JP2004093214A - Nondestructive inspection system - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nondestructive inspection system for accurately detecting a defect of a sample by using a magnetic field detecting means. <P>SOLUTION: This nondestructive inspection system 1 detects a magnetic field induced by a laser beam by a SQUID fluxmeter 16 by scanning a wafer by the laser beam. The SQUID fluxmeter is arranged on the surface side of the sample. While, an automatic focus is performed on the reverse side of the sample. An automatic focusing controller 145 performs an automatic focus by adjusting a distance between an objective lens 129 and the sample by using an automatic focusing actuator 14b. A computer 18 determines the existence of the defect of the sample on the basis of acquired magnetic field distribution data. Since the sample is scanned while keeping a focus, the defect of the sample can be accurately detected. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、磁場の検出により試料を非破壊検査する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造では、半導体ウェーハ上に複数のダイ（チップ）を形成した後、ウェーハ検査を行う。ウェーハ検査には、非破壊検査装置が用いられる。非破壊検査装置の一例として、走査型ＳＱＵＩＤ顕微鏡などのＳＱＵＩＤ検査装置が知られている。ＳＱＵＩＤ検査装置は、ＳＱＵＩＤ磁束計を用いた磁場の検出により試料を非破壊検査する。例えば、走査型ＳＱＵＩＤ顕微鏡は、試料の表面にレーザスポット光を照射し、それによって誘起された磁場の強度をＳＱＵＩＤ磁束計（超伝導量子干渉磁束計）で検出する。磁場強度の分布は、ＳＱＵＩＤ磁束計の出力信号を用いて画像化される。この磁場分布画像を観察することにより、ウェーハを検査できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、ＳＱＵＩＤ磁束計などの磁場検出手段を用いる非破壊検査装置の改良を課題とする。より具体的には、磁場検出手段を用いて試料の欠陥を精度良く検出できる非破壊検査装置の提供を課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この発明の非破壊検査装置は、表面および裏面を有する試料を走査して、その試料に設けられた所定の構造の欠陥を検出する。この非破壊検査装置は、（ａ）試料の裏面に対向させて配置された対物レンズと、（ｂ）試料の裏面側に配置され、対物レンズを介して試料にレーザ光を照射する照射手段と、（ｃ）試料上におけるレーザ光の照射位置を移動させて試料を走査する走査手段と、（ｄ）試料の裏面側に配置され、対物レンズと試料との距離を調整してオートフォーカスを行うオートフォーカシング手段と、（ｅ）試料の表面側に配置され、試料の走査によって発生する磁場を検出し、磁場分布データを取得する磁場検出手段とを備えている。この非破壊検査装置は、磁場検出手段によって取得された磁場分布データに基づいて欠陥を検出する。
【０００５】
この非破壊検査装置では、磁場検出手段が試料の表面側で誘起磁場を検出するとともに、オートフォーカス手段が試料の裏面側でオートフォーカスを実行する。このため、フォーカスを保ったまま試料を走査することが可能となる。したがって、この非破壊検査装置は、高い精度で試料の欠陥を検出できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
【０００７】
（実施形態１）
図１は、第１の実施形態に係る非破壊検査装置１の構成を示す概略図である。この非破壊検査装置１は、走査型レーザＳＱＵＩＤ顕微鏡である。装置１は、半導体ウェーハ５の表面５ａに設けられたデバイスパターンの欠陥の有無を非破壊検査する。
【０００８】
図２は、半導体ウェーハ５の表面５ａを示す平面図である。ウェーハ５は、複数のダイ５２を有している。これらのダイ５２は、ウェーハ５の表面５ａ上で２次元的に配列されている。各ダイ５２には、所定の構造が形成されている。この構造は、半導体デバイスパターンである。これらのダイ５２は、すべて同じデバイスパターンを有することを予定されている。非破壊検査装置１は、各ダイ５２のデバイスパターンにおける欠陥の有無を検査する。
【０００９】
再び、図１を参照する。非破壊検査装置１は、ＸＹθステージ１０、イメージング装置１２、イメージング装置コントローラ１３、ＳＱＵＩＤ磁束計１６、コンピュータ１８および表示装置２０を有している。ＸＹθステージ１０、イメージング装置１２およびＳＱＵＩＤ磁束計１６は、イメージング装置コントローラ１３に電気的に接続されている。表示装置２０は、コンピュータ１８に電気的に接続されている。イメージング装置コントローラ１３は、イメージング装置１２とコンピュータ１８の間に電気的に接続されている。ＳＱＵＩＤ磁束計１６とイメージング装置コントローラ１３の間には、プリアンプ１７およびロックインアンプ１９が電気的に接続されている。イメージング装置１２とコンピュータ１８との間には、オートフォーカスコントローラ１４５が電気的に接続されている。
【００１０】
装置１によるウェーハ５の検査の際、ウェーハ５は、ＸＹθステージ１０上に載置される。ＸＹθステージ１０には、チャック８が設置されている。チャック８は、ウェーハ５の表面５ａのエッジ部分を吸着してウェーハ５を保持する。チャック８は環状であり、その中央に開口部を有している。
【００１１】
イメージング装置１２は、ウェーハ５をその裏面５ｂ側から撮像するための光学系である。イメージング装置１２は、レーザ光源１２０、コリメータレンズ１２１、光スキャナ１２２、瞳投影レンズ１２３、ビームスプリッタ１２４、ハーフミラー１２５、コンデンサレンズ１２６および光検出器１２７を有する。イメージング装置１２は、顕微鏡結像レンズ１２８および顕微鏡対物レンズ１２９をさらに有する。
【００１２】
イメージング装置１２は、レーザ光によってウェーハ５を走査し、磁場を誘起するとともに、ウェーハ５の反射光学像を取得する。イメージング装置１２は、ウェーハ５の裏面５ｂ側においてＸＹθステージ１０の下方に配置されている。イメージング装置１２から出射するレーザビームは、ウェーハ５の裏面５ｂに照射される。
【００１３】
レーザ光源１２０は、赤外レーザ光を発する発光素子と光変調器を有する。この赤外レーザ光は、ウェーハ５を透過できる波長を有している。レーザ光源１２０は、イメージング装置コントローラ１３を介して、コンピュータ１８に電気的に接続されている。コンピュータ１８が発光命令をコントローラ１３に送ると、コントローラ１３はレーザ駆動信号を生成し、レーザ光源１２０に送る。レーザ光源１２０は、このレーザ駆動信号に応答してレーザ光を発する。光変調器は、このレーザ光をある周波数で変調する。このように、レーザ光源１２０は、変調されたレーザ光を放出する。
【００１４】
コリメータレンズ１２１は、レーザ光源１２０からレーザ光を受光し、平行レーザビームを生成する。このレーザビームは、ビームスプリッタ１２４によって光スキャナ１２２に送られる。
【００１５】
光スキャナ１２２は、このレーザビームを反射して、瞳投影レンズへ送る。この反射角度は可変である。反射角度を連続的に変化させると、レーザビームが掃引される。これが、レーザビームの走査である。光スキャナ１２２は、レーザビームを２次元的に走査するＸＹスキャナである。光スキャナ１２２は、イメージング装置コントローラ１３を介して、コンピュータ１８に電気的に接続されている。コントローラ１３は、コンピュータ１８からスキャナ駆動命令を受け取る。このスキャナ駆動命令は、光スキャナ１２２によるレーザビームの走査方向および走査速度をコントローラ１３に指示する。コントローラ１３は、スキャナ駆動命令に応答してスキャナ駆動信号を生成し、光スキャナ１２２に送る。光スキャナ１２２は、このスキャナ駆動信号に応答して駆動する。この結果、光スキャナ１２２は、コンピュータ１８が指示する走査方向および走査速度でレーザビームを走査する。
【００１６】
光スキャナ１２２とＸＹθステージ１０との間の光路上には、瞳投影レンズ１２３、顕微鏡結像レンズ１２８および顕微鏡対物レンズ１２９が配置されている。光スキャナ１２２からのレーザビームは、瞳投影レンズ１２３を透過して結像レンズ１２８に入射する。このレーザビームは、結像レンズ１２８を透過して対物レンズ１２９に入射する。対物レンズ１２９は、レーザビームをウェーハ５上に投影する。この結果、レーザビームは、ウェーハ５上でスポット光を成す。
【００１７】
レーザビームの一部はウェーハ５によって反射され、対物レンズ１２９、結像レンズ１２８を透過する。この反射レーザ光は、瞳投影レンズ１２３、光スキャナ１２２およびビームスプリッタ１２４を通過してハーフミラー１２５に入射する。反射レーザ光の一部は、ハーフミラー１２５を透過してコンデンサレンズ１２６に入射する。コンデンサレンズ１２６は、反射レーザ光を集光して光検出器１２７に送る。光検出器１２７は、反射レーザ光のパワーに応じた信号を生成し、出力する。この出力信号は、コントローラ１３に送られる。レーザビームでウェーハを走査すれば、光検出器１２７の出力信号は、ウェーハ５の画像情報を表すことになる。コントローラ１３は、光検出器１２７の出力信号に基づいて、ウェーハ５の反射画像データを生成できる。
【００１８】
イメージング装置１２には、Ｚ軸ステージ１３０が取り付けられている。Ｚ軸ステージ１３０は、イメージング装置１２をＺ軸方向に沿って移動させることができる。Ｚ軸方向は、ウェーハ５の主表面（表面５ａおよび裏面５ｂ）と実質的に垂直である。Ｚ軸ステージ１３０の駆動によって、ウェーハ５の撮像距離を調整できる。
【００１９】
ＸＹθステージ１０は、ウェーハ５の主表面と実質的に平行なＸＹ平面内で、ウェーハ５を平行移動および回転させることができる。ＸＹθステージ１０は、ウェーハ５をＸおよびＹ方向に沿って平行移動させることができる。また、ＸＹθステージ１０は、ＸＹ平面に垂直なＺ軸の周りにウェーハ５を回転させることができる。ＸＹθステージ１０は、イメージング装置１２から出射するレーザビームに対してウェーハ５を移動させることができる。したがって、ＸＹθステージ１０の駆動により、ウェーハ５におけるレーザビームの照射位置を変えることができる。
【００２０】
ＸＹθステージ１０は、イメージング装置コントローラ１３を介してコンピュータ１８に電気的に接続されている。コントローラ１３は、コンピュータ１８からステージ駆動命令を受け取る。このステージ駆動命令は、ステージ１０の移動方向、移動量、回転方向および回転量をコントローラ１３に指示する。コントローラ１３は、ステージ駆動命令に応答してステージ駆動信号を生成し、このステージ駆動信号をＸＹθステージ１０に送る。ＸＹθステージ１０は、このステージ駆動信号に応答して駆動する。この結果、ＸＹθステージ１０は、コンピュータ１８が指示する移動方向および移動量でウェーハ５を移動させ、また、コンピュータ１８が指示する回転方向および回転量でウェーハ５を回転させる。
【００２１】
装置１は、オートフォーカス装置を備えている。このオートフォーカス装置は、オートフォーカス用検出系１４ａとフォーカシングアクチュエータ１４ｂから構成されている。オートフォーカス用検出系１４ａおよびフォーカシングアクチュエータ１４ｂは、ウェーハ５へのレーザ光照射のオートフォーカスを共同で実行する。検出系１４ａは、４分割フォトダイオード１４０、シリンダレンズ１４２、コンデンサレンズ１４３、光減衰器１４４およびオートフォーカスコントローラ１４５を有する。オートフォーカスコントローラ１４５以外の素子は、イメージング装置１２内に設置されている。４分割フォトダイオード１４０は、オートフォーカスコントローラ１４５に電気的に接続されている。オートフォーカスコントローラ１４５は、コンピュータ１８に電気的に接続されている。フォーカシングアクチュエータ１４ｂは、対物レンズ１２９に取り付けられている。アクチュエータ１４ｂは、オートフォーカスコントローラ１４５に電気的に接続されている。
【００２２】
ウェーハ５で反射されたレーザ光の一部は、ハーフミラー１２５で反射されて光減衰器１４４に送られる。光減衰器１４４は、反射レーザ光のパワーを減衰させることができる。光減衰器１４４は、反射レーザ光をコンデンサレンズ１４３に送る。コンデンサレンズ１４３は、反射レーザ光を集光してシリンダレンズ１４２に送る。シリンダレンズ１４２は、その母線に直交する平面内で反射レーザ光を収束させ、４分割フォトダイオード１４０に送る。４分割フォトダイオード１４０の出力信号は、オートフォーカスコントローラ１４５に送られる。
