JP2004182834A - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2004182834A
JP2004182834A JP2002350413A JP2002350413A JP2004182834A JP 2004182834 A JP2004182834 A JP 2004182834A JP 2002350413 A JP2002350413 A JP 2002350413A JP 2002350413 A JP2002350413 A JP 2002350413A JP 2004182834 A JP2004182834 A JP 2004182834A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing composition
tantalum compound
copper
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002350413A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumihiro Shiraishi
史広 白石
Toshihiko Ogawa
俊彦 小川
Michio Kimura
道生 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2002350413A priority Critical patent/JP2004182834A/ja
Publication of JP2004182834A publication Critical patent/JP2004182834A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】銅膜、タンタル化合物のバリア層、SiOの絶縁層を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、SiOの研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。
【解決手段】研磨材として一次粒子の平均粒径が10nmであるコロイダルシリカと平均粒径30nmmの(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン:95/5mol%)、シュウ酸、過酸化水素、ベンゾトリアゾールを0.5μmのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させて研磨用組成物を得た。

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、各種メモリーハードディスク用基板等の研磨に使用される研磨用組成物に関し、特に半導体のデバイスウエハーの表面平坦化加工に好適に用いられる研磨用組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
エレクトロニクス業界の最近の著しい発展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急激に増大するに伴って半導体デバイスのデザインルールは年々微細化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くなり、パターン形成面の平坦性はますます厳しくなってきている。
【0003】
一方で配線の微細化による配線抵抗の増大をカバーするために、配線材料としてアルミニウムやタングステンからより電気抵抗の小さな銅配線が検討されてきている。しかしながら銅を配線層や配線間の相互接続に用いる場合には、絶縁膜上に配線溝や孔を形成した後、スパッタリングやメッキによって銅膜を形成して不要な部分を化学的機械的研磨法(CMP)によって絶縁膜上の不要な銅が取り除かれる。
【0004】
かかるプロセスでは銅が絶縁膜中に拡散してデバイス特性を低下させるので、通常は銅の拡散防止のために絶縁膜上にバリア層としてタンタルやタンタルナイトライドの層を設けることが一般的になっている。
【0005】
このようにして最上層に銅膜を形成させたデバイスの平坦化CMPプロセスにおいては、初めに不要な部分の銅膜を絶縁層上に形成されたタンタル化合物の表面層まで研磨し、次のステップでは絶縁膜上のタンタル化合物の層を研磨しSiO面が出たところで研磨が終了していなければならない。このようなプロセスを図1に示したが、かかるプロセスにおけるCMP研磨では銅、タンタル化合物、SiOなどの異種材料に対して研磨レートに選択的性があることが必要である。
【0006】
即ちステップ1では銅に対する研磨レートが高く、タンタル化合物に対してはほとんど研磨能力がない程度の選択性が必要である。さらにステップ2ではタンタル化合物に対する研磨レートは大きいが銅、SiOに対する研磨レートが小さいほどSiOの削りすぎを防止できるので好ましい。
【0007】
このプロセスを理想的には一つの研磨材で研磨できることが望まれるが、異種材料に対する研磨レートの選択比をプロセスの途中で変化させることはできないのでプロセスを2ステップに分けて異なる選択性を有する2つのスラリーでそれぞれのCMP工程を実施する。通常溝や孔の銅膜の削りすぎ(ディッシング、リセス、エロージョン)を防ぐためにステップ1ではタンタル化合物上の銅膜は少し残した状態で研磨を終了させる。ついでステップ2ではSiO層をストッパーとして残ったわずかな銅とタンタル化合物を研磨除去する。
【0008】
ステップ2に用いられる研磨用組成物に対しては、ステップ1で研磨された状態から主としてタンタル化合物を選択的に研磨するために必要な研磨レートは500〜1000(Å/min.)程度であり、銅、SiOの研磨レートについてはそれぞれ0〜100(Å/min.)、0〜10(Å/min.)が望ましいとされている。
【0009】
このようなステップ2研磨用の研磨用組成物としては、コロイダルシリカ、過酸化水素、ベンゾトリアゾール、シュウ酸と水とを含有しKOHなどでpH2〜5に調整した研磨用組成物が特許文献1に示されている。タンタル化合物に対して銅の研磨レートが大きくなっているがその比が3程度であり、選択性が充分とは言えなかった。
【0010】
また、砥粒に有機粒子と無機粒子を併用したステップ2研磨用組成物として、特許文献2に示されているが、過酸化水素、酢酸、KOH、マレイン酸塩などが配合された組成物であるがタンタル化合物と銅との
研磨選択比が1.1程度であり、ステップ1での銅の研磨をアンダーポリッシングで止め、ステップ2で銅とタンタル化合物を一緒に研磨する場合には
好ましい選択比ではあるがタンタル化合物のみを選択的に研磨し、銅やSiOはできるだけ研磨しないようにする用途には不向きであった。
【0011】
【特許文献1】
特開2001−247853号公報
【特許文献2】
特開2001−196336号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、銅膜、タンタル化合物のバリア層、SiOの絶縁層を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、SiOの研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は(A)研磨材、(B)有機酸、(C)酸化剤、(D)酸化防止剤、および(E)水を含有してなる研磨用組成物であって、(A)研磨材が、平均粒径1nm−35nmの(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体を主成分とする有機粒子と平均粒径5nm−15nmの範囲にあるフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなる無機粒子との混合物であり、有機粒子と無機粒子の重量配合比は75/25〜40/60の範囲にあり、研磨用組成物中の濃度が2〜10重量%であり、(B)有機酸の主成分がシュウ酸であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜1.0重量%であり、(C)酸化剤が過酸化水素であり、研磨用組成物中の濃度が0.03〜1.0重量%であり、(D)酸化防止剤がベンゾトリアゾールまたはその誘導体であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜1.0重量%であることを特徴とする研磨用組成物である。
