JP2004080449A

JP2004080449A - High frequency oscillator in two-frequency bands

Info

Publication number: JP2004080449A
Application number: JP2002238611A
Authority: JP
Inventors: Toshio Endo; 遠藤　寿雄
Original assignee: Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2002-08-19
Filing date: 2002-08-19
Publication date: 2004-03-11

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency oscillator in two-frequency bands where two oscillators can be completely switched with a simplified construction. <P>SOLUTION: Voltage signals of a first voltage level as a frequency band switching instruction voltage V<SB>SW</SB>and of a second voltage level lower than the former are inputted into a switching controlled voltage generator circuit 2. When the frequency band switching instruction voltage V<SB>SW</SB>is at the first voltage level, a first oscillation circuit 1a oscillates by taking voltage divided by a first voltage division circuit 2a as a switching control signal. A transistor T2 of the switching control voltage generation circuit 2 becomes conductive to short-circuit both ends of a second voltage division circuit 2b. In contrast, when the voltage V<SB>SW</SB>is at the second voltage level, electric potential at a voltage division point of the first voltage division circuit 2a is insufficient to oscillate the first oscillation circuit, whereby the transistor T2 becomes non-conductive. As a result, electric potential needed for a second oscillation circuit 1b to oscillate is supplied to the second voltage division circuit from a power supply voltage Vdc for oscillation of the second oscillation circuit. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、二つの周波数帯域で動作する二帯域高周波発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術として、特開平９−２９４０１８号公報には、外部から与えられる２つの制御電圧によって第１及び第２の発振回路が選択されて、択一的に動作及び非動作が切り換わる二帯域高周波発振器の一例が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の二帯域高周波発振器の一例では、中心周波数，周波数帯域幅，出力電流レベル等の発振条件を満たすように回路設計をすると、２つの発振回路が完全には切り換わらず、瞬時的に両者が同時に動作し、消費電流の無駄やノイズの発生を招く等の不都合があった。また従来の二帯域高周波発振器の二帯域切換回路は、使用するインダクタのインダクタンスが大きく、そのため高価なチップインダクタを必要とした。
【０００４】
本発明の目的は、簡単な回路構成で２つの発振回路が完全に切り換わる二帯域高周波発振器を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、寸法が大きく高価なチップインダクタを必要としない二帯域高周波発振器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本願発明の二帯域高周波発振器は、第１の切換制御電圧が入力されている状態において第１の周波数帯域で発振動作をする第１の発振回路と、第２の切換制御電圧が入力されている状態において第２の周波数帯域で発振動作をする第２の発振回路と、第１の発振回路の発振出力と第２の発振回路の発振出力とをそれぞれ入力信号として、入力信号を増幅する一つの増幅回路と、切換制御電圧出力回路とを備えている。切換制御電圧出力回路は、第１の発振回路に発振動作を行わせる際には第１の電圧レベルになり、第２の発振回路に発振動作を行わせる際には第１の電圧レベルより低い第２の電圧レベルになる周波数帯域切換指令電圧を入力として、第１及び第２の発振回路に第１及び第２の切換制御電圧を出力するものである。本発明においては、切換制御電圧出力回路を、周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルにあることを検出すると、その検出期間中は第１の切換制御電圧を出力する第１の切換制御電圧発生回路と、周波数帯域切換指令電圧が第２の電圧レベルにあることを検出すると、その検出期間中は第２の切換制御電圧を出力する第２の切換制御電圧発生回路との２つから構成する。そして第１の切換制御電圧発生回路は、周波数帯域切換指令電圧を分圧して第１の切換制御電圧として出力するように構成された第１の分圧回路により構成されている。また第２の切換制御電圧発生回路は、予め用意した基準電圧を分圧して第２の切換制御電圧として出力するように構成された第２の分圧回路と、周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルにあるときには基準電圧が第２の分圧回路に加わるのを阻止し、周波数帯域切換指令電圧が第２の電圧レベルにあるときには基準電圧が第２の分圧回路に印加されるのを許容する基準電圧印加阻止回路とにより構成されている。
【０００７】