【００２３】
ＳＱＵＩＤ磁束計１６は、ウェーハ５の表面（パターン面）５ａに対向するようにウェーハ５の上方に設置されている。ＳＱＵＩＤ磁束計１６は、ウェーハ５へのレーザ光照射によって発生する磁場を検出する。赤外レーザ光がウェーハ５に照射されると、熱起電力または光起電力が発生する。この熱起電力または光起電力は、ウェーハ５内に電流を生じさせる。この電流によって、磁場が誘起される。この磁場は、ウェーハ５の構造を反映する。ＳＱＵＩＤ磁束計１６は、この誘起磁場を検出する。ＳＱＵＩＤ磁束計１６は、検出した磁場の強度に応じた出力電圧信号（計測磁場信号）を生成する。この計測磁場信号は、プリアンプ１７へ送られる。
【００２４】
プリアンプ１７は、この計測磁場信号を増幅し、ロックインアンプ１９へ送る。ロックインアンプ１９は、計測磁場信号のうち特定の周波数成分のみを選択、増幅し、イメージング装置コントローラ１３へ送る。この周波数は、レーザ光源１２０の変調周波数と同じである。
【００２５】
イメージング装置コントローラ１３は、ウェーハ５へのレーザ光照射によって誘起された磁場の分布を画像化することができる。コントローラ１３は、ロックインアンプ１９から計測磁場信号を受け取る。コントローラ１３は、ウェーハ５上におけるレーザ光の照射位置（すなわち、走査位置）をピクセル位置に対応付ける。コントローラ１３は、ウェーハ５上のある位置にレーザ光を照射したときの計測磁場信号レベルを、その照射位置に対応付けられたピクセルの輝度に変換する。これにより、ウェーハ５へのレーザ光照射によって誘起された磁場の画像データが得られる。以下では、この画像を「ＳＱＵＩＤ画像」と呼ぶことにする。ＳＱＵＩＤ画像データは、磁場の分布を示す磁場分布データでもある。ＳＱＵＩＤ画像データは、画像信号の形で処理されることがある。コントローラ１３は、ダイ５２の各々についてＳＱＵＩＤ画像データを算出する。
【００２６】
コントローラ１３は、ウェーハ５の反射光像も取得する。コントローラ１３は、光検出器１２７の出力信号を受け取る。コントローラ１３は、ウェーハ５上のある位置にレーザ光を照射したときの光検出器１２７の出力信号レベルを、その照射位置に対応付けられたピクセルの輝度に変換する。これにより、ウェーハ５の反射光像の画像データが生成される。
【００２７】
コンピュータ１８は、イメージング装置コントローラ１３を介して、ＸＹθステージ１０、レーザ光源１２０、光スキャナ１２２およびＺ軸ステージ１３０の動作を制御する。また、コンピュータ１８は、表示装置２０の表示動作を制御する。
【００２８】
コンピュータ１８は、コントローラ１３からウェーハ５のＳＱＵＩＤ画像データおよび反射光像データを受け取る。コンピュータ１８は、ＳＱＵＩＤ画像データを用いて各ダイ５２内の欠陥の有無を判定する。コンピュータ１８は、ダイ５２内に欠陥が存在すると判定すると、その欠陥の位置を示す画像データを生成する。また、コンピュータ１８は、必要に応じて、ダイ５２の反射画像に欠陥位置を重ねた画像データを生成する。コンピュータ１８は、生成した画像データを表示装置２０に送る。
【００２９】
表示装置２０は、コンピュータ１８から画像データを受け取る。表示装置２０は、この画像データにしたがって画像を画面上に表示する。
【００３０】
図３は、非破壊検査装置１を用いてウェーハ検査を開始するまでの流れを示すフローチャートである。オペレータは、まず、コンピュータ１８に接続された入力装置（図示せず）を操作して、検査モードを選択する（ステップ３１０）。コンピュータ１８は、選択された検査モードに応じて、走査スピードを自動選択する（ステップ３２０）。続いて、光源変調スピード（変調周波数）がコンピュータ１８によって自動選択され、あるいはオペレータによって手動選択される（ステップ３３０）。この後、コンピュータ１８は、オートフォーカス用検出系１４ａの応答周波数および４分割フォトダイオード１４０の出力信号の平均化範囲を自動選択する（ステップ３４０）。以上の工程が終了した後、ウェーハ５の検査が開始される（ステップ３５０）。
【００３１】
以下では、非破壊検査装置１によるウェーハ検査処理を説明する。装置１は、ウェーハの走査、ＳＱＵＩＤ画像およびウェーハ反射光像の取得、欠陥の有無の判定、ならびに結果表示を実行する。ＳＱＵＩＤ画像およびウェーハ反射光像の取得の際には、オートフォーカスが行われる。
【００３２】
非破壊検査装置１は、ウェーハ５上におけるレーザビームの照射位置を移動させて、ウェーハ５上のすべてのダイ５２を走査する。レーザビームの照射位置の移動は、例えば、ステージスキャンと呼ばれる方法によって実行できる。ステージスキャンでは、ＸＹθステージ１０の移動により、ウェーハ５をレーザビームに対して相対的に移動させる。ステージスキャンでは、レーザビームは、光スキャナ１２２によって走査されずに固定される。
【００３３】
ステージスキャンに代えて、レーザスキャンと呼ばれる方法によって照射位置を移動させることもできる。図４は、レーザスキャンによる照射位置の移動を示す概略図である。レーザスキャンでは、行列状に配列された複数の走査領域６１に順次にレーザビームが照射される。これらの走査領域は、同一の形状を有している。走査領域６１の形状および大きさは、ダイ５２の形状および大きさに加え、ＳＱＵＩＤ磁束計１６の感度領域、ＳＱＵＩＤ磁束計１６とウェーハ５との間の距離に応じて決められる。レーザビームの照射位置は、走査ステージ１０の駆動と光スキャナ１２２によるレーザビームの移動（走査）の双方を用いて移動させられる。矢印６０で示されるように、レーザビームの走査は、単一の走査領域内で照射位置を移動させるために使用される。矢印６２で示されるように、ステージ１０の駆動は、一つの走査領域６１から別の走査領域６１へ照射位置を移動させるために使用される。
【００３４】
ウェーハ５へのレーザビームの照射により、磁場が誘起される。この誘起磁場は、ＳＱＵＩＤ磁束計１６によって検出される。イメージング装置コントローラ１３は、プリアンプ１７およびロックインアンプ１９によって増幅された計測磁場信号を受け取る。コントローラ１３は、この計測磁場信号を用いて、各ダイ５２のＳＱＵＩＤ画像データを生成する。
【００３５】
レーザビームの一部は、ウェーハ５に進入し、ウェーハ５のデバイスパターンによって反射される。この反射レーザ光は、光検出器１２７によって検出される。レーザビームの照射位置はウェーハ５の全体にわたって移動するから、光検出器１２７の出力信号は、ウェーハ５のデバイスパターン全体の反射光像を示す。イメージング装置コントローラ１３は、光検出器１２７の出力信号に基づいて、ウェーハ５の反射光像データを生成する。
【００３６】
イメージング装置コントローラ１３は、ウェーハ５のＳＱＵＩＤ画像および反射光像を取得する際、オートフォーカスを実行する。この実施形態では、非点収差法によってオートフォーカスを行う。非点収差法は公知なので、簡単に説明するに留める。ウェーハ５のデバイスパターンによって反射されたレーザ光の一部は、ハーフミラー１２５によって反射され、オートフォーカシング用検出系１４ａに入射する。
【００３７】
この反射レーザ光は、光減衰器１４４によって減衰される。光減衰器１４４は、レーザ光源１２０の出力パワーが被検査ウェーハに応じた最適な値に調整された後、４分割フォトダイオード１４０に入射する光量の変化を抑える働きをする。したがって、光減衰器１４４によって、検出系１４ａのダイナミックレンジを広げ、４分割フォトダイオード１４０の性能を活かすことができる。光減衰器１４４の減衰率は、４分割フォトダイオード１４０の総入射光量が一定になるように、オートフォーカスコントローラ１４５によってフィードバック制御される。このフィードバック制御は、４分割フォトダイオード１４０の出力信号に基づいて実行される。
【００３８】
この実施形態では、磁場励起用の光源とオートフォーカス用の光源とが同一なので、ウェーハ５と４分割フォトダイオード１４０の間に光減衰器１４４を配置することが有益である。光減衰器１４４を用いることにより、磁場励起に必要なレーザ光パワーを維持しつつ、４分割フォトダイオード１４０の出力信号がダイナミックレンジから外れないようにレーザ光のパワーを減衰させられる。これにより、レーザ光源１２０の出力パワーを低減することなく、適切なオートフォーカスを実行できる。
【００３９】
光減衰器１４４から出射したレーザ光は、コリメータレンズ１４３によって収束された後、シリンダレンズ１４２に入射する。シリンダレンズ１４２は、反射レーザ光を回転非対称に収束させる。シリンダレンズ１４２の光軸に沿って反射レーザ光がフォーカスを結ぶ位置は、互いに直交する一対の方向の間で異なる。このため、反射レーザ光は、互いに直交する一対の線として、異なる焦点面に結像する。これら一対の方向を、仮にｘ方向およびｙ方向とする。ｘ方向およびｙ方向は、ともにシリンダレンズ１４２の光軸に対して垂直である。
【００４０】
ウェーハ５の表面５ａにレーザ光のフォーカスが合うと４分割フォトダイオード１４０の出力がｘ方向およびｙ方向で等しくなるように、イメージング装置１２の位置をあらかじめ調整しておく。イメージング装置１２の位置は、Ｚ軸ステージ１３０の駆動によって調整できる。オートフォーカスコントローラ１４５は、４分割フォトダイオード１４０の出力信号をｘ方向およびｙ方向間で作動増幅して、ｘ方向およびｙ方向間の出力バランスを求める。ウェーハ５に対するフォーカスがはずれると、ｘ方向およびｙ方向のどちらかで、より大きな出力が検出される。どちらの方向の出力が大きいかに応じて、フォーカスのずれ方向が分かる。コントローラ１４５は、フォーカスのずれが少なくなるようにフォーカシングアクチュエータ１４５を駆動させ、対物レンズ１２９の位置を調整する。このようなオートフォーカスは、ウェーハ５の走査中、継続して実行される。つまり、ウェーハ５のＳＱＵＩＤ画像および反射光像は、常にオートフォーカスが実行された状態で取得される。
【００４１】
オートフォーカスコントローラ１４５は、図３のステップ３２０で設定された走査スピードおよび図３のステップ３３０で設定された光源変調スピード（変調周波数）に応じてオートフォーカス用検出系１４ａの応答周波数を調整し、光検出器１２７の出力信号を平均化する。応答周波数および平均化範囲の設定は、図３のステップ３４０で実行される。
【００４２】
応答周波数の調整および光検出器出力の平均化は、レーザ光源１２０がこの実施形態のように磁場励起用の光源とオートフォーカス用の光源を兼ねている場合に特に有益である。このことを理解するために、反射率の空間的変動が激しい試料にオートフォーカス用のレーザ光を照射し、反射戻り光をフォーカシング検出センサで検出する場合を考える（図５を参照）。この場合、図６（ａ）に示されるように、反射戻り光のレベルがオートフォーカス検出系のダイナミックレンジを超えてしまい、オートフォーカスが働かなくなることがある。また、光源を変調する場合も、変調の周波数によっては、反射戻り光のレベルが検出系のダイナミックレンジを超えてしまい、オートフォーカスが働かなくなる。特に、オートフォーカシング用の光源に磁場励起用の光源を流用する場合は、反射戻り光がダイナミックレンジ内に収まるように光源のパワーを低下させると、ウェーハ画像の取得が困難になる。このような周波数帯域では、光減衰器１４４は追従できないレベルとなるため、後段での対策が必要となり、電気回路系にておこなう。したがって、この平均化処理は、光減衰器１４４の応答速度より高周波の帯域で有効となり、フォーカシングアクチュエータの応答速度に制限される。
【００４３】
そこで、この実施形態のオートフォーカスコントローラ１４５は、光源の変調周波数および走査スピードに応じて検出系の応答周波数を変えるとともに、反射戻り光を平均化してからオートフォーカスのフィードバック制御に使用する。これにより、反射戻り光のレベルがオートフォーカス検出系１４ａのダイナミックレンジに収まるようになる（図６（ｂ））。したがって、常に安定したオートフォーカスが実行される。
【００４４】
図３のステップ３４０では、オートフォーカスコントローラ１４５が、コンピュータ１８から指令を受けて内部回路を切り替えることにより、４分割フォトダイオード１４０の出力信号の平均化範囲を調整する。走査中のある一定範囲において出力信号を鈍らせると、信号の細かな変化を観察できなくなる。この範囲が平均化範囲である。出力信号を平均化する方法としては、時定数の大きいフィルタに信号を通すフィルタ方式のほか、ある時間にわたって信号を積算する方法がある。４分割フォトダイオード１４０の出力信号の平均化により、ウェーハ５の小さな凹凸がオートフォーカスに影響を与えることがなくなる。また、レーザ光源１２０を変調したときに、オートフォーカスがその変調の影響を受けなくなるという利点もある。さらに、４分割フォトダイオード１４０の出力信号のＳ／Ｎが上昇するという利点もある。
【００４５】
コンピュータ１８は、イメージング装置コントローラ１３で生成された各ダイ５２のＳＱＵＩＤ画像に基づいて、各ダイ５２内の欠陥の有無を判定する。ＳＱＵＩＤ磁束計１６によって検出される磁場は、ダイ５２に含まれるデバイスの構造に応じて変化する。また、磁場は良品の場合も不良品の場合も検出されるが、その現われ方が異なる。これは、故障により、回路中を流れる電流の経路がかわってくるためである。このため、ダイ５２のＳＱＵＩＤ画像を単独で観察しても、欠陥を精度良く検出することは難しい。そこで、コンピュータ１８は、各ダイ５２のＳＱＵＩＤ画像データを、あらかじめ用意された良品ダイのＳＱＵＩＤ画像データと比較することにより、各ダイ５２内の欠陥の有無を判定する。
【００４６】
