JP2004063958A - 高周波発振子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】略矩形状をなす基体の上面に振動子を搭載するとともに、該振動子を封止部材で被覆し、前記基体の下面に前記振動子に電気的に接続される入力電極及び出力電極と接地電位に接続されるグランド電極とを配設してなる高周波発振子において、前記基体の全ての側面に前記グランド電極に接続されたグランド配線層を被着させ、該グランド配線層の基体側面に対する被着面積を基体側面の全面積の30%以上に設定する。
【選択図】図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯用通信機器等の電子機器に用いられる高周波発振子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、携帯用通信機器等の電子機器の基準信号を発生させるのに、高周波発振子が用いられている。
【0003】
かかる従来の高周波発振子としては、例えば図5、図6に示すように、略矩形状をなす基体31の上面に水晶振動子40を搭載するとともに、この水晶振動子40をシールリング37と蓋体32とで封止し、前記基体31の4隅に設けた切り欠き部33の内面に、水晶振動子40に電気的に接続される入力電極及び出力電極と、接地電位(GND)に接続される2個のグランド電極とを1個ずつ被着・形成した構造のものが知られている。
【0004】
そして、上述の高周波発振子30をマザーボード等の外部回路基板35上に搭載する際は、切り欠き部33の内面に設けた各電極と外部回路基板35上の対応する接続パッドとを半田等の導電性接着材を介して接合することにより高周波発振子30が外部回路基板35に対して電気的・機械的に接続される。
【0005】
尚、前記シールリング37と蓋体32とは、従来周知の抵抗溶接(シーム溶接)により接合されるようになっており、これによって水晶振動子40が収容される空間を良好に気密封止することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の高周波発振子30においては、基体31の4隅に設けた切り欠き部33の内面に外部接続用の電極が外に向かって露出した状態のまま被着・形成されているため、この高周波発振子30をマザーボード等の外部回路基板35上に搭載して使用した際に、入力電極及び出力電極を介して水晶振動子40に所定の電圧を印加すると、入力電極及び出力電極から外方に向かって多量の電磁波が放射されることとなり、これが外部回路基板35上に搭載される他の電子部品等の電気的特性を著しく変化させてしまったり、或いは、誤動作させる等といった欠点を誘発していた。
【0007】
本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたもので、その目的は、電磁波の放射を大幅に抑制することが可能な高周波発振子を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波発振子は、略矩形状をなす基体の上面に振動子を搭載するとともに、該振動子を封止部材で被覆し、前記基体の下面に前記振動子に電気的に接続される入力電極及び出力電極と接地電位に接続されるグランド電極とを配設してなる高周波発振子において、前記基体の全ての側面に前記グランド電極に接続されたグランド配線層が被着されており、かつ該グランド配線層の基体側面に対する被着面積が基体側面の全面積の30%以上であることを特徴とするものである。
□また本発明の高周波発振子は、前記入力電極及び前記出力電極と、前記振動子とが、前記基体中に埋設されているビアホール導体を介して電気的に接続されていることを特徴とするものである。
□更に本発明の高周波発振子は、前記グランド配線層の線幅が50μm〜100μmであり、かつ該グランド配線層が100本/mm〜200本/mmの密度で基体側面の厚み方向に形成されていることを特徴とするものである。
【0009】
また更に本発明の高周波発振子は、前記グランド配線層の被着面積が基体側面の全面積に対して70%〜90%に相当する面積を占めていることを特徴とするものである。
【0010】
更にまた高周波発振子は、前記基体の下面で、かつ前記入力電極、出力電極及びグランド電極の存在しない領域に、前記振動子の振動周波数を制御する半導体チップを収納するための凹部が設けられていることを特徴とするものである。
【0011】
本発明の高周波発振子によれば、入力電極及び出力電極が振動子を搭載した基体の下面に配置させてあり、しかも基体の全側面には、基体側面の全面積の30%以上の被着面積を有したグランド配線層を被着させるようにしたことから、高周波発振子をマザーボード等の外部回路基板上に搭載して使用する際に、入力電極及び出力電極から外方に向かって多量の電磁波が放射しようとしても、これら電磁波の多くを高周波発振子と外部回路基板との間の狭い空間内に閉じ込めて外方に放射されるのを有効に防止することができるとともに、基体内部を介して外方に放射しようとする電磁波も基体側面のグランド配線層を介してグランド電位へ良好に逃がすことができる。これにより、外部回路基板上に搭載される他の電子部品等に電磁波が悪影響を及ぼすことは殆どなく、他の電子部品等を常に所望の特性で、かつ正常に動作させることが可能となる。
