【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波面収差補正装置および光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、光ディスクを用いた情報記憶装置として、ＣＤやＤＶＤなどがある。ＤＶＤなどは、ＣＤに比べて記録密度が高いため、情報を読み書きするときの条件が厳しくなっている。
【０００３】
例えば、光ピックアップの光軸とディスク面は垂直であることが理想であるが、実際にはディスクが樹脂製のため、かなりうねりを持っていて、これを回転させると、光ピックアップの光軸とディスク面は常に垂直ではなくなる（これを以降、チルトと表現する）。また、ディスクは、図２２（ａ），（ｂ）に示すように、記録層（１０８）が樹脂層（１０２）を介しているため、ディスク面が垂直でなくなると光路が曲げられディスク上に正しくスポットを絞れなくなり、コマ収差（１０３）が発生する。この収差が許容される量よりも大きくなると、正しく読み書きが出来なくなるという不具合が生じる。なお、図２２（ａ），（ｂ）はディスクがそれぞれＣＤ，ＤＶＤの場合である。
【０００４】
チルトの影響を少なくする手段としては、対物レンズと記録層との間の樹脂層を薄くすることがある。実際に、ＤＶＤ（図２２（ｂ））が、ＣＤ（図２２（ａ））に比較して、対物レンズ（１０１）と記録層（１０８）との間の樹脂層（１０２）の厚さを半分にしたのは、この効果を狙ったものである。しかし、この方法の場合、ＤＶＤよりも高密度記録をしようとした場合には樹脂層をもっと薄くしてさらにチルトの影響を少なくすることになるが、今度はディスク上にごみや傷がついた場合に、信号が正しく読み書きできなくなるという不具合が生じる。このため、アクチュエータによって光軸を傾けて（チルト）対応しているのが現状である。
【０００５】
チルトを光学的に補正するため、液晶を用いたり（例えば、特許文献１参照。）、透明圧電素子を用いたり（例えば、特許文献２参照。）、可変ミラーを用いたりする（例えば、特許文献３参照。）ことが提案されている。
【０００６】
具体的に、特許文献１（図１９）では、液晶板を用いて位相制御することによりコマ収差を補正している。しかし、この方法では、レーザーが液晶板を通過するために光量が減衰し、書き込みに必要なエネルギーを得ることが困難であり、また液晶の特性から、特にタンジェンシャルチルト制御に要求される高周波動作に使用するのは困難であると思われる。
【０００７】
また、特許文献２（図２０）では、実際に透明圧電素子単体で必要な変位量を得るためには高電圧が必要となり、光ピックアップなどに用いるには現実的ではない。
【０００８】
また、特許文献３（図２１）は、ミラー自体を積層型圧電素子で変形させ位相制御するようにしている。しかし、光ピックアップなどの小さい部品に用いるには配線などの考慮がされておらず、複雑になりかつ組み付けコストも高くなる。また、配線などの問題が解決できたとしても、積層型圧電素子をかなり小さくしなければならなくなるため、技術的にもコスト的にもなかなか困難である。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−７９１３５号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開平５−１４４０５６号公報
【００１１】
【特許文献３】
特開平５−３３３２７４号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
このような情報を読み書きするときに不具合を生じさせるチルトの影響を、圧電素子を使用したユニモルフまたはバイモルフ形状の波面収差補正ミラーで波面収差を補正する方法が、低電圧で小型化にも有利であると考えられるが、ミラー基板のミラー面を変形させる場合、低電圧で駆動させるためには変形しやすくなくてはならない。
【００１３】
このためにはミラー基板を薄くすることが一番効果的であるが、図１４（ａ），（ｂ），図１５（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すような波面収差補正ミラーの場合、ミラー基板を薄くすると、ミラーを固定するときも変形しやすくなっているため、固定する部分がミラーの平面度に影響を及ぼしてしまう可能性が高くなる。
【００１４】
また、ミラーを変形させる時にはミラーの光軸と光学系の光軸が合っていないと、変形することにより収差がよけい悪くなってしまう可能性がある。
【００１５】
本発明は、波面収差補正ミラーの固定時における平面度の低下を防止し、また、位置決めの高精度化を図ることの可能な波面収差補正装置および光ピックアップを提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、ミラー基板のミラー面を変位させることにより収差補正する波面収差補正ミラーを備えた波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面に、位置決め用の凹部が少なくとも１カ所設けられていることを特徴としている。
【００１７】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面の凹部がエッチングによって作られていることを特徴としている。
【００１８】
また、請求項３記載の発明は、請求項２記載の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面の凹部が異方性エッチングによって作られていることを特徴としている。
【００１９】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーを固定するミラー固定用ベースに凸部が少なくとも１個設けられていることを特徴としている。
【００２０】
また、請求項５記載の発明は、請求項４記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースの凸部がエッチングによって作られていることを特徴としている。
【００２１】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースの凸部が異方性エッチングによって作られていることを特徴としている。
【００２２】
また、請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースに凹部または穴があり、ミラー固定用ベースを固定するユニットベースに凸部があることを特徴としている。
【００２３】
また、請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースに凸部があり、ミラー固定用ベースを固定するユニットベースに凹部または穴があることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項９記載の発明は、ミラー基板のミラー面を変位させることにより収差補正する波面収差補正ミラーを備えた波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーは少なくとも１点が硬い接着剤により固定され、他は柔軟性のある接着剤によって固定されることを特徴としている。
【００２５】
また、請求項１０記載の発明は、請求項９記載の波面収差補正装置において、硬い接着剤で固定する１点が波面収差補正ミラーの四隅の１つであり、柔軟性の接着剤による固定部分は四隅の残り三隅の３点であることを特徴としている。
【００２６】
また、請求項１１記載の発明は、請求項９記載の波面収差補正装置において、硬い接着剤で固定する１点が補正ミラーの四辺の１つの中心であり、柔軟性の接着剤による固定部分は四辺の残りの３辺の中心であることを特徴としている。
【００２７】
また、請求項１２記載の発明は、請求項９記載の波面収差補正装置において、硬い接着剤で固定する１点が補正ミラーの四隅の１つ、または、四辺の１つの中心であり、柔軟性の接着剤による固定部分はその点以外の四辺であることを特徴としている。
【００２８】
また、請求項１３記載の発明は、レーザ光の光軸上にレーザー光の収差を補正する収差補正手段を有し、該収差補正手段として、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の波面収差補正装置が用いられていることを特徴とする光ピックアップである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３０】
図１４（ａ），（ｂ）はミラー面が変位する波面収差補正ミラーの一例を示す図である。なお、図１４（ａ）は斜視図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。
【００３１】
図１４（ａ），（ｂ）を参照すると、ミラー基板（６）にはミラー材（１）が付いており、その反対側の面には、絶縁層（７）が付いている。絶縁層（７）の下には、共通電極（４）が付いており、その下に、圧電極性が一方向の圧電材料（２）が付いて、さらにその下に、左右に分かれた個別電極（５）が付いている（なお、ここで、上下の表現は断面図でミラー基板（６）のミラー面を上として表現している）。このような構造のミラー部は、ミラー固定用ベース（８）に両端で固定されている。
【００３２】
ところで、このような構造で、電極（４）を接地し、左右に分かれた個別電極（５）の−方にプラスの電圧をかけ、他方にマイナスの電圧をかけたとすると、ミラー基板（６）の断面にあたる部分は、例えば図１８（ｂ）に示すような断面形状になる。個別電極（５）に逆電圧をかけた場合には、その逆の形状になる。
【００３３】
つまり、ミラー基板（６）は電圧がかかっても伸び縮みしないが、圧電材料（２）は電圧がかかれば伸び縮みするため、個別電極（５）にプラスの電圧を加えた場合、その部分の圧電材料（２）が横方向に縮むとすると、マイナス電圧をかけた場合には、その部分の圧電材料（２）は横方向に伸びることになり、個別電極（５）にプラスの電圧を加えた場合には、ミラー基板（６）のミラー材（１）の面は凸になり、個別電極（５）にマイナスの電圧を加えた場合には、ミラー基板（６）のミラー材（１）の面は凹になる。
【００３４】
このような波面収差補正ミラーを図１６に示すような光ピックアップの光軸上に設け制御することにより、チルトによるコマ収差を低減することが可能になる。
【００３５】
なお、図１６において、（１０）は波面収差補正ミラー、（１１）は光ディスク、（１２）は対物レンズ及び対物光学系、（１３）立ち上げミラー、（１４）は偏光ビームスプリッタ、（１５）はレーザ素子及びレーザ光学系、（１６）は光検出素子及び光検出光学系である。
【００３６】
図１６の光ピックアップでは、レーザー素子（１５）から発せられたレーザー光は、レーザ光学系により平行光にされ偏光ビームスプリッタ（１４）を通り、波面収差補正ミラー（１０）で反射され、立ち上げミラー（１３）でさらに反射され、対物レンズ及び対物光学系（１２）で集光され、光ディスク（１１）に焦点を結ぶ。
