JP2004158167A

JP2004158167A - Optical recording medium and method for recording data to optical recording medium

Info

Publication number: JP2004158167A
Application number: JP2003186401A
Authority: JP
Inventors: Hiroyasu Inoue; 弘康井上; Koji Mishima; 康児三島; Masaki Aoshima; 正貴青島
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2002-07-01
Filing date: 2003-06-30
Publication date: 2004-06-03

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical recording medium which can perform good recording and reproducing. <P>SOLUTION: The optical recording medium 10 has a reflection layer 12, a second dielectric layer 13, a second recording layer 32, a first recording layer 31, a first dielectric layer 15, and a light transmission layer 16 successively formed on a substrate 11. The first recording layer contains Si, Ge, Sn, etc., and the second recording layer contains Ag. When the recording medium is irradiated with a laser beam L20 of a wavelength 405 nm by using an objective lens of a numerical aperture 0.85, the components of the first and second recording layers are mixed and recording marks M are formed in the irradiated regions and crystallized regions M' are formed adjacently to the recording marks M in the first and second dielectric layers. As a result thereof, a difference in reflectivity between the regions irradiated with the laser beam and the other regions is increased and the data recorded to the optical recording medium are reproduced by utilizing the difference in reflectivity. Reproduced signals of a high C/N(Carrier-to-Noise) ratio can thus be obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体および光記録媒体へのデータ記録方法に関するものであり、さらに詳細には、良好な信号特性を有する信号を再生することができる光記録媒体および良好な信号特性を有する信号を再生することが可能なように、光記録媒体にデータを記録する光記録媒体へのデータ記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのように、データの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのように、データの追記はできるが、データの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのように、データの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットにより、データが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、たとえば、記録層の材料として相変化材料が用いられ、その相状態の変化に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素などの有機色素が用いられ、その化学的変化（場合によっては、化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００５】
しかしながら、有機色素は、日光などの照射を受けると、劣化するため、記録層の材料として、有機色素を用いた場合には、長期間の保存に対する信頼性を高めることは容易ではない。したがって、追記型光記録媒体の長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、記録層を有機色素以外の材料によって構成することが望ましい。
【０００６】
記録層を有機色素以外の材料によって構成した例としては、特開昭６２−２０４４４２号公報に記載されているように、二層の記録層を積層した光記録媒体が知られている。
【０００７】
この光記録媒体においては、光記録媒体に照射されたレーザビームによって、二層の記録層に含まれた元素が共融混合物を形成して、記録マークが形成され、記録マークとそれ以外の領域の光学特性の差を利用して、データが記録されるように構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、二層の記録層に含まれた元素によって形成された共融混合物よりなる記録マークの光学特性と、記録マーク以外の領域との光学特性の差は、それほど大きくないため、単に、二層の記録層に含まれた元素の共融混合物によって、記録マークを形成するだけでは、Ｃ／Ｎ比が良好な再生信号が得られるように、データを記録することが困難であるという問題があった。
【０００９】
とくに、データの記録密度が高められ、かつ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体にあっては、データの記録・再生に用いるレーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞ることが要求され、記録マークと、記録マーク以外の領域との光学特性との差が十分に大きいことが要求されるため、単に、二層の記録層に含まれた元素の共融混合物によって、記録マークを形成するだけでは、Ｃ／Ｎ比が良好な再生信号を得ることはきわめて困難である。
【００１０】
二層の記録層に含まれた元素の共融混合物によって、記録マークを形成するように構成された光記録媒体以外の光記録媒体においても、同様の問題が生じる。
【００１１】
したがって、本発明は、良好な信号特性を有する信号を再生することができる光記録媒体を提供することを目的とするものである。
【００１２】
また、本発明の別の目的は、良好な信号特性を有する信号を再生することが可能なように、光記録媒体にデータを記録する光記録媒体へのデータ記録方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、本発明のかかる目的を達成するため、鋭意研究を行った結果、Ｓｉを主成分として含む第一の記録層と、Ｃｕを主成分として含む第二の記録層と、第一の記録層あるいは第二の記録層に隣接する誘電体層とを備えた光記録媒体に、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射したところ、レーザビームが照射された第一の記録層および第二の記録層の領域において、第一の記録層に主成分として含まれているＳｉと第二の記録層主成分として含まれているＣｕとが混合して、他の領域とは反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、記録マークに隣接する誘電体層の領域に、他の領域とは反射率が異なる結晶化領域が形成され、その結果、レーザビームが照射された領域の反射率と他の領域の反射率との差が、全体として、大きくなり、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることが可能になるとともに、ジッターを低減させることが可能になることを見出した。
【００１４】
そこで、本発明者は、さらに、研究を続け、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録層と、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌ，ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録層に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録層と、第一の記録層あるいは第二の記録層に隣接する誘電体層とを備えた光記録媒体に、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射したところ、レーザビームが照射された第一の記録層および第二の記録層の領域において、第一の記録層に主成分として含まれた元素と、第二の記録層に主成分として含まれた元素とが混合して、他の領域とは反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、記録マークに隣接する誘電体層の領域に、他の領域とは反射率が異なる結晶化領域が形成され、その結果、レーザビームが照射された領域の反射率と他の領域の反射率との差が、全体として、大きくなり、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることが可能になるとともに、ジッターを低減させることが可能になることが見出された。
【００１５】
さらに、ＳｎやＴｉなどの無機元素を主成分とする単層の記録層と、記録層に隣接する誘電体層を備えた光記録媒体に、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射したところ、レーザビームが照射された記録層の領域に隣接する誘電体層の領域に、他の領域とは反射率が異なる結晶化領域が形成され、その結果、レーザビームが照射された領域の反射率と他の領域の反射率との差が、全体として、大きくなり、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることが可能になるとともに、ジッターを低減させることが可能になることが見出された。
【００１６】
したがって、本発明の前記目的は、基板と、前記基板上に設けられた少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一層の記録層に隣接して設けられた少なくとも一つの誘電体層とを備え、前記基板とは反対側から、波長λを有するレーザビームが、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射されたときに、前記少なくとも一つの記録層に、他の領域とは反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、前記少なくとも一つの誘電体層の前記記録マークに接する領域の少なくとも一部が結晶化して、結晶化領域が形成されるように構成されたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００１７】
本発明において、記録マークとは、レーザビームが照射されて、反射率が変化した記録層の領域をいう。
【００１８】
本発明の好ましい実施態様においては、前記少なくとも一つの記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録層と、前記第一の記録層の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌ、ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録層に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録層とによって構成され、前記レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録層に主成分として含まれた元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれた元素とが混合して、記録マークが形成されるように構成されている。
【００１９】
本明細書において、第一の記録層が、ある元素を主成分として含むとは、第一の記録層に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいい、第二の記録層が、ある元素を主成分として含むとは、第二の記録層に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいう。
【００２０】
本発明の好ましい実施態様において、第二の記録層は、レーザビームの照射を受けたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成されるように、第一の記録層の近傍に位置していればよく、第二の記録層が、第一の記録層に接触していることは必ずしも必要でなく、第一の記録層と第二の記録層の間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。
【００２１】
本発明の好ましい実施態様において、好ましくは、前記第二の記録層が、前記第一の記録層に接するように、形成されている。
【００２２】
本発明の好ましい実施態様において、光記録媒体は、第一の記録層および第二の記録層に加えて、一もしくは二以上の第一の記録層に主成分として含まれた元素を主成分として含む記録層、または、一もしくは二以上の第二の記録層に主成分として含まれた元素を主成分として含む記録層を備えていてもよい。
【００２３】
レーザビームが照射されたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成される理由は必ずしも明らかでないが、レーザビームが照射されたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素および第二の記録層に主成分として含まれている元素が、部分的にあるいは全体として、溶融ないし拡散し、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合された領域が形成されるものと推測される。
【００２４】
このように、本発明の好ましい実施態様によれば、レーザビームが照射されたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合して、第一の記録層および第二の記録層に、他の領域とは再生のためのレーザビームに対する反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、少なくとも一つの誘電体層の記録マークに接する領域の少なくとも一部が結晶化して、少なくとも一つの誘電体層に、他の領域とは再生のためのレーザビームに対する反射率が異なる結晶化領域が形成されるから、記録マークが形成された領域の再生のためのレーザビームに対する反射率と、それ以外の領域の再生のためのレーザビームに対する反射率との差が十分に大きくなり、したがって、反射率の大きな差異を利用して、記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の向上した再生信号を得ることが可能になる。
【００２５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第一の記録層に隣接して、第一の誘電体層が設けられ、前記第二の記録層に隣接して、第二の誘電体層が設けられている。
【００２６】
本発明の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいる。
【００２７】
本発明の好ましい実施態様においては、第二の記録層に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｍｇ，Ｓｎ、Ａｕ，ＴｉおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素で、第二の記録層に主成分として含まれている元素と異なる元素が添加されている。
【００２８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ｃｕを主成分として含んでいる。
【００２９】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいる。
【００３０】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｃｕを主成分として含む第二の記録層に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐ、Ｃｒ、ＦｅおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３１】
Ｃｕを主成分として含む第二の記録層に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐ、Ｃｒ、ＦｅおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００３２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｃｕを主成分として含む第二の記録層に、Ａｌ、Ｚｎ、ＳｎおよびＡｕよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３３】
本発明の別の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、ＺｎおよびＣｕよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ａｌを主成分として含んでいる。
【００３４】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ａｌを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、Ａｕ、ＴｉおよびＣｕよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３５】
Ａｌを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、Ａｕ、ＴｉおよびＣｕよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００３６】
本発明の他の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ｚｎを主成分として含んでいる。
【００３７】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｚｎを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３８】
Ｚｎを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００３９】
本発明の他の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ａｇを主成分として含んでいる。
【００４０】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ａｇを主成分として含む第二の記録層に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。
【００４１】
Ａｇを主成分として含む第二の記録層に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００４２】
本発明の好ましい実施態様において、好ましくは、第一の記録層および第二の記録層は、第一の記録層と第二の記録層の総厚が２ｎｍないし４０ｎｍとなるように、より好ましくは、第一の記録層と第二の記録層の総厚が２ｎｍないし３０ｎｍになるように、さらに好ましくは、第一の記録層と第二の記録層の総厚が２ｎｍないし１５ｎｍになるように形成される。
【００４３】
本発明において、少なくとも一つの誘電体層を形成するための材料は、透明で、かつ、レーザビームの照射を受けたときに、結晶化する誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、少なくとも一つ誘電体層を形成することができる。好ましくは、少なくとも一つ誘電体層は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮおよびＳｉＣよりなる群から選ばれる少なくとも一種の誘電体材料を主成分として含み、さらに好ましくは、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２を主成分として含んでいる。
【００４４】
本発明の好ましい実施態様においては、光記録媒体は、さらに、前記第一の記録層および前記第二の記録層に対して、前記基板とは反対側に設けられた光透過層を備えている。
【００４５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、光透過層が、１０ないし３００μｍの厚さを有するように形成されている。
【００４６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、光記録媒体は、前記基板と前記第二の誘電体層との間に設けられた反射層を備えている。
【００４７】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、多重干渉効果により、記録マークと記録マークが形成されていないブランク領域との反射率の差を大きくすることができ、その結果、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることが可能になる。
【００４８】
本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に設けられた少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一層の記録層に隣接して設けられた少なくとも一つの誘電体層とを備えた光記録媒体に、前記基板とは反対側から、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射し、前記少なくとも一つの記録層に記録マークが形成するとともに、前記少なくとも一つの誘電体層の前記記録マークに接する領域の少なくとも一部を結晶化して、前記少なくとも一つの誘電体層に、結晶化領域を形成するように構成されたことを特徴とする光記録媒体へのデータの記録方法によって達成される。
【００４９】
本発明の好ましい実施態様においては、前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長のレーザビームを照射して、第一の記録層および第二の記録層に、データを記録するように構成されている。
【００５０】
本発明の好ましい実施態様においては、記録線速度が所定の記録線速度以上のときは、前記レーザビームのパワーが単パルスパターンによって変調されるように構成されている。
【００５１】
本発明の好ましい実施態様によれば、記録線速度が所定の記録線速度以上のときは、レーザビームのパワーが単パルスパターンによって変調されるように構成されているから、記録線速度が高い場合にも、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層に加えられる熱量が高くなり、したがって、少なくとも一つの誘電体層に加えられる熱量も高くなるから、記録マークに隣接する誘電体層の領域に、所望のように、結晶化領域を形成することが可能になる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００５３】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の構造を示す略断面図である。
【００５４】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型の光記録媒体として構成され、基板１１と、基板１１の表面上に形成された反射層１２と、反射層１２の表面上に形成された第二の誘電体層１３と、第二の誘電体層１３の表面上に形成された第二の記録層３２と、第二の記録層３２の表面上に形成された第一の記録層３１と、第一の記録層３１の表面上に設けられた第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成された光透過層１６を備えている。
【００５５】
図１に示されるように、光記録媒体１０の中央部分には、センターホール１７が形成されている。
【００５６】
本実施態様においては、図１に示されるように、光透過層１６の表面に、レーザビームＬ１０が照射されて、光記録媒体１０にデータが記録され、光記録媒体１０から、データが再生される。
【００５７】
基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００５８】
基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましい。
【００５９】
本実施態様においては、基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００６０】
基板１１の形状は、とくに限定されるものではないが、通常は、ディスク状、カード状あるいはシート状である。
【００６１】
図１に示されるように、基板１１の表面には、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている。基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、データを記録する場合およびデータを再生する場合において、レーザビームＬ１０のガイドトラックとして、機能する。
【００６２】
反射層１２は、光透過層１６を介して、入射したレーザビームＬ１０を反射し、再び、光透過層１６から出射させる機能を有している。
【００６３】
反射層１２の厚さは、とくに限定されるものではないが、５ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。
【００６４】
反射層１２を形成するための材料は、レーザビームＬ１０を反射することができれば、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどによって、反射層１２を形成することができる。これらのうち、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｌとＴｉとの合金などのこれらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射層１２を形成するために、好ましく用いられる。
【００６５】
反射層１２は、レーザビームＬ１０を用いて、第一の記録層３１および第二の記録層３２に光記録されたデータを再生するときに、多重干渉効果によって、記録部と未記録部との反射率の差を大きくして、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るために、設けられている。
【００６６】
第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、第一の記録層３１および第二の記録層３２を保護する役割を果たす。したがって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３により、長期間にわたって、光記録されたデータの劣化を効果的に防止することができる。また、第二の誘電体層１３は、基板１１などの熱変形を防止する効果があり、したがって、変形に伴うジッターの悪化を効果的に防止することが可能になる。
【００６７】
本実施態様においては、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、レーザビームＬ１０の照射を受けたときに、結晶化する材料によって形成されている。
【００６８】
第１の誘電体層１５および第２の誘電体層１３を形成するために用いられる誘電体材料は、透明で、かつ、レーザビームＬ１０の照射を受けたときに、結晶化する誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を形成することができる。より具体的には、基板１１などの熱変形を防止し、第一の記録層３１および第二の記録層３２を保護するために、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮおよびＳｉＣよりなる群から選ばれる少なくとも１種の誘電体材料を主成分として含んでいることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２を主成分として含んでいることがより好ましい。
【００６９】
第一の誘電体層１５と第二の誘電体層１３は、互いに同じ誘電体材料によって形成されていてもよいが、異なる誘電体材料によって形成されていてもよい。さらに、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であってもよい。
【００７０】
なお、本明細書において、誘電体層が、誘電体材料を主成分として含むとは、誘電体層に含まれている誘電体材料の中で、その誘電体材料の含有率が最も大きいことをいう。また、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を意味する。
【００７１】
第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の層厚は、とくに限定されるものではないが、３ないし２００ｎｍであることが好ましい。第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が２００ｎｍを越えると、成膜に要する時間が長くなり、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがあり、さらに、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３のもつ応力によって、光記録媒体１０にクラックが発生するおそれがある。
【００７２】
第一の記録層３１および第二の記録層３２は、データを記録する層である。図１に示されるように、本実施態様においては、第一の記録層３１は、光透過層１６側に配置され、第二の記録層３２は、基板１１側に配置されている。
【００７３】
本実施態様においては、第一の記録層３１は、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層３２は、Ａｇを主成分として含んでいる。
【００７４】
本実施態様においては、Ａｇを主成分として含む第二の記録層３２に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素が添加されている。
【００７５】
Ａｇを主成分として含む第二の記録層３２に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層３２の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層３１および第二の記録層３２中に生成された熱が、効果的に、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に伝達され、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の結晶化を促進することが可能になる。
【００７６】
第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚が厚くなればなるほど、レーザビームＬ１０が照射される第一の記録層３１の表面平滑性が低下し、その結果、再生された信号中のノイズレベルが高くなるとともに、記録感度が低下する。さらに、第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚が厚くなればなるほど、レーザビームによって、第一の記録層３１および第二の記録層３２中に生成された熱の第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への伝達効率が低下する。したがって、第一の記録層３１の表面平滑性の低下を防止し、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の結晶化を促進するためには、第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚を薄くすることが好ましいが、第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚が薄すぎると、データを記録する前後の反射率の差が少なくなり、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができなくなり、膜厚制御も困難になる。
【００７７】
そこで、本実施態様においては、第一の記録層３１と第二の記録層３２の総厚が、２ｎｍないし４０ｎｍになるように、第一の記録層３１および第二の記録層３２が形成されている。より高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るとともに、再生信号中のノイズレベルをより一層低下させるためには、第一の記録層３１と第二の記録層３２の総厚が、２ｎｍないし３０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍないし１５ｎｍであることがより好ましい。
【００７８】
第一の記録層３１および第二の記録層３２のそれぞれの層厚は、とくに限定されるものではないが、記録感度を十分に向上させ、データを記録する前後の反射率の変化を十分に大きくするためには、第一の記録層３１の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであり、第二の記録層３２の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであることが好ましい。さらに、レーザビームを照射する前後の反射率の変化を十分に大きくするために、第一の記録層３１の層厚と第二の記録層３２の層厚との比（第一の記録層３１の層厚／第二の記録層３２の層厚）は、０．２ないし５．０であることが好ましい。
【００７９】
光透過層１６は、レーザビームＬ１０が透過する層であり、１０μｍないし３００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層１６は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。
【００８０】
光透過層１６を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、スピンコーティング法などによって、光透過層１６を形成する場合には、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂などが好ましく用いられ、より好ましくは、紫外線硬化性樹脂によって、光透過層１６が形成される。
【００８１】
光透過層１６は、第一の誘電体層１５の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。
【００８２】
以上のような構成を有する光記録媒体１０は、たとえば、以下のようにして、製造される。
【００８３】
まず、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された基板１１の表面上に、反射層１２が形成される。
【００８４】
反射層１２は、たとえば、反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８５】
次いで、反射層１２の表面上に、第二の誘電体層１３が形成される。
【００８６】
第二の誘電体層１３は、たとえば、第二の誘電体層１３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８７】
さらに、第二の誘電体層１３の表面上に、第二の記録層３２が形成される。第二の記録層３２も、第二の誘電体層１３と同様にして、第二の記録層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。
【００８８】
次いで、第二の記録層３２の表面上に、第一の記録層３１が形成される。第一の記録層３１も、第一の記録層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができる。
【００８９】
さらに、第一の記録層３１の表面上に、第一の誘電体層１５が形成される。第一の誘電体層１５もまた、第一の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。
【００９０】
最後に、第一の誘電体層１５の表面上に、光透過層１６が形成される。光透過層１６は、たとえば、粘度調整されたアクリル系の紫外線硬化性樹脂あるいはエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法などによって、第一の誘電体層１５の表面に塗布して、塗膜を形成し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させることによって、形成することができる。
【００９１】
以上のようにして、光記録媒体１０が製造される。
【００９２】
以上のような構成を有する光記録媒体１０に、たとえば、以下のようにして、データが記録される。
【００９３】
まず、図１および図２（ａ）に示されるように、所定のパワーを有するレーザビームＬ１０が、光透過層１６を介して、第一の記録層３１および第二の記録層３２に照射される。
【００９４】
データを高い記録密度で、光記録媒体１０に記録するためには、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームＬ１０を、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズ（図示せず）を用いて、光記録媒体１０上に集束することが好ましく、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍであることがより好ましい。
【００９５】
本実施態様においては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬ１０が、開口数が０．８５の対物レンズを用いて、光記録媒体１０上に集束される。
【００９６】
その結果、レーザビームＬ１０が照射された領域において、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とが混合されて、図２（ｂ）に示されるように、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とが混合された記録マークＭが形成され、光記録媒体１０にデータが記録される。
【００９７】
さらに、本実施態様においては、光透過層１６を介して、光記録媒体１０にレーザビームＬ１０が照射されると、レーザビームＬ１０が照射された領域において、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に含まれた誘電体材料が結晶化して、図２（ｂ）に示されるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３中に、記録マークＭに隣接して、結晶化領域Ｍ’が形成される。
【００９８】
第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とを速やかに混合させて、記録マークＭを形成するとともに、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に含まれた誘電体材料を速やかに結晶化させて、結晶化領域Ｍ’を形成するためには、レーザビームＬ１０のパワーは、光透過層１６の表面で、１．５ｍＷ以上であることが好ましい。
【００９９】
このようにして形成された記録マークＭは、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素との混合物によって構成されているため、その反射率は、第一の記録層３１および第二の記録層３２の他の領域の反射率とは異なっており、記録マークＭの反射率と第一の記録層３１および第二の記録層３２の他の領域の反射率との差を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生することができる。しかしながら、記録マークＭの反射率と、第一の記録層３１および第二の記録層３２の他の領域の反射率との差が十分に大きくない場合には、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることは困難である。
【０１００】
しかるに、本実施態様においては、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の記録マークＭに隣接する領域が、レーザビームＬ１０によって加えられた熱ならびに第一の記録層３１および第二の記録層３２から伝達された熱によって、結晶化し、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の他の領域とは、反射率が異なる結晶化領域Ｍ’が形成されるように構成されているから、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差が、全体として大きくなり、したがって、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差異を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の高い再生信号を得ることが可能になるとともに、再生信号のジッターを低減させることが可能になる。
【０１０１】
光記録媒体１０に、レーザビームＬ１０を照射して、データを記録する場合には、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームＬ１０のパワーが変調される。
【０１０２】
本実施態様においては、光記録媒体１０に、レーザビームＬ１０を照射し、記録マークＭと結晶化領域Ｍ’を形成して、データを記録し、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差異を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生するように構成されているから、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に、所望のように、結晶化領域Ｍ’が形成されるように、データの記録線速度および第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率に応じて、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンが選択される。
【０１０３】
すなわち、記録線速度が高く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が高い場合には、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が小さくなるため、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が、できる限り、多くなるように、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンが選択される。一方、記録線速度が低く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が低い場合には、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が大きくなるため、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が過大にならないように、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンが選択される。
【０１０４】
図３は、単パルスパターンの波形を示す図であり、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号を記録する場合を示している。
【０１０５】
図３に示される単パルスパターンは、記録線速度が高く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が高い場合に、レーザビームのパワーを変調するために、好ましく選択されるパルス列パターンである。
【０１０６】
図３に示されるように、単パルスパターンにおいては、形成すべき記録マークＭの長さに応じた幅を有する１つの記録パルスが用いられ、レーザビームのパワーは、ピークにおいて、記録パワーＰｗ１に設定され、その他の期間においては、基底パワーＰｂ１に設定される。
【０１０７】
記録パワーＰｗ１は、記録パワーＰｗ１のレーザビームの照射によって、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’が形成されるような高いレベルに設定され、一方、基底パワーＰｂ１は、基底パワーＰｂ１のレーザビームが照射されても、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがなく、第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２に、結晶化領域Ｍ’が形成されることがないような低いレベルに設定される。
【０１０８】
図３に示されるように、基底パワーＰｂ１は、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されている。このように、基底パワーＰｂ１が、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されているときは、基底パワーＰｂ１のレーザビームにより、トラック全体の温度を高めることができ、したがって、記録パワーＰｗ１のレベルをそれほど高いレベルに設定しなくても、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１０９】
したがって、記録線速度が高く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が高い場合でも、図３に示された単パルスパターンを用いて、レーザビームのパワーを変調することによって、所望のように、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素と混合させて、記録マークＭを形成するとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１１０】
図４は、基本パルス列パターンの波形を示す図であり、図４（ａ）は、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、１，７ＲＬＬ変調方式における３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【０１１１】
図４に示される基本パルス列パターンは、記録線速度が低く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が低い場合に、レーザビームのパワーを変調するために、好ましく選択されるパルス列パターンである。
【０１１２】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるように、基本パルス列パターンにおいては、記録マークＭを形成するための記録パルスが、（ｎ−１）個に分割され、レーザビームのパワーは、各分割パルスのピークにおいて、記録パワーＰｗ２に、その他の期間において、基底パワーＰｂ２に設定される。
【０１１３】
基本パルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調する場合には、記録線速度が低いときでも、第一の記録層３１および第二の記録層３２に加えられる熱量が過大になることを防止することができ、したがって、記録マークＭの幅が広くなって、クロストークが増大することを効果的に防止することが可能になる。
【０１１４】
記録パワーＰｗ２は、記録パワーＰｗ２のレーザビームの照射によって、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’が形成されるような高いレベルに設定され、一方、基底パワーＰｂ２は、基底パワーＰｂ２のレーザビームが照射されても、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがなく、第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２に、結晶化領域Ｍ’が形成されることがないような低いレベルに設定される。
【０１１５】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるように、基底パワーＰｂ２は、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されている。このように、基底パワーＰｂ２が、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されているときは、基底パワーＰｂ２のレーザビームにより、トラック全体の温度を高めることができ、したがって、記録パワーＰｗ２のレベルをそれほど高いレベルに設定しなくても、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１１６】
したがって、記録線速度が低く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率がいくい場合には、図４（ａ）および図４（ｂ）に示された基本パルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調することによって、クロストークの増大を防止しつつ、所望のように、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素と混合させて、記録マークＭを形成するとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１１７】
図５は、光記録媒体１０に、データを記録するデータ記録装置のブロックダイアグラムである。
【０１１８】
図５に示されるように、データ記録装置５０は、光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０に、レーザビームを照射するとともに、光記録媒体１０によって、反射された光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２およびヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３に、レーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３に、レンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【０１１９】
図５に示されるように、コントローラ５４は、フォーカスサーボ回路５７、トラッキングサーボ回路５８およびレーザコントロール回路５９を備えている。
【０１２０】
フォーカスサーボ回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の第一の記録層３１に、レーザビームＬ１０がフォーカスされ、トラッキングサーボ回路５８が活性化すると、光記録媒体１０のトラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。
【０１２１】
図５に示されるように、フォーカスサーボ回路５７およびトラッキングサーボ回路５８は、それぞれ、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能およびトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能を有している。
【０１２２】
また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路である。
【０１２３】
本実施態様においては、上述した単パルスパターンあるいは基本パルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットとして記録されている。
【０１２４】
したがって、レーザコントロール回路５９は、光記録媒体１０にデータを記録するのに先立って、光記録媒体１０に記録された記録条件設定用データを読み出し、読み出した記録条件設定用データに基づいて、単パルスパターンあるいは基本パルス列パターンを選択し、レーザ駆動信号を生成し、レーザ駆動回路５５からヘッド５３に出力させる。
【０１２５】
こうして、所望のパルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームＬ１０によって、光記録媒体１０にデータが記録される。
【０１２６】
本実施態様によれば、レーザビームＬ１０を光記録媒体１０に照射して、光記録媒体１０にデータを記録するときに、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とを混合させて、記録マークＭを形成するとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の領域に、結晶化領域Ｍ’を形成するように構成されているから、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差を、全体として大きくするこおｔができ、したがって、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差異を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の高い再生信号を得ることが可能になるとともに、再生信号のジッターを低減させることが可能になる。
【０１２７】
【実施例】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【０１２８】
実施例１
以下のようにして、図１に示される光記録媒体１と同様の構成を有する光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【０１２９】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、Ａｇを主成分として含み、１００ｎｍの層厚を有する反射層、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、２８ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｃｕを主成分とし、２１原子％のＭｇが添加された５ｎｍの層厚を有する第二の記録層、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第一の記録層、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、２２ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１３０】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１３１】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１３２】
Ｍｇに代えて、１７原子％のＡｌを添加して、第二の記録層を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。
【０１３３】
こうして作製した光記録媒体サンプル＃１および＃２を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、次いで、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を、記録用レーザ光として用い、ＮＡ（開口数）が０．８５の対物レンズを用いて、レーザ光を、光透過層を介して、集光し、下記の記録条件で、データを記録した。
【０１３４】
変調方式：（１，７）ＲＬＬ
チャンネルビット長：０．１２μｍ
記録線速度：５．３ｍ／秒
チャンネルクロック：６６ＭＨｚ
記録信号：８Ｔ信号
レーザビームのパワーは、図４に示される基本パルス列パターンを用いて、変調した。パルス幅は０．５Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷ、記録パワーＰｗ２は５．０ｍＷに設定した。
【０１３５】
フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓであった。
【０１３６】
次いで、上述の光媒体評価装置を用いて、各光記録媒体に記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比およびクロックジッターを測定した。クロックジッターは、タイムインターバルアナライザにより、再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、σ／Ｔｗにより算出した。ここに、Ｔｗはクロックの１周期である。
【０１３７】
測定結果は、表１に示されている。
【０１３８】
【表１】

