JP2004093667A - Liquid crystal driving circuit - Google Patents

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JP2004093667A
JP2004093667A JP2002251521A JP2002251521A JP2004093667A JP 2004093667 A JP2004093667 A JP 2004093667A JP 2002251521 A JP2002251521 A JP 2002251521A JP 2002251521 A JP2002251521 A JP 2002251521A JP 2004093667 A JP2004093667 A JP 2004093667A
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liquid crystal
signal
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mos
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JP2002251521A
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Inventor
Tatsuhiko Yonekawa
米川 達彦
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Casio Computer Co Ltd
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress wasteful power consumption including occurrence of through current as much as possible in a liquid crystal driving circuit for driving a liquid crystal display panel of a simple matrix type. <P>SOLUTION: The liquid crystal driving circuit is provided with a first detection circuit 44 which detects a variation point of a frame reverse clock CKF for carrying out AC drive of the liquid crystal display panel, a second detection circuit 40 which detects a variation point of column display signals SEGDATA given to column electrodes and a third detection circuit 60 which detects a variation point of row scanning signals COMDATA given to row electrodes. Corresponding to respective detection signals in the first to third detection circuits, supply of driving voltage to the column electrodes and the row electrodes is temporarily stopped. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、単純マトリックス型の液晶表示パネルを駆動する液晶駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、TN(Twisted Nematic)やSTN(Super Twisted Nematic)モードなどの単純マトリックス型の液晶表示パネルを駆動する回路においては、行電極と列電極を駆動する各回路の最終段にそれぞれ交流反転駆動とオン/オフ電圧用に対応した2対のMOSトランジスタを設けており、該MOSトランジスタのゲートに適切なタイミングでスイッチング用の電圧VSSを印加してオンさせることで、ソースに与えられている液晶駆動用の電圧を当該行電極ないしは列電極に供給するものとしていた。
【0003】
しかしながら、微妙なタイミングのずれにより各対のMOSトランジスタが同時にオン動作することがあり、液晶駆動用の電圧とスイッチング用の電圧VSSとの間に貫通電流を生じて、消費電流が不要に増加してしまう一因となっていた。
【0004】
そこで、液晶駆動電圧の印加タイミングに各対のMOSトランジスタを共にオフにする期間を設け、上記同時オンが起きないようにした回路が考えられた。
【0005】
図3は、そのような回路の構成を部分的に例示するものであり、ここでは列電極と行電極各1つを駆動する回路について示す。
同図で、列表示信号SEGDATAがEXノア回路11に入力される一方、行走査信号COMDATAがEXノア回路12に入力される。これらEXノア回路11,12には共にフレーム反転に同期したクロックCKFが入力されており、EXノア回路11の出力はフリップフロップ(以下「F/F」と称する)13に、EXノア回路12の出力はF/F14に入力される。
【0006】
F/F13,14は、共にデータ書換えタイミングに同期したクロックCKLCDに基づいて入力された内容に応じた信号を出力するもので、F/F13の出力はアンド回路15へ、F/F14の出力はアンド回路16へ入力される。
【0007】
これらアンド回路15,16には共に、後述する各MOS−FETを一時的にオフさせるためのクロックCKOFFBが入力され、アンド回路15の出力はレベルシフタ17へ、アンド回路16の出力はレベルシフタ18へ送出される。
【0008】
レベルシフタ17は、アンド回路15から与えられる信号電圧VDDを後述するMOS−FETの動作に適した電圧VLCDまで昇圧し、その昇圧した電圧VLCDを直接nチャネルのMOS−FET22とpチャネルのMOS−FET23の各ゲートに印加する一方で、インバータ19を介して反転してpチャネルのMOS−FET21とnチャネルのMOS−FET24の各ゲートに印加する。
