JP2004186604A - Image recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録光の照射により生じた電荷を蓄積することにより画像情報を記録する画像記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、照射されたX線などの放射線の線量に応じた量の電荷を蓄電部に蓄積することにより、放射線画像情報を記録する放射線画像記録媒体が、医療用放射線撮影などにおいて多く利用されており、種々のタイプのものが提案されている。上記放射線画像記録媒体に記録された放射線画像情報は、スポット光あるいはライン光で放射線画像記録媒体が走査されることにより読み出される。
【0003】
上記のような放射線画像記録媒体として、特許文献1において、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取出しを両立させることを可能ならしめる放射線画像記録媒体が提案されている。この特許文献1には、記録用の放射線を透過する第1の電極層、放射線の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、潜像電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、および読取用の電磁波を透過する第2の電極層をこの順に積層してなる放射線画像記録媒体が提案されている。上記放射線画像記録媒体は、第1の電極層側から記録用の放射線を照射し、照射された放射線の線量に応じた量の電荷を記録用光導電層と電荷輸送層との略界面に形成される蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画像情報を記録するものである。
【0004】
また、上記放射線画像記録媒体は、放射線の照射を記録用光導電層が直接受けることにより発生した電荷を蓄積するものであるが、特許文献1においては、さらに、第1の電極層側に記録用の放射線の照射により可視光を発する蛍光体を有する波長変換層を設け、該波長変換層において発せられた可視光の照射を記録用光導電層が受けることにより発生した電荷を蓄積する放射線画像記録媒体が提案されている。
【0005】
ここで、近年においては持ち運びが容易で、種々の撮影形態にも対応できる可搬型の放射線画像記録媒体が求められている。
【0006】
【特許文献1】
特開平2000−105297号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような記録用の放射線線を直接電荷に変換するタイプの放射線画像記録媒体は、記録用光導電層が厚く高電圧を使用するため、アース電位を確保しにくい可搬型の放射線画像記録媒体には必ずしも適していない。一方、記録用の放射線を可視光に変換する波長変換層を設けたタイプの放射線画像記録媒体では記録用光導電層が薄くてよいので電圧が低く、可搬型の放射線画像記録媒体には好適であるが、CsIのような針状結晶構造を有する波長変換層は、落としたときの破壊を防ぐことが困難なために、やはり可搬型の放射線画像記録媒体用の波長変換層として適していない。
【0008】
このため、耐衝撃性を有した波長変換層である、たとえば、Gd2O2S:Tb3+と有機バインダーからなる蛍光体スクリーンを使用することが考えられるが、その場合、Gd2O2S:Tb3+の緑系(545nm)発光に対しても記録用光導電層が感度を有することが必要となる。
【0009】
さらに近年、遺伝子診断の分野への応用から、緑、赤など種々の波長の蛍光光に対して感度を有する画像記録媒体が望まれている。
【0010】
このような緑、赤の波長に対し、従来から記録用光導電層の材料として用いられているa−Seは量子効率が良好でなく、十分な感度を得ることができない。
【0011】
本発明は、上記のような事情に鑑み、緑、赤などの可視光の波長帯域の光に対して良好な感度を有する画像記録媒体を提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の画像記録媒体は、記録用の可視光を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した可視光の照射に対して光導電性を呈する有機半導体からなる記録用光導電層と、記録用光導電層において発生した電荷を蓄積する蓄電部と、読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とするものである。
【0013】
ここで、上記「有機半導体からなる」とは、有機半導体のみから形成されるものだけでなく、有機半導体を主成分とし、他の物質が含まれるものも含むものとする。
【0014】
また、上記本発明の第1の画像記録媒体においては、第1の電極層を、金属薄膜からなるものとし、可視光の照射の際、マイナス電圧に印加されるものとすることができる。
【0015】
本発明の第2の画像記録媒体は、記録用の可視光を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した可視光の照射に対して光導電性を呈するTeを含むa−Seからなる記録用光導電層と、記録用光導電層において発生した電荷を蓄積する蓄電部と、読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とするものである。
【0016】
ここで、上記「Teを含むa−Seからなる」とは、Teを含むaSeのみから形成されるものだけでなく、Teを含むa−Seを主成分とし、他の物質が含まれるものも含むものとする。
