JP2004191573A

JP2004191573A - Manufacturing method of electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment

Info

Publication number: JP2004191573A
Application number: JP2002358378A
Authority: JP
Inventors: Hidetoshi Murai; 秀年村井; Manabu Hanakawa; 学花川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-12-10
Filing date: 2002-12-10
Publication date: 2004-07-08
Anticipated expiration: 2022-12-10
Also published as: JP4337337B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of electro-optical device capable of erasing micro-damages and cracks existing on a substrate edge and a cut face by etching without damaging wiring, and to provide an electro-optical device and an electronic equipment. <P>SOLUTION: A liquid crystal panel 1' used for the electro-optical device is cut out into a single product size, then, before IC mounting, wet etching is performed on the substrate edges and the cut faces of a first substrate 10 and a second substrate 20 in the state of the liquid crystal panel 1' of a single product, and the micro-damages and the cracks are erased from the substrate edges and the cut faces. Then, wiring parts 51 and 71, IC mounting terminals 26 and 27, a substrate mounting terminal 28 and an alignment mark 55 formed on an overhang region 25 are covered with a protection layer 90. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定サイズに切り出された一対の基板が対向して貼り合わされた電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学パネルの状態で行う基板の割れ防止処理に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などのＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、電気泳動表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などといった電気光学装置は、電気光学物質を駆動する駆動用電極が双方に形成された一対のガラス基板がシール材で貼り合わされたパネル構造、あるいは、電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成されたガラス基板に対してガラス製の保護基板がシール材で貼り合わされたパネル構造を有している。これらいずれパネル構造の電気光学装置においても、基板は、単品サイズよりも大型の基板から所定サイズに切り出されて使用される。
【０００３】
例えば、液晶装置の場合、一般に、単品サイズの液晶パネルを各々多数枚取りできる大型基板に電極パターンなどの形成工程を行い、これらの大型基板を貼り合せた後、所定の大きさに切断して単品の液晶パネルが製造される。
【０００４】
ここで、液晶パネルでは、駆動用電極に液晶を駆動するための信号を供給する必要があるので、一対の基板のうち、一方の基板を他方の基板の縁から張り出させ、この張り出し領域に、可撓性基板が接続される基板実装端子、ＩＣが実装されるＩＣ実装端子、およびＩＣからの出力信号を電極パターンに供給するための配線が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−４９０２６号公報（第５頁、図２）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
液晶パネルを構成する基板は、大型基板の表面にダイヤモンドカッターなどにより切断線を引いた後、治具によって裏面側から力を加えて押し割る方法、あるいは切断線を引いた後、切断線に沿ってレーザ光を照射して大型基板を切断する方法によって、所定サイズに切り出される。これらいずれの切断方法でも、切断の際の応力によって基板の切断面や基板縁に微小な傷やクラックが入ることがあり、このような傷やクラックは、その後に加わった応力によって成長する。このため、液晶装置を携帯電話機などに用いた際、携帯電話機を落下したときの衝撃などにより液晶パネルが割れるという問題点がある。
【０００７】
ここに、本願発明者等は、切断した基板の基板縁および切断面にエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておくことを提案するものである。
【０００８】
しかしながら、ガラスをエッチングするには、通常、フッ酸などの強酸が使用される一方、ガラス基板にはＩＴＯ膜あるいは金属膜からなる配線が形成されているため、ガラス基板の基板縁および切断面に形成された微小な傷やクラックをエッチングにより消去する際、配線もエッチング液で腐食し損傷するという問題点がある。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板上に形成された配線を損傷することなく、基板縁および切断面に存在する微小な傷やクラックをエッチングにより消去可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程を行うとともに、当該エッチング工程を行う際には、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面を避けるように形成した保護層によって、前記第１の基板および前記第２の基板で露出している配線の表面を覆っておくことを特徴とする。
【００１１】
本発明では、保護層を形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、電気光学パネルに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、電気光学パネルが割れることがない。しかも、エッチング工程を行う際、配線は保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食などの不具合が発生しない。また、基板を貼り合わせた電気光学パネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【００１２】
本発明において、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方は、ガラス製である。
【００１３】
本発明において、前記エッチングとしては、ドライエッチングを行ってもよいが、ウエットエッチングを採用することが好ましい。ウエットエッチングでは、エッチングが等方的に進行するため、傷やクラックを消去するのに適している、また、ウエットエッチングによれば、大量の電気光学パネルを一括して処理できるという利点がある。
【００１４】
本発明において、前記第２の基板は、例えば、前記第１の基板の基板縁から張り出した張り出し領域を備え、前記保護層を形成する前の状態において、当該張り出し領域で前記配線が露出している。
【００１５】
本発明において、前記張り出し領域には、電子部品が実装される端子が形成されている場合があり、このような場合でも、当該端子に前記電子部品を実装する前に前記エッチング工程を行うことが好ましい。エッチング工程については、電子部品を実装した後に行うこともできるが、この場合には、電子部品がエッチング液やエッチングガスで損傷するおそれがあるので、エッチング工程については、電子部品を実装する前に行うことが好ましい。
【００１６】
本発明において、前記端子は、前記電子部品としてのＩＣおよび可撓性基板がそれぞれ接続されるＩＣ実装端子および基板実装端子を含んでおり、前記ＩＣ実装端子および前記基板実装端子に前記ＩＣおよび前記可撓性基板を接続する前に前記エッチング工程を行うことが好ましい。
【００１７】
本発明において、前記張り出し領域には、前記端子に前記電子部品を実装する際のアライメントマークが形成されている場合があり、このような場合、前記エッチング工程を行う際には、前記アラメントマークの表面を前記保護層で覆っておくことが好ましい。
【００１８】
本発明において、前記エッチング工程の後、前記保護層については除去してもよいし、前記保護層の一部は除去し、他の部分は残しておいてもよい。ここで、張り出し領域に端子が形成されている場合、前記エッチング工程の後、前記保護層のうち、少なくとも前記端子の表面に形成された保護層については除去する。
【００１９】
本発明において、前記保護層は、例えば、基板に貼られたテープである。
【００２０】
本発明において、前記保護層としては、塗布した液状物を固化してなる塗膜を用いることもある。
【００２１】
本発明において、前記液状物の塗布は、刷毛塗りにより行うことができる。
【００２２】
本発明において、前記液状物の塗布は、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により行うことが好ましい。このような方法であれば、液状物の塗布工程を自動化することができる。また、上記の塗布方法のうち、インクジェット法であれば、電気光学パネルに非接触で液状物を塗布することができ、かつ、任意の領域に液状物を高い精度で選択的に塗布することができる。
【００２３】
本発明において、前記液状物は、例えば、レジストである。レジストであれば、フォトリソグラフィ技術を用いて、任意の位置にレジスト層（保護層）を確実に選択的に形成することができる。
【００２４】
本発明において、前記液状物としては、塗料を用いてもよい。
【００２５】
本発明において、前記保護層は、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された有機絶縁膜と同時形成された有機絶縁膜、あるいは、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された無機絶縁膜と同時形成された無機絶縁膜を利用することができる。このように構成すると、保護層を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。
【００２６】
本発明においては、前記保護層として撥水化剤を用いてもよい。ウエットエッチングで用いるエッチング液は通常、水系であるため、撥水化剤による処理で配線の表面を撥水性とした場合でも、配線をエッチング液から保護することができる。また、撥水化剤による処理であれば、極めて薄い保護層が形成されるだけであるため、端子の表面に形成された保護層を除去しなくても、ＩＣの実装や可撓性基板の電気的な接続に支障がない。
【００２７】
本発明において、前記保護層としては、導電粒子が熱可塑性樹脂中に分散した異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｆｉｌｍ）を用いることができ、このような異方性導電膜であれば、前記エッチング工程の後、前記端子への前記電子部品の実装に用いることができる。
【００２８】
本発明は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質として液晶が保持された液晶装置、あるいは、前記第２の基板上に電気光学物質としてエレクトロルミネッセンス材料が形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置などに適用することができる。
【００２９】
このような電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部などして用いられる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態として、本発明をパッシブマトリクス型液晶装置（電気光学装置）に適用した例を中心に説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通な液晶装置の構成、および製造方法を説明した後、各実施の形態を説明する。
【００３１】
［液晶装置の全体構成］
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。図３は、図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００３２】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、パッシブマトリクス型のカラー表示用の液晶パネル１′（電気光学パネル）を備えている。この液晶パネル１′は、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の基板１０、２０を有している。基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内には、電気光学物質としての液晶３６が封入されている。ここでは、前記一対の基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の基板２０とする。
【００３３】
ここに示す電気光学装置１は透過型であり、照明装置９をバックライトとして所定の表示を行なう。このため、液晶パネル１′の両面のうち、第２の基板２０の外側表面には偏光板２０９が貼られ、第１の基板１０の外側表面には偏光板１０９が貼られている。また、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。
【００３４】
なお、第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウムや銀合金等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。また、第２の電極パターン５０をアルミニウムや銀合金等の反射膜で形成するとともに、それに光透過孔を形成しても、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。さらに、偏向板６２に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の電気光学装置を構成でき、この場合には、第２の基板２０の裏面側から照明装置９を省略すればよい。
【００３５】
電気光学装置１では、外部との間での信号の入出力、および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の基板１０および第２の基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。
【００３６】
また、第２の基板２０として、第１の基板１０よりも大きな基板が用いられている。このため、第２の基板２０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１０の基板辺１０１から張り出す張り出し領域２５を備えており、この張り出し領域２５に形成されているＩＣ実装端子２６、２７に対して駆動用ＩＣ１３（電子部品）が異方性導電膜を介してＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）実装されているとともに、基板実装端子２８に可撓性基板２９（電子部品）が異方性導電膜を介して実装されている。
【００３７】
このような実装構造を構成するにあたって、第２の基板２０では、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０の配線部分５１が張り出し領域２５まで延びており、その端部によって、第２の端子形成領域２１には、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極が電気的に接続されるＩＣ実装端子２７が形成されている。
【００３８】
また、第２の端子形成領域２１には、ＩＣ実装端子２７より基板辺２０１の側に位置する部分に、可撓性基板２９を実装するための基板実装端子２８が形成され、これらの基板実装端子２８を構成するＩＴＯ膜からなるパターンは、駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、そのバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２６を構成している。
【００３９】
さらに、第２の基板２０の張り出し領域２５において、ＩＣ実装端子２６、２７、および基板実装端子２８が形成されている領域の両側には、そこに、駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装するときに用いるアライメントマーク５５がＩＴＯ膜によって形成されている。
【００４０】
また、第２の端子形成領域２１において、駆動用ＩＣ１３より液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、第１の基板１０との重なり部分に、複数の基板間導通用端子７０が形成されている。これらの基板間導通用端子７０を構成するＩＴＯ膜からなるパターンも、配線部分７１として駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２７を構成している。
【００４１】
これに対して、第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の基板２０との重なり部分には、複数の基板間導通用端子６０が形成されている。これらの基板間導通用端子６０は、いずれもＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０の端部によって構成されている。
【００４２】
従って、第１の基板１０と第２の基板２０とを、基板間導通剤を含有するシール材３０で貼り合わせて基板間で基板間導通用端子６０、７０同士を導通させた後、第２の基板２０に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装し、この状態で、可撓性基板２９から駆動用ＩＣ１３に所定の信号を入力すれば、駆動用ＩＣ１３から出力された信号は、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０に供給される。
【００４３】
なお、図３に示すように、第１の基板１０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に、アクリル樹脂などからなる平坦化膜１３、ＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０、およびポリイミド膜からなる配向膜１２がこの順に形成されている。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側には、金属膜あるいは樹脂からなる遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の基板２０には、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０、アクリル樹脂やシリコン酸化膜などからなるオーバーコート膜２９、およびポリイミド膜からなる配向膜２２がこの順に形成されている。従って、可撓性基板２９を介して駆動用ＩＣ１３に信号を入力すると、駆動用ＩＣ１３から第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０の各々に所定の信号が供給されるので、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する各画素毎で液晶４を駆動することができ、所定のカラー画像を表示することができる。
【００４４】
［電気光学装置１の製造方法］
図４および図５（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、電気光学装置１の製造方法を示す工程図、およびこれらの各工程への仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【００４５】
図４および図５（Ａ）、（Ｂ）において、本形態の電気光学装置１を製造するにあたって、第１の基板１０および第２の基板２０はいずれも、これらの基板１０、２０を各々、多数枚取りできる大型基板１００、２００の状態で、半導体プロセスを利用して電極パターン４０、５０などの形成工程が行われる。すなわち、第１の基板１０を多数枚取りできる大型基板１００の状態で、フォトリソグラフィ技術や各種印刷技術を利用して、遮光膜１６の形成工程ＳＴ１１、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの形成工程ＳＴ２、平坦化膜１３の形成工程ＳＴ１３、電極パターン４０の形成工程ＳＴ１４、配向膜１２の形成・ラビング工程ＳＴ１５、シール材３０の塗布工程ＳＴ１６が行われる。
【００４６】
また、第２の基板２０を多数枚取りできる大型基板２００の状態で、電極パターン５０の形成工程ＳＴ２１、オーバコート膜２９の形成工程ＳＴ２２、配向膜２２の形成・ラビング工程ＳＴ２３、ギャップ材の散布工程ＳＴ２４が行われる。
【００４７】
次に、貼合せ工程ＳＴ３１において、図５（Ｃ）に示すように、大型基板１００、２００同士をシール材３０によって貼り合せ、大型のパネル構造体３００を形成する。
【００４８】
次に、１次ブレイク工程ＳＴ３２において、大型のパネル構造体３００を、図５（Ｄ）に示す短冊状のパネル構造体４００に切断して注入口３１を開口させる。それには、まず、大型のパネル構造体３００の表面および裏面のうち、大型基板１００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、裏面側の大型基板２００の側から治具によって応力を加えて大型基板１００を割断する。また、大型基板２００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、表面側の大型基板１００の側から治具によって応力を加えて大型基板２００を割断する。
【００４９】
次に、液晶封入・封止工程ＳＴ３３において、短冊状のパネル構造体４００の内部に液晶３６を注入した後、注入口３１を封止材３２で封止する。
【００５０】
次に、２次ブレイク工程ＳＴ３４において、短冊状のパネル構造体４００を、図１および図５（Ｅ）に示すように、第２の基板２０の端部が張り出し領域２５として第１の基板１０から張り出した単品の液晶パネル１′に切断する。
【００５１】
次に、ＩＣ実装工程ＳＴ３５で、図１および図５（Ｆ）に示すように、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００５２】
また、ＩＣ実装工程ＳＴ３５の後、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して可撓性基板２９を実装する。
【００５３】
［実施の形態１］
図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶パネル１′を構成する基板に微小な傷およびクラックが入っているいる様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。図７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。図８（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。図９（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。図１０（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。
【００５４】
電気光学装置１を製造する際、図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′とするまでの間に、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０、および第２の基板２０の基板縁、および切断面には、図６（Ａ）で示すような微小な傷５やクラック６が入っている。そこで、本形態では、２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の状態で第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施してその表層を削ることにより、図６（Ｂ）に示すように、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００５５】
ここで用いるエッチング液は、例えば、フッ酸系の薬液である。例えば、フッ酸液、フッ化硫酸液、ケイフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素酸などのエッチング液を用いることができる。また、それらを含む水溶液を使用することもできる。例えば、フッ化水素酸と硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムと硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムの水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムと硝酸の水溶液などを用いることができる。また、エッチング速度が遅いが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの強アルカリ性の薬液を用いることができる。
【００５６】
ここで、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が張り出し部２５で露出した状態にあり、このままエッチングを行うと、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、および基板実装端子２８がエッチング液によって腐食、損傷してしまう。そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００５７】
このような保護層９０として、本形態では、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して、保護層９０としての粘着テープを貼る。このため、第１の基板１０では、粘着テープを保護層９０として貼った状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。また、第２の基板１０でも、粘着テープを保護層として貼った状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分の表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。
