JP4638467B2 - Semiconductor information processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、不揮発性メモリおよびそれを用いたシステム技術に関し、特に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスにおいて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを可能とする不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a nonvolatile memory and a system technology using the nonvolatile memory, and more particularly, a system using a rewritable nonvolatile memory without a nonvolatile software write protection function, for example, an information processing device in general and a memory card in general, and further nonvolatile The present invention relates to a nonvolatile memory that enables nonvolatile software write protection in a memory device, a memory card using the nonvolatile memory, an information processing apparatus, and a technology effective when applied to a software write protection control method for a nonvolatile memory.
たとえば、不揮発性メモリとしてのFlashメモリ(フラッシュEEPROM)を用い、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能を有するFlashメモリカードとしては、Intel社のSeries 2+が製品化されている。これは、Intel社のFlashメモリを使用しており、消去ブロック単位でのライトプロテクト機能をFlashメモリ自体が有している。
For example, Intel's
なお、このソフトウェアライトプロテクト機能とは、書き込み禁止スイッチなどによるハードウェアライトプロテクト機能に対する言葉で、ユーザ(システム)側がFlashメモリ領域内の書き込み禁止領域を任意に設定できるという意味でのソフトウェアであり、このソフトウェアによってライトプロテクトを行うことをソフトウェアライトプロテクトと定義することができる。 The software write protect function is a word for the hardware write protect function such as a write prohibit switch, and means that the user (system) can arbitrarily set the write protect area in the flash memory area. Performing write protection by this software can be defined as software write protection.
ところで、前記のようなFlashメモリカードにおいては、ライトプロテクト機能をFlashメモリ自体が有しているために、ソフトウェアライトプロテクトが可能であるが、たとえば任意のエリアでのライトプロテクト機能のないFlashメモリを用いたメモリカードにおいては、ライトプロテクトエリアの書き換え可能な不揮発性のソフトウェアライトプロテクトが不可能となっている。 By the way, in the flash memory card as described above, since the flash memory itself has a write protect function, software write protect is possible. For example, a flash memory having no write protect function in an arbitrary area is provided. In the used memory card, rewritable nonvolatile software write protection of the write protect area is impossible.
そこで、本発明の目的は、ライトプロテクト機能のないFlashメモリなどの不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置において、不揮発性メモリ内へのライトプロテクト保存レジスタの設定によって不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを行うことができる不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a non-volatile software write protect by setting a write protect storage register in a non-volatile memory in a memory card and an information processing apparatus using a non-volatile memory such as a flash memory without a write protect function. And a memory card using the nonvolatile memory, an information processing apparatus, and a software write protection control method for the nonvolatile memory.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、本発明の不揮発性メモリは、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリに適用され、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とするために、不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定するものである。 That is, the non-volatile memory of the present invention is applied to a rewritable non-volatile memory without a non-volatile software write protect function, and in order to enable a non-volatile software write protect control, a predetermined amount is included in the non-volatile memory. A write protect storage register for writing an address of an arbitrary write protect area in an erasing unit is set.
この場合に、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とし、たとえばFlashメモリに適用するようにしたものである。 In this case, it is possible to change the setting of the write protect area from the beginning of the nonvolatile memory to the arbitrary, from the last to the arbitrary, or from the arbitrary to the arbitrary erasing unit, and the setting of the erasing unit can be changed to the sector unit or device. This can be changed in units of blocks, and is applied to, for example, a flash memory.
また、本発明のメモリカードは、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも不揮発性メモリとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラとから構成するものである。 The memory card of the present invention uses the nonvolatile memory, and is composed of the nonvolatile memory and a card controller that controls at least between the nonvolatile memory and the memory card interface.
さらに、本発明の情報処理装置は、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも中央処理装置およびその周辺装置とから構成するものである。 Furthermore, an information processing apparatus according to the present invention uses the nonvolatile memory, and includes the nonvolatile memory, at least a central processing unit, and its peripheral devices.
また、本発明の不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法は、不揮発性メモリ内のライトプロテクト保存レジスタに任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込み、そのアドレスを用いてユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を行うものである。 In the nonvolatile memory software write protection control method according to the present invention, the address of an arbitrary write protection area is written in the write protection storage register in the nonvolatile memory, and the address accessed from the user side using the address is written. It is determined whether or not it is within the protected area, and nonvolatile software write protection control is performed.
(作用)
前記した不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法によれば、たとえば一括電気的消去および書き込み可能なFlashメモリの最終アドレスをライトプロテクト保存レジスタとしてアトリビュート領域で設定し、このライトプロテクト保存レジスタにライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトする。
(Function)
According to the non-volatile memory, the memory card using the same, the information processing apparatus, and the non-volatile memory software write protection control method, for example, the final address of the flash memory capable of batch electrical erasing and writing can be write-protected. Set in the attribute area as a register, and write the address of the area to be write-protected to this write-protect storage register.
