JP2004047458A - Electroluminescence display - Google Patents

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JP2004047458A
JP2004047458A JP2003145814A JP2003145814A JP2004047458A JP 2004047458 A JP2004047458 A JP 2004047458A JP 2003145814 A JP2003145814 A JP 2003145814A JP 2003145814 A JP2003145814 A JP 2003145814A JP 2004047458 A JP2004047458 A JP 2004047458A
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Japan
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organic
insulating substrate
display device
heat conductive
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Kiyoshi Yoneda
米田　清
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroluminescence display which prevents damage to an organic EL element, and prevents degradation of the element performance due to temperature rise by improving heat-dissipation. <P>SOLUTION: An organic EL panel comprises a device glass board 1 on the surface of which the organic EL element is mounted, a sealing glass board 5 laminated to the device glass board 1 through a sealing resin 4, and a desiccant layer 8 formed on the surface of the sealing glass board 5, wherein heat-conductive spacers 9 are provided between a cathode layer 2 of the organic EL element and the desiccant layer 8. A heat-conductive layer 7 is formed on the surface of the sealing glass board 5 including a pocket 6. The heat-conductive layer 7 may be formed as a metal layer such as a chromium or aluminum layer by vapor-depositing or sputtering. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、「有機ＥＬ」と称する。）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ素子は湿気に弱いため、有機ＥＬ表示パネルでは、乾燥剤が塗布された金属キャップやガラスキャップで蓋をして、湿気の浸入を防止していた。図５はそのような従来例のＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。デバイスガラス基板１００は、その表面に多数の有機ＥＬ素子（不図示）が形成された表示領域を有している。そして、表示領域の全面は有機ＥＬ素子のカソード層１０１によって被覆されている。カソード層１０１は例えばアルミニウム層で形成されている。また、デバイスガラス基板１００の裏面には偏向板１０２が装着されている。
【０００４】
そして、上記構成のデバイスガラス基板１００は、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１０３を用いて、封止ガラス基板１０４と貼り合わされている。封止ガラス基板１０４には、上記表示領域に対応した領域に凹部（以下、ポケット部１０５という）がエッチングによって形成され、このポケット部１０５に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層１０６が塗布されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の封止構造の有機ＥＬパネルでは、外力により、デバイスガラス基板１００あるいは、封止ガラス基板１０４に撓みが生じ、有機ＥＬ素子が乾燥剤層１０６に接触し、カソード層１０１やその下層の有機発光材料層が損傷を受けるおそれがあった。
【０００６】
また、有機ＥＬ素子は自発光素子であり、発光時に発熱する。すると、有機ＥＬ素子が形成されたガラス基板の温度が上昇する。ところが、上記従来の封止構造では放熱性が悪いために、温度上昇が急激に起こり、例えば６０°Ｃ以上に温度が上昇すると、有機ＥＬ素子の発光有機材料の劣化が起こり、その寿命が低下してしまうという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した従来技術の課題に鑑みてなされたものであり、第１の絶縁性基板と、前記絶縁性基板の表面に形成されたエレクトロルミネッセンス素子と、前記第１の絶縁性基板の表面に対向して貼り合わされた第２の絶縁性基板と、前記第２の絶縁性基板の前記第１の絶縁性基板に対向する面に形成された乾燥剤層と、前記エレクトロルミネッセンス素子と前記乾燥剤層との間隙に挿入された複数のスペーサと、を有することを特徴とする。
【０００８】
係る構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子と乾燥剤層との間隙に複数のスペーサを挿入したので、エレクトロルミネッセンス素子と乾燥剤層とが接触して、エレクトロルミネッセンス素子（カソード層を含む）の損傷が防止される。また、スペーサに熱伝導性を持たせることで、エレクトロルミネッセンス素子が発生する熱を外部に放熱する作用が得られ、これによりエレクトロルミネッセンス素子の劣化を防止することもできる。
【０００９】
