JP2004127403A

JP2004127403A - Multilayered perpendicular magnetic recording medium

Info

Publication number: JP2004127403A
Application number: JP2002288662A
Authority: JP
Inventors: Toshio Sugimoto; 杉本　利夫; Takuya Uzumaki; 渦巻　拓也
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2002-10-01
Filing date: 2002-10-01
Publication date: 2004-04-22
Anticipated expiration: 2022-10-01
Also published as: JP3911678B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease the leakage magnetic fields occurring in the magnetic walls formed at a backing layer of a multilayered perpendicular magnetic recording medium by a simple structure and simple manufacturing processes. <P>SOLUTION: The multilayered perpendicular magnetic recording medium has at least a magnetic recording layer 5, the backing layer 3, and a magnetic domain control layer 2 making magnetic exchange bonding with the backing layer 3, in which the backing layer 3 and the magnetic domain control layer 2 make magnetic exchange bonding with each other. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高記録密度媒体に関するものであり、特に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置に用いる垂直磁化方式の磁気記録媒体の裏打層の磁壁からの漏洩磁界を低減するための構成に特徴のある高記録密度媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、情報記録装置である磁気記録装置（所謂ハードディスクドライブ）はコンピュータや各種携帯情報端末、例えば、モバイルパソコン、ゲーム機、デジタルカメラ、車載ナビゲーション等の外部記憶装置として一般に広く使用されている。
【０００３】
近年、この様なハードディスク装置用の記録媒体として、従来の長手記録媒体と比べても倍以上の高保磁力化が可能な垂直記録媒体が精力的に研究されており、特に、裏打層を用いることでより強いヘッド磁界で記録でき且つより高保磁力化が可能になる。
【０００４】
即ち、垂直磁気記録においては、単磁極ヘッド構造の記録ヘッドから発生する記録磁界により記録が行われるため、強いヘッド磁界で記録するためには、単磁極ヘッドからの磁束の受け口として作用する裏打層が必要となり、記録ヘッドから発生した記録磁界は、この裏打層に還流し磁束の閉磁路を形成される。
【０００５】
ここで、図７を参照して、従来の垂直磁気記録媒体を説明する。
図７（ａ）参照
図７（ａ）は、従来の垂直磁気記録媒体の構造説明図であり、断面図として示している。
図に示すように、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、ガラス基板３１上に裏打層３２、非磁性の中間層３３、磁気記録層３４、及び、保護膜３５を順次製膜し、その上に潤滑剤層３６を塗布した構造になっている。
【０００６】
図７（ｂ）参照
図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した垂直磁気記録媒体の磁化状態の説明図であり、面内磁化状態になっている裏打層３２がスライダー３８に備えられた単磁極ヘッドからの磁束の受け口として作用し、単磁極ヘッドから発生した記録磁界は、この裏打層３２に還流し磁束の閉磁路が形成される。
【０００７】
この様な垂直磁気記録媒体を用いて高密度記録が可能な磁気記録再生装置を実用化させるには、媒体ノイズの低減が不可欠となるが、媒体ノイズは垂直磁化膜と裏打層の双方から発生しており、特に裏打層に起因するスパイク状ノイズなどが問題となっている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００８】
例えば、裏打層に起因するノイズの発生要因として以下のように考えられる。
第一に、裏打層が磁化反転して１８０度磁壁３７を形成している場合、そこからの漏洩磁束がスパイク状のノイズとなって再生信号に重畳することにより、媒体ノイズが増大する。
【０００９】
第二に、裏打層は軟磁性膜なので、保磁力Ｈｃ_ｓｕｌが数〔Ｏｅ〕と小さく、再生ヘッドなどからのわずかな漏洩磁界でも磁壁３７が移動し易く、そのため、磁壁３７の移動による磁束の変化が再生ヘッドに検出され媒体ノイズとなる。
【００１０】
この様な問題を解決するために、少なくとも一層の非磁性層と複数の磁性層とを積層させた多層の裏打層を用いることにより、磁区制御膜を用いることなく磁壁を固定することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１１】
或いは、Ｍｎ系の反強磁性層からなる磁区制御層を設け、この磁区制御層により裏打層を単磁区化し、磁壁からの漏洩磁界によるノイズをなくすことも提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１２】
【非特許文献１】
ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ，Ｖｏｌ．ＭＡＧ−２０，Ｎｏ．５，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　１９８４，ｐｐ．６６３−６６８
【特許文献１】
特開２０００−３４８３２７号公報
【特許文献２】
特開平１０−２１４７１９号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、多層裏打層を用いた場合には、構造が複雑になるとともに、製造工程が煩雑になり、製造コストが増大するという問題がある。
【００１５】
また、Ｍｎ系反強磁性層を裏打層の磁区制御層として用いた場合には、Ｍｎ系反強磁性層を製膜後、反強磁性特性を付与するために、熱処理が必要になり、この場合も、製造工程が煩雑になり、製造コストが増大するという問題がある。
【００１６】
また、従来、裏打層として用いているＦｅＴａＣ等の材料の多くは、結晶微細化させるために熱処理を必要とし、そのため、量産化工程が複雑になるという欠点もある。
【００１７】
したがって、本発明は、裏打層に形成される磁壁に起因する漏洩磁場を、簡素は構造・製造工程により低減することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号１，４は、夫々、ガラス基板等の非磁性基板及びＰｄ等の中間層である。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、多層垂直磁気記録媒体において、少なくとも、磁気記録層５、裏打層３、及び、磁区制御層２とを有するとともに、裏打層３と磁区制御層２とが磁気的な交換結合していることを特徴とする。
【００１９】
この様に、裏打層３として磁気的な交換結合する磁区制御層２を設けることによって、
▲１▼磁化の反転、即ち、磁壁からの漏洩磁界を相殺する、或いは、
▲２▼裏打層３の磁壁移動を防ぐために、裏打層３の磁化をピンニング　（固定）　する、