この場合に、このライトプロテクトエリアは、Flashメモリの機能仕様などに対応して、Flashメモリの先頭セクタ、最終セクタまたは任意のセクタからの1セクタ刻み、2セクタ刻みなどのデータ単位の512byte(4096bit)で定義されるセクタ単位、または数セクタのデータの集まりを表すデバイスのブロック単位による先頭ブロック、最終ブロックまたは任意のブロックから任意のブロックまでのブロック単位で領域可変プロテクト方式により設定することができる。 In this case, the write protect area corresponds to the functional specification of the flash memory, and 512 bytes (4096 bits) of a data unit such as one sector increment from the first sector, the last sector or an arbitrary sector of the flash memory. ) Or a block unit from a block unit of a device representing a collection of data of several sectors, or a block unit from an arbitrary block to an arbitrary block can be set by the variable area protection method. .
さらに、ライトプロテクト保存レジスタにライトしたライトデータを、システム側からの入力によるハードウェアリセット、システム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセット、あるいは電源投入時によるパワーオンリセットをカードコントローラに入れることによって、カードコントローラ内のライトプロテクトレジスタに転送する。 In addition, the write data written to the write-protect storage register can be entered into the card controller by putting a hardware reset by input from the system side, a software reset by register write from the system side, or a power-on reset by power-on to the card controller. Transfer to the write protect register in the controller.
そして、それ以降、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かをカードコントローラで判定し、この結果ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能として、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。 Thereafter, the card controller determines whether the address accessed from the user side is within the write protect area. As a result, if the address is within the write protect area, write protection is possible. Software write protection control can be performed in units of erase, making write protection impossible.
これにより、ライトプロテクト情報が不揮発性であり、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリなどの書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を向上させることができる。 As a result, the write protect information is non-volatile, and write protection in an arbitrary area is possible, and a memory card and information processing apparatus using a rewritable non-volatile memory such as a flash memory having no software write protect function In this system, the maintainability of the write protect information and the data in the write protect area can be improved.
また、任意の領域でのライトプロテクトが可能なため、メモリのソフトウェアライトプロテクトにより書き込みが禁止されている領域のプロテクトエリアと、この領域以外の書き込みが禁止されていない領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができ、不揮発性メモリの有効利用を可能とすることができる。 In addition, since write protection in any area is possible, the protected area in the area where writing is prohibited by software write protection in the memory and the work area in the area other than this area where writing is not prohibited are matched to the system. This makes it possible to make effective use of the nonvolatile memory.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
(1)不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定することにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能とすることができるので、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。 (1) By setting a write protect storage register that writes an address of an arbitrary write protect area in a predetermined erase unit in the nonvolatile memory, it is determined whether the address accessed from the user side is within the write protect area. In the write protect area, write protection can be performed. On the other hand, in the case outside the write protect area, write protection cannot be performed. Therefore, software write protection control in units of erasure can be performed.
(2)前記(1)において、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とすることにより、不揮発性メモリの機能仕様に対応した良好なソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。 (2) In the above (1), the setting of the write protect area can be changed in the erase unit from the beginning of the nonvolatile memory to any, from the last to any, or from any to any, or the erase unit can be set. By making the change possible in sector units or device block units, good software write protection control corresponding to the functional specifications of the nonvolatile memory becomes possible.
(3)前記(1)において、Flashメモリに適用することにより、特に一括電気的消去および書き込みが可能となる。 (3) When applied to the flash memory in (1) above, batch electrical erasure and writing can be performed.
(4)前記(1)〜(3)により、ライトプロテクト情報を不揮発性とし、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となるので、ソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内データの保守性の向上が可能となる。 (4) According to the above (1) to (3), the write protect information is made non-volatile, and write protection in an arbitrary area is possible. Therefore, a rewritable non-volatile memory having no software write protect function is used. In systems such as memory cards and information processing apparatuses, it is possible to improve the maintainability of write protect information and data in the write protect area.
(5)前記(1)〜(3)により、任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、不揮発性メモリのプロテクトエリアとワークエリアをシステムに合わせて設定することができるので、不揮発性メモリの有効利用が可能となる。 (5) According to the above (1) to (3), write protection can be performed in an arbitrary area, and the protection area and work area of the nonvolatile memory can be set according to the system. It can be used.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は本発明の一実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図、図2は本実施の形態におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャート、図3はライトプロテクト情報転送のタイムチャート、図4はライトプロテクト情報転送を説明するブロック図、図5はメモリカードのアドレスマップを示す説明図、図6はライトプロテクト制御のフローチャート、図7はライトプロテクト判定回路を示す構成図、図8はライトプロテクト制御のタイムチャート、図9はライトプロテクト制御を説明するブロック図、図10は本実施の形態のメモリカードを用いたシステム構成図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart of software write protection setting in the present embodiment, and FIG. 3 is a time chart of write protection information transfer. 4 is a block diagram for explaining write protect information transfer, FIG. 5 is an explanatory diagram showing an address map of a memory card, FIG. 6 is a flowchart of write protect control, FIG. 7 is a block diagram showing a write protect determination circuit, and FIG. Is a time chart of the write protect control, FIG. 9 is a block diagram for explaining the write protect control, and FIG. 10 is a system configuration diagram using the memory card of the present embodiment.