以下では、図７を参照しながら、欠陥判定処理を詳しく説明する。図７は、欠陥判定処理の説明図である。図７の「計測ＳＱＵＩＤ画像」は、一つのダイ５２の走査によって生成されるＳＱＵＩＤ画像の一例である。符号７１、７２は、ダイ５２中の欠陥を示している。計測ＳＱＵＩＤ画像中の破線は、走査経路の一つである。これらの欠陥７１および７２は、同じ走査経路上に位置するものとする。計測ＳＱＵＩＤ画像の下に示されている電圧信号は、その計測ＳＱＵＩＤ画像の画像信号の一部である。この信号部分は、計測ＳＱＵＩＤ画像中の破線に沿った走査によって生成される。したがって、この信号部分の横軸座標（時間情報）は、その破線によって示される走査経路上のレーザビームの照射位置に対応し、また、計測ＳＱＵＩＤ画像においてその破線上のピクセル位置に対応する。
【００４７】
図７の「良品ＳＱＵＩＤ画像」は、良品ダイに関する計測磁場信号から生成されるＳＱＵＩＤ画像である。良品ＳＱＵＩＤ画像は、ウェーハ検査装置１を用いて良品ダイを事前に検査することにより取得される。良品ＳＱＵＩＤ画像中の破線は、走査経路の一つである。この走査経路は、計測ＳＱＵＩＤ画像中の破線が示す走査経路と同一である。つまり、これらの走査経路は、それぞれ良品ダイおよび被検査ダイの同一座標を通過する。良品ＳＱＵＩＤ画像の下に示されている電圧信号は、その良品ＳＱＵＩＤ画像の画像信号の一部である。この信号部分は、良品ＳＱＵＩＤ画像中の破線に沿った走査によって生成される。したがって、この信号部分の横軸座標（時間情報）は、その破線によって示される走査経路上のレーザビームの照射位置に対応し、また、良品ＳＱＵＩＤ画像においてその破線上のピクセル位置に対応する。
【００４８】
計測ＳＱＵＩＤ画像中の欠陥７１は、良品ダイの同一箇所に比べて高い輝度を有する。つまり、欠陥７１は、プラスの輝度方向を有している。これは、欠陥７１の走査により検出される磁場強度が、良品ダイの同一箇所の走査により検出される磁場強度より高いことに起因する。このような欠陥をプラス欠陥と呼ぶことにする。一方、欠陥７２は、良品ダイの同一箇所に比べて低い輝度を有する。つまり、欠陥７２は、マイナスの輝度方向を有している。これは、欠陥７２の走査により検出される磁場強度が、良品ダイの同一箇所の走査により検出される磁場強度より低いことに起因する。このような欠陥をマイナス欠陥と呼ぶことにする。このように、欠陥には、ＳＱＵＩＤ磁束計１６によって検出される磁場強度を高くするものと低くするものとがある。
【００４９】
コンピュータ１８は、各ダイ５２の欠陥の有無を検査するために、各ダイ５２の計測ＳＱＵＩＤ画像を良品ＳＱＵＩＤ画像と比較する。具体的には、コンピュータ１８は、計測ＳＱＵＩＤ画像データから良品ＳＱＵＩＤ画像データを減算して、差画像データを生成する。生成された差画像は、図７の右側に「減算ＳＱＵＩＤ画像」として示されている。理想的な差画像では、欠陥のみが表示される。
【００５０】
図７において、差画像の下に示されている電圧信号は、その差画像の画像信号の一部である。この信号部分は、差画像中の破線に沿った走査によって得られる。差画像信号では、欠陥７１が信号の山７１ａ、すなわち信号レベルの上昇として現れる。また、差画像信号では、欠陥７２が信号の谷７２ｂ、すなわち信号レベルの降下として現れる。このように、差画像信号の山は、被検査ダイ５２のプラス欠陥を示す。また、差画像信号の谷は、被検査ダイ５２のマイナス欠陥を示す。
【００５１】
コンピュータ１８は、この差画像信号のレベルを所定のしきい値と比較する。コンピュータ１８は、二つの異なるしきい値を有している。以下では、高い方のしきい値を第１しきい値、低い方のしきい値を第２しきい値と呼ぶことにする。図７では、第１しきい値が破線８１で、第２しきい値が破線８２でそれぞれ示されている。この実施形態では、第１しきい値は正値であり、第２しきい値は負値である。コンピュータ１８は、差画像信号のレベルが第１しきい値以上または第２しきい値以下の場合に、欠陥が検出されたと判定する。第１しきい値以上の一連の信号部分および第２しきい値以下の一連の信号部分が、それぞれ一つの欠陥と認識される。二つのしきい値を用いるのは、プラス欠陥とマイナス欠陥を判別するためである。
【００５２】
図８は、二つのしきい値の算出方法を説明するための図である。第１および第２しきい値は、装置１を用いて、二つの良品ダイのそれぞれについてＳＱＵＩＤ画像データを取得することにより算出される。この算出は、コンピュータ１８が実行する。コンピュータ１８は、これらのＳＱＵＩＤ画像データの一方から他方を減算して差画像データを生成し、その差画像の輝度ヒストグラムを算出する。コンピュータ１８は、輝度ヒストグラムの標準偏差も算出する。第１しきい値は、（輝度ヒストグラムのピーク値）＋（標準偏差のｋ倍）によって算出される。第２しきい値は、（輝度ヒストグラムのピーク値）−（標準偏差のｋ倍）によって算出される。ここで、ｋは所定の定数である。ｋの値は、ウェーハ検査装置１のオペレータが任意に設定できる。
【００５３】
コンピュータ１８は、より適切な第１および第２しきい値を得るために、マージ機能を有している。マージ機能は、しきい値を設定するためのサンプル数を増やす機能である。マージ機能は、新たに一つ以上のダイについてＳＱＵＩＤ画像を取得し、既存のＳＱＵＩＤ画像との間で減算処理を行い、輝度ヒストグラムのサンプル数を増やす。マージ機能を達成するため、輝度ヒストグラムの算出に用いられたＳＱＵＩＤ画像は、コンピュータ１８内の記憶装置に保存される。
【００５４】
コンピュータ１８は、第１しきい値以上の差画像信号レベルを与えるピクセル位置にプラス欠陥が存在すると判定する。図７の例では、コンピュータ１８は、山７１ａのうち第１しきい値８１以上の部分をプラス欠陥と判定する。また、コンピュータ１８は、第２しきい値以下の差画像信号レベルを与えるピクセル位置にマイナス欠陥が存在すると判定する。図７の例では、コンピュータ１８は、谷７２ｂのうち第２しきい値８２以下の部分をマイナス欠陥と判定する。差画像信号の横軸座標は、ＳＱＵＩＤ画像のピクセル位置およびダイ５２におけるレーザビームの照射位置に対応している。コンピュータ１８は、欠陥と判定された信号部分の横軸座標から、その欠陥の位置を算出できる。
【００５５】
コンピュータ１８は、すべてのダイ５２について欠陥の有無を判定すると、判定結果を示す画像のデータを生成する。この画像データは、表示装置２０に送られる。これにより、表示装置２０の画面上では、検出された欠陥がウェーハマップ上に表示される。また、装置１のオペレータによってダイ５２が指定されると、コンピュータ１８は、より詳細な結果表示用の画像データを生成する。この画像データも、表示装置２０に送られ、画面に表示される。これにより、指定されたダイ５２内の欠陥位置情報がそのダイ５２の反射画像に重ねて表示される。なお、欠陥は、その種類に応じて異なる表示態様で表示される。例えば、プラス欠陥とマイナス欠陥を違う色で表示してもよい。
【００５６】
以下では、非破壊検査装置１の利点を説明する。装置１は、主に、四つの利点を有している。
【００５７】
第１に、装置１は、高い精度でウェーハ５のデバイスパターンの欠陥を検出できる。これは、装置１が、オートフォーカス装置によってフォーカスを保ちながらウェーハ５を走査するためである。これにより、装置１は、高い分解能でＳＱＵＩＤ画像を取得できる。このため、ウェーハ欠陥の検出精度が高まる。
【００５８】
特に、本実施形態では、取得したＳＱＵＩＤ画像を良品ＳＱＵＩＤ画像と比較することにより欠陥を検出する。この場合、複数のウェーハのＳＱＵＩＤ画像を同じ条件で取得することが重要である。装置１は、オートフォーカスを実行しながらＳＱＵＩＤ画像を取得する。したがって、反りのあるウェーハがある場合や、ＸＹθステージ１０の駆動が均一でない場合にも、オートフォーカスによって同じ撮像条件が作られる。このため、装置１は、信頼性の高い欠陥検出を実行できる。
【００５９】
第２に、装置１は、鮮明なウェーハ反射光像を取得できる。これも、装置１がフォーカスを保ちながらウェーハを走査するためである。装置１は、検出された欠陥の位置を、鮮明なウェーハ反射光像に重ねて表示できる。したがって、欠陥の位置を把握しやすい。
【００６０】
第３に、装置１は、安定したオートフォーカスを実行できる。これは、装置１が、光源１２０の変調周波数および走査のスピードに応じて、検出系１４ａの応答周波数を調整し、信号出力を平均化するからである。
【００６１】
第４に、装置１は、ウェーハ５の欠陥の種類を判別できる。これは、計測ＳＱＵＩＤ画像信号と良品ＳＱＵＩＤ画像信号から得られる差画像信号のレベルを、正負の二つのしきい値と比較するからである。正のしきい値によってプラス欠陥の有無を判定し、負のしきい値によってマイナス欠陥を判定するので、これらの欠陥を判別できる。これら２種類の欠陥の位置は、異なる表示態様で表示される。したがって、装置１のオペレータは、欠陥の種類をその表示態様から確認できる。
【００６２】
（第２実施形態）
以下では、この発明の第２実施形態について説明する。図９は、第２実施形態に係る非破壊検査装置２の構成を示す概略図である。装置２は、第１実施形態の装置１と異なり、磁場励起用のレーザ光源２２０とは別個のオートフォーカス用光源２４７を備えている。
【００６３】
装置２が有するオートフォーカス装置は、オートフォーカス用検出系２４ａとフォーカシングアクチュエータ２４ｂから構成されている。検出系２４ａは、４分割フォトダイオード２４０、シリンダレンズ２４２、偏光ビームスプリッタ２４６、レーザダイオード２４７、コンデンサレンズ２４３、λ／４板（１／４波長板）２４８およびオートフォーカスコントローラ２４５を有する。検出系２４ａは、イメージング装置２２の外部に設置されている。４分割フォトダイオード２４０およびレーザダイオード２４７は、オートフォーカスコントローラ２４５に電気的に接続されている。オートフォーカスコントローラ２４５は、レーザダイオード２４７に駆動電流を供給する。オートフォーカスコントローラ２４５は、コンピュータ１８に電気的に接続されている。フォーカシングアクチュエータ２４ｂは、対物レンズ２２９に取り付けられている。アクチュエータ２４ｂは、オートフォーカスコントローラ２４５に電気的に接続されている。
【００６４】
磁場励起用の光源２２０とオートフォーカス用の光源２４７とが別個なので、検出系２４ａに光減衰器は含まれていない。これは、第１実施形態との相違点である。オートフォーカスコントローラ２４５は、４分割フォトダイオード２４０の総入射光量が一定になるように、レーザダイオード２４７の出力パワーをフィードバック制御する。このフィードバック制御は、４分割フォトダイオード２４０の出力信号に基づいて実行される。
【００６５】
イメージング装置２２は、オートフォーカス検出系を含まない点および対物レンズと結像レンズの間にダイクロイックミラーが配置されている点を除いて、第１実施形態のイメージング装置１２と同様の構成を有している。イメージング装置２２は、ウェーハ５をその裏面５ｂ側から撮像するための光学系である。イメージング装置２２は、レーザ光源２２０、コリメータレンズ２２１、光スキャナ２２２、瞳投影レンズ２２３、ビームスプリッタ２２４、コンデンサレンズ２２６および光検出器２２７を有する。イメージング装置２２は、顕微鏡結像レンズ２２８および顕微鏡対物レンズ２２９をさらに有する。これらの構成要素は、第１実施形態のイメージング装置１２の構成要素と同じなので、重複する説明を省略する。
【００６６】
結像レンズ２２８と対物レンズ２２９の間の光路上には、ダイクロイックミラー２２５が配置されている。ダイクロイックミラー２２５は、レーザ光源２２０から発するレーザ光を透過させ、レーザダイオード２４７から発するレーザ光を反射する。結像レンズ２２８に入射したレーザビームはダイクロイックミラー２２５を透過して対物レンズ２２９に入射する。対物レンズ２２９は、レーザビームをウェーハ５上に投影する。この結果、レーザビームは、ウェーハ５上でスポット光を成す。
【００６７】
レーザビームの一部はウェーハ５によって反射され、対物レンズ２２９を透過してダイクロイックミラー２２５に入射する。この反射レーザ光は、ダイクロイックミラー２２５を透過し、さらに結像レンズ２２８を透過する。この反射レーザ光は、瞳投影レンズ２２３、光スキャナ２２２およびビームスプリッタ２２４を通過してコンデンサレンズ２２６に入射する。コンデンサレンズ２２６は、反射レーザ光を集光して光検出器２２７に送る。光検出器２２７は、反射レーザ光のパワーに応じた信号を生成し、出力する。この出力信号は、コントローラ１３に送られる。したがって、レーザビームでウェーハ５を走査すれば、コントローラ１３は、ウェーハ５の反射画像データを取得できる。
【００６８】
オートフォーカス用検出系２４ａは、オートフォーカス用のレーザ光（以下、「オートフォーカス光」と呼ぶ）をウェーハ５の裏面５ｂに照射する。このレーザ光は、レーザダイオード２４７から発する。オートフォーカス光とレーザ光源２２０からのレーザ光とは、共通の光軸に沿って対物レンズ２２９を透過し、ウェーハ５に照射される。したがって、レーザダイオード２４７からのオートフォーカス光を用いてフォーカシングを行えば、レーザ光源２２０からのレーザ光もフォーカシングできる。
【００６９】
オートフォーカス光の波長は、１．３μｍである。この波長の光は、ウェーハ５を透過するが、ＯＢＩＣ効果は起こさない。このため、装置２は、ＳＱＵＩＤ磁束計１６による磁場計測に影響を与えることなくオートフォーカスを実行できる。
【００７０】