ことにより、裏打層３に起因するノイズを低減することができる。
【００２０】
この場合、磁区制御層２の磁力Ｈｃ_ｃｏｎｔと裏打層３Ｈｃ_ｓｕｌの保磁力が、
Ｈｃ_ｓｕｌ＜Ｈｃ_ｃｏｎｔ
の関係を有することが望ましく、それによって、裏打層３の磁化方向が反転しずらくなり、記録ヘッドからの漏洩磁界では磁化が固定（ピンニング）されたままになるので、低ノイズ化が可能になる。
【００２１】
また、磁区制御層２としては、希土類金属（ＲＥ：Ｒａｒｅ−Ｅａｒｔｈ　ｍｅｔａｌ）と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種類以上含む遷移金属（ＴＭ：Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　Ｍｅｔａｌ）との合金よりなるフェリ磁性体であることが望ましく、それによって、磁区制御層２の遷移金属と裏打層３の遷移金属とは強磁性的にカップリングするが、全体としては反強磁性的にカップリングするので、裏打層３の磁壁による漏洩磁界を相殺することができる。
【００２２】
また、磁区制御層２として、ＴｂＦｅＣｏ等の室温製膜が可能な膜を用いることによって、製造工程が簡素化され、この場合のＴｂＦｅＣｏ等は必然的に非晶質合金となる。
【００２３】
また、磁区制御層２と裏打層３の各膜厚ｔ_ｃｏｎｔ，ｔ_ｓｕｌが、
ｔ_ｓｕｌ≧ｔ_ｃｏｎｔ、或いは、
ｔ_ｓｕｌ・Ｂｒ_ｓｕｌ≧ｔ_ｃｏｎｔ・Ｂｒ_ｃｏｎｔ（但し、Ｂｒは残留飽和磁束密度）
のいずれかの関係を満たすことが望ましく、高い飽和磁束密度と膜厚とにより、単磁極ヘッドとの間で閉磁路を形成することが容易になる。
【００２４】
また、磁区制御層２の磁気特性としては、面内磁気異方性を有し、且つ、希土類金属の磁化が遷移金属の磁化より優勢な合金からなることを特徴とすることにより、裏打層３の磁壁による漏洩磁化を相殺することができる。
【００２５】
或いは、磁区制御層２としては、ネット磁界がゼロになる室温で補償組成にしても良く、それによって、磁区制御層２は垂直磁化膜となるので保磁力が無限大となり、裏打層３の磁壁を固定することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
ここで、図２及び図４を参照して、本発明の第１の実施の形態の多層垂直磁気記録媒体を説明する。
図２（ａ）参照
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の多層垂直磁気記録媒体の概略的断面図であり、実際にはガラス基板に対して対称的に磁性層が設けられるが、ここでは、一方の面側の製膜構造を示す。
図に示すように、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、ガラス基板１１上に磁区制御層１２、裏打層１３、中間層１４、磁気記録層１５、及び、保護膜１６を順次製膜する。
【００２７】
この第１の実施の形態においては、磁区制御層１２としては、厚さｔ_ｃｏｎｔが、例えば、５０ｎｍのＴｂ_２８Ｆｅ_６０Ｃｏ_１２を用いる。
また、裏打層１３としては、厚さｔ_ｓｕｌが、例えば、３００ｎｍのＣｏ_８８Ｚｒ_２Ｔａ_１０を用いる。
【００２８】
また、中間層１４としては、磁気記録層１５と裏打層１３とを磁気的に分離するために、厚さが、例えば、５ｎｍのＰｄ層を用いる。
このＰｄ層を用いることによって、磁気記録層１５の配向性を向上することができる。
【００２９】
また、磁気記録層１５としては、製膜Ａｒガス圧を、例えば、３Ｐａとした圧力下で、厚さが、例えば、０．３ｎｍのＣｏＢ膜と厚さが、例えば、１．０ｎｍのＰｄ膜とを交互に１２層づつ製膜させた多層膜からなる人工格子膜とする。
なお、ＣｏＢの原子数比はＣｏ：Ｂ＝９０：１０とる。
【００３０】
また、保護膜１６としては、厚さが、例えば、５ｎｍのＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）膜とする。
したがって、全体構造としては、
ＤＬＣ（５ｎｍ）／〔ＣｏＢ（０．３ｎｍ）／Ｐｄ（１．０ｎｍ）〕多層膜（１５．７ｎｍ／３Ｐａ）／Ｐｄ（５ｎｍ）／ＣｏＺｒＴａ（３００ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（５０ｎｍ）／ガラス基板
となる。
【００３１】
なお、磁気ヘッドによる記録・再生特性評価のため、保護膜１６の上にパーフルオロカーボン系の潤滑剤を塗布して潤滑剤層１７を形成する。
また、多層膜の全体の膜厚は、多層膜を形成した後の膜厚を意味し、多層膜を構成する各層の膜厚は製膜時の製膜目標膜厚を意味する。
【００３２】
なお、磁区制御層を設ける効果を確認するために、上記の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体における磁区制御層を除去した図７に示した従来例と同様の比較媒体も合わせて作成したが、この場合の全体構造としては、
ＤＬＣ（５ｎｍ）／〔ＣｏＢ（０．３ｎｍ）／Ｐｄ（１．０ｎｍ）〕多層膜（２０．９ｎｍ／３Ｐａ）／Ｐｄ（５ｎｍ）／ＣｏＺｒＴａ（３００ｎｍ）／ガラス基板
とした。
【００３３】
図２（ｂ）参照
図２（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体における各磁性層の磁化状態の説明図であり、磁気記録層１５は垂直磁化、裏打層１３及び磁区制御層１２は面内磁化となっている。
なお、図における符号１９は単磁極ヘッドを備えたスライダーである。
【００３４】
磁区制御層１５が無い場合には、裏打層１３の磁壁１８からの黒矢印で示す漏洩磁界のみが発生しノイズ要因となるが、裏打層１３と反強磁性的にカップルする磁区制御層１２を形成することで発生する白矢印で示す漏洩磁界により、漏洩磁界全体では裏打層１３と磁区制御層１２間で閉路になると同時に相殺され、磁区制御層１２の無い場合に比べてノイズを低減することが可能となる。
【００３５】
ここで、図３を参照して、磁区制御層１２と裏打層１３の磁化の関係をさらに説明する。
図３（ａ）参照
図３（ａ）は、磁区制御層１２における正味に磁化、即ち、ネットの磁化の説明図であり、磁区制御層１２は、フェリ磁性を有するＲＥ−ＴＭ非晶質合金を用いているので、ＲＥ金属〔Ｔｂ〕とＴＭ金属〔Ｆｅ，Ｃｏ〕の副格子磁化の和がネットの磁化となる。
【００３６】
図３（ｂ）参照
図３（ｂ）は、裏打層１３と磁区制御層１２との間の磁気結合状態の説明図であり、裏打層１３に使われているＴＭ金属〔Ｃｏ，Ｚｒ，Ｔａ　〕と磁区制御層１２に使われているＴＭ金属〔Ｆｅ，Ｃｏ〕が磁気的な交換結合により強磁性的に、即ち、平行にに配列する。
【００３７】
しかし、磁区制御層１２は遷移金属の組成比が大きなＲＥ−ｒｉｃｈ組成を用いているためにネットの磁化の大きさは裏打層１３とは反平行に、即ち、反強磁性的にカップルしたように見え、そのため、裏打層１３と磁区制御層１２との漏洩磁界が閉磁路を形成するので、再生時には裏打層１３で磁壁１８が形成されても漏洩磁界を低減することが可能となる。
【００３８】
図４（ａ）参照
図４（ａ）は、裏打層１３と磁区制御層１２とからなる交換結合膜の磁化曲線（フルループ）を模式的に表したもので、磁気ヒステリシス　（任意の磁界）　における磁化状態も合わせて示した。
【００３９】
磁区制御層１２の保磁力Ｈｃ_ｃｏｎｔと裏打層１３の保磁力Ｈｃ_ｓｕｌが、
Ｈｃ_ｓｕｌ＜Ｈｃ_ｃｏｎｔ
の関係を有する限り、再生時、単磁極ヘッドからの漏洩磁界が±Ｈｃ_２以上の大きさにならなければ、裏打層１３の磁化は反転しないので磁化はピンニング（固定）　されたままとなり、媒体ノイズにはならない。
また、図から明らかなように、単磁極ヘッドからの漏洩磁界が±Ｈｃ_１を超えると磁区制御層１２の磁化も反転することになる。
【００４０】
図４（ｂ）参照
図４（ｂ）は、裏打層１３と磁区制御層１２とからなる交換結合膜の磁化曲線（マイナーループ）を模式的に表したもので、原点がＨｃ_２’とＨｃ_２との間に移動したのと同じ状況となり、単磁極ヘッドからの漏洩磁界程度では裏打層１３の磁化は反転しないことになる。
なお、逆に、Ｈｃ_ｓｕｌ＞Ｈｃ_ｃｏｎｔの場合には、磁区制御層１２の方が磁化反転し易くなり、再生ヘッドに近い側に位置する裏打層１３は磁区制御層１２が存在しない単層とほぼ同じ動作となるため効果がない。
【００４１】
【表１】

