JP2004079528A5 - - Google Patents

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Claims (19)

ロード室、該ロード室に連結された搬送室並びに該搬送室に連結された複数の成膜室及び処理室を有する製造装置であって、
前記複数の成膜室は、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結され、マスクと基板の位置あわせを行うアライメント手段と、基板保持手段と、蒸着源ホルダと、前記蒸着源ホルダを移動させる手段と、を有し、
前記蒸着源ホルダは蒸着材料が封入された容器と、前記容器を加熱する手段と、前記容器上に設けられたシャッターと、を有し、
前記処理室には、平板ヒーターが間隔をけて複数重ねて配置されていることを特徴とする製造装置。
A manufacturing apparatus having a load chamber, transfer chamber and a plurality of film forming chambers and the processing chamber connected to the transfer chamber connected to the load chamber,
The plurality of film formation chambers are connected to an evacuation processing chamber for evacuating the film formation chamber, and aligning means for aligning a mask and a substrate, a substrate holding means, a vapor deposition source holder, and the vapor deposition source holder And means for moving
The vapor deposition source holder includes a container in which a vapor deposition material is sealed, means for heating the container, and a shutter provided on the container,
Wherein the processing chamber, manufacturing apparatus characterized by flat heater is disposed to overlap the plurality and after a short interval.
ロード室、該ロード室に連結された搬送室並びに該搬送室に連結された複数の成膜室及び処理室を有する製造装置であって、
前記複数の成膜室は、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結され、マスクと基板の位置あわせを行うアライメント手段と、基板保持手段と、蒸着源ホルダと、前記蒸着源ホルダを移動させる手段と、を有し、
前記蒸着源ホルダは蒸着材料が封入された容器と、前記容器を加熱する手段と、前記容器上に設けられたシャッターと、を有し、
前記処理室は、水素ガス、酸素ガス、フッ素ガス又は希ガスを導入してプラズマを発生させる手段を有することを特徴とする製造装置。
A manufacturing apparatus having a load chamber, transfer chamber and a plurality of film forming chambers and the processing chamber connected to the transfer chamber connected to the load chamber,
The plurality of film formation chambers are connected to an evacuation processing chamber for evacuating the film formation chamber, and aligning means for aligning a mask and a substrate, a substrate holding means, a vapor deposition source holder, and the vapor deposition source holder And means for moving
The vapor deposition source holder includes a container in which a vapor deposition material is sealed, means for heating the container, and a shutter provided on the container,
The processing chamber, hydrogen gas, oxygen gas, manufacturing apparatus characterized by comprising means for generating a plasma by introducing a fluorine gas or a noble gas.
請求項2において、前記搬送室には、平板ヒーターが間隔をけて複数重ねて配置され、
複数の基板を真空加熱することができる処理室が連結されていることを特徴とする製造装置。
According to claim 2, wherein the transfer chamber, the flat plate heater is disposed to overlap the plurality and after a short interval,
Manufacturing apparatus, wherein a process chamber in which a plurality of substrates can be vacuum heating are connected.
請求項1乃至3のいずれか一において、前記処理室には、真空排気処理室が連結されていることを特徴とする製造装置。The manufacturing apparatus according to claim 1, wherein an evacuation processing chamber is connected to the processing chamber. 搬送室と、A transfer chamber;
前記搬送室に連結され、スピンコート法により高分子材料からなる層を形成するための成膜室と、A film forming chamber connected to the transfer chamber and for forming a layer made of a polymer material by a spin coating method;
前記搬送室に連結された複数の成膜室並びに第1及び第2の前処理室と、を有し、A plurality of film forming chambers connected to the transfer chamber and first and second pretreatment chambers;
前記複数の成膜室は、該成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結され、マスクと基板の位置あわせを行うアライメント手段と、基板保持手段と、蒸着源ホルダと、前記蒸着源ホルダを移動させる手段と、を有し、The plurality of film formation chambers are connected to an evacuation processing chamber for evacuating the film formation chamber, and aligning means for aligning a mask and a substrate, a substrate holding means, a vapor deposition source holder, and the vapor deposition source holder And means for moving
前記蒸着源ホルダは、蒸着材料が封入された容器と、前記容器を加熱する手段と、前記容器上に設けられたシャッターと、を有し、The vapor deposition source holder has a container in which a vapor deposition material is sealed, means for heating the container, and a shutter provided on the container,
前記第1の前処理室は、プラズマ発生手段を有し、The first pretreatment chamber has plasma generating means,
前記第2の前処理室には、平板ヒーターが間隔を空けて複数重ねて配置されていることを特徴とする製造装置。In the second pretreatment chamber, a plurality of flat plate heaters are arranged in a stacked manner at intervals.
