JP2004203864A - Method for supplying crude terephthalic acid solution to reaction vessel - Google Patents

Method for supplying crude terephthalic acid solution to reaction vessel Download PDF

Info

Publication number
JP2004203864A
JP2004203864A JP2003406706A JP2003406706A JP2004203864A JP 2004203864 A JP2004203864 A JP 2004203864A JP 2003406706 A JP2003406706 A JP 2003406706A JP 2003406706 A JP2003406706 A JP 2003406706A JP 2004203864 A JP2004203864 A JP 2004203864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terephthalic acid
reactor
crude terephthalic
acid solution
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003406706A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaru Nishio
勝 西尾
Katsuhiko Fukui
勝彦 福井
Hiroyuki Toda
博行 戸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2003406706A priority Critical patent/JP2004203864A/en
Publication of JP2004203864A publication Critical patent/JP2004203864A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To supply a crude terephthalic acid solution to a reaction vessel so as not to cause local thickness reduction or breakage phenomenon on the inner wall face of the vessel. <P>SOLUTION: A high purity terephthalic acid is produced by dissolving in water a crude terephthalic acid obtained by oxidizing p-xylene in an acetic acid solvent, reducing the resulting solution with hydrogen in the reaction vessel in the presence of a catalyst, and then crystallizing the reduction product followed by solid-liquid separation. In this production method, the inflow rate of the crude terephthalic acid solution to the vessel is regulated to be ≤1 m/s. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

この発明は、高純度テレフタル酸の製造工程における粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法に関する。   The present invention relates to a method for supplying a crude terephthalic acid solution in a reactor in a process for producing high-purity terephthalic acid.

ポリエステルの原料となる高純度テレフタル酸を製造する工程では、先ずパラキシレンを酢酸溶媒に溶かして酸化することによって粗テレフタル酸結晶を生成し、これを水に溶解した粗テレフタル酸水溶液を高温・高圧下で白金族金属を含む触媒層を有する充填塔型反応器に通過させ、この反応器内での水素添加反応処理により粗テレフタル酸を精製して高純度テレフタル酸を得ている。   In the process of producing high-purity terephthalic acid, which is a raw material for polyester, first, a crude terephthalic acid crystal is generated by dissolving para-xylene in an acetic acid solvent and oxidizing the same, and a crude terephthalic acid aqueous solution obtained by dissolving this in water is subjected to high temperature and high pressure The crude terephthalic acid is refined by passing through a packed tower reactor having a catalyst layer containing a platinum group metal under the hydrogenation reaction treatment in the reactor to obtain high-purity terephthalic acid.

上記の工程において充填塔型反応器内には、水素が反応圧以上に加圧されて供給されると共に、高温・高圧の粗テレフタル酸水溶液が供給される。   In the above step, hydrogen is supplied to the packed column reactor at a pressure higher than the reaction pressure, and a high temperature and high pressure crude terephthalic acid aqueous solution is supplied.

この工程で、もし未溶解のテレフタル酸結晶を含む粗テレフタル酸水溶液が反応器内の白金族金属触媒充填層に供給されると、安定した連続運転が不可能になるから、前工程でバッファー槽を設けて完全にテレフタル酸結晶を溶解させてから反応器内に液体を供給するか、または、以下の方法が採られる。   In this step, if a crude terephthalic acid aqueous solution containing undissolved terephthalic acid crystals is supplied to the platinum group metal catalyst packed bed in the reactor, stable continuous operation becomes impossible. Is provided to completely dissolve the terephthalic acid crystals, and then the liquid is supplied into the reactor, or the following method is employed.

すなわち、図4に示すように、充填塔型の反応器11の上部に筒型のオーバーフロー壁3により仕切られた滞留ゾーン4を設け、この滞留ゾーン4に粗テレフタル酸水溶液を供給口12から注入し、筒型のオーバーフロー壁3をオーバーフローさせることにより、触媒層2には、テレフタル酸結晶が完全に溶解した液のみを通液するようにしている(例えば、特許文献1参照。)。なお、図中の符号5は、水素供給管接続口である。   That is, as shown in FIG. 4, a retention zone 4 partitioned by a cylindrical overflow wall 3 is provided at an upper portion of a packed tower type reactor 11, and a crude terephthalic acid aqueous solution is injected into the retention zone 4 from a supply port 12. Then, by overflowing the cylindrical overflow wall 3, only the liquid in which the terephthalic acid crystals are completely dissolved passes through the catalyst layer 2 (for example, see Patent Document 1). Reference numeral 5 in the figure is a hydrogen supply pipe connection port.

