitrary area, the work area of the area where writing is prohibited by software write protection of the memory and the work area of the area where writing is not prohibited other than this area are matched to the system. Can be set, and the effective use of the nonvolatile memory can be enabled.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

(1)不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定することにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能とすることができるので、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。   (1) By setting a write protection storage register for writing an address of an arbitrary write protection area in a predetermined erasing unit in the nonvolatile memory, it is determined whether or not the address accessed by the user is in the write protection area. Since write protection can be performed when the area is within the write protection area, while write protection can be disabled when the area is outside the write protection area, software write protection control can be performed in erase units.

(2)前記(1)において、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とすることにより、不揮発性メモリの機能仕様に対応した良好なソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。   (2) In the above (1), the setting of the write protection area can be changed from the beginning of the nonvolatile memory to any, from the end to any, or from any to any erasing unit, and the setting of the erasing unit can be changed. By making it possible to change in units of sectors or blocks of devices, good software write protection control corresponding to the functional specifications of the nonvolatile memory becomes possible.

(3)前記(1)において、Flashメモリに適用することにより、特に一括電気的消去および書き込みが可能となる。   (3) In the above (1), by applying the present invention to a flash memory, batch electrical erasing and writing can be performed.

(4)前記(1)〜(3)により、ライトプロテクト情報を不揮発性とし、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となるので、ソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内データの保守性の向上が可能となる。   (4) According to the above (1) to (3), the write protect information is made non-volatile, and write protection in an arbitrary area becomes possible. Therefore, a rewritable non-volatile memory having no software write protect function is used. In a system such as a memory card and an information processing device, it is possible to improve the maintainability of write protect information and data in a write protect area.

(5)前記(1)〜(3)により、任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、不揮発性メモリのプロテクトエリアとワークエリアをシステムに合わせて設定することができるので、不揮発性メモリの有効利用が可能となる。   (5) According to the above (1) to (3), write protection can be performed in an arbitrary area, and the protection area and work area of the nonvolatile memory can be set according to the system. It can be used.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(実施の形態1)
図1は本発明の一実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図、図2は本実施の形態におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャート、図3はライトプロテクト情報転送のタイムチャート、図4はライトプロテクト情報転送を説明するブロック図、図5はメモリカードのアドレスマップを示す説明図、図6はライトプロテクト制御のフローチャート、図7はライトプロテクト判定回路を示す構成図、図8はライトプロテクト制御のタイムチャート、図9はライトプロテクト制御を説明するブロック図、図10は本実施の形態のメモリカードを用いたシステム構成図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a flowchart of software write protection setting in the embodiment. FIG. 3 is a time chart of transfer of write protection information. 4, FIG. 4 is a block diagram for explaining write protect information transfer, FIG. 5 is an explanatory diagram showing an address map of a memory card, FIG. 6 is a flowchart of write protect control, FIG. 7 is a configuration diagram showing a write protect judging circuit, and FIG. FIG. 9 is a time chart of the write protect control, FIG. 9 is a block diagram illustrating the write protect control, and FIG. 10 is a system configuration diagram using the memory card of the present embodiment.

まず、図1により本実施の形態の不揮発性メモリを用いたメモリカードの構成を説明する。   First, the configuration of a memory card using the nonvolatile memory according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

本実施の形態のメモリカードは、たとえば不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたFlashメモリカード1とされ、一括電気的消去および書き込み可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2と、電源投入時のパワーオンリセット信号を発生するリセットIC3と、これらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラ4とから構成されている。   The memory card according to the present embodiment is, for example, a flash memory card 1 using a rewritable non-volatile memory without a non-volatile software write protection function, and a flash memory (non-volatile memory) capable of collectively electrically erasing and writing. 2, a reset IC 3 for generating a power-on reset signal when the power is turned on, and a card controller 4 for controlling between these devices and controlling between the memory card interface.

本実施の形態において、Flashメモリカード1に搭載されるFlashメモリ2には、たとえばこのFlashメモリ2のメモリ空間を意味するコモンFlashエリアの最終チップ、データ単位(512byte)である最終セクタ内に、ライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保存レジスタ(WP保存Reg)5がアトリビュート領域で設定され、システムからプロテクト範囲(プロテクトエンドセクタ)の設定が可能となっている。   In the present embodiment, the flash memory 2 mounted on the flash memory card 1 includes, for example, the last chip of a common flash area meaning the memory space of the flash memory 2 and the last sector which is a data unit (512 bytes). A write protection storage register (WP storage Reg) 5 for writing an address of an area where write protection is to be performed is set in an attribute area, and a protection range (protect end sector) can be set from the system.

このアトリビュート領域とは、Flashメモリカード1の識別情報と、ハードウェアの構成やFlashメモリカード1をシステムのアドレス空間のどこに割り当てるかなどを示すコンフィギュレーション情報を記憶するメモリ領域を表すものである。   The attribute area represents a memory area for storing identification information of the flash memory card 1 and configuration information indicating a hardware configuration and where to allocate the flash memory card 1 in the address space of the system.

