【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パネル状の画像表示装置を構成する２枚の基板間に、耐大気圧性を高めるために挟み込まれるスペーサーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、スペーサーの製造方法としては、絶縁性材料の母材を加熱して必要な細さのスペーサー本体へと延伸し、スペーサー本体の冷却途中で、スペーサー本体の相対向する二つの周側面に導電性材料を塗布して導電性膜を形成すると共に、スペーサー本体の他の周側面に高抵抗膜を形成することで、帯電を防止しやすいスペーサーとする方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記製造方法によると、断面形状が母材とほぼ相似形をなすスペーサー本体が得られることから、母材の断面形状を整えておくことで、所望の断面形状の細いスペーサー本体を容易に形成することができ、板材からの切り出し加工などに比べてはるかに効率よく細いライン状のスペーサーを製造することができる。
【０００４】
また、パネル状の画像形成装置は、通常、複数の電子放出素子（冷陰極）及びこれらの電子放出素子を駆動するための配線などを備えた電子源基板と、電子放出素子から照射される電子線により発光して画像を形成する蛍光体及び対向電極（メタルバック）などを備えた蛍光体基板とを、真空雰囲気に維持される空間（隙間）をあけて対向配置したもので、スペーサーは電子源基板と蛍光体基板間に挟み込まれる。上記製造方法で得られたスペーサーは、一方の導電性膜を、蛍光体基板のメタルバックなどに電気的に接続し、他方の導電性膜を電子源基板上の配線に電気的に接続することで、表面の高抵抗膜に微弱電流を流すことができ、画像の歪みの原因となるスペーサーのチャージアップを防止することができる利点もある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３１１６０５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通常、ライン状のスペーサーは、断面長方形の細棒状又は細板状で、相対向する二つの周側面（通常、断面短辺側の周側面；突き当て面）をそれぞれ対向配置される電子源基板と蛍光体基板に突き当てて取り付けられることになる。このスペーサーの突き当て面に、製造時に出っ張りや突起が形成されたり、突き当て箇所に異物が挟み込まれると、両基板間を真空引きしたときに局所的に応力が集中し、スペーサーが破損しやすくなる問題がある。また、スペーサーのコーナー部は、製造工程でクラックが発生しやすい箇所で、このクラックによって強度が低下している箇所も破損しやすくなる。このため、スペーサーは、少なくとも突き当て面が平滑に仕上がっているものしか使用できず、製品検査の負担となっていると共に、スペーサーの製造歩留まりを悪くする原因となっている。
【０００７】
更に、従来の製造方法では、スペーサー表面の高抵抗膜と、電子源基板の配線及び蛍光体基板のメタルバックとの電気的接続を良好なものとし、この接続部における電位の集中を防止するために、スペーサーの突き当て面に導電性材料による導電性膜を形成しているが、均一な導電性膜を効率よく形成しにくい問題がある。また、電子源基板と蛍光体基板間の真空雰囲気空間に露出される周側面（通常、断面長辺側の周側面；露出面）にまで導電性材料がはみ出して塗布されやすく、当該箇所と高抵抗膜間に電位むらを生じ、スペーサーの露出面の電位を一定に保ちにくくなりやすい問題もある。
【０００８】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、スペーサーの突き当て面に多少の凹凸が存在したりコーナー部に多少のクラックが存在しても、これらによる破損を防止しつつ使用することができるスペーサーを容易に製造することができるようにし、もってスペーサーの製品検査の負担軽減と製造歩留まりを向上させることができるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的のために、本発明は、母材を加熱・延伸する工程を有するスペーサーの製造方法において、相対向する位置に溝を形成した母材を用い、該母材を溝の長さ方向に延伸し、線材を、周面の一部が外方に突出した状態で、延伸途中又は延伸後の溝に埋め込むことを特徴とするスペーサーの製造方法を提供するものである。
【００１０】
以下、本発明の好ましい態様及び応用例を列挙する。
【００１１】
（１）母材を加熱・延伸する工程を有するスペーサーの製造方法において、相対向する位置に溝を形成した母材を用い、該母材を溝の長さ方向に延伸した後の冷却途中で、線材を、周面の一部が外方に突出した状態で延伸後の溝に埋め込むことを特徴とするスペーサーの製造方法。
【００１２】
（２）母材を加熱・延伸する工程を有するスペーサーの製造方法において、相対向する位置に、周面の一部を外方に突出させて線材を埋設した母材を用い、母材と共に線材を加熱すると共に、該母材を線材の長さ方向に線材と共に延伸することを特徴とするスペーサーの製造方法。
【００１３】
（３）溝が三角溝又は台形溝であることを特徴とする上記本発明又は（１）項に記載のスペーサーの製造方法。
【００１４】
（４）絶縁性材料の母材と、導電性材料の線材とを用い、しかも延伸材の表面に、線材に電気的に接続された高抵抗膜を形成する工程を有することを特徴とする上記本発明、（１）項、（２）項又は（３）項に記載のスペーサーの製造方法。
【００１５】
（５）高抵抗膜のシート抵抗が、１０７〜１０１４Ω／□であることを特徴とする上記（４）項に記載のスペーサーの製造方法。
【００１６】
上記のうち、特に（４）項のスペーサーの製造方法によれば、表面に高抵抗膜を設けたスペーサーを製造する際に、この高抵抗膜を電子源基板側と蛍光体基板側とに確実に電気的に接続できるようにするための導電性材料を、スペーサーの突き当て面内に確実に納めて設置できるものである。
【００１７】
（６）母材を加熱・延伸する工程を有するスペーサーの製造方法において、
長手方向、短手方向を有する母材を用い、該母材を長手方向に延伸し、線材を、周面の一部が外方に突出した状態で、延伸途中又は延伸後の母材の短手方向の端部に埋め込むことを特徴とするスペーサーの製造方法。
【００１８】
上記（６）においても、安価の方法で線材を端部に有するスペーサの提供が可能となる。尚、上述発明の溝を設ける構成は、線材の配置精度向上の効果を有する好ましい形態であり、線材が母材の端部から突出しいれば本願発明としては十分である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の一例を図１〜図５に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係るスペーサーの製造方法の一例を示す説明図、図２は母材に形成する溝の断面形状の説明図、図３は得られるスペーサーの拡大斜視図、図４はスペーサーの取り付け状態の一例を示す断面図、図５は本発明の効果の説明図である。