表１に示されるように、光記録媒体サンプル＃１および＃２においては、きわめて高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができ、クロックジッターもきわめて低くなることが判明した。
【０１３９】
次いで、光記録媒体サンプル＃１および＃２のそれぞれの第一の記録層および第二の記録層を、オージェ分析装置を用いて、観察し、第一の誘電体層および第二の誘電体層を、透過形電子顕微鏡を用いて、観察した。
【０１４０】
その結果、いずれのサンプルにおいても、記録マークＭが形成されている領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料が混合し、ブランク領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料の混合は認められなかった。
【０１４１】
一方、光記録媒体サンプル＃１および＃２においては、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１４２】
したがって、光記録媒体サンプル＃１および＃２において、優れた特性を有する再生信号が得られたのは、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域が結晶化されたためであることが確認された。
【０１４３】
実施例２
Ａｌを主成分として含み、１７原子％のＭｇを添加して、第二の記録層を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３を作製した。
【０１４４】
実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３にデータを記録し、第一の記録層および第二の記録層ならびに第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１４５】
その結果、記録マークＭが形成されている領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料が混合し、ブランク領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料の混合は認められなかった。
【０１４６】
また、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１４７】
したがって、第二の記録層が、Ａｌを主成分として含んでいる場合にも、第二の記録層が、Ｃｕを主成分として含んでいる場合と同様の結果が得られることがわかった。
【０１４８】
実施例３
Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌおよび１２．８原子％のＡｕを添加して、第二の記録層を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４を作製した。
【０１４９】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図３に示された単パルスパターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃４にデータを記録した。
【０１５０】
単パルスパターンの基底パワーＰｂ１は０．１ｍＷに設定し、記録パワーＰｗ１は３．８ｍＷに設定した。
【０１５１】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１５２】
同様にして、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃４にデータを記録した。
【０１５３】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．３Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は５．０ｍＷに設定した。
【０１５４】
次いで、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４に記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比およびクロックジッターを求めた。
【０１５５】
測定結果は、表２に示されている。
【０１５６】
【表２】