【００５８】
なお、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁に位置する部分がわずかに保護層９０から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こるが、基板実装端子２８のほとんどの部分は、保護層９０で覆われているため、可撓性基板２９の実装に支障はない。
【００５９】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００６０】
また、保護層９０については、その一部を除去し、残りを残してもよい。すなわち、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５の表面、およびその周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１は、それ以降も保護層９０で覆われた状態にあるので、配線部分５１、７１の耐候性などが向上するという利点がある。
【００６１】
以上説明したように、本形態では、単品パネル１′の状態でエッチングを行って、第１の基板１０の外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）から微小な傷やクラックを消去し、第２の基板２０の外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）からも微小な傷およびクラックを消去する。それ故、後述するように、液晶装置１が携帯電話機に搭載された後、衝撃や応力が加わっても、微小な傷やクラックが成長するということがないので、液晶パネル１′が割れるということがない。
【００６２】
また、本形態では、ウエットエッチング（エッチング工程ＳＴ４０）を行う際、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、エッチング液によって、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００６３】
しかも、一対の基板を貼り合わせた液晶パネル１′の状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程ＳＴ４０を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【００６４】
なお、エッチング工程ＳＴ４０でのエッチング深さと、複数のサンプルについて強度試験結果との関係を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。この試験に用いた液晶パネルは、第１の基板１０、および第２の基板２０の厚さがいずれも０．５ｍｍである。
【００６５】
試験は、エッチング工程ＳＴ４０を行わなかった液晶パネル、エッチング深さを１０μｍとした液晶パネル、エッチング深さを５０μｍとした液晶パネル、およびエッチング深さを１００μｍとした液晶パネルの各々に所定値の荷重を加えて各サンプルが破壊された時点での加重値を求め、その結果を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示してある。なお、各グラフにおいて、破壊されたサンプルの個数が集中している荷重値が、各レベルのエッチング処理が行われた液晶パネルの平均強度を表している。
【００６６】
各図を比較するとわかるように、エッチングなしの場合と比較して、エッチング処理有りの方が、パネルの強度が向上している。従って、エッチング処理によって、ガラス基板上の傷やクラックが除去され、液晶パネルを構成しているガラス基板において、割れ強度が改善されていることがわかる。但し、エッチング深さ１０μｍの場合と、エッチング深さが５０μｍの場合とは平均強度が約１５ｋｇであり、差がほとんどない。
【００６７】
これに対して、エッチング深さが１００μｍの場合、逆に平均強度が１３ｋｇ程度にまで低下している。これは、エッチング深さが１０μｍあるいは５０μｍの場合と比較して、エッチングによりガラス基板の傷やクラックは除去されているものの、ガラス基板自体の強度の絶対値が低下した結果である。
【００６８】
このようにエッチング工程ＳＴ４０を行うことにより、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０および第２の基板２０から微小な傷やクラックを除去できるので、液晶パネル１′の割れ強度が改善されることがわかる。また、エッチング深さとしては、１０μｍ程度が必要であることがわかる。さらに、エッチング深さについてはある程度以上の深さまでエッチングしても強度が改善されず、エッチング深さが深すぎると、基板厚が薄くなって、液晶パネル１′の強度が低下する傾向にある。
【００６９】
［実施の形態２］
以下に説明する実施の形態２〜６は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、同じく図７〜図９を参照しながら、特徴的な部分のみを説明し、共通する部分の説明を省略する。
【００７０】
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００７１】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００７２】
このような保護層９０として、本形態では、液状のフォトレジストを第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、露光、現像し、レジスト層からなる保護層９０を形成する。
【００７３】
このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、レジストを保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０において、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００７４】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、剥離液を用いて、レジストからなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００７５】
この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５の表面、およびその周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１は、それ以降も保護層９０で覆われた状態にあるので、耐候性などが向上するという利点がある。
【００７６】
このような製造方法を行うにあたって、レジストについては、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的にレジストを塗布できるという利点がある。
【００７７】
また、本形態では、保護層９０としてレジストを用いたので、例えば、張り出し領域２５の全面にレジストを塗布した後、所定の領域のみ露光すれば、現像後、任意の領域にレジスト層（保護層９０）を選択的に形成することができる。
【００７８】
［実施の形態３］
本形態でも、図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００７９】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００８０】
このような保護層９０を形成するにあたって、本形態では、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により、液状の塗料を第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、固化させて、塗膜からなる保護層９０を形成する。
【００８１】
このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、塗膜を保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００８２】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、有機溶剤からなる剥離液を用いて、塗膜からなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００８３】
この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５の表面、およびその周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１は、それ以降も保護層９０で覆われた状態にあるので、耐候性などが向上するという利点がある。
【００８４】
［実施の形態４］
本形態でも、図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００８５】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００８６】
このような保護層９０を形成するにあたって、本形態では、配向膜形成・ラビング工程ＳＴ２３を利用する。すなわち、第２の基板２０の全面にスピンコート法や各種印刷法にてポリイミドを塗布、硬化させた後、酸素プラズマ処理でシール材３０で区画された領域内にポリイミドを配向膜２２として選択的に残す際、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対してもポリイミド膜を選択的に残して保護層９０とする。
【００８７】
このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、ポリイミド（配向膜２２）を保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００８８】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、酸素プラズマ処理によってポリイミドからなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００８９】
この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５の表面、およびその周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１は、それ以降も保護層９０で覆われた状態にあるので、耐候性などが向上するという利点がある。
【００９０】
また、本形態では、保護層９０は、シール材３０で区画される領域内に配向膜２２として形成されるポリイミド（有機絶縁膜）と同時形成されたポリイミドを利用している。このため、保護層９０を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。
【００９１】
なお、第２の基板２０の側にオーバーコート層２９を有機絶縁膜で形成する際（オーバーコート膜形成工程）、このオーバーコート層２９を構成する樹脂を張り出し領域２５に保護層９０として形成してもよい。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂについては、第２の基板２０の側に形成される場合があるので、このカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを構成する樹脂を張り出し領域２５に保護層９０として形成してもよい。
【００９２】
なお、基板におけるシール材３０で区画される領域内に無機絶縁膜が選択的に形成される場合、例えば、オーバーコート層２９をシリコン酸化膜などの無機絶縁膜で形成する際には、この無機絶縁膜と同時形成されるシリコン酸化膜などの無機絶縁膜を保護層９０として用いてもよい。この場合には、無機絶縁膜を後でエッチング除去する際、この無機絶縁膜と配線部分５１、７１を構成する材料とのエッチング選択性が高いエッチング液を用いることが好ましい。
【００９３】
［実施の形態５］
本形態でも、図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、図６（Ｂ）に示すように、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００９４】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００９５】
このような保護層９０として、本形態では、撥水剤を溶剤に溶かした液状物を第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、溶剤を蒸発、除去して、撥水剤からなる保護層９０を形成する。
【００９６】
このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、撥水剤を保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、親水性のままであり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００９７】
ここで、撥水剤の塗布については、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に行えばよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に塗料を塗布できる。
【００９８】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、撥水剤の全体、あるいはその一部を除去してもよいが、撥水剤は、極めて薄い層から形成されているので、このような保護層９０であれば、そのまま残しても、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装するのに支障がない。
【００９９】
［実施の形態６］
本形態でも、図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、図６（Ｂ）に示すように、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【０１００】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【０１０１】
このような保護層９０として、本形態では、導電粒子が熱可塑性樹脂に分散した異方性導電膜を第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布し、それを保護層９０として利用する。
【０１０２】
このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、異方性導電膜を保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態のままであり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【０１０３】
ここで、異方性導電膜の塗布については、ディスペンサからの塗布、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に行えばよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に塗料を塗布できる。
【０１０４】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、異方性導電膜からなる保護層９０をそのまま残して、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装するのに利用する。
【０１０５】
ここで、異方性導電膜は、配線部分５１、７１が並列して形成された領域の表面に塗布された状態にあるが、これらの配線部分５１、７１のピッチからみれば導電粒子が小さいので、短絡などの問題は発生しない。逆に、異方性導電膜からなる保護層９０によって配線部分５１、７１が保護されることになる。
【０１０６】
［その他の実施の形態］
図８（Ａ）、（Ｂ）に示す例において、基板実装端子２８は、基板縁に位置する部分がわずかに保護層９０から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こる。そこで、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁を避けて、やや内側に入った部分に形成してもよい。
【０１０７】
また、上記形態では、エッチング工程ＳＴ４０をＩＣ実装工程ＳＴ３５の前に行ったが、ＩＣ実装工程ＳＴ３５の後、エッチング工程ＳＴ４０を行ってもよい。この場合でも、配線部分５１、７１、および基板実装端子２８は露出しているので、保護層９０で覆うことになる。この場合、駆動用ＩＣ１３はすでに実装した状態でエッチングを行うことになるが、このような場合でも、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極、およびＩＣ実装端子２６、２７は、異方性導電膜で覆われているので、エッチング液で腐食、損傷するおそれはない。
【０１０８】
さらに上記形態では、エッチング工程ＳＴ４０にウエットエッチングを採用したが、ドライエッチングを採用してもよい。
【０１０９】
［本発明を適用可能な電気光学装置の構成］
上記形態はいずれも、パッシブマトリクス型の液晶装置からなる電気光学装置に本発明を適用したが、図１２ないし図１４を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置においても、電気光学物質を保持する剛性基板に可撓性基板を接続して信号の入力が行われるので、本発明を適用することができる。
【０１１０】
図１２は、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１３は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１４は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【０１１１】
図１２に示すように、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ａでは、複数の配線としての走査線５１ａが行方向に形成され、複数のデータ線５２ａが列方向に形成されている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【０１１２】
このように構成した電気光学装置１ａでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、少なくとも一方の基板に駆動用ＩＣをＣＯＧ実装した構造、あるいは、駆動用ＩＣをＣＯＦ実装した可撓性基板をガラス基板に接続した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【０１１３】
図１３に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素端子９ｂ、および画素端子９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０ｂが形成されており、画素信号を供給するデータ線６ｂが当該ＴＦＴ３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線６ｂに書き込む画素信号は、データ線駆動回路２ｂから供給される。また、ＴＦＴ３０ｂのゲートには走査線３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｂから供給される。画素端子９ｂは、ＴＦＴ３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素端子９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【０１１４】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素端子９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０ｂによって、画素端子９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【０１１５】
このように構成した電気光学装置１ｂでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、一方のガラス基板に可撓性基板を接続した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【０１１６】
図１４に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【０１１７】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線３ｐと、この走査線３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６ｐと、これらのデータ線６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線６ｐと走査線３ｐとの交差点に対応する画素１５ｐとが構成されている。データ線６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【０１１８】
また、画素１５ｐの各々には、走査線３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐと、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子４０ｐとが構成されている。
【０１１９】
ここで、発光素子４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極（図省略）は、データ線６ｐなどを跨いで複数の画素１５ｐにわたって形成されている。
【０１２０】
このように構成した電気光学装置１ｐにおいては、発光素子を形成したガラス基板からなる素子基板にガラス製の保護基板がシール材を介して貼り合わされ、かつ、素子基板に可撓性基板を接続した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【０１２１】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１２２】
［電子機器の実施形態］
図１５は、本発明に係る電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジェネレータ１７３、そして電気光学装置１７４を有する。また、電気光学装置１７４は、表示パネル１７５及び駆動回路１７６を有する。電気光学装置１７４としては、前述した電気光学装置を用いることができる。
【０１２３】
表示情報出力源１７０は、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。
【０１２４】
表示情報処理回路１７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。駆動回路１７６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１２５】
図１６（Ａ）は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード１８１を備えた本体部１８２と、液晶表示ユニット１８３とを有する。液晶表示ユニット１８３は、前述した電気光学装置１および液晶パネル１′などを含んで構成される。
【０１２６】
図１６（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１９０は、複数の操作ボタン１９１と、前述した電気光学装置１などを有している。
【０１２７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、保護層を形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、パネルの強度が高い。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線は、保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食、損傷などの不具合が発生しない。また、基板を貼り合わせたパネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程での仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程の途中において液晶パネルを構成する基板に微小な傷およびクラックが入っているいる様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中における別の液晶パネルの平面図、および断面図である。
【図１２】画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１３】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１４】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図１５】本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
１電気光学装置、１′ 液晶パネル、１０第１の基板、１１第１の端子形成領域、１３駆動用ＩＣ（電子部品）、２０第２の基板、２１第２の端子形成領域、２５第２の基板の張り出し領域、２６、２７ＩＣ実装端子、２８基板実装端子、２９可撓性基板（電子部品）、３０シール材、３５液晶封入領域、４０第１の電極パターン、５０第２の電極パターン、５１、７１配線部分、５５アライメントマーク、６０、７０基板間導通用端子、９０
保護層、１００，２００大型基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device including an electro-optical panel in which a pair of substrates cut to a predetermined size are bonded to face each other, an electro-optical device manufactured by this method, and an electro-optical device. Electronic devices. More specifically, the present invention relates to a process for preventing cracking of a substrate performed in a state of an electro-optical panel.
[0002]
[Prior art]
