JP2004207482A - 酸化物超電導薄膜 - Google Patents
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Abstract
【課題】サファイア基板上に超伝導薄膜を作製する条件を容易にする。
【解決手段】サファイア基板(R-Al2O3)上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のLnAlO3からなり、Lnは元素Eu、Sm、Yのいずれかであることを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】サファイア基板(R-Al2O3)上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のLnAlO3からなり、Lnは元素Eu、Sm、Yのいずれかであることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物超電導薄膜及びその製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、酸化物単結晶材料がエピタキシャル膜用基板として数多く用いられるようになった。超伝導体膜の応用の一つとして、低い表面抵抗を利用した高周波マイクロ波受動素子の研究開発が国内外共に盛んである。この高精度なマイクロ波デバイス作成に用いられる酸化物単結晶基板には、適度な誘電率と低誘電損失等、様々な基板特性が要求される。そのため、数多くの基板結晶が試され、新しい基板結晶の開発等が行われ、多くの基板結晶が市販されるようになった。
【0003】
マイクロ波パッシブデバイスを高性能化する要因は導体損の他に、基板の誘電損失がある。誘電損失を小さくするためには、誘電正接(tanδ)の小さい基板が要求される。現在マイクロ波応用の基板の中で最も誘電損失が小さい基板はサファイア基板(R-Al2O3基板)である。更に、デバイスの多段化、集積化に伴い、安価に大面積基板が得られる材料・結晶育成法が要求される。
【0004】
酸化物超伝導薄膜、例えば、YBa2Cu3O7−δ(以下、YBCOと呼ぶ)膜をサファイア基板上に堆積させる場合、YBCO膜とサファイア基板間で原子の相互拡散が生じ、YBCOの超伝導特性を悪化させるという欠点を持っているにも関わらず、サファイア基板を採用したいという強い要求があり、当初は基板として多く用いられていた。
【0005】
そこで、この欠点を克服するために原子の相互拡散を抑制するバッファー層(中間層)をサファイア基板上に形成することが検討された。そのバッファー層としては、へテロエピタキシャル成長したセリア(CeO2)膜が用いられた。その結果、CeO2膜の有効性が明らかとなった。CeO2バッファー層の他の長所としては、YBCOとCeO2間の格子定数が比較的近いため、YBCO膜とサファイア基板間の格子ミスマッチを緩和させる働きを有することである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
酸化物超伝導薄膜をサファイア基板上に堆積させる場合、バッファー層を用いる必要があるが、サファイア基板上のバッファー層としては従来から多く用いられているセリア(CeO2)が挙げられる。これ以外の報告の例は非常に少ない。
【0007】
しかしながら、前記CeO2バッファー層上に超伝導薄膜を作製する場合の問題点としては通常の成膜法(物理的蒸着法)において完全なc軸配向薄膜作製条件は容易ではない。これは、CeO2バッファー層上にはa軸配向膜が成長しやすいためである。
【0008】
通常c軸配向膜中、a軸配向粒が混在する場合、基板温度を上げる、酸素ガス圧力雰囲気を下げる、酸素ガス流量を上げる等を行えば、a軸配向粒は少なくすることができる。中でも、最も効果のある条件は基板温度である。
【0009】
しかし、基板温度を上げ高温にした場合、YBCO薄膜に表面荒れ、又は一部分解が生じることを確認している。このため物理的蒸着法におけるCeO2薄膜上YBCOの最適基板温度(Ts)は74O±5℃と他の基板と比べて成膜温度が高く、その温度範囲が非常に狭い。この理由として、物理的蒸着法では、飛来する粒子のエネルギーが化学的蒸着法等に比べ低いこと、CeO2上ではぬれ性が悪いこと、YBCOと結晶構造が違うこと等によるものであると考えられる。これは応用の面で、作製の容易さから見ればマイナス要因となり得る。
