JP2004132824A - Delay measuring mechanism in lsi chip - Google Patents

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JP2004132824A
JP2004132824A JP2002297431A JP2002297431A JP2004132824A JP 2004132824 A JP2004132824 A JP 2004132824A JP 2002297431 A JP2002297431 A JP 2002297431A JP 2002297431 A JP2002297431 A JP 2002297431A JP 2004132824 A JP2004132824 A JP 2004132824A
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JP
Japan
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delay
pulse
lsi chip
delay element
delay amount
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JP2002297431A
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Inventor
Masaya Fujita
藤田 真哉
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a delay measuring mechanism in an LSI chip capable of precisely measuring a delay amount of a delay element in the LSI chip. <P>SOLUTION: A delay element cycling pulse generating part 1 generates a cycling pulse according to the delay amount of the delay element. A delay measuring part 11 outputs a pulse in which the cycling pulse is counted up by a specified cycle. A delay amount integrating part 21 analyses the reference clock number for the same period as the pulse counted up by the specified cycle. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LSIチップ内部のテスト機構に関し、特にLSIチップ内遅延測定機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
高速動作のシステムLSIでは、入力部並びに出力部で遅延素子によるクロック調整が多用されている。図2に、従来のLSIチップ内遅延測定機構を備えたLSIの入力部または出力部の構成を示す。
【0003】
通常動作時、入力端103に入力された所定の信号aは、MUX(マルチプレクサ;選択回路)115とバッファ117を介して、出力端119に供給される。また入力端105に入力された所定の信号bは、MUX111と遅延素子113を介して、出力端121に供給される。
【0004】
遅延素子113の遅延量を測定する場合、入力端107(LSIの端子に接続されている)に入力された所定の信号cは、バッファ109,MUX111,遅延素子113,MUX115,バッファ117を介して、出力端119に供給される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、遅延素子113を測定する場合、入力端107から遅延素子113までの経路の遅延量、遅延素子113から出力端119までの経路の遅延量を小さくするのは困難であるため、遅延素子113の遅延量を精度よく観測出来ない欠点が有った。
【0006】
そこで本発明は、LSIチップ内部の遅延素子の遅延量を精度よく観測可能なLSIチップ内遅延測定機構を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のLSIチップ内遅延測定機構は、
遅延素子の遅延量に応じた周期パルスを発生する遅延素子周期パルス発生部と、
前記周期パルスを指定サイクル分カウントアップしたパルスを出力する遅延測定部と、
前記指定サイクル分カウントアップしたパルスと同期間のリファレンスクロック数を解析する遅延量積分部と、を具備したことを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1に、本発明のLSIチップ内遅延測定機構の一実施の形態の構成を示す。図1に従って、説明する。
【0009】
遅延素子3と、exclusive NOR(排他的論理和)5と、インバータ7と、Dフリップフロップ(Dラッチ)9とで、遅延素子周期パルス発生部1を構成する。この遅延素子周期パルス発生部1は、遅延素子3の遅延量に応じた周期パルスBを発生させる。
【0010】
ターゲットインクリメンタ13と、一致判定回路15と、Dフリップフロップ17とで、遅延測定部11を構成する。ターゲットインクリメンタ13は、周期パルスBをカウントアップする。一致判定回路15は、ターゲットインクリメンタ13のカウント数と測定期間設定値Aが一致したら、一致したことを示すパルスCを出力する。このパルスCは、Dフリップフロップ17を介して、遅延量積分部21に供給される。なお、パルスCが出力されたら、ターゲットインクリメンタ13の動作を停止させても良い。
【0011】
Dフリップフロップ23,25と、エッジ判定回路27と、リファレンスインクリメンタ29と、MUX31と、結果格納レジスタ33とで、遅延量積分部21を構成する。遅延量積分部21で使用するリファレンスクロックは、周期が既知のクロックである。
【0012】
エッジ判定回路27は、Dフリップフロップ23と25を介して入力されるパルスCの連続する2変化点DとEを判定する。リファレンスインクリメンタ29は、エッジ判定回路からの測定開始タイミング(2変化点の1番目の変化点)Dから、リファレンスクロックDのカウントアップを開始する。リファレンスインクリメンタ29は、エッジ判定回路からの測定終了タイミング(2変化点の2番目の変化点)Eで、リファレンスクロックDのカウントアップを終了する。リファレンスインクリメンタ29のリファレンスクロックのカウントアップ数Fは、結果格納レジスタ33に格納される。