そして、このライトプロテクト保存レジスタ5によるライトプロテクト範囲が、たとえばコモンFlashエリアの先頭(0)セクタから(最終−1)セクタまでの任意のセクタまでとして可変プロテクト方式で設定され、これはFlashメモリ2の消去単位がセクタ単位(512byte)であることによるものである。この消去単位は、Flashメモリ2の機能仕様に対応して設定される。   Then, the write protection range by the write protection storage register 5 is set by the variable protection method as an arbitrary sector from the first (0) sector to the (last -1) sector of the common flash area, for example. Is a sector unit (512 bytes). This erasing unit is set according to the functional specifications of the flash memory 2.

カードコントローラ4には、電源投入時に行われるリセットのパワーオンリセット、Flashメモリカード1を使用するシステム側からのリセット信号によるハードウェアリセット、このカードコントローラ4に設定されるソフトリセットレジスタにシステム側が書き込むことにより行われるソフトウェアリセットを行うことによって、Flashメモリ2のライトプロテクト保存レジスタ5から転送されるライトデータを格納するライトプロテクトレジスタ(WPReg)6が設定されている。   In the card controller 4, a power-on reset performed at the time of power-on, a hardware reset by a reset signal from the system using the Flash memory card 1, and the system writes in a soft reset register set in the card controller 4. As a result, the write protection register (WPReg) 6 for storing the write data transferred from the write protection storage register 5 of the flash memory 2 is set.

次に、本実施の形態の作用について、始めにライトプロテクト設定の手順を図2に基づいて図1を参照しながら説明する。なお、このライトプロテクト設定の制御、さらに後述するライトプロテクト情報の転送制御、ライトプロテクト制御などの各制御は、カードコントローラ4を構成する論理素子による論理回路により行われている。   Next, the operation of the present embodiment will be described first with reference to FIG. 2 based on FIG. 2 and with reference to FIG. The control of the write protection setting, and the control of the transfer of the write protection information and the write protection control, which will be described later, are performed by a logic circuit including logic elements constituting the card controller 4.

まず、Flashメモリカード1に搭載されたFlashメモリ2の最終チップ、最終セクタをライトプロテクト保存レジスタ5として設定する。このレジスタ5はアトリビュート領域に属し、このレジスタ5にライトプロテクトエンドアドレスをライトしてライトプロテクト範囲を設定する(ステップ201)。   First, the last chip and last sector of the flash memory 2 mounted on the flash memory card 1 are set as the write protection storage register 5. The register 5 belongs to the attribute area, and a write protect end address is written in the register 5 to set a write protect range (step 201).

このFlashメモリ2の最終チップ、最終セクタのライトプロテクト保存レジスタ5は、Flashメモリ2内にあるために、この情報を書き換えるか、またはFlashメモリ2が破壊される以外は不揮発性の情報として保持することができる。   Since the write protection storage register 5 of the last chip and the last sector of the flash memory 2 is in the flash memory 2, this information is rewritten or held as non-volatile information except that the flash memory 2 is destroyed. be able to.

さらに、ライトプロテクト保存レジスタ5にライトされた情報を転送するために、電源投入時によるパワーオンリセット、システム側からの入力によるハードウェアリセット、あるいはシステム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセットを入れる(ステップ202〜204)。   Further, in order to transfer the information written in the write protection storage register 5, a power-on reset at power-on, a hardware reset by an input from the system, or a software reset by a register write from the system is performed (step). 202-204).

これによって、ライトされた情報を、カードコントローラ4内に設定されたライトプロテクトレジスタ6に転送し、ソフトウェアライトプロテクト設定を完了することができる(ステップ205,206)。   As a result, the written information is transferred to the write protect register 6 set in the card controller 4, and the software write protect setting can be completed (steps 205 and 206).

そして、ライトプロテクトレジスタ6にライトプロテクト情報が転送された後、システム側からアクセスされたアドレスとライトプロテクトレジスタ6に書き込まれたライトプロテクトエンドアドレスとを比較し、この比較結果に応じてライトプロテクト制御を行うことができる。   After the write protect information is transferred to the write protect register 6, the address accessed from the system side is compared with the write protect end address written in the write protect register 6, and the write protect control is performed according to the comparison result. It can be performed.

続いて、ライトプロテクト情報の転送について、図3のタイムチャートに基づいて図4を参照しながら説明する。   Next, transfer of the write protection information will be described with reference to FIG. 4 based on the time chart of FIG.

始めに、図4に示すように、カードコントローラ4には、ライトプロテクトレジスタ6の他に、ライトプロテクト情報転送機能として、パワーオンリセット、ハードウェアリセット、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを用いて転送用の信号を発生させるリセット部7、Flashメモリ2への書き込み、読み出しを行う際にアドレスを発生させるアドレス制御部8、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号を発生させるFlashメモリコントロール信号発生部9、カードコントローラ4内に設定するレジスタの初期化や、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを発生させるソフトウェアリセットレジスタ10、およびレジスタの制御を行うレジスタコントロール部11が設けられている。   First, as shown in FIG. 4, in addition to the write protect register 6, the card controller 4 has a write protect information transfer function that uses a reset pulse generated by a power-on reset, a hardware reset, or a software reset. A reset unit 7 for generating a signal; an address control unit 8 for generating an address when writing to and reading from the flash memory 2; a flash memory control signal generating unit 9 for generating a chip enable signal and an output enable signal; 4 are provided with a software reset register 10 for initializing a register to be set in the memory 4 and generating a reset pulse by software reset, and a register control unit 11 for controlling the register.

