JP2004211202A - スパッタリング用ターゲットとこれを含むスパッタチャンバー及びスパッタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 スパッタ工程において導電性ターゲットの使用効率を向上できるスパッタリング用ターゲットとこれを含むスパッタチャンバー及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング用導電性ターゲットは、導電性粒子を蒸着させて導電膜を積層するスパッタチャンバーに取り付けられ、中央部と、中央部の両側に位置し中央部より厚い縁部、及び中央部と縁部に位置し縁部の上面の垂直に対して30〜70°の範囲の傾斜角を有するテーパ部を含む。
【選択図】 図1a
Description
本発明は、スパッタリング用ターゲットとこれを含むスパッタチャンバー及びスパッタリング方法に関し、更に詳しくは、半導体素子または液晶表示装置用基板に導電膜を積層するためにスパッタ工程を実施する際に、導電性粒子を発生させるスパッタリング用ターゲットとこれを含むスパッタチャンバー及びスパッタリング方法に関する。
一般に、半導体素子は、導電膜や絶縁膜を積層する成膜工程と所望の導電膜や絶縁膜をパターニングする写真エッチング工程を利用して形成し、成膜工程において特に導電膜はスパッタリング(sputtering)により積層する。
スパッタリング成膜工程は、スパッタリングチャンバーの内部を真空に維持した状態で導電性物質からなる導電性ターゲットに磁性を利用して衝突用粒子を誘導し衝突させ、導電性ターゲットから導電性粒子を発生させた後、基板の上に導電性粒子を誘導し、基板の表面上に所定の導電膜を形成することである。
このようなスパッタリング成膜工程で、導電性ターゲットは一定の厚さにプレートに固定されており、マグネットカソードは基板を支持するプレートの後面で左右に移動しながら磁性を発生させて衝突用粒子を誘導する。
しかし、マグネットカソードが移動方向を反対に転換する時点で、マグネットカソードが長い時間留まるため、スパッタ工程が進められるにつれて導電性ターゲットの縁は他の部分より激しく腐食する。これで、導電性ターゲットの使用効率が20〜30%の範囲に減少し、使用周期も減少する。
本発明は、前記の問題点に鑑みて成されたもので、スパッタ工程で導電性ターゲットの使用効率を向上できるスパッタリング用ターゲットとこれを含むスパッタチャンバー及びスパッタリング方法を提供することにその目的がある。
本発明によるスパッタリング用ターゲットとこれを含むスパッタチャンバー及びこれを利用したスパッタリング方法で、ターゲットは基板と対向する面の一部がターゲットの垂直に対して30〜70°の範囲の傾斜角を有する傾斜面となっているテーパ部を含む。
詳細には、本発明によるスパッタリング用ターゲットは、導電性粒子を蒸着させて導電膜を積層するスパッタチャンバーに取り付けられ、中央部と、中央部の両側に位置し中央部より厚い縁部、及び中央部と縁部に位置し縁部の上面の垂直に対して30〜70°の範囲の傾斜角を有するテーパ部を含む。
スパッタリング用ターゲットは、スパッタチャンバーのマグネットカソードを往復させて導電性粒子を蒸着するスキャニング方式のスパッタチャンバーに用いることが好ましい。このようなスパッタリング用ターゲットは、液晶表示装置用基板の製造工程で、マグネットカソードを用いて導電性粒子を前記基板の上に蒸着させるスパッタチャンバーに装着させ、スパッタリングを実施できる。
この時、基板の境界線は前記テーパ部に位置するように装着することが好ましく、スパッタリング用ターゲットは厚さが異なる部分を各々分割して装着するように構成できる。
本発明による導電性ターゲットは、スパッタ工程で腐食が最も多い縁部を比較的に腐食が少ない中央部より厚く形成することで、導電性ターゲットの使用効率を向上させることができる。そして、中央部と縁部との間に緩やかな傾斜角を有するテーパ部を設け、スパッタリング工程の際に縁部とテーパ部との間の角部に再蒸着されることを防止し、再蒸着により発生する黒化現象を防止することができる。
添付した図面を参照して本発明の実施例に対して本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