表２に示されるように、単パルスパターンを用いて、レーザビームのパワーを変調した場合の方が、基本パルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調した場合よりも、再生信号のＣ／Ｎ比が高くなり、クロックジッターが低下することが判明した。
【０１５７】
さらに、実施例１と同様にして、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合および基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合のそれぞれにつき、光記録媒体サンプル＃４の第一の記録層および第二の記録層ならびに第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１５８】
その結果、いずれの場合においても、記録マークＭが形成されている領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料が混合し、ブランク領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料の混合は認められなかった。
【０１５９】
一方、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合には、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察されたが、基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合には、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、結晶は観察されなかった。
【０１６０】
したがって、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録し、記録されたデータを再生した場合の再生信号の特性と、基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録し、記録されたデータを再生した場合の再生信号の特性との差が、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域が結晶化されたかどうかによって、生じたものであることが確認された。
【０１６１】
これは、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録する場合には、基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録する場合に比して、第一の記録層および第二の記録層に加わる熱量が高くなり、第一の誘電体層および第二の誘電体層の温度が高くなるためと推測される。
【０１６２】
実施例４
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃５を作製した。
【０１６３】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、Ａｇを主成分として含み、１００ｎｍの層厚を有する反射層、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、３０ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｓｎを主成分として含み、３ｎｍの層厚を有する記録層およびＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、３０ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１６４】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１６５】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１６６】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃５にデータを記録した。
【０１６７】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は９．０ｍＷに設定した。
【０１６８】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１６９】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃５の第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１７０】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１７１】
実施例５
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃６を作製した。
【０１７２】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、１００ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｓｎを主成分として含み、３．５ｎｍの層厚を有する記録層およびＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、８０ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１７３】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１７４】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１７５】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃６にデータを記録した。
【０１７６】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は８．０ｍＷに設定した。
【０１７７】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１７８】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃６の第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１７９】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１８０】
実施例６
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃７を作製した。
【０１８１】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、６０ｎｍの層厚を有する誘電体層およびＳｎを主成分として含み、６ｎｍの層厚を有する記録層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１８２】
誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１８３】
さらに、記録層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１８４】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃７にデータを記録した。
【０１８５】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は７．０ｍＷに設定した。
【０１８６】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１８７】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃７の誘電体層を観察した。
【０１８８】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１８９】
実施例７
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃８を作製した。
【０１９０】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、２０ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｔｉを主成分として含み、１０ｎｍの層厚を有する記録層およびＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、２０ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１９１】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１９２】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１９３】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃８にデータを記録した。
【０１９４】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は１０．０ｍＷに設定した。
【０１９５】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１９６】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃８の第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１９７】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１９８】
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１９９】
たとえば、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第一の記録層３１および第二の記録層３２を備えているが、光記録媒体が二層の記録層３１、３２を備えていることは必ずしも必要でなく、本発明は、単層の記録層を備えた光記録媒体にも広く適用することができる。
【０２００】
さらに、前記実施態様においては、第一の記録層３１と第二の記録層３２が、互いに接触するように形成されているが、第二の記録層３２は、レーザ光の照射を受けたときに、第一の記録層３１に主成分として含まれている元素と、第二の記録層１２に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成されるように、第一の記録層３１の近傍に配置されていればよく、第一の記録層３１と第二の記録層３２が、互いに接触するように形成されていることは必ずしも必要でなく、第一の記録層３１と第二の記録層３２の間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。
【０２０１】
また、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第一の記録層３１および第二の記録層３２を備えているが、第一の記録層３１および第二の記録層３２に加えて、第一の記録層３１に主成分として含まれている元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録層または第二の記録層３２に主成分として含まれている元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録層を備えていてもよい。
【０２０２】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備え、第一の記録層３１および第二の記録層３２が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の間に配置されているが、光記録媒体１０が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備えていることは必ずしも必要でなく、単一の誘電体層を有していてもよく、その場合には、誘電体層は、第一の記録層３１および第二の記録層３２に対して、基板１１側に配置されていても、あるいは、光透過層１６側に配置されていてもよい。
【０２０３】
また、前記実施例においては、第一の記録層と第二の記録層は、同じ厚さを有するように形成されているが、第一の記録層と第二の記録層を、同じ厚さを有するように形成することは必ずしも必要でない。
【０２０４】
さらに、前記実施態様においては、第一の記録層３１が光透過層１６側に配置され、第二の記録層３２が基板１１側に配置されているが、第一の記録層３１を基板１１側に配置し、第二の記録層３２を光透過層１６側に配置することもできる。
【０２０５】
また、前記実施態様においては、結晶化領域Ｍ’が、記録マークＭに接する第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の全領域に形成されているが、結晶化領域Ｍ’が、記録マークＭに接する第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の全領域に形成されることは必ずしも必要でなく、結晶化領域Ｍ’が、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の記録マークに接する領域の少なくとも一部に形成されればよい。
【０２０６】
さらに、前記実施態様および前記実施例においては、従来の光記録媒体に比べて大きな出力信号を得ることが困難であり、本発明が最も効果的に適用される次世代型の光記録媒体にデータを記録する場合につき、説明を加えたが、本発明は、次世代型の光記録媒体に限定されるものではなく、追記型光記録媒体に、広く適用することができる。
【０２０７】
【発明の効果】
本発明によれば、良好な信号特性を有する信号を再生することができる光記録媒体を提供することが可能になる。
【０２０８】
また、本発明によれば、良好な信号特性を有する信号を再生することが可能なように、光記録媒体にデータを記録する光記録媒体へのデータ記録方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を示す略断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に示された光記録媒体の一部拡大略断面図であり、図２（ｂ）は、データが記録された後の光記録媒体の一部拡大略断面図である。
【図３】図３は、単パルスパターンを示す波形図である。
【図４】図４は、基本パルス列パターンを示す図であり、図４（ａ）は、（１，７）ＲＬＬ変調方式における２Ｔのデータに対応する混合領域Ｍを形成する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、（１，７）ＲＬＬ変調方式における３Ｔないし８Ｔのデータに対応する混合領域Ｍを形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図５】図５は、データ記録装置のブロック図である。
【符号の説明】
１０光記録媒体
１１基板
１１ａランド
１１ｂグルーブ
１２反射層
１３第二の誘電体層
１４記録層
１５第一の誘電体層
１６光透過層
１７孔
３１，３２反応層
５０データ記録装置
５２スピンドルモータ
５３ヘッド
５４コントローラ
５５レーザ駆動回路
５６レンズ駆動回路
５７フォーカスサーボ回路
５８トラッキングサーボ回路
５９レーザコントロール回路
Ｌ１０レーザビーム
Ｍ記録マーク
Ｍ’ 結晶化領域[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical recording medium and a method for recording data on the optical recording medium, and more particularly, to an optical recording medium capable of reproducing a signal having good signal characteristics and a signal having good signal characteristics. The present invention relates to a method for recording data on an optical recording medium for recording data on the optical recording medium so that the data can be reproduced.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, optical recording media represented by CDs and DVDs have been widely used as recording media for recording digital data. These optical recording media include a type of optical recording medium (ROM type optical recording medium) in which data cannot be additionally written or rewritten, such as a CD-ROM and a DVD-ROM, and a type such as a CD-R and a DVD-R. An optical recording medium (write-once optical recording medium) of a type that can write data but cannot rewrite data, and an optical recording medium of a type that can rewrite data (such as a CD-RW or DVD-RW). Optical recording media).
[0003]
As is widely known, in a ROM type optical recording medium, data is generally recorded by pre-pits formed on a substrate in a manufacturing stage, and in a rewritable type optical recording medium, for example, data is recorded. In general, a phase change material is used as a material of a layer, and data is generally recorded using a change in optical characteristics caused by a change in the phase state.
[0004]
On the other hand, in a write-once optical recording medium, an organic dye such as a cyanine dye, a phthalocyanine dye, or an azo dye is used as a material for the recording layer. In general, data is recorded using a change in optical characteristics caused by physical deformation.
[0005]
However, since organic dyes deteriorate when exposed to sunlight or the like, when organic dyes are used as the material of the recording layer, it is not easy to increase the reliability for long-term storage. Therefore, in order to increase the reliability of the write-once optical recording medium for long-term storage, it is desirable that the recording layer be made of a material other than the organic dye.
[0006]
As an example in which the recording layer is made of a material other than the organic dye, there is known an optical recording medium in which two recording layers are laminated as described in JP-A-62-204442.
[0007]
In this optical recording medium, the elements contained in the two recording layers form a eutectic mixture by the laser beam applied to the optical recording medium, and the recording marks are formed, and the recording marks and other areas are formed. The data is recorded by utilizing the difference in the optical characteristics of.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the difference between the optical characteristics of the recording mark composed of the eutectic mixture formed by the elements contained in the two recording layers and the optical characteristics of the region other than the recording marks is not so large, and thus the two-layer However, it is difficult to record data so that a reproduced signal having a good C / N ratio can be obtained only by forming a recording mark using a eutectic mixture of elements contained in the recording layer. Was.
[0009]
In particular, for next-generation optical recording media that can increase the data recording density and achieve a very high data transfer rate, the beam spot diameter of the laser beam used for data recording / reproduction is extremely large. Since it is required to narrow down to a small value and the difference between the optical characteristics of the recording mark and the area other than the recording mark is required to be sufficiently large, it is simply a eutectic mixture of the elements contained in the two recording layers. Therefore, it is extremely difficult to obtain a reproduced signal having a good C / N ratio only by forming a recording mark.
[0010]
A similar problem occurs in an optical recording medium other than an optical recording medium configured to form a recording mark by the eutectic mixture of elements contained in the two recording layers.
[0011]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical recording medium that can reproduce a signal having good signal characteristics.
[0012]
Another object of the present invention is to provide a data recording method for recording data on an optical recording medium so that a signal having good signal characteristics can be reproduced.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The present inventor has conducted intensive studies to achieve the object of the present invention. As a result, the first recording layer containing Si as a main component, the second recording layer containing Cu as a main component, A laser beam having a wavelength λ is applied to an optical recording medium having a recording layer or a dielectric layer adjacent to the second recording layer via an objective lens having a numerical aperture NA satisfying λ / NA ≦ 640 nm. Upon irradiation, in the first and second recording layer regions irradiated with the laser beam, Si contained as a main component in the first recording layer and Si as a main component in the second recording layer were included. Is mixed with Cu to form a recording mark having a different reflectance from the other region, and a crystallization region having a different reflectance from the other region in a region of the dielectric layer adjacent to the recording mark. Is formed, and as a result, the laser beam The difference between the reflectivity of the irradiated area and the reflectivity of the other areas is increased as a whole, so that the C / N ratio of the reproduced signal can be improved and the jitter can be reduced. I found out.
[0014]
Therefore, the present inventor further continued the research, and made a first recording containing, as a main component, one kind of element selected from the group consisting of Ge, Sn, Mg, C, Al, Zn, In, Cu, Ti and Bi. A second recording layer selected from the group consisting of Cu, Si, Al, Zn, and Ag and containing as a main component an element different from the element contained in the first recording layer; Alternatively, an optical recording medium having a dielectric layer adjacent to the second recording layer is irradiated with a laser beam having a wavelength λ via an objective lens having a numerical aperture NA satisfying λ / NA ≦ 640 nm. In a region of the first recording layer and the second recording layer irradiated with the laser beam, an element contained as a main component in the first recording layer and an element contained as a main component in the second recording layer Are mixed, and reflectivity is different from other areas. In addition to the formation of a recording mark, a crystallized region having a different reflectance from other regions is formed in the region of the dielectric layer adjacent to the recording mark. As a result, the reflectance of the region irradiated with the laser beam is increased. It has been found that the difference between the reflectance and the reflectance of the other region becomes large as a whole, so that the C / N ratio of the reproduced signal can be improved and the jitter can be reduced. .
[0015]
Further, a laser beam having a wavelength λ is applied to an optical recording medium having a single recording layer mainly composed of an inorganic element such as Sn or Ti and a dielectric layer adjacent to the recording layer by λ / NA ≦ 640 nm. Is irradiated through an objective lens having a numerical aperture NA that satisfies the following conditions. In a region of the dielectric layer adjacent to the region of the recording layer irradiated with the laser beam, a crystallized region having a different reflectance from other regions is formed. As a result, the difference between the reflectivity of the area irradiated with the laser beam and the reflectivity of the other areas is increased as a whole, and the C / N ratio of the reproduced signal can be improved. It has been found that jitter can be reduced.
[0016]
Therefore, the object of the present invention comprises a substrate, at least one recording layer provided on the substrate, and at least one dielectric layer provided adjacent to the at least one recording layer, When a laser beam having a wavelength λ is irradiated from the side opposite to the substrate via an objective lens having a numerical aperture NA satisfying λ / NA ≦ 640 nm, the at least one recording layer has another region. A recording mark having a different reflectance from the recording mark is formed, and at least a part of a region of the at least one dielectric layer in contact with the recording mark is crystallized to form a crystallized region. This is achieved by an optical recording medium characterized by the following.
[0017]
In the present invention, a recording mark refers to a region of a recording layer whose reflectance has been changed by irradiation with a laser beam.
[0018]
In a preferred embodiment of the present invention, the at least one recording layer contains, as a main component, one kind of element selected from the group consisting of Si, Ge, Sn, Mg, C, Al, Zn, In, Cu, Ti and Bi. And a first recording layer provided in the vicinity of the first recording layer and different from an element selected from the group consisting of Cu, Si, Al, Zn, and Ag and contained in the first recording layer. A second recording layer containing an element as a main component, wherein when the laser beam is applied, the element contained as a main component in the first recording layer and the second recording layer mainly contain the element. It is configured such that a recording mark is formed by mixing with an element contained as a component.
[0019]
In the present specification, the phrase “the first recording layer contains a certain element as a main component” means that among the elements contained in the first recording layer, the content of that element is the largest, and the second recording layer That the layer contains a certain element as a main component means that the content of the element is the highest among the elements contained in the second recording layer.
[0020]
In a preferred embodiment of the present invention, the second recording layer, when irradiated with a laser beam, contains an element contained as a main component in the first recording layer and a main component in the second recording layer. The second recording layer may be in contact with the first recording layer as long as it is located near the first recording layer so that a region in which the contained elements are mixed is formed. Is not necessary, and one or more other layers such as a dielectric layer may be interposed between the first recording layer and the second recording layer.
[0021]
In a preferred embodiment of the present invention, preferably, the second recording layer is formed so as to be in contact with the first recording layer.
[0022]
In a preferred embodiment of the present invention, in addition to the first recording layer and the second recording layer, the optical recording medium contains, as a main component, an element contained as a main component in one or more first recording layers. The recording layer may include a recording layer that includes, or a recording layer that includes, as a main component, an element that is included as a main component in one or more second recording layers.
[0023]
The reason that when a laser beam is irradiated, a region where an element contained as a main component in the first recording layer and an element contained as a main component in the second recording layer are mixed is formed. Although it is not always clear, when the laser beam is irradiated, the element contained as a main component in the first recording layer and the element contained as a main component in the second recording layer partially or entirely It is presumed that a region where the element that is melted or diffused and contained as a main component in the first recording layer and the element that is contained as a main component in the second recording layer is mixed is formed. Is done.
[0024]
As described above, according to the preferred embodiment of the present invention, when the laser beam is irradiated, the element contained in the first recording layer as the main component and the element contained in the second recording layer as the main component. And the recording element having a different reflectivity to a laser beam for reproduction from other areas is formed in the first recording layer and the second recording layer, and at least one dielectric mark is formed. At least a part of the region in contact with the recording mark of the body layer is crystallized, and in at least one dielectric layer, a crystallized region having a different reflectivity to a laser beam for reproduction from another region is formed. The difference between the reflectance for the laser beam for reproduction of the area where the recording mark is formed and the reflectance for the laser beam for the reproduction of the other area is sufficiently large, and therefore the reflectance is large. Utilizing Kina difference reproduces the recorded data, it is possible to obtain a reproduced signal with improved C / N ratio.
[0025]
In a further preferred embodiment of the present invention, a first dielectric layer is provided adjacent to the first recording layer, and a second dielectric layer is provided adjacent to the second recording layer. Have been.
[0026]