本願発明においては、使用者の選択によって外部から与えられる周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルにある場合、第１の切換制御電圧発生回路は、周波数帯域切換指令電圧を第１の分圧回路により分圧して得た第１の切換制御電圧を第１の発振回路に与える。これにより第１の発振回路は発振状態になる。このとき、第２の切換制御発生回路では、基準電圧印加阻止回路が、予め用意した基準電圧が第２の分圧回路に印加されるのを阻止しているため、第２の切換制御電圧が第２の発振回路に与えられることがない。これにより第２の発振回路は非発振状態となる。逆に、周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルより低い第２の電圧レベルである場合には、第１の切換制御電圧発生回路の中の第１の分圧回路の出力電圧レベルが低くなって、第１の切換制御電圧を得ることができなくなり、第１の発振回路は非発振状態となる。このとき第２の切換制御発生回路では、第３の分圧回路により、基準電圧印加阻止回路が第２の分圧回路に基準電圧が印加されるのを許容するため、基準電圧を第２の分圧回路により分圧して得た第２の切換制御電圧が第２の発振回路に与えられる。これにより第２の発振回路は発振状態になる。このような回路動作により、本発明によれば、基本的に第１の分圧回路及び第３の分圧回路の分圧比を適宜に設定することにより、第１及び第２の発振回路が同時に動作する（発振状態になる）ことを確実に防止できる。従って本発明によれば、簡単な回路構成により、２つの発振回路が完全に切換わる二帯域高周波発振回路を得ることができる。
【０００８】
なお、第２の切換制御電圧発生回路において用いる基準電圧印加阻止回路の構成は任意である。例えば、基準電圧印加阻止回路を、第２の分圧回路に対して並列に配置された半導体スイッチ回路を含み、周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルにあるときには半導体スイッチ回路を導通状態にし、周波数帯域切換指令電圧が第２の電圧レベルにあるときには半導体スイッチ回路を非導通状態にすることができる。このような構成の基準電圧印加阻止回路では、周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルにあるときは半導体スイッチ回路が導通状態になって、半導体スイッチ回路は第２の分圧回路を短絡状態にする。その結果、第２の発振回路は非発振状態となる。また周波数帯域切換指令電圧が第２の電圧レベルにあるときには、半導体スイッチ回路が非導通状態となり、第２の分圧回路に基準電圧が印加されて、第２の切換制御電圧が第２の発振回路に加えられ、第２の発振回路は発振状態になる。このような基準電圧印加阻止回路は、回路構成が簡単で、しかも誤動作を起こすことがない。なおより具体的には、第２の分圧回路として、抵抗体を用いて構成された抵抗分圧回路を用いることができる。そして基準電圧印加阻止回路の半導体スイッチ回路としてエミッタコレクタ回路が第２の分圧回路に対して並列に配置されたトランジスタを用いることができる。この場合、トランジスタのベースに周波数帯域切換指令電圧を第３の分圧回路で分圧した電圧を印加する。第３の分圧回路は、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが第１の電圧レベルにあるときにトランジスタをオン状態にし、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが第２の電圧レベルにあるときトランジスタをオフ状態にするように設計されている。したがって、より具体的なレベルで見ると、第１及び第３の分圧回路の分圧比を適宜に設定するだけで、第１及び第２の発振回路が同時に動作する（発振状態になる）ことを確実に防止できる。
【０００９】
また、基準電圧印加阻止回路を、第２の分圧回路に対して直列に配置された半導体スイッチ回路を含み、周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルにあるときには半導体スイッチ回路を非導通状態にし、周波数帯域切換指令電圧が第２の電圧レベルにあるときには半導体スイッチ回路を導通状態にするように構成することができる。この基準電圧印加阻止回路では、周波数帯域切換指令電圧が第１の電圧レベルにあるときには半導体スイッチ回路が非導通状態になり、これによって基準電圧が第２の分圧回路に印加されるのが阻止される。その結果、第２の発振回路が非発振状態となる。また周波数帯域切換指令電圧が第２の電圧レベルにあるときには、半導体スイッチ回路が導通状態になり、これによって基準電圧が第２の分圧回路に印加されることが許容され、第２の分圧回路で基準電圧を分圧して得た第２の切換制御電圧が第２の発振回路に加えられる。その結果、第２の発振回路は発振状態になる。このような構成にしても、簡単な回路構成で、誤動作をすることのない基準電圧印加阻止回路を得ることができる。この場合も、より具体的には、第２の分圧回路として抵抗体を用いて構成された抵抗分圧回路を用いることができる。そして基準電圧印加阻止回路の半導体スイッチ回路として、エミッタコレクタ回路が第２の分圧回路に対して直列に配置されたトランジスタを用いることができる。この場合、トランジスタのベースには周波数帯域切換指令電圧を第３の分圧回路により分圧した電圧を印加する。
【００１０】
第１及び第２の発振回路の回路構成は任意である。例えば、第１及び第２の発振回路を、それぞれＬＣ共振回路によって構成することができる。この場合において、ＬＣ共振回路のインダクタを回路基板上あるいは層間に回路パターンとして形成したパターンインダクタで構成すると、二帯域高周波発振器を小型で安価に構成できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の二帯域高周波発振器の一実施の形態の回路図である。図１において、符号１ａ，１ｂで示した回路は第１と第２の発振回路であり、符号２で示した回路は切換制御電圧出力回路であり、符号３で示した回路は増幅回路である。
【００１２】
第１の発振回路１ａは、第１の発振トランジスタＴ１ａと、第１の共振回路Ｘ１ａと、インダクタＬ１ａと、コンデンサＣ２ａ及びＣ４ａと、抵抗Ｒ１ａとから構成されている。ブロックで示してある第１の共振回路Ｘ１ａは、一般的なＬＣＲ共振回路により構成されている。この共振回路は、水晶や圧電素子などの共振素子を含むこともある。第１の発振トランジスタＴ１ａのベースは、切換制御電圧発生回路２の後述する第１の分圧回路２ａの分圧点（抵抗Ｒ２とＲ３との接合点）に接続されている。発振トランジスタＴ１ａのコレクタは、増幅回路３の後述する増幅トランジスタＴ３のエミッタに接続されている。発振帰還コンデンサＣ２ａは、発振トランジスタＴ１ａのベースとエミッタ間に接続され、負荷抵抗Ｒ１ａは発振トランジスタＴ１ａのエミッタとアースとの間に接続されている。第１の発振回路１ａと同様に、第２の発振回路１ｂは、第２の発振トランジスタＴ１ｂと、第２の共振回路Ｘ１ｂと、インダクタＬ１ｂと、コンデンサＣ２ｂ及びＣ４ｂと、抵抗Ｒ１ｂとから構成されている。ブロックで示してある第２の共振回路Ｘ１ｂは、一般的なＬＣＲの共振回路により構成されている。発振トランジスタＴ１ｂのベースは、切換制御電圧発生回路２の後述する第２の分圧回路２ｂの分圧点（抵抗Ｒ７とＲ８との接合点）に接続されている。第２の発振トランジスタＴ１ｂのコレクタは、第１の発振トランジスタＴ１ａのコレクタと増幅回路３の増幅トランジスタＴ３のエミッタとに接続されている。発振帰還コンデンサＣ２ｂは、発振トランジスタＴ１ｂのベースとエミッタ間に接続され、負荷抵抗Ｒ１ｂは発振トランジスタＴ１ｂのエミッタとアースとの間に接続されている。
【００１３】