特許第3232700号公報(特許請求の範囲)Japanese Patent No. 3232700 (Claims)

しかし、上記した従来の粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法では、反応器内に高流速の粗テレフタル酸水溶液が供給されると、反応器の内壁面または容器内のオーバーフロー壁などの構造物に対し、高圧の粗テレフタル酸溶解液の液流が衝突し、そのときの圧力による侵食という機械的作用と、高熱の腐食成分による化学的作用が相乗的に作用して、いわゆるエロージョン・コロージョンによる反応器内壁面の局所的(例えば図4中の鎖線に示す部分)な減肉または破壊現象が起きやすいという問題点がある。   However, in the above-described conventional method for supplying a crude terephthalic acid solution into a reactor, when a high flow rate of a crude terephthalic acid aqueous solution is supplied into the reactor, the inner wall surface of the reactor or an overflow wall in a vessel, etc. High-pressure crude terephthalic acid solution collides against the structure of the structure, and the mechanical action of erosion due to the pressure at that time and the chemical action of the high-temperature corrosive component act synergistically, resulting in so-called erosion. There is a problem that local thinning or destruction of the inner wall surface of the reactor due to corrosion (for example, a portion shown by a chain line in FIG. 4) is likely to occur.

実際には、ステンレス鋼またはそれ以上に耐食性を有する周知の耐食性合金(例えばチタン鋼、ハステロイ鋼など)に対して、数ヶ月間のテレフタル酸製造設備の稼動により、このような物理化学的な作用による反応器内壁の局所的な劣化現象が起こることが多い。   In practice, the operation of terephthalic acid production equipment for several months on stainless steel or other well-known corrosion-resistant alloys having a higher corrosion resistance (for example, titanium steel, Hastelloy steel, etc.) will cause such physicochemical effects. Often causes local deterioration of the inner wall of the reactor.

そこで、この発明の課題は、上記した問題点を解決して、粗テレフタル酸水溶液を反応器に供給するときに、この反応器の内壁面に対して局所的な減肉または破壊現象が起こらないようにすることである。   Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and when a crude terephthalic acid aqueous solution is supplied to a reactor, local thinning or destruction of the inner wall surface of the reactor does not occur. Is to do so.

上記の課題を解決するために、この発明においては、パラキシレンを酢酸溶媒中で酸化して得られる粗テレフタル酸を水に溶解させ、この液体を反応器内で触媒の存在下に水素で還元処理し、この還元処理物を晶析および固液分離する高純度テレフタル酸の製造工程における粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法において、粗テレフタル酸溶解液の反応器内への流入速度を1m/s以下にすることを特徴とする高純度テレフタル酸の製造工程における粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法としたのである。   In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, crude terephthalic acid obtained by oxidizing para-xylene in an acetic acid solvent is dissolved in water, and this liquid is reduced with hydrogen in the presence of a catalyst in a reactor. In the method of supplying the crude terephthalic acid solution into the reactor in the process of producing high-purity terephthalic acid for crystallization and solid-liquid separation of the reduced product, the flow of the crude terephthalic acid solution into the reactor This is a method for supplying a crude terephthalic acid solution into the reactor in the process of producing high-purity terephthalic acid, wherein the speed is set to 1 m / s or less.

上記したように構成される粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法とすれば、粗テレフタル酸溶解液が反応器の内壁面に対して流入速度である1m/s以下の速度で接触するから、通常、230℃以上に加熱されている粗テレフタル酸溶解液の液圧および液流による反応器の内壁面に対する負担は少なくなり、いわゆるエロージョン・コロージョンによる反応器内壁面の局所的な減肉または破壊現象は起きにくくなる。   According to the method for supplying the crude terephthalic acid solution into the reactor configured as described above, the crude terephthalic acid solution contacts the inner wall surface of the reactor at a flow rate of 1 m / s or less. Therefore, the burden on the inner wall surface of the reactor due to the liquid pressure and the flow of the crude terephthalic acid solution, which is usually heated to 230 ° C. or higher, is reduced, and the local inner wall surface of the reactor is reduced by so-called erosion and corrosion. Meat or destruction phenomena are less likely to occur.

このような作用をより確実に奏させるために、反応器内に液流の分散装置を設けて、粗テレフタル酸溶解液の流入速度を低減させるようにした上記製造工程による粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法とすることが好ましく、これにより確実に反応器の内壁面に対する負担は少なくなる。   In order to more reliably perform such an operation, a dispersing device for the liquid flow is provided in the reactor, and the flow rate of the crude terephthalic acid solution by the above-described production process in which the inflow speed of the crude terephthalic acid solution is reduced. It is preferable to adopt a method of supplying the solution into the reactor, whereby the burden on the inner wall surface of the reactor is surely reduced.