In a preferred embodiment of the present invention, the first recording layer contains, as a main component, an element selected from the group consisting of Si, Ge and Sn.
[0027]
In a preferred embodiment of the present invention, the second recording layer contains an element selected from the group consisting of Cu, Al, Zn, Ag, Mg, Sn, Au, Ti and Pd, and the second recording layer contains a main component. An element that is different from the element contained as the element is added.
[0028]
In a further preferred embodiment of the present invention, the first recording layer contains, as a main component, an element selected from the group consisting of Si, Ge, Sn, Mg, In, Zn, Bi and Al; Contains Cu as a main component.
[0029]
In a further preferred embodiment of the present invention, the first recording layer contains, as a main component, an element selected from the group consisting of Si, Ge, Sn, Mg and Al.
[0030]
In a further preferred embodiment of the present invention, the second recording layer containing Cu as a main component is formed from the group consisting of Al, Si, Zn, Mg, Au, Sn, Ge, Ag, P, Cr, Fe and Ti. At least one selected element is added.
[0031]
At least one element selected from the group consisting of Al, Si, Zn, Mg, Au, Sn, Ge, Ag, P, Cr, Fe and Ti is added to the second recording layer containing Cu as a main component. In this case, the noise level in the reproduced signal can be further reduced, the reliability for long-term storage can be improved, and the thermal conductivity of the second recording layer can be improved. The heat generated in the first recording layer and the second recording layer by the laser beam is effectively transferred to at least one dielectric layer to reduce the crystallization of the at least one dielectric layer. Can be promoted.
[0032]
In a further preferred embodiment of the present invention, at least one element selected from the group consisting of Al, Zn, Sn and Au is added to the second recording layer containing Cu as a main component.
[0033]
In another preferred embodiment of the present invention, the first recording layer contains an element selected from the group consisting of Si, Ge, C, Sn, Zn and Cu as a main component, and the second recording layer contains Al As a main component.
[0034]
In a further preferred embodiment of the present invention, at least one element selected from the group consisting of Mg, Au, Ti and Cu is added to the second recording layer containing Al as a main component.
[0035]
When at least one element selected from the group consisting of Mg, Au, Ti and Cu is added to the second recording layer containing Al as a main component, the noise level in the reproduced signal can be increased. In addition to being able to reduce, the reliability for long-term storage can be improved, and the thermal conductivity of the second recording layer is reduced. The heat generated in the two recording layers can be effectively transferred to the at least one dielectric layer to facilitate crystallization of the at least one dielectric layer.
[0036]
In another preferred embodiment of the present invention, the first recording layer contains an element selected from the group consisting of Si, Ge, C and Al as a main component, and the second recording layer contains Zn as a main component. Contains.
[0037]
In a further preferred embodiment of the present invention, at least one element selected from the group consisting of Mg, Cu and Al is added to the second recording layer containing Zn as a main component.
[0038]
When at least one element selected from the group consisting of Mg, Cu and Al is added to the second recording layer containing Zn as a main component, the noise level in the reproduced signal is further reduced. And the reliability for long-term storage can be improved, and the thermal conductivity of the second recording layer is reduced, so that the first recording layer and the second The heat generated in the recording layer can be effectively transferred to the at least one dielectric layer and facilitate the crystallization of the at least one dielectric layer.
[0039]
In another preferred embodiment of the present invention, the first recording layer contains an element selected from the group consisting of Si, Ge and Sn as a main component, and the second recording layer contains Ag as a main component. I have.
[0040]
In a further preferred embodiment of the present invention, at least one element selected from the group consisting of Cu and Pd is added to the second recording layer containing Ag as a main component.
[0041]
When at least one element selected from the group consisting of Cu and Pd is added to the second recording layer containing Ag as a main component, it is possible to further reduce the noise level in the reproduced signal. As it becomes possible, the reliability for long-term storage can be improved, and the thermal conductivity of the second recording layer is reduced, so that the first recording layer and the second recording layer are irradiated by the laser beam. The heat generated therein is effectively transferred to the at least one dielectric layer, allowing to promote crystallization of the at least one dielectric layer.
[0042]
In a preferred embodiment of the present invention, preferably, the first recording layer and the second recording layer have a total thickness of the first recording layer and the second recording layer of 2 nm to 40 nm, more preferably , So that the total thickness of the first recording layer and the second recording layer is 2 nm to 30 nm, more preferably, the total thickness of the first recording layer and the second recording layer is 2 nm to 15 nm. It is formed.
[0043]
In the present invention, the material for forming at least one dielectric layer is transparent, and is not particularly limited as long as it is a dielectric material that crystallizes when irradiated with a laser beam. For example, at least one dielectric layer can be formed of a dielectric material mainly containing an oxide, a sulfide, a nitride, or a combination thereof. Preferably, at least one dielectric layer comprises Al ₂ O ₃ , AlN, ZnO, ZnS, GeN, GeCrN, CeO, SiO, SiO ₂ , Containing at least one dielectric material selected from the group consisting of SiN and SiC as a main component, and more preferably ZnS.SiO. ₂ As a main component.
[0044]
In a preferred embodiment of the present invention, the optical recording medium further includes a light transmitting layer provided on the side opposite to the substrate with respect to the first recording layer and the second recording layer. .
[0045]
In a further preferred embodiment of the present invention, the light transmitting layer is formed to have a thickness of 10 to 300 μm.
[0046]
In a further preferred aspect of the present invention, the optical recording medium includes a reflection layer provided between the substrate and the second dielectric layer.
[0047]
According to a further preferred embodiment of the present invention, it is possible to increase the difference in reflectance between the recording mark and the blank area where the recording mark is not formed due to the multiple interference effect. As a result, a high reproduction signal (C / N ratio).
[0048]
The object of the present invention is also an optical recording comprising a substrate, at least one recording layer provided on the substrate, and at least one dielectric layer provided adjacent to the at least one recording layer. A medium is irradiated with a laser beam having a wavelength λ from a side opposite to the substrate via an objective lens having a numerical aperture NA satisfying λ / NA ≦ 640 nm, and a recording mark is formed on the at least one recording layer. And forming at least a portion of a region of the at least one dielectric layer that is in contact with the recording mark to form a crystallized region in the at least one dielectric layer. This is achieved by a method for recording data on an optical recording medium.
[0049]
In a preferred embodiment of the present invention, the optical recording medium is configured to irradiate a laser beam having a wavelength of 450 nm or less to record data on a first recording layer and a second recording layer. .
[0050]
In a preferred embodiment of the present invention, when the recording linear velocity is equal to or higher than a predetermined recording linear velocity, the power of the laser beam is modulated by a single pulse pattern.
[0051]
According to a preferred embodiment of the present invention, when the recording linear velocity is equal to or higher than a predetermined recording linear velocity, the power of the laser beam is configured to be modulated by a single pulse pattern. Also, the amount of heat applied to the first recording layer and the second recording layer by the laser beam is increased, and therefore, the amount of heat applied to at least one dielectric layer is also increased. Crystallized regions can be formed in the region of the layer as desired.
[0052]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0053]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the structure of an optical recording medium according to a preferred embodiment of the present invention.
[0054]
As shown in FIG. 1, an optical recording medium 10 according to this embodiment is configured as a write-once optical recording medium, and includes a substrate 11, a reflective layer 12 formed on the surface of the substrate 11, a reflective layer 12 A second dielectric layer 13 formed on the surface of the second recording layer 32, a second recording layer 32 formed on the surface of the second dielectric layer 13, and a second recording layer 32 formed on the surface of the second recording layer 32. The first recording layer 31, the first dielectric layer 15 provided on the surface of the first recording layer 31, and the light transmitting layer 16 formed on the surface of the first dielectric layer 15. Have.
[0055]
As shown in FIG. 1, a center hole 17 is formed in the center of the optical recording medium 10.
[0056]
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the surface of the light transmitting layer 16 is irradiated with a laser beam L10, data is recorded on the optical recording medium 10, and data is reproduced from the optical recording medium 10. You.
[0057]
The substrate 11 functions as a support for securing the mechanical strength required for the optical recording medium 10.
[0058]
The material for forming the substrate 11 is not particularly limited as long as it can function as a support for the optical recording medium 10. The substrate 11 can be formed of, for example, glass, ceramics, resin, or the like. Among these, resins are preferably used from the viewpoint of ease of molding. Examples of such a resin include a polycarbonate resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a polystyrene resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a silicone resin, a fluorine resin, an ABS resin, and a urethane resin. Among these, polycarbonate resins are particularly preferable in terms of processability, optical characteristics, and the like.
[0059]
In the present embodiment, the substrate 11 has a thickness of about 1.1 mm.
[0060]
The shape of the substrate 11 is not particularly limited, but is usually a disk, card, or sheet.
[0061]
As shown in FIG. 1, grooves 11a and lands 11b are formed on the surface of the substrate 11 alternately. The grooves 11a and / or lands 11b formed on the surface of the substrate 11 function as guide tracks for the laser beam L10 when recording data and when reproducing data.
[0062]
The reflection layer 12 has a function of reflecting the incident laser beam L10 via the light transmission layer 16 and emitting the laser beam L10 from the light transmission layer 16 again.
[0063]
Although the thickness of the reflective layer 12 is not particularly limited, it is preferably 5 nm to 300 nm, and particularly preferably 20 nm to 200 nm.
[0064]
The material for forming the reflective layer 12 is not particularly limited as long as it can reflect the laser beam L10, and may be Mg, Al, Ti, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Ag. , Pt, Au or the like can form the reflection layer 12. Among these, a metal material such as Al, Au, Ag, Cu, or an alloy containing at least one of these metals, such as an alloy of Al and Ti, having a high reflectance forms the reflective layer 12. It is preferably used for forming.
[0065]
When reproducing the data optically recorded on the first recording layer 31 and the second recording layer 32 using the laser beam L10, the reflection layer 12 causes the interference between the recorded portion and the unrecorded portion due to the multiple interference effect. It is provided to increase the difference in reflectivity and obtain a high reproduction signal (C / N ratio).
[0066]
The first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 serve to protect the first recording layer 31 and the second recording layer 32. Therefore, the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 can effectively prevent deterioration of optically recorded data for a long period of time. Further, the second dielectric layer 13 has an effect of preventing thermal deformation of the substrate 11 and the like, and therefore, it is possible to effectively prevent deterioration of jitter due to the deformation.
[0067]
In the present embodiment, the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 are formed of a material that crystallizes when irradiated with the laser beam L10.
[0068]
The dielectric material used to form the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 is a dielectric material that is transparent and crystallizes when irradiated with the laser beam L10. The first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 are not particularly limited as long as the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer Can be formed. More specifically, in order to prevent thermal deformation of the substrate 11 and the like and protect the first recording layer 31 and the second recording layer 32, the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 Is Al ₂ O ₃ , AlN, ZnO, ZnS, GeN, GeCrN, CeO, SiO, SiO ₂ And at least one dielectric material selected from the group consisting of SiN and SiC. ₂ Is more preferably contained as a main component.
[0069]
The first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 may be formed of the same dielectric material as each other, or may be formed of different dielectric materials. Further, at least one of the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 may have a multilayer structure including a plurality of dielectric films.
[0070]
In this specification, the phrase “a dielectric layer contains a dielectric material as a main component” means that the content of the dielectric material is the highest among the dielectric materials contained in the dielectric layer. Say. Also, ZnS / SiO ₂ Is ZnS and SiO ₂ Means a mixture with
[0071]
The thicknesses of the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 are not particularly limited, but are preferably 3 to 200 nm. If the thickness of the first dielectric layer 15 or the second dielectric layer 13 is less than 3 nm, it is difficult to obtain the above-described effects. On the other hand, if the thickness of the first dielectric layer 15 or the second dielectric layer 13 exceeds 200 nm, the time required for film formation becomes longer, and the productivity of the optical recording medium 10 may be reduced. In addition, cracks may occur in the optical recording medium 10 due to the stress of the first dielectric layer 15 or the second dielectric layer 13.
[0072]
The first recording layer 31 and the second recording layer 32 are layers for recording data. As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the first recording layer 31 is disposed on the light transmitting layer 16 side, and the second recording layer 32 is disposed on the substrate 11 side.
[0073]
In this embodiment, the first recording layer 31 contains an element selected from the group consisting of Si, Ge, and Sn as a main component, and the second recording layer 32 contains Ag as a main component.
[0074]
In the present embodiment, an element selected from the group consisting of Cu and Pd is added to the second recording layer 32 containing Ag as a main component.
[0075]
When an element selected from the group consisting of Cu and Pd is added to the second recording layer 32 containing Ag as a main component, it is possible to further reduce the noise level in the reproduced signal. At the same time, the reliability for long-term storage can be improved, and the thermal conductivity of the second recording layer 32 decreases, so that the first recording layer 31 and the second recording layer 32 The heat generated therein is effectively transferred to the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13, and the crystallization of the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 is performed. It is possible to promote.
[0076]
As the total thickness of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 increases, the surface smoothness of the first recording layer 31 irradiated with the laser beam L10 decreases, and as a result, the reproduced signal As the noise level inside increases, the recording sensitivity decreases. Further, as the total thickness of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 increases, the first of the heat generated in the first recording layer 31 and the second recording layer 32 by the laser beam increases. The transmission efficiency to the dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 is reduced. Therefore, in order to prevent the surface smoothness of the first recording layer 31 from decreasing and to promote the crystallization of the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13, the first recording layer 31 Although it is preferable to reduce the total thickness of the second recording layer 32, if the total thickness of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is too small, the difference in reflectance before and after recording data is small. As a result, a high reproduction signal (C / N ratio) cannot be obtained, and the film thickness control becomes difficult.
[0077]
Therefore, in the present embodiment, the first recording layer 31 and the second recording layer 32 are formed such that the total thickness of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is 2 nm to 40 nm. ing. In order to obtain a higher reproduction signal (C / N ratio) and further reduce the noise level in the reproduction signal, the total thickness of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is 2 nm to 30 nm. And more preferably 2 nm to 15 nm.
[0078]
Although the thickness of each of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is not particularly limited, the recording sensitivity is sufficiently improved, and the change in reflectance before and after recording data is sufficiently reduced. To increase the thickness, the thickness of the first recording layer 31 is preferably 1 nm to 30 nm, and the thickness of the second recording layer 32 is preferably 1 nm to 30 nm. Further, in order to sufficiently increase the change in reflectance before and after the laser beam irradiation, the ratio of the layer thickness of the first recording layer 31 to the layer thickness of the second recording layer 32 (the first recording layer 31). Of the second recording layer 32) is preferably 0.2 to 5.0.
[0079]
The light transmitting layer 16 is a layer through which the laser beam L10 transmits, and preferably has a thickness of 10 μm to 300 μm, more preferably, the light transmitting layer 16 has a thickness of 50 μm to 150 μm. ing.
[0080]
The material for forming the light transmitting layer 16 is not particularly limited, but when forming the light transmitting layer 16 by a spin coating method or the like, an ultraviolet curable resin, an electron beam curable resin, or the like is used. Preferably, the light transmitting layer 16 is formed of an ultraviolet curable resin.
[0081]
The light transmitting layer 16 may be formed by bonding a sheet formed of a light transmitting resin to the surface of the first dielectric layer 15 using an adhesive.
[0082]
The optical recording medium 10 having the above configuration is manufactured, for example, as follows.
[0083]
First, the reflection layer 12 is formed on the surface of the substrate 11 on which the groove 11a and the land 11b are formed.
[0084]
The reflection layer 12 can be formed by, for example, a vapor phase growth method using a chemical species containing a constituent element of the reflection layer 12. Examples of the vapor deposition method include a vacuum deposition method and a sputtering method.
[0085]
