JP2004177905A - 光モジュール - Google Patents

光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2004177905A
JP2004177905A JP2002363504A JP2002363504A JP2004177905A JP 2004177905 A JP2004177905 A JP 2004177905A JP 2002363504 A JP2002363504 A JP 2002363504A JP 2002363504 A JP2002363504 A JP 2002363504A JP 2004177905 A JP2004177905 A JP 2004177905A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
fiber
light
output
optical module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002363504A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Fujita
豪 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to US10/319,539 priority Critical patent/US6920158B2/en
Priority to JP2002363504A priority patent/JP2004177905A/ja
Publication of JP2004177905A publication Critical patent/JP2004177905A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/146External cavity lasers using a fiber as external cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/146External cavity lasers using a fiber as external cavity
    • H01S5/147External cavity lasers using a fiber as external cavity having specially shaped fibre, e.g. lensed or tapered end portion

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

【課題】従来の光モジュールは、温度変化等による光軸ずれにより、ファイバ端の光出力が変化しても、モニタ用フォトダイオードでは背面側の発散光のみをモニタしていたため、トラッキングエラーの補正が行えず、結果として、トラッキングエラーが大きくなるという課題があった。
【解決手段】本発明は、上記のようなトラッキングエラーを抑圧するためになされるものであり、光軸ずれ等によるファイバ端光出力低下をファイバグレーティング等で検出することで、トラッキングエラーが少ない光モジュールを提供することを目的とする。
【選択図】図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は光ファイバと、レーザダイオードとが光学的に結合され、さらに、レーザダイオードが背面側に放出する光を受光するモニタ用フォトダイオードを備えた光モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバを介して光信号を伝達する光通信分野では、伝達される光信号を増幅するためのEDF(Er添加光ファイバ)等を用いた光ファイバ増幅器が利用される。この光ファイバ増幅器は、信号光を増幅する光源として、光モジュールを用いている。図7に、従来の光モジュールの構成を示す。1は前面及び背面に光を放出するレーザダイオード(LD)、2は前記LD1が前面側へ放出する光を集光するレンズ、3は前記レンズ2で集光された光を伝送する光ファイバ、4はLD1が背面側へ放出する光を受光するモニタ用フォトダイオード(PD)、50は前記PD4のモニタ出力電流を出力する出力端子、100は前記LD1、レンズ2、PD4等を備えた光モジュール、5は前記出力端子50からのモニタ出力電流に応じてLD1の出力を制御するAPC(光出力制御)回路である。
【0003】
以下に動作について説明する。LD1からの光は、LD1の前面側及び背面側に放出される。LD1が前面側へ放出する光は、レンズ2により集光される。集光された光は、光ファイバ3により伝送される。LD1が背面側へ放出する光は、LD1の光出力をモニタするためのPD4に入射される。PD4はLD1の背面側から放出された光出力に応じたモニタ出力電流を出力する。モニタ出力電流は、出力端子50を経由して、光モジュール100の外部に設けられたAPC回路5へ入力される。APC回路5では、PD4からのモニタ出力電流に応じてLD1の光出力を制御する。なお、APC回路5は、光モジュール100の外部に設けられており、光送信器の構成の一部をなす。
【0004】