レーザダイオード２４７がオートフォーカス光を放出すると、そのオートフォーカス光はビームスプリッタ２４６で反射され、コンデンサレンズ２４３を透過して、λ／４板２４８に入射する。λ／４板２４８は、オートフォーカス光の互いに直交する偏波成分に位相差を与える。オートフォーカス光は、λ／４板２４８を透過すると、イメージング装置２２のダイクロイックミラー２２５に入射する。このオートフォーカス光は、ダイクロイックミラー２２５によって反射され、対物レンズ２２９を透過してウェーハ５の裏面５ｂに照射される。
【００７１】
このオートフォーカス光は、ウェーハ５を透過し、デバイスパターンで反射される。この反射されたオートフォーカス光は、対物レンズ２２９を透過し、ダイクロイックミラー２２５で反射され、オートフォーカス検出系２４ａのλ／４板２４８に送られる。λ／４板２４８は、再び、オートフォーカス光の偏波成分に位相差を与える。λ／４板２４８を透過した反射オートフォーカス光は、コンデンサレンズ２４３に入射する。コンデンサレンズ２４３は、反射オートフォーカス光を集光してビームスプリッタ２４６に送る。反射オートフォーカス光は、ビームスプリッタ２４６を透過して、シリンダレンズ２４２に入射する。シリンダレンズ２４２は、その母線に直交する平面内で反射レーザ光を収束させ、４分割フォトダイオード２４０に送る。４分割フォトダイオード２４０の出力信号は、オートフォーカスコントローラ２４５に送られる。
【００７２】
非破壊検査装置２を用いてウェーハ検査を開始するまでの流れは、実施形態１と同じである（図３を参照）。また、装置２は、第１実施形態の装置１と同様の方法により、ウェーハの走査、ＳＱＵＩＤ画像およびウェーハ反射光像の取得、欠陥の有無の判定、ならびに結果表示を実行する。ＳＱＵＩＤ画像およびウェーハ反射光像の取得の際には、オートフォーカスが行われる。オートフォーカスコントローラ２４５は、第１実施形態と同様に、非点収差法によりオートフォーカスを行う。さらに、オートフォーカスコントローラ２４５は、第１実施形態と同様に、レーザダイオード２４７の変調周波数および走査のスピードに応じて、検出系２４ａの応答周波数を調整し、信号出力を平均化する。
【００７３】
この実施形態の非破壊検査装置２は、第１実施形態の非破壊検査装置１と同じ利点を有している。つまり、装置２は、オートフォーカス装置によってフォーカスを保ちながらウェーハ５を走査するため、高い精度でウェーハ５のデバイスパターンの欠陥を検出できる。また、装置２は、鮮明なウェーハ反射光像を取得できる。さらに、装置２は、オートフォーカス用光源２４７の変調周波数および走査のスピードに応じて、検出系２４ａの応答周波数を調整し、信号出力を平均化するので、安定したオートフォーカスを実行できる。さらに、装置２は、計測ＳＱＵＩＤ画像信号と良品ＳＱＵＩＤ画像信号から得られる差画像信号のレベルを、正負の二つのしきい値と比較するので、ウェーハ５の欠陥の種類を判別できる。
【００７４】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００７５】
上記実施形態では、非点収差法を用いてオートフォーカスを行う。しかし、非点収差法の代わりに、他のオートフォーカス法を任意に採用することができる。
【００７６】
上記実施形態では、欠陥の有無を判定するために、ダイ５２の計測ＳＱＵＩＤ画像を、あらかじめ取得した良品ダイのＳＱＵＩＤ画像と比較する。しかし、この代わりに、複数のダイ５２の計測ＳＱＵＩＤ画像同士を比較してもよい。
【００７７】
以下では、図１０および図１１を参照しながら、異なるダイ５２間のＳＱＵＩＤ画像比較による欠陥検査処理を説明する。図１０は、この欠陥検査処理の概略説明図である。図１１は、この欠陥検査処理の詳細説明図である。説明の便宜上、第１実施形態の非破壊検査装置１でこの欠陥検査処理が実行されるものと考える。ただし、この欠陥検査処理は、第２実施形態の非破壊検査装置２にも同様に適用できる。
【００７８】
図１０の左側には、（ｎ−１）番目のダイ５２とｎ番目のダイ５２の計測ＳＱＵＩＤ画像が示されている。ここで、ｎは２以上の整数である。以下では、（ｎ−１）番目のダイ５２をダイ（ｎ−１）と呼び、ｎ番目のダイ５２をダイ（ｎ）と呼ぶことにする。これらは、例えば、走査経路に沿って隣接して配置されたダイ５２である。符号７３、７４は、ダイ（ｎ−１）中の欠陥を示している。符号７５、７６は、ダイ（ｎ）中の欠陥を示している。欠陥７３および７５は、上述したマイナス欠陥であり、欠陥７４および７６は、上述したプラス欠陥である。各計測ＳＱＵＩＤ画像中の破線は、走査経路の一つである。各破線によって示される走査経路は、ダイ（ｎ−１）およびダイ（ｎ）の共通の位置座標を通過する。欠陥７３〜７６は、いずれも破線の走査経路上に位置するものとする。
【００７９】
図１０において計測ＳＱＵＩＤ画像の右側に示される電圧信号は、その計測ＳＱＵＩＤ画像中の破線に沿った走査により得られる画像信号である。ダイ（ｎ−１）の画像信号には、欠陥７３が谷７３ｂとして現れ、欠陥７４が山７４ａとして現れる。同様に、ダイ（ｎ）の画像信号には、欠陥７５が谷７５ｂとして現れ、欠陥７６が山７６ａとして現れる。
【００８０】
コンピュータ１８は、すべてのダイ５２に関して、ダイ（ｎ−１）の計測ＳＱＵＩＤ画像とダイ（ｎ）の計測ＳＱＵＩＤ画像を比較する。つまり、ダイ（１）とダイ（２）、ダイ（２）とダイ（３）、…ダイ（Ｎ−１）とダイ（Ｎ）間で、それぞれ計測ＳＱＵＩＤ画像が比較される。ここで、Ｎはダイの総数である。具体的には、コンピュータ１８は、ダイ（ｎ−１）の計測ＳＱＵＩＤ画像からダイ（ｎ）の計測ＳＱＵＩＤ画像を減算して、差画像信号を生成する。差画像信号の一部は、図１０の右側に示されている。差画像信号では、欠陥７４および７５が山７４ａおよび７５ａとして現れ、欠陥７３および７６が谷７３ｂおよび７６ｂとして現れる。このように、この差画像信号の山は、ダイ（ｎ−１）のプラス欠陥またはダイ（ｎ）のマイナス欠陥を示す。また、この差画像信号の谷は、ダイ（ｎ−１）のマイナス欠陥またはダイ（ｎ）のプラス欠陥を示す。差画像信号の横軸座標は、ダイの位置座標に対応する。
【００８１】
コンピュータ１８は、この差画像信号のレベルを第１および第２のしきい値と比較する。上記実施形態と同様に、第１しきい値は正値であり、第２しきい値は負値である。これらのしきい値の算出方法は、図８を参照して上述した通りである。コンピュータ１８は、差画像信号のレベルが第１しきい値以上または第２しきい値以下の場合に、欠陥が検出されたと判定する。第１しきい値以上の一連の信号部分および第２しきい値以下の一連の信号部分が、それぞれ一つの欠陥と認識される。この信号部分の横軸座標は、ダイ（ｎ−１）およびダイ（ｎ）の共通の位置座標に対応する。
【００８２】
差画像信号のうち第１しきい値以上の部分は、ダイ（ｎ−１）のプラス欠陥である可能性とダイ（ｎ）のマイナス欠陥である可能性を有する。同様に、第２しきい値以下の部分は、ダイ（ｎ−１）のマイナス欠陥である可能性とダイ（ｎ）のプラス欠陥である可能性を有する。欠陥がどちらのダイに含まれるのかを特定するため、コンピュータ１８は、ダイ（ｎ）とダイ（ｎ＋１）間の計測ＳＱＵＩＤ画像の比較結果を利用する。以下では、図１１を参照しながら、欠陥検査処理をさらに詳しく説明する。
【００８３】
図１１の左側には、ダイ（１）〜（６）の計測ＳＱＵＩＤ画像が示されている。ダイ（１）、（２）、（５）および（６）は、欠陥を有さない。ダイ（３）は、マイナス欠陥７７を有している。ダイ（４）は、プラス欠陥７８を有している。図１１の中央には、相隣る番号のダイ間の差画像信号が示されている。図１１において「減算（ｍ−１）−ｍ」（ｍは、２以上Ｎ以下の整数。ここで、Ｎはダイの総数。）は、ダイ（ｍ−１）の計測ＳＱＵＩＤ画像信号からダイ（ｍ）の計測ＳＱＵＩＤ画像信号を減算することを意味する。
【００８４】
図１１に示されるように、コンピュータ１８は、すべてのｍ値について順次に減算（ｍ−１）−ｍを実行する。その後、すべての差画像信号について、その信号レベルを第１および第２しきい値と比較する。減算２−３による差画像信号には、第１しきい値８１を上回るピーク値を有する山７７ａが現れている。コンピュータ１８は、山７７ａのうち第１しきい値８１以上の部分を欠陥と判定する。この欠陥は、ダイ２のプラス欠陥である可能性と、ダイ３のマイナス欠陥である可能性がある。
【００８５】
減算３−４による差画像信号には、減算２−３による差画像信号の山７７ａと同じ位置に、第２しきい値８２を下回るピーク値を有する谷７７ｂが現れている。コンピュータ１８は、谷７７ｂのうち第２しきい値８２以下の部分を欠陥と判定する。この欠陥は、ダイ（３）のマイナス欠陥である可能性と、ダイ（４）のプラス欠陥である可能性がある。
【００８６】
減算２−３および減算３−４によって共通に予想されるのは、ダイ（３）のマイナス欠陥だけである。したがって、コンピュータ１８は、ダイ（３）にマイナス欠陥が存在すると判定する。このように、コンピュータ１８は、減算２−３による差画像信号と減算３−４による差画像信号の双方において同一の横軸座標に欠陥が検出されると、ダイ（３）中において、その横軸座標に対応する位置座標に欠陥が存在すると判定する。
【００８７】
減算３−４による差画像信号には、第２しきい値８２を下回るピーク値を有する谷７８ｂも現れている。コンピュータ１８は、谷７８ｂのうち第２しきい値８２以下の部分を欠陥と判定する。この欠陥は、ダイ（３）のマイナス欠陥である可能性と、ダイ（４）のプラス欠陥である可能性がある。減算４−５による差画像信号には、減算３−４信号における谷７８ｂと同じ位置に、第１しきい値８１を上回るピーク値を有する山７８ａが現れている。コンピュータ１８は、山７８ａのうち第１しきい値８１以上の部分を欠陥と判定する。この欠陥は、ダイ（４）のプラス欠陥である可能性と、ダイ（５）のマイナス欠陥である可能性がある。減算３−４および減算４−５によって共通に予想されるのは、ダイ（４）のプラス欠陥だけである。したがって、コンピュータ１８は、ダイ（４）中にプラス欠陥が存在すると判定する。ダイ（４）における欠陥の位置座標は、差画像信号における欠陥の横軸座標から特定される。
【００８８】
このように、欠陥コンピュータ１８は、減算（ｎ−１）−ｎによる差画像信号と減算ｎ−（ｎ＋１）による差画像信号の双方において同一の横軸座標に欠陥が検出されると、ダイ（ｎ）において、その横軸座標に対応する位置座標に欠陥が存在すると判定する。また、欠陥コンピュータ１８は、減算（ｎ−１）−ｎによる差画像信号で欠陥が検出され、減算ｎ−（ｎ＋１）による差画像信号において同一の横軸座標に欠陥が検出されない場合は、ダイ（ｎ−１）に欠陥が存在すると判定する。さらに、欠陥コンピュータ１８は、減算ｎ−（ｎ＋１）による差画像信号で欠陥が検出され、減算（ｎ−１）−ｎによる差画像信号において同一の横軸座標に欠陥が検出されない場合は、ダイ（ｎ＋１）に欠陥が存在すると判定する。どのダイに欠陥が存在するかが特定されれば、その欠陥が差画像信号において山であるか谷であるかに応じて、その欠陥の種類も特定される。
【００８９】
なお、「二つの差画像信号の同一の横軸座標に欠陥が検出される」とは、横軸座標が完全に一致する場合のほか、所定の許容値だけ横軸座標がずれている場合を含んでいてもよい。この場合、二つの差画像の同一画素にそれぞれ欠陥が検出される場合のほか、二つの差画像の欠陥の位置が数ピクセルずれている場合も、同一の画素に欠陥が存在するとみなされる。所定値以内のずれを許容するのは、欠陥の検出位置の誤差を考慮したものである。
【００９０】
コンピュータ１８は、すべてのダイ５２について欠陥の有無を判定すると、判定結果を示す画像を生成する。表示装置２０は、その生成された画像を画面上に表示する。この画像の生成および表示は、上記実施形態に関して説明した通りである。
【００９１】
【発明の効果】
この発明の非破壊検査装置は、試料の裏面側から磁場励起用レーザ光を照射して試料の表面側から誘起磁場を検出するとともに、試料の裏面側からオートフォーカス光を照射してオートフォーカスを実行する。これにより、フォーカスを保ったまま試料を走査できる。したがって、この発明の非破壊検査装置は、高い精度で試料の欠陥を検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態の構成を示す概略図である。
【図２】ウェーハ５の表面を示す概略平面図である。
【図３】ウェーハ検査を開始するまでの流れを示すフローチャートである。
【図４】ウェーハ５の走査方法の一例を示す概略平面図である。
【図５】オートフォーカス光の検出の様子を示す概略図である。
【図６】（ａ）はダイナミックレンジを超えた信号光量を示すグラフであり、（ｂ）はダイナミックレンジ内に抑えられた信号光量を示すグラフである。
【図７】被検査ダイおよび良品ダイ間の磁場分布データの比較による欠陥判定処理の説明図である。
【図８】第１および第２しきい値の算出方法の説明図である
【図９】この発明の第２実施形態の構成を示す概略図である。
【図１０】異なるダイ間の磁場分布データの比較による欠陥判定処理の概略説明図である。
【図１１】図１０の欠陥判定処理の詳細説明図である。
【符号の説明】
１および２…非破壊検査装置、１０…走査手段としてのＸＹθステージ、１２…照射手段としてのイメージング装置、１３…イメージング装置コントローラ、１４ａ…オートフォーカス用検出系、１４ｂ…レンズ移動機構としてのオートフォーカシングアクチュエータ、１６…ＳＱＵＩＤ磁束計、１８…コンピュータ、２０…表示装置、１２２…走査手段としての光スキャナ、１４５…オートフォーカスコントローラ。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for non-destructively inspecting a sample by detecting a magnetic field.