【００３７】
また、光ディスク（１１）から反射したレーザ光は、対物レンズ及び対物光学系（１２）を通り、立ち上げミラー（１３）で反射され、波面収差補正ミラー（１０）で反射され、偏光ビームスプリッタ（１４）を通り、光検出光学系で集光され、光検出素子（１６）で検出される。この検出素子にはチルト検出用の検出素子も設置されている。
【００３８】
なお、図１７に示すように、立ち上げミラー（１３）のかわりに直接波面収差補正ミラー（１０）を用いた光学系でも良い。
【００３９】
このような光学系で、光ディスク（１１）がレーザ光の光軸に対し垂直な位置から傾くと、光ディスクから反射して戻ってきたレーザ光の波面は乱れ、例えば図１８（ａ）に示すような波面収差（コマ収差）が発生する。ここで横軸は例えば図１４（ａ）に示す波面収差補正ミラーのＡ−Ａ’断面と同一断面であり、縦軸は波面収差である。つまり、図１６の光学系で、光ディスク（１１）がチルトしたときに波面収差補正ミラー（１０）のミラー面は平らであり、そこで反射した反射光の波面収差である。ちなみに、光ディスク（１１）がレーザ光の光軸に対し垂直であれば、波面は図１８（ａ）に示すような収差は発生せず、横軸と同じでまっすぐになる。図２３は波面の面方向を等高線で表した図であり、Ａ−Ａ’断面が図１８（ａ）のようになっている。
【００４０】
図１８（ｂ）は波面収差補正ミラー（１０）を故意に収差を発生させるよう動作させ、その反射光の波面収差を表した例である。ここで、横軸は例えば図１４（ａ）に示す波面収差補正ミラーのミラー表面のＡ−Ａ’断面と同一断面であり、縦軸は波面収差である。
【００４１】
いま仮に、光ディスクが傾き、ディスクからの反射光の波面が図１８（ａ）であったとする。ディスクが傾いていない時の反射光の波面が図１８（ｂ）のようになるよう波面収差補正ミラーを制御すれば、波面収差補正ミラーから反射された反射光の波面は図１８（ｃ）のようになり、図１８（ａ）にくらべ波面収差を低減させることが可能となる。
【００４２】
しかし、このような構造の波面収差補正ミラーは、ミラー基板を薄くしていくと、その取り扱いの困難さや、薄い基板を直接固定してしまうため平面度が悪くなってしまうという不具合を生じる。平面度が悪くなると、本来波面収差を低減させたい変形形状に変形させることができなくなる。
【００４３】
このため、図１５（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように、変形させたい部分だけ薄くして周辺は厚いままのメンブレン構造が提案されている。なお、図１５（ａ）はミラー固定用ベースに固定された状態の斜視図であり、図１５（ｂ）はミラー基板（６）をミラー裏面から見た斜視図である。なお、見やすいように一部省略して描いてある。また、図１５（ｃ）または図１５（ｄ）はＡ−Ａ’断面図である。
【００４４】
図１５（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の構造は、周辺の枠部分で強度をもたせ、その部分で固定し、変形させる部分の平面度の劣化を抑えようとするものである。
【００４５】
図１５（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）を参照すると、ミラー基板（６）にはミラー材（１）が付いており、その反対側の面には、絶縁層（７）が付いている。絶縁層（７）の下には、ミラー側個別電極（４ａ）が付いており、その下には、圧電極性が一方向の圧電材料（２）が付いて、さらにその下に、左右に分かれた個別電極（５）が付いている（ここで、上下の表現は、断面図でミラー基板（６）のミラー面を上として表現している）。このような構造であるミラー部はミラー固定用ベース（８）に両端のミラー固定部（３）で固定されている。
【００４６】
ミラー基板（６）は、例えばシリコン基板であれば、半導体のプロセス技術を用いることができるため、基板を薄くするにもエッチング技術を用いれば良い。
【００４７】
ここで、図１５（ｃ）は、通常のドライエッチング技術を使用してエッチング壁（９）を垂直に作ったものである。また、図１５（ｄ）は異方性エッチング技術を使用してエッチング壁（９）を作ったものであり、エッチング壁（９）が斜めになっている。
【００４８】
しかしながら、このような構造だけでは完璧ではなく、ミラーを固定する側の平面度が著しく悪いと、ミラーの平面度は劣化してしまう。
【００４９】
また、波面収差補正をしなくても良い普通のミラーであれば必要なコリメート光を反射させれば良く、その取り付け精度もさほど厳しくないが、波面収差補正ミラーは変形するため、コリメート光の光軸に対する位置精度も厳しくなっている。このため従来のようの固定方法では、収差補正の効果が低下する恐れがある。
【００５０】
本発明は、これらの補正ミラーの固定時における平面度低下の不具合や、位置決めの高精度化を、固定方法や位置決め構造によって解決することを意図している。
【００５１】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。本発明の第１の実施形態の波面収差補正装置に用いられる波面収差補正ミラーも、基本構造は、図１４や図１５で示したミラー面が可変する波面収差補正ミラーの例とほぼ同じであり、見やすくするため一部省略してある。
【００５２】
図１（ａ）はミラー基板（６）をミラー裏面から見た斜視図であり、図１（ｂ）はミラー基板（６）をミラー裏面から見た平面図であり、見やすいように一部省略して描いてある。
【００５３】
図１（ａ），（ｂ）を参照すると、ミラー基板（６）には、４辺の内の１辺の中央部分にドライエッチングによって形成された円形のエッチング凹部（２１ａ）が設けられている。このエッチング凹部（２１ａ）の位置は、半導体プロセスのエッチング用マスクによってミラーの設計された光軸（ミラーの中心）に対し正確に決められている。このため、光軸との位置精度は数ミクロン以下で設定できており、位置決め用の凹部としては最適である。
【００５４】
また、図１（ｃ），（ｄ）はミラー表面側から見た平面図であり、それぞれ位置決め用凸部（２２）との位置決めを説明するための図である。図１（ｃ），（ｄ）を参照すると、位置決め用凸部（２２）は、ミラーの光軸と光学系の光軸とが一致するような位置にあらかじめ配置されている。
【００５５】
図１（ｃ）では、エッチング凹部（２１ａ）には位置決め用凸部（２２）がスムーズに回転できる程度の精度ではめ合わされており、もう一つの位置決め用凸部（２２）はミラー基板（６）の側面が当たって位置決めできるような位置に配置され、ミラー基板（６）を図の矢印の方向に回転させ位置決め用凸部（２２）に接したところで位置決めできるようになっている。
【００５６】
また、図１（ｄ）では、エッチング凹部（２１ａ）には位置決め用凸部（２２）がスムーズに回転できる程度の精度ではめ合わされており、もう一つの位置決め用凸部（２２）はミラー基板（６）の内側のエッチング壁（９）が当たって位置決めできるような位置に配置され、ミラー基板（６）を図の矢印の方向に回転させ位置決め用凸部（２２）に接したところで位置決めできるようになっている。図１（ｄ）の例では、エッチング壁（９）の位置も半導体プロセスのエッチング用マスクによって正確に決められるので、図１（ｃ）の例に比べてさらに精度良く位置決めすることが可能である。
【００５７】
なお、一例として、ミラー基板（６）としてはＳｉ（シリコン）を用い、圧電材料（２）としてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用い、エッチングにはＳＦ６系のガスを用いることができる。
【００５８】
（第２の実施形態）
図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第２の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【００５９】
図２（ａ）はミラー基板（６）をミラー裏面から見た斜視図であり、図２（ｂ）はミラー基板（６）をミラー裏面から見た平面図であり、見やすいように一部省略して描いてある。図２（ａ），（ｂ）を参照すると、ミラー基板（６）には、４辺の内の１辺の中央部分にドライエッチングによって形成された円形のエッチング凹部（２１ａ）が設けられている。さらに、他の１辺には、ドライエッチングによって形成された長円形のエッチング凹部（２１ｂ）が設けられている。これらのエッチング凹部（２１ａ），（２１ｂ）の位置は、半導体プロセスのエッチング用マスクによってミラーの設計された光軸（ミラーの中心）に対して正確に決められている。このため、光軸との位置精度は数ミクロン以下で設定できており、位置決め用の凹部としては最適である。
【００６０】
また、図２（ｃ）はミラー表面側から見た平面図であり、位置決め用凸部（２２）との位置決めを説明するための図であり、位置決め用凸部（２２）は、ミラーの光軸と光学系の光軸が一致するような位置にあらかじめ配置されている。
【００６１】
図２（ｃ）を参照すると、エッチング凹部（２１ａ）には、一方の位置決め用凸部（２２）がスムーズに回転できる程度の精度ではめ合わされており、また、エッチング凹部（２１ｂ）には、他方の位置決め用凸部（２２）がスムーズに入る程度の精度ではめ合わされ、位置決めできるようになっている。
【００６２】
なお、一例として、ミラー基板（６）としてはＳｉ（シリコン）を用い、圧電材料（２）としてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用い、エッチングにはＳＦ６系のガスを用いることができる。
【００６３】
（第３の実施形態）
図３（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【００６４】
図３（ａ）はミラー基板（６）をミラー裏面から見た斜視図であり、見やすいように一部省略して描いてある。図３（ａ）を参照すると、ミラー基板（６）には、４辺の内の１辺の中央部分に異方性エッチングによって形成された矩形のエッチング凹部（２１ｃ）が設けられている。図３（ｂ）は、それに加え、さらに、他の１辺には異方性エッチングによって形成された長矩形のエッチング凹部（２１ｄ）が設けられている。これらのエッチング凹部（２１ｃ），（２１ｄ）の位置は、半導体プロセスのエッチング用マスクによってミラーの設計された光軸（ミラーの中心）に対して正確に決められている。このため、光軸との位置精度は数ミクロン以下で設定できており、位置決め用の凹部としては最適である。
【００６５】
このようして得られた凹部を利用し、図１（ｃ），（ｄ），図２（ｃ）で説明したのと同じようにすれば、高精度な位置決めができる。
【００６６】
なお、一例として、ミラー基板（６）としてはＳｉ（シリコン）を用い、圧電材料（２）としてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用い、エッチングにはＫＯＨ（水酸化カリウム溶液）を用いることができる。