また上記構成に加えて、前記第２の絶縁性基板の表面に熱伝導層が形成され、該熱伝導層上に前記乾燥剤層が形成されていることを特徴とする。係る構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子からの熱は、熱伝導性を有するスペーサ及び熱伝導層を介して、第２の絶縁性基板側へすみやかに放熱される。これによりエレクトロルミネッセンス素子の温度上昇が抑制され、素子特性の劣化が防止される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
図１は本発明の実施の形態に係るエレクトロルミネッセンス装置を示す平面図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ線における断面図である。
【００１２】
デバイスガラス基板１は、その表面に多数の有機ＥＬ素子（不図示）が形成された表示領域を有している。その厚みは、０．７ｍｍ程度である。この表示領域は、複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素毎に有機ＥＬ素子が配置されている。そのような画素の詳細な構造については後述する。
【００１３】
そして、表示領域の全面は有機ＥＬ素子のカソード層２によって被覆されている。カソード層２は例えばアルミニウム層で形成されている。また、デバイスガラス基板１の裏面には偏向板３が装着されている。
【００１４】
上記構成のデバイスガラス基板１は、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂４を用いて、封止ガラス基板５と貼り合わされている。封止ガラス基板５の厚みは、０．７ｍｍ程度である。封止ガラス基板５には、上記表示領域に対応した領域に凹部（以下、ポケット部６という）がエッチングによって形成されている。ポケット部６の深さは、０．３ｍｍ程度である。
【００１５】
そして、ポケット部６を含む封止ガラス基板５の表面には、熱伝導層７が形成されている。熱伝導層７は、クロム層やアルミニウム層等の金属層を蒸着あるいはスパッタにより形成することができる。その厚みは、クロム層の場合で１００μｍ程度が好ましい。
【００１６】
前記シール樹脂４は封止ガラス基板５のポケット部６の周辺部とデバイスガラス基板１の端部との間に挟まれるように形成され、両基板を接着し、封止している。
【００１７】
熱伝導層７上のポケット部６には、水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層８が塗布されている。乾燥剤層８は例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部６の底部に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させることで形成される。
【００１８】
そして、有機ＥＬ素子のカソード層２と乾燥剤層８との間の間隙に、複数の熱伝導性スペーサ９が挿入されている。熱伝導性スペーサ９の材料としては、金属が好ましいが、特に軟らかい金属が好ましく、例えばインジウムが適している。また、複数の熱伝導性スペーサ９の形状は球状であることが好ましい。
【００１９】
複数の熱伝導性スペーサ９は、有機ＥＬ素子のカソード層２と乾燥剤層８との間に嵌入されていてもよいし、遊嵌されていてもよい。すなわち、複数の熱伝導性スペーサ９は、貼り合わされたデバイスガラス基板１あるいは封止ガラス基板５に外力が加わった時に、有機ＥＬ素子のカソード層２と乾燥剤層８との間隔を保つと共に、外力から有機ＥＬ素子を保護するための緩衝材として機能すればよい。
【００２０】
上記構成によれば、有機ＥＬ素子のカソード層２と乾燥剤層との間に複数の熱伝導性スペーサ９を設けたので、有機ＥＬ素子と乾燥剤層８とが接触して、有機ＥＬ素子（カソード層２を含む）の損傷が防止される。また、複数の熱伝導性スペーサ９は、有機ＥＬ素子が発生する熱を外部に放熱する作用があるので、有機ＥＬ素子の劣化を防止することもできる。
【００２１】
また、封止ガラス基板５に熱伝導層７を設けたので、有機ＥＬ素子からの熱はカソード層２、熱伝導性スペーサ９、熱伝導層７を経由して、封止ガラス基板５の側へすみやかに放熱される。これにより有機ＥＬ素子の温度上昇が抑制され、素子特性の劣化が防止される。
【００２２】
なお、上記実施形態において、ポケット部６を設けた上で、さらに熱伝導性スペーサ９を設ける構造を示した。ポケット部６を設けたことにより、有機ＥＬ素子と乾燥剤層８との間隔が広くなり、両者がより接触しにくくなる利点がある。しかし、本発明はこれに限られず、ポケット部６を設けずに、複数の熱伝導性スペーサ９のみを設けてもよい。
【００２３】
また、複数の熱伝導性スペーサ９及び熱伝導層７を設けることにより、放熱性が高まるが、熱伝導層７を設けず、複数の熱伝導性スペーサ９のみを形成した構造でも、ある程度の放熱性の向上が期待できる。
【００２４】
また上記実施形態では、デバイスガラス基板１と封止ガラス基板５とがシール樹脂４によって封止されているが、シール樹脂４を用いずに封止することもできる。例えば、デバイスガラス基板１と封止ガラス基板５とが互いに接着される部分をレーザー照射により加熱溶融させ、その状態で両基板を溶着し、その後両基板が冷却されることで固着される。この場合、デバイスガラス基板１と封止ガラス基板５の中、少なくとも一方の基板が加熱溶融されていれば、他方の基板と接着することができる。また、デバイスガラス基板１あるいは封止ガラス基板５を加熱溶融するのではなく、それらの基板の間に加熱によって溶融する部材を挿入し、これを加熱溶融することで、両基板を間接的に溶着することも可能である。
【００２５】
また、複数の熱伝導性スペーサ９に限らず、その代わりに、熱伝導性の低い材料、例えば非金属から成る複数のスペーサを利用しても、スペーサとしての効果が得られる。すなわち、貼り合わされたデバイスガラス基板１あるいは封止ガラス基板５に外力が加わった時に、有機ＥＬ素子のカソード層２と乾燥剤層８との間隔を保つと共に、外力から有機ＥＬ素子を保護するという効果が得られる。
【００２６】
次に、上記実施の形態に共通に適用されるＥＬ表示装置の表示画素の構成例について説明する。
【００２７】
図３に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図を示し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図４（ｂ）に図３中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２８】
図３及び図４に示すように、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素１１５が形成されており、マトリクス状に配置されている。
【００２９】
この表示画素１１５には、自発光素子である有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ素子６０は、第１の電極であるアノード層６１と、発光材料からなる発光素子層と、第２の電極であるカソード層６５とから成っている。
【００３０】