第１及び第２の共振回路Ｘ１ａ，Ｘ１ｂは、それぞれの発振トランジスタＴ１ａ，Ｔ１ｂのベースとアースとの間に接続されている。第１及び第２の共振回路Ｘ１ａ，Ｘ１ｂには、発振周波数をチューニングするための直流電圧ＶｔがインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂを介して入力されている。
【００１４】
切換制御電圧発生回路２は、第１の分圧回路２ａから構成される第１の切換制御発生回路と、第２の分圧回路２ｂ及び基準電圧印加阻止回路２ｃにより構成される第２の切換制御発生回路とにより構成されている。第１の切換制御発生回路を構成する前述の第１の分圧回路２ａは、直列に接続された抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３とから構成されている。抵抗Ｒ３の一端がアースに接続され、抵抗Ｒ３の他端と抵抗Ｒ２の一端との接続点が第１の分圧回路２ａの分圧点を構成している。抵抗Ｒ２の他端とアースとの間には、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが印加されている。
【００１５】
第２の切換制御発生回路の一部を構成する基準電圧印加阻止回路２ｃは、抵抗Ｒ２の他端に一端が接続された抵抗Ｒ４と、抵抗Ｒ４の他端にベースが接続され且つエミッタがアースに接続されたトランジスタＴ２と、トランジスタＴ２のベースに一端が接続され且つ他端がアースに接続された抵抗Ｒ５と、トランジスタＴ２のコレクタに一端が接続され且つ他端が電源電圧Ｖｄｃが印可される端子に接続された抵抗Ｒ６とから構成されている。抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５とにより第３の分圧回路２ｄが構成されている。周波数帯を切り換えるために第１の電圧レベルＶ１と第２の電圧レベルＶ２とに切り換わる周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが、第３の分圧回路２ｄにより分圧されてトランジスタＴ２のベースに入力される。第２の分圧回路２ｂは、一端がアースに接続された抵抗Ｒ８と、抵抗Ｒ８の他端に一端が接続され且つ他端がトランジスタＴ２のコレクタに接続された抵抗Ｒ７とから構成される。抵抗Ｒ８と抵抗Ｒ７との接続点が、第２の分圧回路２ｂの分圧点を構成している。
【００１６】
増幅回路３は、増幅トランジスタＴ３と、コンデンサＣ１，Ｃ７及びＣ８，Ｃ９，Ｃ１０と、抵抗Ｒ９と、インダクタＬ３とから構成されている。増幅トランジスタＴ３のエミッタは、第１及び第２の発振トランジスタＴ１ａ，Ｔ１ｂのコレクタに接続され、増幅トランジスタＴ３のベースは、高周波遮断用のコンデンサＣ８を介して接地されると共に、バイアス用の抵抗Ｒ９を介して電源電圧Ｖｄｃが印加される端子に接続されている。また増幅トランジスタＴ３のコレクタには、インダクタＬ３を介して電源電圧Ｖｄｃが印加される端子に接続されている。また増幅した出力電圧Ｖｏｕｔを取り出すために、出力用のコンデンサＣ１が増幅トランジスタＴ３のコレクタに接続されている。さらに抵抗Ｒ９とインダクタＬ３との接続点とアースとの間には、高周波遮断用のコンデンサＣ７が接続されて、増幅度の調整を行っている。
【００１７】
次に図１の実施の形態の回路動作を説明する。図示しない切換指令電圧回路から供給される周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗは、二帯域高周波発振回路の２つの周波数帯域に対応して第１の電圧レベルＶ１と、第１の電圧レベルＶ１より低い第２の電圧レベルＶ２との２つの電圧レベルを有している。操作者の選択により、第１及び第２の電圧レベルの１つが選択される。選択された周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗの電圧レベルが第１の電圧レベルＶ１にある場合に、第１の分圧回路２ａの分圧点の電位が、第１の切換制御電圧になる。第１の発振トランジスタＴ１ａのベースに第１の切換制御電圧が入力されている状態においては、第１の発振回路１ａは発振状態になり、予め定めた第１の発振周波数で発振動作をする。この第１の発振回路１ａから出力された発振信号は、増幅回路３により増幅されて、増幅回路３のコンデンサＣ１を通して、発振信号（Ｖｏｕｔ）として出力される。
【００１８】
このとき、第２の切換制御電圧発生回路の基準電圧印加阻止回路２ｃのトランジスタＴ２のベースには、第１の電圧レベルにある周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗを第３の分圧回路２ｄの抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５とで分圧した電圧が印加されていて、トランジスタＴ２は導通状態になる。その結果、第２の分圧回路２ｂの両端がトランジスタＴ２により短絡された状態となり、第２の分圧回路２ｂの分圧点は第２の切換制御電圧には達しない。したがってこのときには、第２の発振回路１ｂは非発振状態になる。
【００１９】
また、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが第１の電圧レベルＶ１より低い第２の電圧レベルＶ２にある場合には、第１の分圧回路２ａの分圧点の電位は第１の切換制御電圧に達せず、第１の発振回路１ａは非発振状態となる。このとき第３の分圧回路２ｄの分圧点の電圧も同時に下がり、トランジスタＴ２は非導通状態となる。その結果、トランジスタＴ２による第２の分圧回路２ｂの短絡が解除されて、電源電圧Ｖｄｃが抵抗Ｒ６を通して第２の分圧回路２ｂに印加される。これによって第２の発振トランジスタＴ１ｂのベースには、第２の切換切換制御電圧が印加された状態になる。第２の発振トランジスタＴ１ｂのベースに第２の切換制御電圧が入力されている状態においては、第２発振回路１ｂは発振状態になり、予め定めた第２の発振周波数で発振動作をする。この第２の発振回路１ｂから出力された発振信号は、増幅回路３により増幅されて、増幅回路３のコンデンサＣ１を通して、発振信号（Ｖｏｕｔ）として出力される。
【００２０】
上記実施の形態によれば、第１及び第３の分圧回路２ａ，２ｄの分圧比の設定を適宜に行うだけで、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗの電圧レベルの変化に応じて、確実に周波数帯域の切り換えを行うことができる。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態の二帯域高周波発振器の発振回路の発振出力電流と制御電圧との関係を示す模式図である。図２において、実線が本発明の実施の形態の発振回路の発振出力電流と周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗとの関係を示す。そして点線が従来例における発振出力電流と周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗとの関係を示す。図の縦軸は、第１及び第２の発振トランジスタＴ１ａ，Ｔ１ｂのコレクタ電流Ｉ１ａｃ，Ｉ１ｂｃを示し、横軸は周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗを示す。点線で示す従来例の特性から分かるように、従来の回路では、発振回路の発振条件の設定によっては、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗの電圧レベルの変化に対応して直ぐに切り換わらず、２つの発振回路が同時に動作している状態が発生する。これに対して、本実施の形態によれば、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗの許容される変動に対して、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗの電圧レベルの変化に対応して、第１及び第２の発振トランジスタＴ１ａ，Ｔ１ｂの導通が完全に切り換わっている様子が分かる。