【0009】
MOS−FET21,22の両ソースには列電極をオン駆動するための電圧SEGVONが印加され、MOS−FET23,24の両ソースには列電極をオフ駆動するための電圧SEGVOFFが印加される。
【0010】
しかして、上記MOS−FET21〜24のドレインが一括接続され、列電極への表示信号SEGOUTを出力する。
【0011】
一方、レベルシフタ18は、アンド回路16から与えられる信号電圧VDDを後述するMOS−FETの動作に適した電圧VLCDまで昇圧し、その昇圧した電圧VLCDを直接nチャネルのMOS−FET26とpチャネルのMOS−FET27の各ゲートに印加する一方で、インバータ20を介して反転してPチャネルのMOS−FET25とNチャネルのMOS−FET28の各ゲートに印加する。
【0012】
MOS−FET25,26の両ソースには行電極をオン駆動するための電圧COMVONが印加され、MOS−FET27,28の両ソースには行電極をオフ駆動するための電圧COMVOFFが印加される。
【0013】
しかして、上記MOS−FET25〜28のドレインが一括接続され、行電極への走査信号COMOUTを出力する。
【0014】
このような構成にあって、MOS−FET21〜28を一時的にオフさせるためのクロックCKOFFBに基づいてゲート制御を行なうアンド回路15,16を設けることにより、比較的容易にMOS−FET21〜28を共にオフにする期間を設けて、各FETの同時オンが起きないようにした。そのため、無駄に電流を消費する貫通電流が流れることを確実に防止できるようになった。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような回路構成とした場合、列電極及び行電極の各駆動波形が変化しない、貫通電流が生じないような状態でも常時アンド回路15,16が継続してオン/オフ動作を繰返すこととなり、その分無駄に電力を消費することになる。
【0016】
この点は、近年の液晶表示パネルの画素数の増大と、マルチレベル駆動のような列及び行電極を3値以上の電圧値を切換えて駆動する場合により一層顕著となる。
【0017】
本発明は上記のような実情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、貫通電流の発生を含む無駄な電力消費を極力抑えることが可能な液晶駆動回路を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、単純マトリックス型の液晶表示パネルを駆動する液晶駆動回路であって、上記液晶表示パネルを交流駆動するための交流化信号の変化点を検出する第1の検出手段と、上記液晶表示パネルの列電極に与える表示信号の変化点を検出する第2の検出手段と、上記液晶表示パネルの行電極に与える走査信号の変化点を検出する第3の検出手段と、上記第1乃至第3の検出手段の各検出信号に対応して上記列電極及び行電極への駆動電圧の供給を一時的に停止する駆動制御手段とを具備したことを特徴とする。
【0019】
このような構成とすれば、貫通電流の発生を含む無駄な電力消費を抑え、電源を有効に活用することが可能となる。
【0020】
請求項2記載の発明は、上記請求項1記載の発明において、上記駆動制御手段は、上記第1の検出手段の検出信号に対応して上記列電極及び行電極への駆動電圧の供給を一時的に停止し、上記第2の検出手段の検出信号に対応して上記列電極への駆動電圧の供給を一時的に停止し、上記第3の検出手段の検出信号に対応して上記行電極への駆動電圧の供給を一時的に停止することを特徴とする。
【0021】
このような構成とすれば、上記請求項1記載の発明の作用に加えて、各検出信号の内容に応じて列電極及び行電極を必要な系統毎に駆動制御できるため、無駄な電力消費を極力抑えることができる。
【0022】
請求項3記載の発明は、上記請求項1記載の発明において、上記第1乃至第3の検出手段の少なくとも1つは、入力された信号の変化点を微分する微分回路で構成することを特徴とする。
【0023】
このような構成とすれば、上記請求項1記載の発明の作用に加えて、検出回路を簡単な構成により実現できる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下本発明に係る液晶駆動回路の一実施形態について図面を参照して説明する。
【0025】
図1は、その回路構成を部分的に例示するものであり、ここでは列電極と行電極各1つを駆動する回路について示す。
同図で、列表示信号SEGDATAがフリップフロップ(以下「F/F」と称する)31に入力される。
【0026】
このF/F31は、データ書換えタイミングに同期したクロックCKLCDに基づいて入力された内容に応じた信号を出力するもので、その出力信号aはF/F32、EXオア回路33、アンド回路34へ送られる他、インバータ35を介して反転された後にアンド回路36へ送られる。
【0027】
上記F/F32もまた、クロックCKLCDに基づいて入力された内容に応じた信号を出力するもので、その出力信号bは上記EXオア回路33へ送られる。
上記EXオア回路33の出力信号cは、ナンド回路37に直接送られると共に、遅延回路38を介して一定時間遅延され、さらにインバータ39で反転された信号dとして上記ナンド回路37に送られる。
【0028】
しかして、上記F/F32、EXオア回路33、遅延回路38、インバータ39、及びナンド回路37により、列表示信号SEGDATAに変化が生じた際にその変化点に同期したパルスを出力する、微分回路でなる第2の検出回路40を構成するものであり、その検出信号であるナンド回路37の出力はアンド回路41に送られる。
【0029】
一方、液晶表示パネルを交流駆動するべくフレーム周期に同期したフレーム反転クロックCKFがEXノア回路42に直接入力される他、遅延回路43で一定時間遅延された後にEXノア回路42に入力される。
【0030】
これら遅延回路43及びEXノア回路42は、交流駆動のためのフレーム反転クロックCKFに変化が生じた際にその変化点に同期したパルスを出力する、微分回路でなる第1の検出回路44を構成するものであり、その検出信号であるEXノア回路42の出力は上記アンド回路41とアンド回路45に送られる。
【0031】
しかして、アンド回路41の出力信号eは、上記アンド回路34及びアンド回路36に送られる。