そして、まずFlashメモリ2内のライトプロテクト保存レジスタ5にライトプロテクトエンドアドレスをライトした後、たとえばハードウェアリセット時には、システム側からのリセット部7に入力されるリセットパルスを用いて、カードコントローラ4内において以下のような転送用の信号を発生させる。   After writing the write protection end address to the write protection storage register 5 in the flash memory 2, for example, at the time of hardware reset, the card controller 4 uses the reset pulse input to the reset unit 7 from the system side. Generates the following transfer signal.

すなわち、カードコントローラ4内において、アドレス制御部8ではリセット部7からの信号をもとにライトプロテクト保存レジスタ5のアドレス信号(Adr)を発生させる。また、Flashメモリコントロール信号発生部9においては、リセット部7からの信号をもとに、チップイネーブル信号(/CE)、アウトプットイネーブル信号(/OE)を発生(ロウレベル)させる。   That is, in the card controller 4, the address control unit 8 generates an address signal (Adr) of the write protection storage register 5 based on a signal from the reset unit 7. Further, the flash memory control signal generator 9 generates a chip enable signal (/ CE) and an output enable signal (/ OE) (low level) based on the signal from the reset unit 7.

そして、これらの発生されたライトプロテクト保存レジスタのアドレス信号、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号により、読み出されたライトプロテクト情報をカードコントローラ4内のライトプロテクトレジスタ6にラッチするためのラッチ信号を発生させる。   A latch signal for latching the read write protection information in the write protection register 6 in the card controller 4 is generated by the generated address signal, chip enable signal, and output enable signal of the write protection storage register. generate.

これによって、ハードウェアリセット時において、Flashメモリ2のライトプロテクト保存レジスタ5から読み出されたライトプロテクト情報を、カードコントローラ4内のライトプロテクトレジスタ6に転送してラッチすることができる。   Thus, at the time of hardware reset, the write protection information read from the write protection storage register 5 of the flash memory 2 can be transferred to the write protection register 6 in the card controller 4 and latched.

また、ソフトウェアリセット時には、システム側からのレジスタライトにおけるアドレスコントロール信号を用いて、カードコントローラ4内のレジスタコントロール部11から発生されるライト信号をソフトウェアリセットレジスタ10に入力して、“1”をライトした後に“0”のライトを行ってソフトウェアリセットパルスを発生させる。   At the time of software reset, a write signal generated from the register control unit 11 in the card controller 4 is input to the software reset register 10 using an address control signal in register write from the system side, and "1" is written. Then, "0" is written to generate a software reset pulse.

そして、そのソフトウェアリセットパルスをリセット部7に入力し、カードコントローラ4内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ5からライトプロテクトレジスタ6にライトプロテクト情報を転送することができる。   Then, the software reset pulse is input to the reset unit 7, and a transfer signal is generated in the card controller 4 in the same manner as at the time of the hardware reset, and the write protection register 6 writes the write protection signal to the write protection register 6. Information can be transferred.

さらに、パワーオンリセット時には、Flashメモリカード1の電源が投入されると、リセットIC3によりパワーオンリセットパルスを発生させ、それをリセット部7に入力し、カードコントローラ4内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ5からライトプロテクトレジスタ6へのライトプロテクト情報の転送を可能とすることができる。   Further, at the time of power-on reset, when the power of the flash memory card 1 is turned on, a power-on reset pulse is generated by the reset IC 3 and is input to the reset unit 7. Similarly, a transfer signal can be generated to enable transfer of the write protection information from the write protection storage register 5 to the write protection register 6.

続いて、ライトプロテクト制御について、図6のフローに基づいて、図5、図7〜図9を参照しながら説明する。   Next, the write protection control will be described based on the flow of FIG. 6 with reference to FIGS. 5 and 7 to 9.

始めに、Flashメモリカード1は、図5に示すようなアドレスマッピングになっており、ライトプロテクト保存レジスタ5はコモンFlash領域の最終チップ、最終セクタ内に設定されているため、そのセクタはアトリビュート領域に属し、よってコモンFlash領域としてはアクセス不可能となっている。   First, the flash memory card 1 has an address mapping as shown in FIG. 5, and the write protection storage register 5 is set in the last chip and the last sector of the common flash area. , And therefore cannot be accessed as a common flash area.