【0013】
同期パルスBの1周期あたりの遅延量(ほぼ遅延素子3の遅延量)は、(リファレンスクロックDの周期×カウントアップ数F)/(測定期間設定値A)を計算することによって測定可能である。
【0014】
なお、MUX31は、遅延素子3の遅延量を測定している間は、カウントアップ数Fを選択し、遅延素子3の遅延量を測定していない間は、結果格納レジスタ33の出力を選択する。
【0015】
【発明の効果】
本発明のLSIチップ内遅延測定機構によれば、LSIチップの入力部並びに出力部の遅延素子の遅延量を精度よく観測可能となる。また遅延素子の遅延量が分かるので、所定の遅延量が実現されていないものについて、不良選別条件として適用することが可能である。
【0016】
またLSIチップ外周だけでなく、中心部の遅延素子も個別に実施し、測定値の差を観察することにより、間接的に電圧降下の影響を知ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のLSIチップ内遅延測定機構の一実施の形態の構成を示す図である。
【図2】従来のLSIチップ内遅延測定機構を備えたLSIの入力部または出力部の構成を示す図である。
【符号の説明】
1・・遅延素子周期パルス発生部、3・・遅延素子、5・・exclusive NOR(排他的論理和)、9,17,23,25・・Dフリップフロップ(Dラッチ)、11・・遅延測定部、13・・ターゲットインクリメンタ、15・・一致判定回路、21・・遅延量積分部、27・・エッジ判定回路、29・・リファレンスインクリメンタ、31・・MUX(マルチプレクサ;選択回路)、33・・結果格納レジスタ。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a test mechanism in an LSI chip, and more particularly, to a delay measurement mechanism in an LSI chip.
[0002]
[Prior art]
In a high-speed operation system LSI, clock adjustment by a delay element is frequently used in an input unit and an output unit. FIG. 2 shows a configuration of an input unit or an output unit of an LSI having a conventional LSI chip delay measuring mechanism.
[0003]
During normal operation, the predetermined signal a input to the input terminal 103 is supplied to the output terminal 119 via the MUX (multiplexer; selection circuit) 115 and the buffer 117. The predetermined signal b input to the input terminal 105 is supplied to the output terminal 121 via the MUX 111 and the delay element 113.
[0004]
When measuring the delay amount of the delay element 113, a predetermined signal c input to the input terminal 107 (connected to the terminal of the LSI) is supplied via the buffer 109, the MUX 111, the delay element 113, the MUX 115, and the buffer 117. , Output terminal 119.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, when measuring the delay element 113, it is difficult to reduce the delay amount of the path from the input terminal 107 to the delay element 113 and the delay amount of the path from the delay element 113 to the output terminal 119. There is a disadvantage that the delay amount of the delay element 113 cannot be observed with high accuracy.
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to provide a delay measuring mechanism in an LSI chip that can accurately observe a delay amount of a delay element inside the LSI chip.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The delay measurement mechanism in the LSI chip of the present invention
A delay element periodic pulse generator that generates a periodic pulse according to the delay amount of the delay element;
A delay measuring unit that outputs a pulse obtained by counting up the periodic pulse by a designated cycle,
A delay amount integrator for analyzing the number of reference clocks in synchronization with the pulse counted up by the designated cycle.