アンド回路34の出力信号fはレベルシフタ46へ送出される。レベルシフタ46は、アンド回路34から与えられる信号fの電圧Veを後述するMOS−FETの動作に適した電圧Vbまで昇圧し、その昇圧した電圧Vbを直接nチャネルのMOS−FET47のゲートに印加する一方で、インバータ48を介して反転してpチャネルのMOS−FET49のゲートに印加する。
【0032】
MOS−FET47,49の両ソースには列電極をオン駆動するための電圧SEGVONが印加される。
【0033】
また、上記アンド回路36の出力信号gはレベルシフタ50へ送出される。レベルシフタ50は、アンド回路36から与えられる信号gの電圧Veを後述するMOS−FETの動作に適した電圧Vbまで昇圧し、その昇圧した電圧Vbを直接nチャネルのMOS−FET51のゲートに印加する一方で、インバータ52を介して反転してpチャネルのMOS−FET53のゲートに印加する。
【0034】
MOS−FET51,53の両ソースには列電極をオフ駆動するための電圧SEGVOFFが印加される。
【0035】
しかして、上記MOS−FET47,49,51,53のドレインが一括接続され、列電極への表示信号SEGOUTを出力する。
【0036】
また、行走査信号COMDATAがF/F54に入力される。このF/F54は、データ書換えタイミングに同期したクロックCKLCDに基づいて入力された内容に応じた信号を出力するもので、その出力信号hはEXノア回路55、遅延回路56、アンド回路57へ送られる他、インバータ58を介して反転された後にアンド回路59へ送られる。
【0037】
遅延回路56は、上記F/F54の出力信号hを一定時間遅延してEXノア回路55へ出力する。このEXノア回路55と遅延回路56とにより、行走査信号COMDATAに変化が生じた際にその変化点に同期したパルスを出力する、微分回路でなる第3の検出回路60を構成するものであり、その検出信号であるEXノア回路55の出力は上記アンド回路45に送られる。
【0038】
アンド回路45の出力信号iは、上記アンド回路57及びアンド回路59に送られる。
アンド回路57の出力信号jはレベルシフタ61へ送出される。レベルシフタ61は、アンド回路57から与えられる信号jの電圧Veを後述するMOS−FETの動作に適した電圧Vbまで昇圧し、その昇圧した電圧Vbを直接nチャネルのMOS−FET62のゲートに印加する一方で、インバータ63を介して反転してpチャネルのMOS−FET64のゲートに印加する。
【0039】
MOS−FET62,64の両ソースには行電極をオン駆動するための電圧COMVONが印加される。
【0040】
また、上記アンド回路59の出力信号kはレベルシフタ65へ送出される。レベルシフタ65は、アンド回路59から与えられる信号kの電圧Veを後述するMOS−FETの動作に適した電圧Vbまで昇圧し、その昇圧した電圧Vbを直接nチャネルのMOS−FET66のゲートに印加する一方で、インバータ67を介して反転してpチャネルのMOS−FET68のゲートに印加する。
【0041】
MOS−FET66,68の両ソースには行電極をオフ駆動するための電圧COMVOFFが印加される。
【0042】
しかして、上記MOS−FET62,64,66,68のドレインが一括接続され、行電極への走査信号COMOUTを出力する。
【0043】
次に上記実施形態の動作について説明する。
【0044】
図2は上記図1の各部の動作タイミングを示すものである。
【0045】
同図中、図2(1)に示すフレーム反転クロックCKFに同期して、列電極用の電圧SEGVON,SEGVOFFが図2(2),(3)に示すように変化し、これに対応して行電極用の電圧COMVON,COMVOFFが図2(16),(17)に示すように変化するものとする。
【0046】
加えて、F/F31,32,54を動作させるクロックCKLCDが図2(4)に示すように与えられるものとする。
【0047】
列電極系の駆動回路において、第1の検出回路44は、フレーム反転クロックCKFの変化点を微分するように動作するため、そのEXノア回路42の出力は各変化点に忠実に対応した図2(6)に示すようなものとなり、これがアンド回路41に入力される。
【0048】
これに対し、列電極に与えるための列表示信号SEGDATAが図2(5)に示すように与えられると、上記クロックCKLCDによって動作するF/F31の出力信号aは図2(7)に示すようになり、同様に第2の検出回路40内のF/F32の出力信号bはさらに上記クロックCKLCDの1周期分遅延して図2(8)に示すようになる。
【0049】
したがって、これら信号a,bによりEXオア回路33の出力信号cは図2(9)に示すようになり、その遅延及び反転出力である信号dは図2(10)に示すようになる。
【0050】
これらの信号c,dにより第2の検出回路40の検出出力であるナンド回路37の出力信号は、前後のデータに変化を生じた場合にのみ対応するような図2(11)に示すものとなる。
【0051】
結果としてアンド回路41の出力信号eは、上記第1の検出回路44の出力と第2の検出回路40の出力とにより図2(12)に示すように、フレーム反転クロックCKFの変化点を検出した際には必ず反応し、且つこれに列表示信号SEGDATAの変化が生じたタイミングで反応したものとなる。
【0052】
これをゲート信号としてアンド回路34,36に与えて、列表示信号SEGDATAをF/F31を介した信号aを適宜有効とすることにより、各出力信号f,gが図2(13),(14)に示すようにMOS−FET47,49,51,53の各ゲートを上記第1の検出回路44と第2の検出回路40の検出結果に対応してオフする信号として与えられることとなる。
【0053】
その結果、図2(15)に示す如く実際に列電極に印加される表示信号SEGOUTは、各電位の変化点毎に上記信号eのパルス幅に応じて一時的に離散して与えられることとなる。
【0054】
一方、行電極の駆動回路においても、上記第1の検出回路44の検出出力であるEXノア回路42の出力はアンド回路45に入力されている。
【0055】
これに対し、行電極に与えるための行走査信号COMDATAが図2(18)に示すように与えられると、上記クロックCKLCDによって動作するF/F54の出力信号hは図2(19)に示すようになり、第3の検出回路60の検出信号であるEXノア回路55の出力信号は、やはり前後のデータに変化を生じた場合にのみ対応するような図2(20)に示すものとなる。
【0056】