即ち、両信号線５１，５２の交点付近にはスイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴ４０のソース４３ｓは有機ＥＬ素子６０のアノード層６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源である駆動電源線５３に接続されている。
【００３１】
また、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介してＴＦＴ３０のソース３３ｓと接続された容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【００３２】
図４に示すように、有機ＥＬ表示装置は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトップゲート構造である。ただし、トップゲート構造に限らず、ゲート電極上に能動層が重なる、いわゆるボトムゲート構造でもよい。
【００３３】
まず、スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０について説明する。
【００３４】
図４（ａ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。その上に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体をゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３が配置されている。
【００３５】
そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層３３上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７が形成されている。
【００３６】
次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０について説明する。図４（ｂ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えている。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子のアノード層６１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。このアノード層６１は各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
【００３７】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極から成るアノード層６１、ＭＴＤＡＴＡ（４，４−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）から成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）
ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ２から成る電子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成るカソード層６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００３８】
有機ＥＬ素子６０は、アノード層６１から注入されたホールと、カソード層６５から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明なアノード層６１から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子と乾燥剤層との間に複数のスペーサを設けたので、エレクトロルミネッセンス素子と乾燥剤層とが接触して、エレクトロルミネッセンス素子（カソード層を含む）の損傷が防止される。また係る複数のスペーサは、熱伝導性を有していれば、エレクトロルミネッセンス素子が発生する熱を外部に放熱する作用が生じるので、エレクトロルミネッセンス素子の劣化を防止することもできる。
【００４０】
また上記構成に加えて、前記第２の絶縁性基板の表面に熱伝導層が形成され、該熱伝導層上に前記乾燥剤層が形成されているので、エレクトロルミネッセンス素子からの熱は、複数の熱伝導性のスペーサ及び熱伝導層を介して、第２の絶縁性基板側へすみやかに放熱される。これにより、エレクトロルミネッセンス素子の温度上昇が抑制され、素子特性の劣化が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図である。
【図４】有機ＥＬ表示装置の表示画素の断面図である。
【図５】従来例に係るエレクトロルミネッセンス装置の断面図である。
【符号の説明】
１　デバイスガラス基板　　２　カソード層　　　　　　３　偏向板
４　シール樹脂　　　　　　５　封止ガラス基板　　　　６　ポケット部
７　熱伝導層　　　　　　　８　乾燥剤層　　　　　　　９　熱伝導性スペーサ
１０　絶縁性基板　　　　　１２　ゲート絶縁膜　　　　１５　層間絶縁膜
１７　平坦化絶縁膜　　　　３０　スイッチング用ＴＦＴ
３１　ゲート電極　　　　　３２　ゲート絶縁膜　　　　３３　能動層
３６　ドレイン電極　　　　４０　駆動用ＴＦＴ　　　　４１　ゲート電極
４３　能動層　　　　　　　５１　ゲート信号線　　　　５２　ドレイン信号線
５３　駆動電源線　　　　　５４　保持容量電極線　　　５５　容量電極
５６　保持容量　　　　　　６０　有機ＥＬ素子　　　　６１　アノード層
６２　ホール輸送層　　　　６３　発光層　　　　　　　６４　電子輸送層
６５　カソード層　　　　　１００　デバイスガラス基板
１０１　カソード層　　　　１０２　偏向板　　　　　　１０３　シール樹脂
１０４　封止ガラス基板　　１０５　ポケット部　　　　１０６　乾燥剤層
１１５　表示画素[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroluminescent display device.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, an organic EL display device using an organic electroluminescence (hereinafter referred to as “organic EL”) element has attracted attention as a display device replacing a CRT or an LCD.
[0003]
