JP2004048085A - Leadless chip carrier - Google Patents

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JP2004048085A JP2003391244A JP2003391244A JP2004048085A JP 2004048085 A JP2004048085 A JP 2004048085A JP 2003391244 A JP2003391244 A JP 2003391244A JP 2003391244 A JP2003391244 A JP 2003391244A JP 2004048085 A JP2004048085 A JP 2004048085A
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chip carrier
mounting recess
leadless chip
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Teruo Hayashi
林 照雄
Koji Asano
浅野 浩二
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a leadless chip carrier capable of resin sealing an electronic part and a bonding wire with a simple structure without using a resin sealing frame. <P>SOLUTION: The side wall of a mounting recess 10 is made up of a slant wall 11 extending upward and outward from a bottom 13 thereof and the slant wall has a slant circuit 51 for connecting a bonding pad 50 and an electronic circuit 55. A top surface 15 of an insulating substrate 1 has the electronic circuit 55, an undersurface 17 thereof has a connecting pad 57, and a side 16 thereof has a side circuit 56 for connecting an electronic circuit 3 and the connecting pad. Within the mounting recess, the electronic part 3 and a bonding wire 30 are sealed with a sealing resin 6 without using the resin sealing frame. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

 本発明は、電子部品を搭載する際に必要であった樹脂封止枠を用いることなく、簡易な構造で、電子部品及びボンディングワイヤーを樹脂封止することができる、リードレスチップキャリアに関する。 The present invention relates to a leadless chip carrier capable of resin-sealing an electronic component and a bonding wire with a simple structure without using a resin sealing frame required for mounting an electronic component.

 従来、リードレスチップキャリアとしては、例えば、図16に示すごとく、絶縁基板91と、電子部品搭載用の搭載用凹部90と、電子回路55と、側面回路56と、接続用パッド57とを有するものがある。
 絶縁基板91の上面15には搭載用凹部90及び電子回路55が、その側面16には側面回路56が、その下面17には接続用パッド57が設けられている。
 上記接続用パッド57は、半田等により外部素子の上に接着される。
 搭載用凹部90の底面13には、電子部品3搭載用のパッド53を有している。上記搭載用凹部90の周囲には、上記電子回路55と接続したボンディングパッド50が形成されている。
 上記電子部品3は、ボンディングワイヤー30によりボンディングパッド50と接続されており、更に電子回路55、側面回路56、及び接続用パッド57を介して、外部素子へと電気的に接続している。
Conventionally, as a leadless chip carrier, for example, as shown in FIG. 16, it has an insulating substrate 91, a mounting recess 90 for mounting electronic components, an electronic circuit 55, a side circuit 56, and a connection pad 57. There is something.
The mounting recess 90 and the electronic circuit 55 are provided on the upper surface 15 of the insulating substrate 91, the side circuit 56 is provided on the side surface 16, and the connection pad 57 is provided on the lower surface 17.
The connection pad 57 is bonded onto the external element by soldering or the like.
The bottom surface 13 of the mounting concave portion 90 has a pad 53 for mounting the electronic component 3. Around the mounting recess 90, a bonding pad 50 connected to the electronic circuit 55 is formed.
The electronic component 3 is connected to a bonding pad 50 by a bonding wire 30, and is further electrically connected to an external element via an electronic circuit 55, a side circuit 56, and a connection pad 57.

 また、搭載用凹部90は、電子部品3及びボンディングワイヤー30を被覆するための封止樹脂6により封止されている。封止樹脂6は、搭載用凹部90の周囲に設けられた樹脂封止枠99により密閉されている。
 樹脂封止枠99は、接着剤81により、絶縁基板91の上面15に固定されている。
The mounting recess 90 is sealed with a sealing resin 6 for covering the electronic component 3 and the bonding wire 30. The sealing resin 6 is sealed by a resin sealing frame 99 provided around the mounting concave portion 90.
The resin sealing frame 99 is fixed to the upper surface 15 of the insulating substrate 91 by an adhesive 81.

 しかしながら、上記従来のリードレスチップキャリアにおいては、搭載用凹部90の周囲に樹脂封止枠99を設けているため、リードレスチップキャリアの構造が複雑となる。また、樹脂封止枠99の加工、及び絶縁基板91への接着にも、多大な労力とコストがかかる。
 また、樹脂封止枠99を接着した場合には、リードレスチップキャリアを長期使用している間に、接着剤81中の成分が封止樹脂6の中を経てボンディングワイヤー30、電子部品3に達し、これらを腐食させるおそれがある。また、近年は、高密度実装が要求されている。
However, in the above-mentioned conventional leadless chip carrier, since the resin sealing frame 99 is provided around the mounting concave portion 90, the structure of the leadless chip carrier becomes complicated. In addition, a great deal of labor and cost are required for processing the resin sealing frame 99 and bonding the resin sealing frame 99 to the insulating substrate 91.
When the resin sealing frame 99 is bonded, the components in the adhesive 81 pass through the sealing resin 6 to the bonding wires 30 and the electronic components 3 while the leadless chip carrier is used for a long time. And may corrode them. In recent years, high-density mounting has been required.

 本発明はかかる従来の問題点に鑑み、樹脂封止枠を設けることなく、簡易な構造で、電子部品及びボンディングワイヤーを樹脂封止でき、かつ高密度実装を図ることができる、リードレスチップキャリアを提供しようとするものである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and has a simple structure, without providing a resin sealing frame, capable of resin-sealing electronic components and bonding wires and achieving high-density mounting. It is intended to provide.