表１は、上記の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体の記録／再生評価結果を示すもので、記録は、５４００ｒｐｍで、２００ｋＦＣＩ（線記録密度：Ｆｌｕｘ　Ｃｈａｎｇｅ　ｐｅｒ　Ｉｎｃｈ）としたときのＳ／Ｎを示したもので、ノイズ低減によりＳ／Ｎが１．６ｄＢ改善されたことが確認された。
【００４２】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、裏打層１３と実効的に反強磁性的に結合するフェリ磁性体の磁区制御層１２を設けているので、再生時には裏打層１３で磁壁が形成されても漏洩磁界を磁区制御層１２の漏洩磁界で相殺し、それによって、スパイク状ノイズの発生を防止することができる。
【００４３】
また、本発明の第１の実施の形態においては、室温でフェリ磁性特性を有する磁区制御膜を用いるので、製膜後の熱処理が不要になり、製造工程が簡素化され、且つ、単層の磁区制御膜であるので構造が簡素化され、これらによって低コスト化が能になる。
【００４４】
次に、図５を参照して、本発明の第２の実施の形態の垂直磁気記録媒体を説明するが、磁区制御層の組成・機能が異なるだけで媒体の積層構造自体は、上記の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体と同様である。
即ち、本発明の第２の実施の形態においては、磁区制御層として、室温でネット磁化がほぼゼロになる補償組成のＴｂＣｏ（Ｔｂ２１原子％）を用いたものである。
【００４５】
図５参照
図５は、本発明の第２の実施の形態における裏打層１３と磁区制御層２２との間の磁気結合状態の説明図であり、磁区制御層２２は補償組成なので、ゼロ磁界における磁区制御層２２のネット磁化の大きさはほぼゼロとなり、磁気モーメントに付随する反磁界の大きさが小さくなるので、垂直磁化膜となる。
因に、垂直方向に磁界を印加したときの保磁力は、５ｋＯｅ以上となる。
【００４６】
上述のように、補償組成であるので垂直方向の保磁力は非常に大きくなり、そのため、磁区制御層２２の磁化は単磁極ヘッドからの漏洩磁化などで容易に反転することがない。
なお、ネット磁化がほぼゼロなので、磁区制御層２２からの再生信号への漏洩磁界重畳はない。
【００４７】
図６参照
図６は、裏打層１３と磁区制御層２２とからなる交換結合膜の磁化曲線（マイナーループ）を模式的に表したもので、図４（ｂ）の場合と同様に、原点がＨｃ_２’とＨｃ_２との間に移動したのと同じ状況となり、単磁極ヘッドからの漏洩磁界程度では裏打層１３の磁化は反転しないことになる。
【００４８】
次に、媒体製膜後、垂直方向に保持力を超える１５ｋＯｅの磁界を印加することのできる永久磁石に媒体を通して磁区制御層２２の磁化を一方向に向けて磁磁気特性およびＲ／Ｗ評価を行った。
これは、磁区制御層２２に磁壁が存在すると、上記の第１の実施の形態と同様に、裏打層１３と閉磁路を形成するので裏打層１３の磁壁の固定化はできるが、磁壁からの漏洩磁界の影響は低減できないと考えられるためである。
【００４９】
一方、上述のように、磁区制御層２２の磁化を一方向に向けた場合には、裏打層１３に発生する磁壁１８を低減することができ、Ｒ／Ｗ評価においてもノイズの低減により、Ｓ／Ｎとして１ｄＢ向上していることが確認された。
【００５０】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１の実施の形態においては、磁区制御層として、ＴｂＦｅＣｏを用いているが、ＴｂＣｏを用いても良いものであり、一方、第２の実施の形態においては、磁区制御層として、ＴｂＣｏを用いているが、ＴｂＦｅＣｏを用いても良いものである。
但し、補償組成にする場合には、Ｆｅを混入した場合には、Ｆｅの磁気モーメントはＣｏ磁気モーメントより大きいので、Ｔｂ組成比を大きくする必要がある。
【００５１】
さらには、磁区制御層はＴｂＦｅＣｏ或いはＣｏに限られるものではなく、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの一種類以上を含む遷移金属とともに、フェリ磁性を出現する重希土類金属〔Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ〕の合金金属を用いても良いものである。
【００５２】
また、上記の各実施の形態においては、磁区制御層及び裏打層を室温製膜しているので、非晶質合金になっているが、非晶質合金である必要は必ずしもなく、熱処理により結晶化した合金を用いても良いものである。
【００５３】
また、上記各実施の形態においては、磁気記録層と裏打層の磁気的な分離を行う中間層として非磁性材料で且つその上に堆積させる記録層の配向性が良好なＰｄを用いているが、Ｐｄに限られるものではなく、Ｂ、Ｃ、Ｓｉなどのメタロイド（半金属）を単体で、或いは、メタロイド元素を１種類含むＰｄＢのような合金膜で用いても良い。
【００５４】
また、上記の各実施の形態においては、説明を簡単にするために、ガラス基板上に直接磁区制御層を設けているが、記録層の配向性を制御するためにＣｒ層やＴａ膜やそれらの合金膜を介在させても良いものである。
【００５５】
また、上記の各実施の形態においては、裏打層をＣｏＺｒＴａの単層構造で構成しているが、ＣｏＺｒＴａに限られるものではなく、ＦｅＴａＣ、ＣｏＺｒ、ＦｅＣ等を用いても良く、さらには、ＦｅＣ／Ｃ／ＦｅＣ或いはＦｅ／Ｃ／Ｆｅ等の多層構造膜で構成しても良い。
【００５６】
また、上記の各実施の形態においては、磁気記録層に結晶粒径を小さくするためにＢを添加しているが、Ｂの添加は必ずしも必要がないものであり、また、構成磁性金属元素としても、Ｃｏに限られるものではなく、Ｆｅを用いても良いし、ＣｏとＦｅとを混合して用いても良いものである。
【００５７】
また、上記の各実施の形態においては、裏打層と磁区制御層との膜厚の関係は特に言及していないが、裏打層は、単磁極ヘッドとの間で安定した還流磁化による閉磁路を形成するために、所定の厚さを必要とするが、磁区制御層については、そのような必要がないので、磁区制御層と裏打層の各膜厚ｔ_ｃｏｎｔ，ｔ_ｓｕｌが、
ｔ_ｓｕｌ≧ｔ_ｃｏｎｔ、或いは、
ｔ_ｓｕｌ・Ｂｒ_ｓｕｌ≧ｔ_ｃｏｎｔ・Ｂｒ_ｃｏｎｔ（但し、Ｂｒは残留飽和磁束密度）
のいずれかの関係を満たすようにすることが望ましい。
【００５８】
ここで、再び、図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）　少なくとも、磁気記録層５、裏打層３、及び、磁区制御層２とを有するとともに、前記裏打層３と前記磁区制御層２とが磁気的な交換結合していることを特徴とする多層垂直磁気記録媒体。
（付記２）　上記磁区制御層２の磁力Ｈｃ_ｃｏｎｔと裏打層３Ｈｃ_ｓｕｌの保磁力が
Ｈｃ_ｓｕｌ＜Ｈｃ_ｃｏｎｔ
の関係を有することを特徴とする付記１記載の多層垂直磁気記録媒体。
（付記３）　上記磁区制御層２が、希土類金属と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種類以上含む遷移金属との合金よりなるフェリ磁性体であることを特徴とする付記１または２に記載の多層垂直磁気記録媒体。
（付記４）　上記磁区制御層２が、非晶質合金であることを特徴とする付記３記載の多層垂直磁気記録媒体。
（付記５）　上記磁区制御層２と裏打層３の各膜厚ｔ_ｃｏｎｔ，ｔ_ｓｕｌが、
ｔ_ｓｕｌ≧ｔ_ｃｏｎｔ、或いは、
ｔ_ｓｕｌ・Ｂｒ_ｓｕｌ≧ｔ_ｃｏｎｔ・Ｂｒ_ｃｏｎｔ（但し、Ｂｒは残留飽和磁束密度）
のいずれかの関係を満たすことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の多層垂直磁気記録媒体。
（付記６）　上記磁区制御層２の磁気特性が、面内磁気異方性を有し、且つ、希土類金属の磁化が遷移金属の磁化より優勢な合金からなることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の多層垂直磁気記録媒体。
（付記７）　上記磁区制御層２の磁気特性が、室温で補償組成であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の多層垂直磁気記録媒体。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、裏打層の磁壁からの漏洩磁界の影響を相殺するために、裏打層と強磁性的に磁気結合するフェリ磁性体からなる磁区制御層を設けているので、高いＳ／Ｎを有する垂直磁気記録媒体を実現することができ、特に、室温製膜が可能な磁区制御層及び裏打層を用いた場合には低コスト化が可能になるので、記録・再生特性を向上することができ、それによって、高密度垂直磁気記録媒体を用いた高密度磁気記録装置の実用化及び低コスト化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の多層垂直磁気記録媒体の構成説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における裏打層と磁区制御層との間の磁気結合状態の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における磁化曲線の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における裏打層と磁区制御層との間の磁気結合状態の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における磁化曲線の説明図である。
【図７】従来の多層垂直磁気記録媒体の構成説明図である。
【符号の説明】
１　非磁性基板
２　磁区制御層
３　裏打層
４　中間層
５　磁気記録層
１１　ガラス基板
１２　磁区制御層
１３　裏打層
１４　中間層
１５　磁気記録層
１６　保護膜
１７　潤滑剤層
１８　磁壁
１９　スライダー
２２　磁区制御層
３１　ガラス基板
３２　裏打層
３３　中間層
３４　磁気記録層
３５　保護膜
３６　潤滑剤層
３７　磁壁
３８　スライダー[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-density recording medium, and particularly to a configuration for reducing a leakage magnetic field from a domain wall of a backing layer of a perpendicular magnetization type magnetic recording medium used for a magnetic recording device such as a hard disk drive (HDD). The present invention relates to a high-density recording medium having a characteristic.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, magnetic recording devices (so-called hard disk drives), which are information recording devices, are generally widely used as external storage devices for computers and various portable information terminals, for example, mobile personal computers, game machines, digital cameras, in-vehicle navigation, and the like.
