JP2004061391A

JP2004061391A - 揮発性化合物の識別装置及び該化合物の識別方法

Info

Publication number: JP2004061391A
Application number: JP2002222472A
Authority: JP
Inventors: Nagafumi Sumitomo; 住友　永史; Takamichi Nakamoto; 中本　高道; Junichi Ide; 井手　純一
Original assignee: T Hasegawa Co Ltd
Current assignee: T Hasegawa Co Ltd
Priority date: 2002-07-31
Filing date: 2002-07-31
Publication date: 2004-02-26
Anticipated expiration: 2022-07-31
Also published as: JP3931124B2

Abstract

【課題】高湿度環境下あるいは湿度変動があり、かつ匂い濃度の変動があっても有効に匂い成分を識別できる識別装置及び識別方法の提供。
【解決手段】電極面に揮発性化合物の感応膜を被覆した複数個の水晶振動子ガスセンサに、揮発性化合物を吸着させ、該吸着による各水晶振動子の共振周波数の変化を測定して揮発性化合物の識別する装置において、該装置が、揮発性化合物の濃縮素子及び複数個の水晶振動子ガスセンサとを具備し、該濃縮素子が平面形状の金属性網と該網で挟置された平板状の吸着剤とからなり、かつ吸着剤の片面側の網には加熱手段が設けられており、水晶振動子ガスセンサが濃縮素子から脱着された揮発性化合物と直接接触できるように濃縮素子と近距離に設けられたことを特徴とする揮発性化合物の識別装置及び該装置を使用した識別方法。
【選択図】　　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な濃縮素子を使用した揮発性化合物の識別装置及び識別方法に関する。さらに詳しくは、揮発性化合物の濃度変動あるいは妨害物質の影響を排除した揮発性化合物の識別装置及び識別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、食品・化粧品業界や環境計測等において、揮発性物質例えば匂い情報の重要性は高まっている。従来、匂いの品質管理や検査は主に専門家による官能検査に頼っていた。しかし官能検査では再現性に問題がある。生体では、多数の特性の異なる嗅細胞からの応答パターンをパターン認識することにより匂いを識別していると言われている。そこで、このような生体嗅覚機構を模擬した水晶振動子ガスセンサアレイを用いた匂い識別装置が提案されている（特開平１−２４４３３５号公報）。ここで提案された匂い識別装置は、所定の匂いを呈する物質に対して相互に異なる感受性を示す複数種類の受容体を組み合わせた場合、この感受性の相違に由来して得られる検出情報は、受容体毎に異なり、全体としては一定のパターンを示すことに着目して提案された装置である。
【０００３】
しかしながら、一般に大気中に含まれる匂いの濃度は低く、また水蒸気などの妨害ガスが混合しているのが通常である。この場合、温度や匂い濃度の変動又は湿度などが外乱となり、識別精度に影響を与えることとなる。
【０００４】
湿度の影響を除外するものとして、疎水性濃縮管を使用して匂い成分と湿度を分離し、希薄な匂い成分を分離する方法が提案されている（Ｗ．Ａ．Ｇｒｏｖｅｓ　ｅｔ　ａｌ．　Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．Ａｃｔａ．３７１，（１９９８）１３１）。濃縮管では希薄な匂い成分を濃縮することができる。
【０００５】