まず、図1により本実施の形態の不揮発性メモリを用いたメモリカードの構成を説明する。 First, the configuration of a memory card using the nonvolatile memory of the present embodiment will be described with reference to FIG.
本実施の形態のメモリカードは、たとえば不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたFlashメモリカード1とされ、一括電気的消去および書き込み可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2と、電源投入時のパワーオンリセット信号を発生するリセットIC3と、これらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラ4とから構成されている。
The memory card of the present embodiment is, for example, a
本実施の形態において、Flashメモリカード1に搭載されるFlashメモリ2には、たとえばこのFlashメモリ2のメモリ空間を意味するコモンFlashエリアの最終チップ、データ単位(512byte)である最終セクタ内に、ライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保存レジスタ(WP保存Reg)5がアトリビュート領域で設定され、システムからプロテクト範囲(プロテクトエンドセクタ)の設定が可能となっている。
In the present embodiment, the
このアトリビュート領域とは、Flashメモリカード1の識別情報と、ハードウェアの構成やFlashメモリカード1をシステムのアドレス空間のどこに割り当てるかなどを示すコンフィギュレーション情報を記憶するメモリ領域を表すものである。
The attribute area represents a memory area for storing identification information of the Flash
そして、このライトプロテクト保存レジスタ5によるライトプロテクト範囲が、たとえばコモンFlashエリアの先頭(0)セクタから(最終−1)セクタまでの任意のセクタまでとして可変プロテクト方式で設定され、これはFlashメモリ2の消去単位がセクタ単位(512byte)であることによるものである。この消去単位は、Flashメモリ2の機能仕様に対応して設定される。
The write protect range by the write
カードコントローラ4には、電源投入時に行われるリセットのパワーオンリセット、Flashメモリカード1を使用するシステム側からのリセット信号によるハードウェアリセット、このカードコントローラ4に設定されるソフトリセットレジスタにシステム側が書き込むことにより行われるソフトウェアリセットを行うことによって、Flashメモリ2のライトプロテクト保存レジスタ5から転送されるライトデータを格納するライトプロテクトレジスタ(WPReg)6が設定されている。
In the
次に、本実施の形態の作用について、始めにライトプロテクト設定の手順を図2に基づいて図1を参照しながら説明する。なお、このライトプロテクト設定の制御、さらに後述するライトプロテクト情報の転送制御、ライトプロテクト制御などの各制御は、カードコントローラ4を構成する論理素子による論理回路により行われている。
Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to FIG. 1 based on FIG. The control of the write protect setting, and the control of transfer of write protect information, which will be described later, and the write protect control, are performed by a logic circuit including logic elements constituting the
まず、Flashメモリカード1に搭載されたFlashメモリ2の最終チップ、最終セクタをライトプロテクト保存レジスタ5として設定する。このレジスタ5はアトリビュート領域に属し、このレジスタ5にライトプロテクトエンドアドレスをライトしてライトプロテクト範囲を設定する(ステップ201)。
First, the last chip and the last sector of the
このFlashメモリ2の最終チップ、最終セクタのライトプロテクト保存レジスタ5は、Flashメモリ2内にあるために、この情報を書き換えるか、またはFlashメモリ2が破壊される以外は不揮発性の情報として保持することができる。
Since the write protect
さらに、ライトプロテクト保存レジスタ5にライトされた情報を転送するために、電源投入時によるパワーオンリセット、システム側からの入力によるハードウェアリセット、あるいはシステム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセットを入れる(ステップ202〜204)。
Further, in order to transfer the information written in the write protect
これによって、ライトされた情報を、カードコントローラ4内に設定されたライトプロテクトレジスタ6に転送し、ソフトウェアライトプロテクト設定を完了することができる(ステップ205,206)。
As a result, the written information is transferred to the write protect
そして、ライトプロテクトレジスタ6にライトプロテクト情報が転送された後、システム側からアクセスされたアドレスとライトプロテクトレジスタ6に書き込まれたライトプロテクトエンドアドレスとを比較し、この比較結果に応じてライトプロテクト制御を行うことができる。
After the write protect information is transferred to the write protect
続いて、ライトプロテクト情報の転送について、図3のタイムチャートに基づいて図4を参照しながら説明する。 Next, the transfer of the write protect information will be described with reference to FIG. 4 based on the time chart of FIG.