さらに、上記の分散装置が、粗テレフタル酸溶解液の供給管が接続されている供給口と、反応器内に開口する複数の分散口とを有し、前記供給口の面積Sと複数の分散口の総面積SAとの比(SA/S)が、1を超えるように設計された分散装置である粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法であることがより好ましい。 Further, the dispersing apparatus has a supply port to which a supply pipe for the crude terephthalic acid solution is connected, and a plurality of dispersion ports opened in the reactor, and has an area S of the supply port and a plurality of dispersion ports. More preferably, the method is a method of supplying a crude terephthalic acid solution, which is a dispersing device, designed to have a ratio to the total area S A of the mouth (S A / S) exceeding 1, into the reactor.

このようにすると、供給口における流速より分散口での流速の方が確実に遅くなり、その比(SA/S)を調整することにより、確実に分散装置を通過した粗テレフタル酸溶解液の流速を減速させることができる。 By doing so, the flow velocity at the dispersion port is surely slower than the flow velocity at the supply port, and by adjusting the ratio (S A / S), the crude terephthalic acid solution that has passed through the dispersion apparatus is surely removed. The flow velocity can be reduced.

また、分散装置の好ましい構造としては、環状管に供給管を接続し、環状管の周壁面に貫通させて多数の分散口を形成した分散装置であるものを採用すればよい。このような分散装置を採用した粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法によれば、環状管の周壁面から反応器内壁の様々な方向へ向けて粗テレフタル酸溶解液を供給でき、その際に流入圧力を分散させて低流入速度で供給することができる。   Further, as a preferable structure of the dispersing device, a dispersing device in which a supply pipe is connected to an annular pipe and a plurality of dispersing ports are formed by penetrating through the peripheral wall surface of the annular pipe may be adopted. According to the method for supplying the crude terephthalic acid solution into the reactor employing such a dispersing device, the crude terephthalic acid solution can be supplied from the peripheral wall surface of the annular tube toward various directions of the reactor inner wall, At this time, the inflow pressure can be dispersed and supplied at a low inflow speed.

この発明は、以上説明したように、高純度テレフタル酸の製造工程における粗テレフタル酸溶解液の供給を、反応器内への流入速度が1m/s以下となるようにしたので、例えば230℃以上の高温の粗テレフタル酸溶解液の液圧および液流による反応器の内壁面に対する負担は少なくなり、反応器の内壁面に対して局所的な減肉または破壊現象が起こりにくくなるという利点がある。   As described above, in the present invention, the supply of the crude terephthalic acid solution in the production process of high-purity terephthalic acid is performed at a flow rate of 1 m / s or less into the reactor. The burden on the inner wall of the reactor due to the liquid pressure and liquid flow of the high temperature crude terephthalic acid solution is reduced, and there is an advantage that local wall thinning or destruction phenomenon is less likely to occur on the inner wall of the reactor. .

また、反応器内に液流の分散装置を設けて、粗テレフタル酸溶解液の流入速度を低減させるようにすれば、上記の効果はより確実に奏される。   In addition, the above effects can be more reliably achieved by providing a liquid flow dispersing device in the reactor to reduce the inflow speed of the crude terephthalic acid solution.

また、反応器内に液流の分散装置を設けて、粗テレフタル酸溶解液の流入速度を低減させ、その分散装置の供給口の面積Sと複数の分散口の総面積SAとの比(SA/S)が、1を超えるように設計することにより、確実に反応器の内壁面に対する負担は少なくなる。 Further, a dispersing device for a liquid stream is provided in the reactor to reduce the inflow rate of the crude terephthalic acid solution, and the ratio of the area S of the supply port of the dispersing apparatus to the total area S A of the plurality of dispersing ports ( By designing S A / S) to exceed 1, the burden on the inner wall surface of the reactor is surely reduced.

この発明の実施形態を、以下に添付図面を参照して説明する。
高純度テレフタル酸を製造する工程では、まず、パラキシレンを液相で酸化して得られる粗テレフタル酸を水に溶解させ、この粗テレフタル酸水溶液を高温・高圧下で反応器1内の触媒層2を通過させて水素で還元処理している。そして、この還元処理物を晶析および固液分離する高純度テレフタル酸の製造工程における粗テレフタル酸溶解液の供給は、反応器1内への流入速度を1m/s以下にして行なうようにする。好ましい流入速度は、0.9m/s以下であり、さらに好ましい流入速度は、0.8m/sである。また、あまりに流入速度を下げ過ぎると、分散装置自体が大きくなりすぎるので、流入速度の下限は、好ましくは0.1m/sであり、さらに好ましくは0.2m/sである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
In the step of producing high-purity terephthalic acid, first, crude terephthalic acid obtained by oxidizing para-xylene in a liquid phase is dissolved in water, and this crude terephthalic acid aqueous solution is subjected to a catalyst layer in the reactor 1 at high temperature and high pressure. 2 to reduce with hydrogen. The supply of the crude terephthalic acid solution in the process of producing high-purity terephthalic acid for crystallization and solid-liquid separation of the reduced product is performed at a flow rate of 1 m / s or less into the reactor 1. . A preferred inflow velocity is 0.9 m / s or less, and a more preferred inflow velocity is 0.8 m / s. On the other hand, if the inflow velocity is too low, the dispersion apparatus itself becomes too large. Therefore, the lower limit of the inflow velocity is preferably 0.1 m / s, more preferably 0.2 m / s.