トラッキングエラーの要因の一つである、光軸ずれに関して以下に示す。なお、光軸ずれとは、レンズ2の焦点位置と、光ファイバ3端面の光入力部分とのずれを示す。LD1が前面側へ放出する光は、レンズ2により集光される。集光された光は、光ファイバ3の端面の光入力部分へ入射される。一般的に、LD1が前面側に放出する光を効率よく光ファイバ3に入射させるため、レンズ2の焦点部分が光ファイバ3の端面の光入力部分に来るように、レンズ2と光ファイバ3とを配置する。このため、温度変化等により光軸ずれが発生した場合、レンズによる集光位置と光ファイバ3の端面の光入力部分とがずれる現象が発生する。これにより、光ファイバへ入射される光量が低下し、結果として、ファイバ端での光出力が低下する。これが、トラッキングエラーの要因となる。トラッキングエラーは、光ファイバ増幅器の利得変動につながるため、光通信において重要な問題となる。
【0005】
図8は、PD4のモニタ出力電流と、光ファイバ3の中を伝送される光出力(ファイバ端光出力)との関係を測定した結果を示す。なお、ファイバ端光出力とは、LD1の前面側光出力をレンズ2で集光し、光ファイバ内に入射され、光ファイバ3の中を伝送される光出力を示す。図8において、モニタ出力電流0.155mA時に5℃と45℃で発生するトラッキングエラーは、ファイバ端出力が5℃で109.5mW、45℃で96.5mWであることから−0.55dBとなる(=10×LOG(96.5/109.5))。
【0006】
図9は、従来の構成における光軸ずれ量に対する、ファイバ端光出力とモニタ出力電流の変動を測定した結果である。この図に示すように、光軸ずれが発生した場合、ファイバ端光出力はその軸ずれ量に応じて顕著に低下しているが、モニタ出力電流はほとんど変わらない。これは、PD4が受光する背面側から放出される光は、前面側から放出される光の様にレンズ等による集光を行わず、発散光となっているためである。これに対して、LD1が前面側へ放出する光は、レンズ2により集光されており、マイクロメータオーダで光軸ずれが発生しても、光ファイバ3の端面の光入力部分に焦点が合わなくなるため、ファイバ端での光出力の低下を招く。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来の光モジュールは、温度変化等による光軸ずれにより、ファイバ端の光出力が変化しても、モニタ用フォトダイオードでは背面側の発散光のみをモニタするため、APC回路による光出力制御を行った場合、トラッキングエラーが大きくなってしまうという課題があった。
【0008】
本発明は、上記のようなトラッキングエラーを抑圧するためになされるものであり、光軸ずれ等によるファイバ端の光出力低下を検出することで、トラッキングエラーが少ない光モジュールを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る光モジュールは、前面及び背面に光を放出するレーザダイオードと、
前記レーザダイオードが前面側へ放出する光を集光するレンズと、前記レンズで集光された光の一部を反射、残りの光を透過または、吸収する光出力外部帰還部と、前記光出力外部帰還部を透過した光を伝送する光ファイバと、前記レーザダイオードが背面側へ放出する光を受光するモニタ用フォトダイオードとを備えるものである。
【0010】
また、前記光ファイバが、前記光出力外部帰還部を有していてもよい。
【0011】
また、前記光出力外部帰還部が、光ファイバ端面に施されたコーティングであってもよい。
【0012】
また、前記光出力外部帰還部が、光ファイバ内部に用意されたファイバグレーティングであってもよい。
【0013】
さらに、前記モニタ用フォトダイオードのモニタ出力電流を出力する出力端子を備えていてもよい。
【0014】
さらに、前記モニタ用フォトダイオードのモニタ出力電流に基づいて、前記レーザダイオードの光出力を制御するAPC回路を備えていてもよい。
【0015】
また、前記光ファイバ端面に施されたコーティングの反射率が2%から10%であってもよい。
【0016】
また、前記ファイバグレーティングの反射率が2%から10%であってもよい。
【0017】
さらに、前記光ファイバが、コア拡大ファイバであってもよい。
【0018】
さらに、前記光ファイバが、楔型ファイバであってもよい。
【0019】
この発明に係る光モジュールは、レンズの焦点位置と光ファイバ端面の光入力部分とのずれ量に対するモニタ用フォトダイオードのモニタ出力電流の変化が、前記ずれ量に対するレーザダイオードの前面側光出力の変化(減少)の方向と同じであり、かつ前記ずれ量に対する 変動量(相対値)が、前面側光出力の変動量(相対値)の1/6以上であるものである。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施の形態を示す図である。図1において、1から5、50及び100は従来技術と同じである。6は光ファイバ3の中に備えられた、光の一部を反射し、残りの光を透過または吸収する光出力外部帰還部として用いられる回折格子を有したファイバグレーティングである。
【0021】