【００２１】
図１中１は、加熱・延伸可能な絶縁性材料で構成された母材である。この母材１を構成する、加熱・延伸可能な絶縁性材料としては、通常、ガラスが用いられる。更に具体的には、例えば元素ガラス、酸化物ガラス、フッ化物ガラス、塩化物ガラス、硫化物ガラスなどから選択することができる。これらのうち、加工性の点からは、酸化物ガラス（例えばケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラスなど）が好ましい。
【００２２】
本発明の方法によると、母材１を必要な細さまで加熱延伸することでスペーサー本体２が得られ、このスペーサー本体２は、断面形状が母材１の断面形状とぼほ相似形となることから、母材１の形状は、所望のスペーサー本体２の断面形状に応じた相似形としておくことが好ましい。
【００２３】
図示される母材１は、断面長方形となっているが、母材１の断面形状は正方形や等脚台形などとすることもできる。この母材１の断面における各コーナーは、面取り加工や丸味付加工（Ｒ加工）が施された形状となっていることが好ましい。このような加工を施しておくことによって、得られるスペーサー本体２の各コーナーも相似形に形成され、コーナーに発生しやすいクラックを防止しやすくなると同時に、直線が交差した形状のコーナーに生じやすい電位の集中を防止しやすくなる。
【００２４】
上記母材１の断面短辺側の周側面には、それぞれ延伸方向に延びた溝４が形成されている。この溝４は、後で線材５を埋め込んで保持させるためのもので、図２（ｃ）に示される矩形溝でもよいが、図２（ａ）の三角溝や同（ｂ）の台形溝のように側面が傾斜した断面形状としておくと、開口幅が広いので線材５を押し込みやすく、また傾斜側面６で線材５の押し込み方向が案内されるので、安定して中央に押し込みやすくなる。
【００２５】
上記溝４は、スペーサー３の突き当て面となる、スペーサー本体２の対向する二つの周側面に形成されるもので、例えば断面長方形の母材１の場合、通常、断面短辺に対応する二つの面に形成され、断面等脚台形の母材１の場合、断面上底と下底に対応する二つの面に形成される。また、スペーサー３は、その左右に位置する電子放出素子への影響を均一化して画像の歪みを押さえることができるよう、断面形状が左右対称であることが好ましく、何れの場合も、溝４はその形成面の幅方向中央に形成することが好ましい。
【００２６】
溝４の形成は、例えばダイシングソウによって行うことができる。このダイシングソウによる方法は、ガラスを機械的な手法で掘るものであり、ダイシングソウの刃先によって溝４の幅及び溝４の形状が決まるので、溝４を精度よく容易に形成することができる。また、正確な溝４の位置を得るために、精度の良い機構が構成できる精密パルスモーターなどを使用することが好ましい。その他の溝４の加工法としては、サンドブラストやエッチングなどが挙げられる。
【００２７】
上記母材１は、送り出しローラ７間に挟まれて保持されている。送り出しローラ７は母材１を挟み込んで回転され、挟み込んでいる母材１をゆっくりとした速度Ｖ１で送り出すものとなっている。
【００２８】
母材１の下部に対応して、当該下部を加熱するためのヒーター８が設けられている。また、このヒーター８の更に下方には、引き取りローラー９が設けられている。この引き取りローラー９は、加熱軟化されて引き伸ばされた母材１の端部を挟み込んで、送り出しローラー７の周速より早い回転され、挟み込んだ部分を上記送り出しローラー７の送り出し方向と同じ方向に、送り出し速度Ｖ１より速い引き取り速度Ｖ２で移動させるものとなっている。
【００２９】
ヒーター８と引き取りローラー９の間では、線材ボビン１０から線材５が引き出され、案内ローラー１１によってヒーター８による加熱領域内に導かれて、延伸途中の母材１の溝４に対して押し込みローラー１２によって押し込まれるものとなっている。この線材５は、スペーサー３の取り付け時に、スペーサー３の突き当て面を対向する取り付け面から浮かせ、突き当て面に微小な突起などが存在しても、これが対向する取り付け面に直接接触しないようにするためのものである。線材５は、絶縁性でも導電性でもよいが、耐熱性及び機械的強度に優れ、取り扱いやすいことから、通常、金属が用いられる。金属は、単一金属でも合金でもよいが、母材１を構成する、加熱・延伸可能な絶縁性材料と近似した熱膨張率のものであることが好ましい。また、線材５の断面形状は特に制限はないが、一般的には円形である。
【００３０】
まず、母材１の下部をヒーター８で加熱して軟化させ、引き伸ばして端部を引き取りローラ７間に挟み込むと共に、線材５を溝４に押し込む。この状態で送り出しローラ７と引き取りローラ９をそれぞれ回転させると、速度Ｖ１とＶ２（Ｖ１＜Ｖ２）の差によって、加熱軟化した母材１が延伸され、延伸方向に直角方向の断面積がＳ１の母材１が、延伸方向に直角方向の断面積がＳ１より小さいＳ２となった細いスペーサー本体２へと延伸される。速度Ｖ１とＶ２を、Ｓ１×Ｖ１＝Ｓ２×Ｖ２を満たすように設定することで、所望の断面積Ｓ２のスペーサー本体２を得ることができる。また、この延伸と同時に、線材５が順次線材ボビン１０から引き出されて、溝４に埋め込まれる。このときの加熱温度は、母材１を構成する材料の種類や加工形状にもよるが、母材１をガラスとした場合、通常は５００〜８００℃が好ましい。
【００３１】
延伸途中の溝４に対して線材５を押し込むようにすると、押し込み圧力によって延伸途中の母材１が多少変形しても、後の延伸により是正することができると共に、後の延伸によって溝４が狭まり、しっかり線材５を保持しやすくなるので好ましい。しかし、押し込み圧力を加えやすいことから、延伸完了後に線材５を溝４に押し込むこともできる。延伸完了後に溝４に線材５を押し込む場合、冷却完了後に線材５を押し込んで溝４に嵌合させてもよいが、延伸されたスペーサー本体２がある程度の軟化状態を保っている冷却完了前に線材５を押し込むと、大きな変形を生じさせることなくしっかり溝４へ埋め込みやすいので好ましい。
【００３２】
上記溝４への線材５の埋め込みは、線材５の周面の一部が外部に突出した状態となるように行われる。つまり、線材の溝４への埋め込み側を腹、その反対側を背とすると、背が外部に突き出した状態となるように行われる。
【００３３】
このようにして得られたスペーサー３は、必要に応じて適宜の長さに切断して使用される。この切断は、例えば引き取りローラー９の下流にカッター（図示されていない）を設けておき、連続して送られて来る長尺スペーサー３を所定間隔で切断することで行うことができる。
【００３４】
上述の例では、溝４を有する母材１を用い、この母材１の加熱・延伸途中又は加熱・延伸後に、溝４に線材５を押し込んでいるが、当初から母材１の溝４の位置に線材５を埋設しておき、母材１と線材５を同時に加熱・延伸することでも同様のスペーサー３を得ることができる。
【００３５】
即ち、相対向する位置に、周面の一部を外方に突出させて線材５を埋設した母材１を用い、母材１と共に線材５を加熱すると共に、該母材１を線材５の長さ方向に線材５と共に延伸することでもスペーサー３を製造することができる。