搬送室と、A transfer chamber;
前記搬送室に連結され、スピンコート法により高分子材料からなる層を形成するための第1の成膜室と、A first film forming chamber connected to the transfer chamber for forming a layer made of a polymer material by a spin coating method;
前記搬送室に連結された第2の成膜室並びに第1及び第2の前処理室と、を有し、A second film forming chamber connected to the transfer chamber and first and second pretreatment chambers;
前記第2の成膜室は、蒸着源ホルダを有し、The second film forming chamber has a vapor deposition source holder,
前記蒸着源ホルダは、EL層を形成するための蒸着材料が封入された容器を有し、The vapor deposition source holder has a container in which a vapor deposition material for forming an EL layer is enclosed,
前記第1の前処理室は、プラズマ発生手段を有し、The first pretreatment chamber has plasma generating means,
前記第2の前処理室は、複数の基板を真空加熱するための手段を有することを特徴とする製造装置。The manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the second pretreatment chamber includes means for vacuum-heating a plurality of substrates.
搬送室と、A transfer chamber;
前記搬送室に連結され、スピンコート法により高分子材料からなる層を形成するための第1の成膜室と、A first film forming chamber connected to the transfer chamber for forming a layer made of a polymer material by a spin coating method;
前記搬送室に連結された第2の成膜室並びに第1及び第2の前処理室と、を有し、A second film forming chamber connected to the transfer chamber and first and second pretreatment chambers;
前記第2の成膜室は、蒸着源ホルダを有し、The second film forming chamber has a vapor deposition source holder,
前記蒸着源ホルダは、EL層を形成するための蒸着材料が封入された容器を有し、The vapor deposition source holder has a container in which a vapor deposition material for forming an EL layer is enclosed,
前記第1の前処理室は、プラズマ発生手段を有し、The first pretreatment chamber has plasma generating means,
前記第2の前処理室には、平板ヒーターが間隔を空けて複数重ねて配置されていることを特徴とする製造装置。In the second pretreatment chamber, a plurality of flat plate heaters are arranged in a stacked manner at intervals.
搬送室と、A transfer chamber;
前記搬送室に連結され、スピンコート法により高分子材料からなる層を形成するための第1の成膜室と、A first film forming chamber connected to the transfer chamber for forming a layer made of a polymer material by a spin coating method;
前記搬送室に連結された第2の成膜室並びに第1及び第2の前処理室と、を有し、A second film forming chamber connected to the transfer chamber and first and second pretreatment chambers;
前記第2の成膜室は、蒸着源ホルダと、前記蒸着源ホルダを移動させる手段と、を有し、The second film forming chamber has a vapor deposition source holder and means for moving the vapor deposition source holder,
前記蒸着源ホルダは、EL層を形成するための蒸着材料が封入された容器を有し、The vapor deposition source holder has a container in which a vapor deposition material for forming an EL layer is enclosed,
前記第1の前処理室は、プラズマ発生手段を有し、The first pretreatment chamber has plasma generating means,
前記第2の前処理室は、複数の基板を真空加熱するための手段を有することを特徴とする製造装置。The manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the second pretreatment chamber includes means for vacuum-heating a plurality of substrates.