以下動作について説明する。従来技術と同様に、LD1が前面側へ放出する光は、レンズ2により集光される。集光された光は、光ファイバ3により伝送される。光ファイバ3の中に備えられたファイバグレーティング6では、光ファイバに入射された光の一部が反射され、残りの光が透過される。反射された光の一部は、レンズ2、LD1を透過して、LD1の背面側に放出する光と共に、PD4に到達する。ここで、光軸がずれることによりファイバ端光出力が変化した場合、ファイバグレーティング6で反射された光量が変化するため、結果としてPD4に到達する光量も変化する。なお、光軸ずれとは、レンズ2の焦点位置と、光ファイバ3の端面の光入力部分とのずれを示す。
【0022】
図2は、本発明の構成における光軸ずれ量に対する、ファイバ端光出力とモニタ出力電流の変動を測定した結果である。反射率約3%のファイバーグレーティングを使用している。この図に示すように、光軸ずれが発生した場合、ファイバ端光出力が低下すると共に、モニタ出力電流も低下している。光軸ずれに対するファイバ端光出力の低下は、LD出射光の集光パターンと光ファイバのモードフィールド径の関係により、2次曲線的に変化する。また、モニタ出力電流が光軸ずれにより低下するのは、主としてファイバグレーティングによる反射光の割合が減少するためであり、その変化の仕方はファイバグレーティングの反射率やモニタ用フォトダイオードの搭載位置などに依存する。この様に、光軸ずれが発生した時には、ファイバ端光出力の低下に伴い、モニタ出力電流も減少するため、APC回路5による光出力制御を行った場合、モニタ出力電流が一定になるようにLD1の動作電流を増加させるため、結果としてLD1の出力を大きくしてトラッキングエラーを改善し、ファイバ端光出力を安定化させる。
【0023】
図3に、反射率約3%のファイバグレーティングを使用したときの、PD4のモニタ出力電流と、光ファイバ3の中を伝送される光出力(ファイバ端光出力)との関係を測定した結果を示す。図3において、モニタ出力電流0.155mA時に5℃と45℃で発生するトラッキングエラーは、ファイバ端光出力が5℃で103.6mW、45℃で95.6mWであることから−0.35dBとなる(=10×LOG(95.6/103.6))。この様に、従来技術と比べて、本実施の形態の様に、ファイバグレーティング(反射率:約3%)を使用したときの方が、約0.2dBトラッキングエラーを改善できる。
【0024】
なお、ファイバグレーティングの反射率は、2%から10%が好ましい。反射率が大きいほど、光軸ずれに対するモニタ出力電流の低下の割合が大きくなり、トラッキングエラーの改善効果がより多く得られると考えられるが、その分ファイバ端光出力の低下を招いてしまうためである。
【0025】
更に、ファイバグレーティングの主として反射する波長域を任意に選択することで、所望の波長の光のみを出力できる。
【0026】
図4は、光出力外部帰還7を光ファイバ3の端面に設けた一例である。図4において、1から5は従来技術と同じである。7は光ファイバ3の端面に設けられ、光の一部を反射し、残りの光を透過または吸収する光出力外部帰還である。例えば、光の一部を反射し、残りの光を透過または吸収する特性を持つ、コーティングを光ファイバ端面に施すことにより実現できる。
【0027】
この実施の形態の他の態様として、本発明に係る光モジュールは、上記した構成以外に、図5に示すようなコア拡大ファイバ8を使用するものであってもよい。コア拡大ファイバを使用することにより光軸ずれによるトレランスを緩和でき、温度変化による光軸ずれの発生にも有利であり、さらに製造上の歩留まり向上も図ることができる。
【0028】
また、この実施の形態の他の態様として、図6に示すような先端を楔型に加工した楔型ファイバ9を使用するものであってもよい。楕円形状出射光を有するLDの場合に結合効率を改善することができるとともに、レンズ2を省略できるため部品点数削減により低価格化が期待できる。
【0029】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明による光モジュールは、光軸ずれ等によるファイバ端光出力低下を光出力外部帰還部により検出する事により、光軸ずれ等によるトラッキングエラーを抑圧できる光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態に係る光モジュールの構成を示す図である。
【図2】実施の形態の構成における、光軸ずれ量に対する、ファイバ端光出力とモニタ出力電流の変動を測定した結果である。
【図3】実施の形態の構成における、PDのモニタ出力電流と、ファイバ端光出力との関係を測定した結果である。
【図4】実施の形態のうち、光出力外部帰還を光ファイバ端面に設けた構成を示す図である。
【図5】実施の形態の他の態様における、コア拡大ファイバを使用する光モジュールの構成を示す図である。
【図6】実施の形態の他の態様における、楔型ファイバを使用する光モジュールの構成を示す図である。
【図7】従来の光モジュールの構成を示す図である。
【図8】従来の構成における、PDのモニタ出力電流と、ファイバ端光出力との関係を測定した結果である。
【図9】従来の構成における、光軸ずれ量に対する、ファイバ端光出力とモニタ出力電流の変動を測定した結果である。
【符号の説明】
1 LD
2 レンズ
3 光ファイバ
4 モニタ用フォトダイオード
5 APC回路
6 ファイバグレーティング
7 光出力外部帰還
8 コア拡大ファイバ
9 楔型ファイバ
50 出力端子
100 光モジュール