【００３６】
この場合、線材５の構成材料としては、加熱・延伸時の温度下で母材１と近似した延伸可能な粘度となる材料を選択することが好ましい。
【００３７】
上記のようにして得られたスペーサー３は、図４に示されるように、電子源基板１３と蛍光体基板１４間に挟み込まれる。図４において、１５，１６は電子源基板１３上に絶縁層（図示されていない）を介して行・列方向に交差して配置された配線、１７はこの配線１５，１６に接続されて駆動される電子放出素子、１８と１９は蛍光体基板１４上に設けられたブラックマトリクスと蛍光体、２０は更にその上に設けられた、電子加速電圧印加用のメタルバック、２１，２２，２３は、気密パネルを構成するためのリアプレート、フェースプレート、支持枠である。
【００３８】
図４においてスペーサー３は、一方の線材５が電子源基板１３上の配線１５に押し当てられ、他方の線材が蛍光体基板１４上のブラックマトリクス１８の位置に対応するメタルバック２０に押し当てられている。
【００３９】
本発明によって製造された線材５付のスペーサー３の場合、スペーサー３の突き当て面から線材５が突出しているので、図４において配線１５とメタルバック２０に直接接触するのは線材５であり、スペーサー３の突き当て面自体はこれらから離間された状態となる。従って、図５に示されるように、スペーサー３の突き当て面に突起２４が形成されていたり、スペーサー５の突き当て面端部のコーナー部にクラック２５が形成されていても、これらが直接配線１５やメタルバック２０に当接して負荷を受けることがないので、これらの存在に起因するスペーサー３の破損を防止することができる。
【００４０】
次に、チャージアップ防止機能を有する、図６に示されるスペーサー３’の製造方法について説明する。
【００４１】
まず、図６に示されるスペーサー３’について説明すると、このスペーサー３’は、加熱・延伸可能な絶縁性材料で構成されたスペーサー本体２と、その突き当て面に埋め込まれた線材５とを有する点は図３に示されるスペーサー３と同様であるが、表面に高抵抗膜２６が形成されており、線材５はこの高抵抗膜２６と電気的に接続されていて、しかも導電性材料で構成されている。このスペーサー３’は、一旦図３に示されるスペーサーを製造した後、その表面に、線材５に電気的に接続した状態で高抵抗膜２６を形成することで得ることができる。図３に示されるスペーサー３を製造するまでの手順は上述したとおりである。
【００４２】
スペーサー３’の取り付け状態は図７に示すとおりで、基本的に図４に示すスペーサー３の取り付け状態と同一である。なお、図７において、図４と同じ符号は同じ部材を示すものである。
【００４３】
図６に示されるスペーサー３’における線材５は、前述したように、スペーサー３’の突き当て面を配線１５やメタルバック２０から浮かせて、図５に示す突起２４やクラック２５による破損防止を図る機能だけでなく、高抵抗膜２６と配線１５及びメタルバック２０との電気的接続を良好なものとする電極としての役割をなす。
【００４４】
更に図７について説明すると、リアプレート２１、フェースプレート２２、支持枠２３で構成される気密パネルは、例えばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、４００〜５００℃で１０分以上焼成することにより封着封着される。この気密容器の内部は１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空に保持されるので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的で、耐大気圧構造体としすべくスペーサ３′が設けられている。
【００４５】
リアプレ−ト２１には、電子源基板１３が固定されている。この電子源基板１３上には電子放出素子１７がＮ×Ｍ個形成されている（Ｎ，Ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。例えば、高品位テレビジョンの表示を目的とした表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上の数を設定することが望ましい。）。
【００４６】
上記Ｎ×Ｍ個の電子放出素子１７は、Ｍ本の配線１５（行方向）とＮ本の配線１６（列方向）により単純マトリクス配線されており、マルチ電子源を構成している。配線１５と配線１６の交差する部分には層間絶縁層（不図示）が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。
【００４７】
上記マルチ電子源は、あらかじめ電子源基板１６上に配線１５，１６、層間絶縁層（不図示）、素子電極（不図示）、素子電極間に跨る導電性薄膜（不図示）を形成した後、配線１５，１６を介して各素子電極間の導電性薄膜に通電処理を施し、各導電性薄膜に電子放出部となる亀裂を形成した後、炭素含有ガスの存在下で更に各素子電極間に電圧を印加する活性化処理を施し、電子放出素子１７として、表面伝導形電子放出素子を多数形成することで得ることができる。
【００４８】
フェ−スプレ−ト２２の下面に設けられている蛍光体１９は、カラ−表示の場合、赤、緑、青の３原色の蛍光体に塗り分けられる。
【００４９】
スペーサー３’は、前述のように、絶縁性材料で構成されたスペーサー本体２の表面に、帯電防止を目的とした高抵抗膜２６を成膜し、かつ蛍光体基板１４の内面に位置するメタルバック２０と、電子源基板１３の内面に位置する配線１５（配線１６でもよい）とに面した突き当て面に、電極としての機能をも有する前記線材５を設けたもので、要求される耐大気圧構造を満たすのに必要な数だけ、かつ必要な間隔をおいて配置されている。
【００５０】
高抵抗膜２６は、絶縁性のスペーサー本体２の表面のうち、少なくとも気密容器内の真空中に露出している面を覆っており、導電性の線材５を介して、メタルバック２０及び配線１５に電気的に接続されている。
【００５１】
スペーサー３’としては、電子源基板１３上の配線１５，１６と蛍光体基板１４上のメタルバック２０間に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつその表面への帯電を防止する程度の導電性を有することが好ましい。
【００５２】
高抵抗膜２６は、上記帯電防止が得られる程度の導電性を有するもので、この高抵抗膜２６には、高電位側であるメタルバック２０に印加される加速電圧を、帯電防止膜である高抵抗膜２６の抵抗値で除した値の電流が流れる。そこで、高抵抗膜２６の抵抗値は、帯電防止及び消費電力から、その望ましい範囲に設定される。帯電防止の観点からは、高抵抗膜２６の表面抵抗は１０１４Ω／□以下であることが好ましい。十分な帯電防止効果を得るためには１０１１Ω／□以下であることがより好ましい。表面抵抗の下限は、スペーサー３′の形状とスペーサー３′間に印加される電圧により左右されるが、１０７Ω／□以上であることが好ましい。
