【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置、特にプラズマディスプレイ（以後ＰＤＰと称す）等の前面に用いられる電磁遮蔽膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基体上に酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜を順に３層積層したもの、または酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜を順次５層積層したもの等、酸化物膜、Ａｇ膜が交互に積層され最上層膜が酸化物膜でなる（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）積層されたものが、表示装置、特にＰＤＰから漏洩する電磁波を遮断するための電磁遮蔽膜として使用されている。
【０００３】
また、ＰＤＰ前面フィルター用電磁遮蔽膜として、透明基体／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ（特許文献１）、あるいは、透明基体／ＴｉＯ２／Ａｇ／ＴｉＯ２という膜構成を有するものが挙げられる（特許文献２）。
【０００４】
しかし、このような膜では耐久性、特に耐湿性に問題があり、空気中の湿度により白色斑点や白濁を生じる。これらの白色斑点や白濁は空気中の水分によりＡｇの凝集が促進され、Ａｇの塊ができることにより生じると考えられている。
【０００５】
これを防ぐために従来技術ではＡｇ膜に種々の金属をドーピングすることにより、Ａｇの凝集を抑制し、これにより電磁遮蔽膜の耐湿性を向上させる方法が知られている。（特許文献３）
【０００６】
【特許文献１】
特許第３００４２７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２４６８３１号公報
【特許文献３】
特開平９−２９１３５５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
Ａｇ膜に異種金属をドーピングすると、Ａｇ膜の表面抵抗値の上昇、反射率の上昇等の不具合を生じ、ＰＤＰ等の表示装置の前面に用いることが困難であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電磁遮蔽膜は、基体上にＡｇ膜と酸化物膜が交互に成膜されてなる電磁遮蔽膜において、Ａｇ膜と酸化物膜の間に、Ａｌを１〜１０原子％含有したＡｌ含有酸化亜鉛膜が成膜されてなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。
【０００９】
また、前記電磁遮蔽膜において、最上層が酸化物膜でなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の電磁遮蔽膜は、図１に示すように、基体１上に酸化物膜２とＡｇ膜３とが交互に２ｎ層（ｎ≧１）積層され、最上層が酸化物膜でなり、さらに、Ａｇ膜と酸化物膜の間に、Ａｌ含有酸化亜鉛膜を積層し、（４ｎ＋１）層でなる。
【００１１】
透明基体としては、ガラスの他に、樹脂フィルム、プラスチック板等の可視光に透明なものが使用できる。また、強化された強化ガラス（例えば、表面圧縮応力が１００ＭＮ／ｍ２程度）、或いは半強化ガラス（例えば、表面圧縮応力が４０〜８０ＭＮ／ｍ２程度）を用いると、ガラスが割れにくいのでより好ましい。
【００１２】
また、表示装置に用いられる前面板ガラス自体を透明基体として利用することもできる。
【００１３】
酸化物膜はＩＴＯ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ等である。
【００１４】
Ａｌ含有酸化亜鉛膜は、Ａｌを１〜４原子％ドープしたＺｎＯターゲット（以下ＡｌＺｎＯターゲットと呼ぶ）を用い、スパッタリング装置によって成膜することができる。スパッタリングを行うときの真空チャンバー内の圧力は、２×１０―4Ｐａ以下とすることが好ましい。
【００１５】
酸素ガスを多量に使用する反応性スパッタをもちいて、Ａｇ膜に酸化物膜を成膜すると、Ａｇが酸化されてしまい、目的の電磁遮蔽膜を作製することはできない。
【００１６】
本発明の電磁遮蔽膜は、前述するＡｌＺｎＯターゲットを用いて、Ａｇ膜にＡｌ含有酸化亜鉛膜を形成下後、酸化物膜を成膜するため、前述するＡｇ膜の酸化が防げるので、反応性スパッタで酸化物膜を成膜することができる。
【００１７】
本発明の電磁遮蔽膜は、Ａｌ含有酸化亜鉛膜をＡｇ膜と酸化物膜との間に設けるものであるが、酸化物層のないＡｇ膜をＡｌ含有酸化亜鉛膜で挟んだものも、金属層の耐湿性を向上させた電磁遮蔽膜として用いることが可能である。
【００１８】
【実施例】
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００１９】
実施例１
透明基体として、大きさが１０００ｍｍ×５８０ｍｍ×約３ｍｍ（厚さ）のフロートガラス基板（可視光線透過率：９０.４％、ガラスの周縁部の黒枠プリントおよびブスバー付き、半強化加工品）の表面上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて成膜した。
【００２０】
先ず、スパッタリング装置のカソードに予めＩＴＯターゲット、Ａｇターゲット、Ａｌを４原子％ドープしたＺｎＯターゲット(以下ＡＺＯターゲット)を取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を行った。成膜は以下の順で行った。
【００２１】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３とした後、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２２】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２３】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２４】
(4)成膜室の雰囲気を再びＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２５】
(5)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２６】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＩＴＯ(４０ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／ＩＴＯ(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００２７】
耐湿性は、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿性試験を行い、評価した。評価基準は、直径１ｍｍ以上の白色斑点が現れなければ○（実用上問題なし）とした。