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 shows a configuration of an embodiment of a delay measuring mechanism in an LSI chip according to the present invention. This will be described with reference to FIG.
[0009]
The delay element 3, an exclusive NOR (exclusive OR) 5, an inverter 7, and a D flip-flop (D latch) 9 constitute the delay element periodic pulse generator 1. The delay element periodic pulse generator 1 generates a periodic pulse B according to the delay amount of the delay element 3.
[0010]
The target incrementer 13, the coincidence determination circuit 15, and the D flip-flop 17 constitute the delay measuring unit 11. The target incrementer 13 counts up the periodic pulse B. When the count number of the target incrementer 13 matches the measurement period setting value A, the coincidence determination circuit 15 outputs a pulse C indicating that the coincidence has occurred. This pulse C is supplied to the delay amount integration unit 21 via the D flip-flop 17. When the pulse C is output, the operation of the target incrementer 13 may be stopped.
[0011]
The D flip-flops 23 and 25, the edge determination circuit 27, the reference incrementer 29, the MUX 31, and the result storage register 33 constitute the delay amount integrator 21. The reference clock used by the delay amount integration unit 21 is a clock having a known cycle.
[0012]
The edge determination circuit 27 determines two successive transition points D and E of the pulse C input via the D flip-flops 23 and 25. The reference incrementer 29 starts counting up the reference clock D from the measurement start timing (first change point of two change points) D from the edge determination circuit. The reference incrementer 29 finishes counting up the reference clock D at the measurement end timing (second change point of the two change points) E from the edge determination circuit. The count-up number F of the reference clock of the reference incrementer 29 is stored in the result storage register 33.
[0013]
The amount of delay per cycle of the synchronization pulse B (substantially the amount of delay of the delay element 3) can be measured by calculating (cycle of reference clock D × number of count-ups F) / (measurement period set value A). .
[0014]
Note that the MUX 31 selects the count-up number F while measuring the delay amount of the delay element 3, and selects the output of the result storage register 33 while not measuring the delay amount of the delay element 3. .
[0015]
【The invention's effect】
According to the delay measuring mechanism in the LSI chip of the present invention, it is possible to accurately observe the delay amounts of the delay elements in the input unit and the output unit of the LSI chip. In addition, since the delay amount of the delay element can be known, it is possible to apply the delay amount that has not achieved the predetermined delay amount as a defect selection condition.
[0016]
It is also possible to indirectly know the influence of the voltage drop by separately implementing not only the outer periphery of the LSI chip but also the delay element at the center and observing the difference between the measured values.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of a delay measuring mechanism in an LSI chip of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an input unit or an output unit of an LSI provided with a conventional LSI chip delay measuring mechanism.
[Explanation of symbols]
1. Delay element period pulse generator, 3. Delay element, 5. Exclusive NOR (exclusive OR), 9, 17, 23, 25. D flip-flop (D latch), 11. Delay measurement Unit, 13 target incrementer, 15 coincidence determination circuit, 21 delay integration unit, 27 edge determination circuit, 29 reference incrementer, 31 MUX (multiplexer; selection circuit), 33 ..Result storage registers.

Claims (1)

遅延素子の遅延量に応じた周期パルスを発生する遅延素子周期パルス発生部と、
前記周期パルスを指定サイクル分カウントアップしたパルスを出力する遅延測定部と、
前記指定サイクル分カウントアップしたパルスと同期間のリファレンスクロック数を解析する遅延量積分部と、を具備したことを特徴とするLSIチップ内遅延測定機構。
A delay element periodic pulse generator that generates a periodic pulse according to the delay amount of the delay element;
A delay measuring unit that outputs a pulse obtained by counting up the periodic pulse by a designated cycle,
A delay amount integrator for analyzing the number of reference clocks between the pulse counted up by the designated cycle and the synchronization.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7408371B2 (en) 2005-10-08 2008-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for measuring on-chip characteristics in semiconductor circuits and related methods

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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