【００５３】
高抵抗膜２６を構成する材料の表面エネルギー及びスペーサー本体２との密着性や温度によっても異なるが、一般的に１０ｎｍ以下の薄膜は島状に形成され、抵抗が不安定で再現性に乏しいことから、高抵抗膜２６の厚みは１０ｎｍ以上が望ましい。
【００５４】
スペーサー３′は、高抵抗膜２６に電流が流れることにより、あるいはディスプレイ全体が動作中に発熱することにより、その温度が上昇する。高抵抗膜２６の抵抗温度係数が大きな負の値であると、温度が上昇した時に抵抗値が減少し、高抵抗膜２６に流れる電流が増加し、更に温度上昇をもたらす。そして、電流は電源の限界を超えるまで増加し続ける。このような電流の暴走が発生する抵抗温度係数の値は経験的に負の値で絶対値が１％以上である。即ち、高抵抗膜２６の抵抗温度係数は−１％未満であることが望ましい。
【００５５】
帯電防止特性を有する高抵抗膜２６の材料としては、例えば金属酸化物を用いることができる。金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の酸化物が好ましい材料である。その理由は、これらの酸化物は二次電子放出効率が比較的小さく、電子放出素子１７から放出された電子がスペーサー３’に当たった場合においても帯電しにくいためである。金属酸化物以外では、炭素が二次電子放出効率が小さく、好ましい材料である。特に、高抵抗であるため、非晶質カーボンが好ましい。
【００５６】
高抵抗膜２６の他の材料として、アルミと遷移金属合金の窒化物を挙げることができる。このアルミと遷移金属合金の窒化物は、遷移金属の組成を調整することにより、良伝導体から絶縁体まで広い範囲に抵抗値を制御できる。また、画像表示装置の作製工程において抵抗値の変化が少なく安定な材料であり、かつ、その抵抗温度係数が−１％未満であり、実用的に使いやすい材料である。遷移金属元素としてはＴｉ，Ｃｒ，Ｔａなどが挙げられる。
【００５７】
アルミと遷移金属合金の窒化物による高抵抗膜２６の形成は、スパッタ、窒素ガス雰囲気中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着法などの薄膜形成手段により行うことができる。金属酸化膜による高抵抗膜２６の形成も、同様の薄膜形成法で作製することができるが、この場合、窒素ガスに代えて酸素ガスを使用する。その他、ＣＶＤ法、アルコキシド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。カーボン膜による高抵抗膜２６の形成は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などで行うことができ、特に非晶質カーボンで形成する場合には、成膜中の雰囲気に水素が含まれるようにするか、成膜ガスに炭化水素ガスを使用する。
【００５８】
その他の高抵抗膜２６の材料としては、炭素、珪素、ゲルマニウムを有した窒化物、酸化物、炭化物、ホウ化物なども用いることができる。
【００５９】
尚、以上の例においては、溝４を有する母材１を用いているが、溝４を形成していない母材１を用い、これを延伸して側面に線材５を押し込むことでスペーサー３，３’を形成することも可能である。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、スペーサーの突き当て面に多少の凹凸が存在したりコーナー部に多少のクラックが存在しても、これらによる破損を防止しつつ使用することができるスペーサーを容易に製造することができ、スペーサーの製品検査の負担軽減と製造歩留まりを向上させることができるものである。また、更に高抵抗膜を形成する工程を有するものとすれば、この高抵抗膜を電子源基板側と蛍光体基板側とに確実に電気的に接続できるようにするための導電性材料を、スペーサーの突き当て面内に確実に納めて設置することができ、該導電性材料がはみ出すことによる電位の乱れをのないスペーサーを容易に得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスペーサーの製造方法の一例を示す説明図である。
【図２】母材に形成する溝の断面形状の説明図である。
【図３】得られるスペーサーの拡大斜視図である。
【図４】図３に示されるスペーサーの取り付け状態の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の効果の説明図である。
【図６】本発明により得られる他のスペーサーの拡大斜視図である。
【図７】図６に示されるスペーサーの取り付け状態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 母材
２ スペーサー本体
３ スペーサー
３’ スペーサー
４ 溝
５ 線材
６ 傾斜側面
７ 送り出しローラー
８ ヒーター
９ 引き取りローラー
１０ 線材ボビン
１１ 案内ローラー
１２ 押し込みローラー
１３ 電子源基板
１４ 蛍光体基板
１５ 配線
１６ 配線
１７ 電子放出素子
１８ ブラックマトリクス
１９ 蛍光体
２０ メタルバック
２１ リアプレート
２２ フェースプレート
２３ 支持枠
２４ 突起
２５ クラック
２６ 高抵抗膜[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a spacer that is sandwiched between two substrates constituting a panel-shaped image display device in order to increase atmospheric pressure resistance.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a method of manufacturing a spacer, a base material of an insulating material is heated and stretched into a spacer body having a required thickness, and during cooling of the spacer body, conductive is applied to two opposing peripheral side surfaces of the spacer body. There is known a method in which a conductive material is applied to form a conductive film and a high resistance film is formed on the other peripheral side surface of the spacer body to form a spacer that is easily prevented from being charged (for example, Patent Document 1). 1).