【００６７】
（第４の実施形態）
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第４の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【００６８】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図１で示した位置決め用凸部をミラー固定用ベース（８）に設けた例を示す図であり、ミラー基板（６）を固定する側から見た斜視図となっており、見やすいように一部省略して描いてある。
【００６９】
図４（ａ）では、ミラー固定用ベース（８）には、ミラー基板（６）の４辺の内の１辺の中央部分にあたるところに、ミラー固定用ベース（８）全体をドライエッチングによって掘り、マスクによって残した円形のエッチング凸部（２３ａ）が設けられている。図４（ｂ），（ｃ）では、さらに、マスクによって残した円形のエッチング凸部（２３ａ）が設けられている。これらのエッチング凸部（２３ａ）の位置は、半導体プロセスのエッチング用マスクによってミラーの設計された光軸（ミラーの中心）に対して正確に決められている。このため、光軸との位置精度は数ミクロン以下で設定できており、位置決め用の凸部としては最適である。
【００７０】
このようにして得た円形のエッチング凸部（２３ａ）は、図１（ｃ），（ｄ），図２（ｃ）で説明した位置決め用凸部（２２）として用いれば、ミラー基板（６）とミラー固定用ベース（８）は高精度な位置決めができる。
【００７１】
なお、一例として、ミラー基板（６）としてはＳｉ（シリコン）を用い、圧電材料（２）としてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用い、エッチングにはＳＦ６系のガスを用いることができる。
【００７２】
図５はエッチングに異方性エッチングを用いた例を示す図である。すなわち、図５は図１（ｃ），（ｄ），図２（ｃ）に示した位置決め用凸部をミラー固定用ベース（８）に設けた例であり、ミラー基板（６）を固定する側から見た斜視図であって、見やすいように一部省略して描いてある。
【００７３】
図５において、ミラー固定用ベース（８）には、ミラー基板（６）の４辺の内の１辺の中央部分にあたるところに、ミラー固定用ベース（８）全体を異方性エッチングによって掘り、マスクによって残した矩形のエッチング凸部（２３ｂ）が設けられている。さらに、マスクによって残した矩形のエッチング凸部（２３ｂ）が設けられている。これらのエッチング凸部（２３ｂ）の位置は、半導体プロセスのエッチング用マスクによってミラーの設計された光軸（ミラーの中心）に対して正確に決められている。このため、光軸との位置精度は数ミクロン以下で設定できており、位置決め用の凸部としては最適である。
【００７４】
このようにして得た矩形のエッチング凸部（２３ｂ）は、図１（ｃ），（ｄ），図２（ｃ）で説明した位置決め用凸部（２２）として用いれば、ミラー基板（６）とミラー固定用ベース（８）は高精度な位置決めができる。ただし、このときはミラー基板（６）側の凹部は円形である。
【００７５】
なお、一例として、ミラー基板（６）としてはＳｉ（シリコン）を用い、圧電材料（２）としてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用い、エッチングにはＫＯＨ（水酸化カリウム溶液）を用いることができる。
【００７６】
（第５の実施形態）
図６，図７は、本発明の第５の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【００７７】
図６（ａ），（ｂ）はミラー基板（６）とミラー固定用ベース（８）を固定したときの断面図であり、図７（ａ），（ｄ），（ｃ）はそれぞれミラー基板（６）裏面の平面図、ミラー固定用ベース（８）のミラー基板（６）固定側から見た平面図、ミラー固定用ベース（８）の裏面から見た平面図である。
【００７８】
断面図と平面図の関係は、図６（ａ）は図７のＢ１−Ｂ１’断面を、図６（ｂ）は図７のＢ２−Ｂ２’断面を表しており、図７（ａ）は図６（ａ）のＤ方向から見た平面図を表し、図７（ｂ）は図６（ａ）のＣ方向からみた平面図を表し、図７（ｃ）は図６（ｂ）のＥ方向から見た平面図を表している。
【００７９】
図６，図７を参照すると、ミラー固定用ベース（８）側に設けられた円形のエッチング凸部（２３ａ）は、ミラー基板（６）側に設けられた円形のエッチング凹部（２１ａ）と長円形のエッチング凹部（２１ｂ）で精度良くはめ合わされている。ミラー固定用ベース（８）の裏面には、あらかじめ精度良く設計された、円形のエッチング凹部（２４ａ），長円形のエッチング凹部（２４ｂ）が設けられている。
【００８０】
また、図８には、ユニットベース（２５）にあらかじめ光軸位置に合うよう設計された位置決め用凸部（２５ａ）が示されている。
【００８１】
このようにして組み合わせたものが図９であり、ミラー固定用ベース（８）側の円形のエッチング凹部（２４ａ），長円形のエッチング凹部（２４ｂ）と位置決め用凸部（２５ａ）とがはめ合わされることによって、高精度な位置決めが可能となる。
【００８２】
（第６の実施形態）
図１０（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第６の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。ここで、図１０（ａ），（ｂ）は、それぞれ、ミラー基板（６）裏面の平面図、ミラー固定用ベース（８）のミラー基板（６）固定側から見た平面図であり、また、図１０（ｃ）はミラーをユニットベースに組み込んだ断面図である。
【００８３】
図１０（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照すると、ミラー固定用ベース（８）側に設けられた円形のエッチング凸部（２３ａ）は、ミラー基板（６）側に設けられた円形のエッチング凹部（２１ａ）と長円形のエッチング凹部（２１ｂ）で精度良くはめ合わされている。さらに、ミラー固定用ベース（８）には、あらかじめ精度良く設計され、エッチング凸部（２３ａ）と同時にエッチングして形成されたエッチング凸部（２６ａ）が設けられている。また、ユニットベース（２５）には、あらかじめ光軸位置に合うよう設計された位置決め用凹部（２５ｂ）が設けられている。
【００８４】
このようにして組み合わせたものが図１０（ｃ）である。また、図１１はその斜視図である。図１０（ｃ），図１１を参照すると、ミラー固定用ベース（８）側のエッチング凸部（２３ａ）と同時にエッチングした円形のエッチング凸部（２６ａ）と位置決め用凹部（２５ｂ）とがはめ合わされることによって、高精度な位置決めが可能となる。
【００８５】
（第７の実施形態）
図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第７の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。ここで、図１２（ａ）はミラー基板（６）裏面の平面図、図１２（ｂ）はミラー基板（６）とミラー固定用ベース（８）を組み合わせたときの側面図である。
【００８６】
図１２（ａ），（ｂ）を参照すると、ミラー基板（６）の４隅のうち１隅には硬い接着剤（２７ａ）が付けてあり、残りの３隅には柔軟性のある接着剤（２７ｂ）が付いている。この状態でミラー基板（６）をミラー固定用ベース（８）と組み合わせる。
【００８７】
この際、硬い接着剤（２７ａ）は位置精度を保持し、１隅以外は柔軟性のある接着剤（２７ｂ）であるため、ミラー固定用ベース（８）の平面度が悪くても面の悪さの影響を吸収することができ、ミラーの平面度の劣化を防ぐことが可能となる。
【００８８】
図１２（ｃ）は別な位置でのミラー例であり、ミラー基板（６）の４辺のうち１辺の中央には硬い接着剤（２７ａ）が付けてあり、残りの３辺の中央には柔軟性のある接着剤（２７ｂ）が付いている。この状態でミラー基板（６）をミラー固定用ベース（８）と組み合わせる。
【００８９】
この際、硬い接着剤（２７ａ）は位置精度を保持し、３辺は柔軟性のある接着剤（２７ｂ）であるため、ミラー固定用ベース（８）の平面度が悪くても面の悪さの影響を吸収することができ、ミラーの平面度の劣化を防ぐことが可能となる。
【００９０】
（第８の実施形態）
図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第８の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。ここで、図１３（ａ）はミラー基板（６）裏面の平面図、図１３（ｂ）はミラー基板（６）とミラー固定用ベース（８）を組み合わせたときの側面図である。
【００９１】
図１３（ａ），（ｂ）を参照すると、ミラー基板（６）の４隅のうち１隅には硬い接着剤（２７ａ）が付けてあり、それ以外の辺や隅には柔軟性のある接着剤（２７ｂ）が付いている。この状態でミラー基板（６）をミラー固定用ベース（８）と組み合わせる。
【００９２】
この際、硬い接着剤（２７ａ）は位置精度を保持し、１隅以外は柔軟性のある接着剤（２７ｂ）であるため、ミラー固定用ベース（８）の平面度が悪くても面の悪さの影響を吸収することができ、ミラーの平面度の劣化を防ぐことが可能となる。特に、辺のほぼ全面に柔軟性のある接着剤（２７ｂ）を使用しているので、位置安定性が良く、振動などに強くなっている。
【００９３】
図１３（ｃ）は別な位置でのミラー例であり、基板（６）の４辺のうち１辺の中央には硬い接着剤（２７ａ）が付けてあり、残りの辺や隅には柔軟性のある接着剤（２７ｂ）が付いている。この状態でミラー基板（６）をミラー固定用ベース（８）と組み合わせる。
【００９４】
この際、硬い接着剤（２７ａ）は位置精度を保持し、１辺の中央以外は柔軟性のある接着剤（２７ｂ）であるため、ミラー固定用ベース（８）の平面度が悪くても面の悪さの影響を吸収することができ、ミラーの平面度の劣化を防ぐことが可能となる。特に、辺のほぼ全面に柔軟性のある接着剤（２７ｂ）を使用しているので、位置安定性が良く、振動などに強くなっている。
【００９５】
なお、一例として、ミラー基板（６）としてはＳｉ（シリコン）を用い、圧電材料（２）としてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用い、硬い接着剤（２７ａ）には熱硬化性のエポキシ系接着剤を用い、柔軟性のある接着剤（２７ｂ）には湿気硬化性の弾性接着剤を用いることができる。
【００９６】
以上、本発明の各構成例を示したが、本発明はこれらの構成例にとどまることなく、あらゆる組み合わせや応用ができることはいうまでもない。
【００９７】