パラキシレンの酸化反応としては、通常、パラキシレンを酢酸溶媒中、例えば、コバルト、マンガン及び臭素を含む触媒の存在下で、通常170〜230℃の温度条件下で分子状酸素と反応させる、いわゆるSD法を採用できる。この反応により得られる粗テレフタル酸は、不純物として4−カルボキシベンズアルデヒド(以下「4CBA」という)を重量基準で通常1000〜5000ppm含有する結晶性のものである。   The oxidation reaction of para-xylene is usually performed by reacting para-xylene with molecular oxygen in an acetic acid solvent, for example, in the presence of a catalyst containing cobalt, manganese, and bromine, usually at a temperature of 170 to 230 ° C. The SD method can be adopted. The crude terephthalic acid obtained by this reaction is a crystalline terephthalic acid which generally contains 4-carboxybenzaldehyde (hereinafter referred to as “4CBA”) as an impurity in an amount of 1000 to 5000 ppm by weight.

テレフタル酸は、常温常圧では低溶解性であり、テレフタル酸の溶解度を高めるために高温高圧とする必要があり、粗テレフタル酸の水溶液を得る一般的な方法としては、次のような方法を例示できる。   Terephthalic acid has low solubility at normal temperature and pressure, and it is necessary to raise the temperature and pressure to increase the solubility of terephthalic acid.A general method for obtaining an aqueous solution of crude terephthalic acid includes the following method. Can be illustrated.

まず、粗テレフタル酸を水に対して10〜40重量%の割合で混合し、スラリーとする。次に、このスラリーは昇圧ポンプにより反応圧力プラスαの圧力(プラスαとは反応器に到達するまでの圧力損失を考慮した圧力である)まで加圧し、多管式熱交換器を組み合わせた加熱溶解工程へ供給する。加熱による昇温は、所定の反応温度まで段階的に行ない、好ましくは複数の熱交換器群により行なわれ、粗テレフタル酸溶解液の液温は230℃以上になる。   First, crude terephthalic acid is mixed with water at a ratio of 10 to 40% by weight to form a slurry. Next, this slurry is pressurized to the reaction pressure plus α pressure (plus α is a pressure in consideration of the pressure loss until reaching the reactor) by a pressurizing pump, and heated by a combination of a multi-tube heat exchanger. Supply to dissolution process. The temperature rise by heating is carried out stepwise up to a predetermined reaction temperature, preferably by a plurality of heat exchanger groups, and the temperature of the crude terephthalic acid solution becomes 230 ° C. or higher.

上記のようにして得られた粗テレフタル酸水溶液を、白金族金属含有の触媒層2が収容された充填塔型の反応器1に通過させ、この反応器1内で水素添加反応処理により粗テレフタル酸を精製する。ここでは粗テレフタル酸水溶液中の4CBAを水素でパラトルイル酸に還元処理している。   The crude terephthalic acid aqueous solution obtained as described above is passed through a packed tower type reactor 1 in which a catalyst layer 2 containing a platinum group metal is accommodated, and the crude terephthalic acid is subjected to a hydrogenation reaction treatment in the reactor 1. Purify the acid. Here, 4CBA in the crude terephthalic acid aqueous solution is reduced with hydrogen to paratoluic acid.

白金族金属を含む触媒としては、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、白金等あるいはこれらの金属酸化物から選ばれる。これらの金属もしくは金属酸化物は、触媒としてそのまま使用することもできるが、活性炭のような担体に0.2〜10重量%程度担持したものが特に有効である。反応条件としての温度は200〜400℃であり、好ましくは230〜350℃であり、圧力は液体として保持できる圧力があればよく、1.6MPa以上、好ましくは2.8〜16.5MPaである。水素は、反応圧以上に加圧されて、反応器内に供給される。   The catalyst containing a platinum group metal is selected from palladium, ruthenium, rhodium, osmium, iridium, platinum and the like, or a metal oxide thereof. These metals or metal oxides can be used directly as a catalyst, but those supported on a carrier such as activated carbon at about 0.2 to 10% by weight are particularly effective. The temperature as the reaction condition is 200 to 400 ° C., preferably 230 to 350 ° C., and the pressure may be a pressure that can be maintained as a liquid, and is 1.6 MPa or more, preferably 2.8 to 16.5 MPa. . Hydrogen is pressurized above the reaction pressure and supplied into the reactor.

