JP2000251707A - Spacer for electron beam device, its manufacture, and electron beam device using it - Google Patents

Spacer for electron beam device, its manufacture, and electron beam device using it

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JP2000251707A
JP2000251707A JP11046873A JP4687399A JP2000251707A JP 2000251707 A JP2000251707 A JP 2000251707A JP 11046873 A JP11046873 A JP 11046873A JP 4687399 A JP4687399 A JP 4687399A JP 2000251707 A JP2000251707 A JP 2000251707A
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Japan
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spacer
film
manufacturing
substrate
irregularities
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JP11046873A
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Japanese (ja)
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Akira Hayama
彰 羽山
Yasuhiro Ito
靖浩 伊藤
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Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a good display image by adhering a film onto the surface of a substrate for forming a spacer, and forming the spacer having projections and recesses on the surface. SOLUTION: A substrate 1011 on which row-direction wiring 1013, column- direction wiring 1014, an inter-electrode insulating layer, an element electrode of a surface-conductive emission element and a conductive thin film are formed is fixed to a rear plate 1015. Structure supports 1020 are fixed onto the row- direction wirings 1013 on the substrate 1011, at equal intervals and in parallel with the row-direction wirings 1013. A face plate 1017 having a fluorescent film 1018 and a metal back 1019 on the inner surface is placed at 5 mm over the substrate 1011 via a side wall 1016, respective joint portions of the rear plate 1015, the face plate 1017, the side wall 1016, and the structure supports 1020 are fixed. A joint portion between the substrate 1011 and the rear plate 1015, a joint portion between the rear plate 1015 and the side wall 1016, and a joint portion between the face plate 1017 and the side wall 1016 are coated with flit glass, and are baked and sealed in atmosphere, at 400 deg.C or 500 deg.C, for 10 minutes or more.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スペーサ上の凹凸
およびその作成方法、及び凹凸を有するスペーサを応用
した画像表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an unevenness on a spacer and a method for forming the same, and an image display device using the spacer having the unevenness.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の2種類が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron emitting devices, a hot cathode device and a cold cathode device, are known.

【0003】このうち冷陰極素子では、たとえば表面伝
導型放出素子や、電界放出型素子(以下FE型と記す)
や、金属/絶縁層/金属型放出素子(以下MIM型と記
す)、などが知られている。
[0003] Among them, a cold cathode device is, for example, a surface conduction type emission device or a field emission type device (hereinafter referred to as FE type).
And a metal / insulating layer / metal type emission element (hereinafter referred to as MIM type).

【0004】表面伝導型放出素子としては、たとえば、
M.I.Elinson,Radio Eng.El
ectron Phys.,10,1290,(19
65)や、後述する他の例が知られている。
As a surface conduction type emission element, for example,
M. I. Elinson, Radio Eng. El
electron Phys. , 10, 1290, (19
65) and other examples described later.

【0005】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるSn
2薄膜を用いたものの他に、Au薄膜によるもの
[G.Dittmer:”Thin Solid Fi
lms”,9,317(1972)]や、In23/S
nO2薄膜によるもの[M.Hartwell and
C.G.Fonstad:”IEEE Trans.
ED Conf.”,519(1975)]や、カーボ
ン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、第26巻、第1
号、22(1983)]等が報告されている。
[0005] The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which electron emission occurs when a current flows in a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. As this surface conduction type emission element, Sn described by Elinson et al.
In addition to those using the O 2 thin film, those using the Au thin film [G. Dittmer: "Thin Solid Fi
lms ", 9,317 (1972)] and In 2 O 3 / S
nO 2 thin film [M. Hartwell and
C. G. FIG. Fonstad: "IEEE Trans.
ED Conf. , 519 (1975)] and those using carbon thin films [Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1
No. 22 (1983)].

【0006】前記のような電子放出素子を用いた画像形
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。
[0006] Among the image forming apparatuses using the above-mentioned electron-emitting devices, a flat display device having a small depth has attracted attention as a replacement for a cathode ray tube display device because of its space saving and light weight. .

【0007】図1は平面型の画像表示装置をなす表示パ
ネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すため
にパネルの一部を切り欠いて示している。図中、311
5はリアプレート、3116は側壁、3117はフェー
スプレートであり、リアプレート3115、側壁311
6およびフェースプレート3117により、表示パネル
の内部を真空に維持するための外囲器(気密容器)を形
成している。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a display panel portion forming a flat-panel image display device, in which a part of the panel is cut away to show the internal structure. In the figure, 311
5 is a rear plate, 3116 is a side wall, 3117 is a face plate, and a rear plate 3115, a side wall 311
6 and the face plate 3117 form an envelope (airtight container) for maintaining the inside of the display panel at a vacuum.

【0008】リアプレート3115には基板3111が
固定されているが、この基板3111上には冷陰極素子
3112が、N×M個形成されている。(N、Mは2以
上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適
宜設定される。)また、前記N×M個の冷陰極素子31
12は、図1に示すとおり、M本の行方向配線3113
とN本の列方向配線3114により配線されている。こ
れら基板3111、冷陰極素子3112、行方向配線3
113および列方向配線3114によって構成される部
分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。また、行方向配線31
13と列方向配線3114の少なくとも交差する部分に
は、両配線間に絶縁層(不図示)が形成されており、電気
的な絶縁が保たれている。
A substrate 3111 is fixed to the rear plate 3115. On this substrate 3111, N × M cold cathode elements 3112 are formed. (N and M are positive integers of 2 or more and are appropriately set according to the target number of display pixels.) Further, the N × M cold cathode elements 31 are used.
12 are M row-direction wirings 3113 as shown in FIG.
And N column direction wirings 3114. These substrate 3111, cold cathode element 3112, row direction wiring 3
The portion constituted by the 113 and the column direction wiring 3114 is called a multi-electron beam source. Also, the row direction wiring 31
An insulating layer (not shown) is formed between at least the portion where the column 13 and the column-directional wiring 3114 intersect, so that electrical insulation is maintained.

【0009】フェースプレート3117の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜3118が形成されており、赤
(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体(不図
示)が塗り分けられている。また、蛍光膜3118をな
す上記各色蛍光体の間には黒色体(不図示)が設けてあ
り、さらに蛍光膜3118のリアプレート3115側の
面には、Al等からなるメタルバック3119が形成さ
れている。
On the lower surface of the face plate 3117, a phosphor film 3118 made of a phosphor is formed, and phosphors of three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) (not shown) are applied. Divided. A black body (not shown) is provided between the phosphors of the respective colors constituting the fluorescent film 3118, and a metal back 3119 made of Al or the like is formed on the surface of the fluorescent film 3118 on the rear plate 3115 side. ing.

【0010】Dx1〜DxmおよびDy1〜Dynおよ
びHvは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気
的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子で
ある。Dx1〜Dxmはマルチ電子ビーム源の行方向配
線3113と、Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム源の
列方向配線3114と、Hvはメタルバック3119と
各々電気的に接続している。
Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn and Hv are electric connection terminals having an airtight structure provided for electrically connecting the display panel to an electric circuit (not shown). Dx1 to Dxm are electrically connected to the row direction wiring 3113 of the multi-electron beam source, Dy1 to Dyn are electrically connected to the column direction wiring 3114 of the multi-electron beam source, and Hv is electrically connected to the metal back 3119.

【0011】また、上記気密容器の内部は10のマイナ
ス6乗Torr程度の真空に保持されており、画像表示
装置の表示面積が大きくなるにしたがい、気密容器内部
と外部の気圧差によるリアプレート3115およびフェ
ースプレート3117の変形あるいは破壊を防止する手
段が必要となる。リアプレート3115およびフェース
プレート3116を厚くすることによる方法は、画像表
示装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見
たときに画像のゆがみや視差を生ずる。これに対し、図
1においては、比較的薄いガラス板からなり大気圧を支
えるための構造支持体(スペーサあるいはリブと呼ばれ
る。本出願では、以下スペーサという。)3120が設
けられている。このようにして、マルチビーム電子源が
形成された基板3111と蛍光膜3118が形成された
フェースプレート3116間は通常サブミリないし数ミ
リに保たれ、前述したように気密容器内部は高真空に保
持されている。
The interior of the hermetic container is maintained at a vacuum of about 10 −6 Torr, and as the display area of the image display device increases, the rear plate 3115 due to a pressure difference between the inside and the outside of the hermetic container. Further, means for preventing deformation or destruction of the face plate 3117 is required. The method of increasing the thickness of the rear plate 3115 and the face plate 3116 not only increases the weight of the image display device, but also causes image distortion and parallax when viewed from an oblique direction. On the other hand, in FIG. 1, a structural support (referred to as a spacer or a rib, hereinafter referred to as a spacer in the present application) 3120 made of a relatively thin glass plate and supporting the atmospheric pressure is provided. In this way, the distance between the substrate 3111 on which the multi-beam electron source is formed and the face plate 3116 on which the fluorescent film 3118 is formed is usually kept at a sub-millimeter to several millimeters, and the inside of the airtight container is kept at a high vacuum as described above. ing.

【0012】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Dx1ないしDxm、Dy1ないし
Dynを通じて各冷陰極素子3112に電圧を印加する
と、各冷陰極素子3112から電子が放出される。それ
と同時にメタルバック3119に容器外端子Hvを通じ
て数百[V]ないし数[kV]の高圧を印加して、上記
放出された電子を加速し、フェースプレート3117の
内面に衝突させる。これにより、蛍光膜3118をなす
各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
In the image display apparatus using the above-described display panel, when a voltage is applied to each cold cathode element 3112 through terminals Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn outside the container, electrons are emitted from each cold cathode element 3112. At the same time, a high voltage of several hundred [V] to several [kV] is applied to the metal back 3119 through the external terminal Hv to accelerate the emitted electrons and cause them to collide with the inner surface of the face plate 3117. As a result, the phosphors of each color forming the fluorescent film 3118 are excited and emit light, and an image is displayed.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】以上説明した画像表示
装置の表示パネルにおいては、以下のような問題点があ
った。
The display panel of the image display device described above has the following problems.

【0014】第1に、スペーサ3120の近傍から放出
された電子の一部がスペーサ3120に当たることによ
り、あるいは放出電子の作用でイオン化したイオンがス
ペーサに付着することにより、スペーサ帯電をひきおこ
す可能性がある。このスペーサの帯電により冷陰極素子
3112から放出された電子はその軌道を曲げられ、蛍
光体上の正規な位置とは異なる場所に到達し、スペーサ
近傍の画像がゆがんで表示される。
First, there is a possibility that spacer charging may be caused by a part of the electrons emitted from the vicinity of the spacer 3120 hitting the spacer 3120 or by ionization of the ions by the action of the emitted electrons to adhere to the spacer. is there. The electrons emitted from the cold cathode element 3112 due to the charging of the spacer are bent in their trajectories, reach a position different from the normal position on the phosphor, and the image near the spacer is distorted and displayed.

【0015】第2に、冷陰極素子3112からの放出電
子を加速するためにマルチビーム電子源とフェースプレ
ート3117との間には数百V以上の高電圧(即ち1k
V/mm以上の高電界)が印加されるため、スペーサ3
120表面での沿面放電が懸念される。特に、上記のよ
うにスペーサが帯電している場合は、放電が誘発される
可能性がある。
Second, in order to accelerate electrons emitted from the cold cathode device 3112, a high voltage of several hundred V or more (ie, 1 kV) is applied between the multi-beam electron source and the face plate 3117.
V / mm or more), the spacer 3
There is a concern about creeping discharge on the surface of the H.120. In particular, when the spacer is charged as described above, discharge may be induced.

【0016】この問題点を解決するために、スペーサに
微小電流が流れるようにして帯電を除去する提案がなさ
れている(特開昭57-118355、特開昭61-124031)。そこ
では絶縁性のスペーサの表面に適度の導電性を有する高
抵抗薄膜を形成することにより、スペーサ表面に微小電
流が流れるようにしている。ここで用いられている高抵
抗膜は酸化スズ、あるいは酸化スズと酸化インジウム混
晶薄膜や金属膜である。しかし、この高抵抗膜だけで
は、電子放出量が多いときに、帯電防止能力が不足する
場合がある。
In order to solve this problem, it has been proposed to remove a charge by causing a small current to flow through the spacer (Japanese Patent Laid-Open Nos. 57-118355 and 61-124031). Here, a high-resistance thin film having appropriate conductivity is formed on the surface of the insulating spacer so that a minute current flows on the surface of the spacer. The high resistance film used here is tin oxide or a mixed crystal thin film of tin oxide and indium oxide or a metal film. However, with only this high resistance film, the antistatic ability may be insufficient when the electron emission amount is large.

【0017】本発明は、上記従来のスペーサの問題点に
鑑みてなされたものであり、帯電が少なく、そのため画
像表示時の放電がなく良好な表示画像を得ることのでき
るスペーサを簡単に低コストに製造する方法を提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional spacer, and a spacer capable of obtaining a good display image without discharge during image display without charge is provided simply and at low cost. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の電子放
出素子を有する電子源を備えたリアプレートと、前記リ
アプレートと対向して設けられたフェイスプレートと、
前記リアプレートとフェースプレートとの間に配設され
2つのプレート間を維持するスペーサとを備えた電子線
装置に用いられるスペーサの製造方法であって、スペー
サ形成用の基板(以下、単にスペーサ基板という。)の
表面にフィルムを貼り付ける工程により、表面に凹凸を
有するスペーサを形成することを特徴とするスペーサの
製造方法に関する。
According to the present invention, there is provided a rear plate provided with an electron source having a plurality of electron-emitting devices, a face plate provided opposite to the rear plate,
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a spacer for use in an electron beam apparatus, comprising: a spacer disposed between the rear plate and the face plate to maintain a space between the two plates. The present invention relates to a method for producing a spacer, characterized in that a spacer having irregularities on the surface is formed by a step of attaching a film to the surface of the spacer.