例えば、位置決め用の凸や凹部の一カ所で硬い接着剤接着剤で固定し、残りは柔軟性のある接着剤にしても良いし、エッチングもドライエッチングと異方性エッチングを組み合わせた方法で凹部，凸部を作っても良い。
【００９８】
さらに、上述した例では、使用光学系の説明として、主に、波面収差補正ミラー（１０）と立ち上げミラー（１３）を別々にした例で説明したが立ち上げミラーに波面収差補正ミラーを直接用いても良い。また、レーザ光学系（１５）と光検出光学系（１６）を別々にした例で説明したが、レーザ光学系（１５）と光検出光学系（１６）が一体になっている光学系でも良い。
【００９９】
以上のように、本発明は、ミラー基板のミラー面を変位させることにより収差補正する波面収差補正ミラーを備えた波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面に、位置決め用の凹部が少なくとも１カ所設けられていることを特徴としている。
【０１００】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面の凹部がエッチングによって作られていることを特徴としている。
【０１０１】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面の凹部が異方性エッチングによって作られていることを特徴としている。
【０１０２】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーを固定するミラー固定用ベースに凸部が少なくとも１個設けられていることを特徴としている。
【０１０３】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースの凸部がエッチングによって作られていることを特徴としている。
【０１０４】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースの凸部が異方性エッチングによって作られていることを特徴としている。
【０１０５】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースに凹部または穴があり、ミラー固定用ベースを固定するユニットベースに凸部があることを特徴としている。
【０１０６】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースに凸部があり、ミラー固定用ベースを固定するユニットベースに凹部または穴があることを特徴としている。
【０１０７】
また、本発明は、ミラー基板のミラー面を変位させることにより収差補正する波面収差補正ミラーを備えた波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーは少なくとも１点が硬い接着剤により固定され、他は柔軟性のある接着剤によって固定されることを特徴としている。
【０１０８】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、硬い接着剤で固定する１点が波面収差補正ミラーの四隅の１つであり、柔軟性の接着剤による固定部分は四隅の残り三隅の３点であることを特徴としている。
【０１０９】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、硬い接着剤で固定する１点が補正ミラーの四辺の１つの中心であり、柔軟性の接着剤による固定部分は四辺の残りの３辺の中心であることを特徴としている。
【０１１０】
また、本発明は、上述の波面収差補正装置において、硬い接着剤で固定する１点が補正ミラーの四隅の１つ、または、四辺の１つの中心であり、柔軟性の接着剤による固定部分はその点以外の四辺であることを特徴としている。
【０１１１】
本発明は、上記構成により、波面収差補正ミラーの固定時における平面度低下の不具合を解消し、位置決めの高精度化を実現できる。
【０１１２】
また、本発明の光ピックアップは、レーザ光の光軸上にレーザー光の収差を補正する収差補正手段を有し、該収差補正手段として、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の波面収差補正装置が用いられていることを特徴としている。
【０１１３】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項１記載の発明によれば、ミラー基板のミラー面を変位させることにより収差補正する波面収差補正ミラーを備えた波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面に、位置決め用の凹部が少なくとも１カ所設けられているので、光学系の光軸と精度良く位置決めすることができる。
【０１１４】
また、請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面の凹部がエッチングによって作られているので、半導体マスクの精度まで精度を上げることができる。
【０１１５】
また、請求項３記載の発明によれば、請求項２記載の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーの裏面の凹部が異方性エッチングによって作られていることので、半導体マスクの精度まで精度を上げることができる。
【０１１６】
また、請求項４記載の発明によれば、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーを固定するミラー固定用ベースに凸部が少なくとも１個設けられているので、光学系の光軸と精度良く位置決めすることができる。
【０１１７】
また、請求項５記載の発明によれば、請求項４記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースの凸部がエッチングによって作られているので、半導体マスクの精度まで精度を上げることができる。
【０１１８】
また、請求項６記載の発明によれば、請求項５記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースの凸部が異方性エッチングによって作られているので、半導体マスクの精度まで精度を上げることができる。
【０１１９】
また、請求項７記載の発明によれば、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースに凹部または穴があり、ミラー固定用ベースを固定するユニットベースに凸部があるので、容易に精度良く位置決めすることができる。
【０１２０】
また、請求項８記載の発明によれば、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の波面収差補正装置において、ミラー固定用ベースに凸部があり、ミラー固定用ベースを固定するユニットベースに凹部または穴があるので、さらに精度良く位置決めすることができる。
【０１２１】
また、請求項９，請求項１０，請求項１１記載の発明によれば、ミラー基板のミラー面を変位させることにより収差補正する波面収差補正ミラーを備えた波面収差補正装置において、波面収差補正ミラーは少なくとも１点が硬い接着剤により固定され、他は柔軟性のある接着剤によって固定されるので、精度良い位置決めと平面度劣化なしとの両方を同時に実現することができる。
【０１２２】
また、請求項１２記載の発明によれば、請求項９記載の波面収差補正装置において、硬い接着剤で固定する１点が補正ミラーの四隅の１つ、または、四辺の１つの中心であり、柔軟性の接着剤による固定部分はその点以外の四辺であるので、振動などにも強くなり、さらに精度良い位置決めと平面度劣化なしとの両方を同時に実現することができる。
【０１２３】
また、請求項１３記載の発明によれば、レーザ光の光軸上にレーザー光の収差を補正する収差補正手段を有し、該収差補正手段として、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の波面収差補正装置が用いられていることを特徴とする光ピックアップであるので、信頼性の良い光ピックアップを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図５】エッチングに異方性エッチングを用いた例を示す図である。
【図６】本発明の第５の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図７】本発明の第５の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図８】ユニットベースにあらかじめ光軸位置に合うよう設計された位置決め用凸部を示す図である。
【図９】本発明の第５の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の第６の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図１２】本発明の第７の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図１３】本発明の第８の実施形態の波面収差補正装置の構成例を示す図である。
【図１４】ミラー面が変位する波面収差補正ミラーの一例を示す図である。
【図１５】ミラー面が変位する波面収差補正ミラーの他の例を示す図である。
【図１６】光ピックアップの構成例を示す図である。
【図１７】光ピックアップの他の構成例を示す図である。
【図１８】波面収差を説明するための図である。
【図１９】従来技術を説明するための図である。
【図２０】従来技術を説明するための図である。
【図２１】従来技術を説明するための図である。
【図２２】ＣＶ，ＤＶＤのディスクを示す図である。
【図２３】反射膜の面を等高線で表した図である。
【符号の説明】
１ ミラー材
２ 圧電材料
３ ミラー固定部
４ 共通電極
４ａ ミラー基板側個別電極
５ 個別電極
６ ミラー基板
７ 絶縁層
８ ミラー固定用ベース
９ エッチング壁
１０ 波面収差補正ミラー
１１ 光ディスク
１２ 対物レンズ及び対物光学系
１３ 立ち上げミラー
１４ 偏光ビームスプリッタ
１５ レーザ素子及びレーザ光学系
１６ 光検出素子及び光検出光学系
２１ａ エッチング凹部
２１ｂ エッチング凹部
２１ｃ エッチング凹部
２１ｄ エッチング凹部
２２ 位置決め用凸部
２３ａ エッチング凸部
２３ｂ エッチング凸部
２４ａ エッチング凹部
２４ｂ エッチング凹部
２５ ユニットベース
２５ａ 位置決め用凸部
２５ｂ 位置決め用凹部
２６ａ エッチング凸部
２７ａ 硬い接着剤
２７ｂ 柔軟性のある接着剤
１０１ａ，１０１ｂ 対物レンズ
１０２ａ，１０２ｂ ディスク
１０３ａ，１０３ｂ スポット（コマ収差）
１０８ 記録層[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wavefront aberration correction device and an optical pickup.
