JP2004172615A - 堆積と酸化の複数ステップにより製造されるスペーサ層を有する磁気抵抗センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気抵抗センサの読出し性能を改善する要望とニーズがある。
【解決手段】磁気抵抗センサ５０は、基板構造８０を用意し、基板構造８０の上に磁化固定構造８６を堆積し、磁化固定構造８６に重ねて酸化銅スペーサ層９８を堆積し、酸化銅スペーサ層９８に重ねて感知構造１０４が堆積することにより製作される。酸化銅スペーサ層９８の堆積は、第１の銅下地層１００の堆積と、第１の銅下地層の酸化と、第２の銅下地層１０２の堆積と、第２の銅下地層の酸化を含んでいる。必要に応じ、さらなる堆積と酸化のステップを用いることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は磁気抵抗センサの製法に係わり、さらに詳細には磁気性能を向上するために複数のステップで堆積され酸化されたスペーサ層を持つ磁気抵抗センサの製造方法に関する。

磁気抵抗（ＭＲ）センサは、磁気記憶装置の記録媒体上の磁界を読出すための読出し／書込みヘッドに用いられる。本例は、コンピュータ・ハード・ディスクあるいは磁気記録テープの読出し／書込みヘッドである。読出し／書込みヘッドは、読出し／書込みヘッドをハード・ディスクの表面から浮上させる空気軸受けにより、記録媒体から引き離されて、記録媒体に密に接近して位置決めされている。データ・ビットは、読出し／書込みヘッドの書込み部分を局部的にその磁気状態を変えることで、記録媒体の一部分に書込まれる。磁気状態は、後で、データ・ビットを読出すＭＲセンサにより検出される。

磁気抵抗センサの主要な形式の一つは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサである。巨大磁気抵抗センサの一般的な、技術的な基本や構造や動作は、たとえば参照用に開示された特許文献１に述べられている。

米国特許第５４３６７７８号明細書

巨大磁気抵抗センサの構造は、スペーサ層の働きをする一般的には銅の膜である中間非磁性膜により分離された二枚の薄膜スタックを含んでいる。下側の薄膜は磁化固定層を含み、上側の薄膜スタックは外部磁界に反応するセンサ（フリー）層を含んでいる。磁気バイアス構造は、二つの薄膜スタックとスペーサ層に近接して側面に位置する隣接接合の形で存在することが好ましい。

実用化されているＭＲセンサは十分に動作可能であり、磁気読出し／書込みヘッドに広く使用されている。しかしながら、現在はそれらの読出し性能を改善する要望とニーズがある。本発明はこのニーズに応え、さらに関連した改善効果を提供する。

本発明は、スペーサ層の電気抵抗性能が改善される磁気抵抗センサを製造する方法を提供するものである。結果として、磁気抵抗センサの性能も改善されるものである。本発明の手法は、従来の工程におけるものと同様の製造装置を用い、手順に単に変更を加えるだけで実施可能である。

本発明によると、磁気抵抗センサを製造する方法は、基板構造（上にシード構造を付けた酸化アルミニューム基板のような）を準備するステップ、基板構造の上に磁化固定構造を堆積するステップ、磁化固定構造に重ねて酸化金属スペーサ層を堆積するステップ、酸化金属スペーサ層に重ねて感知構造を堆積するステップからなる。酸化金属スペーサ層は、第１の金属の下地層を堆積するステップ、第１の金属下地層を酸化するステップ、第２の金属下地層を堆積するステップ、第２の金属下地層を酸化するステップにより形成される。この同様な交互に繰り返される堆積と酸化の方法で、さらなる下地層を同様に堆積し、酸化することが可能である。

酸化金属スペーサ層は、酸化銅スペーサ層であり、下地層は酸化銅下地層であることが好ましい。酸化金属スペーサ層の合計厚さは約１５オングストロームから約２５オングストロームであることが好ましい。金属下地層／酸化金属下地層の対のそれぞれもまた大略同じ厚さであることが好ましい。

