JP2004047782A - Hybrid integrated circuit device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は混成集積回路装置およびその製造方法に関し、特に、放熱効果を向上させたヒートシンクを有する混成集積回路装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7を参照して、従来の混成集積回路装置30の構成を説明する。図7(A)は混成集積回路装置30の斜視図であり、図7(B)は図7(A)の断面図である。
【0003】
図7(A)および図7(B)を参照して、従来の混成集積回路装置30は次のような構成を有する。矩形の基板31と、基板31の表面に設けられた導電パターン32と、導電パターン32上に固着された回路素子34と、回路素子34と導電パターン32とを電気的に接続する金属細線35等で、混成集積回路装置30は構成されている。そして、回路基板31の表面に形成された混成集積回路を、絶縁性樹脂もしくはケース材等で封止することにより、混成集積回路装置30は製品として提供されていた。
【0004】
回路素子34としてパワー系の半導体素子34Aが採用された場合は、半導体素子34Aから放出される熱を基板31に効率よく伝導させるために、ヒートシンク33が設けられた。即ち、半導体素子34Aは導電パターン32に固着されたヒートシンク33の上面に半田を介して実装されていた。
【0005】
また、半導体素子34Aのヒートシンク33の上面への実装は、真空コレット(図示せず)を用いて行われていた。そして、半田付けを良好に行うために、半導体素子34Aを実装する際に、半導体素子34Aを吸着した真空コレットを平面的に移動させていた。このように、半導体素子34Aの裏面を半田に接触させてから、半導体素子34Aを平面的に移動させて半田に含まれた気泡を除去する作業をスクライブと言う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような混成集積回路装置とその製造方法は以下に示すような問題を有していた。
【0007】
第1に、半導体素子34Aとヒートシンク33とを電気的・熱的に結合させる半田の厚みが一定でない場合があった。このことから、混成集積回路装置の使用状況下に於いて、半導体素子34Aとヒートシンク33の温度が上昇した場合、両者の熱膨張係数の違いから、半田に局所的な熱応力が作用していた。このことから、半田17が破損してしまう問題があった。
【0008】
第2に、真空コレットを用いて半導体素子34Aをヒートシンク33の上面に実装する際に、真空コレットが過度に半導体素子34Aを下方向に押し込む場合があった。このような場合に於いては、半導体素子34Aが真空コレットにより破壊されてしまう場合があった。
【0009】
第3に、真空コレットを用いて半導体素子34Aをヒートシンク33の上面に実装する際に、半導体素子34Aの裏面と半田との間に介在する気泡が押しつぶされてしまい、気泡の平面的な大きさが大きくなっていた。結果的に、半田の平面的な断面に於いて、気泡の占める割合が大きくなっていた。このことから、半導体素子34Aの過渡熱抵抗が大きくなってしなう問題があった。同様の理由から、半田の平面的な断面に於いて、電流が通過できる面積が小さくなることから、半田の抵抗値が大きくなってしまう問題があった。
【0010】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものである。従って、本発明の主な目的は、半導体素子から放出された熱を効果的に伝達させるヒートシンクを有する混成集積回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1に、基板と、前記基板の表面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに固着されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの上面に半田を介して実装された半導体素子とを有する混成集積回路装置に於いて、前記ヒートシンクの上面に凹部を設け、前記凹部の底面および側面に接触するように前記半田を設け、前記半田の上面に前記半導体素子を実装したことを特徴とする。
【0012】
本発明は、第2に、前記凹部の平面的な大きさは、前記半導体素子の平面的な大きさよりも大きいことを特徴とする。
【0013】
本発明は、第3に、前記凹部の底面および側面に凹凸を設けることにより、前記半田と前記ヒートシンクとが接触する面積を更に増大させることを特徴とする。
【0014】
本発明は、第4に、表面に導電パターンが設けられた基板を用意する工程と、上面に凹部が設けられたヒートシンクを前記導電パターンに固着する工程と、前記凹部に半田を充填する工程と、前記半田の表面に半導体素子を載置する工程とを有することを特徴とする。
【0015】