Generally, since the organic EL element is sensitive to moisture, the organic EL display panel is covered with a metal cap or a glass cap coated with a desiccant to prevent moisture from entering. FIG. 5 is a sectional view showing the structure of such a conventional EL display panel. The device glass substrate 100 has a display area on the surface of which a large number of organic EL elements (not shown) are formed. The entire surface of the display area is covered with the cathode layer 101 of the organic EL element. The cathode layer 101 is formed of, for example, an aluminum layer. On the back surface of the device glass substrate 100, a deflecting plate 102 is mounted.
[0004]
The device glass substrate 100 having the above configuration is bonded to the sealing glass substrate 104 by using a sealing resin 103 made of an epoxy resin or the like. In the sealing glass substrate 104, a concave portion (hereinafter, referred to as a pocket portion 105) is formed by etching in a region corresponding to the display region, and a desiccant layer 106 for absorbing moisture such as moisture is formed in the pocket portion 105. It has been applied.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional organic EL panel having a sealing structure, the device glass substrate 100 or the sealing glass substrate 104 is bent by an external force, and the organic EL element comes into contact with the desiccant layer 106 and the cathode layer 101 or There was a possibility that the organic light-emitting material layer thereunder was damaged.
[0006]
The organic EL element is a self-luminous element and generates heat when emitting light. Then, the temperature of the glass substrate on which the organic EL element is formed rises. However, in the above-described conventional sealing structure, the heat dissipation is poor, so that the temperature rises sharply. For example, if the temperature rises to 60 ° C. or more, the light emitting organic material of the organic EL element is deteriorated, and the life is shortened. There was a problem of doing it.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above-described problems of the related art, and has a first insulating substrate, an electroluminescent element formed on a surface of the insulating substrate, and a first insulating substrate. A second insulating substrate bonded to the front surface, a desiccant layer formed on a surface of the second insulating substrate facing the first insulating substrate, the electroluminescent element, And a plurality of spacers inserted in gaps between the desiccant layer and the desiccant layer.
[0008]
According to this configuration, since the plurality of spacers are inserted into the gap between the electroluminescent element and the desiccant layer, the electroluminescent element and the desiccant layer come into contact with each other, and damage to the electroluminescent element (including the cathode layer) is prevented. Is prevented. In addition, by providing the spacer with thermal conductivity, an effect of radiating heat generated by the electroluminescent element to the outside can be obtained, thereby preventing deterioration of the electroluminescent element.