金属スペーサ層の堆積は、第１の蒸着酸素分圧を持つ真空中で第１の金属下地層を堆積し、第１の蒸着酸素分圧よりも高い第１の酸化酸素分圧を持つ真空中で第１の金属下地層を酸化し、第２の蒸着酸素分圧を持つ真空中で第２の金属下地層を堆積し、第２の蒸着酸素分圧よりも高い第２の酸化酸素分圧を持つ真空中で第２の金属下地層を酸化することにより行うことが好ましい。すなわち、金属下地層を堆積する時は、真空槽の中には一般に小さな酸素分圧が存在し、酸化ステップ毎に酸素分圧が増加するということである。酸化ステップにおける酸化酸素分圧は、一般的に約１×１０^−６ Torrから約１×１０^−４ Torrであり、最適値は約２×１０^−５ Torrである。もし行うとしたら、続く下地層堆積のステップの酸素分圧は減少することになる。

感知構造の堆積が終わると、感知構造に重ねてキャップ層が堆積される。磁気バイアス構造もまた堆積され、各面に於いて前に堆積された磁化固定構造と金属スペーサ層に横方向に接している隣接接合の形で堆積されるのが好ましい。あるいは、スタック内の磁気バイアス構造が用いられることもある。このようにして、この手法を巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサの製作に用いる事が可能である。

この手法により、それぞれが銅の下地層を堆積することと、続いて下地層および既に堆積されている下地層を酸化することを含む二つないしはそれ以上のステップで、酸化銅（あるいは他の金属）スペーサ層の堆積を行う。２個の下地層についての二つのステップにより、スペーサ層の性能は向上し、もし必要であればさらに多くの堆積／酸化のステップを用いることが可能である。本発明の他の特徴や利点は、本発明の原理を実施例として示す付図に関連して説明する、以下の本発明の実施例の詳細説明により明らかになるものである。しかしながら、本発明の範囲は本発明のこの実施例に限定されるものではない。

本発明によれば、スペーサ層の電気抵抗性能が改善され、延いては磁気抵抗センサの性能を改善することができる。

図１はディスク記憶システムを図式的に示したものであり、ここでは本発明が応用されるであろう磁気ディスク・ドライブ・システム２０として説明されている。磁気ディスク・ドライブ・システム２０は、スピンドル２４で支持され、コントロール・ユニット４４のモータ制御２７により制御される駆動モータ２６で回転駆動される回転可能な磁気記憶ディスク２２を含む。磁気記録媒体２８は、磁気記憶ディスク２２の表面３０上に形成されている。

スライダ３２は磁気記憶ディスク２２に対向するように位置決めされている。スライダ３２は少なくとも１個の読出し／書込みヘッド３４を磁気記憶ディスク２２の磁気記録媒体２８に対向するように支持している。スライダ３２はサスペンション３８によりアクチュエータ・アーム３６に装着されている。アクチュエータ・アーム３６とスライダ３２は半径方向に、内方向あるいは外方向に移動し、スライダ３２の内方向／外方向の動きと磁気記憶ディスク２２の回転との複合動作で、読出し／書込みヘッド３４が磁気記録媒体２８の全ての面に対向できるように位置決めされる。アクチュエータ・アーム３６はコントロール・ユニット４４のラジアル位置制御４２の下にアクチュエータ４０（ボイス・コイル・モータあるいはＶＣＭと表示される）により駆動される。

サスペンション３８は軽いバネ力を発生させ、スライダ３２に磁気記憶ディスク２２の表面３０方向に荷重をかける。センサ動作中は、磁気記憶ディスク２２は回転し、空気軸受面４６あるいはＡＢＳと呼ばれる下方向に向いているスライダ３２の面と磁気記憶ディスク２２の上方向に向いている面３０の間に、空気軸受けが形成される。（単に下方向を向いたスライダ３２のみが図示されているが、上向きの、あるいは上向きだけの磁気記憶ディスクの底面側に対向しているスライダもある。）空気軸受けは、サスペンション３８の軽いバネ力と釣り合い、磁気記憶ディスク２２が回転する際に面３０上を読出し／書込みヘッドが「浮上」するように、面３０上に小さな間隙をあけてスライダ３２を支持する。