本発明は、第5に、前記半田の表面に前記半導体素子を載置する工程では、真空コレットを用いて前記半導体素子の載置を行い、前記真空コレットが過度に下降した場合でも、前記ヒートシンクの前記凹部に充填された半田が緩衝領域となることで前記半導体素子が破損しないことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
(混成集積回路装置1を説明する第1の実施の形態)
図1を参照して、本発明の混成集積回路装置10の構成を説明する。図1(A)は混成集積回路装置1の斜視図であり、図1(B)は図1(A)の断面図である。
【0017】
図1(A)および図1(B)を参照して、混成集積回路装置10の構造を説明する。混成集積回路装置10は次のような構成を有する。即ち、矩形の基板11と、基板11の表面に形成された導電パターン12と、導電パターン12上の所定の位置に実装された回路素子14等から、混成集積回路装置10は構成されている。このような各構成要素を以下にて詳細に説明する。
【0018】
基板11は、機械的強度・熱の伝導性・加工性に優れた材料から製造される。具体的には、樹脂製の基板、セラミック系の材料から成る基板および金属基板を採用することができる。ここで、金属基板を基板11として採用する場合は、表面に形成される導電パターン12との絶縁を行うために、基板11の表面には絶縁層を設ける。
【0019】
導電パターン12は、基板11の表面に形成される。また、導電パターン12は、配線、ダイパッド、ボンデングパッド等を基板11の表面に形成する。
【0020】
回路素子14としては、半導体素子等の能動素子やチップ抵抗等の受動素子を全般的に採用することができる。これらの回路素子14は、半田等のロウ材を介して導電パターン12上に実装される。また、半導体素子等の能動素子をフェイスアップで実装した場合は、半導体素子の電極と導電パターン12とを金属細線15を介して電気的に接続される。
【0021】
回路素子14として採用される半導体素子14Aは、発熱量の大きいパワー系の素子である。従って、半導体素子14Aから放出される熱を積極的に基板11に伝達させて外部に放出させるために、半導体素子14Aは、導電パターン12に固着されたヒートシンクの上面に半田17を介して実装されている。半導体素子14Aが実装されるヒートシンク13の詳細は後述する。
【0022】
図2を参照して、上面に半導体素子14Aが実装されるヒートシンク13の構造を説明する。図2(A)は混成集積回路装置のヒートシンク13周辺部の斜視部である。図2(B)は図2(A)の断面図である。
【0023】
図2(A)を参照して、ヒートシンク13およびその周辺部の構造を説明する。ヒートシンク13は銅等の良熱伝導体からなり、半田等のロウ材を介して導電パターン12に固着されている。そして、ヒートシンク13の上面には半田17を介して半導体素子14Aが実装されている。ここでは、ヒートシンク13は半導体素子14Aの電極としての働きを有する。それと同時に、ヒートシンク13は、半導体素子14Aから放出される熱を基板11に伝導させる働きを有する。また、半導体素子14Aの上面部に設けた電極と、導電パターン12とは金属細線15を介して電気的に接続される。
【0024】
ヒートシンク13の上面には、凹部16が設けられている。凹部16の平面的な大きさは、半導体素子14Aの大きさよりも大きく形成されている。そして、凹部16には半田17が設けられている。従って、半田17は凹部16の側面および底面に接触している。このことから、半田17と凹部16が接触する実質的な面積は大きく成っている。半導体素子14Aは、上記のように構成された半田17の表面に実装されている。従って、半導体素子14Aから発生した熱は、半田17と凹部16が接触する面を通過して、ヒートシンク13に良好に伝導する。
【0025】
図2(B)を参照して、ヒートシンク13の断面について説明する。ここでは、ヒートシンク13に設けられた凹部16の側面および底面に、凹凸が設けられている。そして凹部16に半田が充填されている。従って、凹部16側面および底面に凹凸を設けることにより、凹部16の側面および底面と、半田17とが接触する面積を更に増大させることができる。しかしながら、凹部16の側面および底面は平滑な面を形成しても良い。
【0026】
上記した混成集積回路装置10の構成要素の他に、次のような構成要素を追加しても良い。即ち、導電パターン12により形成されたパッドに、入力・出力端子となるリードを接続することができる。また、基板11の表面に形成された混成集積回路を絶縁性樹脂やケース材で封止することもできる。
【0027】
上記したような混成集積回路装置10の構成により、以下に示すような効果を奏することができる。
【0028】
第1に、ヒートシンク13の上面に設けた凹部16に半田17を形成することにより、凹部16の底面および側面と半田17とが接触することになる。従って、半田17とヒートシンク13とが接触する面積が増大するので、半導体素子14Aから発生する熱を効率的にヒートシンク13に伝導させることができる。このことから、半導体素子14Aから発生する熱を外部に効率的に放散させることができる。