本発明の実施例によるスパッタリング用ターゲットについて図面を参照して詳細に説明する。図1aは、本発明によるスパッタチャンバー内の導電性ターゲットとこれを支持するプレートの構造を示した断面図であり、図1bは、本発明の実施例による導電性ターゲットの構造を示した平面図である。
スパッタリング工程で、導電膜を積層するためにスパッタリングターゲットとして使用する導電性ターゲット10は、図1aのように、部分的に異なる厚さを有し、縁部10aが中央部10bより厚く形成されている。そして、縁部10aと中央部10bとの間には厚さが変化するテーパ部10cがあり、このテーパ部10cは、縁部10aから中央部10bまで緩やかな傾斜角(θ)を有する傾斜面を有している。ここで、縁部10aの上面の垂直に対する傾斜角(θ)は10°以上であることが好ましく、特に30〜70°の範囲が好ましい。
このような導電性ターゲット10は、図1aのように、スパッタリング工程でプレート20に装着されており、衝突用粒子を誘導するためのマグネットカソード30は、導電性ターゲット10が装着されているプレート20の反対側に装着され、矢印で示すように導電性ターゲット10の縁部10aの間を往復する。また、スパッタリング工程で導電性粒子が積層される基板縁部の境界線はテーパ部10cに位置するように装着される。
この時、図1bのように、傾斜面を有するテーパ部10cはマグネットカソード30の往復方向に対して垂直であり、導電性ターゲット10の両側に平行に形成されている。これは、マグネットカソード30が往復しながらスパッタリングが行われるスキャニング方式のスパッタチャンバーに用いる導電性ターゲット10の特徴である。
このような本発明による導電性ターゲット10は、マグネットカソード30が往復作動する際に方向転換が行われる地点に対応する縁部10aが他の部分に比して厚く形成されている。従って、マグネットカソード30のターニング地点両端で局部的に激しい腐蝕が発生しても導電性ターゲット10の使用周期を延長することができる。
また、本発明による導電性ターゲット10は、テーパ部10cの傾斜面角度が30〜70°で緩やかなので、スパッタリング工程時に縁部10aとテーパ部10bとの間の角部における再蒸着を防止することができる。このような再蒸着不良は、スパッタリングされた導電性粒子が導電性ターゲット10に再び蒸着される現象であって、特に液晶表示装置の製造工程で透明導電膜を積層するために用いられるITOまたはIZOのターゲットを使用する時に角部が黒く変化する黒化現象として現れ、本発明の構造によればこのような黒化現象を防止できる。
このような導電性ターゲット10は、厚さが異なる部分が一体となっているが、作製の便利性を図るために、厚さが異なる部分を各々分割し、分割された導電性ターゲットをプレート20に各々装着することもできる。
また、液晶表示装置用基板の大きさが大型化するにつれて基板の大きさも大きくなり、基板の大きさが680×880mm以上である液晶表示装置用基板の製造工程では、プレート20の後面で磁界を形成するマグネットカソード30を2個以上で設計してもよく、その数は必要に応じて増減できる。
導電性ターゲット10は、アルミニウムやアルミニウム合金、クロムやクロム合金、モリブデンやモリブデン合金、銅や銅合金、またはITO、IZOのような様々な素材で形成できる。
このような導電性ターゲット10の縁部は、10mm程度の厚さを有し、中央部は5mm程度の厚さを有するが、使用周期は中央部10b及びテーパ部10cでは1〜2mm程度、縁部10cでは7〜8mm程度の腐蝕が発生した時点である。
次に、本発明の実施例による導電性ターゲットを利用してスパッタリング工程を実施するスパッタチャンバーについて図面を参照して具体的に説明する。図2は、本発明の実施例による導電性ターゲットを用いてスパッタリング工程を実施するスパッタチャンバーの構造を示した構成図である。特に、本実施例では、液晶表示装置用基板を製造するために使用し、スパッタリング工程時マグネットカソードが移動するスキャニング方式のスパッタチャンバーを例として挙げて説明する。