[0002]
[Prior art]
Generally, information storage devices using optical disks include CDs and DVDs. DVDs and the like have a higher recording density than CDs, so that conditions for reading and writing information are strict.
[0003]
For example, it is ideal that the optical axis of the optical pickup is perpendicular to the disk surface, but in fact, the disk is made of resin, so it has a considerable undulation, and when this is rotated, the optical axis of the optical pickup becomes The disk surface is not always vertical (this is hereinafter referred to as tilt). Further, as shown in FIGS. 22A and 22B, since the recording layer (108) has the resin layer (102) interposed therebetween, when the disk surface is not perpendicular, the optical path is bent and the disk is placed on the disk. The spot cannot be correctly stopped down, and coma (103) occurs. If this aberration is larger than the allowable amount, a problem that reading and writing cannot be performed correctly occurs. FIGS. 22A and 22B show the case where the discs are CD and DVD, respectively.
[0004]
As a means for reducing the influence of tilt, there is a case where the resin layer between the objective lens and the recording layer is made thinner. Actually, the DVD (FIG. 22B) is different from the CD (FIG. 22A) in the thickness of the resin layer (102) between the objective lens (101) and the recording layer (108). The halving is aimed at this effect. However, in the case of this method, when trying to perform high-density recording compared to DVD, the resin layer is made thinner to further reduce the influence of tilt, but this time, dust and scratches are formed on the disk. In such a case, a problem occurs that the signal cannot be read and written correctly. For this reason, it is the present situation that the optical axis is tilted (tilted) by the actuator.
[0005]
In order to optically correct the tilt, a liquid crystal is used (for example, see Patent Literature 1), a transparent piezoelectric element is used (for example, see Patent Literature 2), or a variable mirror is used (for example, Patent Literature 2). 3) has been proposed.
[0006]
Specifically, in Patent Document 1 (FIG. 19), coma aberration is corrected by performing phase control using a liquid crystal plate. However, in this method, the amount of light is attenuated because the laser passes through the liquid crystal plate, making it difficult to obtain the energy required for writing. In addition, due to the characteristics of the liquid crystal, high-frequency operation required especially for tangential tilt control It seems difficult to use.
[0007]
Further, in Patent Document 2 (FIG. 20), a high voltage is required in order to actually obtain a necessary displacement with a single transparent piezoelectric element, which is not practical for use in an optical pickup or the like.
[0008]
Further, in Patent Document 3 (FIG. 21), the mirror itself is deformed by a laminated piezoelectric element to control the phase. However, when used for a small component such as an optical pickup, no consideration is given to wiring and the like, and the configuration becomes complicated and the assembly cost increases. Further, even if the problems such as wiring can be solved, the size of the laminated piezoelectric element must be considerably reduced, so that it is very difficult in terms of technology and cost.
[0009]
[Patent Document 1]
JP-A-10-79135
[0010]
[Patent Document 2]
JP-A-5-144056
[0011]
[Patent Document 3]
JP-A-5-333274
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
A method of correcting the wavefront aberration by using a unimorph or bimorph wavefront aberration correction mirror using a piezoelectric element to reduce the influence of tilt that causes a problem when reading and writing such information is advantageous for miniaturization at low voltage. Although it is considered that the mirror surface of the mirror substrate is deformed, it must be easily deformed in order to drive the mirror substrate at a low voltage.
[0013]
For this purpose, it is most effective to make the mirror substrate thin, but as shown in FIGS. 14 (a), (b), 15 (a), (b), (c), (d) In the case of the wavefront aberration correction mirror, when the mirror substrate is thinned, the mirror is easily deformed even when the mirror is fixed, so that the fixed portion is likely to affect the flatness of the mirror.
[0014]
In addition, when the mirror is deformed, if the optical axis of the mirror is not aligned with the optical axis of the optical system, the deformation may cause an increase in aberration.
[0015]
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wavefront aberration correction device and an optical pickup which can prevent a decrease in flatness when a wavefront aberration correction mirror is fixed and can achieve high positioning accuracy.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an invention according to claim 1 is a wavefront aberration correction device including a wavefront aberration correction mirror that corrects aberration by displacing a mirror surface of a mirror substrate. It is characterized in that at least one recess for positioning is provided.
[0017]
According to a second aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to the first aspect, the concave portion on the back surface of the wavefront aberration correcting mirror is formed by etching.
[0018]
According to a third aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus of the second aspect, the concave portion on the back surface of the wavefront aberration correcting mirror is formed by anisotropic etching.
[0019]
According to a fourth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting device according to any one of the first to third aspects, at least one convex portion is provided on a mirror fixing base for fixing the wavefront aberration correcting mirror. It is characterized by being done.
[0020]
According to a fifth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus of the fourth aspect, the convex portion of the mirror fixing base is formed by etching.
[0021]
According to a sixth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus of the fifth aspect, the convex portion of the mirror fixing base is formed by anisotropic etching.
[0022]
According to a seventh aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting device according to any one of the first to sixth aspects, the mirror fixing base has a concave portion or a hole, and the mirror fixing base is fixed. It is characterized in that the base has a convex portion.
[0023]
According to an eighth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the unit base for fixing the mirror fixing base has a convex portion on the mirror fixing base. Is characterized by having a concave portion or a hole.
[0024]
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a wavefront aberration correcting apparatus including a wavefront aberration correcting mirror for correcting aberration by displacing a mirror surface of a mirror substrate, wherein at least one point of the wavefront aberration correcting mirror is fixed with a hard adhesive. Others are characterized by being fixed by a flexible adhesive.
[0025]
According to a tenth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting device according to the ninth aspect, one point fixed with a hard adhesive is one of the four corners of the wavefront aberration correcting mirror, and the fixed portion with a flexible adhesive is used. Is characterized by three points at the remaining three corners of the four corners.
[0026]
According to an eleventh aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to the ninth aspect, one point fixed with a hard adhesive is one center of four sides of the correction mirror, and a portion fixed with the flexible adhesive is It is characterized by being the center of the remaining three sides of the four sides.
[0027]
According to a twelfth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to the ninth aspect, one point fixed with a hard adhesive is one of the four corners or one of the four sides of the correction mirror. Is fixed on four sides other than that point.
[0028]
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided an aberration correcting means on the optical axis of the laser light for correcting the aberration of the laser light, wherein the aberration correcting means is any one of the first to twelfth aspects. An optical pickup using the wavefront aberration correcting device described above.
[0029]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0030]
FIGS. 14A and 14B are diagrams illustrating an example of a wavefront aberration correction mirror in which the mirror surface is displaced. 14A is a perspective view, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
[0031]
Referring to FIGS. 14A and 14B, the mirror substrate (6) is provided with a mirror material (1), and the opposite surface is provided with an insulating layer (7). A common electrode (4) is provided below the insulating layer (7), a piezoelectric material (2) having a piezoelectric polarity of one direction is provided below the common electrode (4), and further below the common electrode (4) are separated individual electrodes. (5) is attached (in this case, the upper and lower expressions are expressed with the mirror surface of the mirror substrate (6) as the upper side in the sectional view). The mirror portion having such a structure is fixed to the mirror fixing base (8) at both ends.
[0032]
By the way, in such a structure, if the electrode (4) is grounded, a plus voltage is applied to the minus side of the individual electrode (5) divided into right and left, and a minus voltage is applied to the other, the mirror substrate (6) The section corresponding to the cross-section has a cross-sectional shape as shown in FIG. When a reverse voltage is applied to the individual electrode (5), the shape is reversed.
[0033]
In other words, the mirror substrate (6) does not expand and contract when a voltage is applied, but the piezoelectric material (2) expands and contracts when a voltage is applied. Assuming that the piezoelectric material (2) contracts in the horizontal direction, when a negative voltage is applied, the piezoelectric material (2) in that portion expands in the horizontal direction, and a positive voltage is applied to the individual electrode (5). In this case, the surface of the mirror material (1) of the mirror substrate (6) becomes convex, and when a negative voltage is applied to the individual electrode (5), the mirror material (1) of the mirror substrate (6) Surface becomes concave.
[0034]
By providing such a wavefront aberration correcting mirror on the optical axis of the optical pickup as shown in FIG. 16 and controlling it, it is possible to reduce coma due to tilt.
[0035]
In FIG. 16, (10) is a wavefront aberration correction mirror, (11) is an optical disk, (12) is an objective lens and an objective optical system, (13) a rising mirror, (14) is a polarization beam splitter, and (15). Denotes a laser element and a laser optical system, and (16) denotes a light detection element and a light detection optical system.
[0036]
In the optical pickup of FIG. 16, laser light emitted from a laser element (15) is collimated by a laser optical system, passes through a polarization beam splitter (14), is reflected by a wavefront aberration correcting mirror (10), and rises. The light is further reflected by the mirror (13), collected by the objective lens and the objective optical system (12), and focused on the optical disk (11).