結果としてアンド回路45の出力信号iは、上記第1の検出回路44の出力と第3の検出回路60の出力とにより図2(21)に示すように、フレーム反転クロックCKFの変化点を検出した際には必ず反応し、且つこれに行走査信号COMDATAの変化が生じたタイミングで反応したものとなる。
【0057】
これをゲート信号としてアンド回路57,59に与えて、行走査信号COMDATAをF/F54を介した信号hを適宜有効とすることにより、各出力信号j,kが図2(22),(23)に示すようにMOS−FET62,64,66,68の各ゲートを上記第1の検出回路44と第3の検出回路60の検出結果に対応してオフする信号として与えられることとなる。
【0058】
その結果、図2(24)に示す如く実際に行電極に印加される走査信号COMOUTは、各電位の変化点毎に上記信号iのパルス幅に応じて一時的に離散して与えられることとなる。
【0059】
このように、液晶表示パネルを交流駆動するための信号であるフレーム反転クロックCKFの変化点においては、全ての電極電圧が変化するために第1の検出回路44によりこれを検出して列電極系のMOS−FET47,49,51,53と行電極系のMOS−FET62,64,66,68を共に必ずオフするものとした。
【0060】
これに加えて、列表示信号SEGDATAの変化点においてはその前後のデータの変化を第2の検出回路40により検出することで、列電極系のMOS−FET47,49,51,53を適宜オフするものとした。
【0061】
同様に、行走査信号COMDATAの変化点においてもその前後のデータの変化を第3の検出回路60により検出することで、行電極系のMOS−FET62,64,66,68を適宜オフするものとした。
【0062】
したがって、フレーム反転クロックCKFと列表示信号SEGDATA、及び行走査信号COMDATAの内容に対応して、貫通電流が発生し得る場合には確実にその期間だけ電極駆動系のMOS−FETをオフ動作させる一方で、貫通電流が発生しないと思われる場合には無駄な回路動作を抑制するものとしたため、特に容量が制限された電池を電源とする場合であっても、より効率的に長い時間にわたってその供給電力を使用することができる。
【0063】
なお、上記実施形態では、第1の検出回路44、第2の検出回路40、及び第3の検出回路60を全て微分回路で構成するものとして説明したが、いずれの検出回路もその具体的な回路構成について本発明を本実施形態に限定するものではなく、また微分回路以外の回路で構成するものとしてもよい。
【0064】
その他、本発明は上記実施形態に限らず、その要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することが可能であるものとする。
【0065】
さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0066】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、貫通電流の発生を含む無駄な電力消費を抑え、電源を有効に活用することが可能となる。
【0067】
請求項2記載の発明によれば、上記請求項1記載の発明の効果に加えて、各検出信号の内容に応じて列電極及び行電極を必要な系統毎に駆動制御できるため、無駄な電力消費を極力抑えることができる。
【0068】
請求項3記載の発明によれば、上記請求項1記載の発明の効果に加えて、検出回路を簡単な構成により実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る液晶駆動回路の一部構成を示す図。
【図2】同実施形態に係る信号の処理状態を示すタイミングチャート。
【図3】一般的な単純マトリックス型の液晶表示パネル用の液晶駆動回路の一部構成を示す図。
【符号の説明】
11,12…EXノア回路
13,14…フリップフロップ(F/F)
15,16…アンド回路
17,18…レベルシフタ
19,20…インバータ
21,23…(pチャネル)MOS−FET
22,24…(nチャネル)MOS−FET
31,32…フリップフロップ(F/F)
33…EXオア回路
34,36,41,45…アンド回路
35,39,48,52…インバータ
37…ナンド回路
38…遅延回路
40…第2の検出回路
42…EXノア回路
43…遅延回路
44…第1の検出回路
46,50…レベルシフタ
47,51…(nチャネル)MOS−FET
49,53…(pチャネル)MOS−FET
54…フリップフロップ(F/F)
55…EXノア回路
56…遅延回路
57,59…アンド回路
58,63,67…インバータ
60…第3の検出回路
61,65…レベルシフタ
62,66…(nチャネル)MOS−FET
64,68…(pチャネル)MOS−FET
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal drive circuit for driving a simple matrix type liquid crystal display panel.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in a circuit for driving a simple matrix type liquid crystal display panel such as a TN (Twisted Nematic) or STN (Super Twisted Nematic) mode, an AC inversion drive is provided at the last stage of each circuit for driving a row electrode and a column electrode. Two pairs of MOS transistors corresponding to the ON / OFF voltages are provided, and a switching voltage VSS is applied to the gate of the MOS transistor at an appropriate timing to turn on the MOS transistor, so that a liquid crystal drive applied to the source is provided. Is supplied to the row electrode or the column electrode.
[0003]
However, each pair of MOS transistors may be turned on at the same time due to a slight timing shift, and a through current is generated between the liquid crystal driving voltage and the switching voltage VSS, so that current consumption is unnecessarily increased. Was one of the causes.
[0004]
Therefore, a circuit was considered in which a period in which both pairs of MOS transistors were turned off was provided at the application timing of the liquid crystal drive voltage so that the above simultaneous ON did not occur.
[0005]
FIG. 3 partially illustrates the configuration of such a circuit. Here, a circuit for driving one column electrode and one row electrode will be described.
In the figure, the column display signal SEGDATA is input to the EX NOR circuit 11, while the row scanning signal COMDATA is input to the EX NOR circuit 12. A clock CKF synchronized with frame inversion is input to each of the EX NOR circuits 11 and 12, and the output of the EX NOR circuit 11 is supplied to a flip-flop (hereinafter, referred to as “F / F”) 13 and the EX NOR circuit 12. The output is input to F / F14.
[0006]
The F / Fs 13 and 14 both output signals corresponding to the input contents based on the clock CKLCD synchronized with the data rewriting timing. The output of the F / F 13 is to the AND circuit 15 and the output of the F / F 14 is The signal is input to the AND circuit 16.
[0007]
A clock CKOFFB for temporarily turning off each MOS-FET to be described later is input to each of these AND circuits 15 and 16, and the output of the AND circuit 15 is sent to the level shifter 17 and the output of the AND circuit 16 is sent to the level shifter 18. Is done.
[0008]
The level shifter 17 boosts the signal voltage VDD supplied from the AND circuit 15 to a voltage VLCD suitable for the operation of the MOS-FET described later, and directly increases the boosted voltage VLCD to the n-channel MOS-FET 22 and the p-channel MOS-FET 23 , While being inverted via an inverter 19 and applied to the gates of a p-channel MOS-FET 21 and an n-channel MOS-FET 24.
[0009]
A voltage SEGVON for driving the column electrode on is applied to both sources of the MOS-FETs 21 and 22, and a voltage SEGVOFF for driving the column electrode off is applied to both sources of the MOS-FETs 23 and 24.
[0010]
Thus, the drains of the MOS-FETs 21 to 24 are connected collectively and output the display signal SEGOUT to the column electrode.
[0011]
On the other hand, the level shifter 18 boosts the signal voltage VDD supplied from the AND circuit 16 to a voltage VLCD suitable for the operation of the MOS-FET described later, and directly raises the boosted voltage VLCD to the n-channel MOS-FET 26 and the p-channel MOS -Apply to each gate of the FET 27 while inverting via the inverter 20 and apply to each gate of the P-channel MOS-FET 25 and the N-channel MOS-FET 28.
[0012]
A voltage COMVON for driving the row electrode on is applied to both sources of the MOS-FETs 25 and 26, and a voltage COMVOFF for driving the row electrode off is applied to both sources of the MOS-FETs 27 and 28.
[0013]
Thus, the drains of the MOS-FETs 25 to 28 are connected collectively, and the scanning signal COMOUT to the row electrode is output.
[0014]
In such a configuration, by providing AND circuits 15 and 16 for performing gate control based on a clock CKOFFB for temporarily turning off the MOS-FETs 21 to 28, the MOS-FETs 21 to 28 can be relatively easily mounted. A period in which both are turned off is provided to prevent simultaneous turning on of each FET. Therefore, it is possible to reliably prevent the flow of a through current that wastes current.
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of the circuit configuration as described above, the AND circuits 15 and 16 continuously repeat the on / off operation even in a state where the drive waveforms of the column electrodes and the row electrodes do not change and a through current does not occur. As a result, power is consumed wastefully.
[0016]
This point becomes more prominent in recent years when the number of pixels of the liquid crystal display panel is increased and when column and row electrodes are driven by switching three or more voltage values such as multi-level driving.
[0017]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal drive circuit capable of minimizing wasteful power consumption including generation of a through current.
[0018]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 is a liquid crystal drive circuit for driving a simple matrix type liquid crystal display panel, wherein the first detection means detects a change point of an AC signal for AC driving the liquid crystal display panel. A second detecting means for detecting a changing point of a display signal applied to a column electrode of the liquid crystal display panel; a third detecting means for detecting a changing point of a scanning signal applied to a row electrode of the liquid crystal display panel; And a drive control means for temporarily stopping supply of a drive voltage to the column electrode and the row electrode in accordance with each detection signal of the first to third detection means.
[0019]
With such a configuration, useless power consumption including generation of a through current is suppressed, and the power supply can be used effectively.
[0020]
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the drive control means temporarily supplies a drive voltage to the column electrode and the row electrode in response to a detection signal of the first detection means. And the supply of the driving voltage to the column electrode is temporarily stopped in response to the detection signal of the second detection means, and the row electrode is stopped in response to the detection signal of the third detection means. The method is characterized in that the supply of the driving voltage to is temporarily stopped.
[0021]
With such a configuration, in addition to the operation of the first aspect of the present invention, the column electrode and the row electrode can be driven and controlled for each necessary system in accordance with the content of each detection signal. It can be suppressed as much as possible.
[0022]
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, at least one of the first to third detecting means is constituted by a differentiating circuit for differentiating a change point of an input signal. And
[0023]
With such a configuration, the detection circuit can be realized with a simple configuration in addition to the operation of the first aspect of the present invention.
[0024]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of a liquid crystal drive circuit according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[0025]
FIG. 1 partially illustrates the circuit configuration. Here, a circuit for driving one column electrode and one row electrode is shown.
In the figure, a column display signal SEGDATA is input to a flip-flop (hereinafter, referred to as “F / F”) 31.
[0026]
The F / F 31 outputs a signal corresponding to the input content based on the clock CKLCD synchronized with the data rewriting timing. The output signal a is transmitted to the F / F 32, the EX OR circuit 33, and the AND circuit 34. In addition, the signal is inverted by the inverter 35 and then sent to the AND circuit 36.
[0027]
The F / F 32 also outputs a signal corresponding to the input content based on the clock CKLCD, and the output signal b is sent to the EX OR circuit 33.
The output signal c of the EX OR circuit 33 is directly sent to the NAND circuit 37, is also delayed for a predetermined time via a delay circuit 38, and is sent to the NAND circuit 37 as a signal d inverted by an inverter 39.
[0028]
The F / F 32, the EX OR circuit 33, the delay circuit 38, the inverter 39, and the NAND circuit 37 output a pulse synchronized with the change point when the column display signal SEGDATA changes. The output of the NAND circuit 37, which is a detection signal of the second detection circuit 40, is sent to the AND circuit 41.
[0029]
On the other hand, the frame inversion clock CKF synchronized with the frame period for AC driving of the liquid crystal display panel is directly input to the EX NOR circuit 42, and is also input to the EX NOR circuit 42 after being delayed by a delay circuit 43 for a predetermined time.
[0030]
The delay circuit 43 and the EX NOR circuit 42 constitute a first detection circuit 44 composed of a differentiating circuit that outputs a pulse synchronized with a change point when a change occurs in the frame inversion clock CKF for AC driving. The output of the EX NOR circuit 42, which is the detection signal, is sent to the AND circuits 41 and 45.
[0031]
The output signal e of the AND circuit 41 is sent to the AND circuit 34 and the AND circuit 36.
The output signal f of the AND circuit 34 is sent to the level shifter 46. The level shifter 46 boosts the voltage Ve of the signal f supplied from the AND circuit 34 to a voltage Vb suitable for the operation of the MOS-FET described later, and applies the boosted voltage Vb directly to the gate of the n-channel MOS-FET 47. On the other hand, it is inverted through an inverter 48 and applied to the gate of a p-channel MOS-FET 49.
[0032]
A voltage SEGVON for turning on the column electrode is applied to both sources of the MOS-FETs 47 and 49.
[0033]
The output signal g of the AND circuit 36 is sent to the level shifter 50. The level shifter 50 boosts the voltage Ve of the signal g supplied from the AND circuit 36 to a voltage Vb suitable for the operation of the MOS-FET described later, and applies the boosted voltage Vb directly to the gate of the n-channel MOS-FET 51. On the other hand, it is inverted through the inverter 52 and applied to the gate of the p-channel MOS-FET 53.
[0034]
A voltage SEGVOFF for driving the column electrode off is applied to both sources of the MOS-FETs 51 and 53.
[0035]
Thus, the drains of the MOS-FETs 47, 49, 51, and 53 are connected together and output a display signal SEGOUT to the column electrode.
[0036]
Further, the row scanning signal COMDATA is input to the F / F 54. The F / F 54 outputs a signal corresponding to the input content based on the clock CKLCD synchronized with the data rewriting timing. The output signal h is sent to the EX NOR circuit 55, the delay circuit 56, and the AND circuit 57. After being inverted by the inverter 58, the signal is sent to the AND circuit 59.
[0037]
The delay circuit 56 outputs the output signal h of the F / F 54 to the EX NOR circuit 55 with a predetermined delay. The EX NOR circuit 55 and the delay circuit 56 constitute a third detection circuit 60 that is a differentiation circuit that outputs a pulse synchronized with the change point when the row scanning signal COMDATA changes. The output of the EX NOR circuit 55, which is the detection signal, is sent to the AND circuit 45.
[0038]
The output signal i of the AND circuit 45 is sent to the AND circuits 57 and 59.
The output signal j of the AND circuit 57 is sent to the level shifter 61. The level shifter 61 boosts the voltage Ve of the signal j given from the AND circuit 57 to a voltage Vb suitable for the operation of the MOS-FET described later, and applies the boosted voltage Vb directly to the gate of the n-channel MOS-FET 62. On the other hand, it is inverted via the inverter 63 and applied to the gate of the p-channel MOS-FET 64.
[0039]
A voltage COMVON for turning on the row electrode is applied to both sources of the MOS-FETs 62 and 64.
[0040]
The output signal k of the AND circuit 59 is sent to the level shifter 65. The level shifter 65 boosts the voltage Ve of the signal k supplied from the AND circuit 59 to a voltage Vb suitable for the operation of the MOS-FET described later, and applies the boosted voltage Vb directly to the gate of the n-channel MOS-FET 66. On the other hand, it is inverted through the inverter 67 and applied to the gate of the p-channel MOS-FET 68.
[0041]
A voltage COMVOFF for turning off the row electrode is applied to both sources of the MOS-FETs 66 and 68.
[0042]
Thus, the drains of the MOS-FETs 62, 64, 66, and 68 are collectively connected to output a scanning signal COMOUT to the row electrode.
[0043]
Next, the operation of the above embodiment will be described.
[0044]
FIG. 2 shows the operation timing of each unit in FIG.
[0045]
In this figure, the voltages SEGVON and SEGVOFF for the column electrodes change as shown in FIGS. 2 (2) and (3) in synchronization with the frame inversion clock CKF shown in FIG. 2 (1). It is assumed that the voltages COMVON and COMVOFF for the row electrodes change as shown in FIGS.
[0046]
In addition, a clock CKLCD for operating the F / Fs 31, 32, 54 is given as shown in FIG. 2 (4).
[0047]
In the driving circuit of the column electrode system, the first detection circuit 44 operates so as to differentiate the change point of the frame inversion clock CKF. Therefore, the output of the EX NOR circuit 42 corresponds to each change point in FIG. This is as shown in (6), which is input to the AND circuit 41.
[0048]
On the other hand, when the column display signal SEGDATA to be applied to the column electrode is applied as shown in FIG. 2 (5), the output signal a of the F / F 31 operated by the clock CKLCD becomes as shown in FIG. 2 (7). Similarly, the output signal b of the F / F 32 in the second detection circuit 40 is further delayed by one cycle of the clock CKLCD, as shown in FIG.
[0049]
Therefore, the output signal c of the EX OR circuit 33 becomes as shown in FIG. 2 (9) by these signals a and b, and its delayed and inverted output signal d becomes as shown in FIG. 2 (10).
[0050]
By these signals c and d, the output signal of the NAND circuit 37, which is the detection output of the second detection circuit 40, corresponds to that shown in FIG. Become.
[0051]
As a result, the output signal e of the AND circuit 41 detects the change point of the frame inversion clock CKF from the output of the first detection circuit 44 and the output of the second detection circuit 40 as shown in FIG. When the column display signal SEGDATA changes, it always reacts when it occurs.
[0052]
This is supplied to the AND circuits 34 and 36 as a gate signal, and the column display signal SEGDATA is appropriately made valid for the signal a via the F / F 31 so that the output signals f and g are changed to those shown in FIGS. ), The gates of the MOS-FETs 47, 49, 51, and 53 are supplied as signals that turn off the gates corresponding to the detection results of the first detection circuit 44 and the second detection circuit 40.
[0053]
As a result, as shown in FIG. 2 (15), the display signal SEGOUT actually applied to the column electrode is temporarily and discretely provided at each change point of the potential in accordance with the pulse width of the signal e. Become.
[0054]
On the other hand, also in the row electrode drive circuit, the output of the EX NOR circuit 42, which is the detection output of the first detection circuit 44, is input to the AND circuit 45.
[0055]
On the other hand, when a row scanning signal COMDATA to be applied to the row electrodes is applied as shown in FIG. 2 (18), the output signal h of the F / F 54 operated by the clock CKLCD becomes as shown in FIG. 2 (19). The output signal of the EX NOR circuit 55, which is a detection signal of the third detection circuit 60, is as shown in FIG. 2 (20), which also corresponds only when a change occurs in the preceding and following data.
[0056]
As a result, the output signal i of the AND circuit 45 detects the change point of the frame inversion clock CKF from the output of the first detection circuit 44 and the output of the third detection circuit 60 as shown in FIG. When the row scanning signal COMDATA changes, it always responds to the change.
[0057]
This is supplied to AND circuits 57 and 59 as a gate signal, and the row scanning signal COMDATA is made effective as appropriate to the signal h via the F / F 54, so that the output signals j and k are changed as shown in FIGS. ), The gates of the MOS-FETs 62, 64, 66, and 68 are supplied as signals that turn off the gates in accordance with the detection results of the first detection circuit 44 and the third detection circuit 60.
[0058]
As a result, as shown in FIG. 2 (24), the scanning signal COMOUT actually applied to the row electrode is temporarily discretely provided according to the pulse width of the signal i at each change point of each potential. Become.
[0059]
As described above, at the changing point of the frame inversion clock CKF which is a signal for AC driving the liquid crystal display panel, since all the electrode voltages change, the first detection circuit 44 detects this and detects the column electrode system. , And the MOS-FETs 62, 64, 66, and 68 of the row electrode system are always turned off.
[0060]
In addition, at the changing point of the column display signal SEGDATA, a change in data before and after the change is detected by the second detection circuit 40, so that the MOS-FETs 47, 49, 51, 53 of the column electrode system are appropriately turned off. It was taken.