【００２２】
図３は、本発明の二帯域高周波発振器の他の実施の形態の要部の回路構成を示す回路図である。図３においては、図１に示した増幅回路３に相当する増幅回路を省略してある。図３の実施の形態において、図１に示した実施の形態を構成する部分と実質的に同様の部分には、図１に付した符号の数に１０の数を加えた数の符号を付す。図１の実施の形態と本実施の形態とが大きく異なるのは、本実施の形態では発振回路１１ａ及び１１ｂの構成を詳細に示している点と、切換制御電圧発生回路１２の構成が異なる点と、第１及び第２の発振回路１１ａ及び１１ｂからの出力の取り出し方が異なる点にある。
【００２３】
第１及び第２の発信回路１１ａ及び１１ｂは、基本的に同じ回路構成を有しているので、一緒にその回路構成を説明する。第１及び第２の発振トランジスタＴ１１ａとＴ１１ｂのベースは、それぞれ第１及び第２の分圧回路１２ａ及び１２ｂの分圧点に接続されている。第１及び第２の発振トランジスタＴ１１ａ及びＴ１１ｂのベースとエミッタとの間にはそれぞれコンデンサＣ１２ａ及びＣ１２ｂが接続されている。また第１及び第２の発振トランジスタＴ１１ａ及びＴ１１ｂのエミッタは、コンデンサＣ１４ａ及びＣ１４ｂを介して接地されており、抵抗Ｒ１１ａ及びＲ１１ｂを介して第１及び第２の共振回路Ｘ１１ａとＸ１１ｂ中の可変の共振インダクタＬ１２ａ及びＬ１２ｂの分岐点に接続されている。共振インダクタＬ１２ａ及びＬ１２ｂの一端がアースに接続され、それらの他端は結合コンデンサＣ１３ａ及び１３ｂを介して第１及び第２の発信トランジスタＴ１１ａ及びＴ１１ｂのベースに接続されている。そして第１及び第２の発信トランジスタＴ１１ａ及びＴ１１ｂに対しては共振コンデンサＣ１５ａ及びＣ１５ｂが並列に接続されている。さらに第１及び第２の発信トランジスタＴ１１ａ及びＴ１１ｂに対しては、直流カットコンデンサＣ１６ａ及び１６ｂとバラクタダイオードＤ１１ａ及びＤ１１ｂの直列回路が、並列に接続されている。バラクタダイオードＤ１１ａ及びＤ１１ｂは、電圧の変化により容量が変化する特性を有している。そして直流カットコンデンサＣ１６ａ及び１６ｂとバラクタダイオードＤ１１ａ及びＤ１１ｂとの接続点には、高周波遮断用のインダクタＬ１１ａ及びＬ１１ｂの一端がそれぞれ接続され、インダクタＬ１１ａ及びＬ１１ｂの他端はチューニング電圧Ｖｔが印加される共通端子にそれぞれ接続されている。バラクタダイオードＤ１１ａ及びＤ１１ｂは、アノードをアース側に向けて配置されている。そしてこれらの第１及び第２の発信回路１１ａ及び１１ｂの出力Ｖａ及びＶｂは、トランジスタのエミッタと、抵抗Ｒ１１ａ及びＲ１１ｂとの接続点から出力される。
【００２４】
切換制御電圧発生回路１２は、基準電圧印加阻止回路１２ｃのトランジスタＴ１２としてｐｎｐトランジスタを用いている点と、トランジスタＴ１２のコレクタ・エミッタ回路が第２の分圧回路１２ｂに対して直列に接続されている点と、第３の分圧回路１２ｄの抵抗Ｒ１５の一端が電源電圧Ｖｄｃのラインに接続されている点で基本的に異なる。
【００２５】
図３の実施の形態において、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが第１の電圧レベルＶ１にある場合には、第１の分圧回路１２ａに第１の電圧レベルの周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが印加されている。第１の分圧回路１２ａで分圧された電圧が、第１の切換制御電圧となって、第１の発振回路１１ａは発振状態になる。このときトランジスタＴ１２は非導通状態にあるため、第２の分圧回路１２ｂに基準電圧としての電源電圧Ｖｄｃが印加されることを阻止している。したがってこの場合においては、第２の発振回路１１ｂは非発振状態にある。また周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが、第１の電圧レベルＶ１よりも電圧レベルが低い第２の電圧レベルＶ２（例えば０Ｖ）にある場合には、第１の分圧回路１２ａに印加される第２の電圧レベルの周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが不充分であるため、第１の切換制御電圧は無くなり、第１の発振回路１１ａの発振トランジスタＴ１１ａが非導通状態になって、第１の発振回路１１ａは非発振状態になる。これに対して、トランジスタＴ１２のエミッタベース間には、ベース電流が流れてトランジスタＴ１２は導通状態となり、第２の分圧回路１２ｂには電源電圧Ｖｄｃが印加され、第２の分圧回路１２ｂに現れる電圧が第２の切換制御電圧となって、第２の発振回路１１ｂが発振可能な状態になる。
【００２６】
この例では、トランジスタＴ１２のベースに周波数帯域切換指令電圧を第３の分圧回路１２ｄで分圧した電圧を印加している。第３の分圧回路１２ｄは、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが第１の電圧レベルにあるときにトランジスタをオフ状態にし、周波数帯域切換指令電圧Ｖｓｗが第２の電圧レベルにあるときトランジスタＴ１２をオン状態にするように設計されている。したがって本実施の形態でも、第１及び第３の分圧回路１２ａ及び１２ｄの分圧比を適宜に設定するだけで、第１及び第２の発振回路１１ａ及び１１ｂが同時に動作することを確実に防止できる。
【００２７】
図３に示したように本実施の形態においては、共振インダクタとしては回路基板上に回路パターンとして形成されたパターンインダクタを用いることができる。また、二帯域切換回路として、インダクタに大きいインダクタンスが必要となる従来の例では、安価なパターンインダクタの利用はできなかった。
【００２８】
【発明の効果】
本発明によれば、基本的に第１の分圧回路及び第２の分圧回路の分圧比を適宜に設定することにより、第１及び第２の発振回路が同時に動作することを確実に防止でき、簡単な回路構成により、２つの発振回路が完全に切換わる二帯域高周波発振回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の二帯域高周波発振器の一実施の形態の要部の回路図である。
【図２】本発明の二帯域高周波発振器の発振回路の発振出力電流と制御電圧との関係を示す模式図である。
【図３】本発明の二帯域高周波発振器の他の実施の形態の要部の回路図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ，１１ａ，１１ｂ　発振回路
２，１２　切換制御電圧発生回路
３　増幅回路
Ｃ１〜Ｃ１７　コンデンサ
Ｄ１１ａ，Ｄ１１ｂ　バラクタダイオード
Ｌ１ａ〜Ｌ１２ｂ　インダクタ
Ｒ１ａ〜Ｒ１８　抵抗
Ｔ１ａ〜Ｔ１２　トランジスタ
Ｖｄｃ　電源電圧端子
Ｘ１ａ〜Ｘ１１ｂ　共振回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a two-band high-frequency oscillator operating in two frequency bands.