【0017】
本発明の第3の画像記録媒体は、記録用の可視光を透過する第1の電極層と、可視光を透過するとともに、正負いずれか一方の極性の電荷に対してのみ導電性を有する記録用電荷輸送層と、第1の電極層および記録用電荷輸送層を透過した可視光の照射に対して光導電性を呈する記録用電荷発生層と、記録用電荷発生層において発生した他方の極性の電荷を蓄積する蓄電部と、読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とするものである。
【0018】
ここで、上記「記録用電荷輸送層」としては、可視光に対し透明で正の電荷を輸送する有機感光体で使用される正孔輸送材料を利用することができる。
【0019】
本発明の第4の画像記録媒体は、記録用の可視光を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した可視光の照射により光導電性を呈する記録用電荷発生層と、記録用電荷発生層において発生した電荷の正負いずれか一方の極性の電荷に対してのみ導電性を有する記録用電荷輸送層と、記録用電荷発生層において発生した上記いずれか一方の極性の電荷を蓄積する蓄電部と、読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とするものである。
【0020】
【発明の効果】
本発明の第1の画像記録媒体によれば、記録用光導電層として赤や緑などの可視光の波長帯域の光に対して量子効率の高い有機半導体を利用するようにしたので、緑や赤などの可視光の波長帯域の光に対する感度の向上は図ることができる。
【0021】
また、上記第1の画像記録媒体において、第1の電極層を、金属薄膜、たとえばAuなど凝集しやすい金属からなる金属薄膜とし、可視光の照射の際、マイナス電圧に印加されるものとした場合には、第1の電極層と有機半導体の界面で電界集中が発生し、電極からの電子のトンネル注入による電荷増倍現象が生じるので、より大きな感度の向上を図ることができる。
【0022】
本発明の第2の画像記録媒体によれば、記録用光導電層として赤や緑などの可視光の波長帯域の光に対して量子効率の高いTeを含むa−Seを利用するようにしたので、緑や赤などの可視光の波長帯域の光に対する感度の向上は図ることができる。さらに、読取用光導電層をa−Se、蓄電部をAs2Se3により形成するようにすれば、読取用光導電層、蓄電部および記録用光導電層を真空蒸着装置で真空状態を維持したまま成膜することができるので、不純物などをより少なくすることができ特性の向上を図ることができる。
【0023】
本発明の第3の画像記録媒体によれば、第1の電極層と蓄電部の間に記録用電荷発生層と記録用電荷輸送層とを設けるようにしたので、記録用電荷発生層の厚さを薄くすることができ、暗電流を減少させ感度の向上を図ることができる。また、第1の電極層と蓄電部との距離を5〜10μm程度とすることができるので、可視光の照射時に第1の電極層に適切な大きさの電圧を印加するようにすることができる。したがって、この印加電圧の大きさに応じて発生する読取用光導電層の電界強度を適切な大きさとすることができ、適切な感度を得ることができる。
【0024】
本発明の第4の画像記録媒体によれば、第1の電極層と蓄電部の間に記録用電荷発生層と記録用電荷輸送層とを設けるようにしたので、上記第3の画像記録媒体と同様の効果を得ることができる。さらに、記録用電荷発生層をTeを含むa−Seにより形成し、記録用電荷輸送層をa−Seにより形成し、蓄電部をAs2Se3により形成し、読取用光導電層をa−Seにより形成するようにすれば、読取用光導電層、蓄電部、記録用電荷輸送層および記録用電荷発生層を読取用光導電層、蓄電部および記録用光導電層を、真空蒸着装置で真空状態を維持したまま成膜することができるので、不純物などをより少なくすることができ特性の向上を図ることができる。
【0025】
また、上記第1から第4の画像記録媒体において、可視光の照射により発生した負の電荷を蓄電部に蓄積するようにすれば、読取用光導電層として高い暗抵抗を有し、正の電荷の移動度が大きいa−Seを利用することができるので、より感度の向上を図ることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の放射線画像記録媒体の第1の実施の形態について説明する。図1は本実施形態の放射線画像記録媒体の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)である。
【0027】
本実施形態の放射線画像記録媒体10は、ポリイミドシート1の表面にGd2O2S:Tb3+を含む波長変換層2を形成したスクリーン12と、このスクリーン12から発せられた光の照射により発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層15とを接着剤層3により貼り合わせたものである。
【0028】
スクリーン12における波長変換層2は、上記のように放射線の照射により主に緑系(波長は545nm程度)の光を発するGd2O2S:Tb3+をシンチレータとして含むものである。
【0029】
接着剤層3は、波長変換層2において発生した光を透過する材料から形成されている。
【0030】