【0019】本発明者の検討によれば、凹凸表面は平滑
表面よりも、実効的な二次電子放出係数が小さい。スペ
ーサ表面に凹凸を形成することによって、例えば高抵抗
薄膜等による帯電防止効果に加え、さらにスペーサ表面
の帯電を抑えることができるようになる。
According to the study of the present inventor, the effective secondary electron emission coefficient of the uneven surface is smaller than that of the smooth surface. By forming irregularities on the spacer surface, for example, in addition to an antistatic effect by a high-resistance thin film or the like, it is possible to further suppress the charging of the spacer surface.

【0020】本発明では、フィルムを用いることによ
り、凹凸の形状、凹凸の密度、凹凸の異方性、スペーサ
の部位による凹凸形態の変化等、設計幅が広い利点があ
る。
In the present invention, the use of the film has the advantage that the design width is wide, such as the shape of the unevenness, the density of the unevenness, the anisotropy of the unevenness, and the change in the unevenness shape depending on the spacer portion.

【0021】またフィルム材料に導電性物質を混合した
場合は、凹凸表面層に導電性を持たせることができるの
で、表面に帯電防止のための高抵抗膜を別途成膜しなく
てもすむようになり、製造コストを低減することができ
る。
When a conductive material is mixed with the film material, the surface of the concavo-convex surface can be made conductive, so that it is not necessary to separately form a high-resistance film on the surface to prevent charging. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.

【0022】また、導電性物質を混合しない場合でも、
スペーサ基板直接ではなく凹凸が形成された後のフィル
ム(フィルムの母材が残存する場合)またはその他の材
料(フィルムの母材が残存しない場合)の表面に成膜す
るので、その上に成膜する高抵抗膜層の材料に幅を持た
せることができる。
Further, even when the conductive material is not mixed,
The film is formed not on the spacer substrate but directly on the surface of the film (when the base material of the film remains) or other material (when the base material of the film does not remain) after the unevenness is formed. The width of the material of the high-resistance film layer can be increased.

【0023】本発明で製造されるスペーサは、平面型の
表示装置(電子線装置)に好適に用いられ、例えば図2
にその構造概略を示すように(詳細は後述)、複数の冷
陰極素子1012を形成した基板1011と発光材料で
ある蛍光膜1018を形成した透明なフェースプレート
1017とを本発明で形成したスペーサ1020を介し
て対向させて構成することができる。
The spacer manufactured by the present invention is suitably used for a flat display device (electron beam device).
As shown in FIG. 1 (which will be described in detail later), a spacer 1020 formed of a substrate 1011 on which a plurality of cold cathode elements 1012 are formed and a transparent face plate 1017 on which a fluorescent film 1018 as a light emitting material is formed by the present invention. Can be configured to face each other.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明で製造されるスペーサは、
例えば図2中に符号1020で示すよう平板型、円柱型
等の形状であり、少なくともスペーサの側面、即ち前記
リアプレートまたはフェイスプレートと当接していない
面に凹凸が設けられる。その際、その中でも特に電子が
当たる確率の高い部分だけに設けても良く、あるいは側
面の全面に設けてもよい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
For example, as shown by reference numeral 1020 in FIG. 2, the shape is a flat plate type, a cylindrical type, or the like, and at least the side surface of the spacer, that is, the surface not in contact with the rear plate or the face plate is provided with irregularities. At this time, the electrode may be provided only in a portion having a high probability of being hit by electrons, or may be provided on the entire side surface.

【0025】本発明で用いられるフィルムは、可とう性
があるもので以下の目的適するものであれば制限はない
が、一般的には高分子樹脂を母材とするものである。以
下、高分子樹脂の場合について説明するが、本発明で用
いるフィルムは、母材である高分子樹脂単独で形成され
るか、または高分子樹脂に必要に応じて後述するような
有機、無機粒子が添加されて形成されている。
The film used in the present invention is not limited as long as it has flexibility and is suitable for the following purposes, but is generally a polymer resin as a base material. Hereinafter, the case of a polymer resin will be described, but the film used in the present invention is formed of a polymer resin as a base material alone, or an organic or inorganic particle as described below as necessary for the polymer resin. Is formed.

【0026】また、フィルム貼り付け前に、予めスペー
サ基板を所定のスペーサ形状に加工したものを用意して
おき、フィルムを貼り付けてもよいし、あるいは大きい
スペーサ基板を用意しておき、フィルム貼り合わせ後の
適当な時期に切断してスペーサ形状としてもどちらでも
よい。
Before the film is pasted, a spacer substrate which has been processed into a predetermined spacer shape may be prepared in advance and a film may be pasted, or a large spacer substrate may be prepared and the film may be pasted. The spacer may be cut into a spacer shape at an appropriate time after the alignment.

【0027】また本発明では、スペーサ表面の凹凸が、
表面粗さRaで100Å〜100μmとなるようにする
と効果的に帯電を防止できる。
In the present invention, the irregularities on the spacer surface are
When the surface roughness Ra is set to 100 ° to 100 μm, charging can be effectively prevented.

【0028】本発明で用いられるフィルム、その材料、
製造方法についてそれぞれの特徴を表1にまとめた。
The film used in the present invention, its material,
Table 1 summarizes the characteristics of each of the manufacturing methods.

【0029】[0029]

【表1】 本発明で用いられるフィルムは、例えば高分子樹脂を母
材とする場合は、(i)母材である高分子樹脂単独でフ
ィルムが形成されている場合(高分子樹脂のフィル
ム)、(ii)母材である高分子樹脂の中に後述するよ
うな微粒子等の添加物が混入されている場合、(ii
i)母材である高分子樹脂の表面に後述するような微粒
子等の付着物が付着されている場合、(iv)さらに、
(ii)と(iii)の複合した形態等を取りうる。
[Table 1] The film used in the present invention is, for example, when a polymer resin is used as a base material, (i) when a film is formed of a polymer resin alone as a base material (polymer resin film), (ii) When additives such as fine particles as described later are mixed in the polymer resin as the base material, (ii)
i) When an adhering substance such as fine particles as described below is adhered to the surface of the polymer resin as the base material, (iv)
A composite form of (ii) and (iii) can be taken.

【0030】そして、用いられる母材の種類により、ス
ペーサが使用されるときにフィルムの母材が最終的に残
存するものと、残存しないものに分けられる。以下、そ
れぞれの場合に分けて説明する。
Depending on the type of the base material used, when the spacer is used, the base material of the film is divided into those that finally remain and those that do not remain. Hereinafter, each case will be described separately.

【0031】1.貼り付けたフィルムの母材が最終的に
残存する場合 (1−1)フィルムについて 貼り付けたフィルムの母材が残る場合は、電子線装置の
なかでその後の工程や、使用時に熱が加わるために、母
材としては耐熱性のもの(例えば耐熱性樹脂)が好まし
く、さらに高温での寸法安定性の高いものが好ましい。
このようなものとしては、高分子樹脂としては、ポリイ
ミド系樹脂(特に芳香族ポリイミド系樹脂)、ポリアミ
ド系樹脂(特に芳香族ポリアミド樹脂)、架橋ポリエチ
レン系樹脂、シリコンゴム系樹脂等を挙げることができ
る。特に耐熱温度が400℃以上で、熱膨張率が、95
[10-7/℃]以下(特に85[10-7/℃]以下)の
ものが好ましい。
1. When the base material of the pasted film finally remains (1-1) Regarding the film If the base material of the pasted film remains, heat is applied during subsequent processes and use in an electron beam device. In addition, the base material is preferably a heat-resistant material (for example, a heat-resistant resin), and more preferably a material having high dimensional stability at high temperatures.
Examples of such a polymer resin include a polyimide resin (especially an aromatic polyimide resin), a polyamide resin (especially an aromatic polyamide resin), a cross-linked polyethylene resin, and a silicone rubber-based resin. it can. In particular, when the heat resistance temperature is 400 ° C. or higher, the coefficient of thermal expansion
Those having a value of not more than [10 −7 / ° C.] (particularly not more than 85 [10 −7 / ° C.]) are preferable.

【0032】この中でも、ポリイミド系樹脂(特に芳香
族ポリアミド樹脂)は、耐熱性と寸法安定性の点で好ま
しい。このポリイミド樹脂製のフィルムの製法は、特に
制限はないが、例えば、シリンダーの内周面にポリアミ
ド酸を塗布した後に、塗布されたポリアミド酸を加熱し
てイミド化することで得られる。このイミド化における
加熱は、まず80〜180℃で20〜60分間加熱して
溶媒を除去し、次いで250〜400℃で20〜60分
間加熱することで行うことができる。これによりイミド
化時に生じる閉環水等を蒸発させるとともにイミド化が
完全に進行する。
Of these, polyimide resins (particularly aromatic polyamide resins) are preferred in view of heat resistance and dimensional stability. The method for producing the polyimide resin film is not particularly limited. For example, the film is obtained by applying a polyamic acid to the inner peripheral surface of a cylinder and then heating the applied polyamic acid to imidize it. Heating in this imidization can be performed by first heating at 80 to 180 ° C for 20 to 60 minutes to remove the solvent, and then heating at 250 to 400 ° C for 20 to 60 minutes. This evaporates the ring-closing water and the like generated during the imidation and completes the imidization.

【0033】尚、ポリアミド酸の塗布方法としては、特
に制限はなく、ドクターブレード、スピンナー等の通常
の塗布方法の他、例えば(i)ポリアミド酸溶液中に上
記シリンダーを浸漬した後引き上げることによって塗布
する方法、(ii)シリンダーの片端部付近にポリアミ
ド酸溶液を供給し弾丸状または球状の走行体をシリンダ
ー内周面に沿って走行させる方法等を挙げることができ
る。上記弾丸状または球状の走行体としては、金属製、
硬質プラスチック製、硬質ガラス製のものが挙げられ、
それを走行させる方法としては、圧縮空気圧やガス爆発
力等を利用して走行体を走行付勢させたり、牽引ワイヤ
等を利用して走行体を引っ張ったり、自重走行(シリン
ダーを垂直に立て走行体をその自重により走行)させた
りする等の方法がある。また、上記(i)の方法におい
て、シリンダー内周面にポリアミド酸溶液を塗布した
後、必要により弾丸状または球状の走行体をシリンダー
内周面に沿って走行させてもよい。
The method of applying the polyamic acid is not particularly limited. In addition to the usual coating method using a doctor blade, a spinner, or the like, for example, (i) the cylinder is dipped in a polyamic acid solution and then pulled up. And (ii) a method in which a polyamic acid solution is supplied near one end of a cylinder and a bullet-shaped or spherical traveling body is caused to travel along the inner peripheral surface of the cylinder. The bullet-shaped or spherical traveling body is made of metal,
Hard plastic, those made of hard glass,
As a method of traveling, the traveling body is biased by using compressed air pressure or gas explosive force, the traveling body is pulled by using a pulling wire, etc. For example, by running the body under its own weight). In the above method (i), after applying the polyamic acid solution to the inner peripheral surface of the cylinder, a bullet-shaped or spherical traveling body may be caused to travel along the inner peripheral surface of the cylinder, if necessary.

【0034】また、ポリイミド樹脂として、上記のよう
なポリアミド酸を前駆体として用いるもの以外でも、溶
媒可溶型のポリイミド樹脂の溶液を用いて、上記と同様
な方法によりフィルム化して用いてもよい。
As the polyimide resin, other than those using the above-mentioned polyamic acid as a precursor, a polyimide resin solution of a solvent-soluble type may be used to form a film by the same method as described above. .

【0035】以上のようにしてポリイミド樹脂製のフィ
ルムが得られ、このポリイミド樹脂製のフィルムをシリ
ンダーから取り出す。この場合、ポリイミド樹脂製のフ
ィルムの厚みは10〜100μmの範囲内になるよう形
成するのが好ましい。
As described above, a polyimide resin film is obtained, and the polyimide resin film is taken out of the cylinder. In this case, the polyimide resin film is preferably formed to have a thickness in the range of 10 to 100 μm.

【0036】(1−2)凹凸の形成方法について フィルム表面の凹凸の作製は、処理方法によりフィルム
を貼り付ける前に凹凸を形成する場合と、貼り付けた後
に処理をして凹凸を形成する場合があり、例えば以下の
方法が挙げられる。
(1-2) Regarding the method of forming unevenness The unevenness of the film surface is prepared by forming the unevenness before attaching the film by the processing method, or by forming the unevenness by processing after attaching the film. There are, for example, the following methods.

【0037】物理的削除手段により、フィルム表面を
粗面化して凹凸を形成する方法:例えばサンドブラス
ト、やすり等を用いてフィルム表面を粗面化することに
より凹凸を形成する。この方法は、フィルム貼り付けの
前後のどちらでも行いうるが一般的にはフィルム貼り付
け前に凹凸を形成し、凹凸が形成されているフィルムを
スペーサ基板に貼り付ける方が簡便である。
Method for forming irregularities by roughening the surface of the film by means of physical removal: For example, irregularities are formed by roughening the surface of the film using sandblasting, a file or the like. This method can be performed either before or after the film is attached. However, in general, it is more convenient to form irregularities before attaching the film and attach the film having the irregularities to the spacer substrate.

【0038】物理的押圧手段により、フィルム表面に
凹凸を形成する方法:例えばスタンプローラー等を用い
て形成することができる。この場合には、ストライプ状
の凹凸などを形成することが容易であり効率よく凹凸を
形成することができる。この方法は、貼り付け前のフィ
ルムに適用するのが好ましい。
Method for forming irregularities on the film surface by physical pressing means: For example, it can be formed using a stamp roller or the like. In this case, it is easy to form stripe-shaped irregularities, and the irregularities can be formed efficiently. This method is preferably applied to a film before pasting.