 本発明は、絶縁基板に電子部品搭載用の搭載用凹部を設けてなるリードレスチップキャリアにおいて、
 上記搭載用凹部の側壁は、該搭載用凹部の底面から上部外方へ広がる斜面壁により構成され、また搭載用凹部の底面はボンディングパッドを有し、
 上記絶縁基板の上面は電子回路を、その下面は接続用パッドを有し、
 上記絶縁基板の側面は、上記電子回路と接続用パッドとの間を接続する側面回路を有し、
 上記搭載用凹部の斜面壁は、上記ボンディングパッドと電子回路との間を接続する斜面回路を有しており、
 かつ、上記搭載用凹部の上端は、該搭載用凹部内に搭載した電子部品の上端よりも高い位置にあることを特徴とするリードレスチップキャリアにある(請求項1)。
The present invention provides a leadless chip carrier having a mounting recess for mounting electronic components on an insulating substrate,
The side wall of the mounting recess is formed by a sloped wall that extends outward from the bottom of the mounting recess, and the bottom of the mounting recess has a bonding pad.
The upper surface of the insulating substrate has an electronic circuit, and the lower surface has connection pads,
The side surface of the insulating substrate has a side circuit connecting between the electronic circuit and the connection pad,
The slope wall of the mounting recess has a slope circuit connecting between the bonding pad and the electronic circuit,
Further, the leadless chip carrier is characterized in that the upper end of the mounting recess is higher than the upper end of the electronic component mounted in the mounting recess (claim 1).

 本発明において最も注目すべきことは、絶縁基板の上面に、電子部品搭載用の搭載用凹部を設けたこと、及び該搭載用凹部の側壁はその底面から上部外方へ広がる斜面壁により構成されていることである。
 本発明において、上記搭載用凹部は、絶縁基板の上面に開口しており、その底面には電子部品が搭載されている。
The most remarkable thing in the present invention is that the mounting recess for mounting electronic components is provided on the upper surface of the insulating substrate, and the side wall of the mounting recess is formed by a slope wall extending upward and outward from the bottom surface. That is.
In the present invention, the mounting recess is opened on the upper surface of the insulating substrate, and the electronic component is mounted on the bottom surface.

 上記搭載用凹部の側壁は、搭載用凹部の底面から搭載用凹部の上端外方へ広がる斜面壁により構成されている。該斜面壁は、平面として形成されていてもよいし、凹状又は凸状の曲面として形成されていてもよい。
 上記搭載用凹部の上端は、該搭載用凹部内に搭載した電子部品及びボンディングワイヤーの上端よりも高い位置にある。
The side wall of the mounting recess is formed by a slope wall extending from the bottom surface of the mounting recess to the outside of the upper end of the mounting recess. The slope wall may be formed as a flat surface, or may be formed as a concave or convex curved surface.
The upper end of the mounting recess is higher than the upper ends of the electronic components and the bonding wires mounted in the mounting recess.

 上記斜面壁には、斜面回路が設けられている。該斜面回路は、搭載用凹部の底面に設けられたボンディングパッドと、絶縁基板の上面に設けられた電子回路と電気的に接続している。
 上記電子回路は、絶縁基板の側面に設けられた側面回路及び絶縁基板の下面に設けられた接続用パッドと電気的に接続している。
 上記接続用パッドは、半田等により、マザーボード等の外部素子の上に電気的に接続するためのものである。
A slope circuit is provided on the slope wall. The slope circuit is electrically connected to a bonding pad provided on the bottom surface of the mounting recess and an electronic circuit provided on the upper surface of the insulating substrate.
The electronic circuit is electrically connected to a side circuit provided on a side surface of the insulating substrate and a connection pad provided on a lower surface of the insulating substrate.
The connection pad is for electrically connecting to an external element such as a motherboard by soldering or the like.

 また、上記接続用パッドは、絶縁基板の下面だけでなく、絶縁基板の上面にも設けることが好ましい。該上面の接続用パッドの上には、半田等を介して他のリードレスチップキャリアを積層、固定することができ、複数のリードレスチップキャリアを一体的に積層した積層型のリードレスチップキャリアを得ることができる。 It is preferable that the connection pads are provided not only on the lower surface of the insulating substrate but also on the upper surface of the insulating substrate. On the connection pads on the upper surface, another leadless chip carrier can be laminated and fixed via solder or the like, and a laminated leadless chip carrier in which a plurality of leadless chip carriers are integrally laminated. Can be obtained.

 また、絶縁基板の上面には電子回路が設けられているが、絶縁基板の下面にも電子回路を設けることができる。
 又、絶縁基板の下面には電子部品が発する熱を放散させる放熱層を設けてもよい。また、絶縁基板には、絶縁基板の内部又は上面及び下面の電気的導通を図るためのスルーホールを設けてもよい。
 また、上記搭載用凹部内には、封止樹脂が封止されていることが好ましい。
 この場合には、上記搭載用凹部を密封でき、その中の電子部品等を腐食から保護することができる。
 また、上記電子部品と上記ボンディングパッドとの間は、ボンディングワイヤーによって電気的に接続してあり、上記搭載用凹部内には、上記電子部品及び上記ボンディングワイヤーの全体を被覆するように上記封止樹脂が封止されていることが好ましい。
 この場合には、上記電子部品及び上記ボンディングワイヤーを腐食から保護することができる。
Although an electronic circuit is provided on the upper surface of the insulating substrate, an electronic circuit can be provided on the lower surface of the insulating substrate.
Further, a heat radiation layer for dissipating heat generated by the electronic component may be provided on the lower surface of the insulating substrate. Further, the insulating substrate may be provided with through holes for electrical conduction inside the insulating substrate or between the upper surface and the lower surface.
It is preferable that a sealing resin is sealed in the mounting recess.
In this case, the mounting recess can be sealed, and the electronic components and the like therein can be protected from corrosion.
Further, the electronic component and the bonding pad are electrically connected by a bonding wire, and the sealing is performed so as to cover the entire electronic component and the bonding wire in the mounting recess. It is preferable that the resin is sealed.
In this case, the electronic component and the bonding wire can be protected from corrosion.

 上記搭載用凹部の底面には、電子部品が搭載されると共に、該電子部品と上記ボンディングパッドとの間はボンディングワイヤーにより接続される。更に、樹脂封止枠を設けることなく、上記搭載用凹部内は、上記電子部品及び上記ボンディングパッドの全体を被覆するように樹脂封止される。 電子 An electronic component is mounted on the bottom surface of the mounting concave portion, and the electronic component and the bonding pad are connected by a bonding wire. Furthermore, without providing a resin sealing frame, the inside of the mounting concave portion is resin-sealed so as to cover the entire electronic component and the bonding pad.