搬送室と、A transfer chamber;
前記搬送室に連結され、スピンコート法により高分子材料からなる層を形成するための第1の成膜室と、A first film forming chamber connected to the transfer chamber for forming a layer made of a polymer material by a spin coating method;
前記搬送室に連結された第2の成膜室並びに第1及び第2の前処理室と、を有し、A second film forming chamber connected to the transfer chamber and first and second pretreatment chambers;
前記第2の成膜室は、蒸着源ホルダと、前記蒸着源ホルダを移動させる手段と、を有し、The second film forming chamber has a vapor deposition source holder and means for moving the vapor deposition source holder,
前記蒸着源ホルダは、EL層を形成するための蒸着材料が封入された容器を有し、The vapor deposition source holder has a container in which a vapor deposition material for forming an EL layer is enclosed,
前記第1の前処理室は、プラズマ発生手段を有し、The first pretreatment chamber has plasma generating means,
前記第2の前処理室には、平板ヒーターが間隔を空けて複数重ねて配置されていることを特徴とする製造装置。In the second pretreatment chamber, a plurality of flat plate heaters are arranged in a stacked manner at intervals.
請求項6乃至9のいずれか一において、前記EL層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層から選ばれた少なくとも一種または複数種であることを特徴とする製造装置。10. The EL layer according to claim 6, wherein the EL layer is at least one kind selected from a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Manufacturing equipment. 請求項6乃至10のいずれか一において、前記プラズマ発生手段により、不用な箇所に形成された前記EL層をドライエッチングして選択的に除去することを特徴とする製造装置。11. The manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the plasma generation unit selectively removes the EL layer formed at an unnecessary place by dry etching. 請求項6乃至11のいずれか一において、前記蒸着源ホルダは、前記蒸着材料が封入された容器を加熱する手段を有することを特徴とする製造装置。12. The manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the vapor deposition source holder includes means for heating the container in which the vapor deposition material is sealed. 請求項6乃至12のいずれか一において、前記蒸着源ホルダは、前記蒸着材料が封入された容器上に設けられたシャッターを有することを特徴とする製造装置。13. The manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the vapor deposition source holder includes a shutter provided on a container in which the vapor deposition material is sealed. 請求項1乃至5及び13のいずれか一において、前記シャッターには、前記容器の開口面積S1よりも小さい開口面積S2の穴があいていることを特徴とする製造装置。 In any one of claims 1 to 5 and 13, the shutter, the manufacturing apparatus is characterized in that a hole of a small aperture area S2 than the opening area S1 of the container. 請求項5乃至13のいずれか一において、前記プラズマは、水素ガス、酸素ガス、フッ素ガス又は希ガスを励起して発生させることを特徴とする製造装置。The manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the plasma is generated by exciting hydrogen gas, oxygen gas, fluorine gas, or a rare gas. 請求項2、3及び15のいずれか一において、前記希ガス元素は、He、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする製造装置。 16. The manufacturing apparatus according to claim 2 , wherein the rare gas element is one or more selected from He, Ne, Ar, Kr, and Xe. 請求項1乃至4、8及び9のいずれか一において、前記蒸着源ホルダを移動させる手段は前記蒸着源ホルダを任意のピッチでX軸方向に移動させ、且つ、任意のピッチでY軸方向に移動させる機能を有していることを特徴とする製造装置。 In any one of claims 1 to 4, 8 and 9, the means for moving the evaporation source holder moves said evaporation source holder in the X-axis direction at an arbitrary pitch, and, in the Y-axis direction at an arbitrary pitch A manufacturing apparatus having a function of moving. 請求項17において、前記蒸着ホルダはX軸方向からY軸方向に切り替わる際、回転することを特徴とする製造装置。 18. The manufacturing apparatus according to claim 17 , wherein the vapor deposition holder rotates when switching from the X-axis direction to the Y-axis direction. 請求項1乃至18のいずれか一において、前記蒸着源ホルダには膜厚モニターが設けられていることを特徴とする製造装置。 In any one of claims 1 to 18, manufacturing apparatus characterized by film thickness monitor is provided in the evaporation source holder.
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