Electro-optics such as liquid crystal devices, LED (light-emitting diode) display devices such as organic electroluminescence display devices, plasma display devices, FED (field emission display) devices, electrophoretic display devices, and devices using digital micromirror devices (DMD) The device can be mounted on a panel structure in which a pair of glass substrates on each of which a driving electrode for driving an electro-optical substance is formed is bonded with a sealing material, or on a glass substrate on which a driving electrode for driving an electro-optical substance is formed. On the other hand, it has a panel structure in which a protective substrate made of glass is bonded with a sealing material. In any of these electro-optical devices having a panel structure, a substrate is cut out from a substrate larger than a single product to a predetermined size and used.
[0003]
For example, in the case of a liquid crystal device, in general, a process of forming an electrode pattern and the like is performed on a large substrate capable of taking a large number of single-piece size liquid crystal panels, and after bonding these large substrates, the substrate is cut into a predetermined size. A single liquid crystal panel is manufactured.
[0004]
Here, in the liquid crystal panel, it is necessary to supply a signal for driving the liquid crystal to the driving electrode. Therefore, one of the pair of substrates is extended from the edge of the other substrate, and the extended region is formed. In addition, a substrate mounting terminal to which a flexible substrate is connected, an IC mounting terminal to which an IC is mounted, and wiring for supplying an output signal from the IC to an electrode pattern are formed (for example, see Patent Document 1). .
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-49026 (page 5, FIG. 2)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The substrate that composes the liquid crystal panel is a method in which a cutting line is drawn on the surface of a large-sized substrate with a diamond cutter or the like, and then a jig is used to apply force from the back side to break it, or after the cutting line is drawn, The substrate is cut into a predetermined size by a method of cutting a large substrate by irradiating the substrate with a laser beam. In any of these cutting methods, small scratches or cracks may be formed on the cut surface of the substrate or the edge of the substrate due to stress at the time of cutting, and such scratches or cracks grow due to the stress applied thereafter. For this reason, when the liquid crystal device is used in a mobile phone or the like, there is a problem that the liquid crystal panel is broken due to an impact when the mobile phone is dropped.
[0007]
Here, the inventors of the present application propose that etching is performed on the substrate edge and the cut surface of the cut substrate so that minute scratches and cracks are eliminated from the substrate edge and the cut surface.
[0008]
However, to etch the glass, a strong acid such as hydrofluoric acid is usually used. On the other hand, since a glass substrate is formed with a wiring made of an ITO film or a metal film, the substrate edge and the cut surface of the glass substrate are formed. When erasing the formed minute scratches and cracks by etching, there is a problem that the wiring is also corroded and damaged by the etchant.
[0009]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electro-optical device capable of erasing minute scratches and cracks present on the edge and cut surface of a substrate by etching without damaging wiring formed on the substrate. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method, an electro-optical device manufactured by the method, and an electronic apparatus using the electro-optical device.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention includes an electro-optical panel in which a first substrate and a second substrate are bonded to each other with a sealant in a state where the first substrate and the second substrate face each other. In a method for manufacturing an electro-optical device in which at least one of them has a driving electrode for driving an electro-optical material, at least a substrate edge of the first substrate and the second substrate in a state of the electro-optical panel and An etching process is performed on the cut surface to remove minute scratches or cracks from the first substrate and the second substrate. When the etching process is performed, the first substrate and the second substrate are removed. The protection layer formed so as to avoid at least the substrate edge and the cut surface of the second substrate allows the wiring exposed on the first substrate and the second substrate to be removed. Wherein the left over the surface.
[0011]
In the present invention, even when the protective layer is formed, the entire outer surface, the edge of the substrate, and the cut surface (side end surface) are exposed and etched. Therefore, in the etched portion, the surface layer is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear. Therefore, cracks do not grow even when stress is applied to the electro-optical panel, so that the electro-optical panel does not crack. In addition, when performing the etching step, the wiring is covered with the protective layer and is not etched, so that problems such as corrosion do not occur. In addition, since the etching process is performed at the state of the electro-optical panel to which the substrates are attached, that is, at the final stage of the manufacturing process, all the scratches and cracks generated up to that time can be collectively eliminated.
[0012]
In the present invention, at least one of the first substrate and the second substrate is made of glass.
[0013]
In the present invention, as the etching, dry etching may be performed, but wet etching is preferably employed. Wet etching is suitable for erasing scratches and cracks because the etching proceeds isotropically, and wet etching has the advantage that a large number of electro-optical panels can be processed collectively.
[0014]
In the present invention, the second substrate includes, for example, an overhanging region extending from a substrate edge of the first substrate, and in a state before forming the protective layer, the wiring is exposed at the overhanging region. I have.
[0015]
In the present invention, a terminal on which an electronic component is mounted may be formed in the overhang region, and even in such a case, the etching step may be performed before mounting the electronic component on the terminal. preferable. The etching step can be performed after the electronic component is mounted.However, in this case, the electronic component may be damaged by an etching solution or an etching gas. It is preferred to do so.
[0016]
In the present invention, the terminal includes an IC mounting terminal and a substrate mounting terminal to which an IC as the electronic component and a flexible substrate are respectively connected, and the IC and the substrate mounting terminal include the IC and the IC. Preferably, the etching step is performed before connecting the flexible substrate.
[0017]
In the present invention, the overhang region may be provided with an alignment mark for mounting the electronic component on the terminal. In such a case, when performing the etching step, the alignment mark may be formed. Is preferably covered with the protective layer.
[0018]
In the present invention, after the etching step, the protective layer may be removed, or a part of the protective layer may be removed and another part may be left. Here, when the terminal is formed in the overhanging region, after the etching step, at least the protective layer formed on the surface of the terminal among the protective layers is removed.
[0019]
In the present invention, the protective layer is, for example, a tape attached to a substrate.
[0020]
In the present invention, a coating film obtained by solidifying an applied liquid material may be used as the protective layer.
[0021]
In the present invention, the application of the liquid material can be performed by brush coating.
[0022]
In the present invention, the application of the liquid material is preferably performed by screen printing, an inkjet method, or offset printing. With such a method, the step of applying the liquid material can be automated. In addition, among the above application methods, if the inkjet method is used, the liquid material can be applied to the electro-optical panel in a non-contact manner, and the liquid material can be selectively applied to an arbitrary region with high accuracy. it can.
[0023]
In the present invention, the liquid material is, for example, a resist. If a resist is used, a resist layer (protective layer) can be reliably and selectively formed at an arbitrary position by using a photolithography technique.
[0024]
In the present invention, a paint may be used as the liquid material.
[0025]
In the present invention, the protective layer is an organic insulating film formed simultaneously with an organic insulating film formed in a region defined by the sealing material on the substrate, or a region defined by the sealing material on the substrate. An inorganic insulating film formed simultaneously with the inorganic insulating film formed therein can be used. With this configuration, it is not necessary to add a new process for forming the protective layer, so that an increase in the number of manufacturing processes can be minimized.
[0026]
In the present invention, a water repellent may be used as the protective layer. Since the etchant used for wet etching is usually water-based, the wiring can be protected from the etchant even if the surface of the wiring is made water-repellent by treatment with a water repellent. In addition, if the treatment with the water repellent is used, only an extremely thin protective layer is formed. Therefore, even if the protective layer formed on the surface of the terminal is not removed, the mounting of the IC or the flexible substrate can be performed. There is no problem with the electrical connection.
[0027]
In the present invention, as the protective layer, an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in a thermoplastic resin can be used. After the step, it can be used for mounting the electronic component on the terminal.
[0028]
According to the present invention, there is provided a liquid crystal device in which a liquid crystal is held as an electro-optical material between the first substrate and the second substrate, or an electroluminescent material is formed as an electro-optical material on the second substrate. It can be applied to an electroluminescent display device and the like.
[0029]
Such an electro-optical device is used as a display unit of an electronic device such as a mobile computer and a mobile phone.
[0030]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, focusing on examples in which the present invention is applied to a passive matrix liquid crystal device (electro-optical device). In the following description, the configuration of the liquid crystal device common to the embodiments and the manufacturing method will be described, and then each embodiment will be described.
[0031]
[Overall configuration of liquid crystal device]
1 and 2 are a perspective view and an exploded perspective view, respectively, of an electro-optical device to which the present invention is applied. FIG. 3 is a cross-sectional view of the I ′ side end when the electro-optical device is cut along the line II ′ of FIG. FIGS. 1 and 2 only schematically show electrode patterns and terminals and the like, and in an actual electro-optical device, a larger number of electrode patterns and terminals are formed.
[0032]
1 and 2, the electro-optical device 1 of the present embodiment includes a liquid crystal panel 1 '(electro-optical panel) for passive matrix color display. The liquid crystal panel 1 'has a pair of substrates 10 and 20 made of rectangular glass and the like bonded together by a sealing material 30 via a predetermined gap. A liquid crystal sealing region 35 is defined between the substrates 10 and 20 by a sealing material 30, and a liquid crystal 36 as an electro-optical material is sealed in the liquid crystal sealing region 35. Here, of the pair of substrates, the substrate on which a plurality of rows of the first electrode patterns 40 extending in the vertical direction in the liquid crystal sealing region 35 is formed is referred to as a first substrate 10, and The substrate on which a plurality of rows of second electrode patterns 50 extending in the horizontal direction are formed is referred to as a second substrate 20.