Next, a second dielectric layer 13 is formed on the surface of the reflective layer 12.
[0086]
The second dielectric layer 13 can be formed, for example, by a vapor phase growth method using a chemical species containing a constituent element of the second dielectric layer 13. Examples of the vapor deposition method include a vacuum deposition method and a sputtering method.
[0087]
Further, a second recording layer 32 is formed on the surface of the second dielectric layer 13. Similarly to the second dielectric layer 13, the second recording layer 32 can be formed by a vapor deposition method using a chemical species containing the constituent element of the second recording layer 32.
[0088]
Next, the first recording layer 31 is formed on the surface of the second recording layer 32. The first recording layer 31 can also be formed by a vapor deposition method using a chemical species containing a constituent element of the first recording layer 31.
[0089]
Further, the first dielectric layer 15 is formed on the surface of the first recording layer 31. The first dielectric layer 15 can also be formed by a vapor deposition method using a chemical species containing a constituent element of the first dielectric layer 15.
[0090]
Finally, a light transmitting layer 16 is formed on the surface of the first dielectric layer 15. The light transmitting layer 16 is formed, for example, by applying an acrylic UV curable resin or an epoxy UV curable resin whose viscosity has been adjusted to the surface of the first dielectric layer 15 by spin coating or the like. It can be formed by forming a film, irradiating ultraviolet rays, and curing the coating film.
[0091]
The optical recording medium 10 is manufactured as described above.
[0092]
Data is recorded on the optical recording medium 10 having the above configuration, for example, as follows.
[0093]
First, as shown in FIGS. 1 and 2A, a first recording layer 31 and a second recording layer 32 are irradiated with a laser beam L10 having a predetermined power via a light transmitting layer 16. You.
[0094]
In order to record data on the optical recording medium 10 at a high recording density, a laser beam L10 having a wavelength of 450 nm or less is illuminated using an objective lens (not shown) having a numerical aperture NA of 0.7 or more. It is preferable that the light is focused on the recording medium 10, and it is more preferable that λ / NA ≦ 640 nm.
[0095]
In this embodiment, a laser beam L10 having a wavelength of 405 nm is focused on the optical recording medium 10 using an objective lens having a numerical aperture of 0.85.
[0096]
As a result, in the region irradiated with the laser beam L10, the element contained as the main component in the first recording layer 31 and the element contained as the main component in the second recording layer 32 are mixed, As shown in FIG. 2B, a recording mark M is formed in which an element contained as a main component in the first recording layer 31 and an element contained as a main component in the second recording layer 32 are mixed. Then, data is recorded on the optical recording medium 10.
[0097]
Furthermore, in the present embodiment, when the laser beam L10 is irradiated on the optical recording medium 10 via the light transmitting layer 16, the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 15 are irradiated in the region irradiated with the laser beam L10. The dielectric material included in the dielectric layer 13 is crystallized, and as shown in FIG. 2B, the recording marks M are formed in the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13. A crystallization region M 'is formed adjacently.
[0098]
An element contained as a main component in the first recording layer 31 and an element contained as a main component in the second recording layer 32 are promptly mixed to form a recording mark M and to form a first dielectric layer. In order to rapidly crystallize the dielectric material contained in the body layer 15 and the second dielectric layer 13 to form the crystallized region M ′, the power of the laser beam L On the surface, it is preferably at least 1.5 mW.
[0099]
The recording mark M thus formed is composed of a mixture of an element contained as a main component in the first recording layer 31 and an element contained as a main component in the second recording layer 32. Therefore, the reflectance is different from the reflectances of the other areas of the first recording layer 31 and the second recording layer 32, and the reflectance of the recording mark M and the reflectance of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 are different. The data recorded on the optical recording medium 10 can be reproduced using the difference between the reflectance of the recording layer 32 and the other areas. However, when the difference between the reflectance of the recording mark M and the reflectance of the other areas of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is not sufficiently large, the reproduction having the high C / N ratio is performed. It is difficult to get a signal.
[0100]
However, in the present embodiment, the regions of the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 adjacent to the recording mark M are formed by the heat applied by the laser beam L10 and the first recording layer 31 and the second recording layer 31. The crystal is crystallized by the heat transmitted from the second recording layer 32, and a crystallized region M ′ having a different reflectance from the other regions of the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 is formed. Thus, the difference between the reflectivity of the area where the recording mark M and the crystallized area M ′ are formed and the reflectivity of the other areas as a whole increases, and therefore the recording mark M and the crystal The data recorded on the optical recording medium 10 is reproduced by utilizing the difference between the reflectivity of the area where the coded area M 'is formed and the reflectivity of the other areas, and a reproduced signal having a high C / N ratio is obtained. It will be possible to obtain It is possible to reduce the jitter of the raw signal.
[0101]
When recording data by irradiating the optical recording medium 10 with the laser beam L10, the power of the laser beam L10 is modulated according to a pulse train pattern including the recording power Pw and the base power Pb.
[0102]
In the present embodiment, the laser beam L10 is applied to the optical recording medium 10 to form a recording mark M and a crystallized region M ′, record data, and form the recording mark M and the crystallized region M ′. The data recorded on the optical recording medium 10 is reproduced by utilizing the difference between the reflectivity of the region that has been set and the reflectivity of the other regions. Depending on the data recording linear velocity and the thermal conductivity of the first recording layer 31 and the second recording layer 32, a crystallized region M 'is formed as desired in the second dielectric layer 13. Then, a pulse train pattern for modulating the power of the laser beam L10 is selected.
[0103]
That is, when the recording linear velocity is high and the thermal conductivity of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is high, the amount of heat applied to the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 is small. A pulse train pattern that modulates the power of the laser beam L10 is selected so that the amount of heat applied to the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 increases as much as possible. On the other hand, when the recording linear velocity is low and the thermal conductivity of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is low, the amount of heat applied to the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 is small. The pulse train pattern for modulating the power of the laser beam L10 is selected so that the amount of heat applied to the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 does not become excessive.
[0104]
FIG. 3 is a diagram showing a waveform of a single pulse pattern, and shows a case where a 2T signal or an 8T signal in the 1,7 RLL modulation method is recorded.
[0105]
The single pulse pattern shown in FIG. 3 is preferably selected for modulating the power of the laser beam when the recording linear velocity is high and the thermal conductivity of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is high. Is a pulse train pattern to be performed.
[0106]
As shown in FIG. 3, in the single pulse pattern, one recording pulse having a width corresponding to the length of the recording mark M to be formed is used, and the power of the laser beam reaches the recording power Pw1 at the peak. It is set, and in other periods, it is set to the base power Pb1.
[0107]
As for the recording power Pw1, the element contained as the main component in the first recording layer 31 and the element contained as the main component in the second recording layer 32 are heated and mixed by the irradiation of the laser beam with the recording power Pw1. In addition, the recording mark M is formed, and a high level is set in a region of the first dielectric layer 31 and the second dielectric layer 32 adjacent to the recording mark M so that the crystallization region M ′ is formed. On the other hand, the base power Pb1 includes an element contained in the first recording layer 31 as a main component and an element contained in the second recording layer 32 as a main component even when the laser beam having the base power Pb1 is irradiated. There is no substantial mixing, and the first dielectric layer 31 and the second dielectric layer 32 are set at such a low level that the crystallization region M ′ is not formed.
[0108]
As shown in FIG. 3, the base power Pb1 is set to a higher level than the reproduction power Pr. As described above, when the base power Pb1 is set to a level higher than the reproduction power Pr, the temperature of the entire track can be increased by the laser beam of the base power Pb1, and therefore, the level of the recording power Pw1 is reduced. The recording mark M and the crystallized region M ′ can be formed without setting the level to a very high level.
[0109]
Therefore, even when the recording linear velocity is high and the thermal conductivity of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is high, the power of the laser beam is modulated using the single pulse pattern shown in FIG. As a result, as desired, an element contained as a main component in the first recording layer 31 and an element contained as a main component in the second recording layer 32 are mixed to form a recording mark M, The crystallization region M ′ can be formed in the region of the first dielectric layer 31 and the second dielectric layer 32 adjacent to the mark M.
[0110]
4A and 4B are diagrams showing waveforms of a basic pulse train pattern. FIG. 4A shows a pulse train pattern when a 2T signal is formed in the 1,7 RLL modulation method, and FIG. 9 shows a pulse train pattern in the case of forming a 3T signal to an 8T signal in a modulation method.
[0111]
The basic pulse train pattern shown in FIG. 4 is preferably selected for modulating the power of the laser beam when the recording linear velocity is low and the thermal conductivity of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is low. Is a pulse train pattern to be performed.
[0112]
As shown in FIGS. 4A and 4B, in the basic pulse train pattern, the recording pulse for forming the recording mark M is divided into (n-1) pulses, and the power of the laser beam is Is set to the recording power Pw2 at the peak of each divided pulse, and to the base power Pb2 during the other periods.
[0113]
When the power of the laser beam is modulated using the basic pulse train pattern, the amount of heat applied to the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is prevented from being excessive even when the recording linear velocity is low. Therefore, it is possible to effectively prevent an increase in the width of the recording mark M and an increase in crosstalk.
[0114]
As for the recording power Pw2, the element contained as the main component in the first recording layer 31 and the element contained as the main component in the second recording layer 32 are heated and mixed by the irradiation of the laser beam with the recording power Pw2. In addition, the recording mark M is formed, and a high level is set in a region of the first dielectric layer 31 and the second dielectric layer 32 adjacent to the recording mark M so that the crystallization region M ′ is formed. On the other hand, the base power Pb2 includes an element contained in the first recording layer 31 as a main component and an element contained in the second recording layer 32 as a main component even when the laser beam having the base power Pb2 is irradiated. There is no substantial mixing, and the first dielectric layer 31 and the second dielectric layer 32 are set at such a low level that the crystallization region M ′ is not formed.
[0115]
As shown in FIGS. 4A and 4B, the base power Pb2 is set to a higher level than the reproduction power Pr. As described above, when the base power Pb2 is set to a level higher than the reproduction power Pr, the temperature of the entire track can be increased by the laser beam of the base power Pb2. Therefore, the level of the recording power Pw2 can be reduced. The recording mark M and the crystallized region M ′ can be formed without setting the level to a very high level.
[0116]
Therefore, when the recording linear velocity is low and the thermal conductivity of the first recording layer 31 and the second recording layer 32 is high, the basic pulse train pattern shown in FIGS. Is used to modulate the power of the laser beam to prevent the crosstalk from increasing, while allowing the element included in the first recording layer 31 as the main component and the second recording layer 32 A recording mark M is formed by mixing with an element contained as a main component, and a crystallization region M ′ is formed in a region of the first dielectric layer 31 and the second dielectric layer 32 adjacent to the recording mark M. It can be formed.
[0117]
FIG. 5 is a block diagram of a data recording device that records data on the optical recording medium 10.
[0118]
As shown in FIG. 5, the data recording device 50 irradiates a laser beam to the spindle motor 52 for rotating the optical recording medium 10 and the optical recording medium 10 and is reflected by the optical recording medium 10. A head 53 for receiving light, a controller 54 for controlling operations of the spindle motor 52 and the head 53, a laser drive circuit 55 for supplying a laser drive signal to the head 53, and a lens for supplying a lens drive signal to the head 53 And a drive circuit 56.
[0119]
As shown in FIG. 5, the controller 54 includes a focus servo circuit 57, a tracking servo circuit 58, and a laser control circuit 59.
[0120]
When the focus servo circuit 57 is activated, the laser beam L10 is focused on the first recording layer 31 of the rotating optical recording medium 10, and when the tracking servo circuit 58 is activated, the track of the optical recording medium 10 As a result, the spot of the laser beam enters an automatic following state.
[0121]
As shown in FIG. 5, the focus servo circuit 57 and the tracking servo circuit 58 have an auto gain control function for automatically adjusting the focus gain and an auto gain control function for automatically adjusting the tracking gain. I have.
[0122]
The laser control circuit 59 is a circuit that generates a laser drive signal supplied by the laser drive circuit 55.
[0123]
In the present embodiment, the data for specifying the single pulse pattern or the basic pulse train pattern described above includes the recording conditions together with the data for specifying various recording conditions such as a recording linear velocity necessary for recording the data. The setting data is recorded on the optical recording medium 10 as wobbles and pre-pits.
[0124]
Therefore, prior to recording data on the optical recording medium 10, the laser control circuit 59 reads the recording condition setting data recorded on the optical recording medium 10 and simply reads the recording condition setting data based on the read recording condition setting data. A pulse pattern or a basic pulse train pattern is selected, a laser drive signal is generated, and the laser drive circuit 55 outputs the signal to the head 53.
[0125]
Thus, data is recorded on the optical recording medium 10 by the laser beam L10 whose power has been modulated according to the desired pulse train pattern.
[0126]
According to the present embodiment, when irradiating the optical recording medium 10 with the laser beam L10 to record data on the optical recording medium 10, the element contained as the main component in the first recording layer 31 and the second The recording mark M is formed by mixing an element included as a main component in the recording layer 32 of the first recording layer 32 with the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 adjacent to the recording mark M. Is formed so as to form the crystallized region M ′, the difference between the reflectivity of the region where the recording mark M and the crystallized region M ′ are formed and the reflectivity of the other regions is large as a whole. Accordingly, the difference between the reflectance of the area where the recording mark M and the crystallized area M ′ are formed and the reflectance of the other areas is used to record the information on the optical recording medium 10. Reproduce data and obtain a reproduced signal with high C / N ratio It along with allowing, it is possible to reduce the jitter of the reproduced signal.
[0127]
【Example】
Hereinafter, in order to further clarify the effects of the present invention, examples will be described.
[0128]
Example 1
An optical recording medium sample # 1 having a configuration similar to that of the optical recording medium 1 shown in FIG. 1 was manufactured as follows.
[0129]
That is, first, a polycarbonate substrate having a thickness of 1.1 mm and a diameter of 120 mm is set in a sputtering apparatus, and then a reflective layer containing Ag as a main component and having a layer thickness of 100 nm, ZnS and SiO ₂ , A second dielectric layer having a layer thickness of 28 nm, a second recording layer having a layer thickness of 5 nm, containing Cu as a main component and adding 21 atomic% of Mg, and a layer containing Si as a main component. First recording layer having a layer thickness of 5 nm, including ZnS and SiO ₂ And a first dielectric layer having a layer thickness of 22 nm was sequentially formed by a sputtering method.
[0130]
ZnS and SiO contained in the first dielectric layer and the second dielectric layer ₂ And SiO in a mixture of ₂ Was 80:20.
[0131]
Further, on the first dielectric layer, an acrylic ultraviolet curable resin is applied by a spin coating method to form a coating layer, and the coating layer is irradiated with ultraviolet light to form the acrylic ultraviolet curable resin. After curing, a light transmitting layer having a layer thickness of 100 μm was formed.
[0132]
Optical recording medium sample # 2 was produced in the same manner as optical recording medium sample # 1, except that 17 atomic% of Al was added instead of Mg to form a second recording layer.
[0133]
Each of the optical recording medium samples # 1 and # 2 thus produced was set on an optical recording medium evaluation apparatus “DDU1000” (trade name) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. Then, a blue laser light having a wavelength of 405 nm was applied. The laser light was condensed through a light transmitting layer using an objective lens having an NA (numerical aperture) of 0.85, and data was recorded under the following recording conditions.
[0134]
Modulation method: (1,7) RLL
Channel bit length: 0.12 μm
Recording linear velocity: 5.3 m / sec
Channel clock: 66MHz
Recording signal: 8T signal
The power of the laser beam was modulated using the basic pulse train pattern shown in FIG. The pulse width was set to 0.5T, the base power Pb2 was set to 0.1 mW, and the recording power Pw2 was set to 5.0 mW.
[0135]
The data transfer rate when the format efficiency was 80% was about 35 Mbps.
[0136]
Next, the data recorded on each optical recording medium was reproduced using the above-mentioned optical medium evaluation apparatus, and the C / N ratio and clock jitter of the reproduced signal were measured. The clock jitter was calculated from σ / Tw by obtaining “fluctuation (σ)” of the reproduced signal using a time interval analyzer. Here, Tw is one cycle of the clock.
[0137]
The measurement results are shown in Table 1.
[0138]
[Table 1]