【0012】
また、本発明の高周波発振子によれば、入力電極及び出力電極と、振動子とを、基体中に埋設したビアホール導体を介して電気的に接続させておけば、ビアホール導体は基体側面のグランド配線層で囲繞された形となるため、ビアホール導体をグランド配線層で良好にシールドすることができ、ビアホール導体から外方への電磁波の放射についても良好に遮蔽することが可能となる。
【0013】
更に、本発明の高周波発振子によれば、グランド配線層の線幅を50μm〜100μmとし、かつグランド配線層を100本/mm〜200本/mmの密度で基体側面に形成しておくことにより、基体側面がグランド配線層で一様に覆われた形になすことができるため、入力電極や出力電極,ビアホール導体からの電磁波が基体側面を介して外方に放出されるのをより確実に防止することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る高周波発振子の断面図、図2は図1の高周波発振子を側面側から見た平面図、図3は図1の高周波発振子の下面側から見た平面図、図4は図1の高周波発振子を外部回路基板上に搭載した状態を示す斜視図であり、図中の11は基体、19は振動子としての水晶振動子、12は封止部材としての蓋体、13はグランド配線層である。
【0015】
前記基体11は、複数個の絶縁層を積層してなる略矩形状の積層体から成り、その表面及び内部には配線導体やビアホール導体等が形成され、これによって所定の電気回路を構成している。
【0016】
このような基体11は、絶縁層の材質として、例えばガラスセラミックス等のセラミック材料が用いられ、個々の絶縁層の厚みは例えば50μm〜300μmに設定される。
【0017】
尚、前記基体11は、絶縁層がセラミック材料から成る場合、セラミック原料の粉末に適当な有機溶剤、有機溶媒等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートを複数層積層した上、これをプレス成形し、しかる後、この積層体を高温で焼成し、外形加工することによって製作される。
【0018】
また前記基体11の上面には水晶振動子19が搭載され、基体11の下面にはその四隅に入力電極17、出力電極18及び2個のグランド電極16がそれぞれ被着されている。
【0019】
前記水晶振動子19は、従来周知の水熱合成法等によって形成された水晶板を所定の結晶軸でカットして短冊状の水晶片として切り出した上、その両主面に一対の励振電極を被着・形成した構造を有しており、前記励振電極より導出された引き出し電極を基体上面の接続パッドに導電性接着材20を介して接合させることにより水晶振動子19が基体11に対して電気的・機械的に接続される。
【0020】
このような水晶振動子19は、一対の励振電極間に所定の電圧が印加されると、所定の周波数ですべり振動を起こすようになっており、クロック信号等の基準信号を発生するための振動子として機能する。
【0021】
また前記水晶振動子19が搭載されている基体11の上面には、水晶振動子19を囲繞するようにしてシールリング25が取着され、その上面に載置される蓋体12をシールリング25に対して抵抗溶接することにより水晶振動子19が収容される空間が気密封止される。
【0022】
尚、前記シールリング25や蓋体12は、例えば42アロイやコバール,リン青銅等の金属を従来周知の金属加工法にて所定形状に外形加工して成り、その表面には、抵抗溶接を行うために必要なNiメッキやAuメッキ等が施される。
【0023】
一方、前記基体11の下面に設けられている入力電極17及び出力電極18は、基体内部のビアホール導体や基体上面の配線導体等を介して先に述べた水晶振動子19の励振電極に電気的に接続され、また2個のグランド電極16は後述するグランド配線層13やシールリング25に対して電気的に接続されている。
【0024】
前記入力電極17、出力電極18及びグランド電極16は、高周波発振子10をマザーボード等の外部回路基板15上に搭載する際、外部回路基板15上の対応する接続パッドに半田等の導電性接着材を介して接合される外部接続用の端子電極として機能するものであり、例えば、入力電極17と出力電極18を基体11の対角線上に配置させておけば、高周波発振子10の方向性を考慮することなく外部回路基板15上に搭載することができる。
【0025】
また更に上述したグランド電極16と電気的に接続されているグランド配線層13は、基体11の全ての側面に被着されている。
【0026】
前記グランド配線層13は、基体側面に対する被着面積が基体側面の全面積の30%以上、より好ましくは70%〜90%を占めるように設定されており、例えば、個々のグランド配線層13の線幅は50μm〜100μmに設定され、100本/mm〜200本/mmの密度で基体側面の厚み方向に形成される。例えば、高周波振動子10のサイズが5mm×3mmの場合、グランド配線層13の線幅を50μmとし、グランド配線層の間隔を50μmとすると、グランド配線層13の本数は全部で160本となり、これらのグランド配線層13が基体11の全側面に縦縞のストライプ状をなすように形成されることとなる。
【0027】
