JP2004193592A - レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004193592A JP2004193592A JP2003394924A JP2003394924A JP2004193592A JP 2004193592 A JP2004193592 A JP 2004193592A JP 2003394924 A JP2003394924 A JP 2003394924A JP 2003394924 A JP2003394924 A JP 2003394924A JP 2004193592 A JP2004193592 A JP 2004193592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- beam spot
- laser light
- semiconductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】 高調波のパルス発振の第1のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第2のレーザ光を照射する。具体的に第1のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長(780nm以下程度)を有する。第1のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第2のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第2のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。
【選択図】 図2
Description
図2を用いて、本発明のレーザ照射装置の構成について説明する。
次に図4を用いて、本発明のレーザ光の照射方法及び半導体装置の作製方法について説明する。
本実施例では、本発明のレーザ照射装置の一形態について説明する。
図6を用いて、本発明のレーザ照射装置を用いて形成される半導体装置の1つである、発光装置の画素の構成について説明する。
Claims (30)
- 被処理物に対する吸収係数が1×104cm-1以上の波長を有する第1のレーザ光をパルス発振する第1のレーザ発振器と、
前記第1のレーザ光のビームスポットの形状及びその位置を制御する手段と、
第2のレーザ光を連続発振する第2のレーザ発振器と、
前記第2のレーザ光のビームスポットの形状及びその位置を、前記第1のレーザ光のビームスポットと重なるように制御する手段と、
前記第1のレーザ光のビームスポット及び前記第2のレーザ光のビームスポットの被処理物に対する相対的な位置を制御する手段とを有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 可視光線に含まれる波長または可視光線より短い波長を有する第1のレーザ光をパルス発振する第1のレーザ発振器と、
前記第1のレーザ光のビームスポットの形状及びその位置を制御する手段と、
第2のレーザ光を連続発振する第2のレーザ発振器と、
前記第2のレーザ光のビームスポットの形状及びその位置を、前記第1のレーザ光のビームスポットと重なるように制御する手段と、
前記第1のレーザ光のビームスポット及び前記第2のレーザ光のビームスポットの被処理物に対する相対的な位置を制御する手段とを有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1のレーザ光は第2高調波を有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、
前記第2のレーザ光は基本波を有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、
前記第1のレーザ光のビームスポットは、楕円形状、矩形状または線状を有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか1項において、
前記第2のレーザ光のビームスポットは、楕円形状、矩形状または線状を有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか1項において、前記第1のレーザ発振器は、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、Y2O3レーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YalO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、前記第2のレーザ発振器は、Arレーザ、Krレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、Y2O3レーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイヤレーザまたはヘリウムカドミウムレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか1項において、
前記被処理物は前記第1のレーザ光に対して透光性を有する厚さdの基板を含んでおり、
前記第1のレーザ光のビームスポットの、長軸または短軸の長さをW1とすると、前記第1のレーザ光の前記被処理物表面に対する入射角度φ1は、
φ1≧arctan(W1/2d)
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか1項において、
前記被処理物は前記第2のレーザ光に対して透光性を有する厚さdの基板を含んでおり、
前記第2のレーザ光のビームスポットの、長軸または短軸の長さをW2とすると、前記第2のレーザ光の前記被処理物表面に対する入射角度φ2は、
φ2≧arctan(W2/2d)
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。 - 被処理物に対する吸収係数が1×104cm-1以上の波長を有するパルス発振された第1のレーザ光と、連続発振された第2のレーザ光とを被処理物に照射するレーザ照射方法であって、
前記第1及び第2のレーザ光の照射の際に、前記第1のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットと、前記第2のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットとを重ねることを特徴とするレーザ照射方法。 - 可視光線に含まれる波長または可視光線より短い波長を有するパルス発振された第1のレーザ光と、連続発振された第2のレーザ光とを被処理物に照射するレーザ照射方法であって、
前記第1及び第2のレーザ光の照射の際に、前記第1のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットと、前記第2のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットとを重ねることを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項11または請求項12において、
前記第1のレーザ光は第2高調波を有することを特徴とするレーザ照 射方法。 - 請求項11乃至請求項13のいずれか1項において、
前記第2のレーザ光は基本波を有することを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項11乃至請求項14のいずれか1項において、
前記第1のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビーム スポットは、楕円形状、矩形状または線状を有することを特徴とするレ ーザ照射方法。 - 請求項11乃至請求項15のいずれか1項において、
前記第2のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットは、楕円形状、矩形状または線状を有することを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項11乃至請求項16のいずれか1項において、前記第1のレーザ光は、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、Y2O3レーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とするレーザ照射方法。
- 請求項11乃至請求項17のいずれか1項において、前記第2のレーザ光は、Arレーザ、Krレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、Y2O3レーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイヤレーザまたはヘリウムカドミウムレーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とするレーザ照射方法。
- 請求項11乃至請求項18のいずれか1項において、
前記被処理物は前記第1のレーザ光に対して透光性を有する厚さdの基板を含んでおり、
前記第1のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットの、長軸または短軸の長さをW1とすると、前記第1のレーザ光の前記被処理物表面に対する入射角度φ1は、
φ1≧arctan(W1/2d)
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項11乃至請求項19のいずれか1項において、
前記被処理物は前記第2のレーザ光に対して透光性を有する厚さdの基板を含んでおり、
前記第2のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットの、長軸または短軸の長さをW2とすると、前記第2のレーザ光の前記被処理物表面に対する入射角度φ2は、
φ2≧arctan(W2/2d)
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。 - 絶縁表面上に形成された半導体膜に、前記半導体膜に対する吸収係数が1×104cm-1以上の波長を有するパルス発振された第1のレーザ光と、連続発振された第2のレーザ光とを照射することで、前記半導体膜を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記第1及び第2のレーザ光の照射の際に、前記第1のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットと、前記第2のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットとを重ねることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に形成された半導体膜に、可視光線に含まれる波長または可視光線より短い波長を有するパルス発振された第1のレーザ光と、連続発振された第2のレーザ光とを照射することで、前記半導体膜を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記第1及び第2のレーザ光の照射の際に、前記第1のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットと、前記第2のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットとを重ねることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項21または請求項22において、