図1〜3に示すように、実施形態の充填塔型の反応器1は、上部の入口部分にオーバーフロー壁3によって仕切られた粗テレフタル酸水溶液の滞留ゾーン4を有するものであり、この滞留ゾーン4の下部に反応ゾーンとなる触媒層2を有する構造である。   As shown in FIGS. 1 to 3, the packed tower type reactor 1 of the embodiment has a retention zone 4 of a crude terephthalic acid aqueous solution partitioned by an overflow wall 3 at an upper inlet portion. 4 has a catalyst layer 2 serving as a reaction zone below.

図2および図3に示すように、充填塔型の反応器1の上部の入口部分を詳細に説明すると、水素供給管接続口5を上部に有する反応器1のドーム型の上部空間は、円盤型の仕切り板6によって滞留ゾーン4とそれより下部の反応ゾーン10とが仕切られており、仕切り板6の中央には筒型のオーバーフロー壁3が直立している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the upper inlet portion of the packed tower type reactor 1 will be described in detail. The dome-shaped upper space of the reactor 1 having the hydrogen supply pipe connection port 5 at the top is a disk. The stagnation zone 4 and the reaction zone 10 below the stagnation zone 4 are partitioned by a mold partition plate 6, and the cylindrical overflow wall 3 stands upright in the center of the partition plate 6.

そして、滞留ゾーン4の側壁には、粗テレフタル酸の溶液供給管7が貫通し、分散装置の環状管8と接続している。環状管8は、円筒形の管の周壁面に多数の小孔9を貫通して形成したものを図示したが、その他の形状として、例えば円筒形または多角形筒形の管を多角形状に連結した周知の環形状であってもよい。   A solution supply pipe 7 for crude terephthalic acid penetrates the side wall of the retention zone 4 and is connected to an annular pipe 8 of the dispersing device. The annular pipe 8 is shown as having a small number of holes 9 formed in the peripheral wall surface of a cylindrical pipe, but other shapes such as a cylindrical or polygonal cylindrical pipe are connected in a polygonal shape. It may be a known ring shape.

そして、供給管7の管内径の面積Sと環状管8の多数の小孔9の総面積SAとの比(SA/S)は、1を超えるように設計されており、これにより供給管7での粗テレフタル酸溶液の流速が1.1m/s以上の場合に小孔9から流出する流速は、1m/s以下になるよう設計されている。SA/Sの好ましい値は、1.1以上、さらに好ましい値は1.5以上である。また、SA/Sがあまりに大き過ぎると、分散装置自体が大きくなり過ぎるので、SA/Sの上限は、10が好ましく、5がさらに好ましい。 The ratio (S A / S) of the area S of the inner diameter of the supply pipe 7 to the total area S A of the plurality of small holes 9 of the annular pipe 8 is designed to exceed 1. When the flow rate of the crude terephthalic acid solution in the pipe 7 is 1.1 m / s or more, the flow rate flowing out of the small holes 9 is designed to be 1 m / s or less. A preferred value of S A / S is 1.1 or more, and a more preferred value is 1.5 or more. Further, if S A / S is too large, the dispersion apparatus itself becomes too large. Therefore, the upper limit of S A / S is preferably 10 and more preferably 5.

このような反応器1の上部構造により、滞留ゾーン4内に供給された溶液はオーバーフロー壁3に沿って上昇し、最終的にオーバーフローして仕切板6の下方の反応ゾーン10へ供給される。このとき未溶解の結晶粒子があっても、粒子は、滞留ゾーン4の下部へ沈降して滞留し、そこに供給される溶液流れによって混合および溶解され、そのままオーバーフローしない。   Due to such an upper structure of the reactor 1, the solution supplied into the retention zone 4 rises along the overflow wall 3 and finally overflows and is supplied to the reaction zone 10 below the partition plate 6. At this time, even if there are undissolved crystal particles, the particles settle and stay at the lower part of the stay zone 4, are mixed and dissolved by the solution flow supplied thereto, and do not overflow as they are.

そして、前述のように粗テレフタル酸溶液の環状管8の小孔9から流出する流速は、1m/s以下であり、オーバーフロー壁3や反応器1の上部側壁には前記流速以下で接するので、高温の粗テレフタル酸溶解液の液圧および液流による反応器の内壁面に対する負担は少なくなり、反応器1の内壁面に対する局所的な減肉または破壊現象が起こり難い。   As described above, the flow rate of the crude terephthalic acid solution flowing out of the small holes 9 of the annular tube 8 is 1 m / s or less, and the overflow terephthalic acid solution contacts the overflow wall 3 and the upper side wall of the reactor 1 at the flow rate or less. The burden on the inner wall surface of the reactor due to the liquid pressure and liquid flow of the high-temperature crude terephthalic acid solution is reduced, and local wall thinning or destruction of the inner wall surface of the reactor 1 is unlikely to occur.