 次に、本発明のリードレスチップキャリアを製造する方法としては、例えば、絶縁基板に切断用の貫通孔を穿設すると共に、上記絶縁基板に、底部から上部外方へ向かう斜面壁を有する電子部品搭載用の搭載用凹部を形成し、
 かつ、上記搭載用凹部の上端は、該搭載用凹部内に搭載した電子部品の上端よりも高い位置にあり、
 次に、上記貫通孔内も含めて、上記絶縁基板の全表面に、金属メッキ膜を施すと共に感光性のエッチングレジスト膜を形成し、
 次に、上記絶縁基板の上面にパターン形成用の上面フィルムを配置すると共に、該上面フィルムの上方から平行光を照射し、その後、上記上面フィルムを上記絶縁基板の上面から除去し、
 次に、上記絶縁基板にエッチングを施して、上記搭載用凹部の底面にはボンディングパッドを、搭載用凹部の斜面壁には斜面回路を、絶縁基板の上面には電子回路を、絶縁基板の側面には側面回路を、更に上記絶縁基板の下面に接続用パッドを形成し、
 その後、上記貫通孔に沿って上記絶縁基板を切断して、個片化またはフレーム化することを特徴とするリードレスチップキャリアの製造方法がある。
Next, as a method of manufacturing the leadless chip carrier of the present invention, for example, an electronic device having a through hole for cutting in an insulating substrate and an insulating substrate having an inclined wall extending from the bottom to the top outward from the bottom. Forming mounting recesses for component mounting,
And the upper end of the mounting recess is located higher than the upper end of the electronic component mounted in the mounting recess,
Next, on the entire surface of the insulating substrate, including the inside of the through-hole, a metal plating film is formed and a photosensitive etching resist film is formed,
Next, while arranging an upper film for pattern formation on the upper surface of the insulating substrate, irradiating parallel light from above the upper film, and then removing the upper film from the upper surface of the insulating substrate,
Next, the insulating substrate is etched to provide a bonding pad on the bottom surface of the mounting concave portion, a slope circuit on a slope wall of the mounting concave portion, an electronic circuit on an upper surface of the insulating substrate, and a side surface of the insulating substrate. Form a side circuit, and further form a connection pad on the lower surface of the insulating substrate,
Thereafter, there is a method of manufacturing a leadless chip carrier, wherein the insulating substrate is cut along the through-holes into individual pieces or frames.

 以下、これを詳説する。
 まず、絶縁基板に金型等を用いて個片化用の貫通孔を打ち抜く。該貫通孔は、例えば長孔状のスリットで、後述するリードレスチップキャリアの側面に相当する位置に形成される。上記絶縁基板は、上記貫通孔形成により、リードレスチップキャリアを構成する個片部と、該個片部を支持する支持部とに仕切られる。
Hereinafter, this will be described in detail.
First, a through-hole for singulation is punched out on an insulating substrate using a mold or the like. The through-hole is, for example, an elongated slit formed at a position corresponding to a side surface of a leadless chip carrier described later. The insulating substrate is partitioned into individual pieces constituting a leadless chip carrier and a support portion supporting the individual pieces by forming the through holes.

 次に、上記絶縁基板の上面側に、上記斜面壁を有する上記搭載用凹部を、ザグリ加工等により形成する。
 次に、上記絶縁基板の全表面にパネルメッキを施し、金属メッキ膜を形成する。このとき、絶縁基板の貫通孔内にも金属メッキ膜が形成される。
 次に、上記貫通孔内も含めて、上記絶縁基板の全表面に、感光性のエッチングレジスト膜を形成し、上記金属メッキ膜の全表面を被覆する。該エッチングレジスト膜は、例えば、電着塗装方法などの湿式方法により形成される。
Next, the mounting recess having the inclined wall is formed on the upper surface side of the insulating substrate by counterboring or the like.
Next, panel plating is performed on the entire surface of the insulating substrate to form a metal plating film. At this time, a metal plating film is also formed in the through hole of the insulating substrate.
Next, a photosensitive etching resist film is formed on the entire surface of the insulating substrate including the inside of the through hole, and covers the entire surface of the metal plating film. The etching resist film is formed by, for example, a wet method such as an electrodeposition coating method.

 次に、絶縁基板の上面に、下記のパターンを形成するための上面フィルムを配置する。該上面フィルムは、光を遮断する遮光部を有し、その他は光が透過するように構成されている。上記遮光部は、絶縁基板の上面側に形成されるパターンと同一形状を有するパターン部と、延設部とを有している。該延設部は、側面回路が形成される貫通孔を覆うように上記パターン部から延設されている。
 上記絶縁基板の上面側に形成されるパターンとは、絶縁基板の上面に形成される電子回路、搭載用凹部の斜面壁に形成される斜面回路、及びその底面に形成されるボンディングパッド等をいう。
Next, an upper surface film for forming the following pattern is arranged on the upper surface of the insulating substrate. The top film has a light blocking portion for blocking light, and the other films are configured to transmit light. The light-shielding portion has a pattern portion having the same shape as a pattern formed on the upper surface side of the insulating substrate, and an extended portion. The extending portion extends from the pattern portion so as to cover the through hole in which the side circuit is formed.
The pattern formed on the upper surface side of the insulating substrate refers to an electronic circuit formed on the upper surface of the insulating substrate, a slope circuit formed on the slope wall of the mounting concave portion, a bonding pad formed on the bottom surface, and the like. .

 次に、上記絶縁基板の上方から平行光を照射する。このとき、上面フィルムのパターン部により絶縁基板の上面側に光の影ができるとともに、上面フィルムの延設部により上記貫通孔の内壁にも光の影ができて、その部分は露光しない未露光部分となる。 Next, parallel light is irradiated from above the insulating substrate. At this time, a light shadow is formed on the upper surface side of the insulating substrate by the pattern portion of the upper film, and a light shadow is formed on the inner wall of the through hole by the extended portion of the upper film, and the portion is not exposed and is not exposed. Part.