電荷発生層15は、波長変換層2から発せられた緑系の光を透過する第1の電極層4、第1の電極層4を透過した光の照射により導電性を呈する有機半導体からなる記録用光導電層5、記録用光導電層5において発生した電荷のうち負電荷に対しては略絶縁体として作用し、且つ正電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送層6、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層7、読取光を透過する第2の電極層8、および読取光を透過するガラス基板9をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層5と読取用電荷輸送層6との界面には、記録用光導電層5内で発生した電荷を収集するマイクロプレート6aが設けられている。なお、本実施形態の画像記録媒体10は、第1の電極層に負の電圧が印加された状態で放射線画像の記録を行うものであり、記録用光導電層5と読取用電荷輸送層6との間に形成される蓄電部に、放射線の照射により発生した負電荷を蓄積することにより放射線画像の記録を行うものである。
【0031】
記録用光導電層5は、波長変換層2で発生した緑系の光の照射により導電性を呈する有機半導体で形成されたものであり、その材料としては、たとえば、金属フタロシアニンが適しており、厚さは2μm程度が好ましい。
【0032】
読取用光導電層7としては、読取光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、a−Se、Se−Te、Se−As−Te、a−Si、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、MgPc(Magnesium phtalocyanine)、VoPc(phaseII of Vanadyl phthalocyanine)、CuPc(Cupper phtalocyanine)などのうち少なくとも1を主成分とするものが好適である。なお、読取光は、たとえば、図1に示すような、X方向に多数のLEDが一直線状に配列されてなるライン光源80をY方向に移動させることにより放射線画像記録媒体10全体に照射される。読取用光導電層7の材料としてa−Seを使用した場合には、読取光の波長は460nm程度であることが望ましい。また、読取用光導電層7の材料としてa−Si、フタロシアニンを使用した場合には、読取光の波長は525nm程度であることが望ましい。
【0033】
マイクロプレート6aは、たとえば、真空蒸着または化学的堆積を用いて読取用電荷輸送層6上に堆積され、金、銀、アルミニウム、銅、クロム、チタン、白金などの単一金属や酸化インジウムなどの合金で、極めて薄い膜で作ることができる。上記のようにマイクロプレート6aを設けることにより、読取用電荷輸送層6と読取用光導電層7との界面に蓄積された電荷を読み取る際、マイクロプレート6a全体に帯電した電荷をその中心部に引き寄せることが可能となり、電荷をより十分に放電させることができ、読残しを少なくすることができる。
【0034】
第1の電極層4としては、可視光を透過するものであればよいが、好ましくは100Å程度の厚さのAu膜である。
【0035】
第2の電極層8としては、読取光を透過するものであればよく、例えば、共に、ネサ皮膜(SnO2)、ITO(Indium Tin Oxide)、アモルファス状光透過性酸化膜であるIDIXO(Idemitsu Indium X−metal Oxide ;出光興産(株))などを50〜200nm厚にして用いることができる。
【0036】
また、第2の電極層8は多数のエレメント(線状電極)8aを画素ピッチで配列してなるストライプ電極である。本実施形態では、各エレメント8aの間に絶縁物が配されることなく、次の層である読取用光導電層7が直ちに積層されており、エレメント8aのみで第2の電極層8が構成されるが、各エレメント8aの間に絶縁物を配するようにしてもよい。なお、第1の電極層4も第2の電極層8と同様にストライプ電極で構成するようにしてもよい。
【0037】
上記第1の実施の形態の放射線画像記録媒体によれば、記録用光導電層5として赤や緑などの可視光の波長帯域の光に対して量子効率の高い有機半導体を利用するようにしたので、緑や赤などの可視光の波長帯域の光に対する感度の向上は図ることができる。また、第1の電極層4をAu薄膜としたので、可視光の照射の際、第1の電極層4にマイナス電圧を印加するようにすれば、第1の電極層4と有機半導体の界面で電界集中が発生し、電極からの電子のトンネル注入による電荷増倍現象が生じるので、より大きな感度の向上を図ることができる。
【0038】
次に、本発明の放射線画像記録媒体の第2の実施の形態について説明する。図2は本実施形態の放射線画像記録媒体の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)である。
【0039】
本実施の形態の放射線画像記録媒体40は、上記実施の形態と同様に、スクリーン12と、このスクリーン12から発せられた光の照射により発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層50とを接着剤層3により貼り合わせたものである。
【0040】
本実施の形態の電荷蓄積層50は、スクリーン23から発せられた緑系の光を透過する第1の電極層51、第1の電極層51から後述する記録用光導電層53への電荷の注入を防ぐとともに記録光導電層53の界面結晶化を抑制するブロッキング層52、第1の電極層51およびブロッキング層52を透過した緑系の光の照射に対して導電性を呈する記録用光導電層53、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層55、読取光を透過する第2の電極層56、および読取光を透過するガラス基板57をこの順に積層してなるものである。そして、記録用光導電層53と読取用光導電層55との界面には、記録用光導電層53内で発生した電荷を蓄積する蓄電部54が形成されている。