【0039】フィルムから特定の材料を化学的に除去
することにより表面に凹凸をつける方法:予めフィルム
中に、母材である高分子樹脂に加えフィルム形成後に除
去可能な微粒子等を混合させておき、フィルム形成後に
微粒子等を溶解(腐食等を含む。)することにより、フ
ィルムを多孔質化することができる。例えば、フィルム
中にシリカ粒子を混入し、フッ化水素酸水溶液でシリカ
成分を選択的に除去するなどの方法が適用できる。この
方法で、シリカ等の材料を除去する時期は、フィルム貼
り合わせの前後のどちらでも適用し得る。
A method of forming irregularities on a surface by chemically removing a specific material from a film: a polymer which is a base material is mixed in advance with fine particles which can be removed after the film is formed. The film can be made porous by dissolving (including corrosion) the fine particles and the like after the film is formed. For example, a method of mixing silica particles in a film and selectively removing a silica component with a hydrofluoric acid aqueous solution can be applied. In this method, the time of removing the material such as silica can be applied before or after the film bonding.

【0040】フィルムの表面に凹凸形状を付与して形
成する方法:例えば、高分子樹脂でできたフィルムの表
面に、ディスペンサ、スクリーン印刷等の印刷手段によ
り凹凸を形成したフィルムを用いる。この方法では、一
般には貼り合わせ前に凹凸を設ける方が簡便である。
A method of forming a film by giving a concavo-convex shape to the surface of the film: For example, a film in which concavities and convexities are formed on the surface of a film made of a polymer resin by a printing means such as a dispenser or screen printing is used. In this method, it is generally simpler to provide unevenness before bonding.

【0041】以上の方法の中で、の方法では場所
によって凹凸の形状を変化させることが容易であるの
で、さらに効率の良い凹凸を形成することができる。ま
た、の処理をした後、の処理をするといった複合処
理も可能である。
Of the above methods, the method can easily change the shape of the unevenness depending on the location, so that more efficient unevenness can be formed. Further, it is also possible to perform a composite process such as performing the process after the process of the above.

【0042】また、このようにして作製されたフィルム
に対して、さらに貼り合わせ前に延伸することにより、
凹凸の形状と配列に異方性を加えることが可能である。
スペーサーに入射する電子の入射角を効率よく規定する
ことが可能となり、帯電防止能力を向上させることがで
きる。例えば、リアプレート・フェースプレートと平行
な異方性が導入されると、帯電防止効果が向上する。
Further, by stretching the film thus produced before laminating,
It is possible to add anisotropy to the shape and arrangement of the unevenness.
The angle of incidence of electrons incident on the spacer can be efficiently defined, and the antistatic ability can be improved. For example, when anisotropy parallel to the rear plate / face plate is introduced, the antistatic effect is improved.

【0043】(1−3)フィルムとスペーサの接着 フィルムの母材が最終的なスペーサ形態中に残る場合
は、接着剤も耐熱性が必要であり、例えばシリコーンゴ
ム系、フッ素ゴム系、ポリイミド系などの接着剤が適用
できる。これらは、シリコーンゴム系なら約180度、
ポリイミド系なら300度までの長時間使用に耐える。
(1-3) Adhesion of Film and Spacer When the base material of the film remains in the final spacer form, the adhesive also needs to have heat resistance, for example, silicone rubber, fluorine rubber, polyimide Adhesive such as can be applied. These are about 180 degrees for silicone rubber,
Polyimide-based materials can withstand long-term use up to 300 degrees.

【0044】また、母材の種類によっては、スペーサ基
板に直接塗布することも可能であり、本発明では、この
ように塗布することによりフィルム形成する場合も含め
て「フィルムを貼り付ける」というものとする。
Depending on the type of the base material, it is also possible to apply the film directly to the spacer substrate. In the present invention, the method of "applying a film" includes the case where a film is formed by applying in this manner. And

【0045】(1−4)帯電防止性の向上 凹凸を形成することにより、二次電子放出係数を小さく
することができるが、さらに帯電防止効果を高めるため
には、後の画像表示装置概要のスペーサの項で再度述べ
るが、スペーサ表面に微小電流が流れるようにして帯電
を除去することが好ましく、以下のような方法が適用で
きる。
(1-4) Improvement of antistatic property By forming irregularities, it is possible to reduce the secondary electron emission coefficient. As will be described again in the section of the spacer, it is preferable to remove the charge by causing a minute current to flow on the surface of the spacer, and the following method can be applied.

【0046】フィルム自体に導電性を持たせる方法:
フォルムの母材が後述するようなある程度の導電性(高
抵抗性)を持つ場合は、そのままでもよいが、一般に高
分子樹脂は絶縁性であるので、高分子樹脂母材とともに
導電性物質をフィルム内に添加・混入させる。例えばポ
リイミドを用いる場合は、ポリアミド酸に、ファーネス
ブラック、サーマルブラック、ケチェンブラック等のカ
ーボンブラックや黒鉛など、または、酸化チタン、クロ
ム235等の導電性物質をフィルム原料に分散・混合す
ることによって、フィルム自体に導電性を持たせること
ができる。
Method for imparting conductivity to the film itself:
If the base material of the form has a certain degree of conductivity (high resistance) as described later, it may be left as it is, but since the polymer resin is generally insulative, a conductive material is applied to the film together with the polymer resin base material. Add and mix in For example, when polyimide is used, a conductive material such as carbon black or graphite such as furnace black, thermal black, and Ketjen black, or a conductive material such as titanium oxide and chromium 235 is dispersed and mixed with the polyamic acid in the film raw material. In addition, the film itself can be made conductive.

【0047】フィルムの外表面に、導電性物質(高抵
抗性物質)を形成する方法:後の画像表示装置概要のス
ペーサの項で再度述べるが、表面に適当な導電性物質を
蒸着、スパッタ等により形成することによって行うこと
ができる。
Method for forming a conductive substance (high resistance substance) on the outer surface of the film: As will be described again in the section of spacers in the outline of the image display apparatus, an appropriate conductive substance is vapor-deposited on the surface, sputtering, etc. Can be performed.

【0048】2.貼り付けたフィルムの母材が最終的に
残存しない場合 (2−1)フィルムについて:この方法では、フィルム
を単に媒体ないしキャリアとして用いるものであり、焼
成等の後処理により母材が少なくともそのままの形態で
は残らない。従って、フィルム母材は、焼成等によっ
て、燃焼、分解、蒸発等により飛散してしまうものが好
ましい。
2. When the base material of the pasted film does not finally remain (2-1) Regarding the film: In this method, the film is simply used as a medium or a carrier, and at least the base material remains as it is by post-processing such as firing. It does not remain in form. Therefore, it is preferable that the film base material be scattered by burning, decomposition, evaporation or the like by firing or the like.

【0049】このようなものとして、フィルムの母材と
して用いられる高分子樹脂としてはポリエチレン、ポリ
プロピレン等のポリオレフィン系樹脂、ポリアクリル酸
メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系樹脂、
酢酸ビニル、ビニルアルコール等のその他のビニル系樹
脂、エチルセルロース等のセルロース系樹脂等を挙げる
ことができる。
As such, as a polymer resin used as a base material of the film, polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene, acrylic resins such as polymethyl acrylate and polymethyl methacrylate,
Other vinyl resins such as vinyl acetate and vinyl alcohol, and cellulose resins such as ethyl cellulose can be exemplified.

【0050】(2−2)凹凸の作成方法について フィルム中に高分子樹脂等の母材と共に凹凸形成用の
材料を混入させる方法:この方法では、フィルムを単に
キャリアとして用い、焼成などの工程の後にスペーサの
表面に凹凸を残して形成しうる材料を高分子樹脂中に混
入させておく方法である。例えば、フィルムを形成する
際に、母材としてポリメタクリル酸メチル等のアクリル
系樹脂を用いて、オクチル酸クロム、オクチル酸イット
リウム等の金属カルボン酸塩をキシレンに溶解し、適当
な基板上に塗布し、適宜乾燥してフィルムを形成する。
このフィルムをスペーサ基板に貼り付けた後、焼成する
と、バインダとしてのアクリル樹脂と、キシレンは蒸発
し、Cr、Y等の金属が残存して凹凸のある表面をスペ
ーサ上に形成する。この場合はさらに導電性を持ち合わ
せる。尚、この方法では、スペーサ基板上に直接塗布し
てフィルムを形成してもよい。
(2-2) Method for Producing Concavities and convexities A method for mixing a material for forming concavities and convexities together with a base material such as a polymer resin into a film: In this method, the film is simply used as a carrier, and a process such as firing is performed. This is a method in which a material that can be formed while leaving irregularities on the surface of the spacer is mixed in the polymer resin. For example, when forming a film, using an acrylic resin such as polymethyl methacrylate as a base material, dissolving a metal carboxylate such as chromium octylate and yttrium octylate in xylene, and applying it on an appropriate substrate And dried as appropriate to form a film.
When this film is attached to the spacer substrate and then fired, the acrylic resin as a binder and xylene evaporate, leaving a metal such as Cr or Y to form an uneven surface on the spacer. In this case, conductivity is further provided. In this method, a film may be formed by directly applying the film on the spacer substrate.

【0051】貼り付けたフィルムがベースフィルムと
なり、その上に凹凸を形成する方法:この方法でも、フ
ィルムは単にキャリアとして機能し、表面に異なる材料
で設けられた凹凸が、焼成等の処理後にスペーサ基板上
に残存する方法である。
A method in which the adhered film serves as a base film, on which unevenness is formed: In this method, the film simply functions as a carrier, and the unevenness provided on the surface is formed of a different material. This is a method that remains on the substrate.

【0052】この方法では、例えばポリエチレンなどの
フィルムのそのまま用いたり、その他適当な高分子樹脂
等の母材によりベースフィルムを形成する。その後、ベ
ースフィルム表面にディスペンサー、スクリーン印刷等
の印刷手段により、例えば、シリカや、Ti、Cr、S
n、Y等の金属酸化物微粒子がバインダーマトリクス等
の他の固形分(焼成後)中に分散されている溶液の塗布
等により凹凸を形成する。このフィルムにスペーサを貼
り付け焼成すると、ベースフィルムだけが蒸発し、酸化
ルテニウムの凹凸表面だけが残ることになる。
In this method, for example, a film such as polyethylene is used as it is, or a base film is formed from a suitable base material such as a polymer resin. After that, for example, silica, Ti, Cr, S
Irregularities are formed by applying a solution in which metal oxide fine particles such as n and Y are dispersed in another solid matter (after firing) such as a binder matrix. When a spacer is attached to this film and baked, only the base film evaporates, leaving only the uneven surface of ruthenium oxide.

【0053】以上の方法の中で、の方法では場所によ
って凹凸の形状を変化させることが容易であるので、さ
らに効率の良い凹凸を形成することができる。また、
の処理をした後、の処理をするといった複合処理も可
能である。
Among the above methods, it is easy to change the shape of the unevenness depending on the location in the method described above, so that more efficient unevenness can be formed. Also,
After the processing of (1), a composite processing of performing the processing of (2) is also possible.

【0054】また、このようにして作製されたフィルム
に対して、さらに貼り合わせ前に延伸することにより、
凹凸の形状と配列に異方性を加えることが可能である。
Further, by stretching the film thus produced before laminating,
It is possible to add anisotropy to the shape and arrangement of the unevenness.

【0055】(2−3)フィルムとスペーサの接着 このようなフィルムの母材が最終的なスペーサ形態中に
残る場合は、接着材を用いる場合は、焼成等によって燃
焼、蒸発、飛散するものが用いられる。また、上記のよ
うにスペーサ基板に直接塗布する場合は、特に接着剤は
不要である。
(2-3) Adhesion of Film and Spacer If the base material of such a film remains in the final spacer form, if an adhesive is used, it may burn, evaporate, or scatter by firing or the like. Used. In the case of directly applying to the spacer substrate as described above, an adhesive is not particularly required.

【0056】(2−4)帯電防止性の向上 (1−4)で述べたのと同様に、凹凸を形成することに
より、二次電子放出係数を小さくすることができるが、
さらに帯電防止効果を高めるためには、後の画像表示装
置概要のスペーサの項で再度述べるが、スペーサ表面に
微小電流が流れるようにして帯電を除去することが好ま
しい。
(2-4) Improvement of antistatic property In the same manner as described in (1-4), by forming irregularities, the secondary electron emission coefficient can be reduced.
In order to further enhance the antistatic effect, as will be described again in the section of the spacer in the outline of the image display apparatus, it is preferable to remove the electrification so that a minute current flows on the spacer surface.

【0057】この方法としては、添加物が、凹凸として
スペーサ基板の表面に残ったときに後述するある程度の
導電性をもつような材料を選択することができる。前記
(2−2)で説明したCrのカルボン酸塩を用いた場
合、の酸化ルテニウムを用いた場合等は表面に凹凸の
ある高抵抗膜が形成されるので、そのままで帯電防止機
能を有する。
As this method, it is possible to select a material having a certain degree of conductivity, which will be described later, when the additive remains on the surface of the spacer substrate as unevenness. When the carboxylate of Cr described in the above (2-2) is used, or when ruthenium oxide is used, a high-resistance film having irregularities on the surface is formed, and thus has an antistatic function as it is.

【0058】また、スペーサ基板表面に形成した凹凸を
有する膜が絶縁性の場合は、前記(1−4)で述べた
のと同様に、後の画像表示装置概要のスペーサの項で再
度述べるように、表面に適当な導電性物質を蒸着、スパ
ッタ等により適切な抵抗の膜を形成することによってさ
らに帯電防止機能を向上させることができる。
When the film having irregularities formed on the surface of the spacer substrate is insulative, the same as described in the above (1-4), it will be described again later in the section of the spacer of the image display device. In addition, an antistatic function can be further improved by forming a film having an appropriate resistance on the surface by vapor deposition, sputtering, or the like.

【0059】[画像表示装置概要]次に、本発明で製造
されるスペーサが適用できる画像表示装置の表示パネル
の構成と製造法について、具体的な例を示して説明す
る。
[Outline of Image Display Apparatus] Next, the structure and manufacturing method of a display panel of an image display apparatus to which the spacer manufactured by the present invention can be applied will be described with reference to specific examples.