始めに、図4に示すように、カードコントローラ4には、ライトプロテクトレジスタ6の他に、ライトプロテクト情報転送機能として、パワーオンリセット、ハードウェアリセット、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを用いて転送用の信号を発生させるリセット部7、Flashメモリ2への書き込み、読み出しを行う際にアドレスを発生させるアドレス制御部8、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号を発生させるFlashメモリコントロール信号発生部9、カードコントローラ4内に設定するレジスタの初期化や、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを発生させるソフトウェアリセットレジスタ10、およびレジスタの制御を行うレジスタコントロール部11が設けられている。
First, as shown in FIG. 4, in addition to the write protect
そして、まずFlashメモリ2内のライトプロテクト保存レジスタ5にライトプロテクトエンドアドレスをライトした後、たとえばハードウェアリセット時には、システム側からのリセット部7に入力されるリセットパルスを用いて、カードコントローラ4内において以下のような転送用の信号を発生させる。
First, after writing the write protect end address to the write protect
すなわち、カードコントローラ4内において、アドレス制御部8ではリセット部7からの信号をもとにライトプロテクト保存レジスタ5のアドレス信号(Adr)を発生させる。また、Flashメモリコントロール信号発生部9においては、リセット部7からの信号をもとに、チップイネーブル信号(/CE)、アウトプットイネーブル信号(/OE)を発生(ロウレベル)させる。
That is, in the
そして、これらの発生されたライトプロテクト保存レジスタのアドレス信号、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号により、読み出されたライトプロテクト情報をカードコントローラ4内のライトプロテクトレジスタ6にラッチするためのラッチ信号を発生させる。
A latch signal for latching the read write protect information in the write protect
これによって、ハードウェアリセット時において、Flashメモリ2のライトプロテクト保存レジスタ5から読み出されたライトプロテクト情報を、カードコントローラ4内のライトプロテクトレジスタ6に転送してラッチすることができる。
Thereby, at the time of hardware reset, the write protect information read from the write protect
また、ソフトウェアリセット時には、システム側からのレジスタライトにおけるアドレスコントロール信号を用いて、カードコントローラ4内のレジスタコントロール部11から発生されるライト信号をソフトウェアリセットレジスタ10に入力して、“1”をライトした後に“0”のライトを行ってソフトウェアリセットパルスを発生させる。
At the time of software reset, the write signal generated from the
そして、そのソフトウェアリセットパルスをリセット部7に入力し、カードコントローラ4内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ5からライトプロテクトレジスタ6にライトプロテクト情報を転送することができる。
Then, the software reset pulse is input to the
さらに、パワーオンリセット時には、Flashメモリカード1の電源が投入されると、リセットIC3によりパワーオンリセットパルスを発生させ、それをリセット部7に入力し、カードコントローラ4内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ5からライトプロテクトレジスタ6へのライトプロテクト情報の転送を可能とすることができる。
Further, at the time of power-on reset, when the power of the
続いて、ライトプロテクト制御について、図6のフローに基づいて、図5、図7〜図9を参照しながら説明する。 Next, the write protect control will be described with reference to FIGS. 5 and 7 to 9 based on the flow of FIG.
始めに、Flashメモリカード1は、図5に示すようなアドレスマッピングになっており、ライトプロテクト保存レジスタ5はコモンFlash領域の最終チップ、最終セクタ内に設定されているため、そのセクタはアトリビュート領域に属し、よってコモンFlash領域としてはアクセス不可能となっている。
First, the
また、カードコントローラ4には、ライトプロテクト制御機能として、図9に示すように、システム側がFlashメモリカード1にアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部12、およびFlashメモリ2への書き込みデータの制御を行うデータ制御部13が設けられ、このライトプロテクト領域判定部12において、セクタアドレスとプロテクトエンドセクタアドレスとが比較され、データ制御部13にライトプロテクト制御を行うプロテクト信号が転送されるようになっている。
As shown in FIG. 9, the
すなわち、ライトプロテクト領域判定部12には、図7に示すように、セクタアドレスと、セクタアドレスの上位8bitを格納するライトプロテクトアッパーレジスタ(WPUReg)、および下位8bitを格納するライトプロテクトローレジスタ(WPLReg)のライトプロテクトレジスタ6に格納されたプロテクトエンドセクタアドレスとを比較する大小判別回路14が設けられ、プロテクト信号が発生される。
That is, as shown in FIG. 7, the write protect
そして、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンFlash領域へのライトアクセス(/CE,/WE)がFlashメモリカード1に対して発生されると、カードコントローラ4内のライトプロテクト領域判定部12において、ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する(ステップ601,602)。
First, after setting the software write protection, when a write access (/ CE, / WE) from the system side to the common flash area is generated for the
その結果、たとえば(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)≦(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライトプロテクト領域判定部12よりライトプロテクト信号を発生させ、それをデータ制御部13に入力し、データ制御部13において、Flashメモリ2へのライトデータをリセットコマンドもしくは無効コマンドにし、Flashメモリ2へライトする(ステップ603,604)。
As a result, for example, if (sector address at the time of writing in the flash memory 2) ≦ (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that it is within the write protect range, and the write protect signal is sent from the write protect
このリセットコマンドは、書き込みセットアップ状態をリセットするコマンドであり、また無効コマンドは、予め設定されているコマンド以外のコマンドを表し、これらのコマンドはライトプロテクトのときに用いられる。 The reset command is a command for resetting the write setup state, and the invalid command is a command other than a command set in advance, and these commands are used in the write protection.
一方、(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)>(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままFlashメモリ2にライトする(ステップ603,605)。
On the other hand, if (sector address at the time of writing in the flash memory 2)> (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that it is out of the write protect range, and the write data is written to the
これにより、ライト時にアクセスしたアドレスに対してライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合は、ライトプロテクトを不可能として正常ライトを可能とすることができる。 As a result, it is determined whether or not the address accessed during writing is within the write protection range. If it is within the write protection range, write protection is possible. If it is outside the write protection range, write protection is impossible. Normal light can be enabled.