【0029】
第2に、ヒートシンク13の上面に設けた凹部16に半田17を形成することにより、半田17の厚さを、有る程度の厚みを持って一定にすることができる。混成集積回路装置10の使用状況下に於いて、半導体素子14Aおよびヒートシンク13の温度が上昇すると、両者の熱膨張係数の違いから、接続部である半田17には熱応力が発生する。本発明では、半田17の厚みを確保することができるので、半田17に熱応力が集中するのを防止することができる。従って、使用状況下の温度変化により、半田17が破損してしまうのを防止することができる。
【0030】
第3に、凹部16の側面および底面に凹凸を設けることにより、凹部16の側面および底面の表面積を増大させることができる。このことから、半田17とヒートシンク13との接触面積を更に増大させることができる。従って、半導体素子14Aから発生する熱を効率的に外部に放出させることができる。
【0031】
(混成集積回路装置の製造方法を説明する第2の実施の形態)
図3〜図7を参照して、混成集積回路装置10の製造方法を説明する。本実施の形態では、次のような工程により混成集積回路装置10を製造する。即ち、表面に導電パターン12が設けられた基板11を用意する工程と、上面に凹部16が設けられたヒートシンク13を導電パターン12に固着する工程と、凹部に半田17を充填する工程と、半田17の表面に半導体素子14を載置する工程等で混成集積回路装置10は製造される。これらの各工程を以下にて説明する。
【0032】
第1工程:図3参照
本工程は、表面に導電パターン12が設けられた基板11を用意する工程である。図3(A)は表面に導電パターン12が設けられた基板11の斜視図であり、図3(B)は図3(A)の断面図である。
【0033】
図3(A)および図3(B)を参照して、基板11の表面には導電パターンが形成されている。基板11は、機械的強度・熱の伝導性・加工性に優れた材料から製造される。具体的には、樹脂製の基板、セラミック系の材料から成る基板および金属基板を採用することができる。ここで、金属基板を基板11として採用する場合は、表面に形成される導電パターン12との絶縁を行うために、基板11の表面には絶縁層を設ける。また、導電パターン12は、基板11の表面に形成される。また、導電パターン12は、配線、ダイパッド、ボンデングパッド等を基板11の表面に形成する。
【0034】
第2工程:図4参照
本工程は、導電パターン12上にヒートシンク13を固着する工程である。図4(A)は導電パターン12にヒートシンク13が固着された状態を示す斜視図であり、図4(B)は図4(A)の断面図である。
【0035】
図4(A)および図4(B)を参照して、基板11の表面に形成された導電パターン12にヒートシンク13を固着する。ヒートシンク13は、半田等のロウ材を介して導電パターン12により形成されたパッドに固着される。
【0036】
ここで、ヒートシンク13の構成について説明する。ヒートシンク13の上面には、凹部16が設けられている。凹部16の平面的な大きさは、後の工程で実装される半導体素子14Aの大きさよりも大きく形成されている。また、ここでは、凹部16の側面および底面は平滑に形成されている。更に、凹部16の側面および底面に凹凸を設けることも可能である。このことにより、凹部16の側面および底面の表面積を増大させることができる。
【0037】
本工程では、ヒートシンク13以外にも、その他の回路素子が導電パターン12に実装される。この回路素子14としては、半導体素子等の能動素子やチップ抵抗等の受動素子を全般的に採用することができる。これらの回路素子14は、半田等のロウ材を介して導電パターン12上に実装される。更に、複数個の回路素子を樹脂で封止した回路装置が、導電パターン12上に固着されても良い。
【0038】
第3工程:図5参照
本工程は、ヒートシンク13の凹部に半田17を充填する工程である。図5はヒートシンク13の凹部16に半田17が充填された状態を示す断面図である。
【0039】
図5を参照して、ヒートシンク13の凹部17に、融解して半田17を充填する。半田17は、凹部16に充填しても固化せず、液状の状態で保持されている。この状態で、次工程を行う。
【0040】
第4工程:図6参照
本工程は、半田17の表面に半導体素子14を載置する工程である。図6は、真空コレット20を用いて、半導体素子14Aを半田17の表面に実装する状態を示す断面図である。
【0041】
図6を参照して、先ず、真空コレット20により半導体素子14Aの上面を吸着する。次に、吸着コレット20を移動させることにより、半田17の上部まで半導体素子14Aを輸送する。そして、凹部16に充填された半田17の表面に、半導体素子14Aを載置する。本工程に於いては、半田17は液体の状態である。従って、真空コレット20を用いて半導体素子14Aを実装領域に載置しても、半導体素子14Aに作用する押圧力は非常に小さい。また、半田17が硬化するまでは、半導体素子14Aは半田17の表面に浮いた状態になる。
【0042】