[0003]
In recent years, as a recording medium for such a hard disk device, a perpendicular recording medium capable of increasing the coercive force more than twice that of a conventional longitudinal recording medium has been energetically studied. Thus, recording can be performed with a stronger head magnetic field and a higher coercive force can be achieved.
[0004]
That is, in perpendicular magnetic recording, recording is performed by a recording magnetic field generated from a recording head having a single-pole head structure. Therefore, in order to record with a strong head magnetic field, a backing layer acting as a receiving port of magnetic flux from a single-pole head is required. Is required, and the recording magnetic field generated from the recording head returns to the backing layer to form a closed magnetic path of magnetic flux.
[0005]
Here, a conventional perpendicular magnetic recording medium will be described with reference to FIG.
FIG. 7 (a) is a structural explanatory view of a conventional perpendicular magnetic recording medium, and is shown as a sectional view.
As shown in the figure, a backing layer 32, a non-magnetic intermediate layer 33, a magnetic recording layer 34, and a protective film 35 are sequentially formed on a glass substrate 31 by using a DC magnetron sputtering method, and a lubricating film is formed thereon. It has a structure in which the agent layer 36 is applied.
[0006]
FIG. 7B is an explanatory diagram of the magnetization state of the perpendicular magnetic recording medium shown in FIG. 7A. The backing layer 32 in the in-plane magnetization state is provided on the slider 38. The recording magnetic field generated from the single pole head returns to the backing layer 32 to form a closed magnetic path for the magnetic flux.
[0007]
To make a magnetic recording / reproducing apparatus capable of high-density recording using such a perpendicular magnetic recording medium practical, it is essential to reduce medium noise, but medium noise is generated from both the perpendicular magnetization film and the backing layer. In particular, spike-like noise caused by the backing layer is a problem (for example, see Non-Patent Document 1).
[0008]
For example, the following is considered as a factor for generating noise due to the backing layer.
First, in the case where the backing layer reverses the magnetization to form the 180-degree domain wall 37, the leakage magnetic flux therefrom becomes spike-like noise and is superimposed on the reproduction signal, so that the medium noise increases.
[0009]
Second, since the backing layer is a soft magnetic film, the coercive force Hc _sul is as small as several [Oe], and the domain wall 37 moves easily even with a slight leakage magnetic field from a reproducing head or the like. The change is detected by the reproducing head and becomes medium noise.
[0010]
In order to solve such a problem, it has been proposed to fix a domain wall without using a magnetic domain control film by using a multilayer backing layer in which at least one nonmagnetic layer and a plurality of magnetic layers are stacked. (For example, see Patent Document 1).
[0011]
Alternatively, it has been proposed to provide a magnetic domain control layer made of an Mn-based antiferromagnetic layer and to form a single magnetic domain on the backing layer by using the magnetic domain control layer to eliminate noise due to a leakage magnetic field from a domain wall (for example, Patent Document 2). reference.).
[0012]
[Non-patent document 1]
IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG-20, No. 5, September 1984, pp. 146-64. 663-668
[Patent Document 1]
JP 2000-348327 A [Patent Document 2]
JP 10-214719 A
[Problems to be solved by the invention]
[0014]
However, when a multilayer backing layer is used, there is a problem that the structure becomes complicated, the manufacturing process becomes complicated, and the manufacturing cost increases.
[0015]
When the Mn-based antiferromagnetic layer is used as the magnetic domain control layer of the backing layer, after forming the Mn-based antiferromagnetic layer, heat treatment is required to impart antiferromagnetic properties. Also in this case, there is a problem that the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases.
[0016]
In addition, many materials such as FeTaC conventionally used as a backing layer require a heat treatment in order to make the crystal finer, and therefore have the disadvantage that the mass production process becomes complicated.
[0017]
Therefore, an object of the present invention is to simply reduce the leakage magnetic field caused by the domain wall formed in the backing layer by a simple structure and manufacturing process.
[0018]
[Means for Solving the Problems]
FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of the present invention, and means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.