[0009]
In addition to the above configuration, a heat conductive layer is formed on a surface of the second insulating substrate, and the desiccant layer is formed on the heat conductive layer. According to such a configuration, heat from the electroluminescent element is quickly radiated to the second insulating substrate via the heat conductive spacer and the heat conductive layer. Thereby, the temperature rise of the electroluminescent element is suppressed, and the deterioration of the element characteristics is prevented.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0011]
FIG. 1 is a plan view showing an electroluminescence device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG.
[0012]
The device glass substrate 1 has a display area on the surface of which a large number of organic EL elements (not shown) are formed. Its thickness is about 0.7 mm. In this display area, a plurality of pixels are arranged in a matrix, and an organic EL element is arranged for each pixel. The detailed structure of such a pixel will be described later.
[0013]
The entire surface of the display area is covered with the cathode layer 2 of the organic EL element. The cathode layer 2 is formed of, for example, an aluminum layer. A deflection plate 3 is mounted on the back surface of the device glass substrate 1.
[0014]
The device glass substrate 1 having the above configuration is bonded to a sealing glass substrate 5 using a sealing resin 4 made of an epoxy resin or the like. The thickness of the sealing glass substrate 5 is about 0.7 mm. In the sealing glass substrate 5, a concave portion (hereinafter, referred to as a pocket portion 6) is formed by etching in a region corresponding to the display region. The depth of the pocket 6 is about 0.3 mm.
[0015]
Then, a heat conductive layer 7 is formed on the surface of the sealing glass substrate 5 including the pocket portion 6. The heat conductive layer 7 can be formed by depositing or sputtering a metal layer such as a chromium layer or an aluminum layer. The thickness of the chromium layer is preferably about 100 μm.
[0016]
The sealing resin 4 is formed so as to be sandwiched between a peripheral portion of the pocket portion 6 of the sealing glass substrate 5 and an end portion of the device glass substrate 1, and adheres and seals both substrates.
[0017]
A desiccant layer 8 for absorbing moisture such as moisture is applied to the pocket 6 on the heat conductive layer 7. The desiccant layer 8 is formed by, for example, applying powdered calcium oxide, barium oxide, or the like, and a resin as an adhesive in a state of being dissolved in a solvent, applying the resin to the bottom of the pocket portion 6, and further performing UV irradiation or heat treatment. It is formed by curing.
[0018]
Then, a plurality of heat conductive spacers 9 are inserted into the gap between the cathode layer 2 and the desiccant layer 8 of the organic EL element. As a material of the heat conductive spacer 9, a metal is preferable, but a soft metal is particularly preferable. For example, indium is suitable. Further, the shape of the plurality of heat conductive spacers 9 is preferably spherical.
[0019]
The plurality of heat conductive spacers 9 may be fitted between the cathode layer 2 and the desiccant layer 8 of the organic EL element, or may be loosely fitted. That is, when an external force is applied to the bonded device glass substrate 1 or the sealing glass substrate 5, the plurality of heat conductive spacers 9 maintain the distance between the cathode layer 2 and the desiccant layer 8 of the organic EL element, and What is necessary is just to function as a cushioning material for protecting the organic EL element from external force.
[0020]
According to the above configuration, since the plurality of heat conductive spacers 9 are provided between the cathode layer 2 and the desiccant layer of the organic EL element, the organic EL element and the desiccant layer 8 come into contact with each other and the organic EL element (Including the cathode layer 2) is prevented from being damaged. Further, since the plurality of heat conductive spacers 9 have a function of radiating heat generated by the organic EL element to the outside, deterioration of the organic EL element can be prevented.
[0021]
In addition, since the heat conductive layer 7 is provided on the sealing glass substrate 5, heat from the organic EL element passes through the cathode layer 2, the heat conductive spacer 9, and the heat conductive layer 7 to the side of the sealing glass substrate 5. Heat is dissipated quickly. As a result, the temperature rise of the organic EL element is suppressed, and deterioration of the element characteristics is prevented.