また、カードコントローラ4には、ライトプロテクト制御機能として、図9に示すように、システム側がFlashメモリカード1にアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部12、およびFlashメモリ2への書き込みデータの制御を行うデータ制御部13が設けられ、このライトプロテクト領域判定部12において、セクタアドレスとプロテクトエンドセクタアドレスとが比較され、データ制御部13にライトプロテクト制御を行うプロテクト信号が転送されるようになっている。   As shown in FIG. 9, the card controller 4 has a write protect area determining unit 12 for determining whether or not the address at which the system has accessed the flash memory card 1 is within the write protect area, as shown in FIG. A data control unit 13 for controlling data to be written to the flash memory 2 is provided. The write protection area determination unit 12 compares a sector address with a protect end sector address, and performs write protection control on the data control unit 13. The protection signal is transmitted.

すなわち、ライトプロテクト領域判定部12には、図7に示すように、セクタアドレスと、セクタアドレスの上位8bitを格納するライトプロテクトアッパーレジスタ(WPUReg)、および下位8bitを格納するライトプロテクトローレジスタ(WPLReg)のライトプロテクトレジスタ6に格納されたプロテクトエンドセクタアドレスとを比較する大小判別回路14が設けられ、プロテクト信号が発生される。   That is, as shown in FIG. 7, the write protect area determining unit 12 stores a sector address, a write protect upper register (WPUReg) for storing the upper 8 bits of the sector address, and a write protect low register (WPLReg) for storing the lower 8 bits. A size discriminating circuit 14 for comparing the address with the protect end sector address stored in the write protect register 6) is provided, and a protect signal is generated.

そして、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンFlash領域へのライトアクセス(/CE,/WE)がFlashメモリカード1に対して発生されると、カードコントローラ4内のライトプロテクト領域判定部12において、ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する(ステップ601,602)。   Then, first, after setting the software write protection, when a write access (/ CE, / WE) to the flash memory card 1 is issued from the system side to the common flash area, the write protection area determination unit in the card controller 4 At 12, the protect end address of the write protect register 6 is compared with the sector address accessed from the system side (steps 601 and 602).

その結果、たとえば(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)≦(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライトプロテクト領域判定部12よりライトプロテクト信号を発生させ、それをデータ制御部13に入力し、データ制御部13において、Flashメモリ2へのライトデータをリセットコマンドもしくは無効コマンドにし、Flashメモリ2へライトする(ステップ603,604)。   As a result, if, for example, (sector address at the time of writing of the flash memory 2) ≦ (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that the data is within the write protect range, and the write protect signal is sent from the write protect area determination unit 12 to the write protect signal. The flash memory 2 is generated and input to the data control unit 13. The data control unit 13 converts the write data to the flash memory 2 into a reset command or an invalid command and writes the data into the flash memory 2 (steps 603 and 604).

このリセットコマンドは、書き込みセットアップ状態をリセットするコマンドであり、また無効コマンドは、予め設定されているコマンド以外のコマンドを表し、これらのコマンドはライトプロテクトのときに用いられる。   The reset command is a command for resetting the write setup state, and the invalid command represents a command other than a preset command, and these commands are used at the time of write protection.

一方、(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)>(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままFlashメモリ2にライトする(ステップ603,605)。   On the other hand, if (sector address at the time of writing of the flash memory 2)> (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that the write protection is out of the write protection range, and the write data is written to the flash memory 2 as normal write as it is. (Steps 603 and 605).

これにより、ライト時にアクセスしたアドレスに対してライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合は、ライトプロテクトを不可能として正常ライトを可能とすることができる。   As a result, it is determined whether or not the address accessed at the time of writing is within the write protection range.If the address is within the write protection range, the write protection is enabled.If the address is outside the write protection range, the write protection is disabled. Normal light can be enabled.

以上のように構成されるFlashメモリカード1は、たとえば図10に示すような情報処理装置などのシステムに適用され、Flashメモリ2を搭載したFlashメモリカード1の他に、このメモリカード1とのカードインタフェース15を介して接続されるCPU16、RAM17、ROM18、プリンタ19、ハードディスク20、フロッピー(R)ディスク21などから構成されている。   The Flash memory card 1 configured as described above is applied to, for example, a system such as an information processing apparatus as shown in FIG. 10 and is used in addition to the Flash memory card 1 having the Flash memory 2 and the Flash memory card 1. It comprises a CPU 16, a RAM 17, a ROM 18, a printer 19, a hard disk 20, a floppy (R) disk 21 and the like connected via a card interface 15.

このシステムにおいては、RAM17、ROM18およびFlashメモリカード1はメモリ領域に属し、またプリンタ19、ハードディスク20およびフロッピー(R)ディスク21はI/O領域に属し、よってメモリカード1へのアクセスに対して、アドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定することによって、システムとしてのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。   In this system, the RAM 17, the ROM 18, and the Flash memory card 1 belong to a memory area, and the printer 19, the hard disk 20, and the floppy (R) disk 21 belong to an I / O area. By determining whether the address is within the write protection range, software write protection control as a system can be performed.