このようにして正常にオーバーフローさせたテレフタル酸溶液は、反応ゾーン10、具体的には触媒層2を経て精製され、反応器の下部の出口より系外に流出する。この流出液は、通常、さらに晶析、固液分離、乾燥工程を経て精製テレフタル酸結晶として回収される。   The terephthalic acid solution that has normally overflowed in this way is purified through the reaction zone 10, specifically, the catalyst layer 2, and flows out of the system from the lower outlet of the reactor. This effluent is usually recovered through further crystallization, solid-liquid separation and drying steps as purified terephthalic acid crystals.

[実施例1]
原料の粗テレフタル酸を水溶液濃度で30重量%のスラリーとし、これを圧力9MPaに昇圧し、多管式熱交換器により285℃まで昇温し、このスラリーを図1〜3に示す構造の充填塔型の溶液供給管に供給した。反応器は、塔径1.26m、高さ10m、触媒層の高さは7mであり、滞留ゾーンの構造は、オーバーフロー壁の高さ0.7m、下降管の直径は0.3mとした。反応器本体の材質は、炭素鋼に7mmのSUS304を積層したクラッド鋼であり、オーバーフロー壁の材質はチタン鋼である。
[Example 1]
A slurry of raw terephthalic acid as a raw material in an aqueous solution concentration of 30% by weight was raised to a pressure of 9 MPa, heated to 285 ° C. by a multitubular heat exchanger, and this slurry was filled with the structure shown in FIGS. The solution was supplied to a tower type solution supply pipe. The reactor had a tower diameter of 1.26 m, a height of 10 m, and a height of the catalyst layer of 7 m. The structure of the retention zone was such that the height of the overflow wall was 0.7 m and the diameter of the downcomer was 0.3 m. The material of the reactor body is clad steel in which SUS304 of 7 mm is laminated on carbon steel, and the material of the overflow wall is titanium steel.

そして、チタン製の環状の分散器(SA/S=1.8)の周壁面に形成した多数の小孔から粗テレフタル酸溶液を0.5〜0.7m/sで反応器上部の滞留ゾーンに分散させながら供給し、オーバーフローさせてその内側の空間から反応ゾーンへ水素ガスを供給した。
反応条件は、圧力8.0MPa、温度285℃、水素分圧0.8MPaとし、触媒は0.5%パラジウム/カーボンを用いた。
このような条件で約150日間連続運転を行ったが、反応器内でのエロージョン・コロージョンによる反応器内壁面の局所的な減肉または破壊現象もなく、良質の精製テレフタル酸が得られた。
Then, the crude terephthalic acid solution stays in the upper part of the reactor at a rate of 0.5 to 0.7 m / s through a number of small holes formed on the peripheral wall surface of the annular disperser made of titanium (S A /S=1.8). The hydrogen gas was supplied while being dispersed in the zone, overflowed, and hydrogen gas was supplied from the space inside to the reaction zone.
The reaction conditions were a pressure of 8.0 MPa, a temperature of 285 ° C., a hydrogen partial pressure of 0.8 MPa, and 0.5% palladium / carbon as a catalyst.
Under these conditions, the continuous operation was performed for about 150 days. However, there was no local thinning or destruction of the inner wall of the reactor due to erosion and corrosion in the reactor, and high-quality purified terephthalic acid was obtained.

[実施例2]
実施例1において、分散装置の環状管を図5に示すような6角形状のもの(SA/S=1.6)に代えた以外は、同様にして水添反応を行った。なお、粗テレフタル酸溶液は、約0.7m/sで、反応器上部の滞留ゾーンに供給された。
150日間連続運転を行ったが、反応器内でのエロージョン・コロージョンによる反応器内壁面の局所的な減肉又は破壊現象は見られず、良質の精製テレフタル酸が得られた。
[Example 2]
The hydrogenation reaction was carried out in the same manner as in Example 1, except that the annular pipe of the dispersion device was changed to a hexagonal pipe as shown in FIG. 5 (S A /S=1.6). The crude terephthalic acid solution was supplied at a rate of about 0.7 m / s to a retention zone above the reactor.
After continuous operation for 150 days, no local wall thinning or destruction of the inner wall of the reactor due to erosion and corrosion in the reactor was observed, and high-quality purified terephthalic acid was obtained.

[比較例1]
実施例において、分散装置の環状管を使用せずに溶液供給口から粗テレフタル酸溶液を1.1m/sで反応器に直接に供給したこと以外は、全く同じ条件で約90日間連続運転を行った。
その結果、反応器内のオーバーフロー壁部分には、エロージョン・コロージョンによる局所的減肉現象があり、壁の一部は7mm厚のSUS304層が削り取られていた。
[Comparative Example 1]
In the examples, continuous operation was performed for about 90 days under exactly the same conditions except that the crude terephthalic acid solution was directly supplied to the reactor at 1.1 m / s from the solution supply port without using the annular tube of the dispersion apparatus. went.
As a result, there was a local wall thinning phenomenon due to erosion and corrosion at the overflow wall portion in the reactor, and a 7 mm thick SUS304 layer was cut off at a part of the wall.