Reference numerals

1 and 4 in the figure denote a nonmagnetic substrate such as a glass substrate and an intermediate layer such as Pd, respectively.
Referring to FIG. 1, in order to achieve the above object, the present invention relates to a multilayer perpendicular magnetic recording medium comprising at least a magnetic recording layer 5, a backing layer 3, and a magnetic domain control layer 2, and a backing layer 3 and a magnetic domain control layer. 2 is magnetically exchange-coupled.
[0019]
As described above, by providing the magnetic domain control layer 2 for magnetic exchange coupling as the backing layer 3,
(1) Reversal of magnetization, ie, canceling out the leakage magnetic field from the domain wall, or
(2) Pinning (fixing) the magnetization of the backing layer 3 in order to prevent the domain wall motion of the backing layer 3;
Thereby, noise caused by the backing layer 3 can be reduced.
[0020]
In this case, the magnetic force Hc _cont of the magnetic domain control layer 2 and the coercive force of the backing layer 3Hc _sul are:
Hc _sul <Hc _cont
It is desirable that the magnetization direction of the backing layer 3 is hard to be reversed, and the magnetization remains fixed (pinned) by the leakage magnetic field from the recording head, so that the noise can be reduced. Become.
[0021]
Further, the magnetic domain control layer 2 is a ferrimagnetic material made of an alloy of a rare earth metal (RE: Rare-Earth Metal) and a transition metal (TM: Transition Metal) containing at least one of Fe, Co, and Ni. Desirably, the transition metal of the magnetic domain control layer 2 and the transition metal of the backing layer 3 are ferromagnetically coupled, but are antiferromagnetically coupled as a whole. The leakage magnetic field due to the domain wall can be canceled.
[0022]
Further, by using a film that can be formed at room temperature, such as TbFeCo, as the magnetic domain control layer 2, the manufacturing process is simplified, and in this case, TbFeCo or the like is inevitably an amorphous alloy.
[0023]
The thicknesses t _cont and t _{sul of} the magnetic domain control layer 2 and the backing layer 3 are as follows:
t _sul ≧ t _cont , or
t _sul · Br _sul ≧ t _cont · Br _cont (where Br is the residual saturation magnetic flux density)
It is desirable to satisfy any one of the above relationships, and the high saturation magnetic flux density and the film thickness facilitate the formation of a closed magnetic path with the single-pole head.
[0024]
The magnetic domain control layer 2 is characterized by having an in-plane magnetic anisotropy and being composed of an alloy in which the magnetization of the rare earth metal is dominant over the magnetization of the transition metal. Leakage magnetization due to the magnetic domain wall can be canceled.
[0025]
Alternatively, the magnetic domain control layer 2 may have a compensating composition at room temperature at which the net magnetic field becomes zero, whereby the magnetic domain control layer 2 becomes a perpendicular magnetization film, so that the coercive force becomes infinite and the magnetic domain wall of the backing layer 3 becomes infinite. Can be fixed.
[0026]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Here, a multilayer perpendicular magnetic recording medium according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 2A is a schematic cross-sectional view of the multilayer perpendicular magnetic recording medium according to the first embodiment of the present invention. In practice, the magnetic layer is symmetrical with respect to the glass substrate. Although provided, here, a film forming structure on one side is shown.
As shown in the figure, a magnetic domain control layer 12, a backing layer 13, an intermediate layer 14, a magnetic recording layer 15, and a protective film 16 are sequentially formed on a glass substrate 11 by using a DC magnetron sputtering method.
[0027]
In the first embodiment, as the magnetic domain control layer 12, for example, Tb ₂₈ Fe ₆₀ Co ₁₂ having a thickness t _cont of 50 nm is used.
Further, as the backing layer 13, for example, Co ₈₈ Zr ₂ Ta ₁₀ having a thickness t _sul of 300 nm is used.
[0028]
As the intermediate layer 14, a Pd layer having a thickness of, for example, 5 nm is used to magnetically separate the magnetic recording layer 15 and the backing layer 13.
By using this Pd layer, the orientation of the magnetic recording layer 15 can be improved.
[0029]
As the magnetic recording layer 15, a CoB film having a thickness of, for example, 0.3 nm and a Pd film having a thickness of, for example, 1.0 nm are formed under a pressure of, for example, 3 Pa for a film forming Ar gas. Are alternately formed into an artificial lattice film composed of a multilayer film formed by 12 layers.
The atomic ratio of CoB is Co: B = 90: 10.
[0030]
The protective film 16 is a DLC (diamond-like carbon) film having a thickness of, for example, 5 nm.
Therefore, as a whole structure,