【0041】
第1の電極層51はITOまたはIZOから形成されている。
【0042】
ブロッキング層52は、a−SeにAsを5〜10%ドープしたものであり、その厚さは0.05μm程度が好ましい。
【0043】
記録用光導電層53は、TeおよびAsを含むa−Seからなるものであり、その割合はTeが15%、Asが5%、a−Seが80%である。また、記録用光導電層53の厚さは2μm程度が好ましい。
【0044】
蓄電部54はAs2Se3から形成されるトラップ層であり、このトラップ層に記録用光導電層53において発生した電荷が蓄積される。
【0045】
読取用光導電層55および第2の電極層56については、上記第1の実施の形態と同様である。
【0046】
上記第2の実施の形態の放射線画像記録媒体によれば、記録用光導電層53として赤や緑などの可視光の波長帯域の光に対して量子効率の高いTeを含むa−Seを利用するようにしたので、緑や赤などの可視光の波長帯域の光に対する感度の向上は図ることができる。さらに、読取用光導電層55をa−Se、蓄電部54をAs2Se3により形成するようにすれば、読取用光導電層55、蓄電部54および記録用光導電層53を真空蒸着装置で真空状態を維持したまま成膜することができるので、不純物などをより少なくすることができ特性の向上を図ることができる。
【0047】
次に、本発明の放射線画像記録媒体の第3の実施の形態について説明する。図3は本実施形態の放射線画像記録媒体の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)である。
【0048】
本実施の形態の放射線画像記録媒体20は、上記第1の実施の形態におけるスクリーン12と、このスクリーン12から発せられた光の照射により発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層30とを接着剤3により貼り合わせたものである。
【0049】
本実施の形態の電荷蓄積層30は、波長変換層2から発せられた緑系の光を透過する第1の電極層31、第1の電極層31を透過した光を透過するとともに第1の電極層31を透過した光の照射により後述する記録用電荷発生層33において発生した正負の電荷のうち正の電荷のみに対して導電性を有する記録用電荷輸送層32、第1の電極層31および記録用電荷輸送層32を透過した光の照射により導電性を呈する記録用電荷発生層33、記録用電荷発生層33において発生した負電荷に対しては略絶縁体として作用し、且つ正電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送層34、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層35、読取光を透過する第2の電極層36、および読取光を透過するガラス基板37をこの順に積層してなるものである。
【0050】
第1の電極層31はITOまたはIZOにより形成されている。
【0051】
記録用電荷輸送層32はTPD(Triphenyldiamine)のポリカーボン分散膜により形成されている。その厚さは10μm程度が望ましい。
【0052】
記録用電荷発生層33は、波長変換層2で発生した緑系の光の照射により導電性を呈する有機半導体で形成されたものであり、その材料としては、たとえば、金属フタロシアニンが適しており、厚さは0.1μm程度が好ましい。
【0053】
その他の構成要素については第1の実施の形態と同様である。
【0054】
上記第3の実施の形態の放射線画像記録媒体によれば、第1の電極層31と読取用電荷輸送層34との間に記録用電荷発生層33と記録用電荷輸送層32とを設けるようにしたので、記録用電荷発生層33の厚さを薄くすることができ、暗電流を減少させ感度の向上を図ることができる。また、第1の電極層31と読取用電荷輸送層34との距離を5〜10μm程度とすることができるので、可視光の照射時に第1の電極層31に適切な大きさの電圧を印加するようにすることができる。したがって、この印加電圧の大きさに応じて発生する読取用光導電層35の電界強度を適切な大きさとすることができ、適切な感度を得ることができる。
【0055】
次に、本発明の放射線画像記録媒体の第4の実施の形態について説明する。図4は本実施形態の放射線画像記録媒体の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)である。
【0056】
本実施の形態の放射線画像記録媒体60は、上記第1の実施の形態におけるスクリーン12と、このスクリーン12から発せられた光の照射により発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層70とを接着剤層3により貼り合わせたものである。
【0057】
本実施の形態の電荷蓄積層70は、波長変換層2から発せられた緑系の光を透過する第1の電極層71、第1の電極層71から後述する記録用電荷発生層73への電荷の注入を防ぐとともに電荷発生層73の界面結晶化を抑制するブロッキング層72、第1の電極層71およびブロッキング層72を透過した光により導電性を呈する記録用電荷発生層73、記録用電荷発生層73において発生した正負の電荷のうち負の電荷のみに対して導電性を有する記録用電荷輸送層74、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層76、読取光を透過する第2の電極層77、および読取光を透過するガラス基板78をこの順に積層してなるものである。そして、記録用電荷輸送層74と読取用光導電層76との界面には、記録用電荷発生層73内で発生し、記録用電荷輸送層74において輸送された負電荷を蓄積する蓄電部75が形成されている。