【0060】図2は、実施例に用いた表示パネルの斜視
図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠
いて示している。
FIG. 2 is a perspective view of the display panel used in the embodiment, in which a part of the panel is cut away to show the internal structure.

【0061】図中、1015はリアプレート、1016
は側壁、1017はフェースプレートであり、1015
〜1017により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、たとえばフリット
ガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏400〜500度で10分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。また、上記気密容器の内部は1
0のマイナス6乗[Torr]程度の真空に保持される
ので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を
防止する目的で、耐大気圧構造体として、スペーサ10
20が設けられている。
In the figure, 1015 is a rear plate, 1016
Is a side wall, 1017 is a face plate, and 1015
An airtight container for maintaining the inside of the display panel at a vacuum is formed by 1017 to 1017. When assembling an airtight container, it is necessary to seal the joints of each member to maintain sufficient strength and airtightness.For example, apply frit glass to the joints, and in air or nitrogen atmosphere, Sealing was achieved by baking at 400 to 500 degrees for 10 minutes or more. A method of evacuating the inside of the airtight container to a vacuum will be described later. The inside of the airtight container is 1
Since the vacuum is maintained at a vacuum of about 0 to the sixth power [Torr], the spacer 10 is used as an anti-atmospheric structure for the purpose of preventing the hermetic container from being destroyed by the atmospheric pressure or an unexpected impact.
20 are provided.

【0062】リアプレート1015には、基板1011
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子1012
がN×M個形成されている。(N,Mは2以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定さ
れ、N,Mは図2中のn,mと同じ数である。たとえ
ば、高品位テレビジョンの表示を目的とした表示装置に
おいては、N=3000,M=1000以上の数を設定
することが望ましい。)前記N×M個の冷陰極素子は、
M本の行方向配線1013とN本の列方向配線1014
により単純マトリクス配線されている。前記、1011
〜1014によって構成される部分をマルチ電子ビーム
源と呼ぶ。
The rear plate 1015 has a substrate 1011
Is fixed, but the cold cathode element 1012 is provided on the substrate.
Are formed N × M. (N and M are positive integers of 2 or more and are appropriately set according to the target number of display pixels, and N and M are the same numbers as n and m in FIG. 2. For example, high-definition television It is desirable to set the number to be equal to or more than N = 3000 and M = 1000 in the display device for displaying the image of the above.) The N × M cold cathode elements are:
M row direction wirings 1013 and N column direction wirings 1014
For simple matrix wiring. The 1011
The portion constituted by -1014 is called a multi-electron beam source.

【0063】本発明の画像表示装置に用いるマルチ電子
ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリクス配線した電子
源であれば、冷陰極素子の材料や形状あるいは製法に制
限はない。したがって、たとえば表面伝導型放出素子や
FE型、あるいはMIM型などの冷陰極素子を用いるこ
とができる。
The multi-electron beam source used in the image display device of the present invention is not limited as long as the cold cathode element is a simple matrix wiring electron source, and the material, shape and manufacturing method of the cold cathode element are not limited. Therefore, for example, a cold cathode device such as a surface conduction type emission device, an FE type, or an MIM type can be used.

【0064】次に、冷陰極素子として表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。
Next, the structure of a multi-electron beam source in which surface conduction emission devices are arranged as cold cathode devices on a substrate and arranged in a simple matrix will be described.

【0065】図3に示すのは、図2の表示パネルに用い
たマルチ電子ビーム源の平面図である。基板1011上
には、表面伝導型放出素子が配列され、これらの素子は
行方向配線電極1013と列方向配線電極1014によ
り単純マトリクス状に配線されている。行方向配線電極
1013と列方向配線電極1014の交差する部分に
は、電極間に絶縁層(不図示)が形成されており、電気
的な絶縁が保たれている。
FIG. 3 is a plan view of the multi-electron beam source used for the display panel of FIG. On the substrate 1011, surface conduction electron-emitting devices are arranged, and these devices are wired in a simple matrix by row-direction wiring electrodes 1013 and column-direction wiring electrodes 1014. An insulating layer (not shown) is formed between the row-directional wiring electrodes 1013 and the column-directional wiring electrodes 1014 at the intersections of the electrodes to maintain electrical insulation.

【0066】前記のような構造のマルチ電子源は、あら
かじめ基板上に行方向配線電極1013、列方向配線電
極1014、電極間絶縁層(不図示)、および表面伝導
型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、行方
向配線電極1013および列方向配線電極1014を介
して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電活性
化処理を行うことにより製造する。
The multi-electron source having the above-described structure has a structure in which a row-directional wiring electrode 1013, a column-directional wiring electrode 1014, an interelectrode insulating layer (not shown), a device electrode of a surface conduction electron-emitting device, and a conductive material. After the conductive thin film is formed, power is supplied to each element via the row-direction wiring electrodes 1013 and the column-direction wiring electrodes 1014 to perform the energization forming process and the energization activation process.

【0067】この形態においては、気密容器のリアプレ
ート1015にマルチ電子ビーム源の基板1011を固
定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板101
1が十分な強度を有するものである場合には、気密容器
のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板101
1自体を用いてもよい。
In this embodiment, the substrate 1011 of the multi-electron beam source is fixed to the rear plate 1015 of the airtight container.
When the substrate 1 has a sufficient strength, the substrate 101 of the multi-electron beam source is used as a rear plate of the hermetic container.
1 itself may be used.

【0068】また、フェースプレート1017の下面に
は、蛍光膜1018が形成されている。本形態はカラー
表示装置であるため、蛍光膜1018の部分にはCRT
の分野で用いられる赤、緑、青、の3原色の蛍光体が塗
り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図4
(a)に示すようにストライプ状に塗り分けられ、蛍光
体のストライプの間には黒色の導電体1010が設けて
ある。黒色の導電体1010を設ける目的は、電子ビー
ムの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれが生
じないようにすることや、外光の反射を防止して表示コ
ントラストの低下を防ぐこと、電子ビームによる蛍光膜
のチャージアップを防止することなどである。黒色の導
電体1010には、黒鉛を主成分として用いたが、上記
の目的に適するものであればこれ以外の材料を用いても
良い。
On the lower surface of the face plate 1017, a fluorescent film 1018 is formed. Since the present embodiment is a color display device, a CRT is
The phosphors of the three primary colors of red, green, and blue used in the field are separately applied. The phosphor of each color is, for example, as shown in FIG.
As shown in (a), a black conductor 1010 is provided between the stripes of the phosphor, which are separately applied in stripes. The purpose of providing the black conductor 1010 is to prevent the display color from being shifted even if there is a slight shift in the electron beam irradiation position, and to prevent the reflection of external light to prevent a decrease in display contrast. And preventing charge-up of the fluorescent film by the electron beam. Although graphite is used as a main component for the black conductor 1010, any other material may be used as long as it is suitable for the above purpose.

【0069】また、3原色の蛍光体の塗り分け方は前記
図4(a)に示したストライプ状の配列に限られるもの
ではなく、たとえば図4(b)に示すようなデルタ状配
列や、それ以外の配列であってもよい。
The method of applying the phosphors of the three primary colors is not limited to the stripe arrangement shown in FIG. 4A, but may be, for example, a delta arrangement as shown in FIG. Other arrangements may be used.

【0070】なお、モノクロームの表示パネルを作成す
る場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜1018に用い
ればよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよ
い。また、蛍光膜1018のリアプレート側の面には、
CRTの分野では公知のメタルバック1019を設けて
ある。メタルバック1019を設けた目的は、蛍光膜1
018が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上
させることや、負イオンの衝突から蛍光膜1018を保
護することや、電子ビーム加速電圧を印加するための電
極として作用させることや、蛍光膜1018を励起した
電子の導電路として作用させることなどである。メタル
バック1019は、蛍光膜1018をフェースプレート
基板1017上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理
し、その上にAlを真空蒸着する方法により形成した。
なお、蛍光膜1018に低電圧用の蛍光体材料を用いた
場合には、メタルバック1019は用いない。
When a monochrome display panel is formed, a monochromatic phosphor material may be used for the phosphor film 1018, and a black conductive material may not necessarily be used. Also, the surface of the fluorescent film 1018 on the rear plate side
A metal back 1019 known in the field of CRT is provided. The purpose of providing the metal back 1019 is to
In order to improve the light utilization rate by mirror-reflecting a part of the light emitted from the light emitting element 018, to protect the fluorescent film 1018 from the collision of negative ions, to act as an electrode for applying an electron beam accelerating voltage, And making the fluorescent film 1018 act as a conductive path for the excited electrons. The metal back 1019 was formed by forming the fluorescent film 1018 on the face plate substrate 1017, smoothing the surface of the fluorescent film, and vacuum-depositing Al thereon.
Note that when a fluorescent material for low voltage is used for the fluorescent film 1018, the metal back 1019 is not used.

【0071】また、本実施例では用いなかったが、加速
電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フェ
ースプレート基板1017と蛍光膜1018との間に、
たとえばITOを材料とする透明電極を設けてもよい。
Although not used in the present embodiment, for the purpose of applying an acceleration voltage and improving the conductivity of the fluorescent film, a gap between the face plate substrate 1017 and the fluorescent film
For example, a transparent electrode made of ITO may be provided.

【0072】[スペーサ]次に、前述したように形成さ
れたスペーサを、具体的に画像形成装置に適用した場合
を説明する。図5は図2のA−A’の断面模式図であ
り、各部の番号は図2に対応している。
[Spacer] Next, a case where the spacer formed as described above is specifically applied to an image forming apparatus will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2, and the numbers of the respective parts correspond to FIG. 2.

【0073】スペーサ1020は、必要な数だけ、かつ
必要な間隔をおいて配置され、フェースプレートの内側
および基板1011の表面に接合材1040により固定
される。ここで説明される態様においては、スペーサ1
020の形状は薄板状とし、行方向配線1013に平行
に配置され、行方向配線1013に電気的に接続されて
いる。
The spacers 1020 are arranged by a necessary number and at necessary intervals, and are fixed to the inside of the face plate and the surface of the substrate 1011 by the bonding material 1040. In the embodiment described here, the spacer 1
020 has a thin plate shape, is arranged in parallel with the row direction wiring 1013, and is electrically connected to the row direction wiring 1013.

【0074】スペーサ1020としては、基板1011
上の行方向配線1013および列方向配線1014とフ
ェースプレート1017内面のメタルバック1019と
の間に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、
かつスペーサ1020の表面への帯電を防止する程度の
導電性を有する必要がある。この点に関しては、既に述
べた通りである。
As the spacer 1020, the substrate 1011
Has insulating properties enough to withstand high voltage applied between the upper row direction wiring 1013 and column direction wiring 1014 and the metal back 1019 on the inner surface of the face plate 1017;
In addition, it is necessary to have conductivity enough to prevent the surface of the spacer 1020 from being charged. This is as described above.

【0075】スペーサ1020の絶縁性部材1020a
としては、例えば石英ガラス、Na等の不純物含有量を減
少したガラス、ソーダライムガラス、アルミナ等のセラ
ミックス部材等が挙げられる。なお、絶縁性部材102
0aはその熱膨張率が気密容器および基板1011を成
す部材と近いものが好ましい。
The insulating member 1020a of the spacer 1020
Examples thereof include quartz glass, glass having a reduced content of impurities such as Na, soda lime glass, and ceramic members such as alumina. The insulating member 102
It is preferable that Oa has a coefficient of thermal expansion close to that of the member forming the airtight container and the substrate 1011.

【0076】スペーサを構成する導電性凹凸表面層10
20bや高抵抗膜1020c、若しくはその両方には、
高電位側のフェースプレート(メタルバック等)に印加
される加速電圧Vaを帯電防止膜として機能する高抵抗膜
(導電性凹凸表面層1020bおよび別途設けた高抵抗
膜1020c)の抵抗値Rsで除した電流が流れる。そ
こで、スペーサの抵抗値Rsは帯電防止および消費電力か
らその望ましい範囲に設定される。帯電防止の観点から
スペーサのシート抵抗R/□は10の12乗Ω以下である
ことが好ましい。十分な帯電防止効果を得るためには1
0の11乗Ω以下がさらに好ましい。シート抵抗の下限
はスペーサ形状とスペーサ間に印加される電圧により左
右されるが、10の5乗Ω以上であることが好ましい。
Conductive uneven surface layer 10 constituting spacer
20b, the high resistance film 1020c, or both,
The acceleration voltage Va applied to the face plate (metal back or the like) on the high potential side is divided by the resistance value Rs of the high resistance film (the conductive uneven surface layer 1020b and the separately provided high resistance film 1020c) functioning as an antistatic film. Current flows. Therefore, the resistance value Rs of the spacer is set to a desirable range from the viewpoint of antistatic and power consumption. From the viewpoint of preventing static charge, the sheet resistance R / □ of the spacer is preferably 10 12 Ω or less. To obtain a sufficient antistatic effect,
It is even more preferable that the value be 0 to the power of 11 or less. The lower limit of the sheet resistance depends on the spacer shape and the voltage applied between the spacers, but is preferably 10 5 Ω or more.

【0077】絶縁材料上に形成された高抵抗膜(表面の
凹凸層が導電性のときは別途設けた高抵抗膜との和、表
面の凹凸層が導電性でないときは別途設けた高抵抗膜の
みを指す。以下同じ。)の厚みtは10nm〜1μmの範囲が
望ましい。材料の表面エネルギーおよび基板との密着性
や基板温度によっても異なるが、一般的に10nm以下の薄
膜は島状に形成され、抵抗が不安定で再現性に乏しい。
一方膜厚tが1μm以上では膜応力が大きくなって膜はが
れの危険性が高まり、かつ成膜時間が長くなるため生産
性が悪い。従って、膜厚は50〜500nmであることが望ま
しい。
A high-resistance film formed on an insulating material (the sum of a high-resistance film provided separately when the surface unevenness layer is conductive, and a high-resistance film provided separately when the surface unevenness layer is not conductive) The same applies to the following.) The thickness t is preferably in the range of 10 nm to 1 μm. Although it depends on the surface energy of the material, the adhesion to the substrate, and the substrate temperature, generally, a thin film of 10 nm or less is formed in an island shape, has an unstable resistance and poor reproducibility.
On the other hand, when the film thickness t is 1 μm or more, the film stress increases, the risk of film peeling increases, and the film formation time becomes longer, resulting in poor productivity. Therefore, the film thickness is desirably 50 to 500 nm.