[0022]
In the above embodiment, the structure in which the pocket portion 6 is provided and the heat conductive spacer 9 is further provided has been described. The provision of the pocket portion 6 has an advantage that the distance between the organic EL element and the desiccant layer 8 is increased, and the two are less likely to be in contact with each other. However, the present invention is not limited to this, and only the plurality of heat conductive spacers 9 may be provided without providing the pocket portion 6.
[0023]
Further, by providing the plurality of heat conductive spacers 9 and the heat conductive layer 7, heat dissipation is improved. However, even if the heat conductive layer 7 is not provided and only the plurality of heat conductive spacers 9 are formed, a certain amount of heat radiation is achieved. The improvement of the property can be expected.
[0024]
Further, in the above embodiment, the device glass substrate 1 and the sealing glass substrate 5 are sealed with the sealing resin 4, but the sealing may be performed without using the sealing resin 4. For example, a portion where the device glass substrate 1 and the sealing glass substrate 5 are bonded to each other is heated and melted by laser irradiation, the two substrates are welded in that state, and then the two substrates are cooled and fixed. In this case, if at least one of the device glass substrate 1 and the sealing glass substrate 5 is heated and melted, it can be bonded to the other substrate. Also, instead of heating and melting the device glass substrate 1 or the sealing glass substrate 5, a member that is melted by heating is inserted between the substrates, and the two substrates are indirectly welded by heating and melting. It is also possible.
[0025]
Further, the effect as a spacer can be obtained by using not only the plurality of heat conductive spacers 9 but also a plurality of spacers made of a material having low heat conductivity, for example, a nonmetal. That is, when an external force is applied to the bonded device glass substrate 1 or the sealing glass substrate 5, the distance between the cathode layer 2 of the organic EL element and the desiccant layer 8 is maintained, and the organic EL element is protected from the external force. The effect is obtained.
[0026]
Next, a configuration example of a display pixel of an EL display device which is commonly applied to the above embodiments will be described.
[0027]
FIG. 3 is a plan view showing the vicinity of a display pixel of the organic EL display device, FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3, and FIG. FIG. 3 shows a cross-sectional view along the line BB.
[0028]
As shown in FIGS. 3 and 4, display pixels 115 are formed in a region surrounded by a gate signal line 51 and a drain signal line 52, and are arranged in a matrix.
[0029]
The display pixel 115 includes an organic EL element 60 which is a self-luminous element, a switching TFT 30 for controlling timing for supplying a current to the organic EL element 60, and a driving TFT 40 for supplying a current to the organic EL element 60. , And a storage capacitor. The organic EL element 60 includes an anode layer 61 serving as a first electrode, a light emitting element layer made of a light emitting material, and a cathode layer 65 serving as a second electrode.
[0030]
That is, a first TFT 30 which is a switching TFT is provided near the intersection of the two signal lines 51 and 52, and the source 33 s of the TFT 30 has a capacitance electrode 55 forming a capacitance with the storage capacitance electrode line 54. The second TFT 40 serves as an EL element driving TFT, and is connected to the gate 41 of the second TFT 40. The source 43s of the second TFT 40 is connected to the anode layer 61 of the organic EL element 60, and the other drain 43d is connected to the organic EL element. It is connected to a drive power supply line 53 which is a current source supplied to the element 60.
[0031]
Further, a storage capacitor electrode line 54 is arranged in parallel with the gate signal line 51. The storage capacitor electrode line 54 is made of chromium or the like, and forms a capacitor by storing charge between the capacitor electrode 55 connected to the source 33 s of the TFT 30 via the gate insulating film 12. The storage capacitor 56 is provided to hold a voltage applied to the gate electrode 41 of the second TFT 40.