吸着剤に吸着した匂い分子は熱パルスを印加することで脱着し、適切な脱着温度を選べば、異なる温度の熱パルスを印加することで匂い識別能力の向上は可能である（Ｔ．Ｎａｋａｍｏｔｏ　ｅｔ　ａｌ．　Ｓｅｎｓｏｒｓ　＆　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ　Ｂ，７１（２０００）１５５−１６０）。しかしながら、従来型の濃縮管では脱着時定数が大きく、匂い濃度変動の依存性を解消出来ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、匂い濃度の変動があっても有効に匂い成分を識別できる識別装置及び識別方法の提供を目的とする。
【０００７】
さらに本発明は、高湿度環境下あるいは湿度変動があり、かつ匂い濃度の変動があっても有効に匂い成分を識別できる識別装置及び識別方法の提供を目的とする。
【０００８】
本発明はさらに、吸脱着サイクルの高速化、センサ応答レベルの一定化により、高湿度環境下でも匂い濃度変動に強い匂い識別装置及び識別方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電極面に揮発性化合物の感応膜を被覆した複数個の水晶振動子ガスセンサに、揮発性化合物を吸着させ、該吸着による各水晶振動子の共振周波数の変化をパターン認識して揮発性化合物の識別する装置において、
該装置が、揮発性化合物の濃縮素子及び複数個の水晶振動子ガスセンサとを具備し、該濃縮素子が網と該網に挟まれた平板状に詰められた吸着剤とからなり、かつ吸着剤の片面側又は両面側の網には加熱手段が設けられており、水晶振動子ガスセンサが濃縮素子から脱着された揮発性化合物と直接接触できるように濃縮素子と近距離に設けられたことを特徴とする揮発性化合物の識別装置を提供する。なお、本発明において直接接触できるとは、濃縮素子と水晶振動子ガスセンサが一体化されていて、濃縮素子から脱着された揮発性化合物がパイプなどにより誘導されることなく、水晶振動子ガスセンサと接触できることを意味する。
【００１０】
さらに本発明は、電極面に揮発性化合物の感応膜を被覆した複数個の水晶振動子ガスセンサに、揮発性化合物を吸着させ、該吸着による各水晶振動子の共振周波数の変化をパターン認識して揮発性化合物の識別する方法において、
該方法が、水晶振動子ガスセンサと近い距離に設けた、網に挟置された平板状に詰められた吸着剤と該吸着剤の片面側又は両面側の網に加熱手段を設けた濃縮素子を使用し、該吸着剤への濃縮時間又はキャリアガスの希釈率を可変として、水晶振動子ガスセンサの応答を一定レベルとして得られた応答パターンをパターン認識して揮発性化合物を識別することを特徴とする揮発性化合物の識別又方法を提供する。
【００１１】
本発明はさらに、電極面に揮発性化合物の感応膜を被覆した複数個の水晶振動子ガスセンサに、揮発性化合物を吸着させ、該吸着による各水晶振動子の共振周波数の変化を測定して揮発性化合物の識別する方法において、
該方法が、水晶振動子ガスセンサと近い距離に設けた、金属性網に挟置された平板状に詰められた吸着剤と該吸着剤の片面側又は両面側の網に加熱手段を設けた濃縮素子を使用し、該吸着剤への濃縮時間又はキャリアガスの希釈率を可変として、水晶振動子ガスセンサの応答を一定レベルとして揮発性化合物の応答パターンを測定し、ついで一定応答レベルとは異なる複数の応答レベルで応答パターンを測定し、これらの応答パターンをパターン認識して揮発性化合物を識別することを特徴とする揮発性化合物の識別方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の匂い識別装置又は識別方法で使用される匂い識別システムの概略説明図である。液体サンプル２を入れたバイアル瓶１は恒温槽３に複数個並べられる。キャリアガスである乾燥空気４の流量はマスフローコントローラ５で制御される。所定流量の空気が電磁弁６を経てバイアル瓶１中に供給され、ヘッドスペースガスを押出し、該ガスは電磁弁６’を経て濃縮素子８に到達する。濃縮素子には疎水性の吸着剤が充填され、ここで匂い成分と水蒸気の分離が行われる。吸着剤に吸着した匂い分子の脱着は、熱パルスを印加して行う。脱着した匂い成分は、センサセル９に到達し、センサ則ち水晶振動子ガスセンサの発振周波数変化が起こる。この周波数変化をレシプロカル方式の周波数カウンタ１０で測定し、コンピューター１２に取り込む。一つのサンプル測定が終わるとＸＹＺステージ７が次のバイアル瓶まで移動し、次の測定操作を行う。これらの操作はコンピューターで制御しておけば、自動的に多数のサンプルを測定できる。