半導体素子14Aの材料であるシリコンは、接続面が各種処理されていることから、半田の濡れ性が一様でない。このことから、半導体素子14Aの裏面と半田との間に、気泡が介在する場合がある。本発明では、ヒートシンク13の凹部16に貯留された半田17の表面に、半導体素子14Aを載置するのみである。即ち、真空コレット20により、半導体素子14Aに過大な押圧力を加えない。従って、半導体素子14Aの裏面と半田との間に気泡が介在した場合でも、気泡の平面的な面積はそれほど大きくならない。
【0043】
上記した工程の後に、金属細線15をワイヤボンドする工程、回路を封止する工程およびリードを形成する工程等で、混成集積回路装置10は製品として完成する。
【0044】
本実施の形態により、以下に示すような効果を奏することができる。
【0045】
第1に、半導体素子14Aをヒートシンク13に実装する工程に於いて、凹部16に充填された液状の半田17の表面に、真空コレット20を用いて半導体素子14Aを実装している。従って、ヒートシンク13の縦方向の位置に多少の誤差が生じても、凹部16に充填された半田17が緩衝領域となるので、半導体素子14Aが破損してしまうのを防止することができる。
【0046】
第2に、半導体素子14Aをヒートシンク13に実装する工程に於いて、真空コレット20により半導体素子14Aに作用する押圧力が小さい。従って、半導体素子14Aと半田17との間に気泡が介在した場合でも、気泡が変形することに起因して、気泡の面的な大きさが大きくなってしまうのを防止することができる。このことから、変形した気泡により、半導体素子14Aの過渡熱抵抗が上昇してしまうのを防止することができる。更に、半田17の抵抗値が上昇するのを防止することができる。
【0047】
【発明の効果】
本発明では、以下に示すような効果を奏することができる。
【0048】
第1に、ヒートシンク13の上面に設けた凹部16に半田17を形成することにより、凹部16の底面および側面と半田17とが接触することになる。従って、半田17とヒートシンク13とが接触する面積が増大するので、半導体素子14Aから発生する熱を効率的にヒートシンク13に伝導させることができる。このことから、半導体素子14Aから発生する熱を外部に効率的に放散させることができる。
【0049】
第2に、ヒートシンク13の上面に設けた凹部16に半田17を形成することにより、半田17の厚さを、有る程度の厚みを持って一定にすることができる。混成集積回路装置10の使用状況下に於いて、半導体素子14Aおよびヒートシンク13の温度が上昇すると、両者の熱膨張係数の違いから、接続部である半田17には熱応力が発生する。本発明では、半田17の厚みを確保することができるので、半田17に熱応力が集中するのを防止することができる。従って、使用状況下の温度変化により、半田17が破損してしまうのを防止することができる。
【0050】
第3に、凹部16の側面および底面に凹凸を設けることにより、凹部16の側面および底面の表面積を増大させることができる。このことから、半田17とヒートシンク13との接触面積を更に増大させることができる。従って、半導体素子14Aから発生する熱を効率的に外部に放出させることができる。
【0051】
第4に、半導体素子14Aをヒートシンク13に実装する工程に於いて、凹部16に充填された液状の半田17の表面に、真空コレット20を用いて半導体素子14Aを実装している。従って、ヒートシンク13の縦方向の位置に多少の誤差が生じても、凹部16に充填された半田17が緩衝領域となるので、半導体素子14Aが破損してしまうのを防止することができる。
【0052】
第5に、半導体素子14Aをヒートシンク13に実装する工程に於いて、真空コレット20により半導体素子14Aに作用する押圧力が小さい。従って、半導体素子14Aと半田17との間に気泡が介在した場合でも、気泡が変形することに起因して、気泡の面的な大きさが大きくなってしまうのを防止することができる。このことから、変形した気泡により、半導体素子14Aの過渡熱抵抗が上昇してしまうのを防止することができる。更に、半田17の抵抗値が上昇するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の混成集積回路装置の斜視図(A)、断面図(B)である。
【図2】本発明の混成集積回路装置の斜視図(A)、断面図(B)である。
【図3】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図(A)、断面図(B)である。
【図4】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図(A)、断面図(B)である。