 次に、上記エッチングレジスト膜の露光部分に現像液を施す。これにより、上記エッチングレジスト膜の未露光部分はそのまま残り、その他の露光部分は除去されて金属メッキ膜が露出する。次いで、金属メッキ膜の露出部分をエッチングにより除去する。これにより、絶縁基板の上面側及び貫通孔の内壁にパターンが形成される。
 その後、上記パターンの表面に残存するエッチングレジスト膜を除去する。これにより、絶縁基板の上面側には電子回路、斜面回路、及びボンディングパッドが、貫通孔の内壁には側面回路が、各々形成される。
Next, a developing solution is applied to the exposed portion of the etching resist film. As a result, the unexposed portion of the etching resist film remains as it is, and the other exposed portions are removed, exposing the metal plating film. Next, the exposed portion of the metal plating film is removed by etching. Thereby, a pattern is formed on the upper surface side of the insulating substrate and the inner wall of the through hole.
Thereafter, the etching resist film remaining on the surface of the pattern is removed. Thus, an electronic circuit, a slope circuit, and a bonding pad are formed on the upper surface side of the insulating substrate, and a side circuit is formed on the inner wall of the through hole.

 次に、上記絶縁基板の下面に、例えば上記の絶縁基板の上面側に電子回路等のパターンを形成した方法を用いて、接続用パッドを形成する。
 尚、上記絶縁基板の上面に、上面フィルムを配置する際に、絶縁基板の下面にも同様の下面フィルムを配置しておき、この状態で、上記絶縁基板の上方と下方の両方から平行光を照射することが好ましい。これにより、絶縁基板の上面側及び側面とともに、その下面にも、同時にパターンを形成することができる。
Next, connection pads are formed on the lower surface of the insulating substrate, for example, using a method in which a pattern of an electronic circuit or the like is formed on the upper surface side of the insulating substrate.
When the upper film is disposed on the upper surface of the insulating substrate, a similar lower film is disposed on the lower surface of the insulating substrate. In this state, parallel light is irradiated from both above and below the insulating substrate. Irradiation is preferred. Thereby, a pattern can be simultaneously formed on the lower surface as well as on the upper surface side and the side surface of the insulating substrate.

 次に、上記貫通孔に沿って、ダイシングソー等により、絶縁基板の個片部が個片化される。なお、この個片化用切断は、上記の樹脂封止の後に行なってもよい。
 これにより、本発明にかかるリードレスチップキャリアが得られる。
 その後、該リードレスチップキャリアの搭載用凹部に、上記のごとく電子部品の搭載、樹脂封止等を行なう。
Next, the individual portions of the insulating substrate are separated into individual pieces along the through holes using a dicing saw or the like. Note that the cutting for individualization may be performed after the above-described resin sealing.
Thereby, a leadless chip carrier according to the present invention is obtained.
Thereafter, as described above, electronic components are mounted in the mounting recesses of the leadless chip carrier, and resin sealing is performed.

 上記絶縁基板の上面にある電子回路には接続用パッドを設けてもよいし、上記絶縁基板の下面には電子回路を設けてもよい。これら接続用パッド及び電子回路は、前記パターン形成用の上面フィルム等を用いて平行光を照射する際に、他のパターン形成と同時に形成することができる。 接 続 Electronic circuits on the upper surface of the insulating substrate may be provided with connection pads, and electronic circuits may be provided on the lower surface of the insulating substrate. These connection pads and electronic circuits can be formed simultaneously with the formation of other patterns when irradiating parallel light using the upper film for pattern formation or the like.

(作用及び効果)
 本発明のリードレスチップキャリアにおいて、上記搭載用凹部の上端は、電子部品及びボンディングワイヤーの上端よりも高い位置にある。また、搭載用凹部は、その上端まで封止樹脂により封止されている。
 そのため、電子部品及びボンディングワイヤーは、封止樹脂により完全に被覆される。
(Action and effect)
In the leadless chip carrier of the present invention, the upper end of the mounting recess is higher than the upper ends of the electronic component and the bonding wire. Further, the mounting concave portion is sealed up to its upper end with a sealing resin.
Therefore, the electronic component and the bonding wire are completely covered with the sealing resin.

 従って、従来必要とされていた樹脂封止枠を用いることなく、搭載用凹部を密封でき、その中の電子部品及びボンディングワイヤーを腐食から保護することができる。
 即ち、本発明においては、絶縁基板上に樹脂封止枠を接着しないので、接着剤の成分によりボンディングワイヤー及び電子部品が腐食することがない。
 また、樹脂封止枠を取付けないため、簡易な構造とすることができる。
 また、ボンディングワイヤーは、搭載用凹部内にあるため、断線することがなく、電子部品又はボンディングパッドとの電気的接続性を確保することができる。
Therefore, the mounting recess can be sealed without using the resin sealing frame which has been required conventionally, and the electronic components and the bonding wires therein can be protected from corrosion.
That is, in the present invention, since the resin sealing frame is not bonded on the insulating substrate, the bonding wire and the electronic component do not corrode due to the components of the adhesive.
Also, since no resin sealing frame is attached, a simple structure can be achieved.
Further, since the bonding wire is in the mounting concave portion, it is possible to secure electrical connectivity with the electronic component or the bonding pad without breaking.

 また、上記搭載用凹部の壁面は、搭載用凹部の底面から搭載用凹部の上端外方へ広がる斜面壁により構成されている。そのため、搭載用凹部の壁面にも斜面回路を形成することができ、斜面壁の有効利用を図ることができる。
 更に、絶縁基板の側面にも、絶縁基板の側面回路を設けている。
The wall surface of the mounting recess is formed by a slope wall extending from the bottom surface of the mounting recess to the upper end of the mounting recess. Therefore, a slope circuit can be formed also on the wall surface of the mounting recess, and the slope wall can be effectively used.
Further, a side surface circuit of the insulating substrate is provided also on a side surface of the insulating substrate.

 このように、絶縁基板の上面、下面、及び側面だけでなく、搭載用凹部の底面及び斜面壁にもパターンを形成することができ、絶縁基板のあらゆる面をパターン形成のために活用することができる。それ故、リードレスチップキャリアの高密度実装化を図ることができる。 As described above, the pattern can be formed not only on the upper surface, the lower surface, and the side surface of the insulating substrate, but also on the bottom surface and the inclined wall of the mounting concave portion, and any surface of the insulating substrate can be used for pattern formation. it can. Therefore, high-density mounting of the leadless chip carrier can be achieved.