読出し／書込みヘッド３４は、磁気記録媒体の磁気状態を変えることでデータを磁気記録媒体２８に書込み、磁気記録媒体２８の磁気状態を検出することで磁気記録媒体２８からデータを読出す。書込みあるいは読出しコマンドは、書込まれるあるいは読出されるデータと同じく、記録チャネル４８を介してコントロール・ユニット４４と読出し／書込みヘッド３４の間で転送される。本発明の手法は、読出し／書込みヘッド３４の一部である磁気抵抗（ＭＲ）センサ５０、好ましくは巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサに関するものである。ＧＭＲセンサ５０は、たとえば特許文献１（米国特許第５４３６７７８号明細書）で議論されている如く、ここに記載した変更部を除けば公知のものである。

前述の議論は、本発明を適用する環境を設定するための、磁気ディスク・ドライブ・システム２０の形のデータ記憶システムを簡単に説明したものである。本発明はテープ・ドライブやその読出し／書込みヘッドなどの他の形式の磁気データ記憶システムにも適用可能である。

図２はＧＭＲセンサ５０を製作する方法をブロック・ダイアグラムで示したものである。図３は、実寸法ではないが、ＧＭＲセンサ５０に適した構成を示している。基板構造８０は、ステップ６０で供給される。基板構造８０は、処理の段階でサブストレート８２上に堆積される複数層のシード層構造８４を含んでいる。図３においては、各層を形成するために適当な材料を示している。標準的な習慣に従い、各層の好ましい厚さは、形成材料の後ろの括弧内にオングストローム単位で表示している。

磁化固定構造８６は、基板構造８０上に、ステップ６２で堆積される。本実施例では、磁化固定構造８６は、横方向のピンニング層８８と横方向のピン層構造９０を含んでいる。横方向のピン層構造９０は、横方向のピンニング層８８の上に重なりかつ接しており、横方向のピンニング層８８は同様に基板構造８０の上に重なりかつ接している。横方向のピン層構造９０は、中間層９６により分離された二つの強磁性膜９２と９４でできている。二つの強磁性膜９２と９４は、中間層９６を通してアンチパラレル（反平行）に強く結合している。横方向のピン層構造９０は、横方向のピンニング層８８とアンチパラレルに結合している。

オプションとして、最上部の層、ここでは磁化固定構造８６の上部強磁性膜９４は、ステップ６３で酸化され、上部強磁性膜の酸化領域９５を形成する。

一連のステップにより、磁化固定構造８６の上に重ねて、ステップ６４で酸化銅スペーサ層９８が堆積される。ステップ６４は、ステップ６６として第１の銅下地層１００を第１に堆積し、ステップ６８として第１の銅下地層１００を第１に酸化して酸化銅第１下地層領域１０１を製作する。ステップ６６と６８が行われた後は、第２の銅下地層１０２がステップ７０として第２に堆積され、第２の銅下地層１０２はステップ７２として第２に酸化され酸化銅第２下地層領域１０３を製作する。必要に応じ、追加の銅下地層が蒸着され、酸化されてもよい。

堆積ステップ６６と７０（および上部強磁性膜９４の堆積）は、イオンビームスパッタリングやプラズマスパッタリングなどの蒸着技術により、真空蒸着装置を用いて行うのが好ましい。真空蒸着装置内の雰囲気は、通常は、酸素の小さな分圧を含んでいる。酸化ステップ６８と７２（および６３）は、真空蒸着装置内で製作された構造を、室温に近い温度に置き、通常は室温から２０度Ｃ以上高くすることなく、そして約３０秒間酸素分圧を約２×１０^−５ Torrまで高めて行うことが好ましい。下地層領域１０１と１０３の場合は、銅は不定比のＣｕＯｘの形に酸化され、領域９５の場合には銅は不定比ＣｏＦｅＯｙの形に酸化される。