[0033]
The electro-optical device 1 shown here is of a transmissive type, and performs predetermined display using the illumination device 9 as a backlight. Therefore, of both surfaces of the liquid crystal panel 1 ′, the polarizing plate 209 is attached to the outer surface of the second substrate 20, and the polarizing plate 109 is attached to the outer surface of the first substrate 10. Both the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are formed of a transparent conductive film typified by an ITO film (Indium Tin Oxide).
[0034]
If a thin film of aluminum, silver alloy, or the like patterned via an insulating film is formed under the second electrode pattern 50, a transflective / semi-reflective electro-optical device can be formed. Also, a semi-transmissive / semi-reflective electro-optical device can be configured by forming the second electrode pattern 50 with a reflective film of aluminum, a silver alloy or the like and forming a light transmitting hole therethrough. Furthermore, the semi-transmissive / semi-reflective electro-optical device 1 can also be configured by laminating a semi-transmissive reflective plate on the deflecting plate 62. Furthermore, if a reflective film is arranged under the second electrode pattern 50, a reflection-type electro-optical device can be formed. In this case, the lighting device 9 is omitted from the back surface side of the second substrate 20. do it.
[0035]
In the electro-optical device 1, each of the substrate sides 101 located in the same direction of the first substrate 10 and the second substrate 20 is used to input / output signals to / from the outside and conduct between the substrates. , 201, the first terminal formation region 11 and the second terminal formation region 21 formed on the first substrate 10 and the second substrate 20, respectively, are used.
[0036]
Further, a substrate larger than the first substrate 10 is used as the second substrate 20. For this reason, the second substrate 20 includes an overhang region 25 that overhangs from the substrate side 101 of the first substrate 10 when the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded to each other. The driving ICs 13 (electronic components) are mounted on the IC mounting terminals 26 and 27 formed in the region 25 via COG (Chip On Glass) via an anisotropic conductive film, and can be mounted on the substrate mounting terminals 28. A flexible substrate 29 (electronic component) is mounted via an anisotropic conductive film.
[0037]
In configuring such a mounting structure, in the second substrate 20, the wiring portion 51 of the second electrode pattern 50 made of the ITO film extends to the overhang region 25, and the end portion forms the second terminal formation. In the region 21, an IC mounting terminal 27 to which the bump electrode of the driving IC 13 is electrically connected is formed.
[0038]
Further, in the second terminal formation region 21, a substrate mounting terminal 28 for mounting a flexible substrate 29 is formed in a portion located on the side of the substrate side 201 from the IC mounting terminal 27. The pattern made of the ITO film that forms the terminal 28 extends to the mounting area of the driving IC 13 and forms the IC mounting terminal 26 that is electrically connected to the bump electrode.
[0039]
Further, in the overhang region 25 of the second substrate 20, on both sides of the region where the IC mounting terminals 26 and 27 and the substrate mounting terminal 28 are formed, the driving IC 13 and the flexible substrate 29 are mounted. The alignment mark 55 used for the formation is formed of an ITO film.
[0040]
Further, in the second terminal formation region 21, a portion located on the liquid crystal sealing region 35 side with respect to the driving IC 13 is used for inter-substrate conduction with the first substrate 10 side. A plurality of inter-substrate conduction terminals 70 are formed in the overlapping portion with. The pattern formed of the ITO film forming the inter-substrate conduction terminal 70 also extends to the mounting region of the driving IC 13 as the wiring portion 71, and the IC mounting terminal 27 electrically connected to the bump electrode of the driving IC 13 is formed. Make up.
[0041]
On the other hand, in the first substrate 10, the first terminal formation region 11 is used for inter-substrate conduction with the side of the second substrate 20. A plurality of inter-substrate conduction terminals 60 are formed. Each of the inter-substrate conduction terminals 60 is formed by an end of the first electrode pattern 40 made of an ITO film.
[0042]
Therefore, after bonding the first substrate 10 and the second substrate 20 with the sealing material 30 containing the inter-substrate conducting agent and conducting the inter-substrate conducting terminals 60 and 70 between the substrates, the second When the driving IC 13 and the flexible substrate 29 are mounted on the substrate 20 of this embodiment, and a predetermined signal is input from the flexible substrate 29 to the driving IC 13 in this state, the signal output from the driving IC 13 It is supplied to the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50.
[0043]
As shown in FIG. 3, on the first substrate 10, red (R), green (G), and blue (G) are formed in regions corresponding to intersections of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50. B) color filters 7R, 7G, 7B are formed, and on the surface side of these color filters 7R, 7G, 7B, a flattening film 13 made of acrylic resin or the like, a first electrode pattern 40 made of an ITO film, and An alignment film 12 made of a polyimide film is formed in this order. A light-shielding film 16 made of a metal film or a resin is formed below the color filters 7R, 7G, and 7B. On the other hand, on the second substrate 20, a second electrode pattern 50 made of an ITO film, an overcoat film 29 made of an acrylic resin or a silicon oxide film, and an alignment film 22 made of a polyimide film are formed in this order. Have been. Therefore, when a signal is input to the driving IC 13 via the flexible substrate 29, a predetermined signal is supplied from the driving IC 13 to each of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50, and thus the first signal is supplied. The liquid crystal 4 can be driven for each pixel corresponding to the intersection between the electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50, and a predetermined color image can be displayed.
[0044]
[Method of Manufacturing Electro-Optical Device 1]
FIGS. 4 and 5A to 5F are a process chart showing a method of manufacturing the electro-optical device 1 and an explanatory view showing a state of a product in progress for each of these steps.
[0045]
In FIGS. 4 and 5A and 5B, in manufacturing the electro-optical device 1 of the present embodiment, both the first substrate 10 and the second substrate 20 are formed by using these substrates 10 and 20 respectively. In the state of the large substrates 100 and 200 from which a large number of substrates can be taken, a process of forming the electrode patterns 40 and 50 is performed using a semiconductor process. That is, in the state of the large substrate 100 from which a large number of the first substrates 10 can be formed, the photolithography technology and various printing technologies are used to form the light-blocking film 16 and the color filters 7R, 7G, and 7B. Then, a step ST13 of forming the planarizing film 13, a step ST14 of forming the electrode pattern 40, a step ST15 of forming and rubbing the alignment film 12, and a step ST16 of applying the sealing material 30 are performed.
[0046]
Further, in the state of the large substrate 200 from which a large number of the second substrates 20 can be formed, the electrode pattern 50 forming step ST21, the overcoat film 29 forming step ST22, the alignment film 22 forming / rubbing step ST23, the gap material scattering Step ST24 is performed.
[0047]
Next, in the bonding step ST31, as shown in FIG. 5C, the large substrates 100 and 200 are bonded to each other with the sealant 30 to form a large panel structure 300.
[0048]
Next, in the primary break step ST32, the large panel structure 300 is cut into strip-shaped panel structures 400 shown in FIG. For this purpose, first, of the front surface and the back surface of the large panel structure 300, a cutting line formed of a shallow groove is formed on the surface of the large substrate 100 by a diamond cutter, and then, from the back side of the large substrate 200. The large substrate 100 is cut by applying stress with a jig. Further, after forming a cutting line composed of a shallow groove on the surface of the large substrate 200 with a diamond cutter, stress is applied by a jig from the side of the large substrate 100 on the surface side to cut the large substrate 200.
[0049]
Next, in a liquid crystal enclosing / sealing step ST33, after injecting the liquid crystal 36 into the inside of the strip-shaped panel structure 400, the inlet 31 is sealed with a sealing material 32.
[0050]
Next, in the secondary break step ST34, the strip-shaped panel structure 400 is placed on the first substrate 10 as an overhang region 25, as shown in FIG. 1 and FIG. Is cut into a single liquid crystal panel 1 ′ that protrudes from the liquid crystal panel 1 ′.
[0051]
Next, in an IC mounting step ST35, as shown in FIGS. 1 and 5 (F), the driving IC 13 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 '.
[0052]
After the IC mounting step ST35, the flexible substrate 29 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 '.
[0053]
[Embodiment 1]
FIGS. 6A and 6B are explanatory views schematically showing a state in which a fine scratch and a crack are formed in a substrate constituting the liquid crystal panel 1 ', and a fine scratch and a crack in the etching step. It is explanatory drawing which shows the state which disappeared. FIGS. 7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view of the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device, respectively. FIGS. 8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, showing a state in which a protective layer is formed when etching is performed on a liquid crystal panel during a manufacturing process of an electro-optical device. FIGS. 9A and 9B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, showing a state in which a protective layer is partially left after etching the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device. FIGS. 10A to 10D are graphs for explaining the effect of etching the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device.
[0054]
When the electro-optical device 1 is manufactured, the first substrate 10 and the first substrate 10 constituting the liquid crystal panel 1 ′ are formed before the single breaker liquid crystal panel 1 ′ is formed in the secondary break step ST 34 shown in FIG. Small edges 5 and cracks 6 as shown in FIG. 6 (A) are formed in the substrate edge and cut surface of the second substrate 20. Therefore, in the present embodiment, after cutting into a single liquid crystal panel 1 'in the secondary break step ST34, the driving IC 13 is placed in the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1' in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before mounting, the edge of the substrate and the cut surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 are wet-etched in the state of the single liquid crystal panel 1 ′ to cut the surface layer, thereby obtaining the structure shown in FIG. As shown, minute scratches and cracks are erased from the edge and cut surface of the substrate (etching step ST40).
[0055]
The etching solution used here is, for example, a hydrofluoric acid-based chemical solution. For example, an etchant such as a hydrofluoric acid solution, a sulfuric acid solution, hydrofluoric acid, ammonium fluoride, or hydrofluoric acid can be used. Further, an aqueous solution containing them can also be used. For example, a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and nitric acid, a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium fluoride and nitric acid, and an aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride An aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium hydrogen difluoride, and nitric acid can be used. Although the etching rate is low, a strongly alkaline chemical such as sodium hydroxide or potassium hydroxide can be used.