このように、入力電極及び出力電極を基体11の下面に配置させ、しかも基体11の全側面に基体側面の全面積の30%以上の被着面積を有したグランド配線層13を一様に被着させたことから、高周波発振子10をマザーボード等の外部回路基板15上に搭載して使用する際に、入力電極及び出力電極から外方に向かって多量の電磁波が放射しようとしても、これら電磁波の多くを高周波発振子10と外部回路基板15との間の狭い空間内に閉じ込めて外方に放射されるのを有効に防止することができるとともに、基体内部を介して外方に放射しようとする電磁波についても基体側面のグランド配線層13を介してグランド電位(GND)へ良好に逃がすことができる。これにより、外部回路基板15上に搭載される他の電子部品等に電磁波が悪影響を及ぼすことは殆どなくなり、他の電子部品等を常に所望の特性で、かつ正常に動作させることが可能となる。
【0028】
尚、グランド配線層13の被着面積が基体側面の全面積の30%未満になると、高周波発振子の使用に際して入力電極及び出力電極から外方に向かって放射される電磁波をグランド配線層13で良好に遮蔽することが難しく、外部回路基板15上に搭載される他の電子部品等の電気的特性が不安定にある恐れがある。従って、グランド配線層13の被着面積は基体側面の全面積の30%以上に設定しておくことが重要である。
【0029】
またこの場合、入力電極及び出力電極と、水晶振動子19とは、基体11中に埋設したビアホール導体を介して電気的に接続させてあるため、ビアホール導体は基体側面のグランド配線層13で囲繞された形となり、ビアホール導体をグランド配線層13で良好にシールドすることができる。従って、ビアホール導体から外方への電磁波の放射についても良好に遮蔽される。
【0030】
更に前記グランド配線層13は、その線幅が50μm〜100μmに設定され、かつ100本/mm〜200本/mmの密度で基体側面に形成されているため、基体側面がグランド配線層13で一様に覆われた形となっており、入力電極や出力電極,ビアホール導体からの電磁波が基体側面を介して外方に放出されるのをより確実に防止することもできる。
【0031】
かくして上述の高周波発振子10は、マザーボード等の外部回路基板15上に搭載する際、入力電極、出力電極及び2個のグランド電極を外部回路基板15上の対応する接続パッドに半田等の導電性接着材を介して接合することにより外部回路基板15に対して電気的・機械的に接続され、この外部回路基板15から入力電極、出力電極及びビアホール導体を介して水晶振動子19の励振電極に所定の電圧を印加し、水晶振動子19を所定の周波数で振動させることによって高周波発振子10として機能する。
【0032】
(実験例)
次に本発明の作用効果を実験例に基づいて説明する。尚、本実験例は、高周波発振子の1種である水晶発振子について実験を行なったものである。
まず、図1及び図2に示す高周波発振子の構造に従って、基体の上面に水晶振動子を搭載するとともに、基体下面の4隅に入力電極、出力電極及び2個のグランド電極をそれぞれ被着させ、更に基体側面に該側面全体の30%に相当する被着面積をもったグランド配線層を被着させて実験サンプル(本発明品)を作製し、得られた実験サンプルを更に外部回路基板15上に搭載して水晶発振器を作製した。
【0033】
また、比較例として、図5及び図6に示すような基体の上面に水晶振動子を搭載するとともに、前記基体の4隅に設けた切り欠き部の内面に、水晶振動子に電気的に接続される入力電極及び出力電極と、接地電位(GND)に接続される2個のグランド電極とを1個ずつ被着・形成した実験サンプル(従来品)を作製し、得られた実験サンプルを更に外部回路基板15上に搭載して水晶発振器を作製した。
【0034】
次に上述した2つの実験サンプルについて磁界強度を測定した。尚、磁界強度の測定には磁界強度測定器を用いた。
この実験結果によれば、従来品では入力電極の近傍で48〔dBμV〕程度の磁界分布が確認され、放射ノイズの全体への広がりが見られたのに対し、本発明品では入力電極の近傍で44〔dBμV〕前後の磁界強度が確認され、放射ノイズの広がりが抑制されていることが判明した。
【0035】
また、入力電極から離れたところでも、従来品では47.5〔dBμV〕〜48.4〔dBμV〕と高いレベルの磁界分布が確認されたのに対し、本発明品では45.4〔dBμV〕〜46.1〔dBμV〕の低い値となっていることが判った。
【0036】
更に、従来品を搭載した水晶発振器の磁界分布は、最も強い磁界強度が観測されたところで44.4〔dBμV〕であり、40〔dBμV〕以上の強い磁界強度が観測された領域は発振器全体の70%以上であったのに対し、本発明品を搭載した水晶発振器の磁界分布は、最も強い磁界強度が観測されたところでも43.5〔dBμV〕で、40〔dBμV〕以上の強い磁界強度が観測された領域は発振器全体の30%程度であった。
【0037】
以上のような実験結果から、基体の下面に入力電極、出力電極及び2個のグランド電極を全て被着させ、基体側面に該側面全体の30%以上の被着面積をもったグランド配線層を被着させた本発明品の実験サンプルの方が、基体の4隅に設けた切り欠き部の内面に、水晶振動子に電気的に接続される入力電極及び出力電極と、接地電位(GND)に接続される2個のグランド電極とを1個ずつ被着・形成した従来品の実験サンプルに比べ、入力電極や出力電極より放射される電磁波が外部に漏れようとするのを良好に抑制できることが判る。