[比較例2]
実施例1において、分散装置の環状管を使用せず、溶液供給口から粗テレフタル酸溶液を図6に示すように、反応装置に対して、1.1m/sで接線方向から供給したこと以外は同様にして、水添反応を行った。
150日間連続運転を行ったところ、溶液供給口付近の反応器の内壁部分には、エロージョン・コロージョンによる局所的な減肉現象が見られ、反応器内壁の一部は、7mm厚のSUS304層が削り取られていた。
[Comparative Example 2]
In Example 1, except that the crude terephthalic acid solution was supplied to the reaction device from the tangential direction at 1.1 m / s from the solution supply port as shown in FIG. 6 without using the annular tube of the dispersion device. Carried out a hydrogenation reaction in the same manner.
After 150 days of continuous operation, a local wall thinning phenomenon due to erosion and corrosion was observed on the inner wall of the reactor near the solution supply port, and a 7 mm thick SUS304 layer was formed on a part of the inner wall of the reactor. Had been shaved off.

[比較例3]
比較例2において、反応器の材質を炭素鋼に5mmのSUS304及び2mmのチタンをこの順に積層したクラッド鋼に代えた以外は同様にして、水添反応を行った。
150日間連続運転を行ったところ、溶液供給口付近の反応器の内壁部分には、エロージョン・コロージョンによる局所的な減肉現象が見られ、反応器内壁の一部は、2mmのチタン層と5mmのSUS304層が削り取られていた。
[Comparative Example 3]
A hydrogenation reaction was carried out in the same manner as in Comparative Example 2, except that the material of the reactor was changed to clad steel in which 5 mm of SUS304 and 2 mm of titanium were laminated in this order on carbon steel.
After continuous operation for 150 days, a local wall thinning phenomenon due to erosion and corrosion was observed on the inner wall of the reactor near the solution supply port, and a part of the inner wall of the reactor was a 2 mm titanium layer and 5 mm SUS304 layer was scraped off.

実施形態の反応器の構造を説明する模式図Schematic diagram for explaining the structure of the reactor of the embodiment 実施形態の反応器の上部構造を示す縦断面図Longitudinal sectional view showing the upper structure of the reactor of the embodiment 図2のIII−III線断面図FIG. 2 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2. 従来例の反応器の構造を説明する模式図Schematic diagram illustrating the structure of a conventional reactor 別の実施形態の反応器の上部構造を示す横断面図Cross-sectional view showing a superstructure of a reactor according to another embodiment 別の従来例の反応器の上部構造を示す横断面図Cross-sectional view showing the upper structure of another conventional reactor

符号の説明Explanation of reference numerals

1、11 反応器
2 触媒層
3 オーバーフロー壁
4 滞留ゾーン
5 水素供給管接続口
6 仕切り板
7 溶液供給管
8 環状管
9 小孔
10 反応ゾーン
12 供給口
Reference numerals 1 and 11 Reactor 2 Catalyst layer 3 Overflow wall 4 Retention zone 5 Hydrogen supply pipe connection port 6 Partition plate 7 Solution supply pipe 8 Annular pipe 9 Small hole 10 Reaction zone 12 Supply port

Claims (6)