従って、本実施の形態のFlashメモリカード1によれば、Flashメモリ2にライトプロテクト保存レジスタ5が設定され、このライトプロテクト保存レジスタ5にライトプロテクト範囲のエンドセクタアドレスが格納されることにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で行うことができる。   Therefore, according to the flash memory card 1 of the present embodiment, the write protection storage register 5 is set in the flash memory 2 and the end sector address of the write protection range is stored in the write protection storage register 5, thereby enabling the user to store the data. Determines whether the address accessed from the side is within the write-protected range.If the address is within the write-protected range, write-protect is enabled.If the address is out of the write-protected range, write-protect is disabled. Write protection control can be performed in any area.

特に、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2を使用したFlashメモリカード1ならびに情報処理装置などのシステムに良好に適用可能となり、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を高めることができ、さらにライトプロテクト範囲を任意の領域に設定し、Flashメモリ2の有効利用のために書き込み禁止領域のプロテクトエリアとそれ以外の領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができる。   In particular, the present invention can be favorably applied to a flash memory card 1 using a flash memory 2 without a software write protect function and a system such as an information processing device, and maintainability of write protect information and data in a write protect area can be improved. Further, the write protection range can be set to an arbitrary area, and the protection area of the write prohibition area and the work area of the other area can be set according to the system in order to use the flash memory 2 effectively.

(実施の形態2)
図11は本発明の他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 2)
FIG. 11 is a configuration diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to another embodiment of the present invention.

本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2aを用いたFlashメモリカード1aとされ、実施の形態1との相違点は、Flashメモリ2aのライトプロテクト範囲を(最終−1)セクタから規定する点である。   The memory card of the present embodiment is a Flash memory card 1a using a rewritable Flash memory (non-volatile memory) 2a having no nonvolatile software write protection function as in the first embodiment. The difference from this is that the write protection range of the flash memory 2a is defined from the (last -1) sector.

すなわち、Flashメモリ2aのライトプロテクト保存レジスタ5aに設定されるライトプロテクト範囲(プロテクトスタートセクタ)を、コモンFlashエリアの(最終−1)セクタから任意のセクタまでとして設定することができる。   That is, the write protection range (protect start sector) set in the write protection storage register 5a of the flash memory 2a can be set from the (last -1) sector of the common flash area to an arbitrary sector.

従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ(WPReg)6aが設定されるカードコントローラ4aの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2aを使用したFlashメモリカード1aの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を(最終−1)セクタからの任意の領域で可能とすることができる。   Therefore, also in the present embodiment, under the control of the card controller 4a in which the write protect register (WPReg) 6a is set, the nonvolatile software write protection of the flash memory card 1a using the flash memory 2a without the software write protect function is performed. Control can be enabled in any area from the (last-1) sector.

(実施の形態3)
図12は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 3)
FIG. 12 is a configuration diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.

本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1および2と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2bを用いたFlashメモリカード1bとされ、実施の形態1および2との相違点は、Flashメモリ2bのライトプロテクト範囲をスタートアドレスとエンドアドレスによる可変方式で規定する点である。   The memory card according to the present embodiment is a Flash memory card 1b using a rewritable Flash memory (non-volatile memory) 2b having no nonvolatile software write protection function as in the first and second embodiments. The difference from the first and second embodiments is that the write protection range of the flash memory 2b is defined by a variable method using a start address and an end address.

すなわち、Flashメモリ2bのライトプロテクト保存レジスタ5bに設定されるライトプロテクト範囲(プロテクトスタートとエンドセクタ)を、コモンFlashエリアの任意のセクタから任意のセクタまでとして設定することができる。   That is, the write protection range (protect start and end sectors) set in the write protection storage register 5b of the flash memory 2b can be set from any sector to any sector in the common flash area.

従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトスタートレジスタ(WPSReg)およびライトプロテクトエンドレジスタ(WPEReg)のライトプロテクトレジスタ6bが設定されるカードコントローラ4bの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2bを使用したFlashメモリカード1bの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意から任意の領域で可能とすることができる。   Therefore, also in the present embodiment, the flash memory 2b without the software write protection function is controlled by the card controller 4b in which the write protection register 6b of the write protection start register (WPSReg) and the write protection end register (WPEReg) are set. Non-volatile software write protection control of the used Flash memory card 1b can be performed in any area from any area.

(実施の形態4)
図13は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 4)
FIG. 13 is a configuration diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.

本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1〜3と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2cを用いたFlashメモリカード1cとされ、実施の形態1〜3との相違点は、Flashメモリ2cのライトプロテクト単位を2セクタ単位とする点である。   The memory card according to the present embodiment is a Flash memory card 1c using a rewritable Flash memory (non-volatile memory) 2c having no nonvolatile software write protection function as in the first to third embodiments. The difference from the first to third embodiments is that the write protect unit of the flash memory 2c is a two-sector unit.

すなわち、Flashメモリ2cの(最終−1)、最終セクタに設定されるライトプロテクト保存レジスタ5cのライトプロテクト範囲(プロテクトエンドセクタ)を、コモンFlashエリアに2セクタ単位で設定することができる。   That is, the write protection range (protect end sector) of the write protection storage register 5c set in the (final-1) and last sector of the flash memory 2c can be set in units of two sectors in the common flash area.