【0010】
つまり、前記従来の技術では、以下の問題点があった。
(1)サファイア基板上に直接超伝導膜を堆積させるとサファイア基板のAl原子が拡散するという問題があった。
(2)バッファー層と超伝導体の結晶構造が違うため、良好なエピタキシャル成長が得られにくいという問題があった。
(3)従来のサファイア基板用のバッファー層であるCeO2上に良質な超伝導膜を作製するのは困難であるという問題があった。
【0011】
本発明の目的は、サファイア基板上に超伝導薄膜を作製する条件を容易にすることが可能な技術を提供することにある。
【0012】
本発明の他の目的は、サファイア基板用のバッファー層上に超伝導膜を容易に作製することが可能な技術を提供することにある。
【0013】
本発明の前記目的以外の目的及び特徴は、明細書の記述及び図面によって明らかにする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0015】
第1の発明は、サファイア(R-Al2O3)基板上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のLnAlO3からなり、Lnは元素Eu、Sm、Yのいずれかであることを特徴とする。
【0016】
第2の発明は、前記第1の発明の酸化物超電導薄膜において、堆積された酸化物超電導薄膜はYBa2Cu3O7−δ(YBCO)であることを特徴とする。
【0017】
本発明者らは、酸化物超伝導薄膜の作製条件を容易にするために、CeO2バッファー層のかわりの新しいバッファー層の探索を行った。このバッファー層の探索において以下に検討した結果を示す。
(1)サファイア(R-Al2O3)基板を用いた場合、アルミニウム(Al)又は3価の電荷を含むものが望ましい。
(2)YBCO中に含むものが望ましい。
(3)ペロブスカイト類似の構造を持つものが望ましい。
(4)サファイア基板とYBCOの格子定数に近いものが望ましい。
(5)強誘電体転移をしないものが望ましい。
【0018】
そこで、前記の条件を満たす材料をJCPDSカードより検討した結果、LnAlO3(Ln:ランタノイド)に注目した。Ln系それぞれのイオン半径とその格子定数及び結晶構造を図1にプロットした。これから、R-Al2O3基板を用いるにあたり、斜方晶のEuAlO3、SmAlO3、YAlO3をバッファー層として適用した。これら、以下の条件でターゲットの作製を行った。この結果、酸化物超伝導薄膜の作製条件を容易にすることができた。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態(実施例)について図面を参照して詳細に説明する。
【0020】
図2は本発明の一実施形態(実施例)の酸化物超伝導薄膜の概略構成を断面である。
【0021】
本実施形態の酸化物超伝導薄膜は、図2に示すように、サファイア(R-Al2O3)基板1の上にLnAlO3バッファー層2を設け、その上に酸化物超伝導薄膜3を堆積されたものである。
【0022】
前記酸化物超伝導薄膜3としてはYBCOを用いた。また、LnAlO3バッファー層2のLn(ランタノイド)としては元素Eu、Sm、Yのいずれかを用いた。
【0023】
前記Ln(ランタノイド)のイオン半径とLnAlO3の格子定数を表1に示す。
【0024】
【表1】
【0025】
以下に、前記LnAlO3バッファー層2の作製方法について説明する。
【0026】
まず、Ln2O3(Ln:Eu、Sm、Y)、Al2O3を目的の組成比(LnAlO3)になるように秤量・混合を行う。
【0027】
次に、この混合物を化学反応させてLnAlO3を生成し(化学反応式Ln2O3+Al2O3→2LnAlO3)、この生成物Ln2AlO3をプレス成形してターゲット(ψ:〜50mm、t:0.5mm)を形成する。
【0028】
次に、図3に示す温度パラメータで電気炉を用いて1000℃、12時間程度焼結する。目的の材料になるまで仮焼、本焼を繰り返す。
【0029】
本実施形態では、これらLnAlO3のターゲットを用いLnAlO3バッファー層の作製及びYBCO薄膜の作製を試みた。この結果を図4、図5に示す。図4は本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜のX線回折パターンであり、図5は本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜の面内配向を示す図である。前記結果からSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜はc軸配向を示し、また、面内配向性においても容易に制御できCeO2上のYBCOと同じ四回対称性を示している。EuAlO3、YAlO3を用いた場合でも同様の結果が得られた。