DLC (5 nm) / [CoB (0.3 nm) / Pd (1.0 nm)] Multilayer film (15.7 nm / 3 Pa) / Pd (5 nm) / CoZrTa (300 nm) / TbFeCo (50 nm) / glass substrate.
[0031]
In order to evaluate the recording / reproducing characteristics of the magnetic head, a lubricant of perfluorocarbon is applied on the protective film 16 to form a lubricant layer 17.
Further, the overall thickness of the multilayer film means the thickness after forming the multilayer film, and the thickness of each layer constituting the multilayer film means the target film thickness at the time of film formation.
[0032]
In order to confirm the effect of providing the magnetic domain control layer, a comparative medium similar to the conventional example shown in FIG. 7 in which the magnetic domain control layer was removed from the perpendicular magnetic recording medium of the first embodiment was also created. However, as a whole structure in this case,
DLC (5 nm) / [CoB (0.3 nm) / Pd (1.0 nm)] Multilayer film (20.9 nm / 3 Pa) / Pd (5 nm) / CoZrTa (300 nm) / glass substrate.
[0033]
FIG. 2B is an explanatory diagram of the magnetization state of each magnetic layer in the perpendicular magnetic recording medium according to the first embodiment of the present invention. The magnetic recording layer 15 has a perpendicular magnetization and a backing layer. 13 and the magnetic domain control layer 12 have in-plane magnetization.
Reference numeral 19 in the drawing denotes a slider provided with a single-pole head.
[0034]
When the magnetic domain control layer 15 is not provided, only the leakage magnetic field indicated by the black arrow from the domain wall 18 of the backing layer 13 is generated and causes noise, but the magnetic domain control layer 12 which is antiferromagnetically coupled to the backing layer 13 is not provided. Due to the leakage magnetic field indicated by the white arrow generated by the formation, the entire leakage magnetic field is simultaneously closed and canceled between the backing layer 13 and the magnetic domain control layer 12, and the noise is reduced as compared with the case without the magnetic domain control layer 12. Becomes possible.
[0035]
Here, the relationship between the magnetization of the magnetic domain control layer 12 and the magnetization of the backing layer 13 will be further described with reference to FIG.
FIG. 3A is an explanatory view of the net magnetization in the magnetic domain control layer 12, that is, the magnetization of the net. The magnetic domain control layer 12 is a RE-TM amorphous alloy having ferrimagnetism. , The sum of the sublattice magnetizations of the RE metal [Tb] and the TM metal [Fe, Co] is the magnetization of the net.
[0036]
FIG. 3B is an explanatory view of a magnetic coupling state between the backing layer 13 and the magnetic domain control layer 12, and shows the TM metal [Co, Zr, Ta used in the backing layer 13. ] And the TM metal [Fe, Co] used for the magnetic domain control layer 12 are arranged ferromagnetically, that is, in parallel by magnetic exchange coupling.
[0037]
However, since the magnetic domain control layer 12 uses the RE-rich composition having a large composition ratio of the transition metal, the magnitude of the magnetization of the net is antiparallel to the backing layer 13, that is, it is antiferromagnetically coupled. Therefore, the leakage magnetic field between the backing layer 13 and the magnetic domain control layer 12 forms a closed magnetic path, so that it is possible to reduce the leakage magnetic field even when the domain wall 18 is formed by the backing layer 13 during reproduction.
[0038]
FIG. 4 (a) schematically shows a magnetization curve (full loop) of an exchange-coupling film composed of a backing layer 13 and a magnetic domain control layer 12, and shows a magnetic hysteresis (arbitrary magnetic field). The magnetization state is also shown.
[0039]
The coercive force Hc _{cont of the} magnetic domain control layer 12 and the coercive force Hc _sul of the backing layer 13 are:
Hc _sul <Hc _cont
As long as the leakage magnetic field from the single pole head does not exceed ± Hc ₂ during reproduction, the magnetization of the backing layer 13 does not reverse, so that the magnetization remains pinned (fixed). No noise.
Moreover, as is clear from the figure, the magnetization of the magnetic domain control layer 12 when the leakage magnetic field exceeds ± Hc ₁ from single-pole head also inverted.
[0040]
FIG. 4B schematically shows a magnetization curve (minor loop) of the exchange coupling film including the backing layer 13 and the magnetic domain control layer 12, and the origins are Hc _{2 ′} and Hc. ₂ , the magnetization of the backing layer 13 is not reversed by the leakage magnetic field from the single pole head.
Conversely, when Hc _sul > Hc _cont , the magnetization of the magnetic domain control layer 12 is more likely to be reversed, and the backing layer 13 located on the side closer to the read head is a single layer without the magnetic domain control layer 12. There is no effect because the operation is almost the same.
[0041]
[Table 1]