酸化銅スペーサ層９８の合計厚さは約１５オングストロームから約２５オングストロームであることが好ましく、約１８オングストロームから約２２オングストロームであることがさらに好ましく、約２０オングストロームが最も好ましい値である。もし酸化銅スペーサ層９８の厚さがこの範囲にない場合は、ＧＭＲセンサ５０の性能はそこそこのものになってしまう。この範囲に入る酸化銅スペーサ層９８の合計厚さは、図にあるように、二つの酸化銅下地層１００と１０２と、それぞれの酸化銅下地層領域１０１と１０３に配分される。もし二つ以上の酸化銅下地層がある場合は、上記に議論した範囲にある合計厚さは、存在する酸化銅下地層の全ての間で配分される。このことは、酸化銅スペーサ層９８の合計厚さは上記に議論した範囲にあり、下地層やそのそれぞれの酸化された領域の全ての厚さは、この酸化銅スペーサ層９８の合計厚さに足し合わされるものである。

発明者による研究とその後の討論においては、酸化銅スペーサ層９８の合計厚さは約２０オングストロームであり、下地層１００と１０２の相対厚さは、研究により決まる変動値であった。一般的には、第１の銅下地層１００と第２の銅下地層１０２の厚さを同じにすることで、酸化銅スペーサ層９８において、ひいてはＧＭＲセンサ５０において、最高の性能が得られることが確認された。しかしながら、ＧＭＲセンサ５０の的確な性能は相対厚さの関数として最適化されるものである。本発明の複数の堆積と酸化手法に起因して改善された性能の一部は、酸化銅スペーサ層９８のより良好で平滑な上面に負うところであろうと信じられている。

ステップ７４において、感知構造１０４（または「フリー層」とも呼ばれる）が、酸化銅スペーサ層９８上に重ねて堆積される。感知構造１０４は、１個ないしはそれ以上の強磁性膜からなる。本実施例では、感知構造１０４は、酸化銅スペーサ層９８に重なりかつ接している下部センシング層１０６と、下部センシング層１０６に重なりかつ接している上部センシング層１０８を持っている。

ステップ７６において、キャップ層が堆積される。説明図のように層状スタックの側面に磁気バイアス構造１１０があるケースでは、キャップ層１１２は、感知構造１０４に重なりかつ接するように蒸着される。磁気バイアス構造の別のスタック内実施例では、キャップ層１１２は磁気バイアス構造に重なりかつ接するように蒸着される。

ステップ７８で、磁気バイアス構造１１０が堆積される。磁気バイアス構造１１０は、実施例において近接接合と名付けて説明されており、そこではその堆積が説明された層状スタックの側面に接している。スタック内実施例では、磁気バイアス構造１１０は、感知構造１０４に重なりかつ接するように堆積される可能性がある。このように、ステップ７６と７８の順序は適宜逆になることもある。

ＧＭＲセンサ５０の製作に続くステップでは、電極１１４がキャップ層１１２上に堆積される可能性がある。ＧＭＲセンサ５０は、電流源１１６と抵抗測定装置１１８に外部的に接続されている。

ＧＭＲセンサの構成は、上記の複数ステップによる手法で酸化銅スペーサ層９８が作られる場合は、この形式あるいは他の形式になる可能性がある。他に多くの構成が可能であり、動作が可能な形成材料のいずれかを使うこともある。発明者が行った研究においては、図３に示す材料を用い、各層の厚さを材料の後ろの括弧内にオングストローム単位で示している、図３の構成を使用した。サブストレート８２は、動作が可能な厚さの酸化アルミニュームである。シード層構造８４は、サブストレート８２の上に堆積された３０オングストロームの酸化アルミニュームと、酸化アルミニューム層の上に堆積された３０オングストロームのＮｉＭｎＯと、ＮｉＭｎＯ層の上に堆積された３５オングストロームのタンタルの３層構造である。横方向のピンニング層８８は１７５オングストロームのＰｔＭｎである。横方向のピン層構造９０は、１７オングストロームのＣｏＦｅの下部強磁性膜９２と、８オングストロームのルテニュームの中間層９６と、２６オングストロームのＣｏＦｅの上部強磁性膜９４を含んでいる。酸化銅スペーサ層９８は、以下に説明するように二つの酸化銅下地層１００と１０２の間に配分され（それぞれｘとｙの変動厚さで示される）、２０オングストロームの厚さである。感知構造１０４は、１５オングストロームのＣｏＦｅの下部センシング層１０６と２５オングストロームのＮｉＦｅの上部センシング層１０８を含んでいる。キャップ層１１２は５０オングストロームのタンタルである。隣接接合磁気バイアス構造１１０はＣｏＰｔＣｒである。