【００１３】
図１２は、従来濃縮管として提案されてきた直接加熱型濃縮管の構造を示す図面である。匂い成分を含むガスをパイプ２１、好ましくはテフロンチューブ製パイプ２１（テフロン：登録商標）からコネクタ２５を介して濃縮管２３に供給される。供給されたガスは濃縮管２３に充填された疎水性吸着剤２４に吸着され、匂い分子の濃縮、水分や妨害ガスの除去が行われる。濃縮管は該管の壁面に電源２２から電流パルスを印加して直接加熱する。しかしながら、このような濃縮管を使用した場合には、サンプル濃度によって水晶振動子ガスセンサに届く匂いの濃度波形が異なり、濃度レベルと応答レベルが一致しないという問題があった。しかしながら、直接加熱型濃縮管を用いた場合であっても、濃縮時間を変えて濃度レベルを揃えると、水晶振動子ガスセンサに供給される匂い濃度は等しくなるので、応答パターンは変化しないものと予測された。
【００１４】
図１３は２−ｈｅｘａｎｏｎｅを無臭の希釈剤中鎖脂肪酸トリグリセライド（以下ＯＤＯという）で３段階に、則ち原液、１：３、１：７に希釈調整した匂いサンプルを、吸着剤の濃縮時間を調節したセンサピーク応答の規格化パターンを示している。この規格化パターンは、ｐｈｏｓｐｈａｔｉｄｙｌ　ｉｎｏｓｉｔｏｌ（以下Ｉｎｏｓｉｔｏｌという）のセンサピーク応答を約８０Ｈｚに揃えた時の感応膜Ｕｃｏｎ７５ＨＢ−９０００（以下Ｕｃｏｎ９００００という、信和化工社製）とＩｎｏｓｉｔｏｌの応答パターンを示す。規格化は下記の式に従って行った。
【００１５】
【数１】

図１３によれば、サンプル濃度に対して応答パターンは変化している。濃度レベルを揃えると応答パターンは変化しないという予測に反するものであった。これは従来型の濃縮管の場合には脱着時定数が大きいためと推量された。これは時定数が大きく、センサに到達するガス濃度の波形が、低濃度と高濃度で異なるためと推量された。
【００１６】
上記した従来型濃縮管で脱着時定数が大きくなる要因としては、チュープ形状濃縮管では吸着剤が円柱状に配置されているため匂いの脱着に時間的な幅ができること、内径が小さいためにキャリアガスの流量に制限があること、濃縮管の熱容量が大きく加熱と冷却に時間がかかること、濃縮管とセンサセルとの間での移動遅れによる影響があるものと推量した。
【００１７】
本発明者らは、鋭意検討に努めた結果従来型濃縮管の有する問題点を解決するものとして、下記するようなセンサセル直結型濃縮素子を提案するに至った。
【００１８】
図２は本発明の一例を示す濃縮素子３５の説明図を、図３は本発明のセンサセル直結型濃縮素子の一例を示す概略断面図である。漏斗３１は匂い成分等を含むガスの濃縮素子３５への供給口である。漏斗３１の上部には、網３２、通常金属製の網、好ましくはステンレススチール製の網を少なくとも中央部分に適宜の大きさで設置する。該網の上部に漏斗の拡大部よりも大きい面積の板状材３４を配置し、該板状材の中央部に貫通口を設け、該貫通口に吸着剤３３を充填し、該吸着剤の上部に網３２’を配置する。貫通口に両面を網で挟置された吸着剤を設置してもよい。吸着剤としてはＴｅｎａｘ−ＴＡ（Ａｌｌｔｅｃｈ社製）のような疎水性吸着剤が好ましく使用される。
【００１９】
図３の場合は、濃縮素子３５を中央部の底面に配置するように設置した断面四角形状の底のない容器形状のセンサセル３６が設置されている。センサセル３６の上部には、漏斗３１の入り口３８から供給された匂い成分を含むガスが、濃縮素子３５を経て排出される開放部３９が設けられている。センサセル３６の側壁には水晶振動子ガスセンサ３７が設置されている。
【００２０】
本発明のセンサセル直結型濃縮素子を使用すると、従来提案されてきた濃縮管により生ずる問題点をいずれも解決できることが明らかとなった。以下本発明により奏される作用効果を例を挙げて説明する。
【００２１】