【0030】
しかしながら、YBCOとの格子整合性から見れば、CO2(+0.7%)に比べ若干大きい(SmAlO3:−1.6%)ことがマイナス要因となり得る。
【0031】
YBCO作製条件としては、LaAlO3基板とほぼ同一条件で作製が可能である。特に基板温度に注目するとCeO2に比べ、十分に低い基板温度である720℃程度で作製できるため、その作製の容易さから見れば非常に魅力的なバッファー層材料である。
【0032】
本実施形態の酸化物超電導薄膜は、サファイアのR面を基板面とするサファイア単結晶基板を成膜用基板として使用し、c軸配向かつ基板面内方向のYBCO結晶粒の方位の揃った膜である。前記基板は、R面を基板面に平行に出したサファイア単結晶基板で、通常用いられている研磨方法で研磨したものでよい。YBCO膜被覆体におけるYBCO膜被覆体のうちのYBCO膜は、全てである必要はないが、大部分の結晶粒のc軸がサファイア基板面に垂直でなければならない。すべての結晶粒がc軸配向することが望ましいのは言うまでもない。c軸配向の度合いが減少するほど、超伝導の臨界電流密度がいちじるしく低下するからである。更に面内配向についても同様に、一方向に揃えることが望ましい。
【0033】
作製条件の一例として、LnAlO3バッファー層は、圧力5Pa、基板温度720度、Ar+O2流量30ccmで作製し、その後の超伝導薄膜は圧力30Pa、基板温度720度、Ar+O2流量は50ccmで作製した。現在、超伝導膜の成膜条件の最適化は不十分ではあるが、その時の超伝導特性は、図6に示すように、YBCO/SmAlO2/R-Al2O3構造でTc(R=0)=86.8K程度を示している。
【0034】
また、本実施例の各々のバッファー層と超伝導薄膜を用いた場合の特性を表2に示す。
【0035】
【表2】
【0036】
なお、超伝導体としては、YBCOに限定されるものではなく、YBCOの置換型のMBa2Cu3O7−d化合物(但し、該MはCe、Pr、Pm、Tbを除くランタノイド系元素並びにYのうちの少なくとも1種)でも同様の結果が得られるのは明らかである。また、この他の超伝導体としてBi系、Hg系、Tl系を用いても良い。
【0037】
前記R-Al2O3中Rの表記ついて
サファイア(α-アルミナ)の結晶構造は、図7に示すように、六方晶をしており、目的の上部形成層により、使用する面が異なる。それぞれの呼び名として、C面、A面、R面と呼ばれる。上部に酸化物等の超伝導膜を形成する場合は、R面を使用することになる。このため、通常の基板の表記、例えば半導体産業などで用いるシリコン基板のような場合はSi(100)やSi(111)と同等の基板の面方位を表す表記法(R-Al2O3)となる。
【0038】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0039】
【発明の効果】
本願において開示される発明によって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0040】
本発明によれば、サファイア基板上に超伝導薄膜を作製する条件を容易にすることができる。
【0041】
また、サファイア基板の上にLnAlO3バッファー層を設け、その上に酸化物超伝導薄膜を堆積することにより、サファイア基板用のバッファー層上に超伝導膜を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るLn系それぞれのイオン半径とその格子定数及び結晶構造を示す図である。
【図2】本発明の実施例1の酸化物超伝導薄膜の概略構成を示す図である。
【図3】本実施例のLnAlO3バッファー層の作製方法を説明するための図である。
【図4】本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜のX線回折パターンである。
【図5】本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜の面内配向を示す図である。