従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ(WPReg)6cが設定されるカードコントローラ4cの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2cを使用したFlashメモリカード1cの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を2セクタ単位の領域で可能とすることができる。   Therefore, also in the present embodiment, under the control of the card controller 4c in which the write protect register (WPReg) 6c is set, the nonvolatile software write protection of the Flash memory card 1c using the Flash memory 2c without the software write protection function is performed. Control can be performed in an area of two sectors.

(実施の形態5)
図14は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 5)
FIG. 14 is a configuration diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.

本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1〜4と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2dを用いたFlashメモリカード1dとされ、実施の形態1〜4との相違点は、Flashメモリ2dのライトプロテクト単位をセクタ単位に限らず、デバイスの消去単位を数セクタなどの複数のデータの集まりを表すブロック単位とする点である。   The memory card according to the present embodiment is a Flash memory card 1d using a rewritable Flash memory (non-volatile memory) 2d having no nonvolatile software write protection function as in the first to fourth embodiments. The difference from the first to fourth embodiments is that the write protect unit of the flash memory 2d is not limited to the sector unit, and the device erase unit is a block unit representing a group of a plurality of data such as several sectors.

すなわち、Flashメモリ2dの最終ブロックに設定されるライトプロテクト保存レジスタ5dのライトプロテクト範囲(プロテクトエンドブロック)を、コモンFlashエリアにデバイスのブロック単位で設定することができる。   That is, the write protection range (protect end block) of the write protection storage register 5d set in the last block of the flash memory 2d can be set in the common flash area in units of device blocks.

従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ(WPReg)6dが設定されるカードコントローラ4dの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2dを使用したFlashメモリカード1dの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御をデバイスのブロック単位の領域で可能とすることができる。   Therefore, also in the present embodiment, under the control of the card controller 4d in which the write protect register (WPReg) 6d is set, the nonvolatile software write protection of the Flash memory card 1d using the Flash memory 2d without the software write protection function is performed. Control can be enabled in a block-by-block area of the device.

(実施の形態6)
図15は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャート、図16はライトプロテクト制御のタイムチャートである。
(Embodiment 6)
FIG. 15 is a flowchart of write protection control in a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a time chart of the write protection control.

本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1(2〜5)と同様に構成されて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2を用いたFlashメモリカード1とされ、実施の形態1〜5との相違点は、ライトプロテクト制御をライトデータではなく、Flashメモリ2へのコントロール信号で行う点である。   The memory card according to the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment (2 to 5), and uses a rewritable flash memory (non-volatile memory) 2 without a non-volatile software write-protect function. The card 1 is different from the first to fifth embodiments in that write protection is controlled not by write data but by a control signal to the flash memory 2.

すなわち、本実施の形態においては、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンFlash領域へのライトアクセスがFlashメモリカード1に対して発生されると、ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する(ステップ1501,1502)。   That is, in the present embodiment, first, after software write protection is set, when a write access to the common flash area is issued to the flash memory card 1 from the system side, the protection end address of the write protection register 6 and the system The address is compared with the sector address accessed from the side (steps 1501 and 1502).

その結果、たとえば(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)≦(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライト用のライトイネーブル信号(/WE)もしくはチップイネーブル信号(/CE)のコントロール信号をネゲート(ハイレベル)したままにしてライトプロテクトする(ステップ1503,1504)。   As a result, if, for example, (sector address at the time of writing of the flash memory 2) ≦ (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that the data is within the write protect range, and the write enable signal (/ WE) for writing or Write protection is performed while the control signal of the chip enable signal (/ CE) is negated (high level) (steps 1503 and 1504).

一方、(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)>(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままFlashメモリ2にライトする(ステップ1503,1505)。   On the other hand, if (sector address at the time of writing of the flash memory 2)> (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that the write protection is out of the write protection range, and the write data is written to the flash memory 2 as normal write as it is. (Steps 1503 and 1505).

従って、本実施の形態においても、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライト用のコントロール信号をネゲートしてライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で可能とすることができる。   Therefore, also in the present embodiment, it is determined whether or not the address accessed from the user side is within the write protection range. If the address is within the write protection range, the write control signal is negated to enable the write protection. On the other hand, if it is out of the write protection range, the write protection cannot be performed, and the nonvolatile software write protection control can be performed in an arbitrary area.

(実施の形態7)
図17は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。
(Embodiment 7)
FIG. 17 is a configuration diagram showing a semiconductor memory using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.

本実施の形態は実施の形態1〜6と異なり、不揮発性メモリ22自体にライトプロテクトレジスタ23を持ち、さらにシステム側がアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部24、および不揮発性メモリ22への書き込み信号および書き込みデータの制御を行うライト制御部25が設けられる半導体メモリ26とされ、ライトプロテクト領域判定部24からのプロテクト信号を用いて、ライトデータもしくはライト信号が制御され、不揮発性メモリ22のライトプロテクト制御が可能となっている。   This embodiment is different from the first to sixth embodiments in that the nonvolatile memory 22 itself has a write protect register 23, and furthermore, a write protect area determining unit 24 which determines whether or not the address accessed by the system is in the write protect area. , And a semiconductor memory 26 provided with a write control unit 25 for controlling a write signal and write data to the nonvolatile memory 22. Write data or a write signal is written using a protect signal from a write protect area determination unit 24. Thus, the write protection of the nonvolatile memory 22 can be controlled.