[0037]
The laser light reflected from the optical disk (11) passes through the objective lens and the objective optical system (12), is reflected by the rising mirror (13), is reflected by the wavefront aberration correcting mirror (10), and is polarized by the polarization beam splitter (10). After passing through 14), the light is condensed by the light detection optical system and detected by the light detection element (16). This detecting element is also provided with a detecting element for tilt detection.
[0038]
As shown in FIG. 17, an optical system using a direct wavefront aberration correction mirror (10) instead of the rising mirror (13) may be used.
[0039]
In such an optical system, when the optical disk (11) is tilted from a position perpendicular to the optical axis of the laser light, the wavefront of the laser light reflected and returned from the optical disk is disturbed, for example, as shown in FIG. A large wavefront aberration (coma aberration) occurs. Here, the horizontal axis is the same cross section as the AA ′ cross section of the wavefront aberration correcting mirror shown in FIG. 14A, for example, and the vertical axis is the wavefront aberration. In other words, in the optical system shown in FIG. 16, when the optical disk (11) is tilted, the mirror surface of the wavefront aberration correcting mirror (10) is flat, and the wavefront aberration of the reflected light reflected there. By the way, if the optical disk (11) is perpendicular to the optical axis of the laser beam, the wavefront does not have the aberration as shown in FIG. FIG. 23 is a diagram in which the surface direction of the wavefront is represented by contour lines, and the AA ′ cross section is as shown in FIG.
[0040]
FIG. 18B shows an example in which the wavefront aberration correction mirror (10) is intentionally operated to generate aberration, and the wavefront aberration of the reflected light is shown. Here, the horizontal axis is the same cross section as the AA 'cross section of the mirror surface of the wavefront aberration correcting mirror shown in FIG. 14A, for example, and the vertical axis is the wavefront aberration.
[0041]
Now, suppose that the optical disk is tilted and the wavefront of the reflected light from the disk is as shown in FIG. If the wavefront aberration correcting mirror is controlled so that the wavefront of the reflected light when the disk is not tilted is as shown in FIG. 18B, the wavefront of the reflected light reflected from the wavefront aberration correcting mirror is as shown in FIG. As a result, the wavefront aberration can be reduced as compared with FIG.
[0042]
However, in the wavefront aberration correcting mirror having such a structure, when the mirror substrate is made thinner, it becomes difficult to handle the mirror substrate, and the flatness is deteriorated because the thin substrate is directly fixed. When the flatness is deteriorated, it is impossible to deform the wavefront aberration into a deformed shape that is originally desired to reduce the wavefront aberration.
[0043]
For this reason, as shown in FIGS. 15A, 15B, 15C, and 15D, a membrane structure has been proposed in which only the portion to be deformed is made thin and the periphery is kept thick. FIG. 15A is a perspective view of a state in which the mirror substrate is fixed to a mirror fixing base, and FIG. 15B is a perspective view of the mirror substrate (6) viewed from the back surface of the mirror. Note that some parts are omitted for easy viewing. FIG. 15C or FIG. 15D is a cross-sectional view along AA ′.
[0044]
The structures shown in FIGS. 15A, 15B, 15C, and 15D are intended to provide strength at a peripheral frame portion, fix the portion at that portion, and suppress deterioration of flatness at a portion to be deformed. It is.
[0045]
Referring to FIGS. 15 (a), (b), (c), and (d), a mirror substrate (6) is provided with a mirror material (1), and an insulating layer (7) is provided on the opposite surface. ). A mirror-side individual electrode (4a) is provided below the insulating layer (7), and a piezoelectric material (2) having a unidirectional piezoelectric polarity is provided below the mirror-side individual electrode (4a). (Here, the upper and lower expressions are expressed with the mirror surface of the mirror substrate (6) as the upper side in the sectional view). The mirror part having such a structure is fixed to a mirror fixing base (8) by mirror fixing parts (3) at both ends.
[0046]
If the mirror substrate (6) is, for example, a silicon substrate, a semiconductor process technology can be used. Therefore, an etching technology may be used to make the substrate thin.
[0047]
Here, FIG. 15C shows that the etching wall (9) is formed vertically by using a normal dry etching technique. FIG. 15D shows an etching wall (9) formed by using an anisotropic etching technique. The etching wall (9) is slanted.
[0048]
However, such a structure alone is not perfect, and if the flatness of the side on which the mirror is fixed is extremely poor, the flatness of the mirror will be degraded.
[0049]
In addition, a normal mirror that does not need to correct the wavefront aberration only needs to reflect the necessary collimated light, and its mounting accuracy is not so strict. The position accuracy with respect to the axis has also become strict. For this reason, with the conventional fixing method, the effect of aberration correction may be reduced.
[0050]
The present invention is intended to solve such a problem that the flatness is reduced when the correction mirror is fixed and the accuracy of positioning is improved by a fixing method and a positioning structure.
[0051]
(1st Embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a first embodiment of the present invention. The basic structure of the wavefront aberration correcting mirror used in the wavefront aberration correcting apparatus according to the first embodiment of the present invention is substantially the same as the example of the wavefront aberration correcting mirror in which the mirror surface is variable as shown in FIGS. Some have been omitted for clarity.
[0052]
FIG. 1A is a perspective view of the mirror substrate (6) viewed from the back surface of the mirror, and FIG. 1B is a plan view of the mirror substrate (6) viewed from the back surface of the mirror. It is drawn.
[0053]
Referring to FIGS. 1A and 1B, the mirror substrate (6) is provided with a circular etching concave portion (21a) formed by dry etching in the center of one of the four sides. . The position of the etching concave portion (21a) is accurately determined with respect to the optical axis (center of the mirror) where the mirror is designed by the etching mask of the semiconductor process. For this reason, the positional accuracy with respect to the optical axis can be set to several microns or less, which is optimal as a concave portion for positioning.
[0054]
FIGS. 1 (c) and 1 (d) are plan views as viewed from the mirror surface side, and are views for explaining positioning with the positioning projection (22). Referring to FIGS. 1 (c) and 1 (d), the positioning projection (22) is arranged in advance at a position where the optical axis of the mirror coincides with the optical axis of the optical system.
[0055]
In FIG. 1C, the positioning concave portion (22) is fitted to the etching concave portion (21a) with such accuracy that the positioning convex portion (22) can rotate smoothly, and the other positioning convex portion (22) is fitted to the mirror substrate (6). The mirror substrate (6) is rotated in the direction of the arrow in the figure and can be positioned when it comes into contact with the positioning projection (22).
[0056]
Further, in FIG. 1D, the positioning concave portion (22) is fitted to the etching concave portion (21a) with such accuracy that the positioning convex portion (22) can rotate smoothly, and the other positioning convex portion (22) is connected to the mirror substrate. The mirror substrate (6) is arranged at a position where it can be positioned by hitting the etching wall (9) inside the (6), and the mirror substrate (6) can be rotated in the direction of the arrow in the drawing and positioned when it comes into contact with the positioning projection (22). It has become. In the example of FIG. 1D, the position of the etching wall (9) is also accurately determined by the etching mask of the semiconductor process, so that the positioning can be performed with higher accuracy than the example of FIG. 1C. .
[0057]
In addition, as an example, Si (silicon) is used as the mirror substrate (6), PZT (lead zirconate titanate) is used as the piezoelectric material (2), and SF6-based gas can be used for etching.
[0058]
(Second embodiment)
FIGS. 2A, 2B, and 2C are diagrams illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a second embodiment of the present invention.
[0059]
FIG. 2A is a perspective view of the mirror substrate (6) viewed from the back surface of the mirror, and FIG. 2B is a plan view of the mirror substrate (6) viewed from the back surface of the mirror. It is drawn. Referring to FIGS. 2A and 2B, the mirror substrate (6) is provided with a circular etching concave portion (21a) formed by dry etching at the center of one of the four sides. . Further, an oval etching concave portion (21b) formed by dry etching is provided on another side. The positions of these etching concave portions (21a) and (21b) are accurately determined with respect to the optical axis (center of the mirror) where the mirror is designed by the etching mask of the semiconductor process. For this reason, the positional accuracy with respect to the optical axis can be set to several microns or less, which is optimal as a concave portion for positioning.
[0060]
FIG. 2C is a plan view seen from the surface of the mirror, and is a view for explaining positioning with the positioning projection (22). It is arranged in advance at a position where the axis and the optical axis of the optical system coincide.
[0061]
Referring to FIG. 2C, one of the positioning projections (22) is fitted to the etching recess (21a) with such accuracy that the positioning projection (22) can rotate smoothly. The other positioning projections (22) are fitted and positioned with such accuracy that they can be smoothly inserted.
[0062]
In addition, as an example, Si (silicon) is used as the mirror substrate (6), PZT (lead zirconate titanate) is used as the piezoelectric material (2), and SF6-based gas can be used for etching.
[0063]
(Third embodiment)
FIGS. 3A and 3B are diagrams illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a third embodiment of the present invention.