[0002]
[Prior art]
As a prior art, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-294018 discloses a two-band system in which a first and a second oscillation circuit are selected by two externally applied control voltages, and an operation and a non-operation are selectively switched. An example of a high-frequency oscillator is described.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in an example of a conventional two-band high-frequency oscillator, if the circuit is designed so as to satisfy the oscillation conditions such as the center frequency, the frequency bandwidth, and the output current level, the two oscillation circuits are not completely switched but are instantaneously switched to each other. Operate at the same time, resulting in disadvantages such as waste of current consumption and generation of noise. In addition, the conventional two-band switching circuit of the two-band high-frequency oscillator uses a large inductance of an inductor, and therefore requires an expensive chip inductor.
[0004]
An object of the present invention is to provide a two-band high-frequency oscillator in which two oscillation circuits are completely switched with a simple circuit configuration.
[0005]
It is another object of the present invention to provide a two-band high-frequency oscillator that does not require a large and expensive chip inductor.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In the two-band high-frequency oscillator according to the present invention, a first oscillation circuit oscillating in a first frequency band in a state where a first switching control voltage is input, and a second switching control voltage are input. A second oscillation circuit that oscillates in the second frequency band in the state, and an oscillation output of the first oscillation circuit and an oscillation output of the second oscillation circuit, which are input signals, respectively. An amplifier circuit and a switching control voltage output circuit are provided. The switching control voltage output circuit has the first voltage level when the first oscillation circuit performs the oscillating operation, and is lower than the first voltage level when the second oscillation circuit performs the oscillating operation. The first and second oscillating circuits output the first and second switching control voltages with the frequency band switching command voltage having the second voltage level as input. According to the present invention, when the switching control voltage output circuit detects that the frequency band switching command voltage is at the first voltage level, the first switching control voltage for outputting the first switching control voltage during the detection period. And a second switching control voltage generating circuit for outputting a second switching control voltage during the detection period when the frequency band switching command voltage is detected to be at the second voltage level. I do. The first switching control voltage generating circuit includes a first voltage dividing circuit configured to divide the frequency band switching command voltage and to output the divided voltage as a first switching control voltage. The second switching control voltage generation circuit is configured to divide a reference voltage prepared in advance and to output the divided voltage as a second switching control voltage. When the reference voltage is at the second voltage level, the reference voltage is prevented from being applied to the second voltage dividing circuit. When the frequency band switching command voltage is at the second voltage level, the reference voltage is applied to the second voltage dividing circuit. And a reference voltage application blocking circuit that allows
[0007]
In the present invention, when the frequency band switching command voltage externally provided by the user's selection is at the first voltage level, the first switching control voltage generating circuit converts the frequency band switching command voltage into the first voltage dividing voltage. A first switching control voltage obtained by dividing the voltage by the circuit is applied to a first oscillation circuit. As a result, the first oscillation circuit enters an oscillation state. At this time, in the second switching control generation circuit, the reference voltage application blocking circuit prevents the reference voltage prepared in advance from being applied to the second voltage dividing circuit. It is not provided to the second oscillation circuit. As a result, the second oscillation circuit enters a non-oscillation state. Conversely, when the frequency band switching command voltage is the second voltage level lower than the first voltage level, the output voltage level of the first voltage dividing circuit in the first switching control voltage generating circuit is low. As a result, the first switching control voltage cannot be obtained, and the first oscillation circuit enters a non-oscillation state. At this time, in the second switching control generating circuit, the third voltage dividing circuit allows the reference voltage application preventing circuit to allow the reference voltage to be applied to the second voltage dividing circuit. The second switching control voltage obtained by dividing the voltage by the voltage dividing circuit is supplied to the second oscillation circuit. As a result, the second oscillation circuit enters an oscillation state. With such a circuit operation, according to the present invention, the first and second oscillation circuits can be simultaneously operated by basically setting the voltage division ratios of the first voltage division circuit and the third voltage division circuit appropriately. The operation (oscillation state) can be reliably prevented. Therefore, according to the present invention, a two-band high-frequency oscillation circuit in which two oscillation circuits are completely switched can be obtained with a simple circuit configuration.
[0008]
The configuration of the reference voltage application blocking circuit used in the second switching control voltage generating circuit is arbitrary. For example, the reference voltage application blocking circuit includes a semiconductor switch circuit arranged in parallel with the second voltage dividing circuit, and makes the semiconductor switch circuit conductive when the frequency band switching command voltage is at the first voltage level. When the frequency band switching command voltage is at the second voltage level, the semiconductor switch circuit can be turned off. In the reference voltage application blocking circuit having such a configuration, when the frequency band switching command voltage is at the first voltage level, the semiconductor switch circuit becomes conductive and the semiconductor switch circuit short-circuits the second voltage divider circuit. To As a result, the second oscillation circuit enters a non-oscillation state. When the frequency band switching command voltage is at the second voltage level, the semiconductor switch circuit is turned off, a reference voltage is applied to the second voltage dividing circuit, and the second switching control voltage is changed to the second oscillation level. Added to the circuit, the second oscillating circuit becomes oscillating. Such a reference voltage application blocking circuit has a simple circuit configuration and does not cause a malfunction. More specifically, as the second voltage dividing circuit, a resistive voltage dividing circuit formed using a resistor can be used. A transistor having an emitter-collector circuit arranged in parallel with the second voltage dividing circuit can be used as the semiconductor switch circuit of the reference voltage application blocking circuit. In this case, a voltage obtained by dividing the frequency band switching command voltage by the third voltage dividing circuit is applied to the base of the transistor. The third voltage dividing circuit turns on the transistor when the frequency band switching command voltage Vsw is at the first voltage level, and turns off the transistor when the frequency band switching command voltage Vsw is at the second voltage level. Designed to be. Therefore, when viewed at a more specific level, the first and second oscillation circuits operate simultaneously (become in an oscillation state) simply by appropriately setting the voltage division ratios of the first and third voltage division circuits. Can be reliably prevented.