【００２８】
作製した電磁遮蔽膜について、耐湿試験後の外観は、ごく微少の斑点は見られたものの、１ｍｍ以上の目立った白色斑点および白濁は観察されず良好であった。
【００２９】
実施例２
実施例１と同じ成膜基板を用い、スパッタ装置のカソードに予めＤＣスパッタリングが可能になるように、ＴｉＯ2の化学量論組成よりも酸素の少ないターゲット組成に設計して導電性を持たせたＴｉＯｘターゲット(１＜ｘ＜２)、Ａｇターゲット、ＡＺＯターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を充分に行った。
【００３０】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９８：２としたのち、ＴｉＯｘターゲットに所定の電力を印加しＴｉＯ2の膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３１】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３２】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３３】
(4)成膜室の雰囲気を再びＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加し、ＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３４】
(5)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９８：２としたのち、ＴｉＯｘターゲットに所定の電力を印加しＴｉＯ2の膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３５】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＴｉＯ2(４０ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／ＴｉＯ2(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００３６】
上記電磁遮蔽膜について、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を行った。耐湿試験後の外観は、ごく微少の斑点は見られたものの、１ｍｍ以上の目立った白色斑点および白濁は観察されず良好であった。
【００３７】
実施例３
実施例１と同じ成膜基板を用い、スパッタ装置のカソードに予めＺｎターゲット、Ａｇターゲット、ＡＺＯターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を充分に行っい、次の手順で電磁遮蔽膜を作製した。
【００３８】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝１０：９０としたのち、Ｚｎターゲットに所定の電力を印加しＺｎＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。ここでは成膜時の雰囲気ガスとして酸素を導入し金属のＺｎターゲットからＺｎＯ膜を成膜する反応性スパッタリングを行っている。
【００３９】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４０】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４１】
(4)成膜室の雰囲気を再びＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４２】
(5)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝１０：９０としたのち、Ｚｎターゲットに所定の電力を印加しＺｎＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４３】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＺｎＯ(４０ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／ＺｎＯ(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００４４】
上記電磁遮蔽膜について、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を行った。耐湿試験後の外観は、ごく微少の斑点は見られたものの、１ｍｍ以上の目立った白色斑点および白濁は観察されず良好であった。
【００４５】
比較例１
実施例１と同じ成膜基板を用い、スパッタ装置のカソードに予めＩＴＯターゲット、Ａｇターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を充分に行った。
【００４６】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４７】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４８】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４９】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＩＴＯ(４０ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＩＴＯ(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００５０】
上記電磁遮蔽膜について、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を行った。耐湿試験後の外観は、１ｍｍ以上の白色斑点が無数に現れ、また全面に白濁が観察された、実用不可能な電磁遮蔽膜であった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の電磁遮蔽膜は、ＰＤＰ等の表示装置に用いるための耐湿性に優れた電磁遮蔽膜を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電磁遮蔽膜の構成を示す概念図である。
【符号の説明】
１ 基体
２ Ａｇ膜
３ 酸化物膜
４ Ａｌ含有酸化亜鉛膜[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electromagnetic shielding film used on a front surface of a display device, particularly, a plasma display (hereinafter, referred to as a PDP) or the like.