【0058】
第1の電極層71はITOまたはIZOから形成されている。
【0059】
ブロッキング層72は、a−SeにAsを5〜10%ドープしたものであり、その厚さは0.05μm程度が好ましい。
【0060】
記録用電荷発生層73は、TeおよびAsを含むa−Seからなるものであり、その割合はTeが15%、Asが5%、a−Seが80%である。また、記録用光導電層53の厚さは2μm程度が好ましい。
【0061】
記録用電荷輸送層74はa−SeにAsを0.35%ドープしたものであり、その厚さは10μm程度であることが好ましい。
【0062】
蓄電部75、読取用光導電層76および第2の電極層77については、上記第2の実施の形態と同様である。
【0063】
上記第4の実施の形態の放射線画像記録媒体によれば、第1の電極層71と蓄電部75の間に記録用電荷発生層73と記録用電荷輸送層74とを設けるようにしたので、上記第2の実施の形態の放射線画像記録媒体と同様の効果を得ることができる。さらに、記録用電荷発生層73をTeを含むa−Seにより形成し、記録用電荷輸送層74をa−Seにより形成し、蓄電部75をAs2Se3により形成し、読取用光導電層76をa−Seにより形成するようにすれば、読取用光導電層76、蓄電部75、記録用電荷輸送層74および記録用電荷発生層73を真空蒸着装置で真空状態を維持したまま成膜することができるので、不純物などをより少なくすることができ特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放射線画像記録媒体の第1の実施の形態の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)
【図2】本発明の放射線画像記録媒体の第2の実施の形態の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)
【図3】本発明の放射線画像記録媒体の第3の実施の形態の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)
【図4】本発明の放射線画像記録媒体の第4の実施の形態の概略構成を示す斜視図(A)およびその一部の断面図(B)
【符号の説明】
1 ポリイミドシート
2 波長変換層
3 接着剤層
4,31,51,71 第1の電極層
5,53 記録用光導電層
6,34 読取用電荷輸送層
6a,34a マイクロプレート
7,35,55,76 読取用光導電層
8,36,56,77 第2の電極層
9,37,57,78 ガラス基板
10,20,40,60 放射線画像記録媒体
15,30,50,70 電荷蓄積層
32,74 記録用電荷輸送層
33,73 記録用電荷発生層
54,75 蓄電部
52,72 ブロッキング層
80 ライン光源[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an image recording medium for recording image information by accumulating charges generated by irradiation of recording light.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a radiographic image recording medium for recording radiographic image information by accumulating an amount of electric charge corresponding to the dose of radiation such as irradiated X-rays in a power storage unit has been widely used in medical radiography and the like. Various types have been proposed. The radiation image information recorded on the radiation image recording medium is read by scanning the radiation image recording medium with spot light or line light.
[0003]
As a radiation image recording medium as described above,
[0004]
The radiographic image recording medium accumulates electric charges generated by direct exposure of the recording photoconductive layer to radiation, but in
[0005]
Here, in recent years, there has been a demand for a portable radiation image recording medium that can be easily carried and can be used in various imaging modes.