Table 1 shows the recording / reproducing evaluation results of the perpendicular magnetic recording medium of the first embodiment. The recording was performed at 5400 rpm at 200 kFCI (linear recording density: Flux Change per Inch). / N, it was confirmed that S / N was improved by 1.6 dB due to noise reduction.
[0042]
As described above, in the first embodiment of the present invention, since the magnetic domain control layer 12 of a ferrimagnetic material that is effectively antiferromagnetically coupled to the backing layer 13 is provided, the backing layer 13 is used during reproduction. Even if a domain wall is formed, the leakage magnetic field is canceled by the leakage magnetic field of the magnetic domain control layer 12, thereby preventing generation of spike noise.
[0043]
Further, in the first embodiment of the present invention, since the magnetic domain control film having the ferrimagnetic property at room temperature is used, the heat treatment after the film formation becomes unnecessary, the manufacturing process is simplified, and the single-layer structure is used. Since it is a magnetic domain control film, its structure is simplified, and these enable cost reduction.
[0044]
Next, a perpendicular magnetic recording medium according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5. The laminated structure of the medium itself is different from that of the above-described medium only in the composition and function of the magnetic domain control layer. This is similar to the perpendicular magnetic recording medium of the first embodiment.
That is, in the second embodiment of the present invention, as the magnetic domain control layer, TbCo (Tb 21 atomic%) having a compensating composition that makes the net magnetization substantially zero at room temperature is used.
[0045]
FIG. 5 is an explanatory view of a magnetic coupling state between the backing layer 13 and the magnetic domain control layer 22 according to the second embodiment of the present invention. Since the magnetic domain control layer 22 has a compensating composition, it has a zero magnetic field. The magnitude of the net magnetization of the magnetic domain control layer 22 is substantially zero, and the magnitude of the demagnetizing field accompanying the magnetic moment is reduced.
Incidentally, the coercive force when a magnetic field is applied in the vertical direction is 5 kOe or more.
[0046]
As described above, because of the compensating composition, the coercive force in the vertical direction becomes very large, so that the magnetization of the magnetic domain control layer 22 is not easily inverted due to leakage magnetization from the single pole head.
Since the net magnetization is substantially zero, there is no superposition of the leakage magnetic field on the reproduction signal from the magnetic domain control layer 22.
[0047]
FIG. 6 schematically shows a magnetization curve (minor loop) of the exchange coupling film including the backing layer 13 and the magnetic domain control layer 22, and the origin is the same as in FIG. The situation is the same as that between Hc _{2 ′} and Hc _2, and the magnetization of the backing layer 13 does not reverse with the leakage magnetic field from the single pole head.
[0048]
Next, after forming the medium, the magnetization of the magnetic domain control layer 22 is directed in one direction through the medium through a permanent magnet capable of applying a magnetic field of 15 kOe exceeding the coercive force in the vertical direction, and the magnetic properties and R / W evaluation are evaluated. went.
This is because if a domain wall exists in the magnetic domain control layer 22, a closed magnetic path is formed with the backing layer 13 as in the first embodiment, so that the domain wall of the backing layer 13 can be fixed. This is because it is considered that the influence of the leakage magnetic field cannot be reduced.
[0049]
On the other hand, as described above, when the magnetization of the magnetic domain control layer 22 is oriented in one direction, the domain wall 18 generated in the backing layer 13 can be reduced. It was confirmed that / dB was improved by 1 dB.
[0050]
The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the configurations and conditions described in the embodiments, and various changes can be made.
For example, in the first embodiment, TbFeCo is used as the magnetic domain control layer. However, TbCo may be used. On the other hand, in the second embodiment, the magnetic domain control layer is used as the magnetic domain control layer. , TbCo, but TbFeCo may be used.
However, in the case of using a compensating composition, when Fe is mixed, the magnetic moment of Fe is larger than the Co magnetic moment, so that it is necessary to increase the Tb composition ratio.
[0051]
Further, the magnetic domain control layer is not limited to TbFeCo or Co, but may be made of a heavy rare earth metal [Tb, Dy, Ho, Er] that exhibits ferrimagnetism together with a transition metal containing at least one of Fe, Co, and Ni. An alloy metal may be used.
[0052]
Further, in each of the above embodiments, the magnetic domain control layer and the backing layer are formed at room temperature, so that they are amorphous alloys. Alternatively, a converted alloy may be used.
[0053]
Further, in each of the above embodiments, as the intermediate layer for magnetically separating the magnetic recording layer and the backing layer, Pd which is a non-magnetic material and has good orientation of the recording layer deposited thereon is used. , Pd, but may be a metalloid (semimetal) such as B, C, or Si alone or an alloy film such as PdB containing one type of metalloid element.
[0054]
In each of the above embodiments, the magnetic domain control layer is provided directly on the glass substrate for the sake of simplicity. However, in order to control the orientation of the recording layer, a Cr layer, a Ta film, May be interposed.
[0055]
Further, in each of the above embodiments, the backing layer has a single-layer structure of CoZrTa, but is not limited to CoZrTa, and may be FeTaC, CoZr, FeC, or the like. It may be composed of a multilayer structure film of / C / FeC or Fe / C / Fe.
[0056]
In each of the above embodiments, B is added to the magnetic recording layer in order to reduce the crystal grain size. However, the addition of B is not always necessary. Is not limited to Co, but may be Fe or a mixture of Co and Fe.
[0057]
Further, in each of the above embodiments, the relationship between the thickness of the backing layer and the thickness of the magnetic domain control layer is not particularly described, but the backing layer forms a closed magnetic path by stable return magnetization between the single pole head. To form the magnetic domain control layer, a predetermined thickness is required. However, since the magnetic domain control layer does not need to have such a thickness, the film thicknesses t _cont and t _sul of the magnetic domain control layer and the backing layer are:
t _sul ≧ t _cont , or
t _sul · Br _sul ≧ t _cont · Br _cont (where Br is the residual saturation magnetic flux density)
It is desirable to satisfy any one of the following relationships.
[0058]
Here, the detailed features of the present invention will be described again with reference to FIG. 1 again.
Again, see FIG. 1 (Supplementary Note 1) At least the magnetic recording layer 5, the backing layer 3, and the magnetic domain control layer 2 are provided, and the backing layer 3 and the magnetic domain control layer 2 are magnetically exchange-coupled. A multilayer perpendicular magnetic recording medium.
(Supplementary Note 2) a coercive force of the magnetic domain control layer 2 force _{Hc cont} and backing layer _{3Hc sul} is _Hc sul _{<Hc cont}
2. The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein:
(Supplementary note 3) The