[0064]
FIG. 3A is a perspective view of the mirror substrate (6) as viewed from the back surface of the mirror, and is partially omitted for easy viewing. Referring to FIG. 3A, the mirror substrate (6) is provided with a rectangular etching concave portion (21c) formed by anisotropic etching at the center of one of the four sides. In FIG. 3B, in addition to the above, a rectangular etching recess (21d) formed by anisotropic etching is provided on another side. The positions of the etching concave portions (21c) and (21d) are accurately determined with respect to the optical axis (center of the mirror) where the mirror is designed by the etching mask for the semiconductor process. For this reason, the positional accuracy with respect to the optical axis can be set to several microns or less, which is optimal as a concave portion for positioning.
[0065]
By using the recesses obtained in this manner and performing the same operations as described with reference to FIGS. 1C, 1D, and 2C, highly accurate positioning can be performed.
[0066]
As an example, Si (silicon) is used as the mirror substrate (6), PZT (lead zirconate titanate) is used as the piezoelectric material (2), and KOH (potassium hydroxide solution) is used for etching. Can be.
[0067]
(Fourth embodiment)
FIGS. 4A, 4B, and 4C are diagrams illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a fourth embodiment of the present invention.
[0068]
FIGS. 4A, 4B, and 4C are views showing an example in which the positioning projection shown in FIG. 1 is provided on the mirror fixing base (8), and fixes the mirror substrate (6). It is a perspective view as viewed from the side, and is partially omitted for easy viewing.
[0069]
In FIG. 4A, the mirror fixing base (8) is formed by digging the entire mirror fixing base (8) by dry etching at the center of one of the four sides of the mirror substrate (6). , A circular etching protrusion (23a) left by the mask is provided. 4 (b) and 4 (c), a circular etching convex portion (23a) left by the mask is further provided. The positions of these etching protrusions (23a) are accurately determined with respect to the optical axis (center of the mirror) where the mirror is designed by the etching mask of the semiconductor process. For this reason, the position accuracy with respect to the optical axis can be set to several microns or less, which is optimal as a positioning projection.
[0070]
The circular etching protrusion (23a) obtained in this manner can be used as the positioning protrusion (22) described in FIGS. 1 (c), (d), and FIG. 2 (c). The mirror fixing base (8) can be positioned with high accuracy.
[0071]
In addition, as an example, Si (silicon) is used as the mirror substrate (6), PZT (lead zirconate titanate) is used as the piezoelectric material (2), and SF6-based gas can be used for etching.
[0072]
FIG. 5 is a diagram showing an example in which anisotropic etching is used for etching. That is, FIG. 5 shows an example in which the positioning projections shown in FIGS. 1 (c), (d) and 2 (c) are provided on the mirror fixing base (8), and fixes the mirror substrate (6). It is the perspective view seen from the side, and it abbreviate | omitted and drawn in order to make it easy to see.
[0073]
In FIG. 5, the mirror fixing base (8) is dug by anisotropic etching into the entire mirror fixing base (8) at the center of one of the four sides of the mirror substrate (6). A rectangular etching projection (23b) left by the mask is provided. Further, a rectangular etching projection (23b) left by the mask is provided. The positions of these etching protrusions (23b) are accurately determined with respect to the optical axis (center of the mirror) where the mirror is designed by the etching mask of the semiconductor process. For this reason, the position accuracy with respect to the optical axis can be set to several microns or less, which is optimal as a positioning projection.
[0074]
The rectangular etching protrusion (23b) obtained in this way can be used as the positioning protrusion (22) described with reference to FIGS. 1 (c), (d) and FIG. 2 (c). The mirror fixing base (8) can be positioned with high accuracy. However, at this time, the concave portion on the mirror substrate (6) side is circular.
[0075]
As an example, Si (silicon) is used as the mirror substrate (6), PZT (lead zirconate titanate) is used as the piezoelectric material (2), and KOH (potassium hydroxide solution) is used for etching. Can be.
[0076]
(Fifth embodiment)
FIGS. 6 and 7 are diagrams illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a fifth embodiment of the present invention.
[0077]
6 (a) and 6 (b) are cross-sectional views when the mirror substrate (6) and the mirror fixing base (8) are fixed, and FIGS. 7 (a), (d) and (c) respectively show the mirror substrate. (6) a plan view of the back surface, a plan view of the mirror fixing base (8) viewed from the side where the mirror substrate (6) is fixed, and a plan view of the mirror fixing base (8) viewed from the back surface.
[0078]
FIG. 6A shows a cross section taken along line B1-B1 'of FIG. 7, FIG. 6B shows a cross section taken along line B2-B2' of FIG. 7, and FIG. 6A shows a plan view seen from a direction D, FIG. 7B shows a plan view seen from a direction C in FIG. 6A, and FIG. 7C shows an E view in FIG. 6B. FIG. 2 shows a plan view seen from a direction.
[0079]
Referring to FIGS. 6 and 7, the circular etching convex portion (23a) provided on the mirror fixing base (8) side is longer than the circular etching concave portion (21a) provided on the mirror substrate (6) side. It is fitted with a circular etching concave portion (21b) with high accuracy. On the back surface of the mirror fixing base (8), a circular etching concave portion (24a) and an elliptical etching concave portion (24b) designed with high precision in advance are provided.
[0080]
FIG. 8 shows a positioning projection (25a) designed in advance to the optical axis position on the unit base (25).
[0081]
FIG. 9 shows a combination obtained in this manner, in which the circular etching concave portion (24a), the elliptical etching concave portion (24b) on the mirror fixing base (8) side, and the positioning convex portion (25a) are fitted. This enables highly accurate positioning.
[0082]
(Sixth embodiment)
FIGS. 10A, 10B, and 10C are diagrams illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a sixth embodiment of the present invention. Here, FIGS. 10 (a) and 10 (b) are a plan view of the back surface of the mirror substrate (6) and a plan view of the mirror fixing base (8) viewed from the side where the mirror substrate (6) is fixed, respectively. FIG. 10C is a cross-sectional view in which a mirror is incorporated in a unit base.
[0083]
Referring to FIGS. 10A, 10B, and 10C, the circular etching convex portion (23a) provided on the mirror fixing base (8) side has a circular shape provided on the mirror substrate (6) side. And the elliptical etching concave portion (21b) is accurately fitted. Further, the mirror fixing base (8) is provided with an etching protrusion (26a) which is designed with high precision in advance and is formed by etching simultaneously with the etching protrusion (23a). The unit base (25) is provided with a positioning recess (25b) designed in advance to match the optical axis position.
[0084]
FIG. 10C shows the combination in this manner. FIG. 11 is a perspective view thereof. Referring to FIGS. 10C and 11, a circular etching projection (26a) etched simultaneously with the etching projection (23a) on the mirror fixing base (8) side and a positioning recess (25b) are fitted. This enables highly accurate positioning.
[0085]
(Seventh embodiment)
FIGS. 12A, 12B, and 12C are diagrams illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a seventh embodiment of the present invention. Here, FIG. 12A is a plan view of the back surface of the mirror substrate (6), and FIG. 12B is a side view when the mirror substrate (6) and the mirror fixing base (8) are combined.
[0086]
Referring to FIGS. 12A and 12B, one of the four corners of the mirror substrate (6) is provided with a hard adhesive (27a), and the remaining three corners are provided with a flexible adhesive. (27b) is attached. In this state, the mirror substrate (6) is combined with the mirror fixing base (8).
[0087]
At this time, the hard adhesive (27a) maintains the positional accuracy, and since the adhesive is a flexible adhesive (27b) except for one corner, even if the flatness of the mirror fixing base (8) is poor, the surface is poor. Can be absorbed, and deterioration of the mirror flatness can be prevented.
[0088]
FIG. 12C shows an example of a mirror at another position. A hard adhesive (27a) is applied to the center of one of the four sides of the mirror substrate (6), and the center of the remaining three sides is provided to the center. Has a flexible adhesive (27b). In this state, the mirror substrate (6) is combined with the mirror fixing base (8).
[0089]
At this time, the hard adhesive (27a) maintains the positional accuracy, and the three sides are flexible adhesives (27b). Therefore, even if the flatness of the mirror fixing base (8) is poor, the surface is not good. The influence can be absorbed and the flatness of the mirror can be prevented from deteriorating.
[0090]
(Eighth embodiment)
FIGS. 13A, 13B, and 13C are diagrams illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to an eighth embodiment of the present invention. Here, FIG. 13A is a plan view of the back surface of the mirror substrate (6), and FIG. 13B is a side view when the mirror substrate (6) and the mirror fixing base (8) are combined.
[0091]
Referring to FIGS. 13A and 13B, one of the four corners of the mirror substrate (6) is provided with a hard adhesive (27a), and the other sides and corners are flexible. An adhesive (27b) is provided. In this state, the mirror substrate (6) is combined with the mirror fixing base (8).
[0092]
At this time, the hard adhesive (27a) maintains the positional accuracy, and since the adhesive is a flexible adhesive (27b) except for one corner, even if the flatness of the mirror fixing base (8) is poor, the surface is poor. Can be absorbed, and deterioration of the mirror flatness can be prevented. In particular, since a flexible adhesive (27b) is used on almost the entire side, the position stability is good and the vibration and the like are strong.