【0078】シート抵抗R/□はρ/tであり、以上に述
べたR/□とtの好ましい範囲から、帯電防止のための高
抵抗膜の比抵抗ρは0.1〜10の8乗[Ωcm]が好ましい。
さらに表面抵抗と膜厚のより好ましい範囲を実現するた
めには、ρは10の2乗〜10の6乗[Ωcm]とするのが良
い。
The sheet resistance R / □ is ρ / t, and from the preferred range of R / □ and t described above, the specific resistance ρ of the high resistance film for antistatic is 0.1 to 10 8 [Ωcm Is preferred.
In order to realize more preferable ranges of the surface resistance and the film thickness, ρ is preferably set to 10 2 to 10 6 [Ωcm].

【0079】スペーサは上述したようにその上に形成し
た帯電防止膜を電流が流れることにより、あるいはディ
スプレイ全体が動作中に発熱することによりその温度が
上昇する。高抵抗膜の抵抗温度係数が大きな負の値であ
ると温度が上昇した時に抵抗値が減少し、スペーサに流
れる電流が増加し、さらに温度上昇をもたらす。そして
電流は電源の限界を越えるまで増加しつづける。このよ
うな電流の暴走が発生する抵抗温度係数の値は経験的に
負の値で絶対値が1%以上である。すなわち、帯電防止
膜の抵抗温度係数は-1%より大きいこと(負の時は、絶
対値が1%未満であること)が望ましい。
As described above, the temperature of the spacer rises when current flows through the antistatic film formed thereon or when the entire display generates heat during operation. If the resistance temperature coefficient of the high resistance film is a large negative value, the resistance value decreases when the temperature rises, the current flowing through the spacer increases, and the temperature further rises. And the current continues to increase until the power supply limit is exceeded. The value of the temperature coefficient of resistance at which such a runaway of current occurs is empirically a negative value and the absolute value is 1% or more. That is, it is desirable that the temperature coefficient of resistance of the antistatic film is greater than -1% (when negative, the absolute value is less than 1%).

【0080】帯電防止膜特性を有する材料として、金属
酸化物が優れている。金属酸化物の中でも、クロム、ニ
ッケル、銅の酸化物が好ましい材料である。その理由は
これらの酸化物は二次電子放出効率が比較的小さく、電
子放出素子から放出された電子がスペーサに当たった場
合においても帯電しにくいためと考えられる。金属酸化
物以外にも炭素は二次電子放出効率が小さく好ましい材
料である。特に、非晶質カーボンは高抵抗であるため、
スペーサ抵抗を所望の値に制御しやすい。
As a material having an antistatic film property, a metal oxide is excellent. Among metal oxides, oxides of chromium, nickel, and copper are preferred materials. The reason is considered to be that these oxides have a relatively low secondary electron emission efficiency and are difficult to be charged even when electrons emitted from the electron-emitting device hit the spacer. In addition to metal oxides, carbon is a preferable material having a low secondary electron emission efficiency. In particular, since amorphous carbon has high resistance,
It is easy to control the spacer resistance to a desired value.

【0081】しかしながら、上記金属酸化物、あるいは
カーボンはその抵抗値が帯電防止膜として望ましい比抵
抗の範囲に調整することが難しかったり、雰囲気により
抵抗が変化しやすいため、これらの材料のみでは抵抗の
制御性が乏しい。アルミと遷移金属合金の窒化物は遷移
金属の組成を調整することにより、良伝導体から絶縁体
まで広い範囲に抵抗値を制御できる。さらには後述する
表示装置作製の工程において抵抗値の変化が少なく安定
な材料である。かつ、その抵抗温度係数が-1%より大き
く(負の時は、絶対値が1%未満)、実用的に使いやす
い材料である。遷移金属元素としてはTi,Cr,Ta等があげ
られる。
However, it is difficult to adjust the resistance value of the above-mentioned metal oxide or carbon to a range of a specific resistance which is desirable as an antistatic film, and the resistance easily changes depending on the atmosphere. Poor controllability. By adjusting the composition of the transition metal, the resistance of the nitride of aluminum and the transition metal alloy can be controlled in a wide range from a good conductor to an insulator. Further, it is a stable material that has a small change in resistance value in a display device manufacturing process described later. In addition, the material has a temperature coefficient of resistance greater than -1% (the absolute value is less than 1% when negative) and is practically easy to use. Examples of the transition metal element include Ti, Cr, and Ta.

【0082】合金窒化膜はスパッタ、窒素ガス雰囲気中
での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーテ
ィング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段により
絶縁性部材上に形成される。金属酸化膜も同様の薄膜形
成法で作製することができるが、この場合窒素ガスに代
えて酸素ガスを使用する。その他、CVD法、アルコキ
シド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。カーボン膜は
蒸着法、スパッタ法、CVD法、プラズマCVD法で作
製され、特に非晶質カーボンを作製する場合には、成膜
中の雰囲気に水素が含まれるようにするか、成膜ガスに
炭化水素ガスを使用する。
The alloy nitride film is formed on the insulating member by thin film forming means such as sputtering, reactive sputtering in a nitrogen gas atmosphere, electron beam evaporation, ion plating, and ion assisted evaporation. The metal oxide film can be formed by the same thin film formation method, but in this case, oxygen gas is used instead of nitrogen gas. In addition, a metal oxide film can be formed by a CVD method or an alkoxide coating method. The carbon film is formed by a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or a plasma CVD method. In particular, when forming amorphous carbon, make sure that the atmosphere during the film formation contains hydrogen or the film formation gas is used. Use hydrocarbon gas.

【0083】尚、このような帯電防止機能を有する高抵
抗膜は、スペーサに限らず他の用途における帯電防止膜
として使用することもできる。
The high resistance film having such an antistatic function can be used as an antistatic film not only for the spacer but also for other uses.

【0084】接合材1041はスペーサ1020が行方
向配線1013およびメタルバック1019と電気的に
接続するように、導電性をもたせる必要がある。すなわ
ち、導電性接着材や金属粒子や導電性フィラーを添加し
たフリットガラスが好適である。
The bonding material 1041 needs to have conductivity so that the spacer 1020 is electrically connected to the row wiring 1013 and the metal back 1019. That is, frit glass to which a conductive adhesive, metal particles, or a conductive filler is added is preferable.

【0085】本発明では、さらに図6に示すように低抵
抗膜を設けることができる。ここで、低抵抗膜とは、高
抵抗膜1020cを高電位側のフェースプレート101
7(メタルバック1019等)および低電位側の基板1
011(配線1013、1014等)と電気的に接続す
るために設けられたものであり、以下では、中間電極層
(中間層)という名称も用いる。中間電極層(中間層)
は以下に列挙する複数の機能を有することが出来る。
In the present invention, a low resistance film can be further provided as shown in FIG. Here, the low resistance film means that the high resistance film 1020c is a face plate 101 on the high potential side.
7 (metal back 1019 etc.) and substrate 1 on the low potential side
011 (wirings 1013, 1014, etc.) are provided for electrical connection, and hereinafter, the name of an intermediate electrode layer (intermediate layer) is also used. Intermediate electrode layer (intermediate layer)
Can have multiple functions listed below.

【0086】高抵抗膜1020cをフェースプレート
1017および基板1011と電気的に接続する。
The high resistance film 1020c is electrically connected to the face plate 1017 and the substrate 1011.

【0087】既に記載したように、高抵抗膜1020c
はスペーサ1020表面での帯電を防止する目的で設け
られたものであるが、高抵抗膜1020cをフェースプ
レート1017(メタルバック1019等)および基板
1011(配線1013、1014等)と直接あるいは
当接材1041を介して接続した場合、接続部界面に大
きな接触抵抗が発生し、スペーサ表面に発生した電荷を
速やかに除去できなくなる可能性がある。これを避ける
為に、フェースプレート1017、基板1011及び当
接材1041と接触するスペーサ1020の当接面ある
いは当接面と共に当接部に近い側面部に低抵抗の中間層
を設けた。
As described above, the high-resistance film 1020c
Is provided for the purpose of preventing charging on the surface of the spacer 1020. The high-resistance film 1020c is directly or in contact with the face plate 1017 (metal back 1019, etc.) and the substrate 1011 (wirings 1013, 1014, etc.). When the connection is made via the connection 1041, a large contact resistance is generated at the interface of the connection portion, and there is a possibility that the charge generated on the spacer surface cannot be quickly removed. In order to avoid this, a low resistance intermediate layer is provided on the contact surface of the spacer 1020 which comes into contact with the face plate 1017, the substrate 1011 and the contact material 1041, or on the side surface near the contact portion together with the contact surface.

【0088】高抵抗膜1020cの電位分布を均一化
する。
The potential distribution of the high resistance film 1020c is made uniform.

【0089】冷陰極素子1012より放出された電子
は、フェースプレート1017と基板1011の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ1
020の近傍で電子軌道に乱れが生じないようにするた
めには、高抵抗膜1020cの電位分布を全域にわたっ
て制御する必要がある。高抵抗膜1020cをフェース
プレート1017(メタルバック1019等)および基
板1011(配線1013、1014等)と直接あるい
は当接材1041を介して接続した場合、接続部界面の
接触抵抗のために、接続状態のむらが発生し、高抵抗膜
1020cの電位分布が所望の値からずれてしまう可能
性がある。これを避けるために、スペーサ1020がフ
ェースプレート1017および基板1011と当接する
スペーサ端部(当接面あるいは側面部)の全長域に低抵
抗の中間層を設け、この中間層部に所望の電位を印加す
ることによって、高抵抗膜1020c全体の電位を制御
可能とした。
Electrons emitted from the cold cathode element 1012 form electron orbits in accordance with the potential distribution formed between the face plate 1017 and the substrate 1011. Spacer 1
In order to prevent the electron orbit from being disturbed near 020, it is necessary to control the potential distribution of the high-resistance film 1020c over the entire region. When the high-resistance film 1020c is connected to the face plate 1017 (metal back 1019 or the like) and the substrate 1011 (wirings 1013 or 1014 or the like) directly or via the contact material 1041, the connection state is increased due to the contact resistance at the connection interface. And the potential distribution of the high resistance film 1020c may deviate from a desired value. In order to avoid this, a low-resistance intermediate layer is provided over the entire length region of the spacer end (contact surface or side surface) where the spacer 1020 contacts the face plate 1017 and the substrate 1011, and a desired potential is applied to the intermediate layer. By applying, the potential of the entire high resistance film 1020c can be controlled.

【0090】放出電子の軌道を制御する。The trajectory of the emitted electrons is controlled.

【0091】冷陰極素子1012より放出された電子
は、フェースプレート1017と基板1011の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ近
傍の冷陰極素子から放出された電子に関しては、スペー
サを設置することに伴う制約(配線、素子位置の変更
等)が生じる場合がある。このような場合、歪みやむら
の無い画像を形成する為には、放出された電子の軌道を
制御してフェースプレート1017上の所望の位置に電
子を照射する必要がある。フェースプレート1017及
び基板1011と当接する面の側面部5に低抵抗の中間
層を設けることにより、スペーサ1020近傍の電位分
布に所望の特性を持たせ、放出された電子の軌道を制御
することが出来る。
Electrons emitted from the cold cathode device 1012 form electron orbits in accordance with the potential distribution formed between the face plate 1017 and the substrate 1011. Regarding the electrons emitted from the cold cathode devices near the spacers, there may be restrictions (such as changes in wiring and device positions) associated with the installation of the spacers. In such a case, in order to form an image without distortion or unevenness, it is necessary to control the trajectory of the emitted electrons to irradiate a desired position on the face plate 1017 with the electrons. By providing a low-resistance intermediate layer on the side surface portion 5 of the surface in contact with the face plate 1017 and the substrate 1011, the potential distribution near the spacer 1020 can have desired characteristics and the trajectory of emitted electrons can be controlled. I can do it.

【0092】低抵抗膜1020dは、高抵抗膜1020
cに比べ十分に低い抵抗値を有する材料を選択すればよ
く、Ni,Cr,Au,Mo,W,Pt,Ti,Al,
Cu,Pd等の金属、あるいは合金、およびPd,A
g,Au,RuO2,Pd−Ag等の金属や金属酸化物
とガラス等から構成される印刷導体、あるいはIn23
−SnO2等の透明導体およびポリシリコン等の半導体
材料等より適宜選択される。スペーサはX方向配線上お
よびフェースプレート上のメタルバックと導電性フリッ
トガラスを用いて接続されている。導電性フリットガラ
スはフリットガラスに、表面を金コーティングした導電
性微粒子を混合したものを使用し、スペーサ表面の高抵
抗膜とX方向配線あるいはフェースプレートと電気的に
接続してある。
The low-resistance film 1020 d is a high-resistance film 1020.
It suffices to select a material having a resistance value sufficiently lower than that of Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al,
Metals or alloys such as Cu and Pd, and Pd and A
g, Au, RuO 2 , Pd—Ag or other metal or metal oxide and a printed conductor made of glass or the like, or In 2 O 3
-SnO 2 semiconductor material such as transparent conductors and polysilicon or the like is appropriately selected from. The spacer is connected to the metal back on the X-direction wiring and the face plate using conductive frit glass. As the conductive frit glass, a mixture of frit glass and conductive fine particles whose surface is coated with gold is used, and is electrically connected to the high resistance film on the spacer surface and the X-directional wiring or face plate.