【図5】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図6】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図7】従来の混成集積回路装置の斜視図(A)、断面図(B)である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a hybrid integrated circuit device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a hybrid integrated circuit device having a heat sink with improved heat dissipation effect and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Referring to FIG. 7, the configuration of a conventional hybrid integrated circuit device 30 will be described. 7A is a perspective view of the hybrid integrated circuit device 30, and FIG. 7B is a cross-sectional view of FIG.
[0003]
Referring to FIGS. 7A and 7B, a conventional hybrid integrated circuit device 30 has the following configuration. A rectangular substrate 31, a conductive pattern 32 provided on the surface of the substrate 31, a circuit element 34 fixed on the conductive pattern 32, a fine metal wire 35 for electrically connecting the circuit element 34 and the conductive pattern 32, and the like. Thus, the hybrid integrated circuit device 30 is configured. Then, the hybrid integrated circuit formed on the surface of the circuit board 31 is sealed with an insulating resin or a case material to provide the hybrid integrated circuit device 30 as a product.
[0004]
When a power semiconductor element 34A was employed as the circuit element 34, a heat sink 33 was provided in order to efficiently conduct heat released from the semiconductor element 34A to the substrate 31. That is, the semiconductor element 34A is mounted on the upper surface of the heat sink 33 fixed to the conductive pattern 32 via solder.
[0005]
The mounting of the semiconductor element 34A on the upper surface of the heat sink 33 has been performed using a vacuum collet (not shown). Then, in order to perform the soldering satisfactorily, when mounting the semiconductor element 34A, the vacuum collet adsorbing the semiconductor element 34A is moved in a plane. The operation of removing the bubbles contained in the solder by bringing the back surface of the semiconductor element 34A into contact with the solder and then moving the semiconductor element 34A two-dimensionally in this manner is called scribing.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described hybrid integrated circuit device and its manufacturing method have the following problems.