[0002]
[Prior art]
In manufacturing a semiconductor device, a wafer inspection is performed after a plurality of dies (chips) are formed on a semiconductor wafer. For the wafer inspection, a non-destructive inspection device is used. As an example of the nondestructive inspection device, a SQUID inspection device such as a scanning SQUID microscope is known. The SQUID inspection device non-destructively inspects a sample by detecting a magnetic field using a SQUID magnetometer. For example, a scanning SQUID microscope irradiates the surface of a sample with a laser spot light, and detects the intensity of a magnetic field induced by the laser spot light with a SQUID magnetometer (superconducting quantum interference magnetometer). The distribution of the magnetic field strength is imaged using the output signal of the SQUID magnetometer. The wafer can be inspected by observing the magnetic field distribution image.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
It is an object of the present invention to improve a nondestructive inspection device using a magnetic field detecting means such as a SQUID magnetometer. More specifically, it is an object of the present invention to provide a nondestructive inspection apparatus capable of detecting a defect of a sample with high accuracy using a magnetic field detection unit.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
The nondestructive inspection apparatus of the present invention scans a sample having a front surface and a back surface and detects a defect having a predetermined structure provided on the sample. The nondestructive inspection apparatus includes (a) an objective lens arranged opposite to the back surface of the sample, and (b) irradiation means arranged on the back surface side of the sample and irradiating the sample with laser light via the objective lens. (C) scanning means for scanning the sample by moving the irradiation position of the laser beam on the sample, and (d) performing auto-focusing by adjusting the distance between the objective lens and the sample, which is disposed on the back side of the sample. The apparatus includes an auto-focusing means and (e) a magnetic field detecting means arranged on the surface side of the sample, for detecting a magnetic field generated by scanning the sample and acquiring magnetic field distribution data. This non-destructive inspection apparatus detects a defect based on magnetic field distribution data acquired by a magnetic field detection unit.
[0005]
In this nondestructive inspection apparatus, the magnetic field detecting means detects the induced magnetic field on the front side of the sample, and the autofocusing means executes autofocus on the back side of the sample. Therefore, it is possible to scan the sample while keeping the focus. Therefore, this nondestructive inspection apparatus can detect a defect of a sample with high accuracy.
[0006]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description. In addition, for convenience of illustration, the dimensional ratios in the drawings do not always match those described.
[0007]
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a nondestructive inspection device 1 according to the first embodiment. This non-destructive inspection device 1 is a scanning laser SQUID microscope. The apparatus 1 non-destructively inspects the device pattern provided on the surface 5a of the semiconductor wafer 5 for defects.
[0008]
FIG. 2 is a plan view showing the front surface 5a of the semiconductor wafer 5. FIG. The wafer 5 has a plurality of dies 52. These dies 52 are two-dimensionally arranged on the surface 5 a of the wafer 5. Each die 52 has a predetermined structure. This structure is a semiconductor device pattern. These dies 52 are all intended to have the same device pattern. The non-destructive inspection device 1 inspects each die 52 for a defect in a device pattern.
[0009]
FIG. 1 is referred to again. The nondestructive inspection apparatus 1 includes an XYθ stage 10, an imaging device 12, an imaging device controller 13, a SQUID magnetometer 16, a computer 18, and a display device 20. The XYθ stage 10, the imaging device 12, and the SQUID magnetometer 16 are electrically connected to the imaging device controller 13. The display device 20 is electrically connected to the computer 18. The imaging device controller 13 is electrically connected between the imaging device 12 and the computer 18. A preamplifier 17 and a lock-in amplifier 19 are electrically connected between the SQUID magnetometer 16 and the imaging device controller 13. An autofocus controller 145 is electrically connected between the imaging device 12 and the computer 18.
[0010]
When inspecting the wafer 5 by the apparatus 1, the wafer 5 is placed on the XYθ stage 10. The XYθ stage 10 is provided with a chuck 8. The chuck 8 holds the wafer 5 by sucking the edge portion of the surface 5a of the wafer 5. The chuck 8 is annular and has an opening at the center.
[0011]
The imaging device 12 is an optical system for imaging the wafer 5 from the back surface 5b side. The imaging device 12 includes a laser light source 120, a collimator lens 121, an optical scanner 122, a pupil projection lens 123, a beam splitter 124, a half mirror 125, a condenser lens 126, and a photodetector 127. The imaging device 12 further includes a microscope imaging lens 128 and a microscope objective lens 129.
[0012]
The imaging device 12 scans the wafer 5 with a laser beam, induces a magnetic field, and acquires a reflected optical image of the wafer 5. The imaging device 12 is disposed below the XYθ stage 10 on the back surface 5b side of the wafer 5. The laser beam emitted from the imaging device 12 is applied to the back surface 5b of the wafer 5.
[0013]
The laser light source 120 has a light emitting element that emits infrared laser light and a light modulator. This infrared laser light has a wavelength that can pass through the wafer 5. The laser light source 120 is electrically connected to the computer 18 via the imaging device controller 13. When the computer 18 sends a light emission command to the controller 13, the controller 13 generates a laser drive signal and sends it to the laser light source 120. The laser light source 120 emits laser light in response to the laser drive signal. The optical modulator modulates the laser light at a certain frequency. Thus, the laser light source 120 emits the modulated laser light.
[0014]
The collimator lens 121 receives a laser beam from the laser light source 120 and generates a parallel laser beam. This laser beam is sent to the optical scanner 122 by the beam splitter 124.
[0015]
The optical scanner 122 reflects this laser beam and sends it to the pupil projection lens. This reflection angle is variable. When the reflection angle is continuously changed, the laser beam is swept. This is the scanning of the laser beam. The optical scanner 122 is an XY scanner that scans a laser beam two-dimensionally. The optical scanner 122 is electrically connected to the computer 18 via the imaging device controller 13. The controller 13 receives a scanner driving command from the computer 18. The scanner driving instruction instructs the controller 13 on the scanning direction and scanning speed of the laser beam by the optical scanner 122. The controller 13 generates a scanner drive signal in response to the scanner drive command, and sends the signal to the optical scanner 122. The optical scanner 122 is driven in response to the scanner drive signal. As a result, the optical scanner 122 scans the laser beam in the scanning direction and scanning speed specified by the computer 18.
[0016]
On an optical path between the optical scanner 122 and the XYθ stage 10, a pupil projection lens 123, a microscope imaging lens 128, and a microscope objective lens 129 are arranged. The laser beam from the optical scanner 122 passes through the pupil projection lens 123 and enters the imaging lens 128. This laser beam passes through the imaging lens 128 and enters the objective lens 129. The objective lens 129 projects the laser beam on the wafer 5. As a result, the laser beam forms a spot light on the wafer 5.
[0017]
Part of the laser beam is reflected by the wafer 5 and passes through the objective lens 129 and the imaging lens 128. The reflected laser light passes through a pupil projection lens 123, an optical scanner 122, and a beam splitter 124, and enters a half mirror 125. Part of the reflected laser light passes through the half mirror 125 and enters the condenser lens 126. The condenser lens 126 condenses the reflected laser light and sends it to the photodetector 127. The photodetector 127 generates and outputs a signal corresponding to the power of the reflected laser light. This output signal is sent to the controller 13. When the wafer is scanned with the laser beam, the output signal of the photodetector 127 indicates image information of the wafer 5. The controller 13 can generate reflection image data of the wafer 5 based on an output signal of the photodetector 127.
[0018]
A Z-axis stage 130 is attached to the imaging device 12. The Z-axis stage 130 can move the imaging device 12 along the Z-axis direction. The Z-axis direction is substantially perpendicular to the main surface (the front surface 5a and the back surface 5b) of the wafer 5. By driving the Z-axis stage 130, the imaging distance of the wafer 5 can be adjusted.
[0019]
The XYθ stage 10 can translate and rotate the wafer 5 in an XY plane substantially parallel to the main surface of the wafer 5. The XYθ stage 10 can translate the wafer 5 in parallel along the X and Y directions. The XYθ stage 10 can rotate the wafer 5 around a Z axis perpendicular to the XY plane. The XYθ stage 10 can move the wafer 5 with respect to the laser beam emitted from the imaging device 12. Therefore, by driving the XYθ stage 10, the irradiation position of the laser beam on the wafer 5 can be changed.
[0020]
The XYθ stage 10 is electrically connected to the computer 18 via the imaging device controller 13. The controller 13 receives a stage drive command from the computer 18. The stage driving command instructs the controller 13 on the moving direction, the moving amount, the rotating direction, and the rotating amount of the stage 10. The controller 13 generates a stage drive signal in response to the stage drive command, and sends the stage drive signal to the XYθ stage 10. The XYθ stage 10 is driven in response to the stage drive signal. As a result, the XYθ stage 10 moves the wafer 5 in the movement direction and the movement amount specified by the computer 18, and rotates the wafer 5 in the rotation direction and the rotation amount specified by the computer 18.
[0021]
The device 1 includes an autofocus device. This autofocus device includes an autofocus detection system 14a and a focusing actuator 14b. The auto-focusing detection system 14a and the focusing actuator 14b jointly execute the auto-focusing of the laser beam irradiation on the wafer 5. The detection system 14a has a four-division photodiode 140, a cylinder lens 142, a condenser lens 143, an optical attenuator 144, and an autofocus controller 145. Elements other than the autofocus controller 145 are installed in the imaging device 12. The four-division photodiode 140 is electrically connected to the auto focus controller 145. The autofocus controller 145 is electrically connected to the computer 18. The focusing actuator 14b is attached to the objective lens 129. The actuator 14b is electrically connected to the auto focus controller 145.
[0022]
A part of the laser light reflected by the wafer 5 is reflected by the half mirror 125 and sent to the optical attenuator 144. The optical attenuator 144 can attenuate the power of the reflected laser light. The optical attenuator 144 sends the reflected laser light to the condenser lens 143. The condenser lens 143 collects the reflected laser light and sends it to the cylinder lens 142. The cylinder lens 142 converges the reflected laser light in a plane orthogonal to the generatrix and sends it to the four-division photodiode 140. The output signal of the four-division photodiode 140 is sent to the autofocus controller 145.
[0023]
The SQUID magnetometer 16 is installed above the wafer 5 so as to face the surface (pattern surface) 5a of the wafer 5. The SQUID magnetometer 16 detects a magnetic field generated by irradiating the wafer 5 with a laser beam. When the wafer 5 is irradiated with the infrared laser light, a thermoelectromotive force or a photoelectromotive force is generated. This thermo-electromotive force or photo-electromotive force generates a current in the wafer 5. This current induces a magnetic field. This magnetic field reflects the structure of the wafer 5. The SQUID magnetometer 16 detects this induced magnetic field. The SQUID magnetometer 16 generates an output voltage signal (measurement magnetic field signal) according to the strength of the detected magnetic field. This measurement magnetic field signal is sent to the preamplifier 17.
[0024]
The preamplifier 17 amplifies the measurement magnetic field signal and sends it to the lock-in amplifier 19. The lock-in amplifier 19 selects and amplifies only a specific frequency component from the measured magnetic field signal, and sends it to the imaging device controller 13. This frequency is the same as the modulation frequency of the laser light source 120.
[0025]
The imaging device controller 13 can image the distribution of the magnetic field induced by irradiating the wafer 5 with the laser light. The controller 13 receives a measurement magnetic field signal from the lock-in amplifier 19. The controller 13 associates the irradiation position (that is, the scanning position) of the laser beam on the wafer 5 with the pixel position. The controller 13 converts the measured magnetic field signal level when irradiating the laser light to a certain position on the wafer 5 into the brightness of the pixel associated with the irradiated position. Thereby, image data of the magnetic field induced by irradiating the wafer 5 with the laser light is obtained. Hereinafter, this image will be referred to as a “SQUID image”. The SQUID image data is also magnetic field distribution data indicating a magnetic field distribution. SQUID image data may be processed in the form of an image signal. The controller 13 calculates SQUID image data for each of the dies 52.
[0026]
The controller 13 also acquires a reflected light image of the wafer 5. The controller 13 receives an output signal of the light detector 127. The controller 13 converts the output signal level of the photodetector 127 when irradiating the laser beam onto a certain position on the wafer 5 into the brightness of the pixel corresponding to the irradiation position. Thereby, image data of the reflected light image of the wafer 5 is generated.
[0027]
The computer 18 controls the operations of the XYθ stage 10, the laser light source 120, the optical scanner 122, and the Z-axis stage 130 via the imaging device controller 13. The computer 18 controls the display operation of the display device 20.
[0028]
The computer 18 receives the SQUID image data and the reflected light image data of the wafer 5 from the controller 13. The computer 18 determines the presence or absence of a defect in each die 52 using the SQUID image data. When determining that a defect exists in the die 52, the computer 18 generates image data indicating the position of the defect. Further, the computer 18 generates image data in which a defect position is superimposed on the reflection image of the die 52 as necessary. The computer 18 sends the generated image data to the display device 20.
[0029]
The display device 20 receives image data from the computer 18. The display device 20 displays an image on a screen according to the image data.
[0030]
FIG. 3 is a flowchart showing a flow until the wafer inspection is started using the nondestructive inspection apparatus 1. First, the operator operates an input device (not shown) connected to the computer 18 to select an inspection mode (step 310). The computer 18 automatically selects a scanning speed according to the selected inspection mode (Step 320). Subsequently, the light source modulation speed (modulation frequency) is automatically selected by the computer 18 or manually selected by the operator (step 330). Thereafter, the computer 18 automatically selects the response frequency of the autofocus detection system 14a and the averaging range of the output signal of the four-division photodiode 140 (step 340). After the above steps are completed, the inspection of the wafer 5 is started (Step 350).