 次に、上記リードレスチップキャリアの製造方法においては、例えば、絶縁基板の上面にパターン形成用の上面フィルムを配置し、その上方から平行光を照射している。そのため、絶縁基板の上面側のパターン(上記電子回路、斜面回路、ボンディングパッド)形成とともに、絶縁基板の側面回路も同時に形成することができ、製造容易である。 Next, in the method of manufacturing the leadless chip carrier, for example, an upper film for pattern formation is disposed on the upper surface of the insulating substrate, and the parallel light is irradiated from above. Therefore, the side circuit of the insulating substrate can be formed simultaneously with the formation of the pattern on the upper surface side of the insulating substrate (the electronic circuit, the inclined circuit, and the bonding pad), which is easy to manufacture.

 また、平行光を用いているので、絶縁基板の上面と斜面壁及び底面との間に間隙があっても、上面フィルムのパターンが精度良く、斜面壁に投影される。そのため、精度良く斜面回路を形成することができる。
 また、搭載用凹部の壁面は、上記斜面壁により構成されているため、ザグリ加工等により、形成しやすい。
Further, since the parallel light is used, even if there is a gap between the upper surface of the insulating substrate and the slope wall and the bottom surface, the pattern of the upper film is accurately projected on the slope wall. Therefore, a slope circuit can be formed with high accuracy.
Further, since the wall surface of the mounting concave portion is constituted by the above-mentioned slope wall, it can be easily formed by counterboring or the like.

 以上のごとく、本発明によれば、樹脂封止枠を設けることなく、簡易な構造で、電子部品及びボンディングワイヤーを樹脂封止することができ、かつ高密度実装を図ることができる、リードレスチップキャリアを提供することができる。 As described above, according to the present invention, an electronic component and a bonding wire can be resin-sealed with a simple structure without providing a resin-sealing frame, and high-density mounting can be achieved. A chip carrier can be provided.

実施例1
 本発明の実施例にかかるリードレスチップキャリアについて、図1〜図9を用いて説明する。
 本例のリードレスチップキャリア100は、図1、図2に示すごとく、絶縁基板1に電子部品搭載用の搭載用凹部10を設けている。
 搭載用凹部10の側壁は、その底面13から上端外方へ平面状に広がる斜面壁11により構成されている。また、搭載用凹部10の底面13は、ボンディングパッド50及びパッド53を有している。
 搭載用凹部10の上端111は、電子部品3及びボンディングワイヤー30の上端よりも高い位置にある。
Example 1
A leadless chip carrier according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 2, the leadless chip carrier 100 of this embodiment has a mounting recess 10 for mounting electronic components on an insulating substrate 1.
The side wall of the mounting concave portion 10 is constituted by a slope wall 11 which spreads in a plane from the bottom surface 13 to the upper end outward. The bottom surface 13 of the mounting concave portion 10 has a bonding pad 50 and a pad 53.
The upper end 111 of the mounting recess 10 is located higher than the upper ends of the electronic component 3 and the bonding wire 30.

 絶縁基板1の上面15は電子回路55を、下面17は接続用パッド57及び放熱層58を有している。絶縁基板1の側面16は、電子回路55と接続用パッド57との間を接続する側面回路56を有している。
 搭載用凹部10の斜面壁11は、ボンディングパッド50と電子回路55との間を接続する斜面回路51を有している。
The upper surface 15 of the insulating substrate 1 has an electronic circuit 55, and the lower surface 17 has connection pads 57 and a heat radiation layer 58. The side surface 16 of the insulating substrate 1 has a side circuit 56 that connects between the electronic circuit 55 and the connection pad 57.
The slope wall 11 of the mounting recess 10 has a slope circuit 51 that connects between the bonding pad 50 and the electronic circuit 55.

 本例のリードレスチップキャリア100において、搭載用凹部10内のパッド53の上には、電子部品3が搭載される。ボンディングパッド50と電子部品3との間はボンディングワイヤー30によって接続される。また、樹脂封止枠を設けることなく、搭載用凹部10内には、電子部品3及びボンディングワイヤー30の全体を被覆するように封止樹脂6が封止される。 In the leadless chip carrier 100 of this example, the electronic component 3 is mounted on the pad 53 in the mounting recess 10. The bonding pad 50 and the electronic component 3 are connected by the bonding wire 30. Further, the sealing resin 6 is sealed in the mounting recess 10 so as to cover the entire electronic component 3 and the bonding wires 30 without providing a resin sealing frame.

 次に、上記リードレスチップキャリア100の製造方法について、図3〜図9を用いて説明する。
 まず、図3、図4に示すごとく、絶縁基板1に、リードレスチップキャリアの寸法線165に沿ってその4方向に、切断用の長孔状の貫通孔160を穿設する。これにより、上記貫通孔160の内側にはリードレスチップキャリア作製用の個片部19が、その外側には個片部19を支持する支持部191が形成される。
Next, a method of manufacturing the leadless chip carrier 100 will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, elongated through holes 160 for cutting are formed in the insulating substrate 1 in four directions along the dimension line 165 of the leadless chip carrier. As a result, a piece 19 for producing a leadless chip carrier is formed inside the through hole 160, and a support 191 for supporting the piece 19 is formed outside the through hole 160.

 次に、図5に示すごとく、絶縁基板1の個片部19に、電子部品搭載用の搭載用凹部10を、ザグリ加工により穿設する。該搭載用凹部10は、底部13から上部外方へ広がる平面状の斜面壁11を有している。搭載用凹部10は、その上端111が、該搭載用凹部10内に搭載したときの電子部品及びボンディングワイヤーの上端よりも高い位置となるように形成しておく。
 次に、図6に示すごとく、絶縁基板1の全表面にパネルメッキを施し、金属メッキ膜5を形成する。このとき、貫通孔160の内部にも、金属メッキ膜5が形成される。
Next, as shown in FIG. 5, mounting recesses 10 for mounting electronic components are formed in the individual portions 19 of the insulating substrate 1 by counterboring. The mounting recess 10 has a planar inclined wall 11 extending outward from the bottom 13 to the upper side. The mounting recess 10 is formed such that its upper end 111 is higher than the upper ends of the electronic component and the bonding wire when mounted in the mounting recess 10.
Next, as shown in FIG. 6, the entire surface of the insulating substrate 1 is subjected to panel plating, and a metal plating film 5 is formed. At this time, the metal plating film 5 is also formed inside the through hole 160.