以上のように構成されるFlashメモリカード1は、たとえば図10に示すような情報処理装置などのシステムに適用され、Flashメモリ2を搭載したFlashメモリカード1の他に、このメモリカード1とのカードインタフェース15を介して接続されるCPU16、RAM17、ROM18、プリンタ19、ハードディスク20、フロッピー(登録商標)ディスク21などから構成されている。
The
このシステムにおいては、RAM17、ROM18およびFlashメモリカード1はメモリ領域に属し、またプリンタ19、ハードディスク20およびフロッピー(登録商標)ディスク21はI/O領域に属し、よってメモリカード1へのアクセスに対して、アドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定することによって、システムとしてのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。
In this system, the
従って、本実施の形態のFlashメモリカード1によれば、Flashメモリ2にライトプロテクト保存レジスタ5が設定され、このライトプロテクト保存レジスタ5にライトプロテクト範囲のエンドセクタアドレスが格納されることにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で行うことができる。
Therefore, according to the
特に、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2を使用したFlashメモリカード1ならびに情報処理装置などのシステムに良好に適用可能となり、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を高めることができ、さらにライトプロテクト範囲を任意の領域に設定し、Flashメモリ2の有効利用のために書き込み禁止領域のプロテクトエリアとそれ以外の領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができる。
In particular, the present invention can be applied to a system such as a
(実施の形態2)
図11は本発明の他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 2)
FIG. 11 is a block diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to another embodiment of the present invention.
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2aを用いたFlashメモリカード1aとされ、実施の形態1との相違点は、Flashメモリ2aのライトプロテクト範囲を(最終−1)セクタから規定する点である。
The memory card of the present embodiment is a
すなわち、Flashメモリ2aのライトプロテクト保存レジスタ5aに設定されるライトプロテクト範囲(プロテクトスタートセクタ)を、コモンFlashエリアの(最終−1)セクタから任意のセクタまでとして設定することができる。
That is, the write protect range (protect start sector) set in the write protect storage register 5a of the
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ(WPReg)6aが設定されるカードコントローラ4aの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2aを使用したFlashメモリカード1aの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を(最終−1)セクタからの任意の領域で可能とすることができる。
Therefore, also in this embodiment, the non-volatile software write protection of the
(実施の形態3)
図12は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 3)
FIG. 12 is a block diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1および2と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2bを用いたFlashメモリカード1bとされ、実施の形態1および2との相違点は、Flashメモリ2bのライトプロテクト範囲をスタートアドレスとエンドアドレスによる可変方式で規定する点である。
The memory card according to the present embodiment is a
すなわち、Flashメモリ2bのライトプロテクト保存レジスタ5bに設定されるライトプロテクト範囲(プロテクトスタートとエンドセクタ)を、コモンFlashエリアの任意のセクタから任意のセクタまでとして設定することができる。
That is, the write protect range (protect start and end sector) set in the write protect
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトスタートレジスタ(WPSReg)およびライトプロテクトエンドレジスタ(WPEReg)のライトプロテクトレジスタ6bが設定されるカードコントローラ4bの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2bを使用したFlashメモリカード1bの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意から任意の領域で可能とすることができる。
Therefore, also in this embodiment, the
(実施の形態4)
図13は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 4)
FIG. 13 is a block diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1〜3と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2cを用いたFlashメモリカード1cとされ、実施の形態1〜3との相違点は、Flashメモリ2cのライトプロテクト単位を2セクタ単位とする点である。
The memory card according to the present embodiment is a
すなわち、Flashメモリ2cの(最終−1)、最終セクタに設定されるライトプロテクト保存レジスタ5cのライトプロテクト範囲(プロテクトエンドセクタ)を、コモンFlashエリアに2セクタ単位で設定することができる。
In other words, the write protect range (protect end sector) of the write protect
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ(WPReg)6cが設定されるカードコントローラ4cの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2cを使用したFlashメモリカード1cの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を2セクタ単位の領域で可能とすることができる。
Therefore, also in this embodiment, the non-volatile software write protection of the
(実施の形態5)
図14は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
(Embodiment 5)
FIG. 14 is a block diagram showing a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1〜4と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2dを用いたFlashメモリカード1dとされ、実施の形態1〜4との相違点は、Flashメモリ2dのライトプロテクト単位をセクタ単位に限らず、デバイスの消去単位を数セクタなどの複数のデータの集まりを表すブロック単位とする点である。
The memory card according to the present embodiment is a
すなわち、Flashメモリ2dの最終ブロックに設定されるライトプロテクト保存レジスタ5dのライトプロテクト範囲(プロテクトエンドブロック)を、コモンFlashエリアにデバイスのブロック単位で設定することができる。
That is, the write protect range (protect end block) of the write protect
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ(WPReg)6dが設定されるカードコントローラ4dの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないFlashメモリ2dを使用したFlashメモリカード1dの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御をデバイスのブロック単位の領域で可能とすることができる。
Therefore, also in this embodiment, the nonvolatile software write protection of the
(実施の形態6)
図15は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャート、図16はライトプロテクト制御のタイムチャートである。
(Embodiment 6)
FIG. 15 is a flowchart of write protection control in a memory card using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a time chart of write protection control.