[0003]
According to the above manufacturing method, a spacer main body having a cross-sectional shape substantially similar to that of the base material can be obtained. Therefore, by adjusting the cross-sectional shape of the base material, a thin spacer main body having a desired cross-sectional shape can be easily formed. This makes it possible to manufacture a thin linear spacer much more efficiently than, for example, cutting out from a plate material.
[0004]
In addition, a panel-shaped image forming apparatus usually includes an electron source substrate including a plurality of electron-emitting devices (cold cathodes) and wiring for driving these electron-emitting devices, and an electron beam emitted from the electron-emitting devices. A phosphor that emits light by lines to form an image and a phosphor substrate having a counter electrode (metal back) and the like are arranged to face each other with a space (gap) maintained in a vacuum atmosphere. It is sandwiched between the source substrate and the phosphor substrate. The spacer obtained by the above manufacturing method is such that one conductive film is electrically connected to a metal back of the phosphor substrate and the other conductive film is electrically connected to wiring on the electron source substrate. Thus, there is also an advantage that a weak current can flow through the high-resistance film on the surface, and charge-up of the spacer, which causes image distortion, can be prevented.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2000-31605 A
[Problems to be solved by the invention]
By the way, usually, a linear spacer is a thin rod or a thin plate having a rectangular cross section, and two opposing peripheral side surfaces (usually, a peripheral side surface on the short side of the cross section; abutting surface) are arranged opposite to each other. It will be attached to the source substrate and the phosphor substrate. If protrusions or protrusions are formed on the abutment surface of this spacer during manufacturing or foreign matter is caught in the abutment location, stress is locally concentrated when vacuum is applied between both substrates, and the spacer is easily damaged. There is a problem. Further, the corners of the spacer are locations where cracks are likely to occur in the manufacturing process, and the locations where the strength is reduced by the cracks are also easily damaged. For this reason, only spacers having at least a smooth butted surface can be used, which imposes a burden on product inspection and causes a decrease in spacer production yield.
[0007]
Furthermore, in the conventional manufacturing method, the electrical connection between the high-resistance film on the surface of the spacer, the wiring of the electron source substrate and the metal back of the phosphor substrate is improved, and the concentration of potential at this connection portion is prevented. In addition, although a conductive film made of a conductive material is formed on the abutting surface of the spacer, there is a problem that it is difficult to efficiently form a uniform conductive film. In addition, the conductive material protrudes to the peripheral side surface (usually, the peripheral side surface on the long side of the cross section; exposed surface) exposed to the vacuum atmosphere space between the electron source substrate and the phosphor substrate, so that the conductive material is easily applied to the peripheral side surface. There is also a problem that potential unevenness occurs between the resistive films and it is difficult to keep the potential of the exposed surface of the spacer constant.
[0008]
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and is used while preventing damage due to these, even if there are some irregularities on the abutting surface of the spacer or some cracks on the corners. An object of the present invention is to make it possible to easily manufacture a spacer that can be manufactured, thereby reducing the burden of product inspection of the spacer and improving the production yield.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the first object, the present invention provides a method of manufacturing a spacer having a step of heating and stretching a base material, wherein a base material having grooves formed at opposing positions is used, and The present invention provides a method for producing a spacer, characterized in that the wire is stretched in the longitudinal direction and the wire is buried in a groove during or after stretching in a state where a part of the peripheral surface protrudes outward.
[0010]
Hereinafter, preferred embodiments and application examples of the present invention will be listed.
[0011]
(1) In a method for manufacturing a spacer having a step of heating and stretching a base material, a base material having grooves formed at opposing positions is used, and the base material is stretched in the longitudinal direction of the grooves, and is cooled during the cooling. A method of manufacturing a spacer, comprising: burying a wire in a groove after stretching in a state where a part of a peripheral surface protrudes outward.
[0012]
(2) In a method of manufacturing a spacer having a step of heating and stretching a base material, a base material in which a part of a peripheral surface is protruded outward to embed a wire material at a position facing each other, and the wire material is used together with the base material. And heating the base material and stretching the base material along with the wire in the length direction of the wire.
[0013]
(3) The method for producing a spacer according to the above (1), wherein the groove is a triangular groove or a trapezoidal groove.
[0014]
(4) The method as described above, further comprising the step of using a base material of an insulating material and a wire of a conductive material and forming a high-resistance film electrically connected to the wire on the surface of the stretched material. The method for producing a spacer according to the present invention, (1), (2) or (3).
[0015]
(5) The method for producing a spacer according to the above item (4), wherein the sheet resistance of the high resistance film is 10 7 to 10 14 Ω / □.
[0016]
Among the above, in particular, according to the method of manufacturing a spacer according to the above mode (4), when manufacturing a spacer having a high-resistance film provided on the surface, the high-resistance film is securely attached to the electron source substrate side and the phosphor substrate side. A conductive material for making electrical connection to the spacer can be securely placed in the abutting surface of the spacer and can be installed.
[0017]
(6) In a method for manufacturing a spacer having a step of heating and stretching a base material,
Using a base material having a longitudinal direction and a transverse direction, the base material is stretched in the longitudinal direction, and the wire is stretched in a state in which a part of the peripheral surface protrudes outward, during the stretching or after the stretching of the base material. A method of manufacturing a spacer, wherein the spacer is embedded in an end in a hand direction.
[0018]
Also in the above (6), it is possible to provide a spacer having a wire at an end by an inexpensive method. The configuration of providing the groove according to the above-described invention is a preferable embodiment having the effect of improving the arrangement accuracy of the wire, and it is sufficient for the present invention if the wire protrudes from the end of the base material.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An example of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0020]
FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a method of manufacturing a spacer according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory view of a cross-sectional shape of a groove formed in a base material, FIG. 3 is an enlarged perspective view of an obtained spacer, and FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the mounting state of FIG.