 次に、図7に示すごとく、上記貫通孔160も含めて、湿式方法により絶縁基板1の全表面にエッチングレジスト膜7を形成する。
 また、図7、図8に示すごとく、絶縁基板1の上面15、下面17に、パターン形成用の上面フィルム21、下面フィルム22を、それぞれ配置する。上面フィルム21、下面フィルム22は、それぞれ絶縁基板1のパターン形成部位を遮光するための遮光部210、220を有し、該遮光部210、220を除く部分は透明な透明部213、223である。
Next, as shown in FIG. 7, an etching resist film 7 is formed on the entire surface of the insulating substrate 1 including the through holes 160 by a wet method.
As shown in FIGS. 7 and 8, an upper film 21 and a lower film 22 for pattern formation are arranged on the upper surface 15 and the lower surface 17 of the insulating substrate 1, respectively. The upper film 21 and the lower film 22 have light shielding portions 210 and 220 for shielding the pattern forming portion of the insulating substrate 1 respectively, and portions other than the light shielding portions 210 and 220 are transparent transparent portions 213 and 223. .

 遮光部210、220は、絶縁基板1の上面側151、下面17にそれぞれ形成するパターンと同一形状のパターン部211、221と、絶縁基板1の貫通孔160内における側面パターン形成部位を被覆する延設部212、222とを有している。 The light-shielding portions 210 and 220 are provided with pattern portions 211 and 221 having the same shape as the patterns formed on the upper surface 151 and the lower surface 17 of the insulating substrate 1, respectively. There are provided portions 212 and 222.

 次に、絶縁基板1に、その上下両側から平行光8を照射する。このとき、図7、図8に示すごとく、遮光部210、220により平行光8が遮られ、絶縁基板1の上面側151、下面にそれぞれ光の影81ができると共に、貫通孔160の内壁にも光の影82ができ、この影81、82の部分は露光しないで、絶縁基板1の透明部213、223と対応した部分のみが露光する。 Next, the insulating substrate 1 is irradiated with the parallel light 8 from both the upper and lower sides. At this time, as shown in FIGS. 7 and 8, the parallel light 8 is blocked by the light shielding portions 210 and 220, and light shadows 81 are formed on the upper surface 151 and the lower surface of the insulating substrate 1, respectively. Also, a light shadow 82 is formed. Only the portions corresponding to the transparent portions 213 and 223 of the insulating substrate 1 are exposed without exposing the portions of the shadows 81 and 82.

 次に、絶縁基板1から上面フィルム21、下面フィルム22を除去する。次いで、エッチングレジスト膜7の露光部分に現像液を施す。これにより、エッチングレジスト膜の未露光部分はそのまま残り、その他の露光部分は除去されて金属メッキ膜5が露出する。次いで、金属メッキ膜の露出部分をエッチングにより除去する。これにより、図9に示すごとく、上記露光部分のエッチングレジスト膜7及び金属メッキ膜5が、絶縁基板1から取り除かれる。 Next, the upper film 21 and the lower film 22 are removed from the insulating substrate 1. Next, a developing solution is applied to the exposed portions of the etching resist film 7. Thus, the unexposed portion of the etching resist film remains as it is, and the other exposed portions are removed, exposing the metal plating film 5. Next, the exposed portion of the metal plating film is removed by etching. Thereby, as shown in FIG. 9, the etching resist film 7 and the metal plating film 5 in the exposed portions are removed from the insulating substrate 1.

 次に、絶縁基板1に残ったエッチングレジスト膜7のみを除去する。これにより、図10に示すごとく、絶縁基板1の上面15には電子回路55が、その下面17には接続用パッド57及び放熱層58が形成される。また、貫通孔160の内壁には側面回路56が、搭載用凹部10の斜面壁11には斜面回路51が、その底面13にはボンディングパッド50及びパッド53が形成される。
 次に、図10に示す貫通孔160及び寸法線165に沿って、ダイシングソーにより絶縁基板1を切断し、個片部19を個片化する。これにより、図1、図2に示すリードレスチップキャリア100が得られる。
Next, only the etching resist film 7 remaining on the insulating substrate 1 is removed. As a result, as shown in FIG. 10, the electronic circuit 55 is formed on the upper surface 15 of the insulating substrate 1, and the connection pads 57 and the heat radiation layer 58 are formed on the lower surface 17. A side circuit 56 is formed on the inner wall of the through hole 160, a slope circuit 51 is formed on the slope wall 11 of the mounting recess 10, and a bonding pad 50 and a pad 53 are formed on the bottom surface 13.
Next, the insulating substrate 1 is cut by a dicing saw along the through holes 160 and the dimension lines 165 shown in FIG. Thereby, the leadless chip carrier 100 shown in FIGS. 1 and 2 is obtained.

 次に、本例の作用効果について説明する。
 本例のリードレスチップキャリア100において、図1、図2に示すごとく、搭載用凹部10の上端111は、電子部品3及びボンディングワイヤー30の上端よりも高い位置にある。また、搭載用凹部10は、その上端111まで封止樹脂6により封止されている。
Next, the operation and effect of this example will be described.
In the leadless chip carrier 100 of the present example, as shown in FIGS. 1 and 2, the upper end 111 of the mounting recess 10 is located higher than the upper ends of the electronic component 3 and the bonding wire 30. The mounting recess 10 is sealed by the sealing resin 6 up to its upper end 111.