[0009]
The reference voltage application blocking circuit includes a semiconductor switch circuit arranged in series with the second voltage dividing circuit, and the semiconductor switch circuit is turned off when the frequency band switching command voltage is at the first voltage level. When the frequency band switching command voltage is at the second voltage level, the semiconductor switch circuit can be made conductive. In the reference voltage application blocking circuit, when the frequency band switching command voltage is at the first voltage level, the semiconductor switch circuit is turned off, thereby preventing the reference voltage from being applied to the second voltage dividing circuit. Is done. As a result, the second oscillation circuit enters a non-oscillation state. When the frequency band switching command voltage is at the second voltage level, the semiconductor switch circuit is turned on, thereby allowing the reference voltage to be applied to the second voltage dividing circuit, A second switching control voltage obtained by dividing the reference voltage by the circuit is applied to the second oscillation circuit. As a result, the second oscillation circuit enters an oscillation state. Even with such a configuration, a reference voltage application blocking circuit that does not malfunction can be obtained with a simple circuit configuration. Also in this case, more specifically, a resistance voltage dividing circuit configured using a resistor can be used as the second voltage dividing circuit. As the semiconductor switch circuit of the reference voltage application blocking circuit, a transistor having an emitter-collector circuit arranged in series with the second voltage dividing circuit can be used. In this case, a voltage obtained by dividing the frequency band switching command voltage by the third voltage dividing circuit is applied to the base of the transistor.
[0010]
The circuit configurations of the first and second oscillation circuits are arbitrary. For example, each of the first and second oscillation circuits can be configured by an LC resonance circuit. In this case, if the inductor of the LC resonance circuit is constituted by a pattern inductor formed as a circuit pattern on a circuit board or between layers, a two-band high-frequency oscillator can be constituted small and inexpensively.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a two-band high-frequency oscillator according to the present invention. In FIG. 1, circuits indicated by reference numerals 1a and 1b are first and second oscillation circuits, a circuit indicated by reference numeral 2 is a switching control voltage output circuit, and a circuit indicated by reference numeral 3 is an amplifier circuit. .
[0012]
The first oscillation circuit 1a includes a first oscillation transistor T1a, a first resonance circuit X1a, an inductor L1a, capacitors C2a and C4a, and a resistor R1a. The first resonance circuit X1a shown by a block is configured by a general LCR resonance circuit. This resonance circuit may include a resonance element such as a crystal or a piezoelectric element. The base of the first oscillation transistor T1a is connected to a voltage dividing point (a junction point between the resistors R2 and R3) of a first voltage dividing circuit 2a of the switching control voltage generating circuit 2, which will be described later. The collector of the oscillation transistor T1a is connected to an emitter of an amplification transistor T3 of the amplification circuit 3, which will be described later. The oscillation feedback capacitor C2a is connected between the base and the emitter of the oscillation transistor T1a, and the load resistor R1a is connected between the emitter of the oscillation transistor T1a and the ground. Similarly to the first oscillation circuit 1a, the second oscillation circuit 1b includes a second oscillation transistor T1b, a second resonance circuit X1b, an inductor L1b, capacitors C2b and C4b, and a resistor R1b. ing. The second resonance circuit X1b indicated by a block is configured by a general LCR resonance circuit. The base of the oscillation transistor T1b is connected to a voltage dividing point (junction of the resistors R7 and R8) of a second voltage dividing circuit 2b of the switching control voltage generating circuit 2 described later. The collector of the second oscillation transistor T1b is connected to the collector of the first oscillation transistor T1a and the emitter of the amplification transistor T3 of the amplification circuit 3. The oscillation feedback capacitor C2b is connected between the base and the emitter of the oscillation transistor T1b, and the load resistor R1b is connected between the emitter of the oscillation transistor T1b and the ground.
[0013]
The first and second resonance circuits X1a and X1b are connected between the bases of the respective oscillation transistors T1a and T1b and the ground. A DC voltage Vt for tuning the oscillation frequency is input to the first and second resonance circuits X1a and X1b via the inductors L1a and L1b.
[0014]
The switching control voltage generating circuit 2 includes a first switching control generating circuit including a first voltage dividing circuit 2a, and a second switching including a second voltage dividing circuit 2b and a reference voltage application preventing circuit 2c. And a control generation circuit. The above-mentioned first voltage dividing circuit 2a constituting the first switching control generating circuit is composed of a resistor R2 and a resistor R3 connected in series. One end of the resistor R3 is connected to the ground, and a connection point between the other end of the resistor R3 and one end of the resistor R2 forms a voltage dividing point of the first voltage dividing circuit 2a. The frequency band switching command voltage Vsw is applied between the other end of the resistor R2 and the ground.
[0015]
The reference voltage application blocking circuit 2c forming a part of the second switching control generation circuit includes a resistor R4 having one end connected to the other end of the resistor R2, a base connected to the other end of the resistor R4, and an emitter grounded. , A resistor R5 having one end connected to the base of the transistor T2 and the other end connected to the ground, and one end connected to the collector of the transistor T2 and the other end applied with the power supply voltage Vdc. And a resistor R6 connected to the terminal. A third voltage dividing circuit 2d is configured by the resistors R4 and R5. A frequency band switching command voltage Vsw that switches between the first voltage level V1 and the second voltage level V2 to switch the frequency band is divided by the third voltage dividing circuit 2d and input to the base of the transistor T2. You. The second voltage dividing circuit 2b includes a resistor R8 having one end connected to the ground, and a resistor R7 having one end connected to the other end of the resistor R8 and the other end connected to the collector of the transistor T2. The connection point between the resistor R8 and the resistor R7 forms a voltage dividing point of the second voltage dividing circuit 2b.
[0016]
The amplifier circuit 3 includes an amplifier transistor T3, capacitors C1, C7 and C8, C9, C10, a resistor R9, and an inductor L3. The emitter of the amplifying transistor T3 is connected to the collectors of the first and second oscillating transistors T1a and T1b. The base of the amplifying transistor T3 is grounded via a high-frequency cutoff capacitor C8, and the biasing resistor R9 Is connected to a terminal to which the power supply voltage Vdc is applied. The collector of the amplification transistor T3 is connected to a terminal to which the power supply voltage Vdc is applied via an inductor L3. In order to extract the amplified output voltage Vout, an output capacitor C1 is connected to the collector of the amplification transistor T3. Further, a high frequency cut-off capacitor C7 is connected between the connection point between the resistor R9 and the inductor L3 and the ground to adjust the amplification factor.