[0031]
Hereinafter, the wafer inspection processing by the nondestructive inspection apparatus 1 will be described. The apparatus 1 executes scanning of a wafer, acquisition of a SQUID image and a wafer reflected light image, determination of the presence or absence of a defect, and display of a result. When acquiring the SQUID image and the wafer reflected light image, auto focus is performed.
[0032]
The nondestructive inspection apparatus 1 scans all the dies 52 on the wafer 5 by moving the irradiation position of the laser beam on the wafer 5. The irradiation position of the laser beam can be moved, for example, by a method called a stage scan. In the stage scan, the wafer 5 is moved relatively to the laser beam by moving the XYθ stage 10. In the stage scan, the laser beam is fixed without being scanned by the optical scanner 122.
[0033]
Instead of the stage scan, the irradiation position can be moved by a method called a laser scan. FIG. 4 is a schematic diagram showing the movement of the irradiation position by laser scanning. In the laser scanning, a plurality of scanning areas 61 arranged in a matrix are sequentially irradiated with a laser beam. These scanning areas have the same shape. The shape and size of the scanning area 61 are determined according to the sensitivity area of the SQUID magnetometer 16 and the distance between the SQUID magnetometer 16 and the wafer 5 in addition to the shape and size of the die 52. The irradiation position of the laser beam is moved using both driving of the scanning stage 10 and movement (scanning) of the laser beam by the optical scanner 122. As indicated by arrow 60, scanning of the laser beam is used to move the irradiation position within a single scanning area. As shown by the arrow 62, the driving of the stage 10 is used to move the irradiation position from one scanning area 61 to another scanning area 61.
[0034]
Irradiation of the laser beam onto the wafer 5 induces a magnetic field. This induced magnetic field is detected by the SQUID magnetometer 16. The imaging device controller 13 receives the measurement magnetic field signal amplified by the preamplifier 17 and the lock-in amplifier 19. The controller 13 generates SQUID image data of each die 52 using the measured magnetic field signal.
[0035]
Part of the laser beam enters the wafer 5 and is reflected by the device pattern on the wafer 5. This reflected laser light is detected by the photodetector 127. Since the irradiation position of the laser beam moves over the entire wafer 5, the output signal of the photodetector 127 indicates a reflected light image of the entire device pattern of the wafer 5. The imaging device controller 13 generates reflected light image data of the wafer 5 based on the output signal of the photodetector 127.
[0036]
When acquiring the SQUID image and the reflected light image of the wafer 5, the imaging device controller 13 executes autofocus. In this embodiment, autofocus is performed by the astigmatism method. Since the astigmatism method is known, it will be described only briefly. A part of the laser beam reflected by the device pattern on the wafer 5 is reflected by the half mirror 125 and enters the auto-focusing detection system 14a.
[0037]
This reflected laser light is attenuated by the optical attenuator 144. The optical attenuator 144 functions to suppress a change in the amount of light incident on the four-division photodiode 140 after the output power of the laser light source 120 is adjusted to an optimum value according to the wafer to be inspected. Therefore, the dynamic range of the detection system 14a can be expanded by the optical attenuator 144, and the performance of the four-division photodiode 140 can be utilized. The attenuation rate of the optical attenuator 144 is feedback-controlled by the autofocus controller 145 so that the total incident light amount of the four-division photodiode 140 becomes constant. This feedback control is executed based on the output signal of the four-division photodiode 140.
[0038]
In this embodiment, since the light source for exciting the magnetic field and the light source for auto-focusing are the same, it is advantageous to dispose the optical attenuator 144 between the wafer 5 and the four-division photodiode 140. By using the optical attenuator 144, the power of the laser beam can be attenuated so that the output signal of the four-division photodiode 140 does not deviate from the dynamic range while maintaining the laser beam power required for exciting the magnetic field. Accordingly, appropriate autofocus can be performed without reducing the output power of the laser light source 120.
[0039]
The laser light emitted from the optical attenuator 144 is converged by the collimator lens 143 and then enters the cylinder lens 142. The cylinder lens 142 converges the reflected laser light in a rotationally asymmetric manner. The position where the reflected laser light focuses along the optical axis of the cylinder lens 142 differs between a pair of directions orthogonal to each other. Therefore, the reflected laser light is imaged on different focal planes as a pair of lines orthogonal to each other. These pairs of directions are assumed to be x and y directions. The x direction and the y direction are both perpendicular to the optical axis of the cylinder lens 142.
[0040]
The position of the imaging device 12 is adjusted in advance so that when the laser beam is focused on the surface 5a of the wafer 5, the outputs of the four-division photodiodes 140 become equal in the x and y directions. The position of the imaging device 12 can be adjusted by driving the Z-axis stage 130. The autofocus controller 145 operates and amplifies the output signal of the four-division photodiode 140 in the x direction and the y direction to obtain an output balance in the x direction and the y direction. If the wafer 5 is out of focus, a larger output is detected in either the x or y direction. The direction of the focus shift can be determined according to which direction the output is larger. The controller 145 drives the focusing actuator 145 to reduce the focus shift, and adjusts the position of the objective lens 129. Such auto focus is continuously performed during the scanning of the wafer 5. That is, the SQUID image and the reflected light image of the wafer 5 are always obtained in a state where the autofocus is performed.
[0041]
The autofocus controller 145 adjusts the response frequency of the autofocus detection system 14a according to the scanning speed set in step 320 of FIG. 3 and the light source modulation speed (modulation frequency) set in step 330 of FIG. The output signal of the photodetector 127 is averaged. The setting of the response frequency and the averaging range is executed in step 340 of FIG.
[0042]
Adjustment of the response frequency and averaging of the photodetector output are particularly useful when the laser light source 120 serves as both a light source for magnetic field excitation and a light source for autofocus as in this embodiment. In order to understand this, a case is considered in which a laser beam for autofocus is irradiated to a sample having a large spatial variation in reflectance, and reflected return light is detected by a focusing detection sensor (see FIG. 5). In this case, as shown in FIG. 6A, the level of the reflected return light may exceed the dynamic range of the autofocus detection system, and the autofocus may not work. Also, when the light source is modulated, the level of the reflected return light exceeds the dynamic range of the detection system depending on the frequency of the modulation, and the auto focus does not work. In particular, when a light source for exciting a magnetic field is used as a light source for auto-focusing, it is difficult to acquire a wafer image if the power of the light source is reduced so that the reflected return light falls within a dynamic range. In such a frequency band, the optical attenuator 144 has a level that cannot be followed, so that a countermeasure is required at a subsequent stage, and this is performed in an electric circuit system. Therefore, this averaging process is effective in a band higher in frequency than the response speed of the optical attenuator 144, and is limited to the response speed of the focusing actuator.
[0043]
Therefore, the autofocus controller 145 of this embodiment changes the response frequency of the detection system in accordance with the modulation frequency of the light source and the scanning speed, and averages the reflected return light before using it for autofocus feedback control. As a result, the level of the reflected return light falls within the dynamic range of the autofocus detection system 14a (FIG. 6B). Therefore, stable auto focus is always performed.
[0044]
In step 340 of FIG. 3, the autofocus controller 145 adjusts the averaging range of the output signal of the four-division photodiode 140 by switching the internal circuit in response to a command from the computer 18. If the output signal is dulled in a certain range during scanning, it becomes impossible to observe a small change in the signal. This range is the averaging range. As a method of averaging the output signal, there is a filter method of passing the signal through a filter having a large time constant, or a method of integrating the signal over a certain time. By averaging the output signals of the four-division photodiode 140, small irregularities on the wafer 5 do not affect the autofocus. Further, when the laser light source 120 is modulated, there is an advantage that the auto focus is not affected by the modulation. Further, there is an advantage that the S / N of the output signal of the four-division photodiode 140 increases.
[0045]
The computer 18 determines the presence or absence of a defect in each die 52 based on the SQUID image of each die 52 generated by the imaging device controller 13. The magnetic field detected by SQUID magnetometer 16 varies according to the structure of the device included in die 52. In addition, the magnetic field is detected both in the case of a good product and in the case of a defective product, but the appearance thereof is different. This is because the path of the current flowing in the circuit changes due to the failure. For this reason, even if the SQUID image of the die 52 is observed alone, it is difficult to accurately detect a defect. Therefore, the computer 18 determines the presence or absence of a defect in each die 52 by comparing the SQUID image data of each die 52 with the SQUID image data of a good die prepared in advance.
[0046]
Hereinafter, the defect determination processing will be described in detail with reference to FIG. FIG. 7 is an explanatory diagram of the defect determination processing. The “measurement SQUID image” in FIG. 7 is an example of a SQUID image generated by scanning one die 52. Reference numerals 71 and 72 indicate defects in the die 52. The broken line in the measurement SQUID image is one of the scanning paths. These defects 71 and 72 are located on the same scanning path. The voltage signal shown below the measured SQUID image is a part of the image signal of the measured SQUID image. This signal portion is generated by scanning along the broken line in the measurement SQUID image. Therefore, the horizontal axis coordinate (time information) of this signal portion corresponds to the irradiation position of the laser beam on the scanning path indicated by the broken line, and also corresponds to the pixel position on the broken line in the measurement SQUID image.
[0047]
The “non-defective SQUID image” in FIG. 7 is an SQUID image generated from a measurement magnetic field signal regarding a non-defective die. The non-defective SQUID image is obtained by inspecting non-defective dies using the wafer inspection apparatus 1 in advance. The broken line in the non-defective SQUID image is one of the scanning paths. This scanning path is the same as the scanning path indicated by the broken line in the measurement SQUID image. That is, these scanning paths pass through the same coordinates of the good die and the inspected die, respectively. The voltage signal shown below the non-defective SQUID image is a part of the image signal of the non-defective SQUID image. This signal portion is generated by scanning along the broken line in the non-defective SQUID image. Therefore, the horizontal coordinate (time information) of this signal portion corresponds to the irradiation position of the laser beam on the scanning path indicated by the broken line, and also corresponds to the pixel position on the broken line in the non-defective SQUID image.
[0048]
The defect 71 in the measured SQUID image has a higher brightness than the same part of the good die. That is, the defect 71 has a positive luminance direction. This is because the magnetic field strength detected by scanning the defect 71 is higher than the magnetic field strength detected by scanning the same portion of the good die. Such a defect is called a plus defect. On the other hand, the defect 72 has a lower brightness than the same part of the good die. That is, the defect 72 has a negative luminance direction. This is because the magnetic field strength detected by scanning the defect 72 is lower than the magnetic field strength detected by scanning the same portion of the good die. Such a defect is called a minus defect. As described above, the defects include those that increase the magnetic field strength detected by the SQUID magnetometer 16 and those that decrease the magnetic field intensity.
[0049]
The computer 18 compares the measured SQUID image of each die 52 with a non-defective SQUID image in order to inspect each die 52 for defects. Specifically, the computer 18 subtracts the non-defective SQUID image data from the measured SQUID image data to generate difference image data. The generated difference image is shown as a “subtracted SQUID image” on the right side of FIG. In an ideal difference image, only defects are displayed.
[0050]
In FIG. 7, the voltage signal shown below the difference image is a part of the image signal of the difference image. This signal portion is obtained by scanning along the broken line in the difference image. In the difference image signal, the defect 71 appears as a signal peak 71a, that is, a rise in signal level. In the difference image signal, the defect 72 appears as a signal valley 72b, that is, a drop in signal level. Thus, the peak of the difference image signal indicates a plus defect of the inspected die 52. The valley of the difference image signal indicates a minus defect of the inspected die 52.
[0051]
The computer 18 compares the level of the difference image signal with a predetermined threshold. Computer 18 has two different thresholds. Hereinafter, the higher threshold is referred to as a first threshold, and the lower threshold is referred to as a second threshold. In FIG. 7, the first threshold is indicated by a broken line 81, and the second threshold is indicated by a broken line. In this embodiment, the first threshold is a positive value and the second threshold is a negative value. The computer 18 determines that a defect has been detected when the level of the difference image signal is equal to or greater than the first threshold or equal to or less than the second threshold. A series of signal portions equal to or greater than the first threshold value and a series of signal portions equal to or less than the second threshold value are each recognized as one defect. The two thresholds are used to determine a plus defect and a minus defect.
[0052]
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of calculating two thresholds. The first and second thresholds are calculated by using the apparatus 1 to acquire SQUID image data for each of two good dies. This calculation is executed by the computer 18. The computer 18 generates difference image data by subtracting one of the SQUID image data from the other, and calculates a luminance histogram of the difference image. The computer 18 also calculates the standard deviation of the luminance histogram. The first threshold value is calculated by (peak value of luminance histogram) + (k times standard deviation). The second threshold value is calculated by (peak value of luminance histogram) − (k times standard deviation). Here, k is a predetermined constant. The value of k can be set arbitrarily by the operator of the wafer inspection apparatus 1.
[0053]
The computer 18 has a merge function to obtain more appropriate first and second threshold values. The merge function is a function for increasing the number of samples for setting a threshold. The merge function acquires a SQUID image for one or more new dies, performs a subtraction process with the existing SQUID image, and increases the number of samples of the luminance histogram. To achieve the merge function, the SQUID image used to calculate the luminance histogram is stored in a storage device in the computer 18.
[0054]
The computer 18 determines that a plus defect exists at a pixel position that provides a difference image signal level equal to or greater than the first threshold. In the example of FIG. 7, the computer 18 determines a portion of the peak 71a that is equal to or greater than the first threshold value 81 as a plus defect. Further, the computer 18 determines that a minus defect exists at a pixel position that gives a difference image signal level equal to or less than the second threshold value. In the example of FIG. 7, the computer 18 determines that a portion of the valley 72b that is equal to or less than the second threshold value 82 is a minus defect. The horizontal axis coordinates of the difference image signal correspond to the pixel position of the SQUID image and the irradiation position of the laser beam on the die 52. The computer 18 can calculate the position of the defect from the horizontal axis coordinates of the signal portion determined as the defect.