[0056]
Here, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are overhanging portions. If the etching is performed as it is in the state exposed at 25, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, and the substrate mounting terminal 28 will be corroded and damaged by the etchant. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, the overhanging region 25 is covered with a protective layer 90 (a region hatched with a narrow pitch), and wet etching is performed in this state (etching step). ST40).
[0057]
In the present embodiment, as such a protective layer 90, an adhesive tape as the protective layer 90 is applied to a region slightly inside from the substrate edge of the second substrate 20 in the extended region 25 of the second substrate 20. For this reason, in the first substrate 10, even when the adhesive tape is stuck as the protective layer 90, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are exposed and etched. You. Also, in the second substrate 10, even when the adhesive tape is stuck as a protective layer, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are exposed and etched. Therefore, in the first substrate 10 and the second substrate 20, the surface layer of the etched portion is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear.
[0058]
As shown in FIGS. 8A and 8B, the portion of the substrate mounting terminal 28 located at the edge of the substrate is slightly exposed from the protective layer 90, and corrosion and damage occur in the exposed portion. However, since most portions of the substrate mounting terminals 28 are covered with the protective layer 90, there is no problem in mounting the flexible substrate 29.
[0059]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 is completely removed to return to the state shown in FIGS. 7A and 7B. Thereafter, in the IC mounting step ST35 shown in FIG. 5 (F), the driving IC 13 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 '.
[0060]
Further, as for the protective layer 90, a part thereof may be removed and the rest may be left. That is, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, the surface of the alignment mark 55, and the peripheral area thereof. The portion that covers the wiring portions 51 and 71 is left as it is, and in this state, the driving IC 13 may be mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting step ST35 shown in FIG. . With this configuration, since the wiring portions 51 and 71 are still covered with the protective layer 90, there is an advantage that the weather resistance of the wiring portions 51 and 71 is improved.
[0061]
As described above, in the present embodiment, etching is performed in the state of the single panel 1 ′ to remove minute scratches and cracks from the entire outer surface of the first substrate 10, the substrate edge, and the cut surface (side end surface). Erasing is also performed to erase minute scratches and cracks from the entire outer surface of the second substrate 20, the substrate edge, and the cut surface (side end surface). Therefore, as will be described later, even if a shock or stress is applied after the liquid crystal device 1 is mounted on the mobile phone, the microscopic scratches and cracks do not grow, so that the liquid crystal panel 1 ′ is broken. There is no.
[0062]
In this embodiment, when performing wet etching (etching step ST40), the wiring portions 51, 71, the IC mounting terminals 26, 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90, and the etching solution Therefore, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are not corroded or damaged by the etching solution.
[0063]
In addition, since the etching step ST40 is performed in a state of the liquid crystal panel 1 'in which the pair of substrates are bonded, that is, in the final stage of the manufacturing process, all the scratches and cracks generated so far can be collectively eliminated. .
[0064]
The relationship between the etching depth in the etching step ST40 and the strength test results for a plurality of samples is shown in FIGS. 10 (A), (B), (C), and (D). In the liquid crystal panel used in this test, each of the first substrate 10 and the second substrate 20 has a thickness of 0.5 mm.
[0065]
The test was performed by applying a predetermined load to each of a liquid crystal panel not subjected to the etching step ST40, a liquid crystal panel having an etching depth of 10 μm, a liquid crystal panel having an etching depth of 50 μm, and a liquid crystal panel having an etching depth of 100 μm. Is added to obtain the weight value at the time when each sample is destroyed, and the results are shown in FIGS. 10 (A), (B), (C) and (D). In each graph, the load value at which the number of destroyed samples is concentrated represents the average strength of the liquid crystal panel subjected to each level of etching.
[0066]
As can be seen by comparing the figures, the strength of the panel is improved with the etching treatment as compared with the case without the etching. Therefore, it can be seen that the scratches and cracks on the glass substrate were removed by the etching treatment, and the crack strength of the glass substrate constituting the liquid crystal panel was improved. However, the average intensity is about 15 kg between the case where the etching depth is 10 μm and the case where the etching depth is 50 μm, and there is almost no difference.
[0067]
On the other hand, when the etching depth is 100 μm, the average strength is reduced to about 13 kg. This is a result of the fact that the absolute value of the strength of the glass substrate itself was reduced although the scratches and cracks of the glass substrate were removed by etching as compared with the case where the etching depth was 10 μm or 50 μm.
[0068]
By performing the etching step ST40 in this manner, minute scratches and cracks can be removed from the first substrate 10 and the second substrate 20 constituting the liquid crystal panel 1 ', so that the crack strength of the liquid crystal panel 1' is improved. You can see that Also, it is understood that the etching depth needs to be about 10 μm. Further, as for the etching depth, the strength is not improved even if the etching is performed to a certain depth or more. If the etching depth is too deep, the substrate thickness becomes thin, and the strength of the liquid crystal panel 1 'tends to decrease.
[0069]
[Embodiment 2]
Embodiments 2 to 6 described below have the same basic configuration as that of Embodiment 1. Therefore, only the characteristic portions will be described with reference to FIGS. Is omitted.
[0070]
Also in this embodiment, as in the first embodiment, a single liquid crystal panel 1 'is cut in a secondary break step ST34 shown in FIG. 5E, and then a single liquid crystal panel is cut in an IC mounting step ST35 shown in FIG. 5F. Before mounting the driving IC 13 in the overhang region 25 of the panel 1 ', the substrate edges and cut surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1' are subjected to wet etching. Also, minute scratches and cracks are erased from the cut surface (etching step ST40).
[0071]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55. Is exposed, the overhanging region 25 is covered with a protective layer 90 (a region hatched with a narrow pitch) as shown in FIGS. 8A and 8B, and etching is performed in this state (etching). Step ST40).
[0072]
In the present embodiment, as such a protective layer 90, a liquid photoresist is selectively applied to an area slightly inside from the substrate edge of the second substrate 20 in the overhanging area 25 of the second substrate 20. Exposure and development are performed to form a protective layer 90 made of a resist layer.
[0073]
For this reason, in the present embodiment as well, in the first substrate 10 and the second substrate 20, even when the resist is formed as the protective layer 90, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are: It is exposed and etched. Therefore, in the etched portions of the first substrate 10 and the second substrate 20, the surface layer is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear. Moreover, when performing the wet etching, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0074]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 made of resist is completely removed using a stripping solution. After returning to the state shown in FIG. 5B, the driving IC 13 is mounted in the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 'in the IC mounting step ST35 shown in FIG.
[0075]
At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, the surface of the alignment mark 55, and the peripheral area thereof. On the other hand, the portion covering the wiring portions 51 and 71 is left as it is, and in this state, even if the driving IC 13 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting process ST35 shown in FIG. Good. With this configuration, since the wiring portions 51 and 71 are still covered with the protective layer 90, there is an advantage that the weather resistance and the like are improved.
[0076]
In performing such a manufacturing method, the resist may be selectively applied by brush coating, screen printing, an inkjet method, or offset printing. Among these coating methods, the inkjet method has an advantage that a resist can be selectively applied to an arbitrary region without contact and with high accuracy.
[0077]
Further, in this embodiment, since a resist is used as the protective layer 90, for example, after a resist is applied to the entire surface of the overhang region 25 and only a predetermined region is exposed, a resist layer (protective layer 90) can be selectively formed.
[0078]
[Embodiment 3]
Also in this embodiment, after cutting into a single liquid crystal panel 1 'in the secondary break step ST34 shown in FIG. 5E, the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1' in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before mounting the driving IC 13 on the substrate, the substrate edge and the cut surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 ′ are subjected to wet etching, and minute scratches are formed from the substrate edge and the cut surface. And cracks are eliminated (etching step ST40).
[0079]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55. Is exposed, the overhanging region 25 is covered with a protective layer 90 (a region hatched with a narrow pitch) as shown in FIGS. 8A and 8B, and etching is performed in this state (etching). Step ST40).
[0080]
In forming such a protective layer 90, in the present embodiment, a liquid paint is applied by brush coating, screen printing, an inkjet method, or offset printing to the second substrate 20 in the extended region 25 of the second substrate 20. After being selectively applied to a region slightly inside from the edge of the substrate 20, it is solidified to form a protective layer 90 made of a coating film.
[0081]
For this reason, also in the present embodiment, in the first substrate 10 and the second substrate 20, even when the coating film is formed as the protective layer 90, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are formed. , Exposed and etched. Therefore, in the first substrate 10 and the second substrate 20, in the etched portion, the surface layer is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear. Moreover, when performing the wet etching, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0082]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 made of a coating film is completely removed using a stripper made of an organic solvent. After returning to the state shown in FIGS. 5A and 5B, the driving IC 13 is mounted in the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 'in the IC mounting step ST35 shown in FIG.
[0083]