【0014】
本発明はかかる上記の問題点を解決するために種々検討した結果、特定の樹脂粒子からなる有機粒子と無機粒子、有機酸、過酸化水素、ベンゾトリアゾール化合物、及び水からなる研磨用組成物を用いることで、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、しかもSiOの研磨レートを充分に小さくできることを見いだし、発明を完成するに至ったものである。
【0015】
本発明に用いられる研磨材は特定の平均粒径並びに特定の配合比の特定の樹脂からなる有機粒子と無機粒子との混合物である。
本発明に用いる有機粒子の平均粒径は1nm−35nmの(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体である。平均粒径が1nm未満ではSiO膜の研磨レートを押さえる効果が発揮できないので好ましくなく、35nmを超えると銅膜の研磨レートが大きくなるので好ましくない。
【0016】
有機粒子は、(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体が主成分であれば特に限定されないが、好ましくは比較的安価で粒径の揃った粒子を生成する乳化重合によって製造されたものである。
【0017】
本発明に用いる無機粒子の平均粒径は5nm−15nmの範囲にあることが好ましい。5nm未満ではタンタル膜を研磨する際の研磨速度が極端に低下するので好ましくなく、15nmを超えるとSiO膜の研磨レートが大きくなってしまうので好ましくない。
【0018】
本発明に用いる無機粒子はフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなる無機粒子の混合物であり、
これらのものを単独或いは任意に組み合わせ用いることができる。組み合わせや比率などは特に限定されるものではない。
【0019】
有機粒子と無機粒子の重量配合比は75/25〜40/60の範囲にあることが好ましい。この範囲よりも有機粒子の割合が少ないとSiO膜の研磨レートを抑える効果が小さいので好ましくなく、この範囲よりも有機粒子が多いとタンタル膜を研磨する際の研磨速度が低下するので好ましくない。
【0020】
研磨材の研磨用組成物中の濃度は2〜10重量%であることが望ましい。研磨材の濃度が小さくなりすぎると機械的な研磨能力が減少し研磨レートが低下するので好ましくなく、濃度が高すぎると機械的研磨能力が増大してタンタル化合物、銅、SiOの研磨の選択性が低下するので好ましくない。
【0021】
本発明の研磨用組成物は有機酸を含有する。有機酸はシュウ酸であることが好ましい。研磨用組成物中の濃度は0.01〜1.0重量%であることが望ましい。0.01重量%未満であるとタンタル化合物膜の研磨レートが小さくなるために好ましくなく1.0重量%を超えると銅膜研磨レートが大きくなり制御できなくなるので好ましくない。
【0022】
本発明の研磨用組成物は酸化剤を含有するが、酸化剤としては過酸化水素が好ましい。過酸化水素はタンタル化合物膜に対して酸化作用を発揮し、イオン化を促進することによってタンタル化合物膜の研磨レートを高める働きがあるが、研磨用組成物中の濃度は0.03〜1.0重量%であることが望ましい。この範囲の濃度から高くなっても低くなり過ぎてもタンタル化合物膜の研磨レートが低下するので好ましくない。
【0023】
本発明の研磨用組成物は酸化防止剤としてベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含有し、研磨組成物中の濃度は0.01〜1.0重量%である。0.01重量%未満であると銅膜の研磨レートを抑える効果に乏しくなるので好ましくなく、1.0重量%を超えるとタンタル化合物膜の研磨レートが極端に減少するので好ましくない。
【0024】
本発明の研磨用組成物の媒体は水であり、イオン性不純物や金属イオンを極力減らしたものであることが望ましい。
【0025】
本発明の研磨用組成物は上記の各成分、研磨材、有機酸、酸化剤、酸化防止剤、を水に混合、溶解、分散させて製造する。過酸化水素は、研磨直前に前記の混合液に添加、混合するが予め混合しておくことも可能である。それらの混合方法は、任意の装置で行うことができる。例えば、翼式回転攪拌機、超音波分散機、ビーズミル分散機、ニーダー、ボールミルなどが適用可能である。
【0026】
また上記成分以外に種々の研磨助剤を配合してもよい。このような研磨助剤の例としては、分散助剤、防錆剤、消泡剤、pH調整剤、防かび剤等が挙げられるが、これらはスラリーの分散貯蔵安定性、研磨速度の向上の目的で加えられる。分散助剤としてはヘキサメタリン酸ソーダ等が挙げられる。もちろん各種界面活性剤などを添加して分散性を向上させることができることは言うまでもない。pH調整剤としてはアンモニアなどの塩基性化合物や酢酸、塩酸、硝酸等の酸性化合物が挙げられる。消泡剤としては流動パラフィン、ジメチルシリコーンオイル、ステアリン酸モノ、ジグリセリド混合物、ソルビタンモノパルミチエート、等が挙げられる。
【0027】
【実施例】
本発明を実施例で具体的に説明する。
<実施例1>
研磨材として一次粒子の平均粒径が10nmであるコロイダルシリカと平均粒径30nmの(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン:95/5mol%)、シュウ酸、ベンゾトリアゾールが表1に示された濃度になるように0.5μmのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させて研磨用組成物を得た。過酸化水素については研磨直前に混合して用いた。
【0028】
<研磨評価>
被研磨物は8インチのシリコンウエハー上SiO膜、タンタル化合物膜、銅膜のベタ膜を形成したものを用意し各膜の研磨レートを測定し、選択比を求めた。
【0029】
研磨は定盤径600mmの片面研磨機を用いた。研磨機の定盤にはロデール社製(米国)のポリウレタン製研磨パッドIC−1000/Suba400を専用の両面テープで張り付け、研磨用組成物(スラリー)を流しながら研磨した。荷重は3psi、定盤の回転数を70rpm、ウエハー回転数72rpm、研磨材組成物の流量を150ml/minとした。
【0030】
<実施例2〜5、比較例1〜7>
表1に示された配合によって研磨組成物を調整し研磨特性を評価した。
結果を表1に示した。
【0031】
【表1】
Figure 2004182834
【0032】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば銅膜、タンタル膜を含む半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいてタンタル化合物膜を優先的に研磨可能な研磨液組成物が得られ、半導体デバイスを効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】銅膜を形成させたデバイスの研磨プロセスの模式図
【符号の説明】
1 Cu
2 Ta
3 SiO