[0093]
FIG. 13C shows an example of a mirror at another position. A hard adhesive (27a) is applied to the center of one of the four sides of the substrate (6), and the remaining sides and corners are flexible. With an adhesive (27b). In this state, the mirror substrate (6) is combined with the mirror fixing base (8).
[0094]
At this time, the hard adhesive (27a) maintains the positional accuracy, and the adhesive other than the center of one side is a flexible adhesive (27b). Can be absorbed and the flatness of the mirror can be prevented from deteriorating. In particular, since a flexible adhesive (27b) is used on almost the entire side, the position stability is good and the vibration and the like are strong.
[0095]
As an example, Si (silicon) is used as the mirror substrate (6), PZT (lead zirconate titanate) is used as the piezoelectric material (2), and a thermosetting epoxy is used as the hard adhesive (27a). A moisture-curable elastic adhesive can be used as the flexible adhesive (27b) using a system adhesive.
[0096]
As described above, each configuration example of the present invention has been described. However, it goes without saying that the present invention is not limited to these configuration examples, and that any combination and application can be made.
[0097]
For example, one position may be fixed with a hard adhesive at one of the convexities and concaves, and the other may be a flexible adhesive, and the concaves may be formed by a combination of dry etching and anisotropic etching. , You may make a convex part.
[0098]
Further, in the above-described example, the wavefront aberration correcting mirror (10) and the rising mirror (13) are mainly described as separate optical systems to be used, but the wavefront aberration correcting mirror is directly provided on the rising mirror. May be used. Also, although an example in which the laser optical system (15) and the light detection optical system (16) are separated has been described, an optical system in which the laser optical system (15) and the light detection optical system (16) are integrated may be used. .
[0099]
As described above, the present invention relates to a wavefront aberration correction device including a wavefront aberration correction mirror that corrects aberration by displacing a mirror surface of a mirror substrate, wherein at least one positioning recess is provided on the back surface of the wavefront aberration correction mirror. It is characterized by being provided in three places.
[0100]
Further, the present invention is characterized in that in the above-described wavefront aberration correcting device, the concave portion on the back surface of the wavefront aberration correcting mirror is formed by etching.
[0101]
According to the present invention, in the above-described wavefront aberration correcting apparatus, the concave portion on the back surface of the wavefront aberration correcting mirror is formed by anisotropic etching.
[0102]
Further, the present invention is characterized in that, in the above-described wavefront aberration correction device, at least one convex portion is provided on a mirror fixing base for fixing the wavefront aberration correction mirror.
[0103]
Further, the present invention is characterized in that, in the above-described wavefront aberration correcting device, the convex portion of the mirror fixing base is formed by etching.
[0104]
Further, the present invention is characterized in that, in the above-described wavefront aberration correcting device, the convex portion of the mirror fixing base is formed by anisotropic etching.
[0105]
Further, the present invention is characterized in that, in the above-described wavefront aberration correcting device, the mirror fixing base has a concave portion or a hole, and the unit base for fixing the mirror fixing base has a convex portion.
[0106]
Further, the present invention is characterized in that, in the above-described wavefront aberration correcting device, the mirror fixing base has a convex portion, and the unit base for fixing the mirror fixing base has a concave portion or a hole.
[0107]
According to the present invention, there is provided a wavefront aberration correction device including a wavefront aberration correction mirror for correcting aberration by displacing a mirror surface of a mirror substrate, wherein at least one point of the wavefront aberration correction mirror is fixed by a hard adhesive, and It is characterized by being fixed by a flexible adhesive.
[0108]
According to the present invention, in the above-described wavefront aberration correcting apparatus, one point fixed with a hard adhesive is one of the four corners of the wavefront aberration correcting mirror, and the portion fixed with the flexible adhesive is three of the remaining three corners. It is characterized by being a point.
[0109]
According to the present invention, in the above-described wavefront aberration correction device, one point fixed with a hard adhesive is one center of four sides of the correction mirror, and a portion fixed with a flexible adhesive is the remaining three sides of the four sides. It is characterized by being central.
[0110]
According to the present invention, in the above-described wavefront aberration correction apparatus, one point fixed with a hard adhesive is one of the four corners of the correction mirror or the center of one of the four sides. It is characterized by four sides other than that point.
[0111]
According to the present invention, it is possible to solve the problem of a decrease in flatness when the wavefront aberration correction mirror is fixed by the above-described configuration, and to achieve high positioning accuracy.
[0112]
Further, the optical pickup of the present invention has an aberration correcting unit on the optical axis of the laser beam for correcting aberration of the laser beam, wherein the aberration correcting unit is any one of claims 1 to 12. Is characterized in that the wavefront aberration correcting device is used.
[0113]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, in a wavefront aberration correcting apparatus including a wavefront aberration correcting mirror for correcting aberration by displacing a mirror surface of a mirror substrate, Since at least one positioning recess is provided, positioning can be performed with high accuracy with respect to the optical axis of the optical system.
[0114]
According to the second aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting device according to the first aspect, since the concave portion on the back surface of the wavefront aberration correcting mirror is formed by etching, the accuracy can be improved to the accuracy of the semiconductor mask. it can.
[0115]
According to the third aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to the second aspect, the concave portion on the back surface of the wavefront aberration correcting mirror is formed by anisotropic etching, so that the accuracy of the semiconductor mask can be improved. Can be raised.
[0116]
According to a fourth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to any one of the first to third aspects, at least one convex portion is provided on the mirror fixing base for fixing the wavefront aberration correcting mirror. Since it is provided, it can be positioned with high accuracy with respect to the optical axis of the optical system.
[0117]
According to the fifth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting device according to the fourth aspect, since the convex portion of the mirror fixing base is formed by etching, it is possible to increase the accuracy up to the accuracy of the semiconductor mask. .
[0118]
According to the sixth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to the fifth aspect, since the convex portion of the mirror fixing base is formed by anisotropic etching, the accuracy is improved to the accuracy of the semiconductor mask. be able to.
[0119]
According to a seventh aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting device according to any one of the first to sixth aspects, the mirror fixing base has a concave portion or a hole, and the mirror fixing base is fixed. Since the unit base has a convex portion, it can be easily and accurately positioned.
[0120]
According to an eighth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting device according to any one of the first to sixth aspects, the mirror fixing base has a convex portion, and the mirror fixing base is fixed. Since the unit base has a concave portion or a hole, positioning can be performed with higher accuracy.
[0121]
According to the ninth, tenth, and eleventh aspects of the present invention, there is provided a wavefront aberration correcting device including a wavefront aberration correcting mirror for correcting aberration by displacing a mirror surface of a mirror substrate. Since at least one point is fixed with a hard adhesive and the other is fixed with a flexible adhesive, both accurate positioning and no flatness deterioration can be realized at the same time.
[0122]
According to the twelfth aspect of the present invention, in the wavefront aberration correcting apparatus according to the ninth aspect, one point fixed with a hard adhesive is one of the four corners of the correction mirror or one of the four sides, and Since the portion fixed by the flexible adhesive is the four sides other than that point, it is resistant to vibration and the like, and both accurate positioning and no flatness deterioration can be realized at the same time.
[0123]
According to the thirteenth aspect of the present invention, there is provided an aberration correcting means on the optical axis of the laser light for correcting the aberration of the laser light, wherein the aberration correcting means is any one of the first to twelfth aspects. Since the optical pickup is characterized by using the wavefront aberration correcting device described in the section, a highly reliable optical pickup can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an example in which anisotropic etching is used for etching.
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing positioning projections designed in advance on the unit base so as to match the optical axis position.
FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration example of a wavefront aberration correction device according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a wavefront aberration correction mirror in which a mirror surface is displaced.
FIG. 15 is a diagram illustrating another example of a wavefront aberration correction mirror in which a mirror surface is displaced.
FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration example of an optical pickup.
FIG. 17 is a diagram showing another configuration example of the optical pickup.
FIG. 18 is a diagram for explaining wavefront aberration.
FIG. 19 is a diagram for explaining a conventional technique.
FIG. 20 is a diagram for explaining a conventional technique.
FIG. 21 is a diagram for explaining a conventional technique.
FIG. 22 is a diagram showing a CV, DVD disc.
FIG. 23 is a diagram illustrating a surface of a reflection film by contour lines.
[Explanation of symbols]
1 Mirror material
2 Piezoelectric materials
3 Mirror fixing part
4 Common electrode
4a Mirror substrate side individual electrode
5 individual electrodes
6 Mirror substrate
7 Insulation layer
8 Mirror fixing base
9 Etching wall
10 Wavefront aberration correction mirror
11 Optical disk
12. Objective lens and objective optical system
13 Start-up mirror
14 Polarizing beam splitter
15 Laser element and laser optical system
16. Photodetection element and photodetection optical system
21a Etching recess
21b Etching recess
21c Etching recess
21d etching recess
22 Positioning projection
23a Etching projection
23b Etching protrusion
24a Etching recess
24b etching recess
25 unit base
25a Positioning projection
25b Positioning recess
26a Etching projection
27a Hard adhesive
27b Flexible adhesive
101a, 101b Objective lens
102a, 102b disks
103a, 103b spot (coma aberration)
108 recording layer