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態1(2〜5)と同様に構成されて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なFlashメモリ(不揮発性メモリ)2を用いたFlashメモリカード1とされ、実施の形態1〜5との相違点は、ライトプロテクト制御をライトデータではなく、Flashメモリ2へのコントロール信号で行う点である。
The memory card of the present embodiment is configured in the same manner as in the first embodiment (2 to 5), and a flash memory using a rewritable flash memory (nonvolatile memory) 2 having no nonvolatile software write protection function. The
すなわち、本実施の形態においては、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンFlash領域へのライトアクセスがFlashメモリカード1に対して発生されると、ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する(ステップ1501,1502)。
That is, in the present embodiment, after setting the software write protection, when a write access from the system side to the common flash area is generated for the
その結果、たとえば(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)≦(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライト用のライトイネーブル信号(/WE)もしくはチップイネーブル信号(/CE)のコントロール信号をネゲート(ハイレベル)したままにしてライトプロテクトする(ステップ1503,1504)。
As a result, for example, if (sector address at the time of writing in the flash memory 2) ≦ (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that it is in the write protect range, and the write enable signal (/ WE) for writing or Write protection is performed while the control signal of the chip enable signal (/ CE) is negated (high level) (
一方、(Flashメモリ2のライト時のセクタアドレス)>(ライトプロテクトレジスタ6のプロテクトエンドセクタアドレス)であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままFlashメモリ2にライトする(ステップ1503,1505)。
On the other hand, if (sector address at the time of writing in the flash memory 2)> (protect end sector address of the write protect register 6), it is determined that it is out of the write protect range, and the write data is written to the
従って、本実施の形態においても、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライト用のコントロール信号をネゲートしてライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で可能とすることができる。 Therefore, also in this embodiment, it is determined whether or not the address accessed from the user side is within the write protect range, and if it is within the write protect range, the write control signal is negated to enable write protection, On the other hand, when it is out of the write protect range, the write protect cannot be performed, and the non-volatile software write protect control can be performed in an arbitrary area.
(実施の形態7)
図17は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。
(Embodiment 7)
FIG. 17 is a block diagram showing a semiconductor memory using a nonvolatile memory according to still another embodiment of the present invention.
本実施の形態は実施の形態1〜6と異なり、不揮発性メモリ22自体にライトプロテクトレジスタ23を持ち、さらにシステム側がアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部24、および不揮発性メモリ22への書き込み信号および書き込みデータの制御を行うライト制御部25が設けられる半導体メモリ26とされ、ライトプロテクト領域判定部24からのプロテクト信号を用いて、ライトデータもしくはライト信号が制御され、不揮発性メモリ22のライトプロテクト制御が可能となっている。
Unlike the first to sixth embodiments, the present embodiment has a write protect register 23 in the
すなわち、本実施の形態においては、たとえばFlashメモリなどの半導体メモリ26単体としてライトプロテクト機能を実現し、ライトプロテクト領域判定部24の結果、ライトプロテクト領域内であれば、ライトプロテクト領域判定部24よりライトプロテクト信号を発生させ、それをライト制御部25に入力し、不揮発性メモリ22への書き込み信号(/CE,/WE)をハイレベルにするか、または書き込みデータをリセットコマンドか無効コマンドにする。
That is, in the present embodiment, for example, the write protect function is realized as a
従って、本実施の形態においては、不揮発性メモリ22のライトプロテクトレジスタ23に設定されたプロテクトアドレスと、不揮発性メモリ22に対するアクセスのアドレスとを比較し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能として、ライトプロテクトレジスタ23を不揮発性メモリ22自体に持つ場合における不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とすることができる。
Therefore, in the present embodiment, the protection address set in the write protection register 23 of the
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態1〜7に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 The invention made by the present inventor has been specifically described based on the first to seventh embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
たとえば、前記実施の形態におけるFlashメモリについては、コモンFlashエリアの最終チップ、最終セクタ内にライトプロテクト保存レジスタが設定される場合について説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、コモンFlashエリアの先頭チップ、先頭セクタ内に設定する場合についても適用可能である。 For example, in the flash memory in the embodiment, the case where the write protect storage register is set in the last chip and the last sector of the common flash area has been described. However, the present invention is not limited to the embodiment. In addition, the present invention can be applied to the case of setting in the top chip and the top sector of the common flash area.
さらに、このライトプロテクト保存レジスタの設定とともに、ライトプロテクト範囲、消去単位はFlashメモリの機能仕様に対応して、適宜設定されることはいうまでもない。 Further, it goes without saying that the write protect range and the erase unit are set as appropriate in accordance with the function specifications of the flash memory, together with the setting of the write protect storage register.
また、本実施の形態における不揮発性メモリは、Flashメモリの他に、ビット毎に電気的消去および書き込み可能なEEPROMなどの他の不揮発性メモリについても適用でき、さらにこの不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスなどにおいても広く適用可能である。 In addition to the flash memory, the nonvolatile memory in the present embodiment can be applied to other nonvolatile memories such as an EEPROM that can be electrically erased and written for each bit, and a system using the nonvolatile memory. For example, the present invention can be widely applied to, for example, information processing apparatuses in general and memory cards in general, and non-volatile memory devices.