Claims (11)

  1. 前面及び背面に光を放出するレーザダイオードと、
    前記レーザダイオードが前面側へ放出する光を集光するレンズと、
    前記レンズで集光された光の一部を反射、残りの光を透過または、吸収する光出力外部帰還部と、
    前記光出力外部帰還部を透過した光を伝送する光ファイバと、
    前記レーザダイオードが背面側へ放出する光を受光するモニタ用フォトダイオードとを備えたことを特徴とする光モジュール。
  2. 前記光ファイバが、前記光出力外部帰還部を有していることを特徴とする請求項1記載の光モジュール。
  3. 前記光出力外部帰還部が、光ファイバ端面に施されたコーティングであることを特徴とする請求項2記載の光モジュール。
  4. 前記光出力外部帰還部が、光ファイバ内部に用意されたファイバグレーティングであることを特徴とする請求項2記載の光モジュール。
  5. 前記モニタ用フォトダイオードのモニタ出力電流を出力する出力端子を備えたことを特徴とする請求項3または4に記載の光モジュール。
  6. 前記モニタ用フォトダイオードのモニタ出力電流に基づいて、前記レーザダイオードの光出力を制御するAPC回路を備えたことを特徴とする請求項3または4に記載の光モジュール。
  7. 前記光ファイバ端面に施されたコーティングの反射率が2%から10%であることを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。
  8. 前記ファイバグレーティングの反射率が2%から10%であることを特徴とする請求項4に記載の光モジュール。
  9. 前記光ファイバが、コア拡大ファイバであることを特徴とする請求項3または4記載の光モジュール。
  10. 前記光ファイバが、楔型ファイバであることを特徴とする請求項3または4記載の光モジュール。
  11. レンズの焦点位置と光ファイバ端面の光入力部分とのずれ量に対するモニタ用フォトダイオードのモニタ出力電流の変化が、前記ずれ量に対するレーザダイオードの前面側光出力の変化(減少)の方向と同じであり、かつ前記ずれ量に対する 変動量(相対値)が、前面側光出力の変動量(相対値)の1/6以上であることを特徴とする光モジュール。
JP2002363504A 2001-12-25 2002-12-16 光モジュール Pending JP2004177905A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/319,539 US6920158B2 (en) 2001-12-25 2002-12-16 Optical module
JP2002363504A JP2004177905A (ja) 2001-12-25 2002-12-16 光モジュール

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001390958 2001-12-25
JP2002289612 2002-10-02
JP2002363504A JP2004177905A (ja) 2001-12-25 2002-12-16 光モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004177905A true JP2004177905A (ja) 2004-06-24

Family

ID=27347990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002363504A Pending JP2004177905A (ja) 2001-12-25 2002-12-16 光モジュール