本発明は、図３で示すＧＭＲセンサ５０を製作する方法を、簡略化した図２の方法により実施している。４種類の適用例が用意され、それぞれのケースについて、酸化銅スペーサ層９８の合計厚さは一定で、２０オングストロームである。第２の銅下地層１０２の厚さは、４個の適用例について、ゼロ（すなわちスペーサが単一層である）から、５、１０、１５オングストロームへと変動している。図４〜図９は、第２の銅下地層１０２の厚さの関数として得られた実測のあるいは実測と計算のパラメータに基づき得られた結果の幾つかを示している。図５に見られるように、ｄＲ／Ｒは第２の銅下地層１０２の厚さが約１０オングストロームの時に最大となり、したがって酸化銅スペーサ層９８の合計厚さは、二つの銅下地層１００と１０２の間でほぼ均等に分けられることになる。この観測結果を拡張すると、もし、たとえば４個の銅下地層が存在するならば、それぞれが酸化銅スペーサ層９８のおおよそ１／４の厚さである、すなわち実施例における各下地層が約５オングストロームの厚さであれば、酸化銅スペーサ層９８の合計厚さを約２０オングストロームに保つことが出来る。図７〜図９は、ＧＭＲセンサの性能を示す。図７と図９はそれぞれにおいて、ＨｋとＨｃｈが比較的低レベルに保たれることが望ましいことを示している。

説明を目的として、特定の実施例について詳細に説明をしたが、本発明の精神と範囲を外れることなく各種の変更や改善を行うことが可能である。したがって、本発明は、特許請求の範囲による以外には限定されないものである。

磁気ディスク・データ記憶システムの概略図である。 磁気抵抗センサを製作する方法のブロック／ダイアグラムである。 磁気抵抗センサの断面図である。 第２銅下地層のオングストローム単位の厚さの関数である、単位面積当たりのオームを単位とする抵抗値Ｒのグラフである。 第２銅下地層のオングストローム単位の厚さの関数である、ｄＲ／Ｒをパーセントで表したグラフである。 第２銅下地層のオングストローム単位の厚さの関数である、単位面積当たりのオームを単位とする抵抗ｄＲのグラフである。 第２銅下地層のオングストローム単位の厚さの関数である、エルステッドを単位とするＨｋのグラフである。 第２銅下地層のオングストローム単位の厚さの関数である、エルステッドを単位とするＨｆのグラフである。 第２銅下地層のオングストローム単位の厚さの関数である、エルステッドを単位とするＨｃｈのグラフである。

符号の説明

２０…磁気ディスク・ドライブ・システム、２２…磁気記憶ディスク、
２４…スピンドル、２６…駆動モータ、２８…磁気記録媒体、３２…スライダ、
３４…詠出し／書込みヘッド、３６…アクチュエータ・アーム、
３８…サスペンション、４０…ＶＣＭ、４４…コントール・ユニット、
４８…記録チャネル、５０…ＭＲセンサ、ＧＭＲセンサ、６０…基板準備工程、
６２…磁化固定層積層工程、６３…磁化固定層酸化工程、
６４…酸化銅スペーサ層積層工程、６６…第１銅下地層積層工程、
６８…第１銅下地層酸化工程、７０…第２銅下地層積層工程、
７２…第２銅下地層積層工程、７４…センサ層積層工程、７６…キャップ層積層工程、７８…磁気バイアス層積層工程、８０…基板構造、８２…サブストレート、
８４…シード層構造、８６…磁化固定構造、８８…ピンニング層、９０…ピン層構造、９２、９４…強磁性膜、９５…酸化領域、９６…中間層、９８…酸化銅スペーサ層、１００…第１の銅下地層、１０１…酸化銅第１下地層領域、１０２…第２の銅下地層、１０３…酸化銅第２下地層領域、１０４…感知構造、１０６…下部センシング層、
１０８…上部センシング層、１１０…磁気バイアス構造、１１２…キャップ層、
１１４…電極。