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2000-105297
[Problems to be solved by the invention]
However, the radiation image recording medium of the type that directly converts the recording radiation beam into electric charges as described above is a portable radiation image in which the recording photoconductive layer is thick and uses a high voltage, so that it is difficult to secure a ground potential. It is not necessarily suitable for a recording medium. On the other hand, a radiation image recording medium of a type provided with a wavelength conversion layer that converts recording radiation into visible light has a low voltage because the recording photoconductive layer may be thin, and is suitable for a portable radiation image recording medium. However, a wavelength conversion layer having an acicular crystal structure such as CsI is not suitable as a wavelength conversion layer for a portable radiation image recording medium because it is difficult to prevent destruction when dropped.
[0008]
For this reason, it is conceivable to use a wavelength conversion layer having impact resistance, for example, a phosphor screen made of Gd 2 O 2 S: Tb 3+ and an organic binder. In that case, Gd 2 O 2 S : It is necessary that the photoconductive layer for recording has sensitivity even for green (545 nm) emission of Tb 3+ .
[0009]
Furthermore, in recent years, an image recording medium having sensitivity to fluorescent light of various wavelengths such as green and red has been desired for application in the field of genetic diagnosis.
[0010]
For such green and red wavelengths, a-Se, which has been conventionally used as a material for a photoconductive layer for recording, does not have good quantum efficiency and cannot obtain sufficient sensitivity.
[0011]
In view of the circumstances as described above, it is an object of the present invention to provide an image recording medium having good sensitivity to light in the visible wavelength band such as green and red.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The first image recording medium of the present invention comprises a first electrode layer that transmits visible light for recording, and an organic semiconductor that exhibits photoconductivity with respect to irradiation of visible light that has passed through the first electrode layer. A photoconductive layer for recording; a power storage unit for accumulating charges generated in the photoconductive layer for recording; a photoconductive layer for reading that exhibits photoconductivity when irradiated with electromagnetic waves for reading; and a first electrode that transmits the electromagnetic waves for reading. Two electrode layers are laminated in this order.
[0013]
Here, “consisting of an organic semiconductor” includes not only those formed only from organic semiconductors but also those containing organic semiconductors as the main component and other substances.
[0014]
In the first image recording medium of the present invention, the first electrode layer can be made of a metal thin film and can be applied with a negative voltage when irradiated with visible light.
[0015]
The second image recording medium of the present invention includes a first electrode layer that transmits visible light for recording and Te that exhibits photoconductivity with respect to irradiation of visible light transmitted through the first electrode layer. A recording photoconductive layer made of -Se, a power storage unit for accumulating charges generated in the recording photoconductive layer, a reading photoconductive layer that exhibits photoconductivity when irradiated with an electromagnetic wave for reading, and an electromagnetic wave for reading And a second electrode layer that transmits light is laminated in this order.
[0016]
Here, “made of a-Se containing Te” is not only formed of aSe containing Te, but also includes those containing a main component of a-Se containing Te and other substances. Shall be included.
[0017]
The third image recording medium of the present invention includes a first electrode layer that transmits visible light for recording, and a recording that transmits visible light and has conductivity only for charges of either positive or negative polarity. Charge transport layer, recording charge generation layer exhibiting photoconductivity with respect to irradiation of visible light transmitted through the first electrode layer and recording charge transport layer, and the other polarity generated in the recording charge generation layer And a second electrode layer that transmits the reading electromagnetic wave, and a second electrode layer that transmits the reading electromagnetic wave in this order. It is a feature.
[0018]
Here, as the “recording charge transport layer”, a hole transport material used in an organic photoreceptor that is transparent to visible light and transports positive charges can be used.
[0019]
The fourth image recording medium of the present invention includes a first electrode layer that transmits visible light for recording, and a charge generation layer for recording that exhibits photoconductivity by irradiation of visible light that has transmitted through the first electrode layer. , A recording charge transport layer having conductivity only with respect to positive or negative charge generated in the recording charge generation layer, and any one of the polar charges generated in the recording charge generation layer And a second electrode layer that transmits the electromagnetic wave for reading and is laminated in this order. To do.
[0020]
【The invention's effect】
According to the first image recording medium of the present invention, since the organic semiconductor having high quantum efficiency is used for the light in the wavelength band of visible light such as red and green as the recording photoconductive layer, The sensitivity to light in the visible wavelength band such as red can be improved.
[0021]
In the first image recording medium, the first electrode layer is a metal thin film, for example, a metal thin film made of a metal that easily aggregates, such as Au, and is applied to a negative voltage when irradiated with visible light. In this case, electric field concentration occurs at the interface between the first electrode layer and the organic semiconductor, and a charge multiplication phenomenon occurs due to tunnel injection of electrons from the electrode, so that greater sensitivity can be improved.