[0017]
Next, the circuit operation of the embodiment of FIG. 1 will be described. A frequency band switching command voltage Vsw supplied from a switching command voltage circuit (not shown) has a first voltage level V1 and a second voltage level lower than the first voltage level V1 corresponding to two frequency bands of the two-band high-frequency oscillation circuit. Voltage level V2. One of the first and second voltage levels is selected by the operator. When the voltage level of the selected frequency band switching command voltage Vsw is at the first voltage level V1, the potential at the voltage dividing point of the first voltage dividing circuit 2a becomes the first switching control voltage. In a state where the first switching control voltage is being input to the base of the first oscillation transistor T1a, the first oscillation circuit 1a is in an oscillation state and performs an oscillation operation at a predetermined first oscillation frequency. The oscillation signal output from the first oscillation circuit 1a is amplified by the amplification circuit 3, and is output as an oscillation signal (Vout) through the capacitor C1 of the amplification circuit 3.
[0018]
At this time, the frequency band switching command voltage Vsw at the first voltage level is applied to the base of the transistor T2 of the reference voltage application blocking circuit 2c of the second switching control voltage generating circuit by the resistance R4 of the third voltage dividing circuit 2d. And the voltage divided by the resistor R5 is applied, and the transistor T2 is turned on. As a result, both ends of the second voltage dividing circuit 2b are short-circuited by the transistor T2, and the voltage dividing point of the second voltage dividing circuit 2b does not reach the second switching control voltage. Therefore, at this time, the second oscillation circuit 1b enters a non-oscillation state.
[0019]
When the frequency band switching command voltage Vsw is at the second voltage level V2 lower than the first voltage level V1, the potential at the voltage dividing point of the first voltage dividing circuit 2a is set to the first switching control voltage. The first oscillation circuit 1a does not reach the oscillation state. At this time, the voltage at the voltage dividing point of the third voltage dividing circuit 2d also drops, and the transistor T2 is turned off. As a result, the short circuit of the second voltage dividing circuit 2b by the transistor T2 is released, and the power supply voltage Vdc is applied to the second voltage dividing circuit 2b through the resistor R6. Thus, the second switching control voltage is applied to the base of the second oscillation transistor T1b. In a state in which the second switching control voltage is being input to the base of the second oscillation transistor T1b, the second oscillation circuit 1b is in an oscillation state and performs an oscillation operation at a predetermined second oscillation frequency. The oscillation signal output from the second oscillation circuit 1b is amplified by the amplification circuit 3, and is output as an oscillation signal (Vout) through the capacitor C1 of the amplification circuit 3.
[0020]
According to the above-described embodiment, only by appropriately setting the voltage dividing ratio of the first and third voltage dividing circuits 2a and 2d, the frequency can be reliably changed in accordance with the change in the voltage level of the frequency band switching command voltage Vsw. Band switching can be performed.
[0021]
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a relationship between an oscillation output current and a control voltage of the oscillation circuit of the two-band high-frequency oscillator according to the embodiment of the present invention. In FIG. 2, the solid line shows the relationship between the oscillation output current of the oscillation circuit according to the embodiment of the present invention and the frequency band switching command voltage Vsw. The dotted line shows the relationship between the oscillation output current and the frequency band switching command voltage Vsw in the conventional example. The vertical axis in the figure shows the collector currents I1ac and I1bc of the first and second oscillation transistors T1a and T1b, and the horizontal axis shows the frequency band switching command voltage Vsw. As can be seen from the characteristics of the conventional example indicated by the dotted line, in the conventional circuit, depending on the setting of the oscillation condition of the oscillation circuit, two oscillations are not performed immediately in response to a change in the voltage level of the frequency band switching command voltage Vsw. A state occurs where the circuits are operating simultaneously. On the other hand, according to the present embodiment, with respect to the allowable fluctuation of the frequency band switching command voltage Vsw, the first and second frequencies are changed in accordance with the change in the voltage level of the frequency band switching command voltage Vsw. It can be seen that the conduction of the oscillation transistors T1a and T1b is completely switched.
[0022]
FIG. 3 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a main part of another embodiment of the two-band high-frequency oscillator according to the present invention. In FIG. 3, an amplifier circuit corresponding to the amplifier circuit 3 shown in FIG. 1 is omitted. In the embodiment shown in FIG. 3, parts substantially the same as those constituting the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those obtained by adding 10 to the reference numerals shown in FIG. . The main difference between the embodiment of FIG. 1 and the present embodiment is that the configuration of the oscillation circuits 11a and 11b is shown in detail in the present embodiment, and that the configuration of the switching control voltage generation circuit 12 is different. And how to take out outputs from the first and second oscillation circuits 11a and 11b.
[0023]
Since the first and second transmission circuits 11a and 11b have basically the same circuit configuration, the circuit configuration will be described together. The bases of the first and second oscillation transistors T11a and T11b are connected to the voltage dividing points of the first and second voltage dividing circuits 12a and 12b, respectively. Capacitors C12a and C12b are connected between the base and the emitter of the first and second oscillation transistors T11a and T11b, respectively. Further, the emitters of the first and second oscillation transistors T11a and T11b are grounded via capacitors C14a and C14b, and are variable in the first and second resonance circuits X11a and X11b via resistors R11a and R11b. It is connected to a branch point between the resonance inductors L12a and L12b. One ends of the resonance inductors L12a and L12b are connected to the ground, and the other ends are connected to the bases of the first and second transmitting transistors T11a and T11b via coupling capacitors C13a and 13b. Resonant capacitors C15a and C15b are connected in parallel to the first and second transmitting transistors T11a and T11b. Further, a series circuit of DC cut capacitors C16a and 16b and varactor diodes D11a and D11b is connected in parallel to the first and second transmitting transistors T11a and T11b. The varactor diodes D11a and D11b have a characteristic that the capacitance changes with a change in voltage. One end of each of inductors L11a and L11b for blocking high frequency is connected to a connection point between DC cut capacitors C16a and 16b and varactor diodes D11a and D11b, and tuning voltage Vt is applied to the other ends of inductors L11a and L11b. Each is connected to a common terminal. The varactor diodes D11a and D11b are arranged with their anodes facing the ground. The outputs Va and Vb of the first and second transmission circuits 11a and 11b are output from a connection point between the emitter of the transistor and the resistors R11a and R11b.
[0024]
The switching control voltage generation circuit 12 uses a pnp transistor as the transistor T12 of the reference voltage application blocking circuit 12c, and the collector / emitter circuit of the transistor T12 is connected in series to the second voltage dividing circuit 12b. And that one end of the resistor R15 of the third voltage dividing circuit 12d is connected to the line of the power supply voltage Vdc.