【図6】本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜の超伝導特性示す図である。
【図7】本実施例のサファイア(α-アルミナ)の結晶構造を示す図である。
【符号の説明】
1…R-Al2O3基板
2…LnAlO3バッファー層
3…酸化物超伝導薄膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物超電導薄膜及びその製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、酸化物単結晶材料がエピタキシャル膜用基板として数多く用いられるようになった。超伝導体膜の応用の一つとして、低い表面抵抗を利用した高周波マイクロ波受動素子の研究開発が国内外共に盛んである。この高精度なマイクロ波デバイス作成に用いられる酸化物単結晶基板には、適度な誘電率と低誘電損失等、様々な基板特性が要求される。そのため、数多くの基板結晶が試され、新しい基板結晶の開発等が行われ、多くの基板結晶が市販されるようになった。
【0003】
マイクロ波パッシブデバイスを高性能化する要因は導体損の他に、基板の誘電損失がある。誘電損失を小さくするためには、誘電正接(tanδ)の小さい基板が要求される。現在マイクロ波応用の基板の中で最も誘電損失が小さい基板はサファイア基板(R-Al2O3基板)である。更に、デバイスの多段化、集積化に伴い、安価に大面積基板が得られる材料・結晶育成法が要求される。
【0004】
酸化物超伝導薄膜、例えば、YBa2Cu3O7−δ(以下、YBCOと呼ぶ)膜をサファイア基板上に堆積させる場合、YBCO膜とサファイア基板間で原子の相互拡散が生じ、YBCOの超伝導特性を悪化させるという欠点を持っているにも関わらず、サファイア基板を採用したいという強い要求があり、当初は基板として多く用いられていた。
【0005】
そこで、この欠点を克服するために原子の相互拡散を抑制するバッファー層(中間層)をサファイア基板上に形成することが検討された。そのバッファー層としては、へテロエピタキシャル成長したセリア(CeO2)膜が用いられた。その結果、CeO2膜の有効性が明らかとなった。CeO2バッファー層の他の長所としては、YBCOとCeO2間の格子定数が比較的近いため、YBCO膜とサファイア基板間の格子ミスマッチを緩和させる働きを有することである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
酸化物超伝導薄膜をサファイア基板上に堆積させる場合、バッファー層を用いる必要があるが、サファイア基板上のバッファー層としては従来から多く用いられているセリア(CeO2)が挙げられる。これ以外の報告の例は非常に少ない。
【0007】
しかしながら、前記CeO2バッファー層上に超伝導薄膜を作製する場合の問題点としては通常の成膜法(物理的蒸着法)において完全なc軸配向薄膜作製条件は容易ではない。これは、CeO2バッファー層上にはa軸配向膜が成長しやすいためである。
【0008】
通常c軸配向膜中、a軸配向粒が混在する場合、基板温度を上げる、酸素ガス圧力雰囲気を下げる、酸素ガス流量を上げる等を行えば、a軸配向粒は少なくすることができる。中でも、最も効果のある条件は基板温度である。
【0009】
しかし、基板温度を上げ高温にした場合、YBCO薄膜に表面荒れ、又は一部分解が生じることを確認している。このため物理的蒸着法におけるCeO2薄膜上YBCOの最適基板温度(Ts)は74O±5℃と他の基板と比べて成膜温度が高く、その温度範囲が非常に狭い。この理由として、物理的蒸着法では、飛来する粒子のエネルギーが化学的蒸着法等に比べ低いこと、CeO2上ではぬれ性が悪いこと、YBCOと結晶構造が違うこと等によるものであると考えられる。これは応用の面で、作製の容易さから見ればマイナス要因となり得る。
【0010】
つまり、前記従来の技術では、以下の問題点があった。
(1)サファイア基板上に直接超伝導膜を堆積させるとサファイア基板のAl原子が拡散するという問題があった。
(2)バッファー層と超伝導体の結晶構造が違うため、良好なエピタキシャル成長が得られにくいという問題があった。
(3)従来のサファイア基板用のバッファー層であるCeO2上に良質な超伝導膜を作製するのは困難であるという問題があった。
【0011】
本発明の目的は、サファイア基板上に超伝導薄膜を作製する条件を容易にすることが可能な技術を提供することにある。
【0012】