【0093】[画像表示装置のその他の構成]また、D
x1〜DxmおよびDy1〜DynおよびHvは、当該表示パネ
ルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設け
た気密構造の電気接続用端子である。Dx1〜Dxmはマル
チ電子ビーム源の行方向配線1013と、Dy1〜Dynは
マルチ電子ビーム源の列方向配線1014と、Hvはフ
ェースプレートのメタルバック1019と電気的に接続
している。
[Other Configurations of Image Display Apparatus]
x1 to Dxm, Dy1 to Dyn, and Hv are electric connection terminals having an airtight structure provided for electrically connecting the display panel to an electric circuit (not shown). Dx1 to Dxm are electrically connected to the row wiring 1013 of the multi-electron beam source, Dy1 to Dyn are electrically connected to the column wiring 1014 of the multi-electron beam source, and Hv is electrically connected to the metal back 1019 of the face plate.

【0094】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を10のマイナス7乗[T
orr]程度の真空度まで排気する。その後、排気管を
封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封
止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲ
ッター膜(不図示)を形成する。ゲッター膜とは、たと
えばBaを主成分とするゲッター材料をヒーターもしく
は高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は1×10マ
イナス5乗ないしは1×10マイナス7乗[Torr]
の真空度に維持される。
In order to evacuate the inside of the hermetic container, after the hermetic container is assembled, an exhaust pipe (not shown) and a vacuum pump are connected, and the inside of the hermetic container is raised to the power of 10 −7 [T
orr]. Thereafter, the exhaust pipe is sealed, but a getter film (not shown) is formed at a predetermined position in the airtight container immediately before or after the sealing in order to maintain the degree of vacuum in the airtight container. The getter film is, for example, a film formed by heating and depositing a getter material containing Ba as a main component by a heater or high-frequency heating,
Due to the adsorption action of the getter film, the inside of the airtight container is 1 × 10−5 or 1 × 10−7 [Torr].
Is maintained at a vacuum degree.

【0095】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Dx1ないしDxm、Dy1ないし
Dynを通じて各冷陰極素子1012に電圧を印加する
と、各冷陰極素子1012から電子が放出される。それ
と同時にメタルバック1019に容器外端子Hvを通じ
て数百[V]ないし数[kV]の高圧を印加して、上記
放出された電子を加速し、フェースプレート1017の
内面に衝突させる。これにより、蛍光膜1018をなす
各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
In the image display apparatus using the display panel described above, when a voltage is applied to each cold cathode element 1012 through the external terminals Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn, electrons are emitted from each cold cathode element 1012. At the same time, a high voltage of several hundred [V] to several [kV] is applied to the metal back 1019 through the external terminal Hv to accelerate the emitted electrons and collide with the inner surface of the face plate 1017. As a result, the phosphor of each color forming the fluorescent film 1018 is excited and emits light, and an image is displayed.

【0096】通常、冷陰極素子である本発明の表面伝導
型放出素子1012への印加電圧は12〜16[V]程
度、メタルバック1019と冷陰極素子1012との距
離dは0.1[mm]から8[mm]程度、メタルバッ
ク1019と冷陰極素子1012間の電圧0.1[k
V]から10[kV]程度である。
Normally, the voltage applied to the surface conduction electron-emitting device 1012 of the present invention, which is a cold cathode device, is about 12 to 16 [V], and the distance d between the metal back 1019 and the cold cathode device 1012 is 0.1 [mm]. ] To about 8 [mm], and a voltage of 0.1 [k] between the metal back 1019 and the cold cathode element 1012.
V] to about 10 [kV].

【0097】[0097]

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳述
する。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

【0098】以下に述べる各実施例においては、マルチ
電子ビーム源として、前述した、電極間の導電性微粒子
膜に電子放出部を有するタイプのN×M個(N=307
2、M=1024)の表面伝導型放出素子を、M本の行方
向配線とN本の列方向配線とによりマトリクス配線(図
2および図3参照)したマルチ電子ビーム源を用いた。
In each of the embodiments described below, as the multi-electron beam source, N × M (N = 307) of the above-described type having an electron emission portion in the conductive fine particle film between the electrodes is used.
A multi-electron beam source was used in which the surface conduction electron-emitting devices (2, M = 1024) were matrix-wired (see FIGS. 2 and 3) by M row-directional wirings and N column-directional wirings.

【0099】[実施例1]フィルムは、市販の接着剤付
きポリイミドフィルム(カプトン:商標)、フィルム膜
厚70μmを使用した。フィルム表面には、サンドブラ
ストによって凹凸を形成した後、フィルムに縦横比1.
5倍の延伸処理を行った。次に、リアプレートと同質の
絶縁性のガラスの表面に窒化シリコン膜を0.5μmスパッ
タ法により形成した後切断して、長さ20mm、巾5mm、厚
み0.2mmスペーサ基板を得た。これにフィルムを貼り付
けて、表面に凹凸を形成し、さらに、高抵抗膜1020
cとしては、酸化クロム膜を厚さ50nm積層した。次
に低抵抗膜1020dとして、フェースプレート、リア
プレートとの接続部に接続部と平行に30μmの帯状に0.1
μm厚みのAu膜を形成し、図6に示すようなスペーサを
形成した。
[Example 1] As a film, a commercially available polyimide film with an adhesive (Kapton: trademark) having a film thickness of 70 µm was used. After forming irregularities on the film surface by sandblasting, the film has an aspect ratio of 1.
A 5-fold stretching process was performed. Next, a silicon nitride film was formed on the surface of insulating glass of the same quality as the rear plate by a 0.5 μm sputtering method and then cut to obtain a spacer substrate having a length of 20 mm, a width of 5 mm and a thickness of 0.2 mm. A film is stuck on this to form irregularities on the surface.
As c, a 50-nm-thick chromium oxide film was laminated. Next, as a low resistance film 1020d, 0.1 μm is formed in a 30 μm band shape in parallel with the connection portion between the face plate and the rear plate.
An Au film having a thickness of μm was formed, and a spacer as shown in FIG. 6 was formed.

【0100】本実施例では、図6に示すスペーサ102
0を配置した表示パネルを作製した。以下、図2および
図6を用いて詳述する。まず、あらかじめ基板上に行方
向配線電極1013、列方向配線電極1014、電極間
絶縁層(不図示)、および表面伝導型放出素子の素子電
極と導電性薄膜を形成した基板1011を、リアプレー
ト1015に固定した。次に、前述のスペーサを基板1
011の行方向配線1013上に等間隔で、行方向配線
1013と平行に固定した。その後、基板1011の5m
m上方に、内面に蛍光膜1018とメタルバック101
9が付設されたフェースプレート1017を側壁101
6を介し配置し、リアプレ一卜1015、フェースプレ
ート1017、側壁1016およびスペーサ1020の
各接合部を固定した。基板1011とリアプレート10
15の接合部、リアプレート1015と側壁1016の
接合部、およびフェースプレート1017と10側壁1
016の接合部は、フリットガラス(不図示)を塗布
し、大気中で400℃乃至500℃で10分以上焼成すること
で封着した。
In this embodiment, the spacer 102 shown in FIG.
A display panel in which 0 was arranged was produced. Hereinafter, this will be described in detail with reference to FIGS. First, a substrate 1011 on which a row direction wiring electrode 1013, a column direction wiring electrode 1014, an interelectrode insulating layer (not shown), an element electrode of a surface conduction electron-emitting device, and a conductive thin film have been formed on a substrate in advance is placed on a rear plate 1015. Fixed to. Next, the above-described spacer is
On the row direction wiring 1013 of No. 011, it was fixed at equal intervals in parallel with the row direction wiring 1013. Then, 5m of the substrate 1011
m, a fluorescent film 1018 and a metal back 101 on the inner surface.
9 is attached to the side wall 101.
6 and the joints of the rear plate 1015, the face plate 1017, the side wall 1016, and the spacer 1020 were fixed. Substrate 1011 and rear plate 10
15, the joint between the rear plate 1015 and the side wall 1016, and the face plate 1017 and the side wall 1
The joint of No. 016 was sealed by applying frit glass (not shown) and firing at 400 ° C. to 500 ° C. for 10 minutes or more in the air.

【0101】また、スペーサ1020は、基板1011
側では行方向配線1013(線幅300[μm])上に、フェ
ースプレート1017側ではメタルバック1019面上
に、導電性のフィラーあるいは金属等の導電材を混合し
た導電性フリットガラス(不図示)を介して配置し、上
記気密容器の封着と同時に、大気中で400℃乃至500℃で
10分以上焼成することで、接着しかつ電気的な接続も
行った。
The spacer 1020 is formed on the substrate 1011.
A conductive frit glass (not shown) in which a conductive material such as a conductive filler or metal is mixed on the row direction wiring 1013 (line width 300 [μm]) on the side and on the metal back 1019 surface on the face plate 1017 side. And by baking at 400 ° C. to 500 ° C. for 10 minutes or more in air at the same time as the sealing of the airtight container, adhesion and electrical connection were also performed.

【0102】なお、本実施例においては、蛍光膜101
8は、図4( c )に示すように、各色蛍光体21aが列方
向(Y方向)に延びるストライプ形状を採用し、黒色の
導電体21bは各色蛍光体(R、G、B)21a間だけでな
く、Y方向の各画素間をも分離するように配置された蛍
光膜が用いられ、スペーサ1020は、行方向(X方
向)に平行な黒色の導電体21b領域(線幅300[μm])
内にメタルバック1019を介して配置された。なお、
前述の封着を行う際には、各色蛍光体21aと基板101
1上に配置された各素子とを対応させなくてはいけない
ため、リアプレート1015、フェースプレート101
7およびスペーサ1020は十分な位置合わせを行っ
た。
In this embodiment, the fluorescent film 101 is used.
8, as shown in FIG. 4C, each color phosphor 21 a adopts a stripe shape extending in the column direction (Y direction), and the black conductor 21 b is formed between the color phosphors (R, G, B) 21 a. In addition, a fluorescent film arranged so as to separate each pixel in the Y direction is used, and the spacer 1020 is provided in the black conductor 21b region (line width 300 [μm) parallel to the row direction (X direction). ])
It was arranged via a metal back 1019 inside. In addition,
When performing the above-described sealing, each color phosphor 21a and the substrate 101
1, the rear plate 1015 and the face plate 101 must correspond to each other.
7 and the spacer 1020 were sufficiently aligned.

【0103】以上のようにして完成した気密容器内を排
気管(不図示)を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、容器外端子Dx1〜DxmとDy1〜Dynを通
じ、行方向配線電極1013および列方向配線電極10
14を介して各素子に給電して前述の通電フォーミング
処理と通電活性化処理を行うことによりマルチ電子ビー
ム源を製造した。
The inside of the hermetically sealed container completed as described above is evacuated by a vacuum pump through an exhaust pipe (not shown), and after reaching a sufficient degree of vacuum, the container is closed through terminals Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn. Direction wiring electrode 1013 and column direction wiring electrode 10
A multi-electron beam source was manufactured by supplying power to each element via the device 14 and performing the above-described energization forming process and energization activation process.

【0104】次に、10のマイナス6乗[Torr]程度の真
空度で、不図示の排気管をガスバーナーで熱することで
溶着し外囲器(気密容器)の封止を行った。
Next, the exhaust pipe (not shown) was welded by heating with a gas burner at a degree of vacuum of about 10 −6 [Torr] to seal the envelope (airtight container).

【0105】最後に、封止後の真空度を維持するため
に、ゲッター処理を行った。
Finally, a getter process was performed to maintain the degree of vacuum after sealing.

【0106】以上のように完成した、図2および図6に
示されるような表示パネルを用いた画像表示装置におい
て、各冷陰極素子(表面伝導型放出素子)1012に
は、容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1〜Dynを通じ、走査信号お
よび変調信号を不図示の信号発生手段よりそれぞれ印加
することにより電子を放出させ、メタルバック1019
には、高圧端子Hvを通じて高圧を印加することにより
放出電子ビームを加速し、蛍光膜1018に電子を衝突
させ、各色蛍光体21a(図24のR、G、B)を励起・発
光させることで画像を表示した。なお、高圧端子Hvへ
の印加電圧Vaは3[kV]ないし10[kV]、各配
線1013、1014間への印加電圧Vfは14[V]
とした。
In the image display device using the display panel as shown in FIGS. 2 and 6 completed as described above, each cold cathode element (surface conduction type emission element) 1012 has external terminals Dx1 to Dx1. A scanning signal and a modulation signal are applied from Dxm and Dy1 to Dyn from signal generation means (not shown) to emit electrons, and the metal back 1019
By applying a high voltage through the high voltage terminal Hv, the emitted electron beam is accelerated, the electrons collide with the fluorescent film 1018, and the color phosphors 21a (R, G, B in FIG. 24) are excited and emitted. Image displayed. The applied voltage Va to the high voltage terminal Hv is 3 [kV] to 10 [kV], and the applied voltage Vf between the wirings 1013 and 1014 is 14 [V].
And

【0107】このとき、スペーサ1020に近い位置に
ある冷陰極素子1012からの放出電子による発光スポ
ットも含め、2次元状に等間隔の発光スポット列が形成
され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示ができた。
このことは、スペーサ1020を設置しても電子軌道に
影響を及ぼすような電界の乱れは発生しなかったことを
示している。
At this time, a two-dimensional array of light-emitting spots including light-emitting spots generated by electrons emitted from the cold cathode elements 1012 located near the spacer 1020 is formed at two-dimensional intervals, and is a clear color image with good color reproducibility. Display was completed.
This indicates that even when the spacer 1020 was provided, no electric field disturbance affecting the electron trajectory occurred.