1,1a〜1d Flashメモリカード
2,2a〜2d Flashメモリ(不揮発性メモリ)
3 リセットIC
4,4a〜4d カードコントローラ
5,5a〜5d ライトプロテクト保存レジスタ
6,6a〜6d ライトプロテクトレジスタ
7 リセット部
8 アドレス制御部
9 Flashメモリコントロール信号発生部
10 ソフトウェアリセットレジスタ
11 レジスタコントロール部
12 ライトプロテクト領域判定部
13 データ制御部
14 大小判別回路
15 カードインタフェース
16 CPU
17 RAM
18 ROM
19 プリンタ
20 ハードディスク
21 フロッピー(登録商標)ディスク
22 不揮発性メモリ
23 ライトプロテクトレジスタ
24 ライトプロテクト領域判定部
25 ライト制御部
26 半導体メモリ
1,1a-1d
3 Reset IC
4, 4a to
17 RAM
18 ROM
19
Claims (5)
前記フラッシュメモリカードに結合されるカードインターフェースと、
前記カードインターフェースを介して結合される中央演算装置
とを備えた半導体情報処理装置であって、
前記フラッシュメモリには、ソフトウェアライトプロテクト機能が提供されておらず、
前記フラッシュメモリカードが、前記ライトプロテクトレジスタを有する制御回路を含み、
前記フラッシュメモリは、情報格納領域を含み、該フラッシュメモリに外部的に接続される前記制御回路からの要求に応答して該情報格納領域にアクセスするよう動作可能であり、これにより、前記制御回路からの読み出し要求に応答して、格納された情報が前記制御回路に対して出力されることとなり、及び、前記制御回路からの書き込み要求に応答して、前記制御回路から供給された情報が格納されることとなり、前記情報格納領域は、前記フラッシュメモリカードに関する情報を記録するための第1領域と、前記制御回路からの前記書き込み要求に応答して、前記中央演算装置から供給された情報を格納するための第2領域とを含み、前記第2領域内のライトプロテクトの対象とされる部分領域を指定するライトプロテクトアドレス情報を前記第1領域が格納しており、
前記制御回路は、前記フラッシュメモリカードのリセット動作中に前記フラッシュメモリに対して、前記第1領域に格納された前記ライトプロテクトアドレス情報を前記ライトプロテクトレジスタ内へと読み出すための読み出し要求を発行し、前記フラッシュメモリカードの該リセット動作の後に、前記中央演算装置から供給される情報の格納要求に応答して、前記情報の格納要求と共に供給される前記フラッシュメモリ内の前記第2領域を指定したアドレス情報と、前記ライトプロテクトアドレス情報とを前記制御回路が比較して、該第2領域を指定したアドレス情報が、前記第2領域内のライトプロテクトの対象とされる前記部分領域内に該当するか否かを判定し、
該当する場合には、前記制御回路が、前記フラッシュメモリに対して、書き込みのセットアップ状態をリセットするコマンドを送り、
該当しない場合には、前記制御回路が、前記フラッシュメモリに対して、前記中央演算装置から供給された情報を書き込み、及び、
前記カードインターフェースを介して結合された前記フラッシュメモリカードと、前記中央演算装置に接続された他の装置とを含めたシステム全体としてのソフトウェアライトプロテクト動作を、前記中央演算装置が実施し、前記半導体情報処理装置のユーザが、前記フラッシュメモリの前記ライトプロテクト範囲を、該システム全体に合わせて設定可能であることからなる、半導体情報処理装置。 Having a write-protect Torre register for storing a write protect address information, a flash memory card flash memory is mounted, based on the data of the write-protect Torre register, is externally supplied address, write protect A flash memory card operable to determine whether it is within range,
A card interface coupled to the flash memory card;
A semiconductor information processing apparatus comprising a central processing unit coupled via the card interface,
The flash memory does not provide a software write protection function,
The flash memory card includes a control circuitry having a write protect register,
The flash memory includes an information storage area and is operable to access the information storage area in response to a request from the control circuit externally connected to the flash memory, whereby the control circuit In response to a read request from the storage circuit, the stored information is output to the control circuit, and in response to a write request from the control circuit, the information supplied from the control circuit is stored. The information storage area includes a first area for recording information about the flash memory card, and information supplied from the central processing unit in response to the write request from the control circuit. and a second area for storing, write protect address information for designating a partial area to be subjected to the write protect of the second region It stores a said first region,
Wherein the control circuit comprises the flash memory, the write protect address information stored in the first region and issues a read request for reading to the write protect register during a reset operation of the flash memory card In response to the information storage request supplied from the central processing unit after the reset operation of the flash memory card, the second area in the flash memory supplied together with the information storage request is designated. and address information, the control circuit by comparing the write protect address information, the address information specifying the second region, corresponding to the partial area which is the subject of the write protect of the second region Whether or not
If applicable, the control circuit sends a command to the flash memory to reset the write setup state,
If not, the control circuit writes the information supplied from the central processing unit to the flash memory, and
The central processing unit performs a software write protection operation as a whole system including the flash memory card coupled via the card interface and other devices connected to the central processing unit, and the semiconductor A semiconductor information processing apparatus, wherein a user of the information processing apparatus can set the write protect range of the flash memory according to the entire system.