 そのため、電子部品3及びボンディングワイヤー30は、封止樹脂6により完全に被覆される。
 従って、樹脂封止枠を用いることなく、搭載用凹部10を密封でき、その中の電子部品3及びボンディングワイヤー30を腐食から保護することができる。
 即ち、本例においては、絶縁基板1の上に樹脂封止枠を接着しないので、接着剤の成分によりボンディングワイヤー30及び電子部品3が腐食することがない。
Therefore, the electronic component 3 and the bonding wire 30 are completely covered with the sealing resin 6.
Therefore, the mounting recess 10 can be sealed without using a resin sealing frame, and the electronic component 3 and the bonding wire 30 therein can be protected from corrosion.
That is, in this example, since the resin sealing frame is not bonded on the insulating substrate 1, the bonding wire 30 and the electronic component 3 do not corrode due to the components of the adhesive.

 また、樹脂封止枠を取付けないため、簡易な構造とすることができる。
 また、ボンディングワイヤー30は、搭載用凹部10内にあるため、断線することがなく、電子部品3又はボンディングパッド50との電気的接続性を確保することができる。
Also, since no resin sealing frame is attached, a simple structure can be achieved.
In addition, since the bonding wire 30 is located in the mounting concave portion 10, it is possible to secure electrical connectivity with the electronic component 3 or the bonding pad 50 without disconnection.

 また、上記搭載用凹部10の壁面は、搭載用凹部10の底面13から搭載用凹部10の上部外方へ広がる斜面壁11により構成されている。そのため、搭載用凹部10の壁面にも斜面回路51を形成することができ、斜面壁11の有効利用を図ることができる。更に、絶縁基板1の側面16にも、側面回路56を設けている。 The wall surface of the mounting recess 10 is constituted by a slope wall 11 extending outward from the bottom surface 13 of the mounting recess 10 to the upper part of the mounting recess 10. Therefore, the slope circuit 51 can be formed also on the wall surface of the mounting recess 10, and the slope wall 11 can be effectively used. Further, a side surface circuit 56 is also provided on the side surface 16 of the insulating substrate 1.

 このように、絶縁基板1の上面15、下面17、及び側面16だけでなく、搭載用凹部10の底面13及び斜面壁11にもパターンを形成することができ、絶縁基板のあらゆる面をパターン形成のために活用することができる。それ故、リードレスチップキャリア100の高密度実装化を図ることができる。 As described above, the pattern can be formed not only on the upper surface 15, the lower surface 17, and the side surface 16 of the insulating substrate 1 but also on the bottom surface 13 and the inclined wall 11 of the mounting concave portion 10. Can be utilized for Therefore, high-density mounting of the leadless chip carrier 100 can be achieved.

 次に、本例の製造方法においては、図7、図8に示すごとく、絶縁基板1の上面15及び下面17にパターン形成用の上面フィルム21、下面フィルム22をそれぞれ配置し、その上方、下方から平行光8を照射している。そのため、絶縁基板1の上面側151、下面17のパターン形成とともに、絶縁基板1の側面16にも同時にパターンが形成されるため、製造容易である。 Next, in the manufacturing method of the present embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, an upper film 21 and a lower film 22 for pattern formation are respectively arranged on the upper surface 15 and the lower surface 17 of the insulating substrate 1, and the upper and lower films are formed. Irradiate parallel light 8 from Therefore, the pattern is formed on the side surface 16 of the insulating substrate 1 at the same time as the pattern formation on the upper surface side 151 and the lower surface 17 of the insulating substrate 1, which facilitates manufacturing.

 また、搭載用凹部10の壁面は、上記斜面壁11から構成されているため、ザグリ加工等により、形成しやすい。
 また、平行光8を用いているので、絶縁基板1の上面15と斜面壁11及び底面13との間に間隙があっても、上面フィルム21のパターンが精度良く、斜面壁11に投影される。そのため、精度良く斜面回路51を形成することができる。
In addition, since the wall surface of the mounting concave portion 10 is constituted by the above-mentioned inclined wall 11, it is easy to form by counterbore processing or the like.
Further, since the parallel light 8 is used, even if there is a gap between the upper surface 15 of the insulating substrate 1 and the inclined wall 11 and the bottom surface 13, the pattern of the upper film 21 is accurately projected on the inclined wall 11. . Therefore, the slope circuit 51 can be formed with high accuracy.

実施例2
 本例のリードレスチップキャリア100は、図11に示すごとく、搭載用凹部10の斜面壁110が、凹形状に湾曲した曲面である。その他は、上記実施例1と同様である。
 本例においては、斜面壁110が曲面であるため、応力を緩和することができる。その他は、実施例1と同様の効果を得ることができる。
Example 2
In the leadless chip carrier 100 of this example, as shown in FIG. 11, the slope wall 110 of the mounting concave portion 10 has a curved surface curved in a concave shape. Others are the same as the first embodiment.
In this example, since the slope wall 110 is a curved surface, stress can be reduced. Otherwise, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

実施例3
 本例のリードレスチップキャリア100は、図12に示すごとく、絶縁基板1の下面17に、電子回路59を設けている。該電子回路59は、放熱層58の周囲に形成されている。
 その他は、実施例1と同様である。
 本例においては、絶縁基板1の下面17にも電子回路59を設けているため、更なる高密度実装化を図ることができる。その他は、実施例1と同様の効果を得ることができる。
Example 3
In the leadless chip carrier 100 of this example, as shown in FIG. 12, an electronic circuit 59 is provided on the lower surface 17 of the insulating substrate 1. The electronic circuit 59 is formed around the heat radiation layer 58.
Others are the same as the first embodiment.
In this example, since the electronic circuit 59 is also provided on the lower surface 17 of the insulating substrate 1, further high-density mounting can be achieved. Otherwise, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

実施例4
 本例のリードレスチップキャリア101は、図13〜図15に示すごとく、絶縁基板1の上面15に形成されている電子回路55に、接続用パッド571を設けている。
 上記接続用パッド571の上には、図15に示すごとく、半田4等を用いて、実施例1で示したリードレスチップキャリア100が積層、固定されている。この2つのリードレスチップキャリア100、101は、積層型リードレスチップキャリア102を構成している。
 その他は、実施例1と同様である。
 本例においても、実施例1と同様の効果を得ることができる。
Example 4
In the leadless chip carrier 101 of this example, as shown in FIGS. 13 to 15, a connection pad 571 is provided on an electronic circuit 55 formed on the upper surface 15 of the insulating substrate 1.
As shown in FIG. 15, the leadless chip carrier 100 shown in the first embodiment is stacked and fixed on the connection pads 571 using solder 4 or the like. The two leadless chip carriers 100 and 101 constitute a stacked leadless chip carrier 102.
Others are the same as the first embodiment.
In this embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