At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, the surface of the alignment mark 55, and the peripheral area thereof. On the other hand, the portion covering the wiring portions 51 and 71 is left as it is, and in this state, even if the driving IC 13 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting process ST35 shown in FIG. Good. With this configuration, since the wiring portions 51 and 71 are still covered with the protective layer 90, there is an advantage that the weather resistance and the like are improved.
[0084]
[Embodiment 4]
Also in this embodiment, after cutting into a single liquid crystal panel 1 'in the secondary break step ST34 shown in FIG. 5E, the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1' in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before mounting the driving IC 13 on the substrate, the substrate edge and the cut surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 ′ are subjected to wet etching, and minute scratches are formed from the substrate edge and the cut surface. And cracks are eliminated (etching step ST40).
[0085]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55. Is exposed, the overhanging region 25 is covered with a protective layer 90 (a region hatched with a narrow pitch) as shown in FIGS. 8A and 8B, and etching is performed in this state (etching). Step ST40).
[0086]
In forming such a protective layer 90, in this embodiment, an alignment film forming / rubbing step ST23 is used. That is, after applying and curing polyimide on the entire surface of the second substrate 20 by spin coating or various printing methods, selectively apply polyimide as an alignment film 22 in a region partitioned by the sealant 30 by oxygen plasma treatment. In the overhang region 25 of the second substrate 20, the polyimide film is selectively left even in a region slightly inside from the substrate edge of the second substrate 20 to form the protective layer 90.
[0087]
For this reason, also in the present embodiment, in the first substrate 10 and the second substrate 20, even when the polyimide (the alignment film 22) is formed as the protective layer 90, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface ( The side end surface) is in an exposed state and is etched. Therefore, in the first substrate 10 and the second substrate 20, in the etched portion, the surface layer is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear. Moreover, when performing the wet etching, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0088]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 made of polyimide is completely removed by oxygen plasma treatment. Then, the driving IC 13 is mounted in the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 'in an IC mounting step ST35 shown in FIG. 5 (F).
[0089]
At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, the surface of the alignment mark 55, and the peripheral area thereof. On the other hand, the portion covering the wiring portions 51 and 71 is left as it is, and in this state, even if the driving IC 13 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting process ST35 shown in FIG. Good. With this configuration, since the wiring portions 51 and 71 are still covered with the protective layer 90, there is an advantage that the weather resistance and the like are improved.
[0090]
In the present embodiment, the protective layer 90 uses a polyimide formed simultaneously with a polyimide (organic insulating film) formed as the alignment film 22 in a region defined by the sealant 30. Therefore, it is not necessary to add a new process for forming the protective layer 90, so that an increase in the number of manufacturing processes can be minimized.
[0091]
When the overcoat layer 29 is formed of an organic insulating film on the side of the second substrate 20 (overcoat film forming step), a resin constituting the overcoat layer 29 is formed as a protective layer 90 in the overhanging region 25. May be. Since the color filters 7R, 7G, 7B may be formed on the second substrate 20 side, the resin constituting the color filters 7R, 7G, 7B is formed as the protective layer 90 in the overhanging region 25. May be.
[0092]
When the inorganic insulating film is selectively formed in a region defined by the sealant 30 on the substrate, for example, when the overcoat layer 29 is formed of an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, An inorganic insulating film such as a silicon oxide film formed simultaneously with the insulating film may be used as the protective layer 90. In this case, when the inorganic insulating film is later removed by etching, it is preferable to use an etchant having a high etching selectivity between the inorganic insulating film and the material forming the wiring portions 51 and 71.
[0093]
[Embodiment 5]
Also in this embodiment, after cutting into a single liquid crystal panel 1 'in the secondary break step ST34 shown in FIG. 5E, the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1' in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before mounting the driving IC 13 on the substrate, the substrate edges and cut surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 'are subjected to wet etching, as shown in FIG. Then, minute scratches and cracks are erased from the edge and cut surface of the substrate (etching step ST40).
[0094]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55. Is exposed, the overhanging region 25 is covered with a protective layer 90 (a region hatched with a narrow pitch) as shown in FIGS. 8A and 8B, and etching is performed in this state (etching). Step ST40).
[0095]
In the present embodiment, as such a protective layer 90, a liquid material in which a water repellent is dissolved in a solvent is applied to a region slightly inside from the substrate edge of the second substrate 20 in the overhang region 25 of the second substrate 20. After the selective application, the solvent is evaporated and removed to form a protective layer 90 made of a water repellent.
[0096]
For this reason, also in this embodiment, in the first substrate 10 and the second substrate 20, even when the water repellent is formed as the protective layer 90, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are used. Remain hydrophilic and are etched. Therefore, in the first substrate 10 and the second substrate 20, in the etched portion, the surface layer is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear. Moreover, when performing the wet etching, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0097]
Here, the application of the water repellent may be selectively performed by brush coating, screen printing, an inkjet method, or offset printing. Among these application methods, the ink jet method can selectively apply a coating material to an arbitrary region without contact and with high accuracy.
[0098]
After performing the etching step ST40 in this way, the liquid crystal panel 1 'may be washed with water and dried, and then the whole or a part of the water repellent may be removed. If the protective layer 90 is left as it is, there is no problem in mounting the driving IC 13 and the flexible substrate 29 in the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′. .
[0099]
Embodiment 6
Also in this embodiment, after cutting into a single liquid crystal panel 1 'in the secondary break step ST34 shown in FIG. 5E, the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1' in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before mounting the driving IC 13 on the substrate, the substrate edges and cut surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 'are subjected to wet etching, as shown in FIG. Then, minute scratches and cracks are erased from the edge and cut surface of the substrate (etching step ST40).
[0100]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55. Is exposed, the overhanging region 25 is covered with a protective layer 90 (a region hatched with a narrow pitch) as shown in FIGS. 8A and 8B, and etching is performed in this state (etching). Step ST40).
[0101]
In the present embodiment, as such a protective layer 90, an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in a thermoplastic resin is slightly inside the overhang region 25 of the second substrate 20 from the substrate edge of the second substrate 20. It is selectively applied to the region and is used as the protective layer 90.
[0102]
For this reason, also in this embodiment, in the first substrate 10 and the second substrate 20, even when the anisotropic conductive film is formed as the protective layer 90, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side The end face) is exposed and etched. Therefore, in the first substrate 10 and the second substrate 20, in the etched portion, the surface layer is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear. Moreover, when performing the wet etching, the wiring portions 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the substrate mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0103]
Here, the application of the anisotropic conductive film may be selectively performed by application from a dispenser, an inkjet method, or offset printing. Among these application methods, the ink jet method can selectively apply a coating material to an arbitrary region without contact and with high accuracy.
[0104]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and the protection layer 90 made of an anisotropic conductive film is left as it is, and the liquid crystal panel 1' It is used for mounting the driving IC 13 and the flexible substrate 29.
[0105]
Here, the anisotropic conductive film is applied to the surface of the region where the wiring portions 51 and 71 are formed in parallel, but the conductive particles are small in view of the pitch of the wiring portions 51 and 71. Therefore, no problem such as a short circuit occurs. Conversely, the wiring portions 51 and 71 are protected by the protective layer 90 made of an anisotropic conductive film.
[0106]
[Other embodiments]
In the example shown in FIGS. 8A and 8B, the portion of the substrate mounting terminal 28 located at the edge of the substrate is slightly exposed from the protective layer 90, and corrosion and damage occur in the exposed portion. Therefore, as shown in FIGS. 11A and 11B, the board mounting terminal 28 may be formed in a portion slightly inside the board avoiding the board edge.
[0107]
In the above embodiment, the etching step ST40 is performed before the IC mounting step ST35, but the etching step ST40 may be performed after the IC mounting step ST35. Also in this case, since the wiring portions 51 and 71 and the substrate mounting terminals 28 are exposed, they are covered with the protective layer 90. In this case, etching is performed with the driving IC 13 already mounted, but even in such a case, the bump electrodes of the driving IC 13 and the IC mounting terminals 26 and 27 are covered with the anisotropic conductive film. Therefore, there is no possibility of corrosion and damage by the etching solution.
[0108]
Further, in the above embodiment, wet etching is employed in the etching step ST40, but dry etching may be employed.
[0109]
[Configuration of electro-optical device to which the present invention can be applied]
In each of the above embodiments, the present invention is applied to an electro-optical device including a passive matrix type liquid crystal device. However, in any of the electro-optical devices described below with reference to FIGS. Since a flexible substrate is connected to the held rigid substrate to input a signal, the present invention can be applied.
[0110]
FIG. 12 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix type liquid crystal device using a non-linear element as a pixel switching element. FIG. 13 is a block diagram schematically showing a configuration of an electro-optical device including an active matrix type liquid crystal device using a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element. FIG. 14 is a block diagram of an active matrix type electro-optical device including an electroluminescent element using a charge injection type organic thin film as an electro-optical material.
[0111]
As shown in FIG. 12, in an electro-optical device 1a including an active matrix liquid crystal device using a non-linear element as a pixel switching element, a plurality of scanning lines 51a are formed in a row direction as a plurality of wirings, and a plurality of data lines 52a are formed. It is formed in the column direction. A pixel 53a is formed at a position corresponding to each intersection between the scanning line 51a and the data line 52a. In this pixel 53a, a liquid crystal layer 54a and a TFD element 56a (non-linear element) for pixel switching are connected in series. ing. Each scanning line 51a is driven by a scanning line driving circuit 57a, and each data line 52a is driven by a data line driving circuit 58a.