前記フラッシュメモリカードに結合されるカードインターフェースと、
前記カードインターフェースを介して結合される中央演算装置
とを備えた半導体情報処理装置であって、
前記フラッシュメモリには、ソフトウェアライトプロテクト機能が提供されておらず、
前記フラッシュメモリカードが、前記ライトプロテクトレジスタを有する制御回路を含み、
前記フラッシュメモリは、情報格納領域を含み、該フラッシュメモリに外部的に接続される前記制御回路からの要求に応答して該情報格納領域にアクセスするよう動作可能であり、これにより、前記制御回路からの読み出し要求に応答して、格納された情報が前記制御回路に対して出力されることとなり、及び、前記制御回路からの書き込み要求に応答して、前記制御回路から供給された情報が格納されることとなり、前記情報格納領域は、前記フラッシュメモリカードに関する情報を記録するための第1領域と、前記制御回路からの前記書き込み要求に応答して、前記中央演算装置から供給された情報を格納するための第2領域とを含み、前記第2領域内のライトプロテクトの対象とされる部分領域を指定するライトプロテクトアドレス情報を前記第1領域が格納しており、
前記制御回路は、前記フラッシュメモリカードのリセット動作中に前記フラッシュメモリに対して、前記第1領域に格納された前記ライトプロテクトアドレス情報を前記ライトプロテクトレジスタ内へと読み出すための読み出し要求を発行し、前記フラッシュメモリカードの該リセット動作の後に、前記中央演算装置から供給される情報の格納要求に応答して、前記情報の格納要求と共に供給される前記フラッシュメモリ内の前記第2領域を指定したアドレス情報と、前記ライトプロテクトアドレス情報とを前記制御回路が比較して、該第2領域を指定したアドレス情報が、前記第2領域内のライトプロテクトの対象とされる前記部分領域内に該当するか否かを判定し、
該当する場合には、前記制御回路が、前記フラッシュメモリに対して、少なくとも1つの無効コマンドのうちの1つのコマンドを送り、
該当しない場合には、前記制御回路が、前記フラッシュメモリに対して、前記中央演算装置から供給された情報を書き込み、
前記無効コマンドは、予め設定されているコマンドを除いた無効なコマンドを表しており、前記制御回路によって前記フラッシュメモリに対して少なくとも1つの前記無効コマンドのうちの1つのコマンドが送られた時には、前記フラッシュメモリ対する情報の書き込みが実施されず、及び、
前記カードインターフェースを介して結合された前記フラッシュメモリカードと、前記中央演算装置に接続された他の装置とを含めたシステム全体としてのソフトウェアライトプロテクト動作を、前記中央演算装置が実施し、前記半導体情報処理装置のユーザが、前記フラッシュメモリの前記ライトプロテクト範囲を、該システム全体に合わせて設定可能であることからなる、半導体情報処理装置。 Having a write-protect Torre register for storing a write protect address information, a flash memory card flash memory is mounted, based on the data of the write-protect Torre register, is externally supplied address, write protect A flash memory card operable to determine whether it is within range,
A card interface coupled to the flash memory card;
A semiconductor information processing apparatus comprising a central processing unit coupled via the card interface,
The flash memory does not provide a software write protection function,
The flash memory card includes a control circuitry having a write protect register,
The flash memory includes an information storage area and is operable to access the information storage area in response to a request from the control circuit externally connected to the flash memory, whereby the control circuit In response to a read request from the storage circuit, the stored information is output to the control circuit, and in response to a write request from the control circuit, the information supplied from the control circuit is stored. The information storage area includes a first area for recording information about the flash memory card, and information supplied from the central processing unit in response to the write request from the control circuit. and a second area for storing, write protect address information for designating a partial area to be subjected to the write protect of the second region It stores a said first region,
Wherein the control circuit comprises the flash memory, the write protect address information stored in the first region and issues a read request for reading to the write protect register during a reset operation of the flash memory card In response to the information storage request supplied from the central processing unit after the reset operation of the flash memory card, the second area in the flash memory supplied together with the information storage request is designated. and address information, the control circuit by comparing the write protect address information, the address information specifying the second region, corresponding to the partial area which is the subject of the write protect of the second region Whether or not
If applicable, the control circuit sends one command of at least one invalid command to the flash memory,
If not applicable, the control circuit writes the information supplied from the central processing unit to the flash memory ,
The invalid command represents an invalid command excluding a preset command, and when one command of at least one invalid command is sent to the flash memory by the control circuit, No writing of information to the flash memory is performed; and
The central processing unit performs a software write protection operation as a whole system including the flash memory card coupled via the card interface and other devices connected to the central processing unit, and the semiconductor A semiconductor information processing apparatus, wherein a user of the information processing apparatus can set the write protect range of the flash memory according to the entire system.
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