パラキシレンを酢酸溶媒中で酸化して得られる粗テレフタル酸を水に溶解させ、この液体を反応器内で触媒の存在下に水素で還元処理し、この還元処理物を晶析および固液分離する高純度テレフタル酸の製造工程における粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法において、
粗テレフタル酸溶解液の反応器内への流入速度を1m/s以下にすることを特徴とする高純度テレフタル酸の製造工程における粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法。
Crude terephthalic acid obtained by oxidizing para-xylene in acetic acid solvent is dissolved in water, this liquid is reduced in a reactor with hydrogen in the presence of a catalyst, and the reduced product is crystallized and solid-liquid separated. In a method for supplying a crude terephthalic acid solution in a reactor in a process of producing high-purity terephthalic acid,
A method for supplying a crude terephthalic acid solution into a reactor in a process for producing high-purity terephthalic acid, wherein the flow rate of the crude terephthalic acid solution into the reactor is 1 m / s or less.
粗テレフタル酸溶解液が、230℃以上に加熱された粗テレフタル酸溶解液である請求項1記載の粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法。   The method according to claim 1, wherein the crude terephthalic acid solution is a crude terephthalic acid solution heated to 230 ° C or higher. 反応器内に液流の分散装置を設けて、粗テレフタル酸溶解液の流入速度を低減させるようにした請求項1または2に記載の粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法。   The method for supplying a crude terephthalic acid solution into a reactor according to claim 1 or 2, wherein a liquid flow dispersing device is provided in the reactor to reduce the inflow rate of the crude terephthalic acid solution. 分散装置が、粗テレフタル酸溶解液の供給管が接続されている供給口と、反応器内に開口する複数の分散口とを有し、前記供給口の面積Sと複数の分散口の総面積SAとの比(SA/S)が、1を超えるように設計された分散装置である請求項3に記載の粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法。 The dispersing apparatus has a supply port to which a supply pipe for the crude terephthalic acid solution is connected, and a plurality of dispersion ports that open into the reactor, and the area S of the supply port and the total area of the plurality of dispersion ports S ratio of a (S a / S) is, the method of supplying into the reactor crude terephthalic acid solution according to 1, which is a dispersing device which is designed to exceed the claims 3. 分散装置が、環状管に供給管を接続し、環状管の周壁面に貫通する多数の分散口を形成した分散装置である請求項4に記載の粗テレフタル酸溶解液の反応器内への供給方法。   The supply of the crude terephthalic acid solution into the reactor according to claim 4, wherein the dispersing device is a dispersing device in which a supply pipe is connected to an annular pipe and a number of dispersion ports penetrating through the peripheral wall surface of the annular pipe are formed. Method. 請求項1乃至5のいずれかに記載の反応器内への供給方法を用いたテレフタル酸の製造方法。   A method for producing terephthalic acid using the method for feeding into a reactor according to claim 1.
JP2003406706A 2002-12-09 2003-12-05 Method for supplying crude terephthalic acid solution to reaction vessel Pending JP2004203864A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003406706A JP2004203864A (en) 2002-12-09 2003-12-05 Method for supplying crude terephthalic acid solution to reaction vessel

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002356889 2002-12-09
JP2003406706A JP2004203864A (en) 2002-12-09 2003-12-05 Method for supplying crude terephthalic acid solution to reaction vessel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004203864A true JP2004203864A (en) 2004-07-22

Family

ID=32828512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003406706A Pending JP2004203864A (en) 2002-12-09 2003-12-05 Method for supplying crude terephthalic acid solution to reaction vessel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004203864A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005012218A1 (en) * 2003-08-05 2005-02-10 Mitsui Chemicals, Inc. Method for producing terephthalic acid and terephthalic acid
JP2008524198A (en) * 2004-12-15 2008-07-10 サウディ ベーシック インダストリーズ コーポレイション Method for preparing high purity terephthalic acid
JP2019063694A (en) * 2017-09-28 2019-04-25 住友金属鉱山株式会社 Liquid supply pipe and chemical reaction device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005012218A1 (en) * 2003-08-05 2005-02-10 Mitsui Chemicals, Inc. Method for producing terephthalic acid and terephthalic acid
JP2008524198A (en) * 2004-12-15 2008-07-10 サウディ ベーシック インダストリーズ コーポレイション Method for preparing high purity terephthalic acid
JP4861334B2 (en) * 2004-12-15 2012-01-25 サウディ ベーシック インダストリーズ コーポレイション Method for preparing high purity terephthalic acid
JP2019063694A (en) * 2017-09-28 2019-04-25 住友金属鉱山株式会社 Liquid supply pipe and chemical reaction device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8686186B2 (en) Methods, processes, and systems for treating and purifying crude terephthalic acid and associated process streams
JP2011513442A (en) New production method of high purity terephthalic acid
JP4055913B2 (en) Method for producing high purity terephthalic acid
EP1338318B1 (en) Method of crystallization
JP2004203864A (en) Method for supplying crude terephthalic acid solution to reaction vessel
JP2007261957A (en) Method for producing high-purity terephthalic acid
KR100982367B1 (en) Method of feeding solution of crude terephthalic acid to reactor
JP2008162958A (en) Method for producing highly pure terephthalic acid
JP3232700B2 (en) Method for producing high-purity terephthalic acid
JP3269508B2 (en) Method for producing high-purity isophthalic acid
JP6786056B2 (en) Manufacturing method of terephthalic acid
KR100267897B1 (en) Process for producing highly pure terephthalic acid
KR101454034B1 (en) Method of crystallization
JP3267191B2 (en) Purification method of aromatic polycarboxylic acid
JPWO2017014264A1 (en) Method for producing high purity terephthalic acid
US9144750B2 (en) Method of replacing dispersion medium and apparatus therefor
JPH1192415A (en) Purification of terephthalic acid
JPH06321855A (en) Production of high-purity terephthalic acid
JPH1087555A (en) Recovery of terephthalic acid
WO2004060847A1 (en) Process for producing high-purity terephthalic acid
JP2007015964A (en) Method for refining terephthalic acid
JPH072731A (en) Production of isophthalic acid of high purity
JP2004231640A (en) Process for producing high purity terephthalic acid
TH69485A (en) Process for producing teraphthalic High purity acid
CN104582825A (en) Apparatus and process for purification of aromatic carboxylic acid