[0112]
Also in the electro-optical device 1a configured as described above, a structure in which a pair of glass substrates and the like are attached to each other with a sealant in a facing state and a driving IC is mounted on at least one of the substrates by COG, or a driving IC is formed of COF Since a structure in which the mounted flexible substrate is connected to a glass substrate is employed, it is preferable to apply the present invention.
[0113]
As shown in FIG. 13, in an electro-optical device 1b including an active matrix liquid crystal device using a TFT as a pixel switching element, a pixel terminal 9b and a pixel terminal 9b are provided for each of a plurality of pixels formed in a matrix. A pixel switching TFT 30b for control is formed, and a data line 6b for supplying a pixel signal is electrically connected to a source of the TFT 30b. The pixel signal to be written to the data line 6b is supplied from the data line driving circuit 2b. The scanning line 31b is electrically connected to the gate of the TFT 30b, and a scanning signal is supplied to the scanning line 31b in a pulsed manner from the scanning line driving circuit 3b at a predetermined timing. The pixel terminal 9b is electrically connected to the drain of the TFT 30b. By turning on the TFT 30b, which is a switching element, for a predetermined period, a pixel signal supplied from the data line 6b is supplied to each pixel at a predetermined timing. Write with The predetermined-level pixel signal written to the liquid crystal via the pixel terminal 9b in this manner is held for a certain period between the pixel signal and the counter electrode formed on the counter substrate.
[0114]
Here, a storage capacitor 70b (capacitor) may be added in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel terminal 9b and the counter electrode for the purpose of preventing the held pixel signal from leaking. The storage capacitor 70b holds the voltage of the pixel terminal 9b for a time that is, for example, three digits longer than the time during which the source voltage is applied. Thereby, the charge retention characteristics are improved, and an electro-optical device capable of performing display with a high contrast ratio can be realized. Note that the method of forming the storage capacitor 70b is either a method of forming the storage capacitor 70b between the capacitor line 32b which is a wiring for forming a capacitor or a method of forming the storage capacitor 70b between the storage line 70b and the preceding scanning line 31b. Is also good.
[0115]
The electro-optical device 1b thus configured also employs a structure in which a pair of glass substrates and the like are attached to each other with a sealant in a facing state and a flexible substrate is connected to one of the glass substrates. Is preferably applied.
[0116]
As shown in FIG. 14, an active matrix electro-optical device including an electroluminescence element using a charge injection type organic thin film is an EL (electroluminescence) element that emits light when a drive current flows through an organic semiconductor film, or This is an active matrix type display device in which a light emitting element such as an LED (light emitting diode) element is driven and controlled by a TFT. Since the light emitting elements used in this type of display device emit light by themselves, they do not require a backlight. In addition, there is an advantage that viewing angle dependency is small.
[0117]
In the electro-optical device 100p shown here, the plurality of scanning lines 3p, the plurality of data lines 6p extending in a direction intersecting with the extending direction of the scanning lines 3p, and the data lines 6p are arranged in parallel. A plurality of common power supply lines 23p and pixels 15p corresponding to intersections of the data lines 6p and the scanning lines 3p are configured. For the data line 6p, a data line driving circuit 101p including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is configured. For the scanning line 3p, a scanning line driving circuit 104p including a shift register and a level shifter is configured.
[0118]
Each of the pixels 15p holds a first TFT 31p to which a scanning signal is supplied to a gate electrode via a scanning line 3p, and an image signal supplied from a data line 6p via the first TFT 31p. A storage capacitor 33p, a second TFT 32p to which an image signal held by the storage capacitor 33p is supplied to the gate electrode, and a common power supply line when electrically connected to the common power supply line 23p via the second TFT 32p. A light-emitting element 40p into which a drive current flows from 23p.
[0119]
Here, the light emitting element 40p has a configuration in which a hole injection layer, an organic semiconductor film as an organic electroluminescent material layer, and a counter electrode made of a metal film such as lithium-containing aluminum and calcium are stacked on the upper layer side of the pixel electrode. The counter electrode (not shown) is formed over a plurality of pixels 15p over the data line 6p and the like.
[0120]
In the electro-optical device 1p thus configured, a protective substrate made of glass is bonded to an element substrate formed of a glass substrate on which a light emitting element is formed via a sealing material, and a flexible substrate is connected to the element substrate. Since a structure is adopted, it is preferable to apply the present invention.
[0121]
In addition to the embodiments described above, a plasma display device, an FED (field emission display) device, an LED (light emitting diode) display device, an electrophoretic display device, a thin cathode ray tube, a liquid crystal shutter, and the like are used as the electro-optical device. The present invention can be applied to various electro-optical devices such as a small television and a device using a digital micromirror device (DMD).
[0122]
[Embodiment of electronic device]
FIG. 15 shows an embodiment in which the electro-optical device according to the present invention is used as a display device of various electronic apparatuses. The electronic device shown here includes a display information output source 170, a display information processing circuit 171, a power supply circuit 172, a timing generator 173, and an electro-optical device 174. The electro-optical device 174 has a display panel 175 and a drive circuit 176. As the electro-optical device 174, the above-described electro-optical device can be used.
[0123]
The display information output source 170 includes a memory such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, and is generated by the timing generator 173. Display information such as an image signal in a predetermined format is supplied to the display information processing circuit 171 based on the various clock signals.
[0124]
The display information processing circuit 171 includes various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit. The signal is supplied to the driving circuit 176 together with the clock signal CLK. The driving circuit 176 is a general term for a scanning line driving circuit, a data line driving circuit, an inspection circuit, and the like. The power supply circuit 172 supplies a predetermined voltage to each component.
[0125]
FIG. 16A illustrates a mobile personal computer which is an embodiment of an electronic device according to the present invention. The personal computer shown here has a main body 182 provided with a keyboard 181 and a liquid crystal display unit 183. The liquid crystal display unit 183 includes the above-described electro-optical device 1, the liquid crystal panel 1 ', and the like.
[0126]
FIG. 16B shows a mobile phone as another embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The mobile phone 190 shown here has a plurality of operation buttons 191 and the above-described electro-optical device 1 and the like.
[0127]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, even when the protective layer is formed, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are exposed and etched. Therefore, in the etched portion, the surface layer is thinly etched, so that minute scratches and cracks disappear. Therefore, the strength of the panel is high. In addition, when performing wet etching, the wiring is covered with the protective layer and is not etched, so that problems such as corrosion and damage do not occur. Further, since the etching step is performed at the state of the panel to which the substrates are bonded, that is, at the final stage of the manufacturing process, all the scratches and cracks that have occurred up to that time can be collectively eliminated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of an electro-optical device to which the present invention has been applied.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the electro-optical device shown in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the I ′ side end when the electro-optical device is cut along the line II ′ of FIG.
FIG. 4 is a process chart showing a method for manufacturing the electro-optical device shown in FIG.
5 (A) to 5 (F) are explanatory views each showing a state of a product in progress in a manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG.
FIGS. 6A and 6B schematically show a state in which a substrate constituting a liquid crystal panel has minute scratches and cracks during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG. It is an explanatory view and an explanatory view showing a state where minute scratches and cracks have disappeared in the etching step.
FIGS. 7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view of the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG. 1, respectively.
FIGS. 8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, showing a state where a protective layer is formed when etching is performed on a liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG. is there.
FIGS. 9A and 9B are plan views each showing a state in which a protective layer is partially left after etching the liquid crystal panel in the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG. 1; FIG.
FIGS. 10A to 10D are graphs for explaining the effect of etching a liquid crystal panel during the manufacturing process of an electro-optical device.
FIGS. 11A and 11B are a plan view and a cross-sectional view of another liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG.
FIG. 12 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix liquid crystal device using a non-linear element as a pixel switching element.
FIG. 13 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix type liquid crystal device using a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element.
FIG. 14 is a block diagram of an active matrix type display device provided with an electroluminescence element using a charge injection type organic thin film as an electro-optical material.
FIG. 15 is a block diagram illustrating a configuration of various electronic apparatuses using the electro-optical device according to the invention.
FIGS. 16A and 16B are an explanatory view showing a mobile personal computer as an embodiment of an electronic apparatus using the electro-optical device according to the present invention, and an explanatory view showing a mobile phone, respectively. .
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 1 electro-optical device, 1 'liquid crystal panel, 10 first substrate, 11 first terminal formation region, 13 driving IC (electronic component), 20 second substrate, 21 second terminal formation region, 25 second Overhang area of substrate, 26, 27 IC mounting terminal, 28 substrate mounting terminal, 29 flexible substrate (electronic component), 30 sealing material, 35 liquid crystal sealing area, 40 first electrode pattern, 50 second electrode pattern , 51, 71 wiring portion, 55 alignment mark, 60, 70 inter-substrate conduction terminal, 90
Protective layer, 100,200 Large substrate