Claims (17)

1. 基板構造を用意するステップと、
   前記基板構造の上に磁化固定構造を堆積するステップと、
   第１の金属下地層を堆積するステップと、
   前記第１の金属下地層を酸化するステップと、
   第２の金属下地層を堆積するステップと、
   前記第２の金属下地層を酸化するステップと、によって前記磁化固定構造に重ねて酸化金属スペーサ層を堆積するステップと、
   前記酸化金属スペーサ層に重ねて感知構造を堆積するステップと、
   を有することを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
2. 前記酸化金属スペーサ層を堆積するステップは、酸化銅スペーサ層を堆積するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
3. 前記酸化金属スペーサ層を堆積するステップは、約１５オングストロームから約２５オングストロームの全体厚さを持つ前記酸化金属スペーサ層を堆積するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
4. 前記第２の金属下地層を堆積するステップは、前記第１の金属下地層とほぼ同じ厚さを持つように前記第２の金属下地層を堆積するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
5. 前記酸化金属スペーサ層を堆積するステップは、
   前記第１の金属下地層を第１の蒸着酸素分圧を持つ真空中で堆積するステップと、
   前記第１の金属下地層を前記第１の蒸着酸素分圧よりも高い第１の酸化酸素分圧を持つ真空中で酸化するステップと、
   前記第２の金属下地層を第２の蒸着酸素分圧を持つ真空中で堆積するステップと、
   前記第２の金属下地層を前記第２の蒸着酸素分圧よりも高い第２の酸化酸素分圧を持つ真空中で酸化するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
6. 前記第１の金属下地層を酸化するステップと前記第２の金属下地層を酸化するステップがそれぞれ、約２×１０^-５ Torrの酸素分圧を持つ酸化環境を提供するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
7. 前記感知構造を堆積するステップの後に、前記感知構造に重ねてキャップ層を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
8. 磁気バイアス構造を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
9. 基板構造を用意するステップと、
   前記基板構造の上に磁化固定構造を堆積するステップと、
   第１の銅下地層を堆積するステップと、
   前記第１の銅下地層を酸化するステップと、
   第２の銅下地層を堆積するステップと、
   前記第２の銅下地層を酸化するステップと、によって前記磁化固定構造に重ねて酸化銅スペーサ層を堆積するステップと、
   前記酸化銅スペーサ層に重ねて感知構造を堆積するステップと、
   を有することを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
10. 前記基板構造を用意するステップは、その上にシード層構造を持つ酸化アルミニューム基板を用意するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
11. 前記酸化銅スペーサ層を堆積するステップは、
    第１の蒸着酸素分圧を持つ真空中で前記第１の銅下地層を堆積するステップと、
    前記第１の蒸着酸素分圧よりも高い第１の酸化酸素分圧を持つ真空中で前記第１の銅下地層を酸化するステップと、
    第２の蒸着酸素分圧を持つ真空中で前記第２の銅下地層を堆積するステップと、
    前記第２の蒸着酸素分圧よりも高い第２の酸化酸素分圧を持つ真空中で前記第２の銅下地層を酸化するステップと
    を含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
12. 前記酸化銅スペーサ層を堆積するステップは、約１５オングストロームから約２５オングストロームの全体厚さを持つ前記酸化銅スペーサ層を堆積するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
13. 前記第２の銅下地層を堆積するステップは、前記第１の銅下地層とおおよそ同じ厚さを持つように前記第２の銅下地層を堆積するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
14. 前記第１の銅下地層を酸化するステップと前記第２の銅下地層を酸化するステップは、それぞれ約２×１０^−５ Torrの酸素分圧を持つ酸化環境を提供するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
15. 前記酸化銅スペーサ層を堆積するステップは、第３の銅下地層を堆積するステップと前記第３の銅下地層を酸化するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
16. 前記感知構造を堆積するステップの後に、前記感知構造に重ねてキャップ層を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
17. 磁気バイアス構造を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の方法。

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