すなわち、本実施の形態においては、たとえばFlashメモリなどの半導体メモリ26単体としてライトプロテクト機能を実現し、ライトプロテクト領域判定部24の結果、ライトプロテクト領域内であれば、ライトプロテクト領域判定部24よりライトプロテクト信号を発生させ、それをライト制御部25に入力し、不揮発性メモリ22への書き込み信号(/CE,/WE)をハイレベルにするか、または書き込みデータをリセットコマンドか無効コマンドにする。   That is, in the present embodiment, for example, the semiconductor memory 26 such as a flash memory realizes a write protect function as a single unit. As a result of the write protect area determining unit 24, if the write protect area is within the write protect area, the write protect area determining unit 24 A write protect signal is generated and input to the write control unit 25, and the write signal (/ CE, / WE) to the nonvolatile memory 22 is set to a high level, or the write data is set to a reset command or an invalid command. .

従って、本実施の形態においては、不揮発性メモリ22のライトプロテクトレジスタ23に設定されたプロテクトアドレスと、不揮発性メモリ22に対するアクセスのアドレスとを比較し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能として、ライトプロテクトレジスタ23を不揮発性メモリ22自体に持つ場合における不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とすることができる。   Therefore, in the present embodiment, the protection address set in the write protection register 23 of the nonvolatile memory 22 is compared with the address of access to the nonvolatile memory 22, and if the address is within the write protection range, the write protection is enabled. On the other hand, when the write protection is out of the write protection range, the write protection cannot be performed, and the nonvolatile software write protection control can be performed when the nonvolatile memory 22 itself has the write protection register 23.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態1〜7に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the first to seventh embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say,

たとえば、前記実施の形態におけるFlashメモリについては、コモンFlashエリアの最終チップ、最終セクタ内にライトプロテクト保存レジスタが設定される場合について説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、コモンFlashエリアの先頭チップ、先頭セクタ内に設定する場合についても適用可能である。   For example, with regard to the flash memory in the above embodiment, the case where the write protection storage register is set in the last chip and the last sector of the common flash area has been described, but the present invention is not limited to the above embodiment. Alternatively, the present invention can be applied to a case where the information is set in the first chip and the first sector of the common flash area.

さらに、このライトプロテクト保存レジスタの設定とともに、ライトプロテクト範囲、消去単位はFlashメモリの機能仕様に対応して、適宜設定されることはいうまでもない。   Further, it goes without saying that the write protection range and the erasing unit are appropriately set in accordance with the function specifications of the flash memory along with the setting of the write protection storage register.

また、本実施の形態における不揮発性メモリは、Flashメモリの他に、ビット毎に電気的消去および書き込み可能なEEPROMなどの他の不揮発性メモリについても適用でき、さらにこの不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスなどにおいても広く適用可能である。   The nonvolatile memory according to the present embodiment can be applied not only to a flash memory but also to other nonvolatile memories such as an EEPROM capable of electrically erasing and writing data on a bit-by-bit basis. For example, the present invention is widely applicable to information processing apparatuses and memory cards in general, as well as nonvolatile memory devices.

本発明の実施の形態1である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。1 is a configuration diagram illustrating a memory card using a nonvolatile memory according to a first embodiment of the present invention. 実施の形態1におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャートである。5 is a flowchart of software write protection setting according to the first embodiment. 実施の形態1におけるライトプロテクト情報転送のタイムチャートである。6 is a time chart of write protection information transfer in the first embodiment. 実施の形態1におけるライトプロテクト情報転送を説明するブロック図である。FIG. 4 is a block diagram illustrating write protect information transfer according to the first embodiment. 実施の形態1におけるメモリカードのアドレスマップを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an address map of the memory card according to the first embodiment. 実施の形態1におけるライトプロテクト制御のフローチャートである。5 is a flowchart of write protection control according to the first embodiment. 実施の形態1におけるライトプロテクト判定回路を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a write protection determination circuit according to the first embodiment. 実施の形態1におけるライトプロテクト制御のタイムチャートである。6 is a time chart of write protection control in the first embodiment. 実施の形態1におけるライトプロテクト制御を説明するブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating write protection control according to the first embodiment. 実施の形態1におけるメモリカードを用いたシステム構成図である。FIG. 2 is a system configuration diagram using a memory card according to the first embodiment. 本発明の実施の形態2である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram illustrating a memory card using a nonvolatile memory according to a second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態3である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram illustrating a memory card using a nonvolatile memory according to a third embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態4である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram illustrating a memory card using a nonvolatile memory according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態5である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。FIG. 14 is a configuration diagram illustrating a memory card using a nonvolatile memory according to a fifth embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態6である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャートである。15 is a flowchart of write protection control in a memory card using a nonvolatile memory according to Embodiment 6 of the present invention. 実施の形態6におけるライトプロテクト制御のタイムチャートである。33 is a time chart of the write protect control in the sixth embodiment. 本発明の実施の形態7である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。FIG. 19 is a configuration diagram illustrating a semiconductor memory using a nonvolatile memory according to a seventh embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of reference numerals