【0038】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更。改良等が可能である。
【0039】
例えば、上述の実施形態では振動子として水晶振動子を用いるようにしたが、これに代えて、SAWフィルタ等の他の振動子を用いる場合であっても上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【0040】
また上述の実施形態では封止部材として蓋体とシールリングを用いたが、これに代えて、エポキシ樹脂等から成る封止樹脂を用いるようにしても構わない。
【0041】
更に上述の実施形態において基体11の下面で、かつ入力電極、出力電極及びグランド電極の存在しない領域に凹部を設け、この凹部内に、水晶振動子19の振動周波数を適性に制御するための半導体チップ等を収納するようにしても構わない。
【0042】
【発明の効果】
本発明の高周波発振子によれば、入力電極及び出力電極が振動子を搭載した基体の下面に配置させてあり、しかも基体の全側面には、基体側面の全面積の30%以上の被着面積を有したグランド配線層を被着させるようにしたことから、高周波発振子をマザーボード等の外部回路基板上に搭載して使用する際に、入力電極及び出力電極から外方に向かって多量の電磁波が放射しようとしても、これら電磁波の多くを高周波発振子と外部回路基板との間の狭い空間内に閉じ込めて外方に放射されるのを有効に防止することができるとともに、基体内部を介して外方に放射しようとする電磁波も基体側面のグランド配線層を介してグランド電位へ良好に逃がすことができる。これにより、外部回路基板上に搭載される他の電子部品等に電磁波が悪影響を及ぼすことは殆どなく、他の電子部品等を常に所望の特性で、かつ正常に動作させることが可能となる。
【0043】
また、本発明の高周波発振子によれば、入力電極及び出力電極と、振動子とを、基体中に埋設したビアホール導体を介して電気的に接続させておけば、ビアホール導体は基体側面のグランド配線層で囲繞された形となるため、ビアホール導体をグランド配線層で良好にシールドすることができ、ビアホール導体から外方への電磁波の放射についても良好に遮蔽することが可能となる。
【0044】
更に、本発明の高周波発振子によれば、グランド配線層の線幅を50μm〜100μmとし、かつグランド配線層を100本/mm〜200本/mmの密度で基体側面に形成しておくことにより、基体側面がグランド配線層で一様に覆われた形になすことができるため、入力電極や出力電極,ビアホール導体からの電磁波が基体側面を介して外方に放出されるのをより確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る高周波発振子の断面図である。
【図2】図1の高周波発振子を側面側から見た平面図である。
【図3】図1の高周波発振子の下面側から見た平面図である。
【図4】図1の高周波発振子を外部回路基板上に搭載した状態を示す斜視図である。
【図5】従来の高周波発振子の断面図である。
【図6】図5の高周波発振子を外部回路基板上に搭載した状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
11・・・基体
12・・・蓋体
13・・・グランド配線層
14・・・電極基板側
15・・・外部回路基板
16・・・グランド電極
17・・・入力電極
18・・・出力電極
19・・・水晶振動子(振動子)
25・・・シールリング(封止部材)
Claims (5)
- 略矩形状をなす基体の上面に振動子を搭載するとともに、該振動子を封止部材で被覆し、前記基体の下面に前記振動子に電気的に接続される入力電極及び出力電極と接地電位に接続されるグランド電極とを配設してなる高周波発振子において、
前記基体の全ての側面に前記グランド電極に接続されたグランド配線層が被着されており、かつ該グランド配線層の基体側面に対する被着面積が基体側面の全面積の30%以上であることを特徴とする高周波発振子。 - 前記入力電極及び前記出力電極と、前記振動子とが、前記基体中に埋設されているビアホール導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波発振子。
- 前記グランド配線層の線幅が50μm〜100μmであり、かつ該グランド配線層が100本/mm〜200本/mmの密度で基体側面の厚み方向に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の高周波発振子。
- 前記グランド配線層の被着面積が基体側面の全面積に対して70%〜90%に相当する面積を占めていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の高周波発振子。
- 前記基体の下面で、かつ前記入力電極、出力電極及びグランド電極の存在しない領域に、前記振動子の振動周波数を制御する半導体チップを収納するための凹部が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の高周波発振子。
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