本発明の他の目的は、サファイア基板用のバッファー層上に超伝導膜を容易に作製することが可能な技術を提供することにある。
【0013】
本発明の前記目的以外の目的及び特徴は、明細書の記述及び図面によって明らかにする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0015】
第1の発明は、サファイア(R-Al2O3)基板上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のLnAlO3からなり、Lnは元素Eu、Sm、Yのいずれかであることを特徴とする。
【0016】
第2の発明は、前記第1の発明の酸化物超電導薄膜において、堆積された酸化物超電導薄膜はYBa2Cu3O7−δ(YBCO)であることを特徴とする。
【0017】
本発明者らは、酸化物超伝導薄膜の作製条件を容易にするために、CeO2バッファー層のかわりの新しいバッファー層の探索を行った。このバッファー層の探索において以下に検討した結果を示す。
(1)サファイア(R-Al2O3)基板を用いた場合、アルミニウム(Al)又は3価の電荷を含むものが望ましい。
(2)YBCO中に含むものが望ましい。
(3)ペロブスカイト類似の構造を持つものが望ましい。
(4)サファイア基板とYBCOの格子定数に近いものが望ましい。
(5)強誘電体転移をしないものが望ましい。
【0018】
そこで、前記の条件を満たす材料をJCPDSカードより検討した結果、LnAlO3(Ln:ランタノイド)に注目した。Ln系それぞれのイオン半径とその格子定数及び結晶構造を図1にプロットした。これから、R-Al2O3基板を用いるにあたり、斜方晶のEuAlO3、SmAlO3、YAlO3をバッファー層として適用した。これら、以下の条件でターゲットの作製を行った。この結果、酸化物超伝導薄膜の作製条件を容易にすることができた。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態(実施例)について図面を参照して詳細に説明する。
【0020】
図2は本発明の一実施形態(実施例)の酸化物超伝導薄膜の概略構成を断面である。
【0021】
本実施形態の酸化物超伝導薄膜は、図2に示すように、サファイア(R-Al2O3)基板1の上にLnAlO3バッファー層2を設け、その上に酸化物超伝導薄膜3を堆積されたものである。
【0022】
前記酸化物超伝導薄膜3としてはYBCOを用いた。また、LnAlO3バッファー層2のLn(ランタノイド)としては元素Eu、Sm、Yのいずれかを用いた。
【0023】
前記Ln(ランタノイド)のイオン半径とLnAlO3の格子定数を表1に示す。
【0024】
【表1】
【0025】
以下に、前記LnAlO3バッファー層2の作製方法について説明する。
【0026】
まず、Ln2O3(Ln:Eu、Sm、Y)、Al2O3を目的の組成比(LnAlO3)になるように秤量・混合を行う。
【0027】
次に、この混合物を化学反応させてLnAlO3を生成し(化学反応式Ln2O3+Al2O3→2LnAlO3)、この生成物Ln2AlO3をプレス成形してターゲット(ψ:〜50mm、t:0.5mm)を形成する。
【0028】
次に、図3に示す温度パラメータで電気炉を用いて1000℃、12時間程度焼結する。目的の材料になるまで仮焼、本焼を繰り返す。
【0029】
本実施形態では、これらLnAlO3のターゲットを用いLnAlO3バッファー層の作製及びYBCO薄膜の作製を試みた。この結果を図4、図5に示す。図4は本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜のX線回折パターンであり、図5は本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜の面内配向を示す図である。前記結果からSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜はc軸配向を示し、また、面内配向性においても容易に制御できCeO2上のYBCOと同じ四回対称性を示している。EuAlO3、YAlO3を用いた場合でも同様の結果が得られた。
【0030】
しかしながら、YBCOとの格子整合性から見れば、CO2(+0.7%)に比べ若干大きい(SmAlO3:−1.6%)ことがマイナス要因となり得る。
【0031】