Claims (1)

  1. (A)研磨材、(B)有機酸、(C)酸化剤、(D)酸化防止剤、および(E)水を含有してなる研磨用組成物であって、(A)研磨材が、平均粒径1nm−35nmの(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体を主成分とする有機粒子と平均粒径5nm−15nmの範囲にあるフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなる無機粒子との混合物であり、有機粒子と無機粒子の重量配合比は75/25〜40/60の範囲にあり、研磨用組成物中の濃度が2〜10重量%であり、(B)有機酸の主成分がシュウ酸であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜1.0重量%であり、(C)酸化剤が過酸化水素であり、研磨用組成物中の濃度が0.03〜1.0重量%であり、(D)酸化防止剤がベンゾトリアゾールまたはその誘導体であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜1.0重量%であることを特徴とする研磨用組成物。
JP2002350413A 2002-12-02 2002-12-02 研磨用組成物 Withdrawn JP2004182834A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002350413A JP2004182834A (ja) 2002-12-02 2002-12-02 研磨用組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002350413A JP2004182834A (ja) 2002-12-02 2002-12-02 研磨用組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004182834A true JP2004182834A (ja) 2004-07-02

Family

ID=32752648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002350413A Withdrawn JP2004182834A (ja) 2002-12-02 2002-12-02 研磨用組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004182834A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007048316A1 (fr) * 2005-10-28 2007-05-03 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd Pate d'abrasion chimique-mecanique pour couche barriere au tantale
JP2007273621A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007048316A1 (fr) * 2005-10-28 2007-05-03 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd Pate d'abrasion chimique-mecanique pour couche barriere au tantale
JP2007273621A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004356326A (ja) 研磨用組成物
JP2004182834A (ja) 研磨用組成物
JP2005136134A (ja) 研磨用組成物
JP2005136256A (ja) 研磨用組成物
JP2004311484A (ja) 研磨用組成物
JP2003133266A (ja) 研磨用組成物
JP2003218071A (ja) 研磨用組成物
JP2004107369A (ja) 研磨用組成物
JP2004107423A (ja) 研磨用組成物
JP2003238942A (ja) 研磨用組成物
JP2004356327A (ja) 研磨用組成物
JP2004107368A (ja) 研磨用組成物
JP2005019519A (ja) 研磨用組成物
JP2004149655A (ja) 研磨用組成物
JP2004131619A (ja) 研磨用組成物
JP2004099783A (ja) 研磨用組成物
JP2004107422A (ja) 研磨用組成物
JP2004149630A (ja) 研磨用組成物
JP2004143260A (ja) 研磨用組成物
JP2004281848A (ja) 研磨用組成物
JP2004107421A (ja) 研磨用組成物
JP2005136255A (ja) 研磨用組成物
JP2004131617A (ja) 研磨用組成物
JP2003197572A (ja) 研磨用組成物
JP2003321671A (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050713

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20061121