As shown in Table 1, it was found that in the optical recording medium samples # 1 and # 2, a reproduced signal having an extremely high C / N ratio could be obtained, and the clock jitter was extremely low.
[0139]
Next, the first recording layer and the second recording layer of each of the optical recording medium samples # 1 and # 2 were observed using an Auger analyzer, and the first and second dielectric layers were observed. Was observed using a transmission electron microscope.
[0140]
As a result, in any of the samples, in the area where the recording mark M is formed, the materials of the first recording layer and the second recording layer are mixed, and in the blank area, the first recording layer and the second recording layer are mixed. No mixing of the recording layer materials was observed.
[0141]
On the other hand, in the optical recording medium samples # 1 and # 2, ZnS crystals were observed in the regions of the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording mark.
[0142]
Therefore, in the optical recording medium samples # 1 and # 2, a reproduced signal having excellent characteristics was obtained because the regions of the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording mark were crystallized. It was confirmed that it was.
[0143]
Example 2
An optical recording medium sample # 3 was produced in the same manner as the optical recording medium sample # 1, except that the second recording layer was formed by adding 17 atomic% of Mg containing Al as a main component.
[0144]
In the same manner as in Example 1, data was recorded on the optical recording medium sample # 3, and the first and second recording layers, and the first and second dielectric layers were observed.
[0145]
As a result, in the area where the recording mark M is formed, the materials of the first recording layer and the second recording layer are mixed, and in the blank area, the material of the first recording layer and the material of the second recording layer are mixed. Was not found.
[0146]
In addition, ZnS crystals were observed in regions of the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording mark.
[0147]
Therefore, it was found that the same result as in the case where the second recording layer contained Cu as a main component was obtained when the second recording layer contained Al as a main component.
[0148]
Example 3
Optical recording was performed in the same manner as in the optical recording medium sample # 1, except that a second recording layer was formed by adding Cu as a main component, adding 23 atomic% of Al and 12.8 atomic% of Au. Media sample # 4 was made.
[0149]
Using the optical recording medium evaluation apparatus used in Example 1, the power of the laser beam was modulated according to the single pulse pattern shown in FIG. 3, and data was recorded on the optical recording medium sample # 4.
[0150]
The base power Pb1 of the single pulse pattern was set to 0.1 mW, and the recording power Pw1 was set to 3.8 mW.
[0151]
As other recording conditions, the same recording conditions as in Example 1 were used.
[0152]
Similarly, the power of the laser beam was modulated according to the basic pulse train pattern shown in FIG. 4, and data was recorded on the optical recording medium sample # 4.
[0153]
Here, the pulse width of the basic pulse train pattern was set to 0.3T, the base power Pb2 was set to 0.1 mW, and the recording power Pw2 was set to 5.0 mW.
[0154]
Next, in the same manner as in Example 1, the data recorded on the optical recording medium sample # 4 was reproduced, and the C / N ratio and the clock jitter of the reproduced signal were obtained.
[0155]
The measurement results are shown in Table 2.
[0156]
[Table 2]