[0032]
As shown in FIG. 4, the organic EL display device is formed by sequentially laminating TFTs and organic EL elements on a substrate 10 made of glass, synthetic resin, or the like, a conductive substrate, or a semiconductor substrate. However, when a substrate having conductivity and a semiconductor substrate are used as the substrate 10, an insulating film such as SiO 2 or SiN is formed on the substrate 10, and then the first and second TFTs and the organic EL element are formed. Form. Each of the TFTs has a so-called top gate structure in which a gate electrode is located above an active layer via a gate insulating film. However, the present invention is not limited to the top gate structure, and may have a so-called bottom gate structure in which an active layer overlaps a gate electrode.
[0033]
First, the first TFT 30, which is a switching TFT, will be described.
[0034]
As shown in FIG. 4A, an amorphous silicon film (hereinafter, referred to as “a-Si film”) is formed on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass, or the like by a CVD method or the like. The polycrystalline silicon film (hereinafter, referred to as a “p-Si film”) is formed by irradiating a laser beam to the a-Si film to be melted and recrystallized to form an active layer 33. A single layer or a stack of a SiO 2 film and a SiN film is formed thereon as the gate insulating film 12. Further, a gate signal line 51 also serving as a gate electrode 31 made of a high melting point metal such as Cr and Mo and a drain signal line 52 made of Al are provided thereon. A power supply line 53 is provided.
[0035]
On the entire surface of the gate insulating film 12 and the active layer 33, an interlayer insulating film 15 is formed by stacking an SiO 2 film, a SiN film, and an SiO 2 film in this order, and a contact provided corresponding to the drain 33d. A drain electrode 36 having holes filled with a metal such as Al is provided, and a flattening insulating film 17 made of an organic resin and flattening the surface is further formed on the entire surface.
[0036]
Next, the second TFT 40 that is a driving TFT of the organic EL element will be described. As shown in FIG. 4B, on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass, or the like, an active layer 43 formed by irradiating an a-Si film with a laser beam and polycrystallizing the gate insulating film 12. , And a gate electrode 41 made of a refractory metal such as Cr or Mo. The active layer 43 is provided with a channel 43c and a source 43s and a drain 43d on both sides of the channel 43c. Then, an interlayer insulating film 15 is formed on the entire surface of the gate insulating film 12 and the active layer 43 in the order of the SiO 2 film, the SiN film, and the SiO 2 film. And a driving power supply line 53 connected to a driving power supply by filling a metal such as. Further, a flattening insulating film 17 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is provided on the entire surface. Then, a contact hole is formed at a position corresponding to the source 43s of the planarization insulating film 17, and a transparent electrode made of ITO, that is, the anode layer 61 of the organic EL element, which is in contact with the source 43s through the contact hole, is planarized. It is provided on the insulating film 17. The anode layer 61 is separately formed in an island shape for each display pixel.
[0037]
The organic EL element 60 includes an anode layer 61 made of a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide), a first hole transport layer made of MTDATA (4,4-bis (3-methylphenylphenylamino) biphenyl), and a TPD (4,4,4). 4-tris (3-methylphenylphenylamino)
a hole transport layer 62 composed of a second hole transport layer composed of triphenylyne, a light emitting layer 63 composed of Bebq2 (10-benzo [h] quinolinol-beryllium complex) containing a quinacridone derivative, and an electron transport layer 64 composed of Bebq2. , Magnesium-indium alloy or aluminum or a cathode layer 65 made of aluminum or aluminum alloy is laminated in this order.
[0038]
In the organic EL element 60, the holes injected from the anode layer 61 and the electrons injected from the cathode layer 65 are recombined inside the light emitting layer, and excite the organic molecules forming the light emitting layer to generate excitons. . Light is emitted from the light emitting layer in the process of radiation deactivation of the excitons, and the light is emitted from the transparent anode layer 61 to the outside through the transparent insulating substrate to emit light.
[0039]
【The invention's effect】
According to the present invention, since a plurality of spacers are provided between the electroluminescent element and the desiccant layer, the electroluminescent element and the desiccant layer come into contact with each other and damage to the electroluminescent element (including the cathode layer) is prevented. Is prevented. In addition, if the plurality of spacers have thermal conductivity, an action of radiating heat generated by the electroluminescent element to the outside occurs, so that deterioration of the electroluminescent element can be prevented.