本発明の実施例による導電性ターゲットを用いてスパッタリング工程を実施するスパッタリング装置は、真空中にロードロックチャンバーに投入される液晶表示装置用基板を移送するトランスファチャンバー、このトランスファチャンバーを経由した液晶表示装置用基板の表面に所定の導電膜を形成するスパッタチャンバーで構成されている。
スパッタチャンバー1は、図2に示すように、プラズマ放電により液晶表示装置用基板3の表面を導電性粒子が蒸着するようにチャンバー1の内部を真空に形成し、その一側にはアルゴンガスを供給するガスライン5が備えられており、基板3を複数のピン7で支持する支持台9と導電性ターゲット10を支持するプレート20をチャンバー1の内側に備えている。
ここで、支持台9は、スパッタチャンバー1の一側に具備されたゲート15に投入される基板3を水平状態で受け、導電性ターゲット10と平行な垂直状態に旋回できるようにその一側がヒンジ軸17でスパッタチャンバー1内に装着されている。
プレート20は、支持台9が垂直状態に旋回した時、支持台9に装着された基板3の表面がプレート20に装着された導電性ターゲット10と平行に対向状態となるようにスパッタチャンバー1の側面に固定装着されている。そして、このプレート20の導電性ターゲット10のプレート20の反対側には、図面から出たり入ったりする左右方向に往復作動するマグネットカソード30が備えられている。
このようなスパッタチャンバー1を用いたメタルスパッタ工程のために、プレート20に電源を印加させ、マグネットカソード30を図1aに示すとおりに左右に往復作動させると、導電性ターゲット10から導電性粒子が放出される。このように放出された導電性粒子は、導電性ターゲット10と基板3との間に形成されたプラズマ放電状態でマグネットカソード30が形成する移動磁界の誘導によって基板3表面に蒸着され、基板3には所定の導電膜が形成される。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
1 スパッタチャンバー
3 基板
10 導電性ターゲット
10a 縁部
10b 中央部
10c テーパ部
20 プレート
30 マグネットカソード
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Claims (10)
- 導電性粒子を蒸着させて導電膜を積層するスパッタチャンバーに取り付けられ、中央部と、前記中央部の両側に位置し前記中央部より厚い縁部、及び前記中央部と前記縁部に位置し前記縁部の上面の垂直に対して30〜70°範囲の傾斜角を有するテーパ部を含むスパッタリング用ターゲット。
- 前記スパッタリング用ターゲットは、スパッタチャンバーのマグネットカソードを往復させ、前記導電性粒子を蒸着するスキャニング方式のスパッタチャンバーに使用する請求項1に記載のスパッタリング用ターゲット。
- 液晶表示装置用基板の製造工程でマグネットカソードを用いて導電性粒子を前記基板の上に蒸着させるスパッタチャンバーにおいて、請求項1のスパッタリングターゲットを装着してスパーターニング工程を実施するスパッタチャンバー。
- 前記スパッタチャンバーは、前記マグネットカソードを往復させて前記導電性粒子を蒸着するスキャニング方式の請求項3に記載のスパッタチャンバー。
- 前記基板の境界線が前記テーパ部に位置するように装着する請求項3に記載のスパッタチャンバー。
- 前記スパッタリング用ターゲットは厚さが異なる部分が各々分割されて装着された請求項2に記載のスパッタチャンバー。
- 液晶表示装置用基板の製造工程でマグネットカソードを用いて導電性粒子を前記基板の上に蒸着させるスパッタリング方法において、請求項1のスパッタリングターゲットを装着してスパーターニング工程を実施するスパッタリング方法。
- 前記マグネットカソードを往復させて前記基板の上に前記導電性粒子を蒸着するスキャニング方式を用いる請求項7に記載のスパッタリング方法。
- 前記基板の境界線が前記テーパ部に位置するように装着する請求項7に記載のスパッタリング方法。
- 前記スパッタリング用ターゲットの厚さが異なる部分は各々分割して装着する請求項7に記載のスパッタリング方法。
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