実施例1の、リードレスチップキャリアの断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例1の、リードレスチップキャリアの斜視図。FIG. 2 is a perspective view of the leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例1の、リードレスチップキャリアの製造方法における、貫通孔を穿設した絶縁基板の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of an insulating substrate having a through hole in the method for manufacturing a leadless chip carrier according to the first embodiment. 図3の平面図。The top view of FIG. 実施例1の、リードレスチップキャリアの製造方法における、搭載用凹部を形成した絶縁基板の断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of the insulating substrate having mounting recesses formed therein in the method for manufacturing a leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例1の、リードレスチップキャリアの製造方法における、金属メッキ膜を施した絶縁基板の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of an insulating substrate provided with a metal plating film in the method for manufacturing a leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例1の、リードレスチップキャリアの製造方法における、平行光照射時の絶縁基板の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of the insulating substrate during irradiation of parallel light in the method for manufacturing a leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例1の、リードレスチップキャリアの製造方法における、平行光照射時の絶縁基板の要部斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a main part of the insulating substrate during irradiation of parallel light in the method for manufacturing a leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例1の、リードレスチップキャリアの製造方法における、エッチング後の絶縁基板の断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of the insulating substrate after etching in the method for manufacturing a leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例1の、リードレスチップキャリアの製造方法における、絶縁基板の切断位置を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a cutting position of the insulating substrate in the method of manufacturing the leadless chip carrier according to the first embodiment. 実施例2のリードレスチップキャリアの断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of a leadless chip carrier according to a second embodiment. 実施例3のリードレスチップキャリアの断面図。FIG. 10 is a sectional view of a leadless chip carrier according to a third embodiment. 実施例4のリードレスチップキャリアの断面図。FIG. 13 is a sectional view of a leadless chip carrier according to a fourth embodiment. 実施例4のリードレスチップキャリアの斜視図。FIG. 14 is a perspective view of a leadless chip carrier according to a fourth embodiment. 実施例4の積層型リードレスチップキャリアの断面図。FIG. 13 is a cross-sectional view of the laminated leadless chip carrier according to the fourth embodiment. 従来例のリードレスチップキャリアの断面図。Sectional drawing of the conventional leadless chip carrier.

符号の説明Explanation of reference numerals

 1 絶縁基板、
 10 搭載用凹部、
 100、101 リードレスチップキャリア、
 11、110 斜面壁、
 13 底面、
 15 上面、
 16 側面、
 160 貫通孔、
 17 下面、
 19 個片部、
 191 支持部、
 3 電子部品、
 30 ボンディングワイヤー、
 4 半田、
 50 ボンディングパッド、
 51 斜面回路、
 55、59 電子回路、
 56 側面回路、
 57、571 接続用パッド、
 6 封止樹脂、
1 insulating substrate,
10 mounting recess,
100, 101 leadless chip carrier,
11, 110 slope wall,
13 bottom,
15 Top,
16 sides,
160 through holes,
17 lower surface,
19 pieces,
191 support,
3 electronic components,
30 bonding wires,
4 solder,
50 bonding pads,
51 slope circuit,
55, 59 electronic circuits,
56 side circuit,
57,571 connection pads,
6 sealing resin,

Claims (5)

 絶縁基板に電子部品搭載用の搭載用凹部を設けてなるリードレスチップキャリアにおいて、
 上記搭載用凹部の側壁は、該搭載用凹部の底面から上部外方へ広がる斜面壁により構成され、また搭載用凹部の底面はボンディングパッドを有し、
 上記絶縁基板の上面は電子回路を、その下面は接続用パッドを有し、
 上記絶縁基板の側面は、上記電子回路と接続用パッドとの間を接続する側面回路を有し、
 上記搭載用凹部の斜面壁は、上記ボンディングパッドと電子回路との間を接続する斜面回路を有しており、
 かつ、上記搭載用凹部の上端は、該搭載用凹部内に搭載した電子部品の上端よりも高い位置にあることを特徴とするリードレスチップキャリア。
In a leadless chip carrier having a mounting recess for mounting electronic components on an insulating substrate,
The side wall of the mounting recess is formed by a sloped wall that extends outward from the bottom of the mounting recess, and the bottom of the mounting recess has a bonding pad.
The upper surface of the insulating substrate has an electronic circuit, and the lower surface has connection pads,
The side surface of the insulating substrate has a side circuit connecting between the electronic circuit and the connection pad,
The slope wall of the mounting recess has a slope circuit connecting between the bonding pad and the electronic circuit,
A leadless chip carrier, wherein the upper end of the mounting recess is higher than the upper end of the electronic component mounted in the mounting recess.
 請求項1において、上記絶縁基板の上面の電子回路には、接続用パッドが設けられていることを特徴とするリードレスチップキャリア。 A leadless chip carrier according to claim 1, wherein connection pads are provided on the electronic circuit on the upper surface of the insulating substrate.  請求項2において、上記絶縁基板の下面には、電子回路が設けられていることを特徴とするリードレスチップキャリア。 A leadless chip carrier according to claim 2, wherein an electronic circuit is provided on a lower surface of the insulating substrate. 請求項1又は2において、上記搭載用凹部内には、封止樹脂が封止されていることを特徴とするリードレスチップキャリア。 3. The leadless chip carrier according to claim 1, wherein a sealing resin is sealed in the mounting recess. 請求項4において、上記電子部品と上記ボンディングパッドとの間は、ボンディングワイヤーによって電気的に接続してあり、上記搭載用凹部内には、上記電子部品及び上記ボンディングワイヤーの全体を被覆するように上記封止樹脂が封止されていることを特徴とするリードレスチップキャリア。 The electronic component and the bonding pad according to claim 4, wherein the electronic component and the bonding pad are electrically connected by a bonding wire, and the mounting recess covers the entire electronic component and the bonding wire. A leadless chip carrier, wherein the sealing resin is sealed.
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