[0055]
When determining whether all the dies 52 have a defect, the computer 18 generates image data indicating the determination result. This image data is sent to the display device 20. Thus, on the screen of the display device 20, the detected defect is displayed on the wafer map. When the operator of the apparatus 1 specifies the die 52, the computer 18 generates more detailed image data for displaying the result. This image data is also sent to the display device 20 and displayed on the screen. Thereby, the defect position information in the designated die 52 is displayed so as to be superimposed on the reflection image of the die 52. The defect is displayed in a different display mode depending on the type. For example, a plus defect and a minus defect may be displayed in different colors.
[0056]
Hereinafter, advantages of the nondestructive inspection device 1 will be described. The device 1 has four main advantages.
[0057]
First, the apparatus 1 can detect device pattern defects on the wafer 5 with high accuracy. This is because the apparatus 1 scans the wafer 5 while keeping the focus by the autofocus apparatus. Thereby, the device 1 can acquire the SQUID image with high resolution. Therefore, the accuracy of detecting a wafer defect is increased.
[0058]
In particular, in the present embodiment, a defect is detected by comparing the acquired SQUID image with a non-defective SQUID image. In this case, it is important to acquire SQUID images of a plurality of wafers under the same conditions. The apparatus 1 acquires a SQUID image while performing autofocus. Therefore, even when there is a warped wafer or when the driving of the XYθ stage 10 is not uniform, the same imaging condition is created by the autofocus. For this reason, the apparatus 1 can execute highly reliable defect detection.
[0059]
Second, the apparatus 1 can acquire a clear wafer reflected light image. This is also because the apparatus 1 scans the wafer while keeping the focus. The apparatus 1 can display the position of the detected defect so as to be superimposed on a clear wafer reflected light image. Therefore, it is easy to grasp the position of the defect.
[0060]
Third, the device 1 can execute stable autofocus. This is because the device 1 adjusts the response frequency of the detection system 14a according to the modulation frequency of the light source 120 and the scanning speed, and averages the signal output.
[0061]
Fourth, the apparatus 1 can determine the type of the defect on the wafer 5. This is because the level of the difference image signal obtained from the measured SQUID image signal and the non-defective SQUID image signal is compared with two positive and negative threshold values. The presence or absence of a plus defect is determined by a positive threshold value, and the minus defect is determined by a negative threshold value. Therefore, these defects can be determined. The positions of these two types of defects are displayed in different display modes. Therefore, the operator of the apparatus 1 can confirm the type of the defect from the display mode.
[0062]
(2nd Embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a configuration of the nondestructive inspection device 2 according to the second embodiment. The device 2 is different from the device 1 of the first embodiment in that it includes an autofocus light source 247 separate from the magnetic field excitation laser light source 220.
[0063]
The autofocus device of the device 2 includes an autofocus detection system 24a and a focusing actuator 24b. The detection system 24a includes a four-division photodiode 240, a cylinder lens 242, a polarization beam splitter 246, a laser diode 247, a condenser lens 243, a λ / 4 plate (1/4 wavelength plate) 248, and an autofocus controller 245. The detection system 24a is installed outside the imaging device 22. The four-division photodiode 240 and the laser diode 247 are electrically connected to the auto focus controller 245. The autofocus controller 245 supplies a drive current to the laser diode 247. The auto focus controller 245 is electrically connected to the computer 18. The focusing actuator 24b is attached to the objective lens 229. The actuator 24b is electrically connected to the auto focus controller 245.
[0064]
Since the light source 220 for exciting the magnetic field and the light source 247 for autofocus are separate, the optical attenuator is not included in the detection system 24a. This is a difference from the first embodiment. The autofocus controller 245 performs feedback control of the output power of the laser diode 247 so that the total incident light amount of the four-division photodiode 240 becomes constant. This feedback control is executed based on the output signal of the four-division photodiode 240.
[0065]
The imaging device 22 has a configuration similar to that of the imaging device 12 of the first embodiment except that it does not include an autofocus detection system and that a dichroic mirror is disposed between an objective lens and an imaging lens. ing. The imaging device 22 is an optical system for imaging the wafer 5 from the back surface 5b side. The imaging device 22 has a laser light source 220, a collimator lens 221, an optical scanner 222, a pupil projection lens 223, a beam splitter 224, a condenser lens 226, and a photodetector 227. The imaging device 22 further includes a microscope imaging lens 228 and a microscope objective lens 229. These components are the same as the components of the imaging device 12 of the first embodiment, and therefore, redundant description will be omitted.
[0066]
A dichroic mirror 225 is arranged on the optical path between the imaging lens 228 and the objective lens 229. The dichroic mirror 225 transmits laser light emitted from the laser light source 220 and reflects laser light emitted from the laser diode 247. The laser beam that has entered the imaging lens 228 passes through the dichroic mirror 225 and enters the objective lens 229. The objective lens 229 projects the laser beam on the wafer 5. As a result, the laser beam forms a spot light on the wafer 5.
[0067]
A part of the laser beam is reflected by the wafer 5, passes through the objective lens 229, and enters the dichroic mirror 225. This reflected laser light passes through the dichroic mirror 225 and further passes through the imaging lens 228. This reflected laser light passes through the pupil projection lens 223, the optical scanner 222, and the beam splitter 224, and enters the condenser lens 226. The condenser lens 226 collects the reflected laser light and sends it to the photodetector 227. The photodetector 227 generates and outputs a signal corresponding to the power of the reflected laser light. This output signal is sent to the controller 13. Therefore, if the wafer 5 is scanned with the laser beam, the controller 13 can acquire the reflection image data of the wafer 5.
[0068]
The autofocus detection system 24 a irradiates the back surface 5 b of the wafer 5 with an autofocus laser beam (hereinafter, referred to as “autofocus light”). This laser light is emitted from a laser diode 247. The autofocus light and the laser light from the laser light source 220 pass through the objective lens 229 along a common optical axis and irradiate the wafer 5. Therefore, if focusing is performed using the autofocus light from the laser diode 247, the laser light from the laser light source 220 can also be focused.
[0069]
The wavelength of the autofocus light is 1.3 μm. Light of this wavelength transmits through the wafer 5, but does not cause the OBIC effect. For this reason, the device 2 can execute the autofocus without affecting the magnetic field measurement by the SQUID magnetometer 16.
[0070]
When the laser diode 247 emits autofocus light, the autofocus light is reflected by the beam splitter 246, passes through the condenser lens 243, and enters the λ / 4 plate 248. The λ / 4 plate 248 gives a phase difference to mutually orthogonal polarization components of the autofocus light. After passing through the λ / 4 plate 248, the autofocus light enters the dichroic mirror 225 of the imaging device 22. The autofocus light is reflected by the dichroic mirror 225, passes through the objective lens 229, and irradiates the back surface 5b of the wafer 5.
[0071]
This autofocus light passes through the wafer 5 and is reflected by the device pattern. The reflected autofocus light is transmitted through the objective lens 229, reflected by the dichroic mirror 225, and sent to the λ / 4 plate 248 of the autofocus detection system 24a. The λ / 4 plate 248 gives a phase difference to the polarization component of the autofocus light again. The reflected autofocus light transmitted through the λ / 4 plate 248 enters the condenser lens 243. The condenser lens 243 condenses the reflected autofocus light and sends it to the beam splitter 246. The reflected autofocus light passes through the beam splitter 246 and enters the cylinder lens 242. The cylinder lens 242 converges the reflected laser light in a plane orthogonal to the generatrix and sends it to the four-division photodiode 240. The output signal of the four-division photodiode 240 is sent to the autofocus controller 245.
[0072]
The flow up to the start of the wafer inspection using the non-destructive inspection device 2 is the same as that of the first embodiment (see FIG. 3). The apparatus 2 executes wafer scanning, acquisition of a SQUID image and a wafer reflected light image, determination of presence / absence of a defect, and display of a result by the same method as the apparatus 1 of the first embodiment. When acquiring the SQUID image and the wafer reflected light image, auto focus is performed. The autofocus controller 245 performs autofocus by the astigmatism method as in the first embodiment. Further, as in the first embodiment, the autofocus controller 245 adjusts the response frequency of the detection system 24a according to the modulation frequency of the laser diode 247 and the scanning speed, and averages the signal output.
[0073]
The nondestructive inspection device 2 of this embodiment has the same advantages as the nondestructive inspection device 1 of the first embodiment. That is, since the apparatus 2 scans the wafer 5 while keeping the focus by the autofocus apparatus, the device 2 can detect a defect in the device pattern of the wafer 5 with high accuracy. Further, the apparatus 2 can acquire a clear wafer reflected light image. Furthermore, the device 2 adjusts the response frequency of the detection system 24a according to the modulation frequency of the autofocus light source 247 and the scanning speed and averages the signal output, so that stable autofocus can be executed. Further, the apparatus 2 compares the level of the difference image signal obtained from the measured SQUID image signal and the level of the difference image signal obtained from the non-defective SQUID image signal with two positive and negative threshold values, so that the type of the defect of the wafer 5 can be determined.
[0074]
The present invention has been described in detail based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.
[0075]
In the above embodiment, autofocus is performed using the astigmatism method. However, instead of the astigmatism method, another autofocus method can be arbitrarily adopted.
[0076]
In the above embodiment, in order to determine the presence or absence of a defect, the measured SQUID image of the die 52 is compared with a previously acquired SQUID image of a good die. However, instead, the measured SQUID images of the plurality of dies 52 may be compared with each other.
[0077]
Hereinafter, a defect inspection process by comparing SQUID images between different dies 52 will be described with reference to FIGS. 10 and 11. FIG. 10 is a schematic explanatory diagram of this defect inspection processing. FIG. 11 is a detailed explanatory diagram of this defect inspection processing. For convenience of description, it is assumed that the non-destructive inspection apparatus 1 of the first embodiment performs this defect inspection processing. However, this defect inspection process can be similarly applied to the nondestructive inspection device 2 of the second embodiment.
[0078]
On the left side of FIG. 10, the measured SQUID images of the (n-1) th die 52 and the nth die 52 are shown. Here, n is an integer of 2 or more. Hereinafter, the (n-1) th die 52 is referred to as a die (n-1), and the nth die 52 is referred to as a die (n). These are, for example, dies 52 located adjacent along the scan path. Reference numerals 73 and 74 indicate defects in the die (n-1). Reference numerals 75 and 76 indicate defects in the die (n). The defects 73 and 75 are the minus defects described above, and the defects 74 and 76 are the plus defects described above. The broken line in each measurement SQUID image is one of the scanning paths. The scan path indicated by each dashed line passes through the common position coordinates of die (n-1) and die (n). The defects 73 to 76 are all located on the scanning path indicated by the broken line.
[0079]
The voltage signal shown on the right side of the measured SQUID image in FIG. 10 is an image signal obtained by scanning along the broken line in the measured SQUID image. The defect 73 appears as a valley 73b and the defect 74 appears as a peak 74a in the image signal of the die (n-1). Similarly, in the image signal of the die (n), the defect 75 appears as a valley 75b, and the defect 76 appears as a peak 76a.
[0080]
The computer 18 compares the measured SQUID image of the die (n−1) with the measured SQUID image of the die (n) for all the dies 52. That is, the measured SQUID images are compared between the die (1) and the die (2), the die (2) and the die (3),..., The die (N-1) and the die (N). Here, N is the total number of dies. Specifically, the computer 18 subtracts the measured SQUID image of the die (n) from the measured SQUID image of the die (n-1) to generate a difference image signal. A part of the difference image signal is shown on the right side of FIG. In the difference image signal, defects 74 and 75 appear as peaks 74a and 75a, and defects 73 and 76 appear as valleys 73b and 76b. Thus, the peak of the difference image signal indicates a plus defect of the die (n-1) or a minus defect of the die (n). The valley of the difference image signal indicates a minus defect of the die (n-1) or a plus defect of the die (n). The horizontal axis coordinates of the difference image signal correspond to the position coordinates of the die.
[0081]
The computer 18 compares the level of the difference image signal with first and second threshold values. As in the above embodiment, the first threshold value is a positive value, and the second threshold value is a negative value. The method of calculating these thresholds is as described above with reference to FIG. The computer 18 determines that a defect has been detected when the level of the difference image signal is equal to or greater than the first threshold or equal to or less than the second threshold. A series of signal portions equal to or greater than the first threshold value and a series of signal portions equal to or less than the second threshold value are each recognized as one defect. The horizontal axis coordinates of this signal portion correspond to the common position coordinates of die (n-1) and die (n).
[0082]
A portion of the difference image signal that is equal to or greater than the first threshold value has a possibility of being a plus defect of die (n-1) and a possibility of being a minus defect of die (n). Similarly, the portion equal to or less than the second threshold value has a possibility of being a negative defect of die (n-1) and a possibility of being a positive defect of die (n). In order to determine which die contains the defect, the computer 18 uses the comparison result of the measured SQUID images between the die (n) and the die (n + 1). Hereinafter, the defect inspection processing will be described in more detail with reference to FIG.
[0083]
On the left side of FIG. 11, measured SQUID images of dies (1) to (6) are shown. Dies (1), (2), (5) and (6) have no defects. Die (3) has a negative defect 77. Die (4) has a plus defect 78. In the center of FIG. 11, the difference image signal between the dies of adjacent numbers is shown. In FIG. 11, “subtraction (m−1) −m” (m is an integer of 2 or more and N or less, where N is the total number of dies) is obtained from the measured SQUID image signal of the die (m−1). m) means that the measured SQUID image signal is subtracted.
[0084]
As shown in FIG. 11, the computer 18 sequentially performs the subtraction (m-1) -m for all the m values. Thereafter, the signal levels of all the difference image signals are compared with the first and second threshold values. A peak 77a having a peak value exceeding the first threshold value 81 appears in the difference image signal obtained by the subtraction 2-3. The computer 18 determines a portion of the mountain 77a that is equal to or greater than the first threshold value 81 as a defect. This defect may be a plus defect of die 2 and a minus defect of die 3.