[0002]
[Prior art]
An oxide film, an Ag film, an oxide film in which three layers are sequentially stacked on a substrate, or an oxide film, an Ag film, an oxide film, an Ag film, an oxide film in which five layers are sequentially stacked, and the like. An electromagnetic shielding film for blocking electromagnetic waves leaking from a display device, particularly a PDP, in which a film and an Ag film are alternately laminated and a (2n + 1) layer (n ≧ 1) composed of an oxide film as an uppermost film is laminated. Has been used as
[0003]
Further, as an electromagnetic shielding film for a PDP front filter, a film having a film structure of transparent substrate / ITO / Ag / ITO (Patent Document 1) or transparent substrate / TiO2 / Ag / TiO2 is cited (Patent Document 2).
[0004]
However, such a film has a problem in durability, particularly in moisture resistance, and causes white spots and cloudiness due to humidity in the air. It is considered that these white spots and white turbidity are caused by the aggregation of Ag due to the moisture in the air and the formation of Ag aggregates.
[0005]
In order to prevent this, in the prior art, a method is known in which the Ag film is doped with various metals to suppress Ag aggregation, thereby improving the moisture resistance of the electromagnetic shielding film. (Patent Document 3)
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3004271 [Patent Document 2]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-246831 [Patent Document 3]
JP-A-9-291355
[Problems to be solved by the invention]
When the Ag film is doped with a dissimilar metal, problems such as an increase in the surface resistance of the Ag film and an increase in the reflectance occur, and it has been difficult to use the Ag film on the front surface of a display device such as a PDP.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The electromagnetic shielding film of the present invention is an electromagnetic shielding film in which an Ag film and an oxide film are alternately formed on a substrate, wherein an Al film containing 1 to 10 atomic% of Al is provided between the Ag film and the oxide film. An electromagnetic shielding film formed by forming a zinc oxide containing film.
[0009]
Further, in the electromagnetic shielding film, the uppermost layer is an oxide film.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In the electromagnetic shielding film of the present invention, as shown in FIG. 1, 2n layers (n ≧ 1) of oxide films 2 and Ag films 3 are alternately laminated on a substrate 1, and the uppermost layer is an oxide film. Further, an Al-containing zinc oxide film is stacked between the Ag film and the oxide film to form a (4n + 1) layer.
[0011]
As the transparent substrate, other than glass, a resin film, a plastic plate, or the like that is transparent to visible light can be used. Further, it is more preferable to use reinforced tempered glass (for example, surface compressive stress is about 100 MN / m2) or semi-tempered glass (for example, surface compressive stress is about 40 to 80 MN / m2) because the glass is hard to be broken.
[0012]
Further, the front glass plate used for the display device itself can be used as a transparent substrate.
[0013]
The oxide film is made of ITO, titanium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium oxide, molybdenum oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, niobium oxide, or the like.
[0014]
The Al-containing zinc oxide film can be formed by a sputtering apparatus using a ZnO target doped with 1 to 4 atomic% of Al (hereinafter, referred to as an AlZnO target). The pressure in the vacuum chamber at the time of performing sputtering is preferably less 2 × 10- 4 Pa.
[0015]
When an oxide film is formed on an Ag film by using reactive sputtering using a large amount of oxygen gas, Ag is oxidized, and a desired electromagnetic shielding film cannot be formed.
[0016]
Since the electromagnetic shielding film of the present invention forms an oxide film after forming an Al-containing zinc oxide film on an Ag film using the above-described AlZnO target, the oxidation of the Ag film described above can be prevented. An oxide film can be formed by sputtering.