[0021]
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a base material made of a heatable and stretchable insulating material. Glass is usually used as the heatable and stretchable insulating material constituting the base material 1. More specifically, for example, it can be selected from elemental glass, oxide glass, fluoride glass, chloride glass, sulfide glass and the like. Among these, oxide glass (for example, silicate glass, phosphate glass, borate glass, borosilicate glass, etc.) is preferable from the viewpoint of processability.
[0022]
According to the method of the present invention, the spacer body 2 is obtained by heating and stretching the base material 1 to a required thinness, and the spacer body 2 has a cross-sectional shape similar to that of the base material 1. For this reason, it is preferable that the shape of the base material 1 be similar to the desired cross-sectional shape of the spacer body 2.
[0023]
Although the illustrated base material 1 has a rectangular cross-section, the cross-sectional shape of the base material 1 may be a square, an isosceles trapezoid, or the like. It is preferable that each corner in the cross section of the base material 1 has a shape subjected to chamfering or rounding (R processing). By performing such processing, the respective corners of the obtained spacer body 2 are formed in a similar shape, and it is easy to prevent cracks that are likely to occur at the corners, and at the same time, potentials that are likely to occur at the corners where straight lines intersect are formed. It is easy to prevent concentration.
[0024]
Grooves 4 extending in the extending direction are formed on the peripheral side surface of the base material 1 on the short side of the cross section. The groove 4 is for burying and holding the wire 5 later, and may be a rectangular groove shown in FIG. 2C, but may be a triangular groove shown in FIG. 2A or a trapezoidal groove shown in FIG. When the cross-sectional shape is such that the side surface is inclined as described above, the wire 5 is easy to be pushed because the opening width is wide, and the pushing direction of the wire 5 is guided by the inclined side surface 6, so that the wire 5 can be stably pushed into the center.
[0025]
The grooves 4 are formed on two opposing peripheral side surfaces of the spacer main body 2 that serve as abutting surfaces of the spacers 3. For example, in the case of the base material 1 having a rectangular cross section, two grooves corresponding to the short side of the cross section are usually used. In the case of the base material 1 which is formed on one surface and has a trapezoidal cross section, it is formed on two surfaces corresponding to the upper bottom and the lower bottom of the cross section. The spacer 3 preferably has a symmetrical cross-sectional shape so that the effects on the electron-emitting devices located on the left and right sides can be uniformed and the distortion of the image can be suppressed. It is preferably formed at the center of the forming surface in the width direction.
[0026]
The grooves 4 can be formed by, for example, a dicing saw. In the method using the dicing saw, glass is excavated by a mechanical method, and the width of the groove 4 and the shape of the groove 4 are determined by the cutting edge of the dicing saw. Therefore, the groove 4 can be easily formed with high precision. Further, in order to obtain an accurate position of the groove 4, it is preferable to use a precision pulse motor or the like which can constitute a highly accurate mechanism. Other processing methods of the groove 4 include sandblasting and etching.
[0027]
The base material 1 is held between the delivery rollers 7 and held. Feed roller 7 is made as to feed in the preform 1 is rotated by sandwiching, sandwiched by and the speed V 1 which was slowly preform 1.
[0028]
A heater 8 for heating the lower portion is provided corresponding to the lower portion of the base material 1. Further, a pickup roller 9 is provided below the heater 8. The take-off roller 9 is rotated faster than the peripheral speed of the delivery roller 7 while sandwiching the end of the base material 1 that has been heated and softened and stretched, and the sandwiched portion is rotated in the same direction as the delivery direction of the delivery roller 7. It has become one which moves at a speed V 2 take-off faster than the speed V 1 delivery.
[0029]
The wire 5 is drawn out from the wire bobbin 10 between the heater 8 and the take-up roller 9, guided into the heating area by the heater 8 by the guide roller 11, and pushed into the groove 4 of the base material 1 in the middle of stretching. Has been pushed. The wire 5 raises the abutting surface of the spacer 3 from the opposing mounting surface when the spacer 3 is mounted, so that even if a minute projection or the like is present on the abutting surface, it does not directly contact the opposing mounting surface. It is for doing. The wire 5 may be either insulative or conductive, but is usually made of metal because it has excellent heat resistance and mechanical strength and is easy to handle. The metal may be a single metal or an alloy, but preferably has a coefficient of thermal expansion similar to that of the heatable and stretchable insulating material constituting the base material 1. The cross-sectional shape of the wire 5 is not particularly limited, but is generally circular.
[0030]
First, the lower part of the base material 1 is heated and softened by the heater 8, stretched, the end part is sandwiched between the take-up rollers 7, and the wire 5 is pushed into the groove 4. When the feed roller 7 and the take-up roller 9 are rotated in this state, the heat-softened base material 1 is stretched due to the difference between the speeds V 1 and V 2 (V 1 <V 2 ), and the break in the direction perpendicular to the stretching direction. area preform 1 of S 1 is the cross-sectional area of the perpendicular direction to the extending direction is drawn into a thin spacer body 2 becomes S 1 is smaller than S 2. By setting the velocities V 1 and V 2 so as to satisfy S 1 × V 1 = S 2 × V 2 , it is possible to obtain the spacer body 2 having a desired cross-sectional area S 2 . Simultaneously with this stretching, the wire 5 is sequentially pulled out from the wire bobbin 10 and embedded in the groove 4. The heating temperature at this time depends on the type and processing shape of the material constituting the base material 1, but when the base material 1 is made of glass, it is usually preferably 500 to 800 ° C.
[0031]
If the wire 5 is pushed into the groove 4 in the course of stretching, even if the base material 1 in the course of stretching is slightly deformed by the pushing pressure, it can be corrected by the subsequent stretching, and the groove 4 can be corrected by the subsequent stretching. This is preferable because it narrows and makes it easier to hold the wire 5 firmly. However, since the pushing pressure is easily applied, the wire 5 can be pushed into the groove 4 after the stretching is completed. When the wire 5 is pushed into the groove 4 after the completion of the stretching, the wire 5 may be pushed into the groove 4 after the completion of the cooling, but before the completion of the cooling in which the stretched spacer body 2 maintains a certain softened state. It is preferable to push the wire 5 because it can be firmly embedded in the groove 4 without causing a large deformation.