[0085]
In the difference image signal by the subtraction 3-4, a valley 77b having a peak value lower than the second threshold value 82 appears at the same position as the peak 77a of the difference image signal by the subtraction 2-3. The computer 18 determines a portion of the valley 77b that is equal to or smaller than the second threshold value 82 as a defect. This defect may be a negative defect of die (3) and a positive defect of die (4).
[0086]
Only common negative defects of die (3) are expected by subtraction 2-3 and subtraction 3-4. Therefore, the computer 18 determines that the die (3) has a minus defect. As described above, when a defect is detected at the same horizontal axis coordinate in both the difference image signal obtained by the subtraction 2-3 and the difference image signal obtained by the subtraction 3-4, the computer 18 detects the defect in the die (3). It is determined that a defect exists at the position coordinates corresponding to the axis coordinates.
[0087]
The valley 78b having a peak value lower than the second threshold value 82 also appears in the difference image signal obtained by the subtraction 3-4. The computer 18 determines a portion of the valley 78b that is equal to or less than the second threshold value 82 as a defect. This defect may be a negative defect of die (3) and a positive defect of die (4). In the difference image signal obtained by the subtraction 4-5, a peak 78a having a peak value exceeding the first threshold value 81 appears at the same position as the valley 78b in the subtraction 3-4 signal. The computer 18 determines a portion of the mountain 78a that is equal to or greater than the first threshold value 81 as a defect. This defect may be a plus defect of die (4) and a minus defect of die (5). Only common plus defects of die (4) are expected by subtraction 3-4 and subtraction 4-5. Therefore, computer 18 determines that a plus defect exists in die (4). The position coordinates of the defect on the die (4) are specified from the horizontal axis coordinates of the defect in the difference image signal.
[0088]
As described above, when a defect is detected at the same horizontal axis coordinate in both the difference image signal obtained by subtraction (n-1) -n and the difference image signal obtained by subtraction n- (n + 1), the defect computer 18 performs die ( In n), it is determined that a defect exists at the position coordinate corresponding to the horizontal coordinate. If the defect computer 18 detects a defect in the difference image signal obtained by subtraction (n−1) −n and does not detect a defect at the same horizontal coordinate in the difference image signal obtained by subtraction n− (n + 1), It is determined that a defect exists in (n-1). Further, when the defect computer 18 detects a defect in the difference image signal obtained by subtraction n− (n + 1) and does not detect a defect at the same horizontal coordinate in the difference image signal obtained by subtraction (n−1) −n, It is determined that a defect exists at (n + 1). When it is specified which die has a defect, the type of the defect is also specified according to whether the defect is a peak or a valley in the difference image signal.
[0089]
In addition, "a defect is detected at the same horizontal axis coordinate of two difference image signals" means, in addition to the case where the horizontal axis coordinates completely match, and the case where the horizontal axis coordinates are shifted by a predetermined allowable value. May be included. In this case, in addition to the case where a defect is detected in each of the same pixels of the two difference images, if the position of the defect in the two difference images is shifted by several pixels, it is considered that a defect exists in the same pixel. The deviation within the predetermined value is allowed in consideration of the error of the defect detection position.
[0090]
When determining whether or not all the dies 52 have a defect, the computer 18 generates an image indicating the determination result. The display device 20 displays the generated image on a screen. The generation and display of this image are as described for the above embodiment.
[0091]
【The invention's effect】
The nondestructive inspection apparatus of the present invention irradiates a laser beam for exciting a magnetic field from the back side of the sample to detect an induced magnetic field from the front side of the sample, and irradiates autofocus light from the back side of the sample to perform autofocusing. Execute. Thus, the sample can be scanned while maintaining the focus. Therefore, the nondestructive inspection device of the present invention can detect a defect of a sample with high accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view showing the surface of a wafer 5;
FIG. 3 is a flowchart showing a flow until a wafer inspection is started.
FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of a method for scanning a wafer 5;
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a state of detection of autofocus light.
6A is a graph showing a signal light amount exceeding a dynamic range, and FIG. 6B is a graph showing a signal light amount suppressed within a dynamic range.
FIG. 7 is an explanatory diagram of a defect determination process by comparing magnetic field distribution data between a die to be inspected and a good die.
FIG. 8 is an explanatory diagram of a method for calculating first and second threshold values.
FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration of a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a schematic explanatory diagram of a defect determination process by comparing magnetic field distribution data between different dies.
FIG. 11 is a detailed explanatory diagram of the defect determination processing of FIG. 10;
[Explanation of symbols]
1 and 2: non-destructive inspection device, 10: XYθ stage as scanning means, 12: imaging device as irradiation means, 13: imaging device controller, 14a: detection system for auto focus, 14b: auto focusing as lens moving mechanism Actuator, 16: SQUID magnetometer, 18: Computer, 20: Display device, 122: Optical scanner as scanning means, 145: Autofocus controller.

Claims (10)

表面および裏面を有する試料を走査し、前記試料に設けられた所定の構造の欠陥を検出する非破壊検査装置であって、
前記試料の裏面に対向させて配置された対物レンズと、
前記試料の裏面側に配置され、前記対物レンズを介して前記試料にレーザ光を照射する照射手段と、
前記試料上における前記レーザ光の照射位置を移動させて前記試料を走査する走査手段と、
前記試料の裏面側に配置され、前記対物レンズと前記試料との距離を調整してオートフォーカスを行うオートフォーカシング手段と、
前記試料の表面側に配置され、前記試料の走査によって発生する磁場を検出し、磁場分布データを取得する磁場検出手段と、
を備え、
前記磁場分布データに基づいて前記欠陥を検出する非破壊検査装置。A non-destructive inspection device that scans a sample having a front surface and a back surface and detects a defect having a predetermined structure provided in the sample,
An objective lens arranged opposite to the back surface of the sample,
Irradiation means arranged on the back side of the sample, and irradiating the sample with laser light via the objective lens,
Scanning means for scanning the sample by moving the irradiation position of the laser light on the sample,
An auto-focusing means arranged on the back side of the sample, adjusting the distance between the objective lens and the sample to perform auto-focusing,
Magnetic field detecting means arranged on the surface side of the sample, detecting a magnetic field generated by scanning the sample, and acquiring magnetic field distribution data,
With
A non-destructive inspection device that detects the defect based on the magnetic field distribution data. 前記オートフォーカシング手段は、
前記照射手段によって前記試料に照射され、前記試料によって反射されたレーザ光を検出する光検出器と、
前記対物レンズを移動させて前記対物レンズと前記試料との距離を変えるレンズ移動機構と、
前記光検出器の出力に応じて前記レンズ移動機構を駆動するコントローラと、を備えている
請求項１記載の非破壊検査装置。The auto-focusing means,
A light detector that irradiates the sample by the irradiation unit and detects laser light reflected by the sample,
A lens moving mechanism that changes the distance between the objective lens and the sample by moving the objective lens,
The nondestructive inspection device according to claim 1, further comprising: a controller that drives the lens moving mechanism according to an output of the photodetector. 前記オートフォーカシング手段は、
前記試料の裏面に光を照射するオートフォーカス光源と、
前記オートフォーカス光源によって前記試料に照射され、前記試料によって反射された光を検出する光検出器と、
前記対物レンズを移動させて前記対物レンズと前記試料との距離を変えるレンズ移動機構と、
前記光検出器および前記レンズ移動機構と電気的に接続され、前記光検出器の出力信号に応じて前記レンズ移動機構を駆動するコントローラと、
を備えている
請求項１記載の非破壊検査装置。The auto-focusing means,
An autofocus light source that irradiates light to the back surface of the sample,
Irradiated on the sample by the autofocus light source, a photodetector that detects light reflected by the sample,
A lens moving mechanism that changes the distance between the objective lens and the sample by moving the objective lens,
A controller that is electrically connected to the photodetector and the lens moving mechanism, and drives the lens moving mechanism according to an output signal of the photodetector;
The nondestructive inspection device according to claim 1, further comprising: 前記光検出器の出力信号を平均化処理する平均化手段をさらに備え、
前記コントローラは、前記光検出器の平均化処理された出力信号に応じて前記レンズ移動機構を駆動する
請求項２または３記載の非破壊検査装置。Further comprising an averaging means for averaging the output signal of the photodetector,
4. The nondestructive inspection device according to claim 2, wherein the controller drives the lens moving mechanism in accordance with an output signal of the photodetector that has been averaged. 5. 前記走査手段による走査のスピードに応じて、前記光検出器および前記コントローラからなる電気系の応答周波数を調整する手段をさらに備える請求項２または３記載の非破壊検査装置。The nondestructive inspection apparatus according to claim 2, further comprising a unit that adjusts a response frequency of an electric system including the photodetector and the controller according to a scanning speed of the scanning unit. 前記照射手段は、前記レーザ光の光源と、この光源を変調するための変調器と、を備えており、
前記変調器による変調の周波数に応じて、前記光検出器および前記コントローラからなる電気系の応答周波数を調整する手段をさらに備える請求項２または３記載の非破壊検査装置。The irradiating means includes a light source of the laser light, and a modulator for modulating the light source,
4. The nondestructive inspection apparatus according to claim 2, further comprising a unit that adjusts a response frequency of an electric system including the photodetector and the controller according to a frequency of modulation by the modulator. 前記照射手段によって前記試料に照射され、前記試料によって反射されたレーザ光の強度を減衰させて前記光検出器に送る光減衰器と、
前記光検出器の入射光量に応じて前記光減衰器の減衰率をフィードバック制御する減衰制御手段と、
をさらに備える請求項２記載の非破壊検査装置。An optical attenuator that irradiates the sample by the irradiation unit and attenuates the intensity of laser light reflected by the sample to send to the photodetector,
Attenuation control means for feedback controlling the attenuation rate of the optical attenuator according to the amount of incident light on the photodetector,
The non-destructive inspection device according to claim 2, further comprising: 前記磁場分布データおよび所定の標準分布データの一方から他方を減算して差分データを生成する減算手段と、
前記差分データを正の第１しきい値および負の第２しきい値と比較する比較手段と、
前記レーザ光の一つの照射位置に対応する前記差分データが前記第１しきい値以上のとき、当該照射位置に第１の種類の欠陥が存在すると判定し、前記レーザ光の一つの照射位置に対応する前記差分データが前記第２しきい値以下のとき、当該照射位置に第２の種類の欠陥が存在すると判定する判定手段と、
をさらに備える請求項１記載の非破壊検査装置。Subtraction means for subtracting the other from one of the magnetic field distribution data and the predetermined standard distribution data to generate difference data,
Comparing means for comparing the difference data with a first positive threshold value and a second negative threshold value;
When the difference data corresponding to one irradiation position of the laser light is equal to or more than the first threshold, it is determined that a first type of defect exists at the irradiation position, and the one irradiation position of the laser light is determined. Determining means for determining that a second type of defect exists at the irradiation position when the corresponding difference data is equal to or less than the second threshold value;
The nondestructive inspection device according to claim 1, further comprising: 前記試料において同一の形状を有する複数の領域の各々について、その領域に設けられた所定の構造の欠陥を検出する請求項１記載の非破壊検査装置であって、
第１の前記領域の磁場分布データから第２の前記領域の磁場分布データを減算して第１の差分データを生成するとともに、前記第２領域の磁場分布データから第３の前記領域の磁場分布データを減算して第２の差分データを生成する減算手段と、
前記第１差分データを正の第１しきい値および負の第２しきい値と比較するとともに、前記第２差分データを前記第１および第２しきい値と比較する比較手段と、
前記比較手段による比較の結果に応じて、前記第２領域における欠陥の有無を判定する判定手段と、
をさらに備え、
前記判定手段は、
前記第１、第２および第３領域の共通の座標において前記第１差分データが前記第２しきい値以下かつ前記第２差分データが前記第１しきい値以上のとき、前記第２領域中の当該座標に第１の種類の欠陥が存在すると判定し、
前記第１、第２および第３領域の共通の座標において前記第１差分データが前記第１しきい値以上かつ前記第２差分データが前記第２しきい値以下のとき、前記第２領域中の当該座標に第２の種類の欠陥が存在すると判定する
請求項１記載の非破壊検査装置。The non-destructive inspection device according to claim 1, wherein each of the plurality of regions having the same shape in the sample detects a defect having a predetermined structure provided in the region.
The magnetic field distribution data of the second area is subtracted from the magnetic field distribution data of the first area to generate first difference data, and the magnetic field distribution of the third area is obtained from the magnetic field distribution data of the second area. Subtraction means for subtracting the data to generate second difference data;
Comparing means for comparing the first difference data with a first positive threshold value and a second negative threshold value, and comparing the second difference data with the first and second threshold values;
Determining means for determining the presence or absence of a defect in the second area according to a result of the comparison by the comparing means;
Further comprising
The determining means includes:
When the first difference data is equal to or less than the second threshold and the second difference data is equal to or greater than the first threshold at a common coordinate of the first, second, and third regions, It is determined that a first type defect exists at the coordinates of
When the first difference data is equal to or greater than the first threshold value and the second difference data is equal to or less than the second threshold value at a common coordinate of the first, second, and third regions, 2. The non-destructive inspection apparatus according to claim 1, wherein it is determined that a second type of defect exists at the coordinates. 前記判定手段によって判定された欠陥の位置を示す画像を生成する画像生成手段と、
前記画像生成手段によって生成された画像を画面上に表示する表示装置と、
をさらに備える請求項８または９記載の非破壊検査装置であって、
前記画像において前記第１の種類の欠陥は、第１の表示態様で表示され、
前記画像において前記第２の種類の欠陥は、前記第１表示態様と異なる第２の表示態様で表示される
請求項８または９記載の非破壊検査装置。Image generation means for generating an image indicating the position of the defect determined by the determination means,
A display device for displaying an image generated by the image generating means on a screen,
The nondestructive inspection device according to claim 8 or 9, further comprising:
The first type of defect in the image is displayed in a first display mode,
The nondestructive inspection device according to claim 8, wherein the second type of defect is displayed in a second display mode different from the first display mode in the image.
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