YBCO作製条件としては、LaAlO3基板とほぼ同一条件で作製が可能である。特に基板温度に注目するとCeO2に比べ、十分に低い基板温度である720℃程度で作製できるため、その作製の容易さから見れば非常に魅力的なバッファー層材料である。
【0032】
本実施形態の酸化物超電導薄膜は、サファイアのR面を基板面とするサファイア単結晶基板を成膜用基板として使用し、c軸配向かつ基板面内方向のYBCO結晶粒の方位の揃った膜である。前記基板は、R面を基板面に平行に出したサファイア単結晶基板で、通常用いられている研磨方法で研磨したものでよい。YBCO膜被覆体におけるYBCO膜被覆体のうちのYBCO膜は、全てである必要はないが、大部分の結晶粒のc軸がサファイア基板面に垂直でなければならない。すべての結晶粒がc軸配向することが望ましいのは言うまでもない。c軸配向の度合いが減少するほど、超伝導の臨界電流密度がいちじるしく低下するからである。更に面内配向についても同様に、一方向に揃えることが望ましい。
【0033】
作製条件の一例として、LnAlO3バッファー層は、圧力5Pa、基板温度720度、Ar+O2流量30ccmで作製し、その後の超伝導薄膜は圧力30Pa、基板温度720度、Ar+O2流量は50ccmで作製した。現在、超伝導膜の成膜条件の最適化は不十分ではあるが、その時の超伝導特性は、図6に示すように、YBCO/SmAlO2/R-Al2O3構造でTc(R=0)=86.8K程度を示している。
【0034】
また、本実施例の各々のバッファー層と超伝導薄膜を用いた場合の特性を表2に示す。
【0035】
【表2】
【0036】
なお、超伝導体としては、YBCOに限定されるものではなく、YBCOの置換型のMBa2Cu3O7−d化合物(但し、該MはCe、Pr、Pm、Tbを除くランタノイド系元素並びにYのうちの少なくとも1種)でも同様の結果が得られるのは明らかである。また、この他の超伝導体としてBi系、Hg系、Tl系を用いても良い。
【0037】
前記R-Al2O3中Rの表記ついて
サファイア(α-アルミナ)の結晶構造は、図7に示すように、六方晶をしており、目的の上部形成層により、使用する面が異なる。それぞれの呼び名として、C面、A面、R面と呼ばれる。上部に酸化物等の超伝導膜を形成する場合は、R面を使用することになる。このため、通常の基板の表記、例えば半導体産業などで用いるシリコン基板のような場合はSi(100)やSi(111)と同等の基板の面方位を表す表記法(R-Al2O3)となる。
【0038】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0039】
【発明の効果】
本願において開示される発明によって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0040】
本発明によれば、サファイア基板上に超伝導薄膜を作製する条件を容易にすることができる。
【0041】
また、サファイア基板の上にLnAlO3バッファー層を設け、その上に酸化物超伝導薄膜を堆積することにより、サファイア基板用のバッファー層上に超伝導膜を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るLn系それぞれのイオン半径とその格子定数及び結晶構造を示す図である。
【図2】本発明の実施例1の酸化物超伝導薄膜の概略構成を示す図である。
【図3】本実施例のLnAlO3バッファー層の作製方法を説明するための図である。
【図4】本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜のX線回折パターンである。
【図5】本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜の面内配向を示す図である。
【図6】本実施例のSmAlO3/R-Al2O3構造上のYBCO膜の超伝導特性示す図である。
【図7】本実施例のサファイア(α-アルミナ)の結晶構造を示す図である。
【符号の説明】
1…R-Al2O3基板
2…LnAlO3バッファー層
3…酸化物超伝導薄膜
Claims (1)
- サファイア(R-Al2O3)基板上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のLnAlO3からなり、Lnは元素、Eu、Sm、Yのいずれかであることを特徴とする酸化物超電導薄膜。
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