図４は、従来の濃縮管と本発明のセンサセル直結型濃縮素子を使用した場合の最大センサ応答値からベースラインまでの応答回復波形を比較したグラフである。吸着剤としては疎水性吸着剤であるＴｅｎａｘ−ＴＡ（粒径２０／３０ｍｅｓｈ）を、感応膜にはＩｎｏｓｉｔｏｌを使用し、匂い成分を含むガスの流速を２００ｍｌ／ｍｉｎ（濃縮管）、１００ｍｌ／ｍｉｎ（センサセル直結型）とし、匂い成分として２−ヘキサノンを使用した。２−ヘキサノンに対する最大センサ応答値を１として規格化したときの各々の回復波形を示した。センサセル直結型の回復速度は濃縮管の場合に比して速く、匂いの脱着時定数は小さくなったことがわかる。
【００２２】
図５は、センサセル直結型濃縮素子を使用した場合の応答パターンの匂い濃度依存性を示したグラフである。試料としてブチルアセテート、アミルアセテート及びヘキシルアセテートを用い、吸着剤の濃縮時間を３〜１１秒まで２秒毎に５段階に変え、水晶振動子（以下ＱＣＭともいう）として２８ＭＨｚの金電極、感応膜としてＩｎｏｓｉｔｏｌ，　Ｖｅｒｓａｍｉｄ　９００（信和化工社製）、ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎで測定した結果である。横軸にＩｎｏｓｉｔｏｌの応答ピーク値、縦軸にＶｅｒｓａｍｉｄ９００の応答ピーク値を取って示した。濃度の異なる複数の測定点が原点を通る一直線上に並ぶ場合には、各センサの応答比は変わらず、応答パターンは変化しない。図中○印で囲んだ測定点での応答パターンはほぼ等しく、この測定点を利用しての匂い識別は不可能であった。なお、以下に説明するいずれの実験においても、吸着剤としてはＴｅｎａｘ−ＴＡを使用した。
【００２３】
図６は、センサセル直結型濃縮素子を用いた場合の一定応答レベル測定を行った結果を示すグラフである。水晶振動子として２８ＭＨｚ金電極、サンプルガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎで測定した。プロピオン酸をＯＤＯで４段階（原液、１：１、１：３、１：７）に希釈したものを匂いサンプルとし、吸着剤の濃縮時間を調節してｉｎｏｓｉｔｏｌのセンサ応答を約３００Ｈｚに揃えたときのｉｎｏｓｉｔｏｌとＶｅｒｓａｍｉｄ９００の規格化応答パターンを示す。図６の横軸は原液の希釈度と濃縮時間を示す。この場合匂い濃度に対してセンサ応答パターンは一定となっている。濃縮管の場合には脱着時定数が大きく、応答レベルを一定にした場合でも応答パターンが変化し、濃度レベルと応答レベルが一致しない。則ち、一定応答レベル測定を効果的に実施するためには、脱着時定数の小さいセンサセル直結型濃縮素子を用いる必要がある。
【００２４】
図７は水に対する希釈率を３段階（１：４、１：９、１：１９）に変えた匂いサンプル（ｐｒｏｐｉｏｎｉｃ　ａｃｉｄ）について、センサセル直結型濃縮素子を用いて一定応答レベル測定を行った結果を示すグラフである。測定は各希釈率に対してＩｎｏｓｉｔｏｌの応答レベルが約１４０Ｈｚとなるように濃縮時間を変化させた。横軸は希釈率と濃縮時間を示す。希釈率が異なっても応答パターンはほぼ一定であった。
【００２５】
なお、一定応答レベル測定を行うためには、ヒータ加熱後のセンサの最大応答値が設定応答レベルの許容範囲に達するまで濃縮時間を変更して行う。この場合、濃縮時間に対してセンサ応答が比例する領域で有効であるから、初期設定濃縮時間は上記領域内に入るように設定する必要がある。本実施例では、この最大繰り返し回数は５回で、サンプルとヒーター加熱時間は３０秒〜１分間低度である。
【００２６】
上記してきたように、一定応答レベル測定を有効に実施するためには、脱着時定数の小さいセンサセル直結型濃縮素子が有用であり、湿度や匂い濃度の変動があっても、有効な匂い識別を実施するためには、センサセル直結型濃縮素子と一定応答レベル測定の併用が有効である。
【００２７】
次に、一定応答レベル以外に複数の応答レベルで応答パターンを測定し、これらの測定パターンから匂いを識別する方法について説明する。なお複数の応答レベルは一定応答レベルよりも短い濃縮時間で測定される。ただし、複数の応答レベルも濃縮時間とセンサ応答が比例する領域に入るように設定する。この方法による測定の所要時間は１サンプル当り５〜１０分である。
【００２８】