前記第1のレーザ光は第2高調波を有することを特徴とする半導体装 置の作製方法。 - 請求項21乃至請求項23のいずれか1項において、
前記第2のレーザ光は基本波を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項21乃至請求項24のいずれか1項において、
前記第1のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビーム スポットは、楕円形状、矩形状または線状を有することを特徴とする半 導体装置の作製方法。 - 請求項21乃至請求項25のいずれか1項において、
前記第2のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットは、楕円形状、矩形状または線状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項21乃至請求項26のいずれか1項において、前記第1のレーザ光は、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、Y2O3レーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項21乃至請求項27のいずれか1項において、前記第2のレーザ光は、Arレーザ、Krレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、Y2O3レーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイヤレーザまたはヘリウムカドミウムレーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項21乃至請求項28のいずれか1項において、
前記半導体膜は、前記絶縁表面を有し、なおかつ前記第1のレーザ光に対して透光性を有する厚さdの基板上に形成されており、
前記第1のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットの、長軸または短軸の長さをW1とすると、前記第1のレーザ光の前記半導体膜表面に対する入射角度φ1は、
φ1≧arctan(W1/2d)
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項21乃至請求項29のいずれか1項において、
前記半導体膜は、前記絶縁表面を有し、なおかつ前記第2のレーザ光に対して透光性を有する厚さdの基板上に形成されており、
前記第2のレーザ光によって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットの、長軸または短軸の長さをW2とすると、前記第2のレーザ光の前記半導体膜表面に対する入射角度φ2は、
φ2≧arctan(W2/2d)
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003394924A JP4364611B2 (ja) | 2002-11-29 | 2003-11-26 | 結晶性半導体膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002349007 | 2002-11-29 | ||
JP2003394924A JP4364611B2 (ja) | 2002-11-29 | 2003-11-26 | 結晶性半導体膜の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004193592A true JP2004193592A (ja) | 2004-07-08 |
JP2004193592A5 JP2004193592A5 (ja) | 2006-05-25 |
JP4364611B2 JP4364611B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=32774955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003394924A Expired - Fee Related JP4364611B2 (ja) | 2002-11-29 | 2003-11-26 | 結晶性半導体膜の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4364611B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004297055A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法およびレーザ照射方法、並びにレーザ照射装置。 |
WO2005101487A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-27 | Eo Technics Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
JP2015015471A (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-22 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | 多結晶シリコン製造方法 |
JP2015130483A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-16 | ウルトラテック インク | ファイバレーザーを使用したレーザースパイクアニーリング |
JP2018117134A (ja) * | 2012-04-18 | 2018-07-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | アドバンスアニールプロセスにおいて粒子を低減させる装置および方法 |
-
2003
- 2003-11-26 JP JP2003394924A patent/JP4364611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004297055A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法およびレーザ照射方法、並びにレーザ照射装置。 |
JP4481040B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2005101487A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-27 | Eo Technics Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
US7688492B2 (en) | 2004-04-19 | 2010-03-30 | Eo Technics Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
JP2018117134A (ja) * | 2012-04-18 | 2018-07-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | アドバンスアニールプロセスにおいて粒子を低減させる装置および方法 |
JP2015015471A (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-22 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | 多結晶シリコン製造方法 |
JP2015130483A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-16 | ウルトラテック インク | ファイバレーザーを使用したレーザースパイクアニーリング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4364611B2 (ja) | 2009-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5315393B2 (ja) | 結晶性半導体膜の作製方法 | |
US7919726B2 (en) | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device | |
US7551655B2 (en) | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5159021B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US8222126B2 (en) | Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
JP4515034B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5427753B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4127565B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US7326630B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device utilizing laser irradiation | |
JP3980466B2 (ja) | レーザー装置及びレーザー照射方法 | |
JP4429586B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2005333117A (ja) | レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法 | |
US20080135848A1 (en) | Semiconductor Device | |
JP4364611B2 (ja) | 結晶性半導体膜の作製方法 | |
JP4860116B2 (ja) | 結晶性半導体膜の作製方法 | |
JP2003224084A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2003243304A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4610867B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
WO2006027912A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2006066908A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090818 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090819 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4364611 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |