JP2004093560A - Radiation image conversion panel - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation image conversion panel assuring a high sensitivity, high moistureproofness, and excellent durability, generating images of good workmanship, and capable of making service in good condition for a long period of time. <P>SOLUTION: The radiation image conversion panel is structured so that a stimulable phosphor layer 2 is formed on a support 3 by means of evaporation and includes a protection layer 4 structured by a vacuum deposition process so that a fundamental inorganic layer 6, a first higher order inorganic layer 7, a second higher order inorganic layer 8 are formed on a base material 5 in the sequence as named. That side of the protection layer positioned with the second higher order inorganic layer 8 and the phosphor layer 2 are adhered together by adhesive or subjected to a decompressive lamination process. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

 本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネルに関するものである。 The present invention relates to a radiation image conversion panel used in a radiation image conversion method using a stimulable phosphor.

 従来の放射線写真法に代わる方法として、たとえば特許文献1に記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射線像変換方法が知られている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線像変換パネル(蓄積性蛍光体シート)を利用するもので、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた放射線をパネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののちに輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波(励起光)で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光(輝尽発光光)として放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電気信号を得、次いで得られた電気信号に基づいて被写体あるいは被検体の放射線画像を可視像として再生するものである。読取りを終えたパネルは、残存する画像の消去が行なわれた後、次の撮影のために備えられる。すなわち、放射線像変換パネルは繰り返し使用される。 For example, a radiation image conversion method using a photostimulable phosphor as described in Patent Document 1 is known as an alternative to the conventional radiographic method. This method uses a radiation image conversion panel (storable phosphor sheet) containing a stimulable phosphor, and the radiation transmitted through the subject or emitted from the subject is the stimulable phosphor of the panel. Then, the stimulable phosphor is excited in a time series with electromagnetic waves (excitation light) such as visible light and infrared light, and the radiation energy accumulated in the stimulable phosphor is fluorescent ( The fluorescence is photoelectrically read to obtain an electrical signal, and then a radiographic image of the subject or subject is reproduced as a visible image based on the obtained electrical signal. The panel which has finished reading is prepared for the next photographing after the remaining image is erased. That is, the radiation image conversion panel is used repeatedly.

 この放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せを用いる放射線写真法による場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点がある。さらに、従来の放射線写真法では一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線像変換方法では放射線像変換パネルを繰返し使用するので資源保護、経済効率の面からも有利である。 According to this radiographic image conversion method, it is possible to obtain a radiographic image with a large amount of information with a much smaller exposure dose than in the case of the radiographic method using a combination of a conventional radiographic film and an intensifying screen. There is an advantage that you can. Furthermore, the conventional radiographic method consumes a radiographic film for each radiographing, whereas this radiographic image conversion method uses a radiographic image conversion panel repeatedly, which is advantageous from the viewpoint of resource protection and economic efficiency. It is.

 このように、放射線像変換方法は非常に有利な画像形成方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルも従来の放射線写真法に用いられる増感紙と同様に、高感度で良好な画質を与えるものであって、放射線画像の画質を劣化させることなく長期間の使用に耐える性能を有するものであることが望ましい。 As described above, the radiation image conversion method is a very advantageous image forming method. However, the radiation image conversion panel used in this method is high in sensitivity and good like the intensifying screen used in conventional radiography. It is desirable to provide an image quality and to have a capability of withstanding long-term use without degrading the image quality of the radiation image.

 しかし、放射線像変換パネルの製造に用いられる輝尽性蛍光体は一般に吸湿性が大きく、通常の気候条件の室内に放置すると空気中の水分を吸収し、吸収した水分の増大にともなって蛍光体の放射線感度が低下し、時間の経過とともに著しく劣化するという問題があった。 However, photostimulable phosphors used in the production of radiation image conversion panels are generally highly hygroscopic and absorb moisture in the air when left in a room with normal climatic conditions. There was a problem that the radiation sensitivity of the resin deteriorated and deteriorated with time.

 また、一般に、輝尽性蛍光体に記録された放射線画像の潜像は、放射線照射後の時間の経過にともなって退行するため、再生される放射線画像信号の強度は放射線照射から励起光による走査までの時間が長いほど小さくなるという性質を有するが、輝尽性蛍光体が吸湿するとこの潜像退行の速さが速くなるため、吸湿した輝尽性蛍光体を有する放射線像変換パネルを用いると、放射線画像の読み取り時における再生信号の再現性が低下する傾向にあった。 In general, the latent image of the radiographic image recorded on the photostimulable phosphor is regressed with the lapse of time after irradiation, so that the intensity of the reconstructed radiographic image signal is scanned from the irradiation to the excitation light. However, if the stimulable phosphor absorbs moisture, the latent image retraction speed increases, so when using a radiation image conversion panel having a moisture-stimulated phosphor. The reproducibility of the reproduction signal at the time of reading the radiation image tended to decrease.

 上記のような輝尽性蛍光体の吸湿による劣化現象を防止するために、透湿度の低い防湿性保護層として、例えば、三フッ化塩化エチレン等のフィルムで輝尽性蛍光体を被覆することにより蛍光体層に到達する水分を低減させる方法がとられてきた。しかし、上記三フッ化塩化エチレン等のフィルムは高価であり厚みも大きく、フロンを原料として作られるために環境負荷が大きいという問題がある。 In order to prevent the deterioration phenomenon due to moisture absorption of the photostimulable phosphor as described above, the photostimulable phosphor is coated with, for example, a film of ethylene trifluorochloride as a moisture-proof protective layer having a low moisture permeability. Thus, a method of reducing moisture reaching the phosphor layer has been taken. However, the films of ethylene trifluorochloride and the like are expensive and large in thickness, and have a problem that the environmental load is large because they are made from chlorofluorocarbon.

 このような問題を解決すべく、例えば特許文献2には、吸湿性の異なる2種類の保護層のうち、より吸湿性の高い層を蛍光体層側に設けた構成が記載されている。また、特許文献3には、窒素と酸素を含むケイ素化合物を保護層に含有させた構成が記載されている。しかし、特許文献2及び特許文献3に記載されている構成によって達成される防湿度は必ずしも満足できるレベルのものではない。 In order to solve such a problem, for example, Patent Document 2 describes a configuration in which a higher hygroscopic layer is provided on the phosphor layer side among two types of protective layers having different hygroscopic properties. Patent Document 3 describes a configuration in which a silicon compound containing nitrogen and oxygen is contained in a protective layer. However, the moisture proof achieved by the configurations described in Patent Document 2 and Patent Document 3 is not always satisfactory.

 電界蛍光灯用として特許文献4には、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に金属酸化物、窒化ケイ素などの薄膜を蒸着したフィルムを2〜8枚積層してなる積層フィルムを使用する方法が記載されている。 Patent Document 4 describes a method of using a laminated film obtained by laminating 2 to 8 films obtained by vapor-depositing a thin film such as a metal oxide or silicon nitride on a polyethylene terephthalate (PET) film. ing.

 一方、放射線像変換パネル用としては、特許文献5に、少なくとも1層以上の金属酸化物を蒸着した樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルムが層状に接着されてなる積層フィルムを蛍光体層面側に設けたものが記載されている。
特開昭55−12145号公報 特公平4−76440号公報 特許第1927597号公報 特開平10−12376号公報 特開平11−344698号公報
On the other hand, for a radiation image conversion panel, in Patent Document 5, a laminated film formed by laminating a plurality of resin films including a resin film on which at least one metal oxide is deposited is provided on the phosphor layer surface side. Are listed.
Japanese Patent Laid-Open No. 55-12145 Japanese Examined Patent Publication No. 4-76440 Japanese Patent No. 1927597 Japanese Patent Laid-Open No. 10-12376 JP-A-11-344698

 しかし、特許文献4に記載の方法では、防湿性保護フィルムに起因する画像欠陥や、防湿性保護フィルムと蛍光体面との接着状態に起因する画像欠陥等の問題が生じ、専ら病気診断用に使用される放射線像変換パネル用の防湿性保護フィルムとしては採用することはできない。また、特許文献5に記載の放射線像変換パネルは、積層フィルムが接着層によって接着されているため、その接着状態によっては画像にムラが発生し、また防湿層全体が厚くなって画質が劣化してしまうという問題がある。 However, the method described in Patent Document 4 causes problems such as image defects caused by the moisture-proof protective film and image defects caused by the adhesion state between the moisture-proof protective film and the phosphor surface, and is used exclusively for disease diagnosis. It cannot be employed as a moisture-proof protective film for a radiation image conversion panel. Further, in the radiation image conversion panel described in Patent Document 5, since the laminated film is adhered by the adhesive layer, unevenness occurs in the image depending on the adhesion state, and the entire moisture-proof layer becomes thick and the image quality deteriorates. There is a problem that it ends up.

 本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、防湿性、耐久性に優れ、長期間良好な状態で使用することのできる高感度で良好な画質を与える放射線像変換パネルを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a radiation image conversion panel that is excellent in moisture resistance and durability, and that can be used in a good condition for a long period of time and provides high sensitivity and good image quality. It is the purpose.

 本発明の放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光体層と保護層とを有する放射線像変換パネルにおいて、前記保護層が基本無機層と該基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されていることを特徴とするものである。 The radiation image conversion panel of the present invention is a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer and a protective layer, wherein the protective layer is a basic inorganic layer and at least one upper inorganic layer located on the basic inorganic layer; Each upper inorganic layer is directly laid on an inorganic layer located below each inorganic layer.

 直接とは、無機層同士がスパッタリング、PVD法(Physical Vapor Deposition、物理蒸着法)、CVD法等のドライプロセス法や、ゾルーゲル法などの湿式プロセスによって形成されて互いに密着しており、接着層等によって接着されていないことを意味する。 Direct means that the inorganic layers are formed by a dry process method such as sputtering, PVD method (Physical Vapor Deposition), CVD method, or wet process such as sol-gel method, and are in close contact with each other. Means that it is not glued.

 前記上位無機層は少なくとも1層であって、2層以上であることがより好ましい。上位無機層のいずれかの層厚は、前記基本無機層の層厚よりも厚いことが好ましい。この場合、前記基本無機層の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層の層厚は、20〜1000nmの範囲、さらには30〜500nmの範囲であることがより好ましい。 The upper inorganic layer is at least one layer, and more preferably two or more layers. The layer thickness of any one of the upper inorganic layers is preferably larger than the layer thickness of the basic inorganic layer. In this case, the layer thickness of the upper inorganic layer having a layer thickness larger than that of the basic inorganic layer is more preferably in the range of 20 to 1000 nm, and more preferably in the range of 30 to 500 nm.

 前記基本無機層及び前記上位無機層のうち、互いに隣りあう少なくとも1組の無機層同士は結晶構造を異にするものであることが好ましい。互いに隣りあう少なくとも1組の無機層は、基本無機層の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層とその無機層の下に位置する無機層であることが好ましいが、保護層を構成する基本無機層及び上位無機層の全てが結晶構造を異にしていてもよい。ここで、結晶構造が異なる場合とは、互いに隣りあう無機層同士が異なる組成からなる場合や、同じ組成からなる無機層であるが、形成方法の相違や形成条件によって異なる場合等を挙げられる。 Among the basic inorganic layer and the upper inorganic layer, it is preferable that at least one pair of adjacent inorganic layers have different crystal structures. The at least one pair of inorganic layers adjacent to each other is preferably an upper inorganic layer having a layer thickness larger than the layer thickness of the basic inorganic layer and an inorganic layer positioned below the inorganic layer, but constitutes a protective layer All of the basic inorganic layer and the upper inorganic layer may have different crystal structures. Here, the case where the crystal structures are different includes a case where the inorganic layers adjacent to each other have different compositions, or an inorganic layer having the same composition, but a case where it differs depending on the formation method or formation conditions.

 前記基本無機層及び前記上位無機層のいずれかが、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかからなるものであることが好ましい。基本無機層及び上位無機層の全てが金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかからなっていれば、その他の無機層を含んでいても差し支えない。また、基本無機層及び上位無機層が、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかのみからなっていてもよいし、金属酸化物と金属窒化物、金属窒化物と金属酸窒化物、金属酸化物と金属酸窒化物の2種類からなっていてもよいし、金属酸化物、金属窒化物および金属酸窒化物の3種類からなっていてもよい。 It is preferable that any one of the basic inorganic layer and the upper inorganic layer is made of any one of a metal oxide, a metal nitride, and a metal oxynitride. As long as all of the basic inorganic layer and the upper inorganic layer are made of metal oxide, metal nitride, or metal oxynitride, other inorganic layers may be included. Further, the basic inorganic layer and the upper inorganic layer may be made of only one of metal oxide, metal nitride, and metal oxynitride, or metal oxide and metal nitride, metal nitride and metal oxynitride. Or two types of metal oxide, metal oxynitride, and three types of metal oxide, metal nitride, and metal oxynitride.

 前記保護層の互いに隣りあう3つの無機層は、酸化アルミニウム層、酸化ケイ素層、酸化アルミニウム層をこの順に積層してなるものであることが好ましい。 The three adjacent inorganic layers of the protective layer are preferably formed by laminating an aluminum oxide layer, a silicon oxide layer, and an aluminum oxide layer in this order.

 前記保護層の層厚が50μm以下であって、該保護層の透湿度が、40℃において0.07g/m2/24h以下であることが好ましい。 The layer thickness of the protective layer is not more 50μm or less, moisture permeability of the protective layer is preferably less 0.07g / m 2 / 24h at 40 ° C..

 前記保護層は前記基本無機層が直接敷設された基材を含むものにあっては、該基材のガラス転移温度(Tg)が85℃以上であること、より好ましくは100℃以上であることが望ましい。前記保護層が基材を複数枚含む場合にあっては、
その複数枚の基材の少なくとも1枚の基材のガラス転移温度が85℃以上、好ましくは100℃以上であることが望ましく、さらに好ましくは複数枚の基材の全てのガラス転移温度が85℃以上、好ましくは100℃以上であることが望ましい。
When the protective layer includes a substrate on which the basic inorganic layer is directly laid, the glass transition temperature (Tg) of the substrate is 85 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher. Is desirable. When the protective layer includes a plurality of substrates,
Desirably, the glass transition temperature of at least one of the plurality of substrates is 85 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably all the glass transition temperatures of the plurality of substrates are 85 ° C. As described above, it is desirable that the temperature is 100 ° C or higher.

 本発明の放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光体層と保護層とを有する放射線像変換パネルにおいて、保護層が基本無機層と基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設したので、極めて高い防湿性と耐久性を有するパネルとすることができる。また、無機層同士を接着剤によって貼り合わせると、接着状態に起因する画像ムラが発生するが、本発明の放射線像変換パネルは接着剤で無機層同士を貼り合わせる必要がないため、高感度で良好な画質を得ることができる。さらに、無機層を直接敷設することによって、保護層全体をより薄く形成することが可能であるため、高画質を実現することができる。 The radiation image conversion panel of the present invention is a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer and a protective layer, and the protective layer includes a basic inorganic layer and at least one upper inorganic layer located on the basic inorganic layer. Since each upper inorganic layer is directly laid on the inorganic layer located under each inorganic layer, a panel having extremely high moisture resistance and durability can be obtained. In addition, when the inorganic layers are bonded together with an adhesive, image unevenness due to the bonding state occurs, but the radiation image conversion panel of the present invention does not need to bond the inorganic layers with an adhesive, so it has high sensitivity. Good image quality can be obtained. Furthermore, since the entire protective layer can be formed thinner by directly laying the inorganic layer, high image quality can be realized.

 なお、上位無機層のいずれかの層厚を基本無機層の層厚よりも厚いものとすることによって、あるいは基本無機層及び上位無機層のうち、互いに隣りあう少なくとも1組の無機層同士の結晶構造を異なるものとすることによって、基本無機層に発生した結晶欠陥を上位無機層がより効果的に補うことができるのでさらなる防湿性の向上が期待できる。 In addition, the crystal | crystallization of at least 1 set of inorganic layers adjacent to each other by making the layer thickness of either upper inorganic layer thicker than the layer thickness of a basic inorganic layer, or a basic inorganic layer and an upper inorganic layer By making the structure different, the upper inorganic layer can more effectively compensate for crystal defects generated in the basic inorganic layer, so that further improvement in moisture resistance can be expected.

 また、基本無機層が直接敷設された基材を含む保護層の場合に、基材としてガラス転移温度が85℃以上、さらには100℃以上のものを選択することによって、基材に無機層を直接敷設させた場合における基材の変質による防湿性の低下をより抑制することができる。 Further, in the case of a protective layer including a base material on which the basic inorganic layer is directly laid, by selecting a base material having a glass transition temperature of 85 ° C. or higher, and further 100 ° C. or higher, the inorganic layer is added to the base material. It is possible to further suppress a decrease in moisture resistance due to alteration of the base material when directly laid.

 以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は本発明の第一の実施の形態を示す放射線像変換パネルの一部概略断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial schematic cross-sectional view of a radiation image conversion panel showing a first embodiment of the present invention.

 図1に示すように、第一の実施の形態による放射線像変換パネル1は、支持体3上に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層2と保護層4とを有し、保護層4は、基材5上に基本無機層6と、この基本無機層6上に第一の上位無機層7と第二の上位無機層8とを備えてなり、放射線像変換パネル1は保護層4の第二の上位無機層8側と蛍光体層2とが接着剤などで接着あるいは減圧ラミネートされてなるものである。図1では上位無機層を2層としたものを示しているが、上位無機層は1層であっても、あるいはこれ以上の多層であってもよい。但し、製造コストとの関係からすれば、10層程度までで作製することが好ましい。 As shown in FIG. 1, the radiation image conversion panel 1 by 1st Embodiment has the fluorescent substance layer 2 and the protective layer 4 which consist of a stimulable fluorescent substance on the support body 3, and the protective layer 4 consists of The base inorganic layer 6 is provided on the substrate 5, and the first upper inorganic layer 7 and the second upper inorganic layer 8 are provided on the basic inorganic layer 6, and the radiation image conversion panel 1 includes the protective layer 4. The second upper inorganic layer 8 side and the phosphor layer 2 are bonded or adhesively laminated with an adhesive or the like. Although FIG. 1 shows a structure in which the upper inorganic layer is two layers, the upper inorganic layer may be one layer or more than that. However, from the viewpoint of manufacturing cost, it is preferable to manufacture with up to about 10 layers.

 なお、図1では基材5上に基本無機層6、第一の上位無機層7および第二の上位無機層8とを直接敷設して保護層を別に作製し、これを蛍光体層上接着剤などで接着あるいは減圧ラミネートする場合を示しているが、基材5を用いることなく、蛍光体層2上に基本無機層6、第一の上位無機層7および第二の上位無機層8を直接敷設した構成としてもよい。 In FIG. 1, the basic inorganic layer 6, the first upper inorganic layer 7 and the second upper inorganic layer 8 are directly laid on the base material 5 to separately produce a protective layer, which is bonded to the phosphor layer. In this case, adhesion or decompression laminating with an agent or the like is shown, but without using the base material 5, the basic inorganic layer 6, the first upper inorganic layer 7 and the second upper inorganic layer 8 are formed on the phosphor layer 2. It is good also as a structure laid directly.

 第一の上位無機層7または第二の上位無機層8のいずれか、あるいは第一の上位無機層7および第二の上位無機層8の双方の層厚は、基本無機層6の層厚よりも厚いことが好ましい。また、基本無機層6の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層7および/または8の層厚は20〜1000nmの範囲、より好ましくは30〜500nmの範囲であることが望ましい。なお、各無機層の厚みのばらつきは小さいことが好ましい。さらに、基本無機層6と第一の上位無機層7または第一の上位無機層7と第二の上位無機層8は、互いに結晶構造を異にするものであることが好ましい。 The layer thickness of either the first upper inorganic layer 7 or the second upper inorganic layer 8 or both the first upper inorganic layer 7 and the second upper inorganic layer 8 is greater than the layer thickness of the basic inorganic layer 6. It is also preferable that the thickness is thick. Moreover, the layer thickness of the upper inorganic layers 7 and / or 8 having a layer thickness larger than the layer thickness of the basic inorganic layer 6 is preferably in the range of 20 to 1000 nm, more preferably in the range of 30 to 500 nm. In addition, it is preferable that the dispersion | variation in the thickness of each inorganic layer is small. Furthermore, it is preferable that the basic inorganic layer 6 and the first upper inorganic layer 7 or the first upper inorganic layer 7 and the second upper inorganic layer 8 have different crystal structures.

 図2〜図4は保護層のより詳しい実施の形態を示す概略断面図である。図中の数値はそれぞれの層厚を示している。なお、ここでは、結晶構造を異にする例として、層の組成が異なるものを例として挙げている。図2に示す保護層は、基材であるPET上に酸化アルミニウム層(基本無機層)と、酸化ケイ素層(第一の上位無機層)と酸化アルミニウム層(第二の上位無機層)が直接敷設されたものであって、基材の下(放射線像変換パネルの最上面となる側)には、耐傷性を高めるためのフッ素系ハードコート層が設けられてなるものである。酸化ケイ素層および第二の上位無機層である酸化アルミニウム層の層厚はともに基本無機層の酸化アルミニウム層の層厚よりも厚く形成されている。なお、図2ではハードコート層を設けた構成を示しているが、防汚性を向上させるための汚れ防止層が設けられていてもよい。また、保護層表面はARコートされていてもよく、図2を例にとると、基材側の表面や第二の上位無機層である酸化アルミニウム層表面は不要な反射光を減ずるためARコートされていてもよい。図2に示す保護層は、蛍光体層と第二の上位無機層である酸化アルミニウム層面側を向かい合わせに減圧でラミネートされる。 2 to 4 are schematic cross-sectional views showing a more detailed embodiment of the protective layer. The numerical values in the figure indicate the respective layer thicknesses. Note that here, as examples in which the crystal structures are different, those having different layer compositions are given as examples. The protective layer shown in FIG. 2 has an aluminum oxide layer (basic inorganic layer), a silicon oxide layer (first upper inorganic layer), and an aluminum oxide layer (second upper inorganic layer) directly on PET as a base material. A fluorine hard coat layer is provided under the base material (on the uppermost side of the radiation image conversion panel) for improving scratch resistance. The thicknesses of the silicon oxide layer and the aluminum oxide layer as the second upper inorganic layer are both thicker than the aluminum oxide layer of the basic inorganic layer. In addition, although the structure which provided the hard-coat layer in FIG. 2 is shown, the antifouling layer for improving antifouling property may be provided. The surface of the protective layer may be AR-coated. Taking FIG. 2 as an example, the surface of the base material and the surface of the aluminum oxide layer, which is the second upper inorganic layer, reduce unnecessary reflected light. May be. The protective layer shown in FIG. 2 is laminated at a reduced pressure with the phosphor layer and the aluminum oxide layer surface, which is the second upper inorganic layer, facing each other.

 図3に示す保護層は、基材であるPET上に酸化ケイ素層(基本無機層)と、酸化窒化ケイ素層(第一の上位無機層)と酸化アルミニウム層(第二の上位無機層)が直接敷設されてなるものである。このように、基本無機層と上位無機層は全て組成が異なる無機層から構成されていてもよい。また、図3に示すように、最上位の酸化アルミニウム層は、ラミネート層とPET層を介して蛍光体層とラミネートされてもよい。 The protective layer shown in FIG. 3 has a silicon oxide layer (basic inorganic layer), a silicon oxynitride layer (first upper inorganic layer), and an aluminum oxide layer (second upper inorganic layer) on PET as a base material. It is laid directly. Thus, the basic inorganic layer and the upper inorganic layer may all be composed of inorganic layers having different compositions. As shown in FIG. 3, the uppermost aluminum oxide layer may be laminated with the phosphor layer via a laminate layer and a PET layer.

 図4に示す保護層は、基材であるPET上に酸化アルミニウム層(基本無機層)と、酸化ケイ素層(第一の上位無機層)と酸化アルミニウム層(第二の上位無機層)が直接敷設されたものであって、第一の上位無機層である酸化ケイ素層の層厚のみが基本無機層である酸化アルミニウム層の層厚よりも厚く形成されてなるものである。このように、複数の上位無機層のうちのいずれかが基本無機層の層厚よりも厚い構成としてもよい。また、図4に示すように、第二の上位無機層である酸化アルミニウム層上には、適当なヘイズを付与するためのフィラー添加剤などを添加したキャスティングポリプロピレン(CPP)層が設けられていてもよい。この場合、保護層のヘイズ値は3〜70%の範囲で調整されることが好ましい。 The protective layer shown in FIG. 4 has an aluminum oxide layer (basic inorganic layer), a silicon oxide layer (first upper inorganic layer), and an aluminum oxide layer (second upper inorganic layer) directly on PET as a base material. Only the layer thickness of the silicon oxide layer, which is the first upper inorganic layer, is formed so as to be thicker than the layer thickness of the aluminum oxide layer, which is the basic inorganic layer. As described above, any of the plurality of upper inorganic layers may be thicker than the basic inorganic layer. Further, as shown in FIG. 4, a casting polypropylene (CPP) layer to which a filler additive for imparting appropriate haze is added is provided on the aluminum oxide layer which is the second upper inorganic layer. Also good. In this case, the haze value of the protective layer is preferably adjusted in the range of 3 to 70%.

 なお、図2〜図4に示す保護層は、いずれも第二の上位無機層側を蛍光体層とラミネートする場合を示しているが、図5に示すように、基材側を蛍光体層とラミネートする構成としても差し支えない。 The protective layer shown in FIGS. 2 to 4 shows a case where the second upper inorganic layer side is laminated with the phosphor layer, but as shown in FIG. It does not matter if it is laminated.

 図6は本発明の第二の実施の形態を示す放射線像変換パネルの一部概略断面図である。図6に示すように、第二の実施の形態による放射線像変換パネル10は、支持体13上に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層12と保護層14とを有し、保護層14は、基材15a上に基本無機層16a、第一の上位無機層17aおよび第二の上位無機層18aが直接敷設されてなる積層体aと、基材15b上に基本無機層16b、第一の上位無機層17bおよび第二の上位無機層18bが直接敷設されてなる積層体bとからなり、蛍光体層12と積層体aの第二の上位無機層18a、積層体aの基材15aと積層体bの第二の上位無機層18bとをそれぞれ接着剤などで接着あるいは減圧ラミネートされてなるものである。図6では重ね合わせる積層体はそれぞれ同じ積層順になるように積層されているが、逆に、すなわち、積層体aの基材15aと積層体bの基材15bを重ねて、第二の上位無機層18bが放射線像変換パネル10の最上面となるように積層されていてもよい。なお、図6では同じ構成の積層体を使用しているが、積層体の構成は異なるものであってもよい。 FIG. 6 is a partial schematic cross-sectional view of a radiation image conversion panel showing a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the radiation image conversion panel 10 according to the second embodiment includes a phosphor layer 12 made of a stimulable phosphor and a protective layer 14 on a support 13, and the protective layer 14 includes A laminate a in which the basic inorganic layer 16a, the first upper inorganic layer 17a, and the second upper inorganic layer 18a are directly laid on the base material 15a, and the basic inorganic layer 16b, the first upper inorganic layer 18a on the base material 15b. The upper inorganic layer 17b and the second upper inorganic layer 18b are directly laminated, and the laminate b. The phosphor layer 12, the second upper inorganic layer 18a of the laminate a, and the base material 15a of the laminate a The second upper inorganic layer 18b of the laminate b is bonded or laminated under reduced pressure with an adhesive or the like. In FIG. 6, the stacked bodies to be stacked are stacked in the same stacking order, but conversely, that is, the base material 15 a of the stacked body a and the base material 15 b of the stacked body b are stacked to form the second upper inorganic layer. The layer 18b may be laminated so as to be the uppermost surface of the radiation image conversion panel 10. In addition, although the laminated body of the same structure is used in FIG. 6, the structure of a laminated body may differ.

 図7〜図9は図6に示す保護層のより詳しい実施の形態を示す概略断面図である。図7に示す保護層は、基材であるPET上に酸化アルミニウム層(基本無機層)、酸化ケイ素層(第一の上位無機層)および酸化アルミニウム層(第二の上位無機層)が直接敷設されてなる積層体を2枚、ラミネート層を介して接着したものである。図7に示す保護層は、2つの積層体の第一の上位無機層である酸化ケイ素層の層厚が、基本無機層である酸化アルミニウム層の層厚よりもともに厚い構成となっているが、片方の積層体の第一の上位無機層の層厚のみが基本無機層である酸化アルミニウム層の層厚よりも厚い構成としてもよい。なお、図7に示すラミネート層は、図8に示すようにフィラーが添加されていたり、輝尽性発光光の波長に影響が少ない着色剤が添加されているものであってもよい。 7 to 9 are schematic sectional views showing a more detailed embodiment of the protective layer shown in FIG. In the protective layer shown in FIG. 7, an aluminum oxide layer (basic inorganic layer), a silicon oxide layer (first upper inorganic layer), and an aluminum oxide layer (second upper inorganic layer) are directly laid on the base PET. Two laminates thus obtained are bonded via a laminate layer. The protective layer shown in FIG. 7 has a structure in which the thickness of the silicon oxide layer that is the first upper inorganic layer of the two laminates is larger than the thickness of the aluminum oxide layer that is the basic inorganic layer. Only the layer thickness of the first upper inorganic layer of one of the laminates may be thicker than the layer thickness of the aluminum oxide layer that is the basic inorganic layer. Note that the laminate layer shown in FIG. 7 may include a filler added as shown in FIG. 8 or a colorant that has little influence on the wavelength of the stimulable light emission.

 なお、基材−酸化アルミニウム層−酸化ケイ素層−酸化アルミニウム層の順は、図9に示すように基材−酸化ケイ素層−酸化アルミニウム層−酸化ケイ素層の順であってもよい。 The order of the base material-aluminum oxide layer-silicon oxide layer-aluminum oxide layer may be in the order of base material-silicon oxide layer-aluminum oxide layer-silicon oxide layer as shown in FIG.

 図10に示す保護層は、基材であるPET上に有機プライマー層を設け、その上に酸化アルミニウム層(基本無機層)、酸化窒化ケイ素層(第一の上位無機層)が直接敷設されてなる積層体を2枚、ラミネート層を介して接着したものである。このように、基材と基本無機層との間に有機プライマー層を設けた構成としてもよい。ここでいう有機プライマー層は、基材に塗布や蒸着されることによって初めて層として敷設されるものである。この点、上記のラミネート層とは異なる。有機プライマー層を設けることによって、防湿性をより向上させることが可能となる。なお、図10では有機プライマー層を基材と基本無機層との間に設けているが、その他の位置に設けてもよく、また、図2〜図6に示す保護層の場合にも設けることができる。 In the protective layer shown in FIG. 10, an organic primer layer is provided on a PET substrate, and an aluminum oxide layer (basic inorganic layer) and a silicon oxynitride layer (first upper inorganic layer) are directly laid thereon. Two laminated bodies are bonded through a laminate layer. Thus, it is good also as a structure which provided the organic primer layer between the base material and the basic inorganic layer. The organic primer layer here is laid as a layer only after being applied or vapor-deposited on a substrate. This is different from the above-mentioned laminate layer. By providing the organic primer layer, it is possible to further improve moisture resistance. In addition, although the organic primer layer is provided between the base material and the basic inorganic layer in FIG. 10, it may be provided at other positions, and also in the case of the protective layer shown in FIGS. 2 to 6. Can do.

 以下、さらに各層について詳細に説明する。
 基本無機層及び上位無機層は、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物などからなることが好ましい。より具体的には、無機層は波長300nmから1000nmで光吸収がなくかつガスバリア性を有する無機物質を蒸着した透明な蒸着層であることが好ましい。波長300nmから1000nmで光吸収がない無機物質としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化窒化ケイ素、酸化窒化アルミニウム等を好ましくあげることができる。酸化アルミニウムと酸化ケイ素は単独で蒸着しても良いが、両方を共に蒸着するとガスバリア性をより高くすることができるので、酸化アルミニウムと酸化ケイ素を用いる場合には、両方を蒸着することがより好ましい。これらのうち特に酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素は光透過率が高くかつガスバリア性が高い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるのでより好ましく用いることができる。
Hereinafter, each layer will be described in detail.
The basic inorganic layer and the upper inorganic layer are preferably made of metal oxide, metal nitride, metal oxynitride, or the like. More specifically, the inorganic layer is preferably a transparent vapor deposition layer in which an inorganic substance having a gas barrier property and having no light absorption at a wavelength of 300 nm to 1000 nm is vapor-deposited. Preferred examples of the inorganic substance that does not absorb light at a wavelength of 300 nm to 1000 nm include silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, zirconium oxide, tin oxide, silicon oxynitride, and aluminum oxynitride. Aluminum oxide and silicon oxide may be vapor-deposited alone, but if both are vapor-deposited, the gas barrier property can be increased, so it is more preferable to vaporize both when aluminum oxide and silicon oxide are used. . Among these, aluminum oxide, silicon oxide, and silicon oxynitride are particularly preferable because they have high light transmittance and high gas barrier properties, that is, a dense film with few cracks and micropores can be formed.

 上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設される。一方、基本無機層は必ずしも直接である必要はないが、基材等に直接敷設されることが好ましい。無機層は、上述のようにスパッタリング、PVD法、CVD法等のドライプロセス、あるいはゾルーゲル法などの湿式プロセスによって形成されて、それそれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設される。いずれの方法によっても、無機層の透明性、バリヤー性は大きく変わらないので、適宜選択することが可能であるが、形成上の容易性、簡便性の観点からはCVD法、中でもPE−CVD(Plasma enhanced CVD )、ECR−PE−CVD法等の方法が好ましい。 The upper inorganic layer is laid directly on the inorganic layer located under each inorganic layer. On the other hand, the basic inorganic layer is not necessarily directly, but is preferably laid directly on a substrate or the like. As described above, the inorganic layer is formed by a dry process such as sputtering, a PVD method, a CVD method, or a wet process such as a sol-gel method, and is directly laid on the inorganic layer located below the inorganic layer. In any method, the transparency and barrier properties of the inorganic layer are not greatly changed, and can be appropriately selected. From the viewpoint of ease of formation and simplicity, the CVD method, particularly PE-CVD ( A method such as Plasma enhanced CVD or ECR-PE-CVD is preferred.

 基材には、PET、ポリシクロオレフィン、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PVA(ポリビニルアルコール)、PETとPEI(ポリエーテルイミド)のナノアロイポリマー、透明アラミド等の材料からなるものが好適に用いられる。特に、ガラス転移温度(Tg)が85℃以上、好ましくは100℃以上の基材であることが望ましく、85℃以上のガラス転移温度を有するポリシクロオレフィン、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PVA(ポリビニルアルコール)、PETとPEI(ポリエーテルイミド)のナノアロイポリマー、透明アラミド等の材料からなるものが好ましい。さらに、100℃以上のガラス転移温度を有するポリシクロオレフィン、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PETとPEI(ポリエーテルイミド)のナノアロイポリマー、透明アラミド等の材料からなるものがより好ましい。 For the base material, materials made of materials such as PET, polycycloolefin, PEN (polyethylene naphthalate), PVA (polyvinyl alcohol), nanoalloy polymer of PET and PEI (polyetherimide), and transparent aramid are preferably used. . In particular, it is desirable that the substrate has a glass transition temperature (Tg) of 85 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher. Polycycloolefin having a glass transition temperature of 85 ° C. or higher, PEN (polyethylene naphthalate), PVA (polyvinyl) Alcohol), PET and PEI (polyetherimide) nanoalloy polymer, and transparent aramid are preferred. Furthermore, what consists of materials, such as a polycycloolefin which has a glass transition temperature of 100 degreeC or more, PEN (polyethylene naphthalate), a nanoalloy polymer of PET and PEI (polyetherimide), a transparent aramid, is more preferable.

 以下に、PET及び基材として好適に用いられる材料及びそのガラス転移温度を示す。

Figure 2004093560
Below, the material used suitably as PET and a base material, and its glass transition temperature are shown.
Figure 2004093560

 図6に示すように基本無機層が直接敷設された基材を2枚含む保護層の場合には、少なくとも1枚の基材のガラス転移温度が85℃以上、好ましくは100℃以上であることが望ましく、より好ましくは2枚の基材が共にガラス転移温度が85℃以上、さらには100℃以上であることが望ましい。 As shown in FIG. 6, in the case of a protective layer comprising two substrates directly laid with a basic inorganic layer, the glass transition temperature of at least one substrate is 85 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher. More preferably, it is desirable that the two substrates have a glass transition temperature of 85 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher.

 有機プライマー層は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセルロースなどのセルロース誘導体;あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、アクリル、ポリパラキシリレン、PET、塩酸ゴム、塩化ビニリデン共重合体等の合成高分子物質のような透明な高分子物質を用いることができる。有機プライマー層を形成するこれらの合成高分子物質はポリマーとして用いても、モノマーとして用いてもかまわないが、熱、可視光、UV光、電子線などの照射によって架橋するものであることが好ましい。 The organic primer layer may be, for example, a cellulose derivative such as cellulose acetate or nitrocellulose; or polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyvinyl acetate, vinyl chloride / vinyl acetate copolymer, fluororesin, polyethylene, polypropylene, polyester Transparent polymer materials such as synthetic polymer materials such as acrylic, polyparaxylylene, PET, hydrochloric acid rubber, and vinylidene chloride copolymer can be used. These synthetic polymer materials forming the organic primer layer may be used as a polymer or a monomer, but are preferably those that are crosslinked by irradiation with heat, visible light, UV light, electron beam, or the like. .

 また、有機プライマー層を基材上に設ける場合、基材との密着性を向上させるためにシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤等のカップリング剤を添加することが好ましい。さらに、有機プライマー層組成物の塗布性、蒸着性および硬化後の薄膜の物性の改善や、塗膜に対する感光性の付与等を目的として、例えば水酸基を有する種々のポリマーやモノマー、顔料または染料等の着色剤、黄変防止剤、老化防止剤や紫外線吸収剤等の安定化剤、熱酸発生剤、感光性酸発生剤、界面活性剤、溶剤、架橋剤、硬膜剤、重合禁止剤等の各種の添加剤を目的に応じて含有させることができる。 Further, when the organic primer layer is provided on the substrate, it is preferable to add a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanate coupling agent in order to improve the adhesion with the substrate. Furthermore, various polymers and monomers having a hydroxyl group, pigments, dyes, etc., for the purpose of improving the coating properties, vapor deposition properties and properties of the thin film after curing, and imparting photosensitivity to the coating film, etc. Colorants, anti-yellowing agents, stabilizers such as anti-aging agents and UV absorbers, thermal acid generators, photosensitive acid generators, surfactants, solvents, cross-linking agents, hardeners, polymerization inhibitors, etc. These various additives can be contained depending on the purpose.

 また、有機プライマー層には、耐久性の向上、ニジムラを防止するため、有機、または無機の粉末が含まれていても良い。含有させる場合は、有機プライマー層重量当り0.5〜60重量%程度であることがより好ましい。粉末は特定の帯域に吸収を有するもの、例えば群青等や、概して300〜900nmの波長域で特異な吸収を示さない白色粉末が好ましい。これら粉末の平均粒径は0.01〜10μm程度が好ましく、0.3〜3μm程度がより好ましい。一般に、これら粒子の粒子サイズには分布があるが、分布が狭い方が好ましい。なお、ラミネート層に有機、または無機の粉末が含まれている場合も同様である。 Also, the organic primer layer may contain organic or inorganic powders in order to improve durability and prevent nitrite. When contained, it is more preferably about 0.5 to 60% by weight per weight of the organic primer layer. The powder preferably has absorption in a specific band, for example, ultramarine blue or the like, or white powder that does not exhibit specific absorption in the wavelength range of 300 to 900 nm. The average particle size of these powders is preferably about 0.01 to 10 μm, more preferably about 0.3 to 3 μm. In general, the particle size of these particles has a distribution, but a narrow distribution is preferable. The same applies when the laminate layer contains organic or inorganic powder.

 有機プライマー層の形成は、塗布法、蒸着法のいずれを用いてもよいが、蒸着法の方がより表面を平滑に形成できるため好ましい。 The organic primer layer may be formed by either coating method or vapor deposition method, but the vapor deposition method is preferable because the surface can be formed more smoothly.

 保護層は、乾燥雰囲気下で、蛍光体層上に基材側または上位無機層側を接着剤で接着することにより、または減圧ラミネートによって形成することができる。いずれの場合も、減圧封止によって行うことがより好ましい。このようにすることにより、特に気圧の低い状態における、蛍光体層と基材あるいは上位無機層との間の剥離を抑制することができる。 The protective layer can be formed by adhering the base material side or the upper inorganic layer side with an adhesive on the phosphor layer in a dry atmosphere, or by vacuum lamination. In any case, it is more preferable to carry out by reduced pressure sealing. By doing so, it is possible to suppress peeling between the phosphor layer and the base material or the upper inorganic layer, particularly in a state where the atmospheric pressure is low.

 蛍光体層と保護層との間の接着、積層体同士の接着に使用できる接着剤としては、特に限定されるものではなく、ドライラミネーション等で頻繁に使用される、ビニル系、アクリル系、ポリアミド系、エポキシ系、ゴム系、ウレタン系等の各種の接着剤を使用することができる。 The adhesive that can be used for adhesion between the phosphor layer and the protective layer and between the laminates is not particularly limited, and is frequently used for dry lamination, etc., vinyl-based, acrylic-based, polyamide Various adhesives such as epoxy, rubber, urethane, etc. can be used.

 また、蛍光体層の側面からの吸湿を充分に防止するため、ガラス、エポキシ樹脂、UV硬化樹脂あるいは金属(ソルダー)等で放射線像変換パネルの側面を封止することが好ましい。なお、蛍光体層の吸湿による性能劣化を防ぐため、蒸着槽(蒸着機)からの取り出しから端面の封止までは、真空あるいは乾燥した空気または不活性ガスや疎水性の不活性ガス中で行うことが好ましい。 Also, in order to sufficiently prevent moisture absorption from the side surface of the phosphor layer, it is preferable to seal the side surface of the radiation image conversion panel with glass, epoxy resin, UV curable resin, metal (solder), or the like. In order to prevent performance degradation due to moisture absorption of the phosphor layer, the removal from the vapor deposition tank (vapor deposition machine) to the sealing of the end face should be performed in vacuum or dry air, inert gas, or hydrophobic inert gas. Is preferred.

 本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体の例としては、
 特公平7-84588号等に記載されている一般式 (M1-f・Mf I)X・bMIIIX3″:cA(I)で表される輝尽性蛍光体が好ましい。輝尽発光輝度の点から一般式(I)における Mとしては、Rb,Csおよび/またはCsを含有したNa、同Kが好ましく、特にRbおよびCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属が好ましい。MIII としてはY,La,Lu,Al,GaおよびInから選ばれる少なくとも一種の三価金属が好ましい。X″としては、F,ClおよびBrから選ばれる少なくとも一種のハロゲンが好ましい。MIIIX3″の含有率を表すb値は0≦b≦10-2の範囲から選ばれるのが好ましい。
Examples of stimulable phosphors used in the radiation image conversion panel of the present invention include:
Stimulable phosphors represented by the general formula (M 1-f · M f I ) X · bM III X3 ″: cA (I) described in JP-B-7-84588 are preferable. the M I in the formula (I) from the viewpoint of brightness, Rb, Na containing the Cs and / or Cs, the K is preferably at least one alkali metal is particularly selected from Rb and Cs as the preferred .M III Is preferably at least one trivalent metal selected from Y, La, Lu, Al, Ga and In. X ″ is preferably at least one halogen selected from F, Cl and Br. The b value representing the content of M III X3 ″ is preferably selected from the range of 0 ≦ b ≦ 10 −2 .

 一般式(I)において、賦活剤AとしてはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Ho,Gd,Sm,TlおよびNaから選ばれる少なくとも一種の金属が好ましく、特にEu,Ce,Sm,TlおよびNaから選ばれる少なくとも一種の金属が好ましい。また、賦活剤の量を表すC値は10-6<C<0.1の範囲から選ばれるのが輝尽発光輝度の点から好ましい。 In the general formula (I), the activator A is preferably at least one metal selected from Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Ho, Gd, Sm, Tl and Na, particularly Eu, Ce, Sm, Tl and At least one metal selected from Na is preferred. Further, the C value representing the amount of the activator is preferably selected from the range of 10 −6 <C <0.1 from the viewpoint of stimulated emission luminance.

 また、さらに以下の輝尽性蛍光体も用いることができる。
 米国特許第3,859,527号明細書に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、ThO2:Er、およびLa2O2S:Eu,Sm、
Furthermore, the following photostimulable phosphors can also be used.
U.S. patents listed in the 3,859,527 Pat SrS: Ce, Sm, SrS: Eu, Sm, ThO 2: Er, and La 2 O 2 S: Eu, Sm,

 特開昭55-12142号に記載されている ZnS:Cu,Pb、BaO・xAl2O3:Eu(ただし、0.8≦x≦10)、および、MIIO・xSiO2 :A(ただし、MIIはMg,Ca,Sr,Zn,Cd、またはBaであり、AはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,BiまたはMnであり、xは0.5≦x≦2.5である)、 ZnS: Cu, Pb, BaO.xAl 2 O 3 : Eu (provided that 0.8 ≦ x ≦ 10) described in JP-A-55-12142, and M II O · xSiO 2 : A (provided that M II is Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, or Ba, A is Ce, Tb, Eu, Tm, Pb, Tl, Bi, or Mn, and x is 0.5 ≦ x ≦ 2.5),

 特開昭55-12143号に記載されている (Ba1-X-y ,MgX ,Cay )FX:aEu2+(ただし、X はClおよびBrのうちの少なくとも一種であり、xおよびyは、0<x+y≦0.6、かつxy≠0であり、aは、10-6≦a≦5×10-2である)、 (Ba 1-Xy , Mg X , Ca y ) FX: aEu 2+ described in JP -A- 55-12143 (where X is at least one of Cl and Br, and x and y are 0 <x + y ≦ 0.6 and xy ≠ 0, and a is 10 −6 ≦ a ≦ 5 × 10 −2 ),

 特開昭55-12144号に記載されている LnOX:xA(ただし、LnはLa,Y,Gd、およびLuのうちの少なくとも一種、XはClおよびBrのうちの少なくとも一種、AはCeおよびTbのうちの少なくとも一種、そして、xは、0<x<0.1である)、 LnOX: xA described in JP-A-55-12144 (where Ln is at least one of La, Y, Gd, and Lu, X is at least one of Cl and Br, and A is Ce and Tb) At least one of x and x is 0 <x <0.1),

 特開昭55-12145号に記載されている(Ba1-X,M2+ X)FX:yA(ただし、M2+はMg,Ca,Sr,Zn、およびCdのうちの少なくとも一種、XはCl,BrおよびIのうちの少なくとも一種、AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,YbおよびErのうちの少なくとも一種、そしてxは0≦x≦0.6、yは0≦y≦0.2である)、 (Ba 1-X , M 2+ X ) FX: yA (where M 2+ is at least one of Mg, Ca, Sr, Zn, and Cd, X Is at least one of Cl, Br and I, A is at least one of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb and Er, and x is 0 ≦ x ≦ 0.6, y is 0 ≦ y ≦ 0.2),

 特開昭55-160078号に記載されているMIIFX・xA:yLn(ただし、MIIはBa,Ca,Sr,Mg,ZnおよびCdのうちの少なくとも一種、AはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5 およびThO2 のうちの少なくとも一種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,SmおよびGdのうちの少なくとも一種、XはCl,BrおよびIのうちの少なくとも一種であり、xおよびyはそれぞれ 5×10-5≦x≦0.5、および0<y≦0.2である)の組成式で表わされる蛍光体、 M II FX · xA: yLn described in JP-A-55-160078 (where M II is at least one of Ba, Ca, Sr, Mg, Zn and Cd, and A is BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , In 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , GeO 2 , SnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 And at least one of ThO 2 , Ln is at least one of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sm and Gd, X is Cl, Br and I At least one kind, and x and y are 5 × 10 −5 ≦ x ≦ 0.5 and 0 <y ≦ 0.2, respectively,

 特開昭56-116777号に記載されている(Ba1-X,MII X)F2・aBaX2:yEu,zA(ただし、MIIはベリリウム,マグネシウム,カルシウム,ストロンチウム,亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素,臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種、Aはジルコニウムおよびスカンジウムのうちの少なくとも一種であり、a、x、y、およびzはそれぞれ 0.5≦a≦1.25、0≦x≦1、10-6≦y≦2×10-1、および0<z≦10-2である)の組成式で表わされる蛍光体、 (Ba 1-X , M II X ) F 2 · aBaX 2 : yEu, zA described in JP-A-56-116777 (where M II is one of beryllium, magnesium, calcium, strontium, zinc and cadmium) X is at least one of chlorine, bromine and iodine, A is at least one of zirconium and scandium, and a, x, y and z are 0.5 ≦ a ≦ 1.25 and 0 ≦ x ≦, respectively. 1, 10 −6 ≦ y ≦ 2 × 10 −1 , and 0 <z ≦ 10 −2 ).

 特開昭57-23673号に記載されている(Ba1-X,MII X)F2・aBaX2:yEu,zB(ただし、MII はベリリウム,マグネシウム,カルシウム,ストロンチウム,亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素,臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種であり、a、x、y、およびzはそれぞれ0.5≦a≦1.25、0≦x≦1、10-6≦y≦2×10-1、および0<z≦10-2である)の組成式で表わされる蛍光体、 (Ba 1-X , M II X ) F 2 · aBaX 2 : yEu, zB described in JP -A- 57-23673 (where M II is beryllium, magnesium, calcium, strontium, zinc and cadmium) X is at least one of chlorine, bromine and iodine, and a, x, y and z are 0.5 ≦ a ≦ 1.25, 0 ≦ x ≦ 1, 10 −6 ≦ y ≦ 2 × 10, respectively. -1 and 0 <z ≦ 10 −2 ),

 特開昭57-23675号に記載されている(Ba1-X,MII X)F2・aBaX2:yEu,zA(ただし、MIIはベリリウム,マグネシウム,カルシウム,ストロンチウム,亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素,臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種、Aは砒素および硅素のうちの少なくとも一種であり、a、x、y、およびzはそれぞれ0.5≦a≦1.25、0≦x≦1、10-6≦y≦2×10-1、および0<z≦5×10-1である)の組成式で表わされる蛍光体、 (Ba 1-X , M II X ) F 2 · aBaX 2 : yEu, zA described in JP-A-57-23675 (where M II is beryllium, magnesium, calcium, strontium, zinc and cadmium) X is at least one of chlorine, bromine and iodine, A is at least one of arsenic and silicon, and a, x, y and z are 0.5 ≦ a ≦ 1.25 and 0 ≦ x ≦, respectively. 1, 10 −6 ≦ y ≦ 2 × 10 −1 , and 0 <z ≦ 5 × 10 −1 ),

 特開昭58-69281号に記載されている MIIIOX:xCe(ただし、MIIIはPr,Nd,Pm,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、XはClおよびBrのうちのいずれか一方あるいはその両方であり、xは0<x<0.1である)の組成式で表わされる蛍光体、 M III OX: xCe described in JP-A-58-69281 (where M III is selected from the group consisting of Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Bi) A phosphor represented by a composition formula of at least one trivalent metal selected, wherein X is one or both of Cl and Br, and x is 0 <x <0.1),

 特開昭58-206678号に記載されているBa1-XMX/2X/2FX:yEu2+(ただし、MはLi,Na,K,RbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表わし;Lは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属を表わし;X は、Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わし;そして、xは10-2≦x≦0.5、yは0<y≦0.1である)の組成式で表わされる蛍光体、 Ba 1-X M X / 2 L X / 2 FX: yEu 2+ described in JP -A- 58-206678 (where M is at least selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs) L represents Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In and Tl X represents at least one trivalent metal selected from the group consisting of Cl, Br and I; and x represents 10 −2 ≦ x ≦ 0.5, and y represents 0 A phosphor represented by a composition formula of <y ≦ 0.1.

 特開昭59-27980号に記載のBaFX・xA:yEu2+(ただし、Xは、Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aはテトラフルオロホウ酸化合物の焼成物であり;そして、xは10-6 ≦x≦0.1、yは0<y≦0.1 である)の組成式で表わされる蛍光体、 BaFX · xA: yEu 2+ described in JP-A-59-27980 (where X is at least one halogen selected from the group consisting of Cl, Br and I; A is a calcined tetrafluoroborate compound) And x is 10 −6 ≦ x ≦ 0.1, y is 0 <y ≦ 0.1),

 特開昭59-47289号に記載されているBaFX・xA:yEu2+(ただし、Xは、Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、ヘキサフルオロケイ酸,ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフルオロジルコニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からなるヘキサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種の化合物の焼成物であり;そして、xは10-6≦x≦0.1、yは0<y≦0.1 である)の組成式で表わされる蛍光体、 BaFX · xA: yEu 2+ described in JP-A-59-47289 (where X is at least one halogen selected from the group consisting of Cl, Br and I; A is hexafluorosilicic acid) , Calcined product of at least one compound selected from the group of hexafluoro compounds consisting of monovalent or divalent metal salts of hexafluorotitanic acid and hexafluorozirconic acid; and x is 10 −6 ≦ x ≦ 0.1, y is a phosphor represented by a composition formula of 0 <y ≦ 0.1,

 特開昭59-56479号に記載されているBaFX・xNaX′:aEu2+(ただし、XおよびX′は、それぞれCl、Br、およびIのうちの少なくとも一種であり、xおよびaはそれぞれ0<x≦2、および0<a≦0.2である)の組成式で表わされる蛍光体、 BaFX.xNaX ′: aEu 2+ described in JP-A-59-56479 (where X and X ′ are each at least one of Cl, Br, and I, and x and a are each 0 <X ≦ 2 and 0 <a ≦ 0.2))

 特開昭59-56480号に記載されているMIIFX・xNaX′:yEu2+:zA(ただし、MIIは、Ba,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり;X およびX′は、それぞれCl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、V,Cr,Mn,Fe,CoおよびNiより選ばれる少なくとも一種の遷移金属であり;そして、xは0<x≦2、yは0<y≦0.2、およびzは0<z≦10-2である)の組成式で表わされる蛍光体、 M II FX · xNaX ′: yEu 2+ : zA described in JP-A-59-56480 (where M II is at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca) X and X ′ are each at least one halogen selected from the group consisting of Cl, Br and I; and A is at least one transition metal selected from V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni. And x is 0 <x ≦ 2, y is 0 <y ≦ 0.2, and z is 0 <z ≦ 10 −2 ),

 特開昭59-75200号に記載されている MIIFX・aMIX′・bM′IIX″2・cMIIIX3・xA:yEu2+(ただし、MIIはBa,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり;MI はLi,Na,K,RbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;M′IIはBeおよびMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり;MIII はAl,Ga,InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり;Aは金属酸化物であり;XはCl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;X′,X″および Xは、F,Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;そして、aは0≦a≦2、bは0≦b≦10-2、cは0≦c≦10-2、かつa+b+c≧10-6 であり;x は0<x≦0.5、yは0<y≦0.2 である)の組成式で表わされる蛍光体、 M II FX, aM I X ′, bM ′ II X ″ 2 , cM III X 3 , xA: yEu 2+ described in JP-A-59-75200 (However, M II is derived from Ba, Sr and Ca. At least one alkaline earth metal selected from the group consisting of; M I is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs; M ′ II consists of Be and Mg is at least one trivalent metal selected from the group; M III is Al, Ga, is at least one trivalent metal selected from the group consisting of in and Tl; a is a metal oxide; X is Cl, And at least one halogen selected from the group consisting of Br and I; X ′, X ″ and X are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I; ≦ a ≦ 2, b is 0 ≦ b ≦ 10 −2 , c is 0 ≦ c ≦ 10 −2 , and a + b + c ≧ 10 −6 ; x is 0 <x ≦ 0.5, y is 0 < a phosphor represented by a composition formula of y ≦ 0.2),

 特開昭60-84381号に記載されている MII X2・aMIIX′2:xEu2+(ただし、MII はBa,Srおよび Caからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり;XおよびX′はCl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであって、かつ X≠X′であり;そしてaは0.1≦a≦10.0、xは0<x≦0.2である)の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、 M II X 2 · aM II X ′ 2 : xEu 2+ described in JP-A-60-84381 (where M II is at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca) X and X ′ are at least one halogen selected from the group consisting of Cl, Br and I, and X ≠ X ′; and a is 0.1 ≦ a ≦ 10.0, x is 0 <x ≦ 0.2) and a stimulable phosphor represented by a composition formula of

 特開昭60-101173号に記載されているMIIFX・aMI X′:xEu2+(ただし、MII はBa,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり;MI はRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;XはCl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;X′はF,Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;そしてaおよびxはそれぞれ0≦a≦4.0および0<x≦0.2である)の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、 M II FX and aM I X ′: xEu 2+ described in JP-A-60-101173 (where M II is at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca) M I is at least one alkali metal selected from the group consisting of Rb and Cs; X is at least one halogen selected from the group consisting of Cl, Br and I; X ′ is F, Cl, Br and A photostimulable phosphor represented by a composition formula: at least one halogen selected from the group consisting of I; and a and x are 0 ≦ a ≦ 4.0 and 0 <x ≦ 0.2, respectively.

 特開昭62-25189号に記載されているMI X:xBi( ただし、MI はRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;X はCl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;そしてxは0<x≦0.2の範囲の数値である)の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、 M I X: xBi described in JP-A-62-25189 (where M I is at least one alkali metal selected from the group consisting of Rb and Cs; X is a group consisting of Cl, Br and I) A photostimulable phosphor represented by a composition formula: at least one halogen selected from x; and x is a numerical value in the range of 0 <x ≦ 0.2.

 特開平2-229882号に記載のLnOX:xCe(但し、LnはLa,Y,GdおよびLuのうちの少なくとも一つ、XはCl,BrおよびIのうちの少なくとも一つ、xは0<x≦0.2 であり、LnとXとの比率が原子比で0.500<X/Ln≦0.998であり、かつ輝尽性励起スペクトルの極大波長λが550nm<λ<700nm)で表わされるセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物蛍光体、
などをあげることができる。
LnOX: xCe described in JP-A-2-229882 (where Ln is at least one of La, Y, Gd and Lu, X is at least one of Cl, Br and I, and x is 0 <x Cerium-activated rare earth oxyhalogen, wherein the ratio of Ln to X is 0.500 <X / Ln ≦ 0.998, and the maximum wavelength λ of the stimulable excitation spectrum is 550 nm <λ <700 nm) Fluoride,
Etc.

 また、上記特開昭60-84381号に記載されているMIIX2・aMIIX′2:xEu2+輝尽性蛍光体には、以下に示すような添加物がMIIX2・aMIIX′2 1モル当り以下の割合で含まれていてもよい。 Further, the M II X 2 · aM II X ′ 2 : xEu 2+ stimulable phosphor described in JP-A-60-84381 has the following additives as M II X 2 · aM II X ′ 2 may be contained in the following ratio per mole.

 特開昭60−166379号に記載されているbMIX″(ただし、MIはRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、X″はF,Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてbは0<b≦10.0である);特開昭60-221483号に記載されているbKX″・cMgX2・dMIII X′3(ただし、MIII はSc,Y,La,Gdおよび Luからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X″、X およびX′はいずれもF,Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてb、cおよびdはそれぞれ、0≦b≦2.0、0≦c≦2.0、0≦d≦2.0であって、かつ2×10-5≦b+c+dである);特開昭60-228592号に記載されている yB(ただし、yは2×10-4≦y≦2×10-1である);特開昭60-228593号に記載されている bA(ただし、AはSiO2 およびP2O5からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、そしてbは10-4 ≦b≦2×10-1 である);特開昭61−120883号に記載されているbSiO(ただし、bは0<b≦3×10-2 である);特開昭61−120885号に記載されているbSnX″2 (ただし、X″はF,Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてbは0<b≦10-3である);特開昭61-235486号に記載されているbCsX″・cSnX2 (ただし、X″およびX はそれぞれF,Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてbおよびcはそれぞれ、0<b≦10.0 および10-6≦c≦2×10-2である);および特開昭61-235487号に記載されているbCsX″・yLn3+(ただし、X″はF,Cl,BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、LnはSc,Y,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、そしてbおよびyはそれぞれ、0<b≦10.0および10-6≦y≦1.8×10-1である)。 BM I X ″ described in JP-A-60-166379 (where M I is at least one alkali metal selected from the group consisting of Rb and Cs, and X ″ is selected from F, Cl, Br and I). BKX ″ · cMgX 2 · dM III X ′ 3 described in JP-A-60-221483 (provided that at least one halogen selected from the group consisting of b and 0 <b ≦ 10.0); M III is at least one trivalent metal selected from the group consisting of Sc, Y, La, Gd and Lu, and X ″, X and X ′ are all selected from the group consisting of F, Cl, Br and I. At least one halogen, and b, c and d are 0 ≦ b ≦ 2.0, 0 ≦ c ≦ 2.0, 0 ≦ d ≦ 2.0 and 2 × 10 −5 ≦ b + c + d, respectively. YB described in JP-A-60-228592 (where y is 2 × 10 −4 ≦ y ≦ 2 × 10 −1 ); described in JP-A-60-228593 bA A is at least one oxide selected from the group consisting of SiO 2 and P 2 O 5 , and b is 10 −4 ≦ b ≦ 2 × 10 −1 ); BSiO (where b is 0 <b ≦ 3 × 10 −2 ); bSnX ″ 2 (where X ″ is F, Cl, Br) described in JP-A-61-120885 And at least one halogen selected from the group consisting of I and I, and b is 0 <b ≦ 10 −3 ); bCsX ″ · cSnX 2 (excluding X ″ And X are each at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I, and b and c are 0 <b ≦ 10.0 and 10 −6 ≦ c ≦ 2 × 10 −2 , respectively. there); and are bCsX "· yLn 3+ (However, X" which is described in JP-a No. 61-235487 is F, Cl, halogenated der least one selected from the group consisting of Br and I , Ln is at least one rare earth element selected from the group consisting of Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu, and b and y are respectively 0 <b ≦ 10.0 and 10 −6 ≦ y ≦ 1.8 × 10 −1 ).

 上記の輝尽性蛍光体のうちで、二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体(例えばBaFI:Eu)ユーロピウム賦活アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体(例えばCsBr:Eu)、ヨウ素を含有する二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体、ヨウ素を含有する希土類元素賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、およびヨウ素を含有するビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽発光を示すことから好ましく用いることができ、またこれらの蛍光体は針状結晶とすることができるので、特に吸湿性が問題となりやすいため、本発明の保護層を用いることによって効果的な防湿を図ることができる。 Among the photostimulable phosphors described above, divalent europium activated alkaline earth metal fluorohalide phosphors (eg BaFI: Eu) europium activated alkali metal halide phosphors (eg CsBr: Eu), iodine The divalent europium activated alkaline earth metal halide phosphor containing iodine, the rare earth element activated rare earth oxyhalide phosphor containing iodine, and the bismuth activated alkali metal halide phosphor containing iodine have high brightness. Since these phosphors can be made into needle-like crystals, the hygroscopic property is likely to be a problem. Therefore, the use of the protective layer of the present invention can effectively prevent moisture. Can be achieved.

 蛍光体層は、蒸着法、スパッタ法、塗布法など公知の方法により支持体上に形成することができる。蒸着法においては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して10-4 Pa程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。蒸着工程を複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することもできる。蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。 The phosphor layer can be formed on the support by a known method such as vapor deposition, sputtering, or coating. In the vapor deposition method, a support is first installed in a vapor deposition apparatus, and then the interior of the apparatus is evacuated to a vacuum of about 10 −4 Pa. Next, at least one of the photostimulable phosphor is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method, or the like, so that the photostimulable phosphor is deposited on the support surface to a desired thickness. It is also possible to form the photostimulable phosphor layer by dividing the vapor deposition process into a plurality of times. Further, in the vapor deposition step, the photostimulable phosphor layer can be formed at the same time as the desired photostimulable phosphor is synthesized on the support by co-evaporation using a plurality of resistance heaters or electron beams. After the vapor deposition, the photostimulable phosphor layer may be heat-treated.

 スパッタ法においては、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後装置内を一旦排気して10-4 Pa程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスをスパッタ装置内に導入して10-1 Pa程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、保護層表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。スパッタ工程においても蒸着法と同様に、複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲットを用いて、同時あるいは順次、ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ法においては、必要に応じてO2 、H2 やハロゲン等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよい。スパッタ終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。 In the sputtering method, as in the vapor deposition method, after the support is placed in the sputtering apparatus, the inside of the apparatus is once evacuated to a vacuum of about 10 −4 Pa, and then inert gases such as Ar and Ne are used as sputtering gases. A gas is introduced into the sputtering apparatus to obtain a gas pressure of about 10 −1 Pa. Next, the photostimulable phosphor is deposited in a desired thickness on the surface of the protective layer by sputtering using the photostimulable phosphor as a target. In the sputtering process, as in the vapor deposition method, it is possible to form the photostimulable phosphor layer by dividing it into a plurality of times, and using a plurality of targets each made of different photostimulable phosphors, It is also possible to form the photostimulable phosphor layer by sputtering the target simultaneously or sequentially. In the sputtering method, reactive sputtering may be performed by introducing a gas such as O 2 , H 2, or halogen as necessary. After completion of sputtering, the photostimulable phosphor layer may be heat-treated.

 塗布法においては、蛍光体を溶剤とともに充分に混合して結合剤溶液中に輝尽性蛍光体が均一に分散した塗布液を調製し、この塗布液を支持体の表面に均一に塗布することにより塗膜を形成する。この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコーターなどを用いることにより行なうことができる。 In the coating method, the phosphor is thoroughly mixed with a solvent to prepare a coating solution in which the stimulable phosphor is uniformly dispersed in the binder solution, and this coating solution is uniformly applied to the surface of the support. To form a coating film. This coating operation can be performed by using a normal coating means, for example, a doctor blade, a roll coater, a knife coater or the like.

 蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによって異なり、20μm〜1mm程度とするのが一般的であるが、50μm〜500μmとすることがより好ましい。 The layer thickness of the phosphor layer varies depending on the characteristics of the intended radiation image conversion panel, the type of phosphor, the mixing ratio of the binder and the phosphor, and is generally about 20 μm to 1 mm. More preferably, the thickness is 50 μm to 500 μm.

 支持体としては、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができる。また、支持体と蛍光体層の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルとしての感度もしくは画質(鮮鋭度、粒状性)を向上させるために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層としたり、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られているが、本発明において用いられる支持体についても、これらの各種の層を設けることができる。それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択することができる。 The support can be arbitrarily selected from materials known as a support for conventional radiation image conversion panels. Further, in order to enhance the bonding between the support and the phosphor layer, or to improve the sensitivity or image quality (sharpness, graininess) as a radiation image conversion panel, the support surface on the side where the phosphor layer is provided is provided. Apply a polymer substance such as gelatin to form an adhesion-imparting layer, or provide a light reflecting layer made of a light reflecting substance such as titanium dioxide, or a light absorbing layer made of a light absorbing substance such as carbon black. However, these various layers can also be provided for the support used in the present invention. These configurations can be arbitrarily selected according to the purpose and application of the desired radiation image conversion panel.

 さらに特開昭58−200200号に記載されているように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的で、支持体の蛍光体層側の表面(支持体の蛍光体層側の表面に接着性付与層、光反射層または光吸収層などが設けられている場合には、その表面を意味する)に微小凹凸が形成されていてもよい。
 以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
Further, as described in JP-A-58-200200, for the purpose of improving the sharpness of the obtained image, the surface of the support on the phosphor layer side (adhesiveness to the surface of the support on the phosphor layer side) When an application layer, a light reflection layer, a light absorption layer, or the like is provided, it means that the surface thereof is finely uneven.
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

 (実施例1)
<保護層の作製>
 基材フィルムとして厚さ12μmのPETの長尺フィルムを真空蒸着装置の供給ロールに装着した後、基材フィルムを一定速度で搬送しながら、PET上に基本無機層として酸化アルミニウム層をプラズマCVD法により10mm厚に真空堆積した。続いて、有機ケイ素化合物(ヘキサメチルジシロキサン)を用いたプラズマCVD法により酸素を供給しながら製膜することで第一の上位無機層の酸化ケイ素層(240nm厚)を形成した。さらにこの酸化ケイ素層上に、酸化アルミニウムをプラズマCVD法により10mm厚に真空堆積し、第二の上位無機層として酸化アルミニウム層を形成し、酸化アルミニウム層−酸化ケイ素層−酸化アルミニウム層の無機層三層からなる透明な防湿フィルムを作製した。これらの無機層は長尺の基材フィルムを一定速度で1回搬送する過程で敷設された。各無機層の厚みのばらつきは±30%以下で、ESCA分析ではその厚さ方向に均一に炭素が分布していた(原子数で約18%)。その後、この防湿フィルム2枚を同方向に(一方の表面側が無機層面となるように)、2.5μm厚のポリエステル樹脂層を介して貼り合わせ、530mm角27μ厚の透明な保護層(保護層の構成は図7に示すもの)を得た。
Example 1
<Preparation of protective layer>
After mounting a PET film with a thickness of 12 μm as a base film on a supply roll of a vacuum deposition apparatus, an aluminum oxide layer is formed on the PET as a basic inorganic layer by plasma CVD while the base film is transported at a constant speed. Was vacuum deposited to a thickness of 10 mm. Then, the silicon oxide layer (240 nm thickness) of the 1st upper inorganic layer was formed by forming into a film, supplying oxygen with the plasma CVD method using the organosilicon compound (hexamethyldisiloxane). Further, on this silicon oxide layer, aluminum oxide is vacuum-deposited to a thickness of 10 mm by a plasma CVD method, an aluminum oxide layer is formed as a second upper inorganic layer, and an aluminum oxide layer-silicon oxide layer-aluminum oxide layer inorganic layer A transparent moisture-proof film consisting of three layers was produced. These inorganic layers were laid in the process of conveying a long base film once at a constant speed. The variation of the thickness of each inorganic layer was ± 30% or less, and carbon was uniformly distributed in the thickness direction by ESCA analysis (approximately 18% in terms of the number of atoms). Thereafter, the two moisture-proof films are bonded in the same direction (with one surface side being an inorganic layer surface) through a 2.5 μm-thick polyester resin layer, and a 530 mm square 27 μm thick transparent protective layer (protective layer) Was obtained as shown in FIG.

<保護層とガラス封止枠との接着>
 ソーダガラス製封止枠(縦、横450mm角、厚さ0.5mm、幅6mm、内角部R=2mmφ)と上記で作製した保護層の無機層面とを、2液硬化性エポキシ樹脂(XB5047、XB5067:バンティコ(株)製)を用いて接着した。この際、封止枠中心と保護層中心が合うように重ね合わせ、枠面と接触する保護層表面で接着し、40℃で1日硬化させ、保護層とガラス封止枠との接合体とした。
<Adhesion between protective layer and glass sealing frame>
A soda glass sealing frame (vertical, horizontal 450 mm square, thickness 0.5 mm, width 6 mm, inner corner portion R = 2 mmφ) and the inorganic layer surface of the protective layer prepared above are two-component curable epoxy resin (XB5047, XB5067: manufactured by Bantico Co., Ltd.). At this time, the center of the sealing frame and the center of the protective layer are overlapped, adhered on the surface of the protective layer in contact with the frame surface, cured at 40 ° C. for one day, and the bonded body of the protective layer and the glass sealing frame; did.

<輝尽性蛍光体層の作製>
 基板として縦、横450mm角、5mmφの減圧孔を隣りあう2辺から孔中心まで11mmの距離の角部に有する、片面に縁部(縁幅8mm)を除いてAl蒸着反射層が敷設された8mm厚のソーダガラス板を準備した。反射層面上の周縁から8mmまでの部分と減圧孔部にマスクを配置し、マスクが配置されていない反射層面上に蒸着されるように蒸着機中に設置した。次に所定の位置にEuBrm タブレットおよびCsBrタブレットを配置し、蒸着機を排気して1.0Paの真空度とした。続いて、基板をヒーターで100℃に加熱した。その後、白金ボート中のEuBrm タブレットおよびCsBrタブレットを加温して、マスク部分を除いた基板上一面に輝尽性蛍光体を(CsBr:Eu)を500μm堆積させた。乾燥雰囲気下、蒸着機中を大気圧に戻して基板を取り出した。基板上には太さ約8μmの針状輝尽性蛍光体が基板垂直方向に互いにやや隙間を空けて林立していた。
<Preparation of photostimulable phosphor layer>
The substrate has a vertical, horizontal 450mm square, 5mmφ decompression hole as a substrate at the corner of a distance of 11mm from two adjacent sides to the hole center, and an Al vapor deposition reflective layer is laid on one side except for the edge (edge width 8mm). An 8 mm thick soda glass plate was prepared. A mask was placed in a portion from the peripheral edge on the reflective layer surface to 8 mm and the decompression hole portion, and was placed in a vapor deposition machine so as to be deposited on the reflective layer surface where the mask was not placed. Then place the EuBr m tablet and CsBr tablet in place, and a vacuum degree of 1.0Pa and evacuated deposition machine. Subsequently, the substrate was heated to 100 ° C. with a heater. Thereafter, the EuBr m tablets and CsBr tablet in a platinum boat and heated, a stimulable phosphor on a surface on the substrate excluding the mask portion (CsBr: Eu) was allowed to 500μm deposited. Under a dry atmosphere, the inside of the vapor deposition machine was returned to atmospheric pressure and the substrate was taken out. On the substrate, needle-like photostimulable phosphors having a thickness of about 8 μm were erected with a slight gap therebetween in the direction perpendicular to the substrate.

<輝尽性蛍光体の封止>
 上記のように作製された、接着部(周縁から8mm)と減圧孔を除いてCsBr:Eu輝尽性蛍光体が蒸着形成された、Al蒸着反射層敷設ソーダガラス支持体と、封止枠が接合された透明保護層を接着剤(SU2153−9:サンコレック社製)を用いて圧力をかけながら接着し、常温(25℃)で12時間硬化させた。さらに減圧孔にEDPMゴムを埋め込み、接着剤(SU2153−9)で接着することで減圧孔を密閉した。これによって、蒸着輝尽性蛍光体層が支持体、封止枠、保護層によって密閉された構造が形成された。
<Sealing of stimulable phosphor>
An Al-deposited reflective layer laying soda glass support on which a CsBr: Eu photostimulable phosphor is formed by vapor deposition except for the bonded portion (8 mm from the periphery) and the decompression hole, and a sealing frame, prepared as described above. The bonded transparent protective layer was adhered using an adhesive (SU2153-9: manufactured by Suncorek) while applying pressure, and cured at room temperature (25 ° C.) for 12 hours. Further, EDPM rubber was embedded in the decompression hole and adhered with an adhesive (SU2153-9) to seal the decompression hole. As a result, a structure in which the vapor-deposited photostimulable phosphor layer was sealed by the support, the sealing frame, and the protective layer was formed.

<減圧、ガラス栓封止>
 上記密閉構造体の封止孔EDPMゴムに注射針を刺し通し、真空ポンプにより内部の気体を抜き取り減圧状態とした。その後、減圧孔のEDPMゴム上に接着剤(SU2153−9)を付着されたガラス栓で栓をし、放射線像変換パネルを完全な密閉構造とした。
<Pressure reduction, glass plug sealing>
An injection needle was pierced through the sealing hole EDPM rubber of the above-mentioned sealed structure, and the internal gas was extracted by a vacuum pump to obtain a reduced pressure state. Then, the radiation image conversion panel was made into a completely sealed structure by plugging with a glass stopper with an adhesive (SU2153-9) attached on the EDPM rubber in the decompression hole.

(実施例2)
 坩堝内の金属アルミニウムに電子線を照射し、加熱、蒸発させるとともに、ガス導入パイプを通じて酸素とヘリウムの混合ガスを導入し、これによって基材上に基本無機層として酸化アルミニウム層を厚さ10nmで敷設した。酸化アルミニウム層敷設後にDCマグネトロン法により、初期真空度3×10-4Paに引いて、ここに酸素/アルゴンガス9%の混合ガスを導入し、3×10-1Paの条件下において第一の上位無機層として酸化ケイ素層を240nm厚で敷設した。続いて、酸化ケイ素層敷設後に、第二の上位無機層として酸化アルミニウム層(厚さ10nm)を、基本無機層と同様にして設けた。これ以外は実施例1に記載したように保護層を形成し、27μm厚の透明保護層(保護層の構成は図7に示すもの)を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例1と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
(Example 2)
The metal aluminum in the crucible is irradiated with an electron beam, heated and evaporated, and a mixed gas of oxygen and helium is introduced through a gas introduction pipe, whereby an aluminum oxide layer having a thickness of 10 nm is formed as a basic inorganic layer on the substrate. Laid. After laying the aluminum oxide layer, an initial vacuum degree of 3 × 10 −4 Pa was drawn by a DC magnetron method, and a mixed gas of oxygen / argon gas 9% was introduced here, and the first condition was obtained under the condition of 3 × 10 −1 Pa. A silicon oxide layer having a thickness of 240 nm was laid as the upper inorganic layer. Subsequently, after laying the silicon oxide layer, an aluminum oxide layer (thickness 10 nm) was provided as the second upper inorganic layer in the same manner as the basic inorganic layer. Other than this, a protective layer was formed as described in Example 1 to obtain a transparent protective layer having a thickness of 27 μm (the structure of the protective layer is shown in FIG. 7). The adhesion of the protective layer and the glass sealing frame other than the above, the production of the stimulable phosphor layer, the sealing of the stimulable phosphor, the decompression, and the glass plug sealing were all carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a radiation image. A conversion panel was prepared.

(実施例3)
 厚さ12μmのPET表面に有機プライマー層を1.5μm厚で敷設し、この上に実施例1と同様に基本無機層として酸化アルミニウム層を形成し、第一の上位無機層として酸化ケイ素層の代わりに酸化窒素化ケイ素層をCVD法により敷設し(第二の上位無機層は形成せず)、29μm厚の透明保護層(保護層の構成は図10に示すもの)を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例1と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
(Example 3)
An organic primer layer having a thickness of 1.5 μm was laid on the PET surface having a thickness of 12 μm, and an aluminum oxide layer was formed thereon as a basic inorganic layer in the same manner as in Example 1, and a silicon oxide layer was formed as the first upper inorganic layer. Instead, a silicon oxynitride layer was laid by the CVD method (the second upper inorganic layer was not formed) to obtain a 29 μm-thick transparent protective layer (the structure of the protective layer is shown in FIG. 10). The adhesion of the protective layer and the glass sealing frame other than the above, the production of the stimulable phosphor layer, the sealing of the stimulable phosphor, the decompression, and the glass plug sealing were all carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a radiation image. A conversion panel was prepared.

(実施例4)
 防湿フィルムを実施例1と同様に作製した。この防湿フィルムの無機層敷設側の面とフィラーが添加されたCPP30μmとをポリウレタン系接着剤によりドライラミネートし(接着厚3μm)、厚さ45μmの透明な保護層(保護層の構成は図4に示すもの)を得た。また、減圧孔のない43cm×43cm角で2mm厚の基板を用いて輝尽性蛍光体層の作製を行った以外は、実施例1と同様に作製した。蛍光体層を保護層と不透明封止フィルム(CPP30μm/アルミニウムフィルム9μ/PET188μmの構成でドライラミネートしたフィルム)のCPP層側との間に、蛍光体層が保護層側となるように挟み、減圧下で周縁部をインパルスシーラー(ヒーターは3mm)を用いて融着し封止することで、放射線像変換パネルを作製した。
Example 4
A moisture-proof film was produced in the same manner as in Example 1. The surface of the moisture-proof film on the side where the inorganic layer is laid and CPP 30 μm to which filler is added are dry-laminated with a polyurethane adhesive (adhesion thickness 3 μm), and a transparent protective layer having a thickness of 45 μm (the structure of the protective layer is shown in FIG. 4). Obtained). Moreover, it produced similarly to Example 1 except having produced the photostimulable fluorescent substance layer using the 2 mm thickness board | substrate with a 43 cm x 43 cm square without a decompression hole. The phosphor layer is sandwiched between the protective layer and the opaque sealing film (the CPP 30 μm / aluminum film 9 μm / PET 188 μm film dry-laminated film) so that the phosphor layer is on the protective layer side, and the pressure is reduced. A radiation image conversion panel was prepared by fusing and sealing the peripheral edge using an impulse sealer (3 mm heater).

(実施例5)
 BaI水溶液(3.5N)2000mlとEuBr3 水溶液(0.2N)100mlを反応容器に入れ、この母液を攪拌しながら82℃で保温した。フッ化アンモニウム溶液(8N)200mlを反応母液中にポンプを用いて注入し、沈殿物を生成した。その後2時間熟成を行った後、沈殿物を濾過してメタノールで洗浄し乾燥させることでBaFI結晶を得た。これをアルミナの超微粒子粉体と均一に混合した後、石英ボードに充填してチューブ炉を用いて水素ガス雰囲気下825℃で1.5時間焼成してユーロピウム付活されたBFI蛍光体粒子を得た。続いてBFI蛍光体粒子を分級して平均粒径3μmの粒子を得た。
(Example 5)
2000 ml of an aqueous BaI solution (3.5 N) and 100 ml of an aqueous EuBr 3 solution (0.2 N) were placed in a reaction vessel, and the mother liquor was kept at 82 ° C. while stirring. 200 ml of an ammonium fluoride solution (8N) was injected into the reaction mother liquor using a pump to produce a precipitate. After aging for 2 hours, the precipitate was filtered, washed with methanol and dried to obtain BaFI crystals. This was mixed with alumina ultrafine particles uniformly, then filled in a quartz board, and fired at 825 ° C. for 1.5 hours in a hydrogen gas atmosphere using a tube furnace, and europium activated BFI phosphor particles were obtained. Obtained. Subsequently, the BFI phosphor particles were classified to obtain particles having an average particle diameter of 3 μm.

 蛍光体層を上記で得たユーロピウム付活されたBFI蛍光体粒子300g、ポリウレタン樹脂11g、ビスフェノール型エポキシ樹脂1/4gのメチルエチルケトン−トルエン混合溶媒に添加し、プロペラミキサーによって分散することで粘度25〜30psの塗布液を調整した。この塗布液をドクターブレード法で下塗り層付きPETフィルム上に塗布した後、100℃で15分乾燥させて280μ厚の蛍光体層を形成した。この蛍光体層を45cm×45cmの正方形に裁断して使用した以外は、実施例1と同様にして放射線像変換パネルを作製した。 The phosphor layer is added to 300 g of europium-activated BFI phosphor particles obtained above, 11 g of polyurethane resin, and 1/4 g of bisphenol-type epoxy resin in a methyl ethyl ketone-toluene mixed solvent, and dispersed by a propeller mixer to obtain a viscosity of 25 to 25. A coating solution of 30 ps was prepared. This coating solution was applied onto a PET film with an undercoat layer by the doctor blade method, and then dried at 100 ° C. for 15 minutes to form a phosphor layer having a thickness of 280 μm. A radiation image conversion panel was produced in the same manner as in Example 1 except that this phosphor layer was cut into a 45 cm × 45 cm square and used.

(実施例6)
 厚さ12μmのPET上に基本無機層として酸化ケイ素層を電子線蒸着法により10nmの厚さで敷設した。酸化ケイ素層敷設後に、第一の上位無機層として同じく電子線蒸着法により酸化アルミニウム層を200nmの厚さで敷設した。さらに、酸化アルミニウム層敷設後に、第二の上位無機層として同じく電子線蒸着法により酸化ケイ素層を10nmの厚さで敷設した。あとは実施例1と同様にして27μm厚の透明保護層(保護層の構成は図9に示すもの)を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例1と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
(Example 6)
A silicon oxide layer was laid as a basic inorganic layer on PET having a thickness of 12 μm to a thickness of 10 nm by electron beam evaporation. After laying the silicon oxide layer, an aluminum oxide layer having a thickness of 200 nm was laid as the first upper inorganic layer by the same electron beam evaporation method. Further, after the aluminum oxide layer was laid, a silicon oxide layer having a thickness of 10 nm was laid as the second upper inorganic layer by the same electron beam evaporation method. Thereafter, in the same manner as in Example 1, a transparent protective layer having a thickness of 27 μm (the structure of the protective layer is as shown in FIG. 9) was obtained. The adhesion of the protective layer and the glass sealing frame other than the above, the production of the stimulable phosphor layer, the sealing of the stimulable phosphor, the decompression, and the glass plug sealing were all carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a radiation image. A conversion panel was prepared.

(実施例7)
 厚さ12μmのPET上に基本無機層として酸化アルミニウム層をスパッタリング法により20nmの厚さで敷設した。酸化アルミニウム層敷設後に、第一の上位無機層として同じくスパッタリング法により酸化ケイ素層を220nmの厚さで敷設した。さらに、酸化ケイ素敷設後に、第二の上位無機層として同じくスパッタリング法により酸化アルミニウム層を30nmの厚さで敷設した。あとは実施例1と同様にして29μm厚の透明保護層(保護層の構成は図7に示すもの)を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例1と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
(Example 7)
An aluminum oxide layer was laid as a basic inorganic layer on PET having a thickness of 12 μm to a thickness of 20 nm by sputtering. After laying the aluminum oxide layer, a silicon oxide layer having a thickness of 220 nm was laid as the first upper inorganic layer by the sputtering method. Further, after laying the silicon oxide, an aluminum oxide layer having a thickness of 30 nm was laid as the second upper inorganic layer by the sputtering method. Thereafter, in the same manner as in Example 1, a 29 μm thick transparent protective layer (the structure of the protective layer is as shown in FIG. 7) was obtained. The adhesion of the protective layer and the glass sealing frame other than the above, the production of the stimulable phosphor layer, the sealing of the stimulable phosphor, the decompression, and the glass plug sealing were all carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a radiation image. A conversion panel was prepared.