[0017]
The electromagnetic shielding film of the present invention is provided with an Al-containing zinc oxide film between an Ag film and an oxide film. The layer can be used as an electromagnetic shielding film with improved moisture resistance.
[0018]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0019]
Example 1
The surface of a float glass substrate (visible light transmittance: 90.4%, with black frame print and busbar on the periphery of glass, semi-reinforced product) with a size of 1000 mm x 580 mm x about 3 mm (thickness) as a transparent substrate A film was formed thereon using a DC magnetron sputtering apparatus.
[0020]
First, pre-ITO target to the cathode of the sputtering apparatus, Ag target, then fitted with a 4 atomic% doped ZnO target (hereinafter AZO target) and Al, such that the pressure before film formation becomes less 2 × 10- 4 Pa The vacuum chamber was evacuated. Film formation was performed in the following order.
[0021]
(1) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 97: 3, predetermined power is applied to the ITO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the ITO film thickness becomes 40 nm. The membrane was made.
[0022]
(2) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 97: 3, predetermined power is applied to the AZO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the film thickness of AZO becomes 5 nm. The membrane was made.
[0023]
(3) After setting the atmosphere of the film forming chamber to 100% Ar, a predetermined electric power was applied to the Ag target, and the film was formed by adjusting the transfer speed of the glass substrate so that the thickness of the metal layer became 12 nm. .
[0024]
(4) After the atmosphere of the film forming chamber is again set to Ar: O 2 = 97: 3, a predetermined electric power is applied to the AZO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the film thickness of AZO becomes 5 nm. A film was formed.
[0025]
(5) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 97: 3, a predetermined power is applied to the ITO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the ITO film thickness becomes 40 nm. The membrane was made.
[0026]
As described above, an electromagnetic shielding film having a film configuration of G / ITO (40 nm) / AZO (5 nm) / Ag (12 nm) / AZO (5 nm) / ITO (40 nm) was formed on a glass substrate.
[0027]
The moisture resistance was evaluated by performing a moisture resistance test in which the sample was left in an atmosphere at 60 ° C. and a relative humidity of 90% for 6 days. The evaluation criteria was ○ (no practical problem) unless white spots with a diameter of 1 mm or more appeared.
[0028]
The appearance of the prepared electromagnetic shielding film after the moisture resistance test was good, although very small spots were observed, but no noticeable white spots of 1 mm or more and white turbidity were observed.
[0029]
Example 2
Using the same film-forming substrate as in Example 1, a target composition containing less oxygen than the stoichiometric composition of TiO 2 was designed to have conductivity so that DC sputtering could be performed on the cathode of the sputtering apparatus in advance. TiOx target (1 <x <2), Ag target, then fitted with AZO target, was thoroughly evacuated in vacuum chamber so that the pressure before film formation becomes less 2 × 10- 4 Pa.
[0030]
(1) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 98: 2, a predetermined power is applied to the TiOx target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the TiO 2 film thickness becomes 40 nm. A film was formed.
[0031]
(2) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 97: 3, predetermined power is applied to the AZO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the film thickness of AZO becomes 5 nm. The membrane was made.
[0032]
(3) After setting the atmosphere of the film forming chamber to 100% Ar, a predetermined electric power was applied to the Ag target, and the film was formed by adjusting the transfer speed of the glass substrate so that the thickness of the metal layer became 12 nm. .
[0033]
(4) After the atmosphere of the film forming chamber is again set to Ar: O 2 = 97: 3, a predetermined electric power is applied to the AZO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the AZO film thickness becomes 5 nm. To form a film.
[0034]
(5) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 98: 2, a predetermined power is applied to the TiOx target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the TiO 2 film thickness becomes 40 nm. A film was formed.
[0035]
As described above, an electromagnetic shielding film having a film configuration of G / TiO 2 (40 nm) / AZO (5 nm) / Ag (12 nm) / AZO (5 nm) / TiO 2 (40 nm) was formed on a glass substrate.