Claims

An electro-optical panel in which a first substrate and a second substrate are attached to each other with a sealant facing each other, and an electro-optical material is driven on at least one of the first substrate and the second substrate In the method of manufacturing an electro-optical device having a driving electrode to be formed,
In the state of the electro-optical panel, at least a substrate edge and a cut surface of the first substrate and the second substrate are etched to remove minute scratches or cracks from the first substrate and the second substrate. Perform the etching process,
When performing the etching step, the first substrate and the second substrate are exposed on the first substrate and the second substrate by a protective layer formed so as to avoid at least substrate edges and cut surfaces of the first substrate and the second substrate. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising: covering a surface of a wiring that is being formed.

The method according to claim 1, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is made of glass.

3. The method according to claim 1, wherein the etching is performed by wet etching.

The second substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the second substrate includes an overhanging region extending from a substrate edge of the first substrate, and in a state before the protective layer is formed, the wiring is formed in the overhanging region. A method for manufacturing an electro-optical device, which is exposed.

The terminal according to claim 4, wherein a terminal on which an electronic component is mounted is formed in the overhang region,
A method of manufacturing an electro-optical device, comprising: before mounting the electronic component on the terminal, performing the etching step with the surface of the terminal covered with the protective layer.

6. The terminal according to claim 5, wherein the terminal includes an IC mounting terminal and a substrate mounting terminal to which an IC as the electronic component and a flexible substrate are connected, respectively.
A method of manufacturing an electro-optical device, comprising: performing the etching step before connecting the IC and the flexible substrate to the IC mounting terminal and the substrate mounting terminal.

7. The alignment mark according to claim 5, wherein the overhang region is formed with an alignment mark for mounting the electronic component on the terminal.
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein, when performing the etching step, a surface of the alignment mark is covered with the protective layer.

The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the protection layer is removed after the etching step.

8. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein after the etching step, a part of the protective layer is removed and another part is left.

8. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 5, wherein, after the etching step, at least a protective layer formed on a surface of the terminal is removed from the protective layer.

11. The electric device according to claim 1, wherein the protective layer is an organic insulating film formed simultaneously with an organic insulating film formed in a region of the substrate defined by the sealing material. A method for manufacturing an optical device.

11. The electric device according to claim 1, wherein the protective layer is an inorganic insulating film formed simultaneously with an inorganic insulating film formed in a region defined by the sealing material on the substrate. A method for manufacturing an optical device.

8. The method according to claim 5, wherein the protective layer is an anisotropic conductive film, and the anisotropic conductive film is used for mounting the electronic component on the terminal after the etching step. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising:

14. The method according to claim 1, wherein the electro-optical material is a liquid crystal held between the first substrate and the second substrate.

14. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical material is an electroluminescent material formed on the second substrate.

An electro-optical device manufactured by the manufacturing method defined in any one of claims 1 to 15.

An electronic apparatus comprising the electro-optical device defined in claim 16.