(実施例8)
 第一の上位無機層として、テトラアルコキシランを主成分とする溶液をワイヤーバーコーティング法により塗布・硬化することで350mm厚の酸化ケイ素層を形成した以外は、全て実施例1と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
(Example 8)
As the first upper inorganic layer, radiation was applied in the same manner as in Example 1 except that a silicon oxide layer having a thickness of 350 mm was formed by applying and curing a solution containing tetraalkoxylane as a main component by the wire bar coating method. An image conversion panel was prepared.

(実施例9)
 基材フィルムとしてPETの換わりに厚さ20μmのポリシクロオレフィン(Tg=120℃)を使用した以外は実施例8と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
Example 9
A radiation image conversion panel was prepared in the same manner as in Example 8 except that polycycloolefin (Tg = 120 ° C.) having a thickness of 20 μm was used instead of PET as the base film.

(実施例10)
 基材フィルムとしてPETの換わりにPETとPEIのナノアロイポリマーからなる単一のガラス転移温度を有するフィルム(Tg=115℃)を使用した以外は実施例1と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
(Example 10)
A radiation image conversion panel was prepared in the same manner as in Example 1 except that a film having a single glass transition temperature (Tg = 115 ° C.) made of a nanoalloy polymer of PET and PEI was used as the base film instead of PET. did.

(実施例11)
 基材フィルムとしてPETの換わりに厚さ12μmの透明アラミドフィルム(Tg=230℃)を使用した以外は実施例8と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
(Example 11)
A radiation image conversion panel was prepared in the same manner as in Example 8 except that a transparent aramid film (Tg = 230 ° C.) having a thickness of 12 μm was used instead of PET as the base film.

(比較例1)
 12μmPET上に透明無機層として酸化ケイ素層を電子線蒸着法で200nm厚で形成し防湿フィルムとした。これを4枚同方向に、それぞれの間を3μmの透明ポリウレタン樹脂でラミネートして保護層を作製した以外は、実施例1と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
(Comparative Example 1)
A silicon oxide layer having a thickness of 200 nm was formed as a transparent inorganic layer on 12 μm PET by electron beam evaporation to form a moisture-proof film. A radiation image conversion panel was prepared in the same manner as in Example 1 except that four sheets were laminated in the same direction and each was laminated with a 3 μm transparent polyurethane resin to prepare a protective layer.

(比較例2)
 12μmPET上に透明無機層として酸化ケイ素層をプラズマCVD法により300nm厚で形成し防湿フィルムとした。これを保護層として用いた以外は実施例1と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
(Comparative Example 2)
A silicon oxide layer having a thickness of 300 nm was formed as a transparent inorganic layer on 12 μm PET by a plasma CVD method to obtain a moisture-proof film. A radiation image conversion panel was produced in the same manner as in Example 1 except that this was used as a protective layer.

(評価方法)
 上記実施例1〜7、比較例1および2で作製した放射線像変換パネルの厚さ、室温40℃湿度90%における保護層の透湿度、及び鮮鋭度、輝尽発光光低下率において評価した結果を表1に示す。なお、鮮鋭度および輝尽発光光低下率は以下の方法により測定したものである。
(Evaluation methods)
The results of evaluation in the thickness of the radiation image conversion panels prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2, the moisture permeability of the protective layer at room temperature of 40 ° C. and 90% of humidity, the sharpness, and the rate of decrease in stimulated emission light Is shown in Table 1. In addition, the sharpness and the stimulated emission light reduction rate are measured by the following methods.

<鮮鋭度>
 放射線像変換パネルに、管電圧80kVpのX線を照射したのち、波長650nmで走査して蛍光体を励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生して表示装置上に画像を得た。これをコンピュータで解析することにより、得られた画像の変調伝達関数(MTF)(空間周波数:2サイクル/mm)を得た。MTF値が高いほど鮮鋭度がよいことを示す。
<Sharpness>
After irradiating the radiation image conversion panel with X-rays with a tube voltage of 80 kVp, the phosphor is excited by scanning at a wavelength of 650 nm, and the stimulated luminescence emitted from the phosphor layer is received and converted into an electrical signal. Was reproduced as an image by the image reproducing device to obtain an image on the display device. This was analyzed by a computer to obtain a modulation transfer function (MTF) (spatial frequency: 2 cycles / mm) of the obtained image. A higher MTF value indicates better sharpness.

<輝尽発光光低下率>
 放射線像変換パネルにX線を照射し、ラインセンサーにて保護層側から線状の励起光を照射し、その際に検出された輝尽発光光検出量を初期値とし、この放射線像変換パネルを55℃95%恒温槽中で30日間経時し、再び輝尽発光光(サーモ後値)を測定し、以下の式により輝尽発光光低下率を算出した。
 輝尽発光光低下率(%)={(初期値−サーモ後値)/初期値}×100
 結果を表2に示す。

Figure 2004093560
<Stimulated light emission reduction rate>
The radiation image conversion panel is irradiated with X-rays, and the line sensor is irradiated with linear excitation light from the protective layer side. The detected amount of the photostimulated luminescence detected at that time is set as an initial value. This was aged for 30 days in a constant temperature chamber at 55 ° C. and 95%, and the stimulated emission light (post-thermo value) was measured again, and the reduction rate of the stimulated emission light was calculated by the following formula.
Stimulated emission light reduction rate (%) = {(initial value−post-thermo value) / initial value} × 100
The results are shown in Table 2.
Figure 2004093560

 表2から明らかなように、実施例1〜実施例11に示す放射線像変換パネルは、保護層が基本無機層と基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層がそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されているので、このような構成をもたない比較例1および2に比して透湿度を低いものとすることができた。 As is clear from Table 2, the radiation image conversion panels shown in Examples 1 to 11 include a basic inorganic layer and at least one upper inorganic layer positioned on the basic inorganic layer, and each upper inorganic layer. Since the layers were directly laid on the inorganic layers located under the respective inorganic layers, the moisture permeability could be reduced as compared with Comparative Examples 1 and 2 having no such configuration.

 また、実施例8の放射線像変換パネルよりも、実施例8における基材フィルムをガラス転移温度が100℃以上の基材フィルムに換えた実施例9及び実施例11の放射線像変換パネルの方が透湿度が低く、輝尽発光光の低下率が低かった。さらに、実施例1の放射線像変換パネルよりも、実施例1における基材フィルムをガラス転移温度が100℃以上の基材フィルムに換えた実施例10の放射線像変換パネルの方が透湿度が低く、輝尽発光光の低下率が低かった。これはガラス転移温度が高い基材を用いると、蒸着作業等で高温となっても基材の劣化が少なく、高い防湿性が保たれたため、鮮鋭度はより高く、輝尽発光光の低下はより抑えられたものと考えられる。 In addition, the radiation image conversion panels of Example 9 and Example 11 in which the base film in Example 8 was replaced with a base film having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher than the radiation image conversion panel of Example 8 were used. The moisture permeability was low, and the reduction rate of the photostimulated luminescence was low. Furthermore, the radiation image conversion panel of Example 10 in which the base film in Example 1 is replaced with a base film having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher is lower in moisture permeability than the radiation image conversion panel of Example 1. The decrease rate of the photostimulated luminescence was low. This is because when a substrate having a high glass transition temperature is used, the substrate is less deteriorated even at a high temperature during vapor deposition and the like, and high moisture resistance is maintained. It is thought that it was suppressed more.

 以上のように、本発明の放射線像変換パネルは、保護層が基本無機層と基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層がそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されているので、透湿度を低いものとすることが可能となった。また保護層の無機層を支持する基材にガラス転移温度が高い基材を用いることによって、透湿度をより低くすることが可能となった。この結果、本発明の放射線像変換パネルは鮮鋭度が高く輝尽発光光の低下が抑えられた、高画質かつ高い耐久性をもつものとすることができた。 As described above, in the radiation image conversion panel according to the present invention, the protective layer includes a basic inorganic layer and at least one upper inorganic layer positioned on the basic inorganic layer, and each upper inorganic layer is below each inorganic layer. Since it is directly laid on the positioned inorganic layer, the moisture permeability can be lowered. Further, by using a base material having a high glass transition temperature as the base material that supports the inorganic layer of the protective layer, the moisture permeability can be further reduced. As a result, the radiation image conversion panel of the present invention was able to have high image quality and high durability with high sharpness and suppressed reduction of the stimulated emission light.

本発明の第一の実施の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図Schematic sectional view of a radiation image conversion panel showing a first embodiment of the present invention 図1に示す放射線像変換パネルの保護層の実施の形態を示す概略断面図Schematic sectional view showing an embodiment of a protective layer of the radiation image conversion panel shown in FIG. 保護層の別の実施の形態を示す概略断面図Schematic sectional view showing another embodiment of the protective layer 保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the protective layer 保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the protective layer 本発明の第二の実施の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図Schematic sectional view of a radiation image conversion panel showing a second embodiment of the present invention 図6に示す放射線像変換パネルの保護層の実施の形態を示す概略断面図Schematic sectional view showing an embodiment of a protective layer of the radiation image conversion panel shown in FIG. 保護層の別の実施の形態を示す概略断面図Schematic sectional view showing another embodiment of the protective layer 保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図Schematic sectional view showing still another embodiment of the protective layer 保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the protective layer

符号の説明Explanation of symbols

   1  放射線像変換パネル
   2  蛍光体層
   3  支持体
   4  保護層
   5  基材
   6  基本無機層
   7  第一の上位無機層
   8  第二の上位無機層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Radiation image conversion panel 2 Phosphor layer 3 Support body 4 Protective layer 5 Base material 6 Basic inorganic layer 7 First upper inorganic layer 8 Second upper inorganic layer

Claims (9)

 輝尽性蛍光体層と保護層とを有する放射線像変換パネルにおいて、前記保護層が基本無機層と該基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されていることを特徴とする放射線像変換パネル。 In the radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer and a protective layer, the protective layer includes a basic inorganic layer and at least one upper inorganic layer located on the basic inorganic layer, and each upper inorganic layer is respectively A radiation image conversion panel, wherein the radiation image conversion panel is directly laid on an inorganic layer located under the inorganic layer.  前記上位無機層のいずれかの層厚が、前記基本無機層の層厚よりも厚いことを特徴とする請求項1記載の放射線像変換パネル。 The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein any one of the upper inorganic layers is thicker than the basic inorganic layer.  前記基本無機層の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層の層厚が20〜1000nmの範囲であることを特徴とする請求項2記載の放射線像変換パネル。 3. The radiation image conversion panel according to claim 2, wherein the layer thickness of the upper inorganic layer having a layer thickness larger than the layer thickness of the basic inorganic layer is in the range of 20 to 1000 nm.  前記基本無機層及び前記上位無機層のうち、互いに隣りあう少なくとも1組の無機層同士が結晶構造を異にするものであることを特徴とする請求項1、2または3記載の放射線像変換パネル。 4. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein at least one pair of inorganic layers adjacent to each other among the basic inorganic layer and the upper inorganic layer has a different crystal structure. .  前記基本無機層及び前記上位無機層のいずれかが、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかからなるものであることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の放射線像変換パネル。 5. The device according to claim 1, wherein one of the basic inorganic layer and the upper inorganic layer is made of any one of a metal oxide, a metal nitride, and a metal oxynitride. Radiation image conversion panel.  前記保護層の互いに隣りあう3つの無機層が、酸化アルミニウム層、酸化ケイ素層、酸化アルミニウム層をこの順に積層してなるものであることを特徴とする請求項5記載の放射線像変換パネル。 6. The radiation image conversion panel according to claim 5, wherein the three inorganic layers adjacent to each other of the protective layer are formed by laminating an aluminum oxide layer, a silicon oxide layer, and an aluminum oxide layer in this order.  前記保護層の層厚が50μm以下であって、該保護層の透湿度が、40℃において0.07g/m2/24h以下であることを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載の放射線像変換パネル。 Wherein A is the layer thickness of the protective layer is 50μm or less, moisture permeability of the protective layer is, 40 ℃ 0.07g / m 2 / 24h claim 1, wherein the less is claimed 6 any one in Radiation image conversion panel.  前記保護層は前記基本無機層が直接敷設された基材を含むものであって、該基材のガラス転移温度(Tg)が85℃以上であることを特徴とする請求項1から7いずれか1項記載の放射線像変換パネル。 The said protective layer contains the base material by which the said basic inorganic layer was laid directly, The glass transition temperature (Tg) of this base material is 85 degreeC or more, The any one of Claim 1 to 7 characterized by the above-mentioned. The radiation image conversion panel according to item 1.  前記ガラス転移温度が100℃以上であることを特徴とする請求項8記載の放射線像変換パネル。 The radiation image conversion panel according to claim 8, wherein the glass transition temperature is 100 ° C or higher.
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