[0036]
The electromagnetic shielding film was subjected to a moisture resistance test in which it was left in an atmosphere at 60 ° C. and a relative humidity of 90% for 6 days. The appearance after the moisture resistance test was good, although very small spots were observed, but no noticeable white spots of 1 mm or more and white turbidity were observed.
[0037]
Example 3
Using the same film forming substrate as in Example 1, previously Zn target to the cathode of the sputtering apparatus, Ag target, then fitted with AZO target, the vacuum chamber so that the pressure before film formation becomes less 2 × 10- 4 Pa Was sufficiently exhausted, and an electromagnetic shielding film was produced in the following procedure.
[0038]
(1) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 10: 90, a predetermined power is applied to the Zn target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the ZnO film thickness becomes 40 nm. The membrane was made. Here, reactive sputtering for forming a ZnO film from a metal Zn target by introducing oxygen as an atmosphere gas at the time of film formation is performed.
[0039]
(2) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 97: 3, predetermined power is applied to the AZO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the film thickness of AZO becomes 5 nm. The membrane was made.
[0040]
(3) After setting the atmosphere of the film forming chamber to 100% Ar, a predetermined electric power was applied to the Ag target, and the film was formed by adjusting the transfer speed of the glass substrate so that the thickness of the metal layer became 12 nm. .
[0041]
(4) After the atmosphere of the film forming chamber is again set to Ar: O 2 = 97: 3, a predetermined electric power is applied to the AZO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the film thickness of AZO becomes 5 nm. A film was formed.
[0042]
(5) After setting the atmosphere in the film forming chamber to Ar: O 2 = 10: 90, a predetermined power is applied to the Zn target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the ZnO film thickness becomes 40 nm. The membrane was made.
[0043]
As described above, an electromagnetic shielding film having a film configuration of G / ZnO (40 nm) / AZO (5 nm) / Ag (12 nm) / AZO (5 nm) / ZnO (40 nm) was formed on a glass substrate.
[0044]
The electromagnetic shielding film was subjected to a moisture resistance test in which it was left in an atmosphere at 60 ° C. and a relative humidity of 90% for 6 days. The appearance after the moisture resistance test was good, although very small spots were observed, but no noticeable white spots of 1 mm or more and white turbidity were observed.
[0045]
Comparative Example 1
Using the same film forming substrate as in Example 1, previously ITO target to the cathode of a sputtering apparatus, then fitted with a Ag target, the evacuation of the vacuum chamber so that the pressure before film formation becomes less 2 × 10- 4 Pa Went well.
[0046]
(1) After setting the atmosphere of the film formation chamber to Ar: O 2 = 97: 3, predetermined power is applied to the ITO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the ITO film thickness becomes 40 nm. The membrane was made.
[0047]
(2) After setting the atmosphere of the film formation chamber to 100% Ar, a predetermined electric power was applied to the Ag target, and the film formation was performed by adjusting the transfer speed of the glass substrate so that the thickness of the metal layer became 12 nm. .
[0048]
(3) After setting the atmosphere of the film forming chamber to Ar: O 2 = 97: 3, predetermined power is applied to the ITO target, and the transfer speed of the glass substrate is adjusted so that the ITO film thickness becomes 40 nm. The membrane was made.
[0049]
As described above, an electromagnetic shielding film having a film configuration of G / ITO (40 nm) / Ag (12 nm) / ITO (40 nm) was formed on a glass substrate.
[0050]
The electromagnetic shielding film was subjected to a moisture resistance test in which it was left in an atmosphere at 60 ° C. and a relative humidity of 90% for 6 days. The appearance after the moisture resistance test was an impractical electromagnetic shielding film in which white spots of 1 mm or more appeared innumerably and cloudiness was observed on the entire surface.
[0051]
【The invention's effect】
The electromagnetic shielding film of the present invention provides an electromagnetic shielding film having excellent moisture resistance for use in a display device such as a PDP.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of an electromagnetic shielding film of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Ag film 3 Oxide film 4 Al-containing zinc oxide film