【0108】[実施例2]実施例1で使用したものと同
様のポリイミドフィルム(カプトン)を使用し、サンド
ブラストによりその表面に細かい凹凸を形成した後、さ
らにスタンプローラー(例えば、溝を掘った金属のロー
ラー状のもの)を押しつけて凹凸を形成した。今回はス
ペーサ表面のリアプレート側半分に幅30μm、深さ3
0μmのストライプ状凹凸が、フェースプレート側半分
には幅20μm、深さ20μmを形成されたスペーサを製
造した。このようにして製造したスペーサを図7に示す
ように画像表示装置内に設置した。
Example 2 Using the same polyimide film (Kapton) as that used in Example 1, fine irregularities were formed on the surface by sandblasting, and then a stamp roller (for example, a metal having a groove formed therein) was formed. Was pressed to form irregularities. In this case, the width of 30μm, depth 3
A spacer having stripe-shaped irregularities of 0 μm and a width of 20 μm and a depth of 20 μm formed on the face plate half was manufactured. The spacer manufactured in this manner was installed in an image display device as shown in FIG.

【0109】本実施例においても、スペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。
Also in this embodiment, a two-dimensional array of light emitting spots including light emitting spots generated by electrons emitted from the cold cathode elements 1012 located close to the spacer 1020 is formed at two-dimensional intervals, resulting in clear color reproducibility. A good color image could be displayed.

【0110】さらに、本実施例では、実施例1に比べ
て、凹凸の形態を制御することがより簡単であり場所に
よって凹凸の形状を変化させることができた。
Further, in the present embodiment, it is easier to control the form of the unevenness than in the first embodiment, and the shape of the unevenness could be changed depending on the location.

【0111】[実施例3]スペーサを製造するために、
まず、フィルムとして、ポリアミド酸の溶液中に、導電
性を確保するために酸化チタンを少量混合し、前述した
ようにして膜厚70μmのポリイミドのフィルムを作成
した。その後フィルム表面に、サンドブラストによって
凹凸を形成した。次に、実施例1と同様にしてガラス表
面に窒化シリコン膜を形成したものを用意し、これにフ
ィルムを貼り付けて、凹凸表面を有するスペーサを作成
した。最後に低抵抗膜として、フェースプレート、リア
プレートとの接続部に接続部と平行に30μmの帯状に
0.1μm厚みのAu膜を形成した。このようにして製
造したスペーサを図8に示すように設置して画像表示装
置を製造した。
Example 3 In order to manufacture a spacer,
First, as a film, a small amount of titanium oxide was mixed in a polyamic acid solution to secure conductivity, and a 70 μm-thick polyimide film was formed as described above. Thereafter, irregularities were formed on the film surface by sandblasting. Next, a silicon nitride film was formed on the glass surface in the same manner as in Example 1, and a film was attached to the glass nitride film to form a spacer having an uneven surface. Finally, as a low resistance film, a 0.1 μm thick Au film was formed in a 30 μm band shape in parallel with the connection portion between the face plate and the rear plate. The spacer manufactured as described above was installed as shown in FIG. 8 to manufacture an image display device.

【0112】本実施例においても、スペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。
Also in this embodiment, a two-dimensional array of light-emitting spots including light-emitting spots generated by electrons emitted from the cold cathode elements 1012 near the spacer 1020 is formed at two-dimensional intervals, thereby providing clear color reproducibility. A good color image could be displayed.

【0113】さらに、本実施例では、実施例1にある、
高抵抗膜の成膜プロセスを必要としないため、低コスト
化をはかることができる。
Further, in the present embodiment, the first embodiment is different from the first embodiment in that
Since a process of forming a high-resistance film is not required, cost reduction can be achieved.

【0114】[実施例4]実施例3でのポリイミドフィ
ルムの作成過程でポリアミド酸の溶液にシリカ粒子を混
入し、実施例3と同様にしてフィルムを形成した。フィ
ルム形成後、フッ化水素酸水溶液でシリカ成分を選択的
に除去して、凹凸(多孔質状)が形成されたスペーサを
製造した。このようにして製造したスペーサを図8に示
すように設置して画像表示装置を製造した。
Example 4 A silica film was mixed with a polyamic acid solution during the preparation of the polyimide film in Example 3, and a film was formed in the same manner as in Example 3. After forming the film, the silica component was selectively removed with a hydrofluoric acid aqueous solution to produce a spacer having irregularities (porous shape). The spacer manufactured as described above was installed as shown in FIG. 8 to manufacture an image display device.

【0115】本実施例においても、スペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。
Also in this embodiment, a two-dimensional array of light emitting spots including light emitting spots due to electrons emitted from the cold cathode element 1012 located near the spacer 1020 is formed at two-dimensional intervals, and the color reproducibility is clear. A good color image could be displayed.

【0116】さらに、本実施例では、非常に膜厚の大き
いフィルムを使用することにより、表面の凹凸に加え
て、さらに、多孔質状態を形成することにより、より二
次電子放出計数を低くすることが可能である。
Further, in this embodiment, the use of a film having a very large thickness makes it possible to further reduce the secondary electron emission count by forming a porous state in addition to the unevenness on the surface. It is possible.

【0117】[実施例5]スペーサを製造するために、
まず、フィルム状の成膜材料を作製する。その手順は以
下の通りである。
Example 5 In order to manufacture a spacer,
First, a film-shaped film-forming material is prepared. The procedure is as follows.

【0118】最初に、オクチル酸クロムと、フィルム母
材(バインダ)としてアクリル樹脂(例えばポリメタク
リル酸メチル)をキシレンに溶解し、この溶液をテフロ
ン基板上にスピナー塗布して、オーブン中で120℃の
温度で10分間乾燥させ、テフロン基板から剥がす。
First, chromium octylate and an acrylic resin (for example, polymethyl methacrylate) as a film base material (binder) are dissolved in xylene, and this solution is spin-coated on a Teflon substrate, and the solution is heated at 120 ° C. in an oven. And dried from the Teflon substrate for 10 minutes.

【0119】以上でバインダ(アクリル樹脂)中にCr
のカルボン酸塩が分散した、フィルム状の成膜材料が完
成する。上記中Crカルボン酸塩とアクリル樹脂の混合
比は重量比で1対1、またオクチル酸クロムとアクリル樹
脂の混合物とキシレンの混合比は、重量比で3対7とし
た。
As described above, Cr in the binder (acrylic resin)
A carboxylate is dispersed to complete a film-like film-forming material. The mixing ratio between the Cr carboxylate and the acrylic resin was 1: 1 by weight, and the mixing ratio between the mixture of chromium octylate and the acrylic resin and xylene was 3: 7 by weight.

【0120】このフィルムをスペーサ基板に貼り付け、
オーブン中で400℃で2時間、焼成すると、Cr以外
はすべて、蒸発してCrの導電性凹凸膜が形成されたス
ペーサ基板を製造した。これを裁断してスペーサとし、
図8に示すように設置して画像表示装置を製造した。
This film is attached to a spacer substrate,
After baking in an oven at 400 ° C. for 2 hours, all except for Cr was evaporated to produce a spacer substrate on which a Cr conductive uneven film was formed. Cut this into a spacer,
The image display device was manufactured by installing as shown in FIG.

【0121】本実施例においても、スペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。
Also in this embodiment, a two-dimensional array of light-emitting spots including light-emitting spots generated by electrons emitted from the cold cathode elements 1012 located close to the spacer 1020 is formed at two-dimensional intervals, and the color reproducibility is clear. A good color image could be displayed.

【0122】さらに、本実施例では、フィルムを作成し
ないで溶液の段階で、スペーサに塗布する方法に比べ
て、液だれや、スペーサの縁での盛り上がりを防ぐこと
できる。また、非常に量産がしやすく、低コスト化をは
かることができる。
Furthermore, in the present embodiment, dripping and swelling at the edge of the spacer can be prevented as compared with the method of coating the spacer at the solution stage without forming a film. Further, mass production is very easy and cost reduction can be achieved.

【0123】[実施例6]スペーサを製造するために、
まず、ポリエチレンフィルム表面に、ディスペンサーを
用いて平均粒径500Åのシリカ粒子を分散含有してい
るケイ素メトキシド溶液を塗布し、乾燥して凹凸を形成
した。それをスペーサに貼り付け、オーブン中で300
℃で2時間焼成すると、ポリエチレンフィルムだけが蒸
発し、表面に凹凸膜が形成されたスペーサ基板を製造す
ることができる。これを裁断してスペーサを製造し、図
9に示すように設置して画像表示装置を製造した。
[Embodiment 6] In order to manufacture a spacer,
First, a silicon methoxide solution containing silica particles having an average particle diameter of 500 ° dispersed therein was applied to the surface of a polyethylene film using a dispenser, and dried to form irregularities. Paste it on the spacer, 300 in the oven
When baked at 2 ° C. for 2 hours, only the polyethylene film evaporates, and a spacer substrate having an uneven film formed on the surface can be manufactured. This was cut to produce a spacer, which was installed as shown in FIG. 9 to produce an image display device.

【0124】本実施例においても、スペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。
Also in the present embodiment, a row of light emitting spots are formed two-dimensionally at equal intervals, including light emitting spots generated by electrons emitted from the cold cathode element 1012 located near the spacer 1020, so that clear and color reproducibility can be obtained. A good color image could be displayed.

【0125】さらに、本実施例では、ディスペンサーを
用いて凹凸を形成するため、凹凸の形状をたやすく制御
することができる。
Further, in this embodiment, since the unevenness is formed using a dispenser, the shape of the unevenness can be easily controlled.

【0126】[0126]

【発明の効果】本発明によれば、フィルムを用いてスペ
ーサ表面に凹凸表面を形成することによって、凹凸化さ
せるスペーサの大きさに限定されずに、また、凹凸の形
態を自由に設計でき、安定した均一な凹凸(粗面)化加
工が可能となり、低コストで、スペーサの帯電防止効果
を向上させることができる。
According to the present invention, by forming an uneven surface on a spacer surface using a film, the shape of the uneven surface can be freely designed without being limited to the size of the spacer to be uneven. It is possible to perform a stable and uniform asperity (rough surface) forming process, thereby improving the antistatic effect of the spacer at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】一般的な画像表示装置の、表示パネルの一部を
切り欠いて示した斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a general image display device with a part of a display panel cut away.

【図2】本発明の実施形態である画像表示装置の、表示
パネルの一部を切り欠いて示した斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of the image display device according to the embodiment of the present invention, in which a part of a display panel is cut away.

【図3】本発明の実施形態である画像表示装置の、マル
チ電子ビーム源の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a multi-electron beam source of the image display device according to the embodiment of the present invention.

【図4】表示パネルのフェースプレートの蛍光体配列を
例示した断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a phosphor array of a face plate of a display panel.

【図5】本発明の実施態様である表示パネルの断面図で
ある。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a display panel according to an embodiment of the present invention.

【図6】実施例1で製造した画像形成装置の表示パネル
の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a display panel of the image forming apparatus manufactured in the first embodiment.

【図7】実施例2で製造した画像形成装置の表示パネル
の断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a display panel of the image forming apparatus manufactured in the second embodiment.

【図8】実施例3〜5で製造した画像形成装置の表示パ
ネルの断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a display panel of an image forming apparatus manufactured in Examples 3 to 5.

【図9】実施例6で製造した画像形成装置の表示パネル
の断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of a display panel of an image forming apparatus manufactured in Example 6.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3111、 1011 基板 3112、 1012 冷陰極素子 3113、 1013 行方向配線 3114、 1014 列方向配線 3115、 1015 リアプレート 3116、 1016 側壁 3117、 1017 フェースプレート 3118、 1018 蛍光膜 3119、 1019 メタルバック 3120、 1020 構造支持体(スペーサあるいは
リブと呼ばれる) 1020a スペーサ1020の絶縁性部材 1020b スペーサ1020の凹凸層 1020c スペーサ1020の高抵抗膜 1020d スペーサ1020の低抵抗膜 21a R、G、B蛍光体 21b 1010、黒色導電体
3111, 1011 substrate 3112, 1012 cold cathode element 3113, 1013 row direction wiring 3114, 1014 column direction wiring 3115, 1015 rear plate 3116, 1016 side wall 3117, 1017 face plate 3118, 1018 fluorescent film 3119, 1019 metal back 3120, 1020 1020a Insulating member of spacer 1020 1020b Irregular layer of spacer 1020 1020c High-resistance film of spacer 1020 1020d Low-resistance film of spacer 1020 21a R, G, B phosphor 21b 1010, black conductor