[0032]
The wire 5 is embedded in the groove 4 so that a part of the peripheral surface of the wire 5 projects outside. In other words, when the side where the wire is embedded in the groove 4 is the belly and the opposite side is the back, the back is protruded to the outside.
[0033]
The spacer 3 thus obtained is cut to an appropriate length and used as needed. This cutting can be performed, for example, by providing a cutter (not shown) downstream of the take-off roller 9 and cutting the long spacers 3 that are continuously fed at predetermined intervals.
[0034]
In the above-described example, the base material 1 having the groove 4 is used, and the wire 5 is pushed into the groove 4 during the heating / stretching or after the heating / stretching of the base material 1. A similar spacer 3 can also be obtained by burying the wire 5 at the position and simultaneously heating and stretching the base material 1 and the wire 5.
[0035]
That is, at a position facing each other, a base material 1 in which a part of the peripheral surface is projected outward to embed a wire 5 is used, and the wire 5 is heated together with the base material 1 and the base material 1 is The spacer 3 can also be manufactured by extending in the length direction together with the wire 5.
[0036]
In this case, as the constituent material of the wire 5, it is preferable to select a material having a drawable viscosity similar to that of the base material 1 at the temperature during heating and drawing.
[0037]
The spacer 3 obtained as described above is sandwiched between the electron source substrate 13 and the phosphor substrate 14 as shown in FIG. In FIG. 4, wirings 15 and 16 are arranged on the electron source substrate 13 via an insulating layer (not shown) so as to intersect in the row and column directions, and 17 is connected to the wirings 15 and 16 and driven. The electron-emitting devices 18 and 19 are a black matrix and a phosphor provided on the phosphor substrate 14, and 20 is a metal back for applying an electron accelerating voltage further provided thereon. , A rear plate, a face plate, and a support frame for forming an airtight panel.
[0038]
In FIG. 4, the spacer 3 has one wire 5 pressed against the wiring 15 on the electron source substrate 13 and the other wire pressed against the metal back 20 corresponding to the position of the black matrix 18 on the phosphor substrate 14. ing.
[0039]
In the case of the spacer 3 with the wire 5 manufactured according to the present invention, since the wire 5 protrudes from the abutting surface of the spacer 3, the wire 5 directly contacts the wiring 15 and the metal back 20 in FIG. The abutment surface of the spacer 3 itself is separated from these. Therefore, as shown in FIG. 5, even if the projections 24 are formed on the abutting surface of the spacer 3 or the cracks 25 are formed at the corners of the abutting surface end of the spacer 5, they are not directly wired. Since the load does not come into contact with the metal back 15 or the metal back 20, the spacer 3 can be prevented from being damaged due to the presence thereof.
[0040]
Next, a method of manufacturing the spacer 3 ′ shown in FIG. 6 and having a charge-up preventing function will be described.
[0041]
First, the spacer 3 'shown in FIG. 6 will be described. The spacer 3' has a spacer main body 2 made of a heatable and stretchable insulating material, and a wire 5 embedded in its abutting surface. The point is the same as that of the spacer 3 shown in FIG. 3, except that a high-resistance film 26 is formed on the surface, and the wire 5 is electrically connected to the high-resistance film 26 and is made of a conductive material. Have been. This spacer 3 ′ can be obtained by manufacturing the spacer shown in FIG. 3 once, and then forming a high-resistance film 26 on the surface of the spacer while electrically connected to the wire 5. The procedure up to manufacturing the spacer 3 shown in FIG. 3 is as described above.
[0042]
The mounting state of the spacer 3 'is as shown in FIG. 7, and is basically the same as the mounting state of the spacer 3 shown in FIG. 7, the same reference numerals as those in FIG. 4 denote the same members.
[0043]
As described above, the wire 5 in the spacer 3 ′ shown in FIG. 6 raises the abutting surface of the spacer 3 ′ from the wiring 15 and the metal back 20 to prevent damage due to the protrusion 24 and the crack 25 shown in FIG. Not only does it function, but also serves as an electrode that improves the electrical connection between the high-resistance film 26 and the wiring 15 and metal back 20.
[0044]
Referring to FIG. 7, an airtight panel composed of a rear plate 21, a face plate 22, and a support frame 23 is formed by applying, for example, frit glass to a joint, and applying air at 400 to 500 ° C. in an air or nitrogen atmosphere. It is sealed by baking for more than a minute. Since the inside of the hermetic container is maintained at a vacuum of about 10 −6 Torr, a spacer 3 ′ is provided in order to prevent the hermetic container from being destroyed due to an atmospheric pressure or an unexpected impact. Have been.
[0045]
The electron source substrate 13 is fixed to the rear plate 21. N × M electron-emitting devices 17 are formed on the electron source substrate 13 (N and M are positive integers of 2 or more, and are appropriately set according to the target number of display pixels. For example, In a display device for displaying high-definition television, it is desirable to set N = 3000 and M = 1000 or more.)
[0046]
The N × M electron-emitting devices 17 are arranged in a simple matrix by M wirings 15 (row direction) and N wirings 16 (column direction), and constitute a multi-electron source. An interlayer insulating layer (not shown) is formed at a portion where the wiring 15 and the wiring 16 intersect, so that electrical insulation is maintained.
[0047]
In the multi-electron source, wirings 15 and 16, an interlayer insulating layer (not shown), an element electrode (not shown), and a conductive thin film (not shown) extending between the element electrodes are formed on an electron source substrate 16 in advance. After conducting a current to the conductive thin film between the device electrodes through the wirings 15 and 16 to form a crack serving as an electron emission portion in each conductive thin film, the conductive thin film is further interposed between the device electrodes in the presence of a carbon-containing gas. It can be obtained by performing activation processing for applying a voltage and forming a large number of surface conduction electron-emitting devices as the electron-emitting devices 17.
[0048]
In the case of color display, the phosphors 19 provided on the lower surface of the face plate 22 are separated into three primary color phosphors of red, green and blue.