[0022]
According to the second image recording medium of the present invention, the recording photoconductive layer uses a-Se containing Te having high quantum efficiency for light in the visible wavelength band such as red and green. Therefore, the sensitivity to light in the visible wavelength band such as green and red can be improved. Furthermore, if the reading photoconductive layer is formed of a-Se and the power storage unit is formed of As 2 Se 3 , the reading photoconductive layer, the power storage unit, and the recording photoconductive layer are maintained in a vacuum state by a vacuum deposition apparatus. Since the film can be formed as it is, impurities and the like can be reduced and characteristics can be improved.
[0023]
According to the third image recording medium of the present invention, since the recording charge generation layer and the recording charge transport layer are provided between the first electrode layer and the power storage unit, the thickness of the recording charge generation layer is increased. The thickness can be reduced, the dark current can be reduced, and the sensitivity can be improved. In addition, since the distance between the first electrode layer and the power storage unit can be about 5 to 10 μm, an appropriate voltage is applied to the first electrode layer when visible light is irradiated. it can. Therefore, the electric field strength of the reading photoconductive layer generated according to the magnitude of the applied voltage can be set to an appropriate level, and an appropriate sensitivity can be obtained.
[0024]
According to the fourth image recording medium of the present invention, since the recording charge generation layer and the recording charge transport layer are provided between the first electrode layer and the power storage unit, the third image recording medium is provided. The same effect can be obtained. Further, the recording charge generation layer is formed of a-Se containing Te, the recording charge transport layer is formed of a-Se, the power storage unit is formed of As 2 Se 3 , and the reading photoconductive layer is formed of a- If formed by Se, the reading photoconductive layer, the power storage unit, the recording charge transport layer and the recording charge generation layer are combined with the reading photoconductive layer, the power storage unit and the recording photoconductive layer with a vacuum deposition apparatus. Since a film can be formed while maintaining a vacuum state, impurities and the like can be reduced and characteristics can be improved.
[0025]
Further, in the first to fourth image recording media, if negative charges generated by irradiation with visible light are accumulated in the power storage unit, the reading photoconductive layer has a high dark resistance and is positive. Since a-Se having a high charge mobility can be used, the sensitivity can be further improved.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a first embodiment of a radiation image recording medium of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view (A) showing a schematic configuration of the radiation image recording medium of the present embodiment and a partial cross-sectional view (B) thereof.
[0027]
The radiation
[0028]
The
[0029]
The
[0030]
The
[0031]
The recording photoconductive layer 5 is formed of an organic semiconductor that exhibits conductivity when irradiated with green light generated in the
[0032]
The reading
[0033]
The
[0034]
The first electrode layer 4 is not particularly limited as long as it transmits visible light, but is preferably an Au film having a thickness of about 100 mm.
[0035]
The
[0036]
The
[0037]
According to the radiographic image recording medium of the first embodiment, the recording photoconductive layer 5 uses an organic semiconductor having high quantum efficiency for light in the visible wavelength band such as red or green. Therefore, it is possible to improve sensitivity to light in the wavelength band of visible light such as green and red. In addition, since the first electrode layer 4 is an Au thin film, when a negative voltage is applied to the first electrode layer 4 during irradiation with visible light, the interface between the first electrode layer 4 and the organic semiconductor is used. Since electric field concentration occurs and a charge multiplication phenomenon occurs due to electron tunnel injection from the electrode, a greater improvement in sensitivity can be achieved.
[0038]
Next, a second embodiment of the radiation image recording medium of the present invention will be described. FIG. 2 is a perspective view (A) showing a schematic configuration of the radiation image recording medium of the present embodiment and a partial cross-sectional view (B) thereof.
[0039]
The radiation
[0040]
The
[0041]
The
[0042]
The
[0043]
The
[0044]
The
[0045]
The read
[0046]
According to the radiation image recording medium of the second embodiment, the
[0047]
Next, a third embodiment of the radiation image recording medium of the present invention will be described. FIG. 3 is a perspective view (A) showing a schematic configuration of the radiation image recording medium of the present embodiment and a partial cross-sectional view (B) thereof.
[0048]
The radiation
[0049]
The
[0050]
The
[0051]
The recording
[0052]
The recording
[0053]
Other components are the same as those in the first embodiment.