[0007]
First, the thickness of the solder that electrically and thermally couples the semiconductor element 34A and the heat sink 33 may not be constant. From this, when the temperature of the semiconductor element 34A and the heat sink 33 increased under the use condition of the hybrid integrated circuit device, local thermal stress was applied to the solder due to the difference in thermal expansion coefficient between the two. . For this reason, there was a problem that the
[0008]
Second, when the semiconductor element 34A is mounted on the upper surface of the heat sink 33 using a vacuum collet, the vacuum collet may excessively push the semiconductor element 34A downward. In such a case, the semiconductor element 34A may be broken by the vacuum collet.
[0009]
Third, when the semiconductor element 34A is mounted on the upper surface of the heat sink 33 using the vacuum collet, bubbles interposed between the back surface of the semiconductor element 34A and the solder are crushed, and the planar size of the bubbles is reduced. Was getting bigger. As a result, the proportion of the bubbles in the planar cross section of the solder has increased. For this reason, there is a problem that the transient thermal resistance of the semiconductor element 34A becomes large. For the same reason, in the planar cross section of the solder, the area through which the current can pass becomes small, and there is a problem that the resistance value of the solder increases.
[0010]
The present invention has been made in view of the above problems. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a primary object of the present invention to provide a hybrid integrated circuit device having a heat sink for effectively transferring heat emitted from a semiconductor device, and a method of manufacturing the same.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The present invention firstly includes a substrate, a conductive pattern formed on the surface of the substrate, a heat sink fixed to the conductive pattern, and a semiconductor element mounted on the upper surface of the heat sink via solder. In the hybrid integrated circuit device, a concave portion is provided on an upper surface of the heat sink, the solder is provided so as to contact a bottom surface and a side surface of the concave portion, and the semiconductor element is mounted on the upper surface of the solder.
[0012]
Secondly, the present invention is characterized in that the planar size of the concave portion is larger than the planar size of the semiconductor element.
[0013]
Thirdly, the present invention is characterized by further increasing the area of contact between the solder and the heat sink by providing irregularities on the bottom surface and side surfaces of the concave portion.
[0014]
Fourth, the present invention provides a step of preparing a substrate having a conductive pattern provided on a surface thereof, a step of fixing a heat sink having a concave part formed on the upper surface to the conductive pattern, and a step of filling the concave part with solder. Mounting a semiconductor element on the surface of the solder.
[0015]
Fifthly, in the step of mounting the semiconductor element on the surface of the solder, the semiconductor element is mounted using a vacuum collet, and the heat sink is mounted even when the vacuum collet is excessively lowered. The semiconductor element is not damaged by the solder filled in the concave portion serving as a buffer region.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(First Embodiment Explaining Hybrid Integrated Circuit Device 1)
Referring to FIG. 1, the configuration of a hybrid integrated circuit device 10 according to the present invention will be described. FIG. 1A is a perspective view of the hybrid integrated circuit device 1, and FIG. 1B is a cross-sectional view of FIG.
[0017]
Referring to FIGS. 1A and 1B, the structure of the hybrid integrated circuit device 10 will be described. The hybrid integrated circuit device 10 has the following configuration. That is, the hybrid integrated circuit device 10 includes a
[0018]
The
[0019]
The
[0020]
As the circuit element 14, an active element such as a semiconductor element or a passive element such as a chip resistor can be generally employed. These circuit elements 14 are mounted on the
[0021]
The semiconductor element 14A employed as the circuit element 14 is a power element that generates a large amount of heat. Therefore, the semiconductor element 14A is mounted on the upper surface of the heat sink fixed to the
[0022]
The structure of the
[0023]
With reference to FIG. 2A, the structure of the
[0024]
A
[0025]
A cross section of the
[0026]
In addition to the components of the hybrid integrated circuit device 10 described above, the following components may be added. That is, leads serving as input / output terminals can be connected to the pads formed by the
[0027]
With the configuration of the hybrid integrated circuit device 10 described above, the following effects can be obtained.