[0049]
As described above, the spacer 3 ′ is formed by depositing the high-resistance film 26 for the purpose of preventing static electricity on the surface of the spacer body 2 made of an insulating material and forming the metal on the inner surface of the phosphor substrate 14. The abutting surface facing the back 20 and the wiring 15 (may be the wiring 16) located on the inner surface of the electron source substrate 13 is provided with the wire 5 also having a function as an electrode. As many as necessary to fill the atmospheric pressure structure and at the required spacing.
[0050]
The high resistance film 26 covers at least the surface of the insulating spacer body 2 that is exposed to the vacuum in the airtight container, and the metal back 20 and the wiring 15 via the conductive wire 5. Is electrically connected to
[0051]
The spacer 3 ′ has an insulating property enough to withstand a high voltage applied between the wirings 15 and 16 on the electron source substrate 13 and the metal back 20 on the phosphor substrate 14, and charges the surface thereof. It is preferable to have conductivity to such an extent that it can be prevented.
[0052]
The high-resistance film 26 has such a conductivity that the above-described antistatic property can be obtained. The high-resistance film 26 is formed by applying an acceleration voltage applied to the metal back 20 on the high potential side to an antistatic film. A current divided by the resistance value of the high resistance film 26 flows. Therefore, the resistance value of the high-resistance film 26 is set to a desirable range from the viewpoint of antistatic and power consumption. From the viewpoint of preventing static charge, the surface resistance of the high resistance film 26 is preferably 10 14 Ω / □ or less. In order to obtain a sufficient antistatic effect, it is more preferably 10 11 Ω / □ or less. The lower limit of the surface resistance depends on the shape of the spacer 3 'and the voltage applied between the spacers 3', but is preferably 10 7 Ω / □ or more.
[0053]
Although it depends on the surface energy of the material constituting the high-resistance film 26, the adhesion to the spacer body 2, and the temperature, a thin film having a thickness of 10 nm or less is generally formed in an island shape and has an unstable resistance and poor reproducibility. Therefore, the thickness of the high resistance film 26 is desirably 10 nm or more.
[0054]
The temperature of the spacer 3 'rises when a current flows through the high-resistance film 26 or when the entire display generates heat during operation. If the resistance temperature coefficient of the high resistance film 26 is a large negative value, the resistance value decreases when the temperature rises, the current flowing through the high resistance film 26 increases, and the temperature further rises. And the current continues to increase until it exceeds the limit of the power supply. The value of the temperature coefficient of resistance at which such runaway of current occurs is empirically a negative value and the absolute value is 1% or more. That is, the temperature coefficient of resistance of the high-resistance film 26 is desirably less than -1%.
[0055]
As a material of the high resistance film 26 having the antistatic property, for example, a metal oxide can be used. Among metal oxides, oxides of chromium, nickel, and copper are preferred materials. The reason for this is that these oxides have a relatively low secondary electron emission efficiency and are hardly charged even when electrons emitted from the electron-emitting device 17 hit the spacer 3 '. Other than metal oxides, carbon is a preferred material because of its low secondary electron emission efficiency. In particular, amorphous carbon is preferable because of its high resistance.
[0056]
As another material of the high resistance film 26, a nitride of aluminum and a transition metal alloy can be given. The resistance of this nitride of aluminum and transition metal alloy can be controlled in a wide range from a good conductor to an insulator by adjusting the composition of the transition metal. Further, the material is a material that is stable with little change in resistance value in a process of manufacturing an image display device and has a temperature coefficient of resistance of less than −1%, and is practically easy to use. Examples of the transition metal element include Ti, Cr, and Ta.
[0057]
The formation of the high-resistance film 26 using a nitride of aluminum and a transition metal alloy can be performed by a thin film forming means such as sputtering, reactive sputtering in a nitrogen gas atmosphere, electron beam evaporation, ion plating, or ion assisted evaporation. it can. The formation of the high-resistance film 26 by a metal oxide film can be also performed by a similar thin film formation method, but in this case, oxygen gas is used instead of nitrogen gas. In addition, a metal oxide film can be formed by a CVD method or an alkoxide coating method. The formation of the high-resistance film 26 using a carbon film can be performed by an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, a plasma CVD method, or the like. In particular, when the film is formed using amorphous carbon, hydrogen is added to the atmosphere during the film formation. It is included or a hydrocarbon gas is used as a deposition gas.
[0058]
As other materials for the high resistance film 26, nitrides, oxides, carbides, borides, and the like having carbon, silicon, and germanium can also be used.
[0059]
In the above example, the base material 1 having the groove 4 is used. However, the base material 1 having no groove 4 is used, and the base material 1 is stretched and the wire 5 is pushed into the side surface to thereby form the spacer 3, 3. It is also possible to form 3 '.
[0060]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, even if there is some unevenness on the abutting surface of the spacer or some cracks on the corners, a spacer that can be used while preventing damage due to these is provided. The spacer can be easily manufactured, and the burden of the product inspection of the spacer can be reduced and the manufacturing yield can be improved. Further, if the method further includes a step of forming a high resistance film, a conductive material for ensuring that this high resistance film can be electrically connected to the electron source substrate side and the phosphor substrate side, The spacer can be securely placed in the abutting surface of the spacer, and a spacer free from potential disturbance due to the protrusion of the conductive material can be easily obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a method for manufacturing a spacer according to the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of a cross-sectional shape of a groove formed in a base material.
FIG. 3 is an enlarged perspective view of the obtained spacer.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of an attached state of the spacer shown in FIG.
FIG. 5 is an explanatory diagram of an effect of the present invention.
FIG. 6 is an enlarged perspective view of another spacer obtained by the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of an attached state of the spacer illustrated in FIG. 6;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Spacer main body 3 Spacer 3 'Spacer 4 Groove 5 Wire rod 6 Inclined side 7 Delivery roller 8 Heater 9 Pick-up roller 10 Wire rod bobbin 11 Guide roller 12 Push-in roller 13 Electron source board 14 Phosphor substrate 15 Wiring 16 Wiring 17 Electron emission Element 18 Black matrix 19 Phosphor 20 Metal back 21 Rear plate 22 Face plate 23 Support frame 24 Projection 25 Crack 26 High resistance film