図８は、下記サンプルの第１応答レベルでの応答パターンを規格化した応答パターンの散布図を示す。
【００２９】
測定サンプルとして、各２ｍｌの下記サンプルを使用した。
【００３０】
ｔｒａｎｓ−２−ｈｅｘｙｌ　ａｃｅｔａｔｅ（原液、１：３，１：７）
ｔｒａｎｓ−２−ｈｅｘｅｎａｌ（原液、１：３，１：７）
ｅｔｈｙｌ　ｖａｌｅｒａｔｅ　（原液、１：３，１：７）
ｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ（原液、１：３，１：７）
（）内の数値はＯＤＯに対する希釈率（Ｖ／Ｖ）を示す。
【００３１】
キャリアガス流量：２００ｍｌ／ｍｉｎ、
設定応答レベル：１５０±１５Ｈｚ（１ｃｈ−ｉｎｏｓｉｔｏｌ）
加熱時間と電流値：１．０秒−６．０Ａ
初期濃縮時間：ｔｒａｎｓ−２−ｈｅｘｅｙｌ　ａｃｅｔａｔｅ−１０秒
ｔｒａｎｓ−２−ｈｅｘｅｎａｌ，ｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ−５秒
ｅｔｈｙｌ　ｖａｌｅｒａｔｅ−６秒
Ｉｎｏｓｉｔｏｌの設定第１応答レベルを１５０Ｈｚとした。４種類のサンプルはｔｒａｎｓ−２−ｈｅｘｅｎａｌとｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄで一部オーバーラップしているが、全体的には全てのサンプルが分離されている。本図によれば、匂い濃度変動がある環境下でも本発明の濃縮素子を使用したガスセンサを用いることにより、一定応答レベルで多種類の匂いを匂い濃度依存性なく識別が可能である。なお、図中匂い濃度は原液から希釈率の小さい順にプロットの大きさを大きくした。
【００３２】
図９は、図８の場合において、第１、第２、第３応答レベルの応答パターンを識別に用いた結果を示す図面である。なお、第２レベルは一定応答レベルで決定された濃縮時間の４分の３、第３レベルは２分の１の濃縮時間で測定された応答パターンである。図中濃度の大きいもののプロットを大きく表示した。
【００３３】
式（１）で規格化した第３応答レベルまでの２次元規格化応答パターンを合わせた６次元ベクトルを用いて主成分分析を行った。図８でオーバーラップの見られた２種のサンプルについてもオーバーラップはなく、４種類のサンプルの匂いが明確に識別できた。図８、図９において、プロットの大小はサンプル濃度の大小を示すが、匂い濃度変動の影響も全く認められなかった。なお、図９横軸及び縦軸の括弧内の数値は、元の情報に対する寄与率を意味する。
【００３４】
図１０は、低濃度に希釈したｐｒｏｐｉｏｎｉｃ　ａｃｉｄとｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄについて、第１応答レベルでの各サンプルの規格化応答パターンの散布図を示す。プロットの大小は濃度の大小を示す
測定サンプル
ｐｒｏｐｉｏｎｉｃ　ａｃｉｄ（１０％、１％水溶液）とｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ（１０％、１％水溶液）各２ｍｌ、
キャリアガス流量：２００ｍｌ／ｍｉｎ．
加熱時間と電流値：１．０秒−６．０Ａ
設定応答レベル：１５０±１５Ｈｚ
初期濃縮時間：５秒
サンプルの種類によりｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄの一点を除きプロットは大きく分離していた。しかし、２つのカルボン酸の応答パターンは類似しており、精度よく匂いを識別するためには、第１応答レベルのみでは不十分であった。
【００３５】
図１１は、第１応答レベルと第３応答レベルの２次元規格化パターンを合わせた４次元ベクトルを用いて主成分分析を行った結果を示すグラフである。この結果は濃度変動がある２種の水溶液試料を明確に区別できることを示している。また複数レベルで測定することにより、濃度の異なる類似した匂いの分離が可能となることを示している。
【００３６】
【発明の効果】
本発明のセンサセル直結型濃縮素子によれば、湿度の影響を除去でき、脱着時定数が小さく、装置全体を小型化できる等の優れた利点を有する揮発性化合物の識別装置及び識別方法が提供される。