[0025]
In the embodiment of FIG. 3, when the frequency band switching command voltage Vsw is at the first voltage level V1, the frequency band switching command voltage Vsw of the first voltage level is applied to the first voltage dividing circuit 12a. ing. The voltage divided by the first voltage dividing circuit 12a becomes a first switching control voltage, and the first oscillation circuit 11a enters an oscillation state. At this time, since the transistor T12 is in a non-conductive state, application of the power supply voltage Vdc as a reference voltage to the second voltage dividing circuit 12b is prevented. Therefore, in this case, the second oscillation circuit 11b is in a non-oscillation state. Further, when the frequency band switching command voltage Vsw is at the second voltage level V2 (for example, 0 V) having a voltage level lower than the first voltage level V1, the second voltage applied to the first voltage dividing circuit 12a. Is not sufficient, the first switching control voltage is lost, and the oscillation transistor T11a of the first oscillation circuit 11a becomes non-conductive, and the first oscillation circuit 11a Becomes non-oscillation state. On the other hand, a base current flows between the emitter and the base of the transistor T12, the transistor T12 is turned on, the power supply voltage Vdc is applied to the second voltage dividing circuit 12b, and the second voltage dividing circuit 12b is The appearing voltage becomes the second switching control voltage, and the second oscillating circuit 11b becomes oscillating.
[0026]
In this example, a voltage obtained by dividing the frequency band switching command voltage by the third voltage dividing circuit 12d is applied to the base of the transistor T12. The third voltage dividing circuit 12d turns off the transistor when the frequency band switching command voltage Vsw is at the first voltage level, and turns on the transistor T12 when the frequency band switching command voltage Vsw is at the second voltage level. Designed to state. Therefore, also in the present embodiment, the first and second oscillation circuits 11a and 11b are reliably prevented from operating at the same time only by appropriately setting the voltage division ratio of the first and third voltage division circuits 12a and 12d. it can.
[0027]
As shown in FIG. 3, in the present embodiment, a pattern inductor formed as a circuit pattern on a circuit board can be used as the resonance inductor. In the conventional example in which a large inductance is required for the two-band switching circuit, an inexpensive pattern inductor cannot be used.
[0028]
【The invention's effect】
According to the present invention, the first and second oscillating circuits are reliably prevented from operating at the same time by appropriately setting the voltage dividing ratio of the first and second voltage dividing circuits. Thus, with a simple circuit configuration, a two-band high-frequency oscillation circuit in which two oscillation circuits are completely switched can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of a main part of an embodiment of a two-band high-frequency oscillator according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram showing a relationship between an oscillation output current and a control voltage of an oscillation circuit of a two-band high-frequency oscillator according to the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram of a main part of another embodiment of the two-band high-frequency oscillator according to the present invention.
[Explanation of symbols]
1a, 1b, 11a, 11b Oscillation circuits 2, 12 Switching control voltage generation circuit 3 Amplification circuits C1 to C17 Capacitors D11a, D11b Varactor diodes L1a to L12b Inductors R1a to R18 Resistors T1a to T12 Transistors Vdc Power supply voltage terminals X1a to X11b Resonance circuits

Claims

A first oscillation circuit oscillating in a first frequency band in a state where the first switching control voltage is input;
A second oscillation circuit oscillating in a second frequency band in a state where the second switching control voltage is input;
One amplifying circuit for amplifying the input signal using the oscillation output of the first oscillation circuit and the oscillation output of the second oscillation circuit as input signals, respectively;
When the first oscillating circuit performs the oscillating operation, the voltage becomes the first voltage level, and when the second oscillating circuit performs the oscillating operation, the second voltage is lower than the first voltage level. A switching control voltage output circuit that outputs the first and second switching control voltages to the first and second oscillating circuits with a frequency band switching command voltage that becomes a level as an input,
When detecting that the frequency band switching command voltage is at the first voltage level, the switching control voltage output circuit generates a first switching control voltage for outputting the first switching control voltage during the detection period. And a second switching control voltage generating circuit that outputs the second switching control voltage during the detection period when the frequency band switching command voltage is detected to be at the second voltage level. ,
The first switching control voltage generation circuit is configured by a first voltage dividing circuit configured to divide the frequency band switching command voltage and output the divided voltage as the first switching control voltage,
A second voltage dividing circuit configured to divide a reference voltage prepared in advance and to output the divided voltage as the second switching control voltage;
When the frequency band switching command voltage is at the first voltage level, the reference voltage is prevented from being applied to the second voltage dividing circuit, and when the frequency band switching command voltage is at the second voltage level, A two-band high-frequency oscillator comprising: a reference voltage application blocking circuit that allows the reference voltage to be applied to the second voltage dividing circuit.

The reference voltage application blocking circuit includes a semiconductor switch circuit arranged in parallel with the second voltage dividing circuit, and the semiconductor switch circuit is configured to control the semiconductor switch when the frequency band switching command voltage is at the first voltage level. 2. The dual-band high-frequency oscillator according to claim 1, wherein the circuit is turned on, and the semiconductor switch circuit is turned off when the frequency band switching command voltage is at the second voltage level.

The second voltage dividing circuit is a resistance voltage dividing circuit configured using a resistor,
The semiconductor switch circuit includes a transistor having an emitter-collector circuit arranged in parallel with the second voltage-dividing circuit,
3. The two-band high-frequency oscillator according to claim 2, wherein a voltage obtained by dividing the frequency band switching command voltage by a third voltage dividing circuit is applied to a base of the transistor.

The reference voltage application blocking circuit includes a semiconductor switch circuit arranged in series with the second voltage dividing circuit, and the semiconductor switch circuit is configured to switch the semiconductor switch when the frequency band switching command voltage is at the first voltage level. 2. The dual-band high-frequency oscillator according to claim 1, wherein the circuit is turned off, and the semiconductor switch circuit is turned on when the frequency band switching command voltage is at the second voltage level.

The second voltage dividing circuit is a resistance voltage dividing circuit configured using a resistor,
The semiconductor switch circuit includes a transistor having an emitter-collector circuit arranged in series with the second voltage-dividing circuit,
The two-band high-frequency oscillator according to claim 4, wherein a voltage obtained by dividing the frequency band switching command voltage by a third voltage dividing circuit is applied to a base of the transistor.

2. The method according to claim 1, wherein each of the first and second oscillation circuits is constituted by an LC resonance circuit, and the inductor L of the LC resonance circuit is constituted by a pattern inductor formed as a circuit pattern on a circuit board or between layers. A two-band high-frequency oscillator as described.