[0040]
Further, in addition to the above configuration, a heat conductive layer is formed on the surface of the second insulating substrate, and the desiccant layer is formed on the heat conductive layer. The heat is quickly dissipated toward the second insulating substrate via the heat conductive spacer and the heat conductive layer. Thereby, the temperature rise of the electroluminescent element is suppressed, and the deterioration of the element characteristics is prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 3 is a plan view showing the vicinity of a display pixel of the organic EL display device.
FIG. 4 is a sectional view of a display pixel of the organic EL display device.
FIG. 5 is a cross-sectional view of an electroluminescent device according to a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Device glass substrate 2 Cathode layer 3 Deflector 4 Seal resin 5 Sealing glass substrate 6 Pocket part 7 Thermal conductive layer 8 Desiccant layer 9 Thermal conductive spacer 10 Insulating substrate 12 Gate insulating film 15 Interlayer insulating film 17 Planarization insulation Film 30 Switching TFT
REFERENCE SIGNS LIST 31 gate electrode 32 gate insulating film 33 active layer 36 drain electrode 40 driving TFT 41 gate electrode 43 active layer 51 gate signal line 52 drain signal line 53 drive power supply line 54 storage capacitor electrode line 55 capacitor electrode 56 storage capacitor 60 organic EL element Reference Signs List 61 anode layer 62 hole transport layer 63 light emitting layer 64 electron transport layer 65 cathode layer 100 device glass substrate 101 cathode layer 102 deflection plate 103 seal resin 104 sealing glass substrate 105 pocket 106 drying agent layer 115 display pixel

Claims (11)

第１の絶縁性基板と、
前記第１の絶縁性基板の表面に形成されたエレクトロルミネッセンス素子と、
前記第１の絶縁性基板の表面に対向して貼り合わされた第２の絶縁性基板と、前記第２の絶縁性基板の前記第１の絶縁性基板に対向する面に形成された乾燥剤層と、
前記エレクトロルミネッセンス素子と前記乾燥剤層との間隙に挿入された複数のスペーサと、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。A first insulating substrate;
An electroluminescent element formed on a surface of the first insulating substrate;
A second insulating substrate bonded to the surface of the first insulating substrate, and a desiccant layer formed on a surface of the second insulating substrate facing the first insulating substrate; When,
An electroluminescent display device comprising: a plurality of spacers inserted into a gap between the electroluminescent element and the desiccant layer. 前記複数のスペーサは、熱伝導性を有することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the plurality of spacers have thermal conductivity. 前記複数のスペーサは、金属から成ることを特徴とする請求項２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescent display device according to claim 2, wherein the plurality of spacers are made of metal. 前記複数のスペーサは、インジウムから成ることを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescence display device according to claim 3, wherein the plurality of spacers are made of indium. 前記複数のスペーサは、移動自在に挿入されたことを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the plurality of spacers are movably inserted. 前記複数のスペーサは、球状であることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the plurality of spacers are spherical. 前記第２の絶縁性基板の表面に熱伝導層が形成され、この熱伝導層上に前記乾燥剤層が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。3. The electroluminescent display device according to claim 1, wherein a heat conductive layer is formed on a surface of the second insulating substrate, and the desiccant layer is formed on the heat conductive layer. . 前記第２の絶縁性基板の表面に凹部が形成され、この凹部に前記熱伝導層が形成されていることを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescent display device according to claim 7, wherein a concave portion is formed on a surface of the second insulating substrate, and the heat conductive layer is formed in the concave portion. 前記熱伝導層は、クロム層あるいはアルミニウム層であることを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescent display device according to claim 7, wherein the heat conductive layer is a chromium layer or an aluminum layer. 前記第１の絶縁性基板と前記第２の絶縁性基板とはシール樹脂を用いて貼り合わされていることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。2. The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the first insulating substrate and the second insulating substrate are bonded using a sealing resin. 前記第１の絶縁性基板と前記第２の絶縁性基板とは互いに溶着されていることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the first insulating substrate and the second insulating substrate are welded to each other.
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