[0054]
According to the radiation image recording medium of the third embodiment, the recording
[0055]
Next, a fourth embodiment of the radiation image recording medium of the present invention will be described. FIG. 4 is a perspective view (A) showing a schematic configuration of the radiation image recording medium of the present embodiment and a partial cross-sectional view (B) thereof.
[0056]
The radiation
[0057]
The
[0058]
The
[0059]
The
[0060]
The recording
[0061]
The recording
[0062]
The
[0063]
According to the radiographic image recording medium of the fourth embodiment, the recording
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a perspective view showing a schematic configuration of a radiation image recording medium according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2A is a perspective view showing a schematic configuration of a second embodiment of the radiation image recording medium of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a perspective view (A) showing a schematic configuration of a third embodiment of the radiographic image recording medium of the present invention and a sectional view (B) of a part thereof.
FIG. 4A is a perspective view showing a schematic configuration of a fourth embodiment of a radiographic image recording medium of the present invention, and FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (5)
該第1の電極層を透過した前記可視光の照射に対して光導電性を呈する有機半導体からなる記録用光導電層と、
該記録用光導電層において発生した電荷を蓄積する蓄電部と、
読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、
前記読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とする画像記録媒体。A first electrode layer that transmits visible light for recording;
A recording photoconductive layer made of an organic semiconductor exhibiting photoconductivity with respect to the irradiation of the visible light transmitted through the first electrode layer;
A power storage unit for accumulating charges generated in the recording photoconductive layer;
A photoconductive layer for reading that exhibits photoconductivity by irradiation with electromagnetic waves for reading;
An image recording medium comprising: a second electrode layer that transmits the electromagnetic wave for reading, which is laminated in this order.
該第1の電極層を透過した前記可視光の照射に対して光導電性を呈するTeを含むa−Seからなる記録用光導電層と、
該記録用光導電層において発生した電荷を蓄積する蓄電部と、
読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、
前記読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とする画像記録媒体。A first electrode layer that transmits visible light for recording;
A recording photoconductive layer comprising a-Se containing Te exhibiting photoconductivity with respect to the irradiation of the visible light transmitted through the first electrode layer;
A power storage unit for accumulating charges generated in the recording photoconductive layer;
A photoconductive layer for reading that exhibits photoconductivity by irradiation with electromagnetic waves for reading;
An image recording medium comprising: a second electrode layer that transmits the electromagnetic wave for reading, which is laminated in this order.
前記可視光を透過するとともに、正負いずれか一方の極性の電荷に対してのみ導電性を有する記録用電荷輸送層と、
前記第1の電極層および前記記録用電荷輸送層を透過した可視光の照射に対して光導電性を呈する記録用電荷発生層と、
該記録用電荷発生層において発生した他方の極性の電荷を蓄積する蓄電部と、
読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、
前記読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とする画像記録媒体。A first electrode layer that transmits visible light for recording;
A charge transport layer for recording that transmits the visible light and has conductivity only with respect to a positive or negative charge; and
A recording charge generation layer exhibiting photoconductivity with respect to irradiation with visible light transmitted through the first electrode layer and the recording charge transport layer;
A power storage unit for accumulating the charge of the other polarity generated in the recording charge generation layer;
A photoconductive layer for reading that exhibits photoconductivity by irradiation with electromagnetic waves for reading;
An image recording medium comprising: a second electrode layer that transmits the electromagnetic wave for reading, which is laminated in this order.
前記第1の電極層を透過した可視光の照射により光導電性を呈する記録用電荷発生層と、
該記録用電荷発生層において発生した電荷の正負いずれか一方の極性の電荷に対してのみ導電性を有する記録用電荷輸送層と、
前記記録用電荷発生層において発生した前記いずれか一方の極性の電荷を蓄積する蓄電部と、
読取用の電磁波の照射により光導電性を呈する読取用光導電層と、
前記読取用の電磁波を透過する第2の電極層とをこの順に積層してなることを特徴とする画像記録媒体。A first electrode layer that transmits visible light for recording;
A recording charge generation layer that exhibits photoconductivity by irradiation of visible light transmitted through the first electrode layer;
A recording charge transport layer having conductivity only with respect to positive or negative charge generated in the recording charge generation layer;
A power storage unit that accumulates the charge of any one of the polarities generated in the recording charge generation layer;
A photoconductive layer for reading that exhibits photoconductivity by irradiation with electromagnetic waves for reading;
An image recording medium comprising: a second electrode layer that transmits the electromagnetic wave for reading, which is laminated in this order.
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