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6920158B2 (ja)
JP (1) JP2004177905A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009229721A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Fujifilm Corp 光デバイスおよび画像露光装置
CN111090151B (zh) 2018-10-23 2022-09-13 京东方科技集团股份有限公司 光模块及其温度补偿方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485481A (en) * 1994-06-28 1996-01-16 Seastar Optics Inc. Fibre-grating-stabilized diode laser
US5530709A (en) * 1994-09-06 1996-06-25 Sdl, Inc. Double-clad upconversion fiber laser
JPH0990174A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール
US5862273A (en) * 1996-02-23 1999-01-19 Kaiser Optical Systems, Inc. Fiber optic probe with integral optical filtering
US6519386B1 (en) * 1998-01-30 2003-02-11 Coretek, Inc. Light coupling apparatus and method
US6282340B1 (en) * 1998-04-23 2001-08-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. Light wavelength tuning device and light source optical demultiplexer and wavelength division multiplexed optical communication system using the tuning device
US6332721B1 (en) * 1998-07-10 2001-12-25 Mitsubishi Chemical Corp. Laser diode module
JP2000171671A (ja) 1998-12-09 2000-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光通信用モジュールおよびその実装方法
EP1069659A4 (en) * 1999-02-03 2003-03-05 Furukawa Electric Co Ltd SEMICONDUCTOR LASERS AND SEMICONDUCTOR LASER MODULES USING THEM
JP4794712B2 (ja) 1999-09-10 2011-10-19 古河電気工業株式会社 レーザダイオードモジュール
US6524016B1 (en) * 1999-09-24 2003-02-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module
US6400736B1 (en) * 1999-10-05 2002-06-04 Agere Systems Guardian Corp. Wavelength stabilized laser modules
US6522673B1 (en) * 1999-12-22 2003-02-18 New Focus, Inc. Method and apparatus for optical transmission
JP4592914B2 (ja) * 2000-10-19 2010-12-08 古河電気工業株式会社 保持部材付光ファイバ、半導体レーザモジュール及びラマン増幅器
JP2002141609A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール、レーザユニット、およびラマン増幅器
JP2002141608A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュールとそれを用いたラマン増幅器
US6665323B2 (en) * 2000-11-17 2003-12-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode
CN1204662C (zh) * 2000-12-15 2005-06-01 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器
US6707072B2 (en) * 2001-02-28 2004-03-16 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module
US6792008B2 (en) * 2001-04-30 2004-09-14 Jds Uniphase Corporation Tracking error suppression and method of reducing tracking error
WO2002103867A1 (de) * 2001-06-15 2002-12-27 Infineon Technologies Ag Opto-elektronisches lasermodul

Also Published As

Publication number Publication date
US6920158B2 (en) 2005-07-19
US20030123500A1 (en) 2003-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20090041072A1 (en) Optical communication module and output control method of semiconductor laser
US20020118715A1 (en) Semiconductor laser module and Raman amplifier using the module
US7136401B2 (en) Multiple output Raman fiber laser with stable and small output power for seed applications
JP2001284716A (ja) 外部共振器型レーザ光源
US6618405B2 (en) Semiconductor laser module and amplifier using the module
US6337939B1 (en) Optical amplifier monitor using a blazed grating
US20020181525A1 (en) Semiconductor laser device
JP4712178B2 (ja) 半導体レーザモジュール、レーザユニット、ラマン増幅器、及びラマン増幅器に用いられる光半導体レーザモジュールのブリリュアン散乱抑制および偏光度低減方法
US7099361B2 (en) Laser source with high relative feedback and method for making such a laser source
JP2004177905A (ja) 光モジュール
US6297902B1 (en) Light amplification medium control method, light amplification apparatus and system using the same
US6956880B2 (en) Semiconductor laser module
JP2010239079A (ja) 半導体レーザモジュール
EP1032096A2 (en) Optical fiber amplifier and method of amplifying an optical signal
US5781347A (en) Optical device
JP2002131590A (ja) 半導体レーザモジュール、その製造方法及びラマン増幅器
JP2005244221A (ja) 利得固定半導体光増幅器
AU599430B2 (en) Optical receiver
JP2002043686A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び光送信器
KR100601136B1 (ko) 이득 고정 반도체 광증폭기
CA2363447C (en) Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode
JPH10107359A (ja) 半導体光装置
JP2002341195A (ja) 半導体レーザモジュール
JP4776347B2 (ja) 非線形半導体モジュールおよび非線形半導体光素子駆動装置
JP2005033126A (ja) 波長安定化フィルターを用いたレーザー

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040709

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051004

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051130

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060418