[0061]
Similarly, at the changing point of the row scanning signal COMDATA, a change in data before and after the changing point is detected by the third detection circuit 60, so that the MOS-FETs 62, 64, 66, and 68 of the row electrode system are appropriately turned off. did.
[0062]
Therefore, if a through current can be generated in accordance with the contents of the frame inversion clock CKF, the column display signal SEGDATA, and the row scanning signal COMDATA, the MOS-FET of the electrode drive system is turned off during the period without fail. Therefore, when it is considered that a through current does not occur, useless circuit operation is suppressed. Therefore, even when a battery having a limited capacity is used as a power source, the supply of the battery can be performed more efficiently for a long time. Power can be used.
[0063]
In the above-described embodiment, the first detection circuit 44, the second detection circuit 40, and the third detection circuit 60 are all described as being constituted by differentiating circuits. The circuit configuration of the present invention is not limited to the present embodiment, and may be configured by a circuit other than the differentiating circuit.
[0064]
In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.
[0065]
Further, the embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some components are deleted from all the components shown in the embodiment, at least one of the problems described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and the problem described in the column of the effect of the invention can be solved. If at least one of the effects described above can be obtained, a configuration from which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.
[0066]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, it is possible to suppress wasteful power consumption including generation of a through current and to effectively use a power supply.
[0067]
According to the second aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect of the present invention, the driving of the column electrode and the row electrode can be controlled for each necessary system according to the content of each detection signal, so that wasteful power is consumed. Consumption can be minimized.
[0068]
According to the third aspect of the invention, in addition to the effects of the first aspect of the invention, the detection circuit can be realized with a simple configuration.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a partial configuration of a liquid crystal drive circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a timing chart showing a signal processing state according to the embodiment;
FIG. 3 is a diagram showing a partial configuration of a liquid crystal drive circuit for a general simple matrix type liquid crystal display panel.
[Explanation of symbols]
11, 12 EX NOR circuits 13, 14 Flip-flop (F / F)
15, 16 AND circuits 17, 18, level shifters 19, 20 inverters 21, 23 (p-channel) MOS-FETs
22, 24 ... (n-channel) MOS-FET
31, 32 ... Flip-flop (F / F)
33 EX OR circuits 34, 36, 41, 45 AND circuits 35, 39, 48, 52 inverter 37 NAND circuit 38 delay circuit 40 second detection circuit 42 EX NOR circuit 43 delay circuit 44 First detection circuits 46, 50... Level shifters 47, 51... (N-channel) MOS-FET
49, 53 ... (p-channel) MOS-FET
54 ... Flip-flop (F / F)
55 EX NOR circuit 56 delay circuits 57, 59 AND circuits 58, 63, 67 inverter 60 third detection circuits 61, 65 level shifters 62, 66 (n-channel) MOS-FET
64, 68 ... (p-channel) MOS-FET

Claims (3)

単純マトリックス型の液晶表示パネルを駆動する液晶駆動回路であって、
上記液晶表示パネルを交流駆動するための交流化信号の変化点を検出する第1の検出手段と、
上記液晶表示パネルの列電極に与える表示信号の変化点を検出する第2の検出手段と、
上記液晶表示パネルの行電極に与える走査信号の変化点を検出する第3の検出手段と、
上記第1乃至第3の検出手段の各検出信号に対応して上記列電極及び行電極への駆動電圧の供給を一時的に停止する駆動制御手段と
を具備したことを特徴とする液晶駆動回路。
A liquid crystal drive circuit for driving a simple matrix type liquid crystal display panel,
First detecting means for detecting a change point of an AC signal for AC driving the liquid crystal display panel;
Second detection means for detecting a change point of a display signal applied to a column electrode of the liquid crystal display panel;
Third detection means for detecting a change point of a scanning signal applied to a row electrode of the liquid crystal display panel;
A liquid crystal drive circuit comprising: drive control means for temporarily stopping supply of a drive voltage to the column electrode and the row electrode in response to each detection signal of the first to third detection means. .
上記駆動制御手段は、
上記第1の検出手段の検出信号に対応して上記列電極及び行電極への駆動電圧の供給を一時的に停止し、
上記第2の検出手段の検出信号に対応して上記列電極への駆動電圧の供給を一時的に停止し、
上記第3の検出手段の検出信号に対応して上記行電極への駆動電圧の供給を一時的に停止する
ことを特徴とする請求項1記載の液晶駆動回路。
The drive control means includes:
Temporarily stopping the supply of the drive voltage to the column electrodes and the row electrodes in response to the detection signal of the first detection means,
Temporarily stopping the supply of the drive voltage to the column electrodes in response to the detection signal of the second detection means,
2. The liquid crystal drive circuit according to claim 1, wherein supply of a drive voltage to said row electrodes is temporarily stopped in response to a detection signal of said third detection means.
上記第1乃至第3の検出手段の少なくとも1つは、入力された信号の変化点を微分する微分回路で構成することを特徴とする請求項1記載の液晶駆動回路。2. The liquid crystal driving circuit according to claim 1, wherein at least one of said first to third detecting means is constituted by a differentiating circuit for differentiating a change point of an input signal.
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