1,1a〜1d Flashメモリカード
2,2a〜2d Flashメモリ(不揮発性メモリ)
3 リセットIC
4,4a〜4d カードコントローラ
5,5a〜5d ライトプロテクト保存レジスタ
6,6a〜6d ライトプロテクトレジスタ
7 リセット部
8 アドレス制御部
9 Flashメモリコントロール信号発生部
10 ソフトウェアリセットレジスタ
11 レジスタコントロール部
12 ライトプロテクト領域判定部
13 データ制御部
14 大小判別回路
15 カードインタフェース
16 CPU
17 RAM
18 ROM
19 プリンタ
20 ハードディスク
21 フロッピー(R)ディスク
22 不揮発性メモリ
23 ライトプロテクトレジスタ
24 ライトプロテクト領域判定部
25 ライト制御部
26 半導体メモリ
1,1a-1d Flash memory card 2,2a-2d Flash memory (non-volatile memory)
3 Reset IC
4, 4a to 4d Card controller 5, 5a to 5d Write protect save register 6, 6a to 6d Write protect register 7 Reset unit 8 Address control unit 9 Flash memory control signal generation unit 10 Software reset register 11 Register control unit 12 Write protect area Judgment unit 13 Data control unit 14 Size discrimination circuit 15 Card interface 16 CPU
17 RAM
18 ROM
19 Printer 20 Hard Disk 21 Floppy (R) Disk 22 Nonvolatile Memory 23 Write Protect Register 24 Write Protect Area Judgment Unit 25 Write Control Unit 26 Semiconductor Memory

Claims (7)

不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリであって、前記不揮発性メモリ内に、ユーザ側からアクセスされたアドレスに対する不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を行うために、所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタが設定されていることを特徴とする不揮発性メモリ。   A rewritable nonvolatile memory having no nonvolatile software write protection function, wherein a predetermined erasing unit is provided in the nonvolatile memory to perform nonvolatile software write protection control on an address accessed from a user side. A write protection storage register for writing an address of an arbitrary write protection area in the nonvolatile memory. 前記ライトプロテクトエリアが、前記不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能に設定されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリ。   2. The nonvolatile memory according to claim 1, wherein the write protect area is set so as to be changeable from the beginning to the end of the nonvolatile memory, from the end to the end, or from an arbitrary to an arbitrary erase unit. 前記消去単位が、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能に設定されることを特徴とする請求項1または2記載の不揮発性メモリ。   3. The nonvolatile memory according to claim 1, wherein the erasing unit is set so as to be changeable in a sector unit or a device block unit. 前記不揮発性メモリが、Flashメモリとされることを特徴とする請求項1、2または3記載の不揮発性メモリ。   4. The nonvolatile memory according to claim 1, wherein the nonvolatile memory is a Flash memory. 請求項1、2、3または4記載の不揮発性メモリを用いたメモリカードであって、前記不揮発性メモリと、少なくともこの不揮発性メモリとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラとから構成されていることを特徴とするメモリカード。   5. A memory card using the non-volatile memory according to claim 1, 2, 3 or 4, comprising: the non-volatile memory; and a card controller that controls at least between the non-volatile memory and a memory card interface. A memory card characterized by being performed. 請求項1、2、3または4記載の不揮発性メモリを用いた情報処理装置であって、前記不揮発性メモリと、少なくとも中央処理装置およびその周辺装置とから構成されていることを特徴とする情報処理装置。   5. An information processing apparatus using the nonvolatile memory according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the information comprises the nonvolatile memory, and at least a central processing unit and its peripheral devices. Processing equipment. 不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法であって、前記不揮発性メモリにライトプロテクト保存レジスタを設定し、このライトプロテクト保存レジスタにプロテクトエリアをライトし、リセットあるいはパワーオンリセットを行ってこのライトデータをカードコントローラ内のライトプロテクトレジスタに転送し、それ以降のユーザがアクセスしたアドレスに対してライトプロテクトエリア内か否かを判定し、この結果ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能として、所定の消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことを特徴とする不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法。   A software write protection control method for a rewritable nonvolatile memory having no nonvolatile software write protection function, wherein a write protection storage register is set in the nonvolatile memory, and a protection area is written to the write protection storage register. After performing a reset or power-on reset, this write data is transferred to the write protect register in the card controller, and it is determined whether or not the subsequent address accessed by the user is in the write protect area. The non-volatile memo is characterized in that write protection is enabled when the data is within the area, while write protection is disabled when the area is outside the write protection area, and software write protection is controlled in a predetermined erase unit. Software write protection control method of.
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