【００３７】
本発明の上記濃縮素子を使用した一定応答レベルあるいは該レベル以外に複数の応答レベルを使用した測定法を採用することにより、湿度変動の影響、匂い濃度変動の影響を排除した揮発性化合物の識別方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の匂い識別システムの概略説明図である。
【図２】本発明の濃縮素子の説明図である。
【図３】本発明のセンサセル直結型濃縮素子の説明図である。
【図４】応答回復波形を示すグラフである。
【図５】応答パターンの匂い濃度依存性を示したグラフである。
【図６】一定応答レベル測定を行った結果を示したグラフである。
【図７】湿度を付加させた時の一定応答レベル測定結果を示したグラフである。
【図８】第１応答レベルでの応答パターンの散布図である。
【図９】第１から第３応答レベルを用いた応答パターンの散布図である。
【図１０】水溶液試料に対する第１応答レベルの応答パターンの散布図である。
【図１１】水溶液試料に対する第１及び第３応答レベルの応答パターンの散布図である。
【図１２】直接加熱型濃縮管の説明図である。
【図１３】直接加熱型濃縮管を使用した場合の一定応答レベル測定結果を示したグラフである。
【符号の説明】
１：バイアル瓶
８：濃縮素子
９：センサセル
２２：電源
２３：濃縮管
２４：吸着剤
３３：吸着剤
３５：濃縮素子
３６：センサセル
３７：水晶振動子ガスセンサ

Claims

電極面に揮発性化合物の感応膜を被覆した複数個の水晶振動子ガスセンサに、揮発性化合物を吸着させ、該吸着による各水晶振動子の共振周波数の変化をパターン認識して揮発性化合物を識別する装置において、
該装置が、揮発性化合物の濃縮素子及び複数個の水晶振動子ガスセンサとを具備し、該濃縮素子が平面形状の金属性網と該網で挟置された平板状に詰められた吸着剤とからなり、かつ該吸着剤の片面側または両面側の網には加熱手段が設けられており、水晶振動子ガスセンサが濃縮素子から脱着された揮発性化合物と直接接触できるように濃縮素子と近距離に設けられたことを特徴とする揮発性化合物の識別装置。
水晶振動子センサが、平板状の濃縮素子を底面に設けた、上部の開放された円筒状又は多角形状容器の側面に配置されている請求項１記載の揮発性化合物の識別装置。
電極面に揮発性化合物の感応膜を被覆した複数個の水晶振動子ガスセンサに、揮発性化合物を吸着させ、該吸着による各水晶振動子の共振周波数の変化をパターン認識して揮発性化合物を識別する方法において、
該方法が、水晶振動子ガスセンサと近い距離に設けた、金属性網に挟置された平板状に詰められた吸着剤と該吸着剤の片面側又は両面側の網に加熱手段を設けた濃縮素子を使用し、該吸着剤への濃縮時間又はキャリアガスによる希釈率を可変として、水晶振動子ガスセンサの応答を一定レベルとして得られた応答パターンをパターン認識して揮発性化合物を識別することを特徴とする揮発性化合物の識別方法。
吸着剤が、疎水性である請求項３記載の揮発性化合物の識別方法。
電極面に揮発性化合物の感応膜を被覆した複数個の水晶振動子ガスセンサに、揮発性化合物を吸着させ、該吸着による各水晶振動子の共振周波数の変化をパターン認識して揮発性化合物の識別する方法において、
該方法が、水晶振動子ガスセンサと近い距離に設けた、金属性網に挟置された平板状に詰められた吸着剤と該吸着剤の片面側又は両面側の網に加熱手段を設けた濃縮素子を使用し、該吸着剤への濃縮時間又はキャリアガスにより希釈率を可変として、水晶振動子ガスセンサの応答を一定レベルとして揮発性化合物の応答パターンを測定し、ついで一定応答レベルとは異なる複数の応答レベルで応答パターンを測定し、これらの応答パターンをパターン認識して揮発性化合物を識別することを特徴とする揮発性化合物の識別方法。
吸着剤が、疎水性である請求項５記載の揮発性化合物の識別方法。
複数の応答レベルが、一定応答レベルよりも短い濃縮時間で測定された応答レベルである請求項５記載の揮発性化合物の識別方法。
複数の応答レベルが、一定応答レベルよりも大きい希釈率で測定された応答レベルである請求項５記載の揮発性化合物の識別方法。