As shown in Table 2, when the power of the laser beam was modulated using the single pulse pattern, the C / C of the reproduced signal was higher than when the power of the laser beam was modulated using the basic pulse train pattern. It has been found that the N ratio increases and the clock jitter decreases.
[0157]
Furthermore, in the same manner as in the first embodiment, using a laser beam whose power has been modulated according to a single pulse pattern, and using a laser beam whose power has been modulated according to a case where data is recorded and according to a basic pulse train pattern, For each case where data was recorded, the first recording layer and the second recording layer of the optical recording medium sample # 4, and the first dielectric layer and the second dielectric layer were observed.
[0158]
As a result, in any case, in the area where the recording mark M is formed, the materials of the first recording layer and the second recording layer are mixed, and in the blank area, the first recording layer and the second recording layer are mixed. No mixing of the recording layer materials was observed.
[0159]
On the other hand, when data is recorded using a laser beam whose power is modulated according to a monopulse pattern, ZnS is added to the regions of the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording mark. In the case where data was recorded using a laser beam whose power was modulated according to the basic pulse train pattern, the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording mark were observed. No crystals were observed in the area of the layer.
[0160]
Therefore, data was recorded using a laser beam whose power was modulated according to a single pulse pattern, and the power was modulated according to the characteristics of a reproduced signal when the recorded data was reproduced and the basic pulse train pattern. Using a laser beam, data is recorded, and the difference between the characteristics of the reproduced signal when the recorded data is reproduced is that the area of the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording mark is different. It was confirmed that it had occurred depending on whether or not it was crystallized.
[0161]
This is the case when recording data using a laser beam whose power is modulated according to a single pulse pattern, and when recording data using a laser beam whose power is modulated according to a basic pulse train pattern. It is presumed that the amount of heat applied to the first recording layer and the second recording layer is higher than that of the first recording layer, and the temperatures of the first dielectric layer and the second dielectric layer are higher.
[0162]
Example 4
Optical recording medium sample # 5 was produced as follows.
[0163]
That is, first, a polycarbonate substrate having a thickness of 1.1 mm and a diameter of 120 mm is set in a sputtering apparatus, and then a reflective layer containing Ag as a main component and having a layer thickness of 100 nm, ZnS and SiO ₂ A second dielectric layer having a layer thickness of 30 nm, a recording layer containing Sn as a main component and having a layer thickness of 3 nm, and ZnS and SiO ₂ And a first dielectric layer having a layer thickness of 30 nm was sequentially formed by a sputtering method.
[0164]
ZnS and SiO contained in the first dielectric layer and the second dielectric layer ₂ And SiO in a mixture of ₂ Was 80:20.
[0165]
Further, on the first dielectric layer, an acrylic ultraviolet curable resin is applied by a spin coating method to form a coating layer, and the coating layer is irradiated with ultraviolet light to form the acrylic ultraviolet curable resin. After curing, a light transmitting layer having a layer thickness of 100 μm was formed.
[0166]
Using the optical recording medium evaluation apparatus used in Example 1, the power of the laser beam was modulated according to the basic pulse train pattern shown in FIG. 4, and data was recorded on the optical recording medium sample # 5.
[0167]
Here, the pulse width of the basic pulse train pattern was set to 0.6T, the base power Pb2 was set to 0.1 mW, and the recording power Pw2 was set to 9.0 mW.
[0168]
As other recording conditions, the same recording conditions as in Example 1 were used.
[0169]
Further, in the same manner as in Example 1, the first dielectric layer and the second dielectric layer of the optical recording medium sample # 5 were observed.
[0170]
As a result, ZnS crystals were observed in the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording layer irradiated with the laser beam having the recording power Pw2.
[0171]
Example 5
Optical recording medium sample # 6 was produced as follows.
[0172]
That is, first, a polycarbonate substrate having a thickness of 1.1 mm and a diameter of 120 mm is set in a sputtering apparatus, and then ZnS and SiO 2 are placed on the polycarbonate substrate. ₂ A second dielectric layer having a layer thickness of 100 nm, a recording layer containing Sn as a main component and having a layer thickness of 3.5 nm, and ZnS and SiO ₂ And a first dielectric layer having a layer thickness of 80 nm was formed sequentially by a sputtering method.
[0173]
ZnS and SiO contained in the first dielectric layer and the second dielectric layer ₂ And SiO in a mixture of ₂ Was 80:20.
[0174]
Further, on the first dielectric layer, an acrylic ultraviolet curable resin is applied by a spin coating method to form a coating layer, and the coating layer is irradiated with ultraviolet light to form the acrylic ultraviolet curable resin. After curing, a light transmitting layer having a layer thickness of 100 μm was formed.
[0175]
Using the optical recording medium evaluation apparatus used in Example 1, the power of the laser beam was modulated according to the basic pulse train pattern shown in FIG. 4, and data was recorded on the optical recording medium sample # 6.
[0176]
Here, the pulse width of the basic pulse train pattern was set to 0.6T, the base power Pb2 was set to 0.1 mW, and the recording power Pw2 was set to 8.0 mW.
[0177]
As other recording conditions, the same recording conditions as in Example 1 were used.
[0178]
Further, in the same manner as in Example 1, the first dielectric layer and the second dielectric layer of the optical recording medium sample # 6 were observed.
[0179]
As a result, ZnS crystals were observed in the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording layer irradiated with the laser beam having the recording power Pw2.
[0180]
Example 6
Optical recording medium sample # 7 was produced as follows.
[0181]
That is, first, a polycarbonate substrate having a thickness of 1.1 mm and a diameter of 120 mm is set in a sputtering apparatus, and then ZnS and SiO 2 are placed on the polycarbonate substrate. ₂ , A dielectric layer having a layer thickness of 60 nm and a recording layer containing Sn as a main component and having a layer thickness of 6 nm were sequentially formed by a sputtering method.
[0182]
ZnS and SiO contained in the dielectric layer ₂ And SiO in a mixture of ₂ Was 80:20.
[0183]
Further, on the recording layer, an acrylic UV curable resin is applied by a spin coating method to form a coating layer, and the coating layer is irradiated with ultraviolet light to cure the acrylic UV curable resin, and to have a thickness of 100 μm. Was formed.
[0184]
Using the optical recording medium evaluation apparatus used in Example 1, the power of the laser beam was modulated according to the basic pulse train pattern shown in FIG. 4, and data was recorded on the optical recording medium sample # 7.
[0185]
Here, the pulse width of the basic pulse train pattern was set to 0.6T, the base power Pb2 was set to 0.1 mW, and the recording power Pw2 was set to 7.0 mW.
[0186]
As other recording conditions, the same recording conditions as in Example 1 were used.
[0187]
Further, in the same manner as in Example 1, the dielectric layer of the optical recording medium sample # 7 was observed.
[0188]
As a result, crystals of ZnS were observed in the region of the dielectric layer adjacent to the region of the recording layer irradiated with the laser beam having the recording power Pw2.
[0189]
Example 7
Optical recording medium sample # 8 was produced as follows.
[0190]
That is, first, a polycarbonate substrate having a thickness of 1.1 mm and a diameter of 120 mm is set in a sputtering apparatus, and then ZnS and SiO 2 are placed on the polycarbonate substrate. ₂ A second dielectric layer having a layer thickness of 20 nm, a recording layer containing Ti as a main component and having a layer thickness of 10 nm, and ZnS and SiO ₂ And a first dielectric layer having a layer thickness of 20 nm was sequentially formed by a sputtering method.
[0191]
ZnS and SiO contained in the first dielectric layer and the second dielectric layer ₂ And SiO in a mixture of ₂ Was 80:20.
[0192]
Further, on the first dielectric layer, an acrylic ultraviolet curable resin is applied by a spin coating method to form a coating layer, and the coating layer is irradiated with ultraviolet light to form the acrylic ultraviolet curable resin. After curing, a light transmitting layer having a layer thickness of 100 μm was formed.
[0193]
Using the optical recording medium evaluation apparatus used in Example 1, the power of the laser beam was modulated according to the basic pulse train pattern shown in FIG. 4, and data was recorded on the optical recording medium sample # 8.
[0194]
Here, the pulse width of the basic pulse train pattern was set to 0.6T, the base power Pb2 was set to 0.1 mW, and the recording power Pw2 was set to 10.0 mW.
[0195]
As other recording conditions, the same recording conditions as in Example 1 were used.
[0196]
Further, in the same manner as in Example 1, the first dielectric layer and the second dielectric layer of the optical recording medium sample # 8 were observed.
[0197]
As a result, ZnS crystals were observed in the first dielectric layer and the second dielectric layer adjacent to the recording layer irradiated with the laser beam having the recording power Pw2.
[0198]
The present invention is not limited to the above embodiments and examples, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims, which are also included in the scope of the present invention. It goes without saying that it is a thing.
[0199]
For example, in the above embodiment, the optical recording medium 10 includes the first recording layer 31 and the second recording layer 32, but the optical recording medium includes the two recording layers 31, 32. Is not always necessary, and the present invention can be widely applied to an optical recording medium having a single recording layer.
[0200]
Further, in the embodiment, the first recording layer 31 and the second recording layer 32 are formed so as to be in contact with each other. First recording is performed so that a region in which an element contained as a main component in the first recording layer 31 and an element contained as a main component in the second recording layer 12 are mixed is formed. It is sufficient that the first recording layer 31 and the second recording layer 32 are formed so as to be in contact with each other. One or more other layers such as a dielectric layer may be interposed between the second recording layers 32.
[0201]
In the above embodiment, the optical recording medium 10 includes the first recording layer 31 and the second recording layer 32. In addition to the first recording layer 31 and the second recording layer 32, One or two or more recording layers containing, as a main component, an element contained as a main component in the first recording layer 31 or one or more containing an element contained as a main component in the second recording layer 32 Two or more recording layers may be provided.
[0202]
Further, in the above embodiment, the optical recording medium 10 includes the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13, and the first recording layer 31 and the second recording layer 32 Although disposed between the dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13, it is not always necessary that the optical recording medium 10 includes the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13. However, it may have a single dielectric layer, in which case the dielectric layer is disposed on the substrate 11 side with respect to the first recording layer 31 and the second recording layer 32. Or it may be arranged on the light transmission layer 16 side.
[0203]
Further, in the above embodiment, the first recording layer and the second recording layer are formed to have the same thickness, but the first recording layer and the second recording layer have the same thickness. It is not always necessary to form them to have
[0204]
Furthermore, in the above embodiment, the first recording layer 31 is disposed on the light transmitting layer 16 side and the second recording layer 32 is disposed on the substrate 11 side. Side, and the second recording layer 32 can be disposed on the light transmission layer 16 side.
[0205]
Further, in the above embodiment, the crystallization region M ′ is formed in the entire region of the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 that is in contact with the recording mark M. However, it is not always necessary to form the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 13 in contact with the recording mark M. Alternatively, it may be formed in at least a part of the area of the second dielectric layer 13 which is in contact with the recording mark.
[0206]
Further, in the above embodiment and the above embodiment, it is difficult to obtain a large output signal as compared with a conventional optical recording medium, and the present invention is most effectively applied to a next-generation optical recording medium. However, the present invention is not limited to a next-generation optical recording medium, but can be widely applied to a write-once optical recording medium.
[0207]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide an optical recording medium that can reproduce a signal having good signal characteristics.
[0208]
Further, according to the present invention, it is possible to provide a method of recording data on an optical recording medium for recording data on the optical recording medium so that a signal having good signal characteristics can be reproduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the structure of an optical recording medium 10 according to a preferred embodiment of the present invention.
2A is a partially enlarged schematic cross-sectional view of the optical recording medium shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a part of the optical recording medium after data is recorded. It is an expansion schematic sectional view.
FIG. 3 is a waveform diagram showing a single pulse pattern.
FIG. 4 is a diagram showing a basic pulse train pattern. FIG. 4A shows a pulse train pattern when a mixed area M corresponding to 2T data in the (1, 7) RLL modulation method is formed. FIG. 4B shows a pulse train pattern when a mixed area M corresponding to 3T to 8T data in the (1,7) RLL modulation method is formed.
FIG. 5 is a block diagram of a data recording device.
[Explanation of symbols]
10 Optical recording media
11 Substrate
11a Land
11b Groove
12 Reflective layer
13 Second dielectric layer
14 Recording layer
15 First dielectric layer
16 Light transmission layer
17 holes
31, 32 reaction layer
50 Data recording device
52 spindle motor
53 head
54 Controller
55 Laser drive circuit
56 Lens drive circuit
57 Focus Servo Circuit
58 Tracking Servo Circuit
59 Laser control circuit
L10 laser beam
M record mark
M 'crystallization region