Claims (44)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の電子放出素子を有する電子源を備
えたリアプレートと、前記リアプレートと対向して設け
られたフェイスプレートと、前記リアプレートとフェー
スプレートとの間に配設され2つのプレート間を維持す
るスペーサとを備えた電子線装置に用いられるスペーサ
の製造方法であって、 スペーサ形成用の基板(以下、単にスペーサ基板とい
う。)の表面にフィルムを貼り付ける工程により、表面
に凹凸を有するスペーサを形成することを特徴とするス
ペーサの製造方法。
A rear plate provided with an electron source having a plurality of electron-emitting devices; a face plate provided to face the rear plate; and two rear plates provided between the rear plate and the face plate. A method for manufacturing a spacer used in an electron beam apparatus including a spacer for maintaining a distance between plates, wherein a film is attached to a surface of a substrate for forming a spacer (hereinafter, simply referred to as a spacer substrate). A method for manufacturing a spacer, comprising forming a spacer having irregularities.
【請求項2】 前記凹凸が形成される領域は、前記スペ
ーサ表面のなかで、前記リアプレートまたはフェイスプ
レートと当接していない面の少なくとも一部分であるこ
とを特徴とする請求項1記載のスペーサの製造方法。
2. The spacer according to claim 1, wherein the region where the irregularities are formed is at least a part of a surface of the spacer that is not in contact with the rear plate or the face plate. Production method.
【請求項3】 前記フィルムを構成する母材が高分子樹
脂であることを特徴とする請求項1記載のスペーサの製
造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the base material of the film is a polymer resin.
【請求項4】 前記のフィルムを構成する母材が、最終
のスペーサ形態が完成したときに、前記スペーサ基板の
表面に残存していることを特徴とする請求項1〜3のい
ずれかに記載のスペーサの製造方法。
4. The substrate according to claim 1, wherein the base material constituting the film remains on the surface of the spacer substrate when a final spacer form is completed. Manufacturing method of spacer.
【請求項5】 前記のフィルムを構成する母材が、ポリ
イミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、架橋ポリエチレン系
樹脂、またはシリコンゴム系樹脂であることを特徴とす
る請求項4記載のスペーサの製造方法。
5. The method according to claim 4, wherein the base material forming the film is a polyimide resin, a polyamide resin, a crosslinked polyethylene resin, or a silicone rubber resin.
【請求項6】 前記フィルムは、前記フィルム貼り付け
工程前に、表面に凹凸を有していることを特徴とする請
求項4または5記載のスペーサの製造方法。
6. The method according to claim 4, wherein the film has irregularities on its surface before the film attaching step.
【請求項7】 前記フィルムは、前記フィルム貼り付け
工程後に、表面に凹凸が形成されることを特徴とする請
求項4または5記載のスペーサの製造方法。
7. The method for manufacturing a spacer according to claim 4, wherein the film has irregularities formed on its surface after the film attaching step.
【請求項8】 前記凹凸の形成は、物理的削除手段によ
り、フィルム表面を粗面化して行われることを特徴とす
る請求項4〜7のいずれかに記載のスペーサの製造方
法。
8. The method for manufacturing a spacer according to claim 4, wherein the formation of the irregularities is performed by roughening the film surface by a physical removing unit.
【請求項9】 前記凹凸の形成は、サンドブラストまた
はやすりを用いて行われる請求項8記載のスペーサの製
造方法。
9. The method for manufacturing a spacer according to claim 8, wherein the formation of the unevenness is performed by using sandblasting or a file.
【請求項10】 前記凹凸の形成は、物理的押圧手段に
より、フィルム表面を粗面化して行われることを特徴と
する請求項4〜7のいずれかに記載のスペーサの製造方
法。
10. The method for manufacturing a spacer according to claim 4, wherein the formation of the irregularities is performed by roughening the film surface by a physical pressing means.
【請求項11】 前記凹凸の形成は、スタンプローラー
を用いて行われる請求項10記載のスペーサの製造方
法。
11. The method for manufacturing a spacer according to claim 10, wherein the formation of the unevenness is performed using a stamp roller.
【請求項12】 前記凹凸の形成は、後に除去可能な材
料を母材に添加してフィルムを形成し、フィルム形成後
に除去可能な材料を除去することにより行われることを
特徴とする請求項4〜7のいずれかに記載のスペーサの
製造方法。
12. The method according to claim 4, wherein the formation of the unevenness is performed by adding a material that can be removed later to the base material to form a film, and removing the material that can be removed after the film is formed. 8. The method for producing a spacer according to any one of items 7 to 7.
【請求項13】 前記凹凸の形成は、前記の後に除去可
能な材料としてシリカ粒子を用いて、フィルム形成後に
フッ化水素酸によりシリカを溶解除去して行われる請求
項12記載のスペーサの製造方法。
13. The method for manufacturing a spacer according to claim 12, wherein the formation of the irregularities is performed by using silica particles as a material that can be removed later, and dissolving and removing silica with hydrofluoric acid after forming the film. .
【請求項14】 前記凹凸の形成は、フィルム表面に凹
凸形状の突起を付着させることにより行われることを特
徴とする請求項4〜7のいずれかに記載のスペーサの製
造方法。
14. The method for manufacturing a spacer according to claim 4, wherein the formation of the irregularities is performed by attaching irregular projections to the film surface.
【請求項15】 前記凹凸の形成は、フィルム表面に印
刷手段により凹凸形状の突起を付着させることにより行
われることを特徴とする請求項14記載のスペーサの製
造方法。
15. The method for manufacturing a spacer according to claim 14, wherein the formation of the unevenness is performed by attaching a projection having an uneven shape to a film surface by a printing means.
【請求項16】 前記印刷手段は、ディスペンサによる
印刷またはスクリーン印刷である請求項15記載のスペ
ーサの製造方法。
16. The method for manufacturing a spacer according to claim 15, wherein said printing means is printing by a dispenser or screen printing.
【請求項17】 前記フィルムは、導電性を有している
ことを特徴とする請求項4〜16のいずれかに記載のス
ペーサの製造方法。
17. The method according to claim 4, wherein the film has conductivity.
【請求項18】 前記のフィルムを構成する母材が、最
終のスペーサ形態が完成したときに、前記スペーサ基板
の表面に残存しないことを特徴とする請求項1〜3のい
ずれかに記載のスペーサの製造方法。
18. The spacer according to claim 1, wherein the base material constituting the film does not remain on the surface of the spacer substrate when a final spacer form is completed. Manufacturing method.
【請求項19】 前記のフィルムを構成する母材が、ポ
リオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、酢酸ビニル、ビ
ニルアルコール、またはセルロース系樹脂であることを
特徴とする請求項18記載のスペーサの製造方法。
19. The method for manufacturing a spacer according to claim 18, wherein the base material constituting the film is a polyolefin resin, an acrylic resin, vinyl acetate, vinyl alcohol, or a cellulose resin.
【請求項20】 前記フィルムには、母材と共に凹凸形
成用の材料が混入しており、フィルムをスペーサ基板に
貼り付け後に母材を飛散させて凹凸をスペーサ基板表面
に残すことを特徴とする請求項18または19記載のス
ペーサの製造方法。
20. A material for forming concavities and convexities is mixed into the film together with the base material, and after sticking the film to the spacer substrate, the base material is scattered to leave irregularities on the surface of the spacer substrate. A method for manufacturing a spacer according to claim 18.
【請求項21】 前記フィルムは、母材からなるフィル
ム上に凹凸形成用の材料により形成された凹凸を有して
おり、フィルムをスペーサ基板に貼り付け後に母材を飛
散させて凹凸をスペーサ基板表面に残すことを特徴とす
る請求項18または19記載のスペーサの製造方法。
21. The film has irregularities formed by a material for forming irregularities on a film made of a matrix, and the film is attached to a spacer substrate, and the matrix is scattered to reduce irregularities. The method for manufacturing a spacer according to claim 18, wherein the spacer is left on the surface.
【請求項22】 前記の凹凸形成用の材料によるフィル
ム上の凹凸の形成は、フィルム表面に印刷手段により凹
凸形状を付与することにより行われることを特徴とする
請求項21記載のスペーサの製造方法。
22. The method for manufacturing a spacer according to claim 21, wherein the formation of the unevenness on the film by the material for forming unevenness is performed by giving an uneven shape to the film surface by a printing means. .
【請求項23】 前記印刷手段は、ディスペンサによる
印刷またはスクリーン印刷である請求項22記載のスペ
ーサの製造方法。
23. The method according to claim 22, wherein the printing means is printing by a dispenser or screen printing.
【請求項24】 前記の凹凸形成用の材料は、母材を飛
散させる処理後に導電性を有していることを特徴とする
請求項18〜23のいずれかに記載のスペーサの製造方
法。
24. The method for manufacturing a spacer according to claim 18, wherein the material for forming unevenness has conductivity after a process of scattering a base material.
【請求項25】 前記の母材を飛散させる方法は、焼成
である請求項20〜24のいずれかに記載のスペーサの
製造方法。
25. The method for manufacturing a spacer according to claim 20, wherein the method of scattering the base material is firing.
【請求項26】 前記凹凸は、スペーサの表面の位置に
よって形態が異なることを特徴とする請求項1〜25の
いずれかに記載のスペーサの製造方法。
26. The method for manufacturing a spacer according to claim 1, wherein the shape of the unevenness differs depending on the position of the surface of the spacer.
【請求項27】 前記凹凸は、スペーサの表面のフェー
スプレート側からリアプレート側に向かう方向に対して
形態が異なることを特徴とする請求項26記載のスペー
サの製造方法。
27. The method for manufacturing a spacer according to claim 26, wherein the shape of the unevenness is different from the direction from the face plate side to the rear plate side of the surface of the spacer.
【請求項28】 前記凹凸は、スペーサの表面で異方性
を有していることを特徴とする請求項1〜27のいずれ
かに記載のスペーサの製造方法。
28. The method according to claim 1, wherein the irregularities have anisotropy on the surface of the spacer.
【請求項29】 前記フィルムを少なくとも一方向に延
伸することで前記凹凸の異方性を形成することを特徴と
する請求項28のいずれかに記載のスペーサの製造方
法。
29. The method for manufacturing a spacer according to claim 28, wherein the anisotropy of the unevenness is formed by stretching the film in at least one direction.
【請求項30】 前記フィルムの延伸を、スペーサ基板
に貼り付ける前に行うことを特徴とする請求項29に記
載のスペーサの製造方法。
30. The method according to claim 29, wherein the stretching of the film is performed before the film is attached to a spacer substrate.
【請求項31】 前記スペーサ基板の表面に凹凸を形成
した後、表面にさらに導電性膜を形成する工程を有する
請求項1〜30のいずれかに記載のスペーサの製造方
法。
31. The method of manufacturing a spacer according to claim 1, further comprising a step of forming a conductive film on the surface after forming irregularities on the surface of the spacer substrate.
【請求項32】 前記スペーサのシート抵抗が1×10
の7乗〜1×10の14乗Ω/□になるように形成され
る請求項1〜31のいずれかに記載のスペーサの製造方
法。
32. The sheet resistance of the spacer is 1 × 10
The method for manufacturing a spacer according to any one of claims 1 to 31, wherein the spacer is formed to have a power of 7 to 1 x 10 14 Ω / □.
【請求項33】 前記リアプレートおよび前記フェース
プレートとの当接面の少なくとも一方に、スペーサのシ
ート抵抗より抵抗が低い低抵抗膜を形成する工程を有す
る請求項31または32記載のスペーサの製造方法。
33. The method of manufacturing a spacer according to claim 31, further comprising a step of forming a low-resistance film having a resistance lower than a sheet resistance of the spacer on at least one of the contact surfaces of the rear plate and the face plate. .
【請求項34】 前記低抵抗膜は、スペーサのシート抵
抗より1桁小さい抵抗値を有することを特徴とする請求
項34記載のスペーサの製造方法。
34. The method for manufacturing a spacer according to claim 34, wherein the low resistance film has a resistance value which is one digit smaller than a sheet resistance of the spacer.
【請求項35】 請求項1〜34のいずれかの製造方法
により製造されたスペーサ。
35. A spacer manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
【請求項36】 複数の電子放出素子を有する電子源を
備えたリアプレートと、前記リアプレートと対向して設
けられたフェイスプレートと、前記リアプレートとフェ
ースプレートとの間に配設され2つのプレート間を維持
するスペーサとを備えた電子線装置に用いられるスペー
サであって、 スペーサ基板の表面に耐熱性高分子を母材とするフィル
ムが貼り付けられており、表面粗さがRaで100Å〜
100μmである凹凸を表面に有するスペーサ。
36. A rear plate provided with an electron source having a plurality of electron-emitting devices, a face plate provided opposite to the rear plate, and two rear plates provided between the rear plate and the face plate. A spacer for use in an electron beam apparatus having a spacer for maintaining a distance between plates, wherein a film having a heat-resistant polymer as a base material is attached to a surface of a spacer substrate, and a surface roughness is 100 mm in Ra. ~
A spacer having a surface having irregularities of 100 μm.
【請求項37】 前記フィルムが、異方性を有している
請求項36記載のスペーサ。
37. The spacer according to claim 36, wherein the film has anisotropy.
【請求項38】 前記フィルムが、延伸されている請求
項36記載のスペーサ。
38. The spacer of claim 36, wherein said film is stretched.
【請求項39】 請求項35〜38のいずれかに記載の
スペーサを備えた電子線装置。
39. An electron beam device comprising the spacer according to claim 35.
【請求項40】 前記電子源は、配線にて結線された複
数の電子放出素子を有し、前記スペーサは前記配線に電
気的に接続されていることを特徴とする請求項39記載
の電子線装置。
40. The electron beam according to claim 39, wherein the electron source has a plurality of electron-emitting devices connected by wiring, and the spacer is electrically connected to the wiring. apparatus.
【請求項41】 前記フェースプレートは、前記電子源
から放出される電子を加速する加速電極を有しているこ
とを特徴とする請求項39記載の電子線装置。
41. The electron beam apparatus according to claim 39, wherein said face plate has an acceleration electrode for accelerating electrons emitted from said electron source.
【請求項42】 前記電子放出素子は、表面伝導型放出
素子であることを特徴とする請求項39〜41のいずれ
かに記載の電子線放出装置。
42. The electron beam emitting device according to claim 39, wherein said electron emitting device is a surface conduction type emitting device.
【請求項43】 前記電子線装置は、前記フェースプレ
ート側面に電子線ターゲットを有しており、入力信号に
応じて前記電子放出素子から放出された電子が照射され
て画像が形成される画像形成装置である39〜42のい
ずれかに記載の電子線装置。
43. The image forming apparatus according to claim 43, wherein the electron beam device has an electron beam target on a side surface of the face plate, and an image is formed by irradiating an electron emitted from the electron emitting element in response to an input signal. 43. The electron beam device according to any one of 39 to 42, which is a device.
【請求項44】 前記電子線ターゲットが、蛍光体であ
ることを特徴とする請求項43記載の電子線装置。
44. The electron beam apparatus according to claim 43, wherein said electron beam target is a phosphor.
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KR100381437B1 (en) * 2000-12-29 2003-04-26 엘지전자 주식회사 The joining method of FED's spacer
JP2006114510A (en) * 2003-06-06 2006-04-27 Canon Inc Manufacturing method for spacer
KR100852709B1 (en) * 2007-04-25 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 Light emission device and display device provided with the same

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