[0028]
First, by forming the
[0029]
Second, by forming the
[0030]
Third, by providing irregularities on the side surface and the bottom surface of the
[0031]
(Second Embodiment Explaining Method for Manufacturing Hybrid Integrated Circuit Device)
A method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 10 will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the hybrid integrated circuit device 10 is manufactured by the following steps. That is, a step of preparing a
[0032]
First Step: See FIG. 3 This step is a step of preparing a
[0033]
Referring to FIGS. 3A and 3B, a conductive pattern is formed on the surface of
[0034]
Second Step: See FIG. 4 This step is a step of fixing the
[0035]
Referring to FIGS. 4A and 4B,
[0036]
Here, the configuration of the
[0037]
In this step, other circuit elements besides the
[0038]
Third Step: See FIG. 5 This step is a step of filling the recesses of the
[0039]
Referring to FIG. 5,
[0040]
Fourth Step: See FIG. 6 This step is a step of placing the semiconductor element 14 on the surface of the
[0041]
Referring to FIG. 6, first, the upper surface of semiconductor element 14A is sucked by vacuum collet 20. Next, the semiconductor element 14A is transported to the upper part of the
[0042]
Silicon, which is a material of the semiconductor element 14A, has uneven solder wettability because the connection surface is subjected to various treatments. For this reason, bubbles may intervene between the back surface of the semiconductor element 14A and the solder. In the present invention, only the semiconductor element 14A is mounted on the surface of the
[0043]
After the above-described steps, the hybrid integrated circuit device 10 is completed as a product by a step of wire bonding the
[0044]
According to the present embodiment, the following effects can be obtained.
[0045]
First, in the step of mounting the semiconductor element 14A on the
[0046]
Second, in the step of mounting the semiconductor element 14A on the
[0047]
【The invention's effect】
According to the present invention, the following effects can be obtained.
[0048]
First, by forming the
[0049]
Second, by forming the
[0050]
Third, by providing irregularities on the side surface and the bottom surface of the
[0051]
Fourth, in the step of mounting the semiconductor element 14A on the
[0052]
Fifth, in the step of mounting the semiconductor element 14A on the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view (A) and a cross-sectional view (B) of a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view (A) and a cross-sectional view (B) of the hybrid integrated circuit device of the present invention.
3A and 3B are a perspective view (A) and a sectional view (B) illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention.
4A and 4B are a perspective view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 7 is a perspective view (A) and a cross-sectional view (B) of a conventional hybrid integrated circuit device.
Claims (5)
前記ヒートシンクの上面に凹部を設け、前記凹部の底面および側面に接触するように前記半田を設け、前記半田の上面に前記半導体素子を実装したことを特徴とする混成集積回路装置。In a hybrid integrated circuit device having a substrate, a conductive pattern formed on a surface of the substrate, a heat sink fixed to the conductive pattern, and a semiconductor element mounted on the upper surface of the heat sink via solder,
A hybrid integrated circuit device, wherein a concave portion is provided on an upper surface of the heat sink, the solder is provided so as to contact a bottom surface and a side surface of the concave portion, and the semiconductor element is mounted on an upper surface of the solder.
上面に凹部が設けられたヒートシンクを前記導電パターンに固着する工程と、
前記凹部に半田を充填する工程と、
前記半田の表面に半導体素子を載置する工程とを有することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A step of preparing a substrate provided with a conductive pattern on the surface,
Fixing a heat sink provided with a concave portion on the upper surface to the conductive pattern,
Filling the recesses with solder,
Mounting a semiconductor element on the surface of the solder.
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JP2008124158A (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Insulating substrate, its manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method |
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2002
- 2002-07-12 JP JP2002203955A patent/JP2004047782A/en active Pending
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