Claims

A substrate, at least one recording layer provided on the substrate, and at least one dielectric layer provided adjacent to the at least one recording layer, and a wavelength λ from an opposite side to the substrate. A laser beam having a numerical aperture NA satisfying λ / NA ≦ 640 nm is irradiated with a laser beam having a recording mark having a reflectance different from that of another region in the at least one recording layer. An optical recording medium which is formed such that at least a part of a region of the at least one dielectric layer in contact with the recording mark is crystallized to form a crystallized region.

A first recording layer in which the at least one recording layer contains, as a main component, one kind of element selected from the group consisting of Si, Ge, Sn, Mg, C, Al, Zn, In, Cu, Ti, and Bi; A second recording layer which is provided in the vicinity of the first recording layer and which is selected from the group consisting of Cu, Si, Al, Zn, and Ag and contains as a main component an element different from the element contained in the first recording layer; When the laser beam is irradiated, an element contained as a main component in the first recording layer and an element contained as a main component in the second recording layer are mixed. The optical recording medium according to claim 1, wherein a recording mark is formed.

The optical recording medium according to claim 2, wherein the second recording layer is formed so as to be in contact with the first recording layer.

A first dielectric layer is provided adjacent to the first recording layer, and a second dielectric layer is provided adjacent to the second recording layer. 4. The optical recording medium according to 2 or 3.

The optical recording medium according to any one of claims 2 to 4, wherein the first recording layer contains, as a main component, an element selected from the group consisting of Si, Ge, and Sn.

An element selected from the group consisting of Cu, Al, Zn, Ag, Mg, Sn, Au, Ti and Pd in the second recording layer, and an element contained as a main component in the second recording layer; The optical recording medium according to any one of claims 2 to 5, wherein a different element is added.

7. The light-transmitting layer according to claim 1, further comprising a light-transmitting layer having a thickness of 10 μm to 300 μm on a side opposite to the substrate with respect to the at least one recording layer. Optical recording medium.

An optical recording medium comprising a substrate, at least one recording layer provided on the substrate, and at least one dielectric layer provided adjacent to the at least one recording layer; From the side, a laser beam having a wavelength λ is irradiated through an objective lens having a numerical aperture NA satisfying λ / NA ≦ 640 nm, and a recording mark is formed on the at least one recording layer, and the at least one recording layer is formed. Data on an optical recording medium, wherein at least a part of a region of the dielectric layer in contact with the recording mark is crystallized to form a crystallized region in the at least one dielectric layer. Recording method.

A first recording layer in which the at least one recording layer contains, as a main component, one kind of element selected from the group consisting of Si, Ge, Sn, Mg, C, Al, Zn, In, Cu, Ti, and Bi; The second recording layer is provided in the vicinity of the first recording layer and is selected from the group consisting of Cu, Si, Al, Zn, and Ag, and contains, as a main component, an element different from the element contained in the first recording layer. A recording layer, irradiating the laser beam, mixing the element contained as a main component in the first recording layer and the element contained as a main component in the second recording layer 9. The data recording method according to claim 8, wherein a recording mark is formed.

10. The data recording method according to claim 9, wherein the second recording layer of the optical recording medium is formed so as to be in contact with the first recording layer.

The optical recording medium includes a first dielectric layer adjacent to the first recording layer, and includes a second dielectric layer adjacent to the second recording layer. The method for recording data on an optical recording medium according to claim 9.

12. The method according to claim 8, wherein when the recording linear velocity is equal to or higher than a predetermined recording linear velocity, the power of the laser beam is modulated according to a single pulse pattern to record data. A method for recording data on an optical recording medium according to the above.