supplementary note

1 or 2, wherein the magnetic domain control layer 2 is a ferrimagnetic material made of an alloy of a rare earth metal and a transition metal containing at least one of Fe, Co, and Ni. Multilayer perpendicular magnetic recording medium.
(Supplementary Note 4) The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to supplementary note 3, wherein the magnetic domain control layer 2 is an amorphous alloy.
(Supplementary Note 5) The thicknesses t _cont and t _sul of the magnetic domain control layer 2 and the backing layer 3 are as follows:
t _sul ≧ t _cont , or
t _sul · Br _sul ≧ t _cont · Br _cont (where Br is the residual saturation magnetic flux density)
5. The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to any one of appendices 1 to 4, wherein any of the following relations is satisfied.
(Supplementary note 6) Supplementary notes 1 to 5, wherein the magnetic domain control layer 2 has an in-plane magnetic anisotropy in magnetic properties and is made of an alloy in which rare earth metal magnetization is more dominant than transition metal magnetization. The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to any one of the above items.
(Supplementary Note 7) The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to any one of Supplementary Notes 1 to 5, wherein a magnetic property of the magnetic domain control layer 2 is a compensating composition at room temperature.
[0059]
【The invention's effect】
According to the present invention, a magnetic domain control layer made of a ferrimagnetic material that is ferromagnetically coupled to the backing layer is provided in order to cancel the influence of the leakage magnetic field from the domain wall of the backing layer. A perpendicular magnetic recording medium having the following characteristics can be realized. In particular, when a magnetic domain control layer and a backing layer capable of being formed at room temperature are used, the cost can be reduced, and the recording / reproducing characteristics can be improved. This greatly contributes to the practical application and cost reduction of a high-density magnetic recording device using a high-density perpendicular magnetic recording medium.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of a basic configuration of the present invention.
FIG. 2 is a configuration explanatory diagram of the multilayer perpendicular magnetic recording medium according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram of a magnetic coupling state between a backing layer and a magnetic domain control layer according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a magnetization curve according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory diagram of a magnetic coupling state between a backing layer and a magnetic domain control layer according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an explanatory diagram of a magnetization curve according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an explanatory diagram of a configuration of a conventional multilayer perpendicular magnetic recording medium.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Non-magnetic substrate 2 Magnetic domain control layer 3 Backing layer 4 Intermediate layer 5 Magnetic recording layer 11 Glass substrate 12 Magnetic domain control layer 13 Backing layer 14 Intermediate layer 15 Magnetic recording layer 16 Protective film 17 Lubricant layer 18 Domain wall 19 Slider 22 Domain control layer 31 glass substrate 32 backing layer 33 intermediate layer 34 magnetic recording layer 35 protective film 36 lubricant layer 37 domain wall 38 slider

Claims

A multilayer perpendicular magnetic recording medium comprising at least a magnetic recording layer, a backing layer, and a magnetic domain control layer, wherein the backing layer and the magnetic domain control layer are magnetically exchange-coupled.

The magnetic force Hc _cont of the magnetic domain control layer and the coercive force of the backing layer Hc _sul are Hc _sul <Hc _cont
2. The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein:

3. The multilayer perpendicular magnetic device according to claim 1, wherein the magnetic domain control layer is a ferrimagnetic material made of an alloy of a rare earth metal and a transition metal containing at least one of Fe, Co, and Ni. recoding media.

4. The magnetic domain control layer according to claim 1, wherein the magnetic domain control layer has an in-plane magnetic anisotropy and is made of an alloy in which the magnetization of the rare earth metal is more dominant than the magnetization of the transition metal. Item 14. The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to Item 1.

4. The multilayer perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic properties of